ic电子元器件命名文档

电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上.

封装形式:

封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好.

封装大致经过了如下发展进程:

结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP;

材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料;

引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点;

装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装.

英文简称

英文全称

中文解释

图片

DIP

Double In-line Package

双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等.

PLCC

Plastic Leaded Chip Carrier

PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC 封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点.

PQFP

Plastic Quad Flat Package

PQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.

SOP

Small Outline Package

1968～1969年菲为浦公司就开发出小外形封装(SOP).以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装),TSOP(薄小外形封装),VSOP(甚小外形封装),SSOP(缩小型SOP),TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管),SOIC(小外形集成电路)等.

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模拟滤波器光纤通信高速信号处理和转换无线/射频

光线通讯,模拟显示支持电路高频模拟和混合信号ASIC

数字转换器,接口,电源管理,电池监控DC/DC电源电压基准

MAXIM前缀是"MAX".DALLAS则是以"DS"开头.

MAX×××或MAX××××

说明:1后缀CSA,CWA 其中C表示普通级,S表示表贴,W表示宽体表贴.

2 后缀CWI表示宽体表贴,EEWI宽体工业级表贴,后缀MJA或883为军级.

3 CPA,BCPI,BCPP,CPP,CCPP,CPE,CPD,ACPA后缀均为普通双列直插.

举例MAX202CPE,CPE普通ECPE普通带抗静电保护

MAX202EEPE 工业级抗静电保护(-45℃-85℃) 说明E指抗静电保护MAXIM数字排列分类

1字头模拟器2字头滤波器3字头多路开关

4字头放大器5字头数模转换器6字头电压基准

7字头电压转换8字头复位器9字头比较器

DALLAS命名规则

例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND

N=工业级

S=表贴宽体MCG=DIP封

Z=表贴宽体MNG=DIP工业级

IND=工业级QCG=PLCC封Q=QFP

下面是MAXIM的命名规则:

三字母后缀:

例如:MAX358CPD

C = 温度范围

P = 封装类型

D = 管脚数

温度范围:

C = 0℃至70℃(商业级)

I = -20℃至+85℃(工业级)

E = -40℃至+85℃(扩展工业级)

A = -40℃至+85℃(航空级)

M = -55℃至+125℃(军品级)

封装类型:

A SSOP(缩小外型封装)

B CERQUAD

C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)

D 陶瓷铜顶封装

E 四分之一大的小外型封装

F 陶瓷扁平封装

H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP)

J CERDIP (陶瓷双列直插)

K TO-3 塑料接脚栅格阵列

L LCC (无引线芯片承载封装)

M MQFP (公制四方扁平封装)

N 窄体塑封双列直插

P 塑封双列直插

Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)

R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)

S 小外型封装

T TO5,TO-99,TO-100

U TSSOP,μMAX,SOT

W 宽体小外型封装(300mil)

X SC-70(3脚,5脚,6脚)

Y 窄体铜顶封装

Z TO-92,MQUAD

/D 裸片

/PR 增强型塑封

/W 晶圆

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DSP信号处理器放大器工业用器件通信电源管理移动通信

视频/图像处理器等模拟A/D D/A 转换器传感器模拟器件

AD产品以"AD","ADV"居多,也有"OP"或者"REF","AMP","SMP","SSM","TMP","TMS"等开头的.

后缀的说明:1,后缀中J表示民品(0-70℃),N表示普通塑封,后缀中带R表示表示表贴.

2,后缀中带D或Q的表示陶封,工业级(45℃-85℃).后缀中H表示圆帽.

3,后缀中SD或883属军品.

例如:JN DIP封装JR表贴JD DIP陶封

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DSP 信号处理器等嵌入式控制器高性能运放IC 存储器A/D D/A

模拟器件转换接口IC等54LS军品系列CD4000军品系列

工业/ 民用电表微控制器等

TI产品命名规则:SN54LS×××/HC/HCT/或SNJ54LS/HC/HCT中的后缀说明:

SN或SNJ表示TI品牌

SN军标,带N表示DIP封装,带J表示DIP(双列直插),带D表示表贴,带W表示宽体

SNJ军级,后面代尾缀F或/883表示已检验过的军级.

CD54LS×××/HC/HCT:

1,无后缀表示普军级

2,后缀带J或883表示军品级

CD4000/CD45××:

后缀带BCP或BE属军品

后缀带BF属普军级

后缀带BF3A或883属军品级

TL×××:

后缀CP普通级IP工业级后缀带D是表贴

后缀带MJB,MJG或带/883的为军品级

TLC表示普通电压TLV低功耗电压

TMS320系列归属DSP器件, MSP430F微处理器

BB产品命名规则:

前缀ADS模拟器件后缀U表贴P是DIP封装带B表示工业级

前缀INA,XTR,PGA等表示高精度运放后缀U表贴P代表DIP PA表示高精度

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FLASH 快闪记忆体,嵌入式奔腾处理器,Xscale, 个人数字助理PDA StrongARM处理器及开发工具,

IXA网络处理器,i960RISC处理器,PCI-PCI Bridge 芯片,8位及16位单片机

INTEL产品命名规则:

N80C196系列都是单片机

前缀:N=PLCC封装T=工业级S=TQFP封装P=DIP封装KC20主频KB主频MC代表84引角

TE28F640J3A-120 闪存TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP

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SRAM,SDRAM,EDO/FPM DRAM, EEPROM,8051 系列单片机,ASIC及语音芯片

以"IS"开头比如:IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM

封装: PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP

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高性能模拟器件电压基准运算放大器数/模模数转换器电源及马达控制线路

以产品名称为前缀

LTC1051CS CS表示表贴

LTC1051CN8 CN表示DIP封装8脚

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FLASH 快闪记忆体微处理器

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双端口RAM 先进先出器件FIFO 高速静态存储器SRAM

快速逻辑器件FCT 低功耗高速TTL系列如74FCT16XXX系列

IDT的产品一般都是IDT开头的.

后缀的说明:1,后缀中TP属窄体DIP.

2,后缀中P 属宽体DIP.

3,后缀中J 属PLCC.

比如:IDT7134SA55P 是DIP封装IDT7132SA55J 是PLCC IDT7206L25TP 是DIP

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机顶壳,消费类电子产品,MP3,Monitor IC Mosfet , Linear IC ,Chipsets

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单片机为主

AT89C系列

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EPROM , FLASH , SRAM 可完全代替ATMEL ,ST ,SST ,AMD ,ISSI ,CYPRESS ,IDT ,ICSI的同类产品

W24258S-70LL 32×8 SRAM 可完全替代W24257S-70LL

W2465S-70LL 高稳定性的8K×8 SRAM 管脚定意完全等同6264

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NS的产品部分以LM ,LF开头的

LM324N 3字头代表民品带N圆帽

LM224N 2字头代表工业级带J陶封

LM124J 1字头代表军品带N塑封

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以ICL开头

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以IMP开头,很多型号可以和AD,MAXIM,DALLAS,National,Microchip等互换https://www.360docs.net/doc/056182329.html,

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以产品名称为前缀MC××××

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以产品功能为前缀EPE EPF EPD EP

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PFC PCF

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封装: DP代表DIP封装DG代表SOP封装DT代表TSOP封装

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新茂国际科技嵌入式快闪记忆体单片机我公司是其大陆北方总代理

MCU SM59××,SM79××,SM89××系列

FLASH S29××系列

SM59××系列都可以ISP(在线编程) ,SM8951/52系列有部分是编程器烧写程序

MCU单片机尾缀说明

AC25P 表示5伏25频率DIP封装

AC40P 表示5伏40频率DIP封装

AC25J 表示5伏25频率PLCC封装

AC40J 表示5伏40频率PLCC封装

AC25Q 表示5伏25频率QFP封装

AC40Q 表示5伏40频率QFP封装

AC 表示5V

AL 表示3.3V 封装说明DIP简称P PLCC简称J QFP简称Q

一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分：

1.前缀（首标）-----很多可以推测是哪家公司产品

2.器件名称----一般可以推断产品的功能（memory可以得知其容量）

3.温度等级-----区分商业级，工业级，军级等

4.封装----指出产品的封装和管脚数

有些IC型号还会有其它内容：

1.速率-----如memory，MCU，DSP，FPGA等产品都有速率区别，如-5，-6之类数字表示

2.工艺结构----如通用数字IC有COMS和TTL两种，常用字母C，T来表示

3.是否环保-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否环保，如Z，R，+等

4.包装-----显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，rail，tray等

5.版本号----显示该产品修改的次数，一般以M为第一版本

6.特定性能（较少）

7.该产品的状态

举例：EP 2C70 A F324 C 7 ES ：EP-altera公司的产品；2C70-CYCLONE2系列的FPGA；A-特定电气性能；F324-324pin FBGA封装；C-民用级产品；7-速率等级；ES-工程样品

MAX 232 A C P E + ：MAX-maxim公司产品；232-接口IC；A-A档；C-民用级；P-塑封两列直插；E-16脚；+表示无铅产品

1、MAXIM 更多资料请参考https://www.360docs.net/doc/056182329.html,

MAXIM前缀是“MAX”。DALLAS则是以“DS”开头。

MAX×××或MAX××××

说明：

1、后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。

2、后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。

3、CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。

举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护

MAX202EEPE 工业级抗静电保护（-45℃-85℃）,说明E指抗静电保护MAXIM数字排列分类1字头模拟器2字头滤波器3字头多路开关

4字头放大器5字头数模转换器6字头电压基准

7字头电压转换8字头复位器9字头比较器

DALLAS命名规则

例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND

N=工业级S=表贴宽体MCG=DIP封Z=表贴宽体MNG=DIP工业级

IND=工业级QCG=PLCC封Q=QFP

2、ADI 更多资料查看https://www.360docs.net/doc/056182329.html,

AD产品以“AD”、“ADV”居多，也有“OP”或者“REF”、“AMP”、“SMP”、“SSM”、“TMP”、“TMS”等开头的。

后缀的说明：

1、后缀中J表示民品（0-70℃），N表示普通塑封，后缀中带R表示表示表贴。

2、后缀中带D或Q的表示陶封，工业级（45℃-85℃）。后缀中H表示圆帽。

3、后缀中SD或883属军品。

例如：JN DIP封装JR表贴JD DIP陶封

3、BB 更多资料查看https://www.360docs.net/doc/056182329.html,

BB产品命名规则：

前缀ADS模拟器件后缀U表贴P是DIP封装带B表示工业级前缀INA、XTR、PGA等表示高精度运放后缀U表贴P代表DIP PA表示高精度

4、INTEL 更多资料查看https://www.360docs.net/doc/056182329.html,

INTEL产品命名规则：

< 3 >

N80C196系列都是单片机

前缀：N=PLCC封装T=工业级S=TQFP封装P=DIP封装

KC20主频KB主频MC代表84引角

举例：TE28F640J3A-120 闪存TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP

5、ISSI 更多资料查看https://www.360docs.net/doc/056182329.html,

以“IS”开头

比如：IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM

封装：PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP

6、LINEAR 更多资料查看https://www.360docs.net/doc/056182329.html,

以产品名称为前缀

LTC1051CS CS表示表贴

LTC1051CN8 **表示*IP封装8脚

7、IDT 更多资料查看https://www.360docs.net/doc/056182329.html,

IDT的产品一般都是IDT开头的

后缀的说明：

1、后缀中TP属窄体DIP

2、后缀中P属宽体DIP

3、后缀中J属PLCC

比如：IDT7134SA55P 是DIP封装

IDT7132SA55J 是PLCC

IDT7206L25TP 是DIP

8、NS 更多资料查看https://www.360docs.net/doc/056182329.html,

NS的产品部分以LM 、LF开头的

LM324N 3字头代表民品带N圆帽

LM224N 2字头代表工业级带J陶封

LM124J 1字头代表军品带N塑封

9、HYNIX 更多资料查看https://www.360docs.net/doc/056182329.html,

封装：DP代表DIP封装DG代表SOP封装DT代表TSOP封装

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式半导体器件(semiconductor device)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。电阻率在108Ω?cm以上半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点： (1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼，硅的电阻率就会从241000Ω?cm下降到0.4Ω?cm，变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。例如：温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时，电阻率只增加4%左右。

集成电路IC设计完整流程详解及各个阶段工具简介

IC设计完整流程及工具 IC的设计过程可分为两个部分，分别为：前端设计（也称逻辑设计）和后端设计（也称物理设计），这两个部分并没有统一严格的界限，凡涉及到与工艺有关的设计可称为后端设计。前端设计的主要流程： 1、规格制定芯片规格，也就像功能列表一样，是客户向芯片设计公司（称为Fabless，无晶圆设计公司）提出的设计要求，包括芯片需要达到的具体功能和性能方面的要求。 2、详细设计 Fabless根据客户提出的规格要求，拿出设计解决方案和具体实现架构，划分模块功能。 3、HDL编码使用硬件描述语言（VHDL，Verilog HDL，业界公司一般都是使用后者）将模块功能以代码来描述实现，也就是将实际的硬件电路功能通过HDL语言描述出来，形成RTL（寄存器传输级）代码。 4、仿真验证仿真验证就是检验编码设计的正确性，检验的标准就是第一步制定的规格。看设计是否精确地满足了规格中的所有要求。规格是设计正确与否的黄金标准，一切违反，不符合规格要求的，就需要重新修改设计和编码。设计和仿真验证是反复迭代的过程，直到验证结果显示完全符合规格标准。仿真验证工具Mentor公司的Modelsim，Synopsys的VCS，还有Cadence的NC-Verilog均可以对RTL级的代码进行设计验证，该部分个人一般使用第一个-Modelsim。该部分称为前仿真，接下来逻辑部分综合之后再一次进行的仿真可称为后仿真。 5、逻辑综合――Design Compiler 仿真验证通过，进行逻辑综合。逻辑综合的结果就是把设计实现的HDL代码翻译成门级网表netlist。综合需要设定约束条件，就是你希望综合出来的电路在面积，时序等目标参数上达到的标准。逻辑综合需要基于特定的综合库，不同的库中，门电路基

电子元器件的命名

电子元器件命名- - （资料是刚工作时前辈们留给我的，仅供参考。需要更多资料请咨询https://www.360docs.net/doc/056182329.html,掌柜）电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上. 封装形式: 封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好. 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP; 材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装. DIP Double In-line Package 双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点. PQFP Plastic Quad Flat Package PQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.

(整理)集成电路IC知识

集成电路IC常识中国半导体器件型号命名方法第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号日本半导体分立器件型号命名方法第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。集成电路(IC)型号命名方法/规则/标准原部标规定的命名方法X XXXXX 电路类型电路系列和电路规格符号电路封装T：TTL；品种序号码（拼音字母）A：陶瓷扁平； H：HTTL；（三位数字） B ：塑料扁平； E：ECL； C：陶瓷双列直插； I：I-L； D：塑料双列直插； P：PMOS； Y：金属圆壳； N：NMOS； F：金属菱形； F：线性放大器； W：集成稳压器； J：接口电路。原国标规定的命名方法CXXXXX中国制造器件类型器件系列和工作温度范围器件封装符号 T：TTL；品种代号C：（0-70）℃；W：陶瓷扁平； H：HTTL；（器件序号）E ：（-40~85）℃；B：塑料扁平； E：ECL； R：（-55~85）℃；F：全密封扁平； C：CMOS； M：（-55~125）℃；D：陶瓷双列直插； F：线性放大器； P：塑料双列直插； D：音响、电视电路； J：黑瓷双理直插； W：稳压器； K：金属菱形； J：接口电路； T：金属圆壳； B：非线性电路； M：存储器； U：微机电路；其中，TTL中标准系列为CT1000系列；H 系列为CT2000系列；S系列为CT3000系列；LS系列为CT4000系列；原部标规定的命名方法CX XXXX中国国标产品器件类型用阿拉伯数字和工作温度范围封装 T：TTL电路；字母表示器件系C：（0~70）℃F：多层陶瓷扁平； H：HTTL电路；列品种G：（-25~70）℃B：塑料扁平； E：ECL电路；其中TTL分为：L：（-25~85）℃H：黑瓷扁平； C：CMOS电路；54/74XXX；E：（-40~85）℃D：多层陶瓷双列直插； M：存储器；54/74HXXX；R：（-55~85）℃J：黑瓷双列直插； U：微型机电路；54/74LXXX；M：（-55~125）℃P：塑料双列直插； F：线性放大器；54/74SXXX； S：塑料单列直插； W：稳压器；54/74LSXXX； T：金属圆壳； D：音响、电视电路；54/74ASXXX； K：金属菱形； B：非线性电路；54/74ALSXXX； C：陶瓷芯片载体； J：接口电路；54/FXXX。 E：塑料芯

电子元件分类与编码标准

电子元件分类与编码标准为了方便电子元器件的购买及生产管理, 且为以后元器件的电脑化管理提供可能, 本说明对可能涉及到的电子元器件的编号进行规定。 1: 总体原则 1.1 总体规定: 电子元器件的编号统一设想采用字母与数字混合编号方式且统一为9位. 具体以器件分类名称的字母缩写(2位)开始, 后续6 位数字或字母表示器件的具体规格或型号，第7位是附加的备注或特殊的识别标记（除电容的命名方式外） 1.2 对于不同规格与不同厂家的元器件原则上采用不同的编号. 1.3 对于一些通用类电子元器件, 如: 电阻, 电容, 电感等如规格及外形相同则不同厂家的产品也可采用统一编号. 1.4 对于元器件应有相非通用类电子应的图纸存档. 图纸中应包含器件的外形尺寸, 主要规格参数, 产品型号, 生产厂家等. 1.5 电阻, 电容,电感的标称值原则上在具体规格上说明 1.6 对于一些开发项目专用或关联较大以及根据本说明无法明确归类的电子元器件的编号如: PWB, PCB组装单元, 可以用项目编号取代编号的前4位, 后6位表示某具体元器件. 若该器件也在别的项目中使用, 采用同一编号, 保证编号的唯一性。 2.0、编码结构说明：ＸＸ－ＸＸ－ＸＸＸＸＸＸ－ＸＸＸ－Ｘ｜｜｜｜｜空位（环保区分时备用）｜｜｜｜误差/封装信息/引脚数/修正编号/空位｜｜｜｜｜｜元件种类/电气参数/型号｜｜供应商名代码｜物品代码注：编码长度一至，编码中间的“—”不纳入ERP系统，例： RE0120000061280 2.1、电子元器件物品（电子元器件的命名字母缩写）: 器件名称字母缩写器件名称字母缩写器件名称字母缩写电阻RE混合厚膜电路HB 导线WR 电阻阵列、 RA /RG传感器SN磁珠FR 可变电容CP继电器RL 线圈CL

电子元件符号大全

电子元器件符号电气符号大全电路图符号大全导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用?、K?、M?表示。一、电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻电子元器件基础知识（2）——电容电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF 电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介电子元器件基础知识（3）——电感线圈电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。电感的分类按电感形式分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。电感线圈的主要特性参数1、电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。2、感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL 3、品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R 线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。4、分布电容线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。电子元器件基础知识（4）——半导体器件中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-

电子元器件型号命名规则

一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、

3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。三、美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、无非军用品。第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:

集成电路ic封装种类、代号、含义

【引用】集成电路IC封装的种类、代号和含义 2011-03-24 15:10:32| 分类：维修电工| 标签：|字号大中小订阅本文引用自厚德载道我心飞翔《集成电路IC封装的种类、代号和含义》 IC封装的种类,代号和含 1、BGA(ball grid array) 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。 2、BQFP(quad flat PACkage with bumper) 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。 3、PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。 4、C－(ceramic) 表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 5、Cerdip 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8 到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。 6、Cerquad 表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。 7、CLCC(ceramic leaded Chip carrier) 带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。 8、COB(Chip on board) 板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。9、DFP(dual flat PACkage) 双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。 10、DIC(dual in-line ceramic PACkage) 陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP). 11、DIL(dual in-line) DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。 12、DIP(dual in-line PACkage) 双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为Cerdip(见cerdip)。 13、DSO(dual small out-lint) 双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。

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精品文档精品文档目次 1 范围 ................................................................................ 1 2 规范性引用文件 ...................................................................... 1 3制订规则 ............................................................................. 1 3.1以B 开头的封装 ..................................................................... 1 3.2以C 开头的封装 ..................................................................... 1 3.3以D 开头的封装 ..................................................................... 2 3.4以E 开头的封装 ..................................................................... 2 3.5以F 开头的封装 ..................................................................... 2 3.6以G 开头的封装 ..................................................................... 2 3.7以H 开头的封装 ..................................................................... 2 3.8以K 开头的封装 ..................................................................... 2 3.9以L 开头的封装 ..................................................................... 2 3.10以R 开头的封装 .................................................................... 2 3.11以S 开头的封装 .................................................................... 3 3.12以T 开头的封装 .................................................................... 3 3.13以U 开头的封装 .................................................................... 3 3.14以V 开头的封装 .................................................................... 3 3.15以X 开头的封装 .................................................................... 3 3.16以Z 开头的封装 .. (4) 印制板设计元器件封装命名规则

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则1，常用电阻器、电位器第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分第六部分第七部分第八部分用字母表示主称用字母表示材料用数字或者字母表示分类用数字或者字母直接表示用数字或者字母直接表示用数字或者字母直接表示用数字或者字母直接表示用数字或者字母直接表示符号意义符号意义符号意义额定功率阻值允许误差精密等级封装 R 电阻器H 合成膜 1，2 普通 W 电位器S 有机实芯 3 超音频 N 无机实芯 4 高阻T 碳膜 5 高温Y 氧化膜 7 精密J 金属膜（箔） 8 电阻器-高压 I 玻璃釉膜电位器-特殊 X 线绕9 特殊 G 高功率 T 可调 W 微调 M 敏感 2，电容器第一部分（材料）第二部分分类（第三部分）（用数字或者字母直接表示）第四部分（用数字或者字母直接表示）第五部分（用数字或者字母直接表示）第六部分符号意义符号意义符号意义容值精密封装

瓷介云母有机电解等级 C 电容器C 高频瓷 1 圆片非密封非密封箔式T 低频瓷 2 圆形非密封非密封箔式I 玻璃釉 3 叠形密封密封烧结粉液体O 玻璃膜 4 独石密封密封烧结粉固体Y 云母 5 穿心穿心 V 云母纸 6 支柱等无极性Z 纸介7 J 金属化纸 8 高压高压高压 D 铝电解 9 特殊特殊 A 钽电解 G 高功率 N 铌电解 W 微调 Q 漆膜 G 合金电解 E 其它电解材料 B 聚苯乙烯等非极性有机薄膜 L 聚酯等极性有机薄膜 H 复合介质

【集成电路(IC)】电子专业术语英汉对照加注解

【集成电路(IC)】电子专业术语英汉对照加注解电子专业英语术语 ★rchitecture（结构）：可编程集成电路系列的通用逻辑结构。 ★ASIC（Application Specific Integrated Circuit－专用集成电路）：适合于某一单一用途的集成电路产品。 ★ATE（Automatic Test EQUIPment－自动测试设备）：能够自动测试组装电路板和用于莱迪思ISP 器件编程的设备。 ★BGA（Ball Grid Array－球栅阵列）：以球型引脚焊接工艺为特征的一类集成电路封装。可以提高可加工性，减小尺寸和厚度，改善了噪声特性，提高了功耗管理特性。 ★Boolean Equation（逻辑方程）：基于逻辑代数的文本设计输入方法。 ★Boundary Scan Test（边界扫描测试）：板级测试的趋势。为实现先进的技术所需要的多管脚器件提供了较低的测试和制造成本。 ★Cell-Based PLD（基于单元的可编程逻辑器件）：混合型可编程逻辑器件结构，将标准的复杂的可编程逻辑器件（CPLD）和特殊功能的模块组合到一块芯片上。 ★CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor－互补金属氧化物半导体）：先进的集成电路★加工工艺技术，具有高集成、低成本、低能耗和高性能等特征。CMOS 是现在高密度可编程逻辑器件（PLD）的理想工艺技术。 ★CPLD（Complex Programmable Logic Device－复杂可编程逻辑器件）：高密度的可编程逻辑器件，包含通过一个中央全局布线区连接的宏单元。这种结构提供高速度和可预测的性能。是实现高速逻辑的理想结构。理想的可编程技术是E2CMOS?。 ★Density （密度）：表示集成在一个芯片上的逻辑数量，单位是门（gate）。密度越高，门越多，也意味着越复杂。 ★Design Simulation（设计仿真）：明确一个设计是否与要求的功能和时序相一致的过程。★E2CMOS?（Electrically Erasable CMOS－电子可擦除互补金属氧化物半导体）：莱迪思专用工艺。基于其具有继承性、可重复编程和可测试性等特点，因此是一种可编程逻辑器件（PLD）的理想工艺技术。 ★EBR（Embedded BLOCk RAM－嵌入模块RAM）：在ORCA 现场可编程门阵列（FPGA）中的RAM 单元，可配置成RAM、只读存储器（ROM）、先入先出（FIFO）、内容地址存储器（CAM）等。 ★EDA（Electronic Design Automation－电子设计自动化）：即通常所谓的电子线路辅助设计软件。 ★EPIC （Editor for Programmable Integrated Circuit－可编程集成电路编辑器）：一种包含在★ORCA Foundry 中的低级别的图型编辑器，可用于ORCA 设计中比特级的编辑。★Explore Tool（探索工具）：莱迪思的新创造，包括ispDS+HDL 综合优化逻辑适配器。探索工具为用户提供了一个简单的图形化界面进行编译器的综合控制。设计者只需要简单地点击鼠标，就可以管理编译器的设置，执行一个设计中的类似于多批处理的编译。 ★Fmax：信号的最高频率。芯片在每秒内产生逻辑功能的最多次数。 ★FAE（Field Application Engineer－现场应用工程师）：在现场为客户提供技术支持的工程师。 ★Fabless：能够设计，销售，通过与硅片制造商联合以转包的方式实现硅片加工的一类半导体公司。

常用电子元器件符号

常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号一．电阻器、电容器、电感器和变压器 248

二．半导体管三．其它电气图形符号 249

第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器 1．电阻器和电位器的型号命名方法示例： (1)精密金属膜电阻器 R J7 3 第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器） (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器） 250

2．电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。 (2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3．电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，表５ 251

例如： RJ71－0.125－5k1－II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。 (2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值有效数字后0的个数允许误差图1 两位有效数字阻值的色环表示法三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。例如，色环为棕黑红，表示10?102＝1.0kΩ±20%的电阻器。四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15?103＝15kΩ±5%的电阻器。五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示275?104＝2.75MΩ±1%的电阻器。 252

PCB元件库SCH元件库命名规则

PCB元件库命名规则 2.1 集成电路（直插）用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如：DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2.2 集成电路（贴片）用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如：SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm 2.3 电阻 2.3.1 SMD贴片电阻命名方法为：封装+R 如：1812R表示封装大小为1812的电阻封装 2.3.2 碳膜电阻命名方法为：R-封装如：R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 2.3.3 水泥电阻命名方法为：R-型号如：R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 2.4 电容 2.4.1 无极性电容和钽电容命名方法为：封装+C 如：6032C表示封装为6032的电容封装 2.4.2 SMT独石电容命名方法为：RAD+引脚间距如：RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 2.4.3 电解电容命名方法为：RB+引脚间距/外径如：RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 2.5 二极管整流器件命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N4148 2.6 晶体管命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名 2.7 晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸如：AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装 2.8 电感、变压器件电感封封装采用TDK公司封装 2.9 光电器件 2.9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示如：0805D表示封装为0805的发光二极管 2.9.2 直插发光二极管表示为LED-外径如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则 2，电容器

5，半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、 C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、 N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、 BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。 0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、 1-二极管、 2三极或具有两个pn结的其他器件、 3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、 ┄┄依此类推。第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。 S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

IC的种类及用途

IC的种类及用途在电子行业，集成电路的应用非常广泛，每年都有许许多多通用或专用的集成电路被研发与生产出来，本文将对集成电路的知识作一全面的阐述。一、集成电路的种类集成电路的种类很多，按其功能不同可分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。前者用来产生、放大和处理各种模拟电信号；后者则用来产生、放大和处理各种数字电信号。所谓模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。例如，人对着话筒讲话，话筒输出的音频电信号就是模拟信号，收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号，也是模拟信号。所谓数字信号，是指在时间上和幅度上离散取值的信号，例如，电报电码信号，按一下电键，产生一个电信号，而产生的电信号是不连续的。这种不连续的电信号，一般叫做电脉冲或脉冲信号，计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做数字信号。在电子技术中，通常又把模拟信号以外的非连续变化的信号，统称为数字信号。目前，在家电维修中或一般性电子制作中，所遇到的主要是模拟信号；那么，接触最多的将是模拟集成电路。集成电路按其制作工艺不同，可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元器件并具有某种电路功能的集成电路；膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上，以“膜”的形式制作电阻、电容等无源器件。无源元件的数值范围可以作得很宽，精度可以作得很高。但目前的技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件，因而使膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中，多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二极管、三极管等有源器件，使之构成一个整体，这便是混合集成电路。根据膜的厚薄不同，膜集成电路又分为厚膜集成电路（膜厚为1μm～10μm）和薄膜集成电路（膜厚为1μm以下）两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。按集成度高低不同，可分为小规模、中规模、大规模及超大规模集成电路四类。对模拟集成电路，由于工艺要求较高、电路又较复杂，所以一般认为集成50个以下元器件为小规模集成电路，集成50－100个元器件为中规模集成电路，集成100个以上的元器件为大规模集成电路；对数字集成电路，一般认为集成1～10等效门／片或10～100个元件／片为小规模集成电路，集成10～100个等效门／片或100～1000元件／片为中规模集成电路，集成100～10,000个等效门／片或1000～100,000个元件／片为大规模集成电路，集成10,000以上个等效门／片或100,000以上个元件／片为超大规模集成电路。

元器件封装命名规范

前言概述：本文主要描述元器件的封装命名原则。关键词：封装、命名

1.贴装器件 (5) 1.1贴装电容SC （不含贴装钽电容） (5) 1.2贴装二极管（含发光二极管）SD (5) 1.3贴装保险管（含管座）SF (5) 1.4贴装电感SL（不含贴装功率电感 (5) 1.5贴装电阻SR (5) 1.6贴装晶体（含晶体振荡器）SX (6) 1.7小外形晶体管SOT (6) 1.8贴装功率电感SPL (6) 1.9贴装阻排SRN (6) 1.10贴装钽电容STC (6) 1.11球栅阵列BGA (7) 1.12四方扁平封装IC QFP (7) 1.13J引线小外形封装IC SOJ（不含引脚外展式IC） (7) 1.14小外形封装IC SOP (7) 1.15塑封有引线载体（含插座）PLCC (7) 1.16贴装滤波器SFLT (8) 1.17贴装锁相环SPLL (8) 1.18贴装电位器SPOT (8) 1.19贴装继电器SRLY (8) 1.20贴装电池SBAT (8) 1.21贴装变压器STFM (9) 1.22贴装拨码开关SDSW (9) 2.插装器件 (9) 2.1插装无极性电容器CAP (9) 2.2插装有极性圆柱状电容器CAPC (9) 2.3插装有极性方形电容器CAPR (10) 2.4插装二极管DIODE (10) 2.5插装保险管（含管座）FUSE (10) 2.6插装电感器IND (10) 2.7插装电阻器RES (10)

2.8插装晶体XTAL (11) 2.9插装振荡器OSC (11) 2.10插装滤波器FLT (11) 2.11插装电位器POT (11) 2.12插装继电器RLY (11) 2.13插装变压器TFM (12) 2.14插装蜂鸣器BUZZLE (12) 2.15插装LED显示器LED (12) 2.16插装电池BAT (12) 2.17插装电源模块PW (12) 2.18插装传感器SEN (12) 2.19双列直插封装(不含厚膜) DIP (13) 2.20单列直插封装(不含厚膜) SIP (13) 2.21针状栅格阵列封装PGA (13) 2.22双列直插封装厚膜HDIP (13) 2.23单列直插封装厚膜HSIP (13) 2.24插装晶体管TO (14) 2.25开关 (14) 3.插装连接器 (14) 3.1同轴电缆连接器COX (14) 3.2D型电缆连接器DB (15) 3.3电源连接器PWC (15) 3.4视频连接器VDC (15) 3.5音频连接器ADC (15) 3.6USB连接器USB (16) 3.7网口连接器RJ45 (16) 3.8插座PMR (16)