XJ4810晶体管特性图示仪 说明书
XJ4810晶体管特性图示仪说明书
晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。用它可以测试晶体三极管（NPN型和PNP型）的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。
图A-23 XJ4810型半导体管特性图示仪
7.1 XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍
XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示：
1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。
2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。
3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。
4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。
5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。
AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。
6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。
7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。
8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。
9. 电源指示：接通电源时灯亮。
10. 聚焦旋钮：调节旋钮可使光迹最清晰。
11. 荧光屏幕：示波管屏幕，外有座标刻度片。
12. 辅助聚焦：与聚焦旋钮配合使用。
13. Y轴选择（电流/度）开关：具有22挡四种偏转作用的开关。可以进行集电极电流、基极电压、基极电流和外接的不同转换。
14. 电流/度×0.1倍率指示灯：灯亮时，仪器进入电流/度×0.1倍工作状态。
15. 垂直移位及电流/度倍率开关：调节迹线在垂直方向的移位。旋钮拉出，放大器增益扩大10倍，电流/度各挡I C标值×0.1，同时指示灯14亮.
16. Y轴增益：校正Y轴增益。
17. X轴增益：校正X轴增益。
18.显示开关：分转换、接地、校准三挡，其作用是：
⑴转换：使图像在Ⅰ、Ⅲ象限内相互转换，便于由NPN管转测PNP管时简化测试操作。
⑵接地：放大器输入接地，表示输入为零的基准点。
⑶校准：按下校准键，光点在X、Y轴方向移动的距离刚好为10度，以达到10度校正目的。
19. X轴移位：调节光迹在水平方向的移位。
20. X轴选择（电压/度）开关：可以进行集电极电压、基极电流、基极电压和外接四种功能的转换，共17挡。
21. “级/簇”调节：在0～10的范围内可连续调节阶梯信号的级数。
22. 调零旋钮：测试前，应首先调整阶梯信号的起始级零电平的位置。当荧光屏上已观察到基极阶梯信号后，按下测试台上选择按键“零电压”，观察光点停留在荧光屏上的位置，复位后调节零旋钮，使阶梯信号的起始级光点仍在该处，这样阶梯信号的零电位即被准确校正。
23. 阶梯信号选择开关：可以调节每级电流大小注入被测管的基极，作为测试各种特性曲线的基极信号源，共22挡。一般选用基极电流/级，当测试场效应管时选用基极源电压/级。
24. 串联电阻开关：当阶梯信号选择开关置于电压/级的位置时，串联电阻将串联在被测管的输入电路中。
25. 重复－－关按键：弹出为重复，阶梯信号重复出现；按下为关，阶梯信号处于待触发状态。
26. 阶梯信号待触发指示灯：重复按键按下时灯亮，阶梯信号进入待触发状态。
27. 单簇按键开关：单簇的按动其作用是使预先调整好的电压（电流）/级，出现一次阶梯信号后回到等待触发位置，因此可利用它瞬间作用的特性来观察被
测管的各种极限特性。
28. 极性按键：极性的选择取决于被测管的特性。
29. 测试台：其结构如图A-24所示。
图A-24 XJ4810型半导体管特性图示仪测试台
30. 测试选择按键：
⑴“左”、“右”、“二簇”：可以在测试时任选左右两个被测管的特性，当置于“二簇”时，即通过电子开关自动地交替显示左右二簇特性曲线，此时“级/簇”应置适当位置，以利于观察。二簇特性曲线比较时，请不要误按单簇按键。
⑵“零电压”键：按下此键用于调整阶梯信号的起始级在零电平的位置，见（22）项。
⑶“零电流”键：按下此键时被测管的基极处于开路状态，即能测量I CEO特性。
31、32. 左右测试插孔：插上专用插座（随机附件），可测试F1、F2型管座的功率晶体管。
33、34、35.晶体管测试插座。
36. 二极管反向漏电流专用插孔（接地端）。
在仪器右侧板上分布有图A-25所示的旋钮和端子：
图A-25 XJ4810型半导体管特性图示仪右侧板
37. 二簇移位旋钮：在二簇显示时，可改变右簇曲线的位置，更方便于配对晶体管各种参数的比较。
38. Y轴信号输入：Y轴选择开关置外接时，Y轴信号由此插座输入。
39. X轴信号输入：X轴选择开关置外接时，X轴信号由此插座输入。
40. 校准信号输出端：1V、0.5V校准信号由此二孔输出。
7.2测试前注意事项
为保证仪器的合理使用，既不损坏被测晶体管，也不损坏仪器内部线路，在使用仪器前应注意下列事项：
1. 对被测管的主要直流参数应有一个大概的了解和估计，特别要了解被测管的集电极最大允许耗散功率P CM、最大允许电流I CM和击穿电压BV EBO、BV CBO。
2. 选择好扫描和阶梯信号的极性，以适应不同管型和测试项目的需要。
3. 根据所测参数或被测管允许的集电极电压，选择合适的扫描电压范围。一般情况下，应先将峰值电压调至零，更改扫描电压范围时，也应先将峰值电压调至零。选择一定的功耗电阻，测试反向特性时，功耗电阻要选大一些，同时将X、Y偏转开关置于合适挡位。测试时扫描电压应从零逐步调节到需要值。
4. 对被测管进行必要的估算，以选择合适的阶梯电流或阶梯电压，一般宜先小一点，再根据需要逐步加大。测试时不应超过被测管的集电极最大允许功耗。
5. 在进行I C M的测试时，一般采用单簇为宜，以免损坏被测管。
6. 在进行I C或I CM的测试中，应根据集电极电压的实际情况选择，不应超过本仪器规定的最大电流，见表A-3。
表A-3 最大电流对照表
7. 进行高压测试时，应特别注意安全，电压应从
零逐步调节到需要值。观察完毕，应及时将峰值电压
调到零。
7.3基本操作步骤
1. 按下电源开关，指示灯亮，预热15分钟后，即可进行测试。
2. 调节辉度、聚焦及辅助聚焦，使光点清晰。
3. 将峰值电压旋钮调至零，峰值电压范围、极性、功耗电阻等开关置于测试所需位置。
4. 对X、Y轴放大器进行10度校准。
5. 调节阶梯调零。
6. 选择需要的基极阶梯信号，将极性、串联电阻置于合适挡位，调节级/簇旋钮，使阶梯信号为10级/簇，阶梯信号置重复位置。
7. 插上被测晶体管，缓慢地增大峰值电压，荧光屏上即有曲线显示。
7.4测试实例
1. 晶体管h FE和β值的测量
以NPN 型3DK2晶体管为例，查手册得知3DK2 h FE 的测试条件为V CE =1V 、I C =10mA 。将光点移至荧光屏的左下角作座表零点。仪器部件的置位详见表A-4。
逐渐加大峰值电压就能在显示屏上看到一簇特性曲线，如图A-26所示.读出X 轴集电极电压V ce =1V 时最上面一条曲线（每条曲线为20μA ，最下面一条I B =0不计在内）I B 值和Y 轴I C 值，可得 h FE =
B
C I I =
A 200m A 5.8μ=2
.05
.8=42.5
若把X 轴选择开关放在基极电流或基极源电压位置，即可得到图A-27所示的电流放大特性曲线。即 β=
B
C I I ??
图A-26 晶体三极管输出特性曲线 图A-27 电流放大特性曲线
PNP 型三极管h FE 和β的测量方法同上，只需改变扫描电压极性、阶梯信号极性、并把光点移至荧光屏右上角即可。 2.晶体管反向电流的测试
以NPN 型3DK2晶体管为例，查手册得知3DK2 I CBO 、I CEO 的测试条件为V CB 、V CE 均为10V 。测试时，仪器部件的置位详见表A-5。
逐渐调高“峰值电压”使X 轴V CB =10V ，读出Y 轴的偏移量，即为被测值。被测管的接线方法如图1-28，其中图A-28（a ）测I CBO 值，图A-28（b ）测I CEO 值、图A-28（c ）测I EBO 值。
图A-28 晶体管反向电流的测试
测试曲线如图A-29所示。
读数：I C BO =0.5μA （V CB =10V ） I C EO =1μA （V CE =10V ）
图A-29 反向电流测试曲线
PNP型晶体管的测试方法与NPN型晶体管的测试方法相同。可按测试条件，适当改变挡位，并把集电极扫描电压极性改为“—”，把光点调到荧光屏的右下角（阶梯极性为“+”时）或右上角（阶梯极性为“—”时）即可。
3.晶体管击穿电压的测试
以NPN型3DK2晶体管为例，查手册得知3DK2 BV CBO、BV CEO、BV EBO的测试条件I C分别为100μA、200μA和100μA。测试时，仪器部件的置位详见表A-6。
逐步调高“峰值电压”，被测管按图A-30（a）的接法，Y轴I C=0.1mA时，X轴的偏移量为BV CEO值；被测管按图A-30（b）的接法，Y轴I C=0.2m A时，X 轴的偏移量为BV CEO值；被测管按图A-30（c）的接法，Y轴I C=0.1mA时，X轴的偏移量为BV EBO值。
置位项目
部件BV CBO BV CEO BV EBO
峰值电压范围0～100V 0～100V 0～10V
极性+ + +
X轴集电极电压10V/度10V/度1V/度
Y轴集电极电流20μA/度20μA/度20μA/度
功耗限止电阻 1 kΩ～5 kΩ 1 kΩ～5 kΩ 1 kΩ～5 kΩ
测试曲线如图A-30所示。
图A-30 反向击穿电压曲线（NPN）
图A-31 反向击穿电压曲线（PNP）
读数：BV CBO=70V（I C=100μA）
BV CEO=60V（I C=200μA）
BV EBO=7.8V（I C=100μA）
PNP型晶体管的测试方法与NPN型晶体管的测试方法相似。其测试曲线如图1-31所示。
4.稳压二极管的测试
以2CW19稳压二极管为例，查手册得知2CW19稳定电压的测试条件I R=3mA。测试时。仪器部件置位详见表A-7。
逐渐加大“峰值电压”，即可在荧光屏上看到被测管的特性曲线，如图A-32所示。
部件置位部件置位
峰值电压范围AC 0～10V X轴集电极电压5V/度
功耗限止电阻 5 kΩY轴集电极电流1mA/度
读数：正向压降约0.7V，稳定电压约12.5V。
5.整流二极管反向漏电电流的测试
以2DP5C整流二极管为例，查手册得知2DP5的反向电流应≤500nA。测试时，仪器各部件的置位详见表A-8。
逐渐增大“峰值电压”，在荧光屏上即可显示被测管反向漏电电流特性，如图A-33所示。
读数：I R=4div×0.2μA×0.1(倍率)=80 nA
测量结果表明，被测管性能符合要求。
图A-32 稳压二极管特性曲线图A-33 二极管反向电流测试
表A-8
6.二簇特性曲线比较测试
以NPN型3DG6晶体管为例，查手册得知3DG6晶体管输出特性的测试条件为I C=10 mA、V CE=10V。测试时，仪器部件的置位详见表A-9。
将被测的两只晶体管，分别插入测试台左、右插座内，然后按表1-8置位各功能键，参数调至理想位置。按下测试选择按钮的“二簇”琴键，逐步增大峰值电压，即可要荧光屏上显示二簇特性曲线，如图A-34所示。
当测试配对管要求很高时，可调节“二簇位移旋钮”（37），使右簇曲线左移，视其曲线重合程度，可判定其输出特性的一致程度。
图A-34 二簇输出特性曲线
XJ4810型半导体管特性图示仪测试使用说明
晶体管特性图示仪的使用 晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。用它可以测试晶体三极管（NPN型和PNP型）的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。 7.1 XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍 XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示： 1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。 2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。 3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。 4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。 5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。 AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特
性曲线。 6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。 7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。 8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。 9. 电源指示：接通电源时灯亮。 10. 聚焦旋钮：调节旋钮可使光迹最清晰。 11. 荧光屏幕：示波管屏幕，外有座标刻度片。 12. 辅助聚焦：与聚焦旋钮配合使用。 13. Y轴选择（电流/度）开关：具有22挡四种偏转作用的开关。可以进行集电极电流、基极电压、基极电流和外接的不同转换。 14. 电流/度×0.1倍率指示灯：灯亮时，仪器进入电流/度×0.1倍工作状态。 15. 垂直移位及电流/度倍率开关：调节迹线在垂直方向的移位。旋钮拉出，放大器增益扩大10倍，电流/度各挡IC标值×0.1，同时指示灯14亮. 16. Y轴增益：校正Y轴增益。 17. X轴增益：校正X轴增益。 18.显示开关：分转换、接地、校准三挡，其作用是： ⑴转换：使图像在Ⅰ、Ⅲ象限内相互转换，便于由NPN管转测PNP管时简化测试操作。 ⑵接地：放大器输入接地，表示输入为零的基准点。 ⑶校准：按下校准键，光点在X、Y轴方向移动的距离刚好为10度，以达到10度校正目的。 19. X轴移位：调节光迹在水平方向的移位。 20. X轴选择（电压/度）开关：可以进行集电极电压、基极电流、基极电压和外接四种功能的转换，共17挡。 21. “级/簇”调节：在0～10的范围内可连续调节阶梯信号的级数。 22. 调零旋钮：测试前，应首先调整阶梯信号的起始级零电平的位置。当荧光屏上已观察到基极阶梯信号后，按下测试台上选择按键“零电压”，观察光点停留在荧光屏上的位置，复位后调节零旋钮，使阶梯信号的起始级光点仍在该处，这样阶梯信号的零电位即被准确校正。
XJ4810晶体管特性图示仪 说明书
XJ4810晶体管特性图示仪说明书 晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。用它可以测试晶体三极管（NPN型和PNP型）的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。 图A-23 XJ4810型半导体管特性图示仪 7.1 XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍 XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示： 1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。 2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。 3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。 4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。 5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。 AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。 6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。 7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。 8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。 9. 电源指示：接通电源时灯亮。 10. 聚焦旋钮：调节旋钮可使光迹最清晰。 11. 荧光屏幕：示波管屏幕，外有座标刻度片。 12. 辅助聚焦：与聚焦旋钮配合使用。 13. Y轴选择（电流/度）开关：具有22挡四种偏转作用的开关。可以进行集电极电流、基极电压、基极电流和外接的不同转换。 14. 电流/度×0.1倍率指示灯：灯亮时，仪器进入电流/度×0.1倍工作状态。 15. 垂直移位及电流/度倍率开关：调节迹线在垂直方向的移位。旋钮拉出，放大器增益扩大10倍，电流/度各挡I C标值×0.1，同时指示灯14亮. 16. Y轴增益：校正Y轴增益。 17. X轴增益：校正X轴增益。 18.显示开关：分转换、接地、校准三挡，其作用是： ⑴转换：使图像在Ⅰ、Ⅲ象限内相互转换，便于由NPN管转测PNP管时简化测试操作。 ⑵接地：放大器输入接地，表示输入为零的基准点。 ⑶校准：按下校准键，光点在X、Y轴方向移动的距离刚好为10度，以达到10度校正目的。 19. X轴移位：调节光迹在水平方向的移位。 20. X轴选择（电压/度）开关：可以进行集电极电压、基极电流、基极电压和外接四种功能的转换，共17挡。 21. “级/簇”调节：在0～10的范围内可连续调节阶梯信号的级数。 22. 调零旋钮：测试前，应首先调整阶梯信号的起始级零电平的位置。当荧光屏上已观察到基极阶梯信号后，按下测试台上选择按键“零电压”，观察光点停留在荧光屏上的位置，复位后调节零旋钮，使阶梯信号的起始级光点仍在该处，这样阶梯信号的零电位即被准确校正。 23. 阶梯信号选择开关：可以调节每级电流大小注入被测管的基极，作为测试各种特性曲线的基极信号源，共22挡。一般选用基极电流/级，当测试场效应管时选用基极源电压/级。 24. 串联电阻开关：当阶梯信号选择开关置于电压/级的位置时，串联电阻将串联在被测管的输入电路中。 25. 重复－－关按键：弹出为重复，阶梯信号重复出现；按下为关，阶梯信号处于待触发状态。 26. 阶梯信号待触发指示灯：重复按键按下时灯亮，阶梯信号进入待触发状态。 27. 单簇按键开关：单簇的按动其作用是使预先调整好的电压（电流）/级，出现一次阶梯信号后回到等待触发位置，因此可利用它瞬间作用的特性来观察被
半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量
半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量 一、实验目的 1、了解半导体特性图示仪的基本原理 2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数。 二、预习要求 1、阅读本实验的实验原理，了解半导体图示仪的工作原理以及XJ4810 型半导体管图示仪的各旋钮作用。 2、复习晶体二极管、三极管主要参数的定义。 三、实验原理 （一）半导体特性图示仪的基本工作原理 任何一个半导体器件，使用前均应了解其性能，对于晶体三极管，只要知道其输入、输出特性曲线，就不难由曲线求出它的一系列参数，如输入、输出电阻、电流放大倍、漏电流、饱和电压、反向击穿电压等。但如何得到这两组曲线呢？最早是利用图4-1 的伏安法对晶体管进行逐点测试，而后描出曲线，逐点测试法不仅既费时又费力，而而且所得数据不能全面反映被测管的特性，在实际中，广泛采用半导体特性图示仪测量的晶体管输入、输出特性曲线。 图4-1 逐点法测试共射特性曲线的原理线路用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和各种直流参量的基本原理是用图4-2（a）中幅度随时间周期性连续变化的扫描电压UCS代替逐点法中的可调电压EC，用图4-2（b）所示的和扫描电压UCS的周期想对应的阶梯电流iB来代替逐点法中可以逐点改变基极电流的可变电压EB，将晶体管的特性曲线直接显示在示波管的荧光屏上，这样一来，荧光屏上光点位置的坐标便代替了逐点法中电压表和电流表的读数。
1、共射输出特性曲线的显示原理 当显示如图4-3 所示的NPN 型晶体管共发射极输出特性曲线时，图示仪内部和被测晶体管之间的连接方式如图4-4 所示. T是被测晶体管,基极接的是阶梯波信号源,由它产生基极阶梯电流ib 集电极扫描电压UCS直接加到示波器(图示仪中相当于示波器的部分,以下同)的X轴输入端,,经X轴放大器放大到示波管水平偏转板上集电极电流ic经取样电阻R得到与ic成正比的电压,UR=ic,R加到示波器的Y轴输入端,经Y轴放大器放大加到垂直偏转板上.子束的偏转角与偏转板上所加电压的大小成正比,所以荧光屏光点水平方向移动距离代表ic的大小,也就是说,荧光屏平面被模拟成了uce-ic 平面. 图4-4 输出特性曲线显示电路输出特性曲线的显示过程如图4-5 所示 当t=0 时, iB =0 ic=0 UCE =0 两对偏转板上的电压均为零,设此时荧光屏上光点的位置为坐标原点。在0-t1,这段时间内,集电极扫描电压UCS 处于第一个正弦半波周期。
半导体器件--用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数
用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数 一、 引言 晶体管在半导体器件中占有重要的地位，也是组成集成电路的基本元件。晶体管的各种特性参数可以通过专用仪器--晶体管特性图示仪进行直接测量。了解和测量实际的晶体管的各种性能参数不仅有助于掌握晶体管的工作机理，而且还可以分析造成各种器件失败的原因，晶体管特性图示仪是半导体工艺生产线上最常用的一种工艺质量检测工具。 本实验的目的是：了解晶体管特性图示仪的工作原理；学会正确使用晶体管特性图示仪；测量共发射极晶体管的输入特性、输出特性、反向击穿特性和饱和压降等直流特性。 二、晶体管特性图示仪的工作原理和基本结构 晶体管的输出特性曲线如图1所示，这是一组曲线族，对于其中任一条曲线，相当于I b =常数（即基极电流I b 不变）。曲线显示出集电极与发射极之间的电压V cc 增加时，集电极电流I c 的变化。因此，为了显示一条特性曲线，可以采用如图2所示的方法，既固定基极电流I b 为： b be b b E V I R -= （1） 图1共射晶体管输出特性曲线 图2共射晶体管接法 在集电极到发射极的回路中，接入一个锯齿波电压发生器E c 和一个小的电阻R c ，晶体管发射极接地。由于电阻R 很小，锯齿波电压实际上可以看成是加
在晶体管的集电极和发射极之间。晶体管的集电极电流从电阻R c上流过，电阻R c上的电压降就正比于I c。如果把晶体管的c、e两点接到示波管的x偏转板上，把电阻R c两端接到示波管的y偏转板上，示波器便显示出晶体管的I c随V cc变化的曲线。（为了保证测量的准确性，电阻R c应该很小）。用这种方法只能显示出一条特性曲线，因为此时晶体管的基极电流I b是固定不变的。 如果要测量整个特性曲线族，则要求基极电流I b改变。基极电流I b的改变采用阶梯变化，每一个阶梯维持的时间正好等于作用在集电极的锯齿波电压的周期，如图3所示。阶梯电压每跳一级，电流I b便增加一级。（每一级阶梯的增幅可根据不同的晶体管的做相应的调整）。 晶体管特性图示仪便是按照上述原理设计的，它包括阶梯电压发生器（供基极或发射极阶梯波）、锯齿波电压发生器（供集电极扫描电压）、x轴放大器、y 轴放大器、示波管系统等组成，其单元作用如图4所示。作用在垂直偏转板上的除I c（实际上是I c R c）外，还可以是基极电压、基极电流、外接或校正电压。由于x轴和y轴作用选择的不同，在示波器荧光屏上显示出的特性就完全不同。例如：若x轴作用为集电极电压，y轴作用选择集电极电流，得到晶体管的输出特性曲线；若x轴作用为基极电流，y轴作用选择集电极电流，得到晶体管的电流增益特性（即β特性）；若y轴作用为基极电流，x轴作用是基极电流，得到晶体管的输入特性曲线。 图3 阶梯波和锯齿波信号图4 图示仪的原理方框图 三、晶体管特性图示仪的使用方法 为了不使被测晶体管和仪器损坏，在测试前必须充分了解仪器的使用方法和晶体管的规格，测试中，在调整仪器的各个选择开关和转换量时，必须注意使加于被测晶体管的电压、电流（并配合功耗电阻）从低量程漫漫提高，直到满足测量要求。
BJ4814晶体管图示仪技术说明书
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目录 1 概述 (3) 2 工作特性 (3) 3 工作原理 (5) 4使用说明 (5) 5 检查与计量 (13)
1.概述 BJ4814型半导体管特性图示仪是测量半导体器件直流及低频参数的专用仪器,它通过示波管屏幕及标尺刻度,准确的反映器件的特性曲线,其信息量之大是其它类型直流测试设备所达不到的,亦显示出图示仪的独特优势,因此它是半导体器件生产厂家及整机研制部门进行半导体器件的研制,性能改善,电路设计,器件的合理应用等工作必不可少的理想测试设备。 本仪器功能齐全,测试范围宽, 绝大部分电路实现了集成化,其中集电极扫描电路实现了电子扫描,大电流测试状态进行了占空比压缩,减小了成本,减小了重量。阶梯部分的大电流测试状态采用了脉冲阶梯输出,减小了被测管的发热。集电极电流测试新增了电子保护电路提高了反映速度,增加了仪器自身及对外保护能力,部分功能参考美国Tex-577产品特点,还有部分功能是为方便测试而增设的,因此使本仪器的应用范围得到拓宽, 随着用户对本仪器的不断了解,根据自身需要也可开发新的应用领域,欢迎广大用户对本仪器的各个方面提出宝贵意见和建议,以促进我们的改进。 2.工作特性 2.1 额定使用条件及规格 A.环境温度: 0 ～ + 40°C B.相对湿度: + 40°C 20 ～90 % RH C.大气压力: Pb - 106 KPa D.供电要求: 220V ±10% 50Hz ±5% E.整机功率: <50V A (非测试状态) <60V A (测试状态) F.外形尺寸: (E×B×H)mm 480×220×320 (主机) 80×110×40(测试盒件) G.预热时间: 15分钟 H.整机重量: 15Kg I.工作时间: 连续工作8小时 J.工作位置: 水平放置或正面仰角小于20°放置 K.外电磁场干扰: 应避免 L.阳光照射: 应避免直射 2.2 技术性能及指标 2.2.1 X轴系统 A.工作方式: 分集电极电压(Vc),基极电压(Vb),二极管电压(Vd)和阶梯信号四类. B.位移范围: 大于10度 C.集电极电压偏转因数: 20mV/度 ～ 20V/度. 1-2-5序共10挡 误差≤±3% D.基极电压偏转因数: 20mV/度 ～ 1V/度. 1-2-5序共6挡 误差≤±3% E.二极管电压偏转因数: 100V/度 ～ 500V/度. 1-2-5序共3挡 误差≤±3% F.阶梯信号偏转因数: 1阶/度 误差≤±5% 2.2.2 Y轴系统 A.工作方式: 分集电极流(Ic),和阶梯信号两类. B.位移范围: 大于10度 C.集电极电流偏转因数: 1uA/度～ 2A/度. 1-2-5序共20挡 误差≤±3% D.阶梯信号偏转因数: 1阶/度 误差≤±5%
图示仪使用说明书
目录 使用须知．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．2 安全注意事项．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．3 概述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4 主要技术指标．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4 使用说明．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．5 使用范例．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．10 维修指南．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．15 装箱单．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．16
使用须知 WQ4832型晶体管特性图示仪，是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。本仪器采用晶体管与集成电路混合线路，具有功耗低、电流容量大、重量轻等特点，是半导体研究及应用领域必不可少的测试工具。 用户在使用本仪器之前应熟悉以下注意事项，以保证仪器的正常使用。 1．“功耗限制电阻”作用大，除了测量饱和电压（如U CER）及最大电流（如I CM）外，一般应将“功耗限制电阻”置于较大值（≥1kΩ），这样既保护了被测管不至电流过载，又可防止由于被测管击穿后导致仪器损坏，在测量击穿电压时更应注意。 2．按“峰值电压范围”需特别注意，一般情况下应与“电压/度”开关相配合： 如需要低于上述量程，应首先将“峰值电压”调至0，再徐徐加大。 在测试中，当输出峰值电压较大时，请勿触摸C极与管子外壳，以免遭电击。严禁将各输出端任意长时间短路。 3．测量被测管首先要了解是PNP或NPN，然后将仪器置于相应极性。在未知被测管极性的情况下，可将输出电压调至较小值进行判别。必须在充分熟悉本仪器后才能用异极性测试功能。 4．基极注入阶梯电流（电压）也应注意： （1）注入电流（电压）应与被测管的功率、最大集电极电流相适应，一般情况注入电流由小逐档增加（同时应估算上述二指标，不致电流、功率击穿）。 （2）“电流/度”应与阶梯电流（电压）相适应，一般情况应从大量程再逐档调至需要档级。“电流/度”量程不应小于阶梯电流量程。 5．当用双簇测试功能时，需调节零电平使显示时第一级曲线与单簇测试时的第一级曲线在Y方向上的位置一致，才能使各项读数一致。异极性测试时阶梯起始电平一般应调至零。 6．仪器出厂经精密调准，请勿随意打开箱板并调节各种机件，当需要进一步调准时，应按照使用说明书的要求与步骤进行。 7．在进行I CM等极限参数测试时，一般采用单次阶梯为宜，以免被测器件损坏。8．本机额定重复输出功率为60W，不同电压档级有不同的允许最大电流，实际测试中不应超过此值。 2
QT2晶体管图示仪使用操作方法
QT2晶体管图示仪使用操作方法 [说明书] QT2型晶体管图示仪作业指导书本文来自: 中国计量论坛作者: yilihe 查看3098 次QT2型晶体管图示仪作业指导书特别提示：由于本仪器输出扦孔可输出高压或本身带有高压，本仪器在使用前必须良好接地以及将电压级按至最小档，峰值电压逆时针旋至零。一、使用前的注意事项：1、严格按照BOM上的直流参数进行，本机可输出5KV的高压档位设定；特别要了解被测晶体管的集电极最大允许耗散功率PCM，集电极对其它极的最大反向击穿电压如BVCEO、BVCBO、BVCER，集电极最大允许电流ICM等主要指标；2、在测试前首先要将极性与被测管所需的极性相同即可选择PNP或NPN的开关置于规定位置；3、将集电极电压输出按至其输出电压不应超过被测管允许的集电极电压，同时将峰值电压旋至零，输出电压按至合适的档级并将功耗限制电阻置于一定的阻值，同时将X、Y偏转开关置于合适的档级，此档级以不超过上述几个主要直流参数为原则；4、对被测管进行必要的结算，以选择合格的X阶梯电流或电压，此结逄的原则以不超过被测管的集电极最大允许耗损功率；5、在进行ICM的测试时一般采用单次阶梯为宜，以免被测管的电流击穿；6、在进行IC或ICM测试中应根据集电极电压的实际情况，不应超过本仪器规定的最大电流，具体数据列表如下；电压档次10V 50V 100V 500V 5KV 允许最大电流50A 10A 5A 0.5A 5MA 在进行50A（10A）档级时当实际测试电流超过20A时以脉冲阶梯为宜。二、测试前的开机与调节：1、开启电源：将电源开关向右方向按动，此时白色指示灯亮，待预热十分钟后立即进行正常测试；2、调节光度聚焦、辅助聚焦及标尺亮度：将示波管会聚成一清晰的小光点，标尺亮度以能清晰满足测量要求为原则；3、Y、X移位：对Y、X档位旋钮置于中心位置，此时光点应根据PNP、NPN开关的选择处于左下方（NPN）或右上方（PNP）。再调节移位旋钮使其在左下方或右止方实线部份的零点；4、对Y、X校准：将Y、X灵敏度分别进行10度校准，其方法将Y（或X）方式开关自“I”至“校准”，此时光点或基线应有10度偏转，如超过或不到时应进行增益调节（调节W ）；5、阶梯调零：阶梯调零的依据即将阶梯先在示波管上显示，然后根据方放大器输入端接地所显示的位置，再调节调零电位器使其与放大器接时时重合即完成调零；调节方式前先将Y偏转放大器置于基级电流或基极源电压（即“”）档级，X偏转放大器置于UC的位置任意标级，将测试选择置于“NPN”，置于“常态”，阶梯幅度/级置于电压/级的任何档级，集电极电压置于任意档级使示波管显示电压值，此时即能调零使第一根基线与Y偏转放大器“”的重合即完成了调零步骤；6、电容性电流平衡：在要求较高电流灵敏度档级进行测量时，可对电容性电流进行平衡，平衡方式将Y偏转放大器置于较高灵敏度档级使示波管显示一电容性电流，调节电容平衡旋钮使其达到最小值即可；7、集电极电压检查：在进行测量前应检查集电极电压的输出范围，检查时将VC置于相对应档次，当发现将峰值电压顺时针方向最大时，其输出在规定值与大于10%之间即正常（用普通电压表测量结果比规定值少10%左右）。三、测试：1 ⑴、若发射极VCE-IC特性（基极信号为变量）。①根据集电极基级的极性将测试选择开关置于NPN（此时集电极电压，基极电压均为正）或（PNP（此时集电极电压，基极电压均为负）并将“”开关置于常态，如基极需要反担时可置于“侄置”；②被测管的；③将Y电流/度置于IC合适档级，X电压/度置于UC合适档级；④测试A与测试B搬向被测管连接的一边；⑤集电极电压按照要求值进行调节并使在左下方（NPN）或右上方（PNP）的零点与零刻度线重合； ⑥选择合适的阶梯幅度/级开关旋至电流/级较小档级，再逐渐加大至要求值；⑦选择合适的功耗限制电阻，电阻值的确定可接负载的要求或保护被测管的要求进行选择；⑧观察显示的曲线（波形），并进行读数记录；（2）、其发射极IB-IC特性：①根据集电极基极的极性将测试选择开关置于NPN或PNP档级，并将“”开关置于常态，如基极需要反向可置于侄置；②被测管的CBE按规定进行连接；③将Y电流/度置于IC合适档级，W电压/度置于“”的档级；④测试A与测试B搬向被测管连接的一边；⑤集电极电压按要求值与功耗限制电阻进行调节（必要时将X电压/度置于UC档级进行较精确的调节）；⑥将Y。Y方式开关““调节零点位置；⑦选择合格的阶梯幅度/级开关一般置于较小档级再逐渐加大至要求值；⑧对所显示的IB-IC曲线（波形）进行观察记录，读取数据，并计算NFE 值：NFE=IC/IB IC=示波管刻度×档次读数IB=幅度/级×级数⑵、①反压特性测试及二极管特性测试：本②仪器可进行下列各种反向击穿电压测试，测试定义见有关半导体测试标准，测试接线请参见下表：VCBO集电极基极间电压（发射极开路）VEBO发射极与基极间电压（集电极开路）VCEO集电极与发射间电压（基极开路）VCER集电极与发射极间电压（基极与发射极间电阻连接）VCES集电极与发射间电压（基极与发射极短）①根据被测管的极性选择PNP、NPN的位置，是显示“PNP”位置时，集电极电压为（-）极性，当置于“NPN”位置时，集电极电压为（=）极性；②被测管的CBE接上表的连接方法进行连接；③Y偏转放大器的电流/度开关置于较灵敏档级（一般100/UA 度档级）；④Q偏转放大器的电压/度置于UC合适的档级（视被测管的特性及集电极的电压输出值而定）；⑤将功
XJ4810图示仪使用说明
3.7 XJ4810半导体管特性图示仪 概述： XJ4810型半导体管特性图示仪，是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。 本仪器主要由下列几个部分组成：Y轴放大器及X轴放大器；阶梯信号发生器；集电极扫描发生器；主电源及高压电源部分。 本仪器是继JT－l型晶体管特性图示仪后的开发产品。它继承JT－l的优点，并有了较大的改进与提高，与其它半导体管特性图示仪相比，具有以下特点： 1．本仪器采用全晶体管化电路、体积小、重量轻、携带方便。 2．增设集电极双向扫描电路及装置，能同时观察二级管的正反向输出特性曲线、简化测试手续。 3．配有双簇曲线显示电路，对于中小功率晶体管各种参数的配对，尤为方便。 4．本仪器专为工作于小电流超β晶体管测试提供测试条件，最小阶梯电流可达 0.2μA／级。 5．本仪器还专为测试二级管的反向漏电流采取了适当的措施，使测试的反向电流I R 达20nA／div 。 6．本仪器配上扩展装置—XJ27100“场效应管配对测试台”可对国内外各种场效应对管和单管进行比较测试。 7．本仪器配上扩展装置—XJ27101“数字集成电路电压传输特性测试台”，可测试COMS，TTL数字集成电路的电压传输特性。 XJ4810型半导体管特性图示仪，功能操作方便，它对于从事半导体管机理的研究及半导体在无线电领域的应用，是一个必不可少的测试工具。 一、主要技术指标 （l）Y轴编转因数： 集电极电流范围：10μA∕div～500毫安／div，分15档，误差≤±3％； 二极管反向漏电流：0.2μA∕div～5μA∕div分5档 2μA∕div～5μA∕div 误差不超过±3% 基极电流或基极源电压：0.05V／div，误差≤±3％； 外接输入：0.1V／div，误差≤±3％； 偏转倍率：×0.1 误差不超过±（10%±10nA） （2）X轴偏转因数： 集电极电压范围：0.05～50V∕div，分10档，误差≤±3％； 基极电压范围：0.05～1V∕div，分5档，误差≤±3％； 基极电流或基极源电压：0.05V∕div，误差≤±3％； 外接输入：0.05V∕div，误差≤±3％。 （3）基极阶梯信号： 阶梯电流范围：0.2μA～50mA∕级，分17档, 误差≤±7％．；
QT2晶体管图示仪操作技巧
QT2晶体管图示仪操作指引 一、晶体管图示仪测三极管的调试方法： 耐压测试:500V以上的用高压档“5000V”.三极管C极接二极管测试座“＋”极,E极接二极管测试座“—”极,注意:用高压档测试必须按住“测试”键不放才可以调节峰值电压..测试没有固定的档位，所有的档位都能测只是低档位测试相对准确。高档位测试误差大。 测试HFE值,以IB电流来定IC电流(即调节级族或档位,使IC电流达到规定值.)然后再计算。β=I C/IB，即：（Y轴格数×档位读数）/（级族×级族档位数值）。 1、13005 测条件：晶体管图示仪设定。 C—E极间耐压VCEO:≥400V.Y=10MA. X=100V, 功耗电阻:10K 以上，输出电压:5000V. 零电流 E—B极间耐压VEBO:≥9V .Y=1MA. X=5V, 功耗电阻:10K以上, 输出电压50V. 零电流 饱和压降VCES≥0.5V,Y=200MA ,X=200MV, 幅度/级200MA, 输出电压10V , 功耗电阻:2Ω以下. 放大陪数HFE: Y=200MA ,X=1V 幅度/级=10MA , 级/族=5 , 功耗电阻:2Ω以下. 2、13007 测条件：晶体管图示仪设定。 C—E极间耐压VCEO:≥400V. Y=10MA. X=100V, 功耗电阻:100K , 输出电压:5000V. 零电流E—B极间耐压VEBO:≥9V .Y=1MA. X=2V, 功耗电阻:10K以上, 输出电压50V. 零电流 饱和压降VCES≥0.5V,Y=500MA ,X=200MV, 幅度/级50MA, 输出电压10V , 功耗电阻:2Ω以下. 放大陪数HFE: Y=200MA ,X=1V 幅度/级=10MA , 级/族=10, 功耗电阻:2Ω以下.
JT-1型晶体管特性图示仪
3.6 JT－1型晶体管特性图示仪 JT－1型晶体管特性图示仪是一种可直接在示波管荧光屏上观察各种晶体管的特性曲线的专用仪器。通过仪器的标尺刻度可直接读被测晶体管的各项参数；它可用来测定晶体管的共集电极、共基极、共发射极的输入特性、输出特性、转换特性、α、β参数特性；可测定各种反向饱和电流I CBO、I CEO、I EB0和各种击穿电压BU CBO、BU CEO、BU EBO等；还可以测定二极管、稳压管、可控硅、隧道二极管、场效应管及数字集成电路的特性，用途广泛。 一、主要技术指标 （l）Y轴编转因数： 集电极电流范围：0.01～1000毫安／度，分十六档，误差≤±3％； 集电极电流倍率：分×2、×1、×0.l三档，误差≤±3％； 基极电压范围：0.01～0.5V／度，分六档，误差≤±3％； 基极电流或基极源电压：0.05V／度，误差≤±3％； 外接输入：0.1V／度，误差≤±3％； （2）X轴偏转因数： 集电极电压范围：0.01～20V／度，分十一档，误差≤±3％； 基极电压范围：0.01～0.5V／度，分六档，误差≤±3％； 基极电流或基极源电压：0.5V／度，误差≤±3％； 外接输入：0.1V／度，误差≤±3％。 （3）基极阶梯信号： 阶梯电流范围：0.001～200mA／度，分十七档； 阶梯电压范围：0.01～0.2V／级，分五档； 串联电阻：10Ω～22KΩ，分24档； 每族级数：4～12连续可变； 每秒级数：100或200，共3档； 阶梯作用：重复、关、单族，共三档； 极性：正、负两档； 误差≤±5％． （4）集电极扫描信号： 峰值电压：0～20V、0～200V两档，正、负连续可调； 电流容量：0～20V时为10A（平均值），0～200V时为1A（平均值）； 功耗限制电阻：0～100KΩ，分17档，误差≤±5％； （5）电源：交流220V ±10％，50Hz±20Hz。 功耗：260V A． 环境温度：－10 ℃～＋40℃ 相对湿度：≤80％
用晶体管特性图示仪测试晶体管主要参数
用晶体管特性图示仪测试晶体管主要参数 一．实验目的 掌握晶体管特性图示仪测试晶体管的特性和参数的方法。 二．实验设备 （1）XJ4810晶体管特性图示仪 （2）QT 2晶体管图示仪 （3）3DG6A 3DJ7B 3DG4 三．实验原理 1．双极型晶体（以3DG4NPN 管为例）输入特性和输出特性的测试原理 （1）输入特性曲线和输入电阻i R ，在共射晶体管电路中，输出交流短路时，输入电压和输入电流之比为i R ，即 ＝常数CE V B BE i I V R ??= （1.1） 它是共射晶体管输入特性曲线斜率的倒数。例如需测3DG 4在V CE ＝10时某一作点Q 的R 值，晶体管接法如图1.1所示。各旋扭位置为 峰值电压% 80% 峰值电压范围 0～10V 功耗电阻 50Ω X 轴作用 基极电压1V/度 Y 轴作用 阶梯选择 μ20A/极 级/簇 10 串联电阻 10K 集电极极性 正（+） 把X 轴集电极电压置于1V/度，调峰值电压为10V ，然后X 轴作用扳回基极电压0.1V/度，即得CE V ＝10V 时的输入特性曲线。这样可测得图1.2：
V CE V B BE i I V R 10=??= （1.2） 根据测得的值计算出i R 的值 图1.1晶体管接法 图1.2输入特性曲线 （2）输出特性曲线、转移特性曲线和β、FE h 在共射电路中，输出交流短路时，输出电流和输入电流增量之比为共射晶体管交流电流放大系数β。在共射电路中，输出端短路时，输出电流和输入电流之比为共射晶体管直流电流放大系数FE h 。晶体管接法如图1.1所示。旋扭位置如下： 峰值电压范围 10V 峰值电压% 80% 功耗电阻 250Ω X 轴 集电极电压1V/度 Y 轴 集电极电流2mA/度 阶梯选择 μ20A/度 集电极极性 正（+） 得到图1.3所示共射晶体管输出特性曲线，由输出特性曲线上读出V V CE 5=时第2、4、6三根曲线对应的C I ，B I 计算出交流放大系数B C I I ??=β （1.3） FE h >β主要是因为基区表面复合等原因导致小电流β较小造成的，β、FE h 也可用共射晶体管的转移特性（图1.4）进行测量只要将上述的X 轴作用开关拨到“基极电流或基极源电压”即得到共射晶体管的转移特性。这种曲线可直接观察β的线性好坏。 C B E
XJ4810图示仪使用说明
3.7 XJ4810 半导体管特性图示仪 概述： XJ4810 型半导体管特性图示仪，是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。 本仪器主要由下列几个部分组成：Y 轴放大器及X 轴放大器；阶梯信号发生器；集电极扫描发生器；主电源及高压电源部分。 本仪器是继JT－l 型晶体管特性图示仪后的开发产品。它继承JT－l 的优点，并有了较大的改进与提高，与其它半导体管特性图示仪相比，具有以下特点： 1．本仪器采用全晶体管化电路、体积小、重量轻、携带方便。 2．增设集电极双向扫描电路及装置，能同时观察二级管的正反向输出特性曲线、简化测试手续。 3．配有双簇曲线显示电路，对于中小功率晶体管各种参数的配对，尤为方便。 4．本仪器专为工作于小电流超β 晶体管测试提供测试条件，最小阶梯电流可达 0.2μA／级。 5．本仪器还专为测试二级管的反向漏电流采取了适当的措施，使测试的反向电流I R 达20nA／div 。 6．本仪器配上扩展装置—XJ27100“场效应管配对测试台”可对国内外各种场效应对管和单管进行比较测试。 7．本仪器配上扩展装置—XJ27101“数字集成电路电压传输特性测试台”，可测试COMS，TTL 数字集成电路的电压传输特性。 XJ4810 型半导体管特性图示仪，功能操作方便，它对于从事半导体管机理的研究及半导体在无线电领域的应用，是一个必不可少的测试工具。 一、主要技术指标 （l）Y 轴编转因数： 集电极电流范围：10μA∕div～500 毫安／div，分15 档，误差≤±3％； 二极管反向漏电流：0.2μA∕div～5μA∕div 分 5 档 2μA∕div～5μA∕div 误差不超过±3% 基极电流或基极源电压：0.05V／div，误差≤±3％； 外接输入：0.1V／div，误差≤±3％； 偏转倍率：×0.1 误差不超过±（10%±10nA） （2）X 轴偏转因数： 集电极电压范围：0.05～50V∕div，分10 档，误差≤±3％； 基极电压范围：0.05～1V∕div，分 5 档，误差≤±3％； 基极电流或基极源电压：0.05V∕div，误差≤±3％； 外接输入：0.05V∕div，误差≤±3％。 （3）基极阶梯信号： 阶梯电流范围：0.2μA～50mA∕级，分17 档, 误差≤±7％．；
晶体管特性图示仪.
晶体管特性图示仪 晶体管特性图示仪是一种可直接在示波管荧光屏上观察各种晶体管的特性曲线的专用仪器。通过仪器的标尺刻度可直接读被测晶体管的各项参数；它可用来测定晶体管的共集电极、共基极、共发射极的输入特性、输出特性、转换特性、α、β参数特性；可测定各种反向饱和电流I CBO、I CEO、I EB0和各种击穿电压BU CBO、BU CEO、BU EBO等；还可以测定二极管、稳压管、可控硅、隧道二极管、场效应管及数字集成电路的特性，用途广泛。 一、主要技术指标 （l）Y轴编转因数： 集电极电流范围：0.01～1000毫安／度，分十六档，误差≤±3％； 集电极电流倍率：分×2、×1、×0.l三档，误差≤±3％； 基极电压范围：0.01～0.5V／度，分六档，误差≤±3％； 基极电流或基极源电压：0.05V／度，误差≤±3％； 外接输入：0.1V／度，误差≤±3％； （2）X轴偏转因数： 集电极电压范围：0.01～20V／度，分十一档，误差≤±3％； 基极电压范围：0.01～0.5V／度，分六档，误差≤±3％； 基极电流或基极源电压：0.5V／度，误差≤±3％； 外接输入：0.1V／度，误差≤±3％。 （3）基极阶梯信号： 阶梯电流范围：0.001～200mA／度，分十七档； 阶梯电压范围：0.01～0.2V／级，分五档； 串联电阻：10Ω～22KΩ，分24档； 每族级数：4～12连续可变； 每秒级数：100或200，共3档； 阶梯作用：重复、关、单族，共三档； 极性：正、负两档； 误差≤±5％． （4）集电极扫描信号： 峰值电压：0～20V、0～200V两档，正、负连续可调； 电流容量：0～20V时为10A（平均值），0～200V时为1A（平均值）； 功耗限制电阻：0～100KΩ，分17档，误差≤±5％； （5）电源：交流220V ±10％，50Hz±20Hz。 功耗：260V A． 环境温度：－10 ℃～＋40℃ 相对湿度：≤80％
YB4811晶体管特性图示仪使用说明书(精)
附录五 YB4811晶体管特性图示仪使用说明书 一、概述 YB4811型半导体管图示仪是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测量仪器。尤其能在不损坏器件的情况下，测量其极限参数，如击穿电压。饱和压降等。因此该仪器广泛地应用与半导体器件有关的各个领域。 二、主要技术指标 1.Y轴偏转系数 集电极电流范围（IC）；10uA/div----0.5uA/div分15档，误差不超过+3%。 二极管反向漏电流（IR）0.2uA/div----5uA/div分5档 2uA/div-------5uA/div，误差不超过+3%. 1uA/div误差不超过+5% 0.2uA/div---0.5uA/div，误差不超过+10% 外接输入；0.1V/div，误差不超过+3% 2.X轴偏转系数 集电极电压范围（Vce)：0.05V/div---500V/div分13档，误差不超过+3% 基极电压范围（Vbe); 0.V/div-----5V/div，分6档，误差不超过+3% 外接输入：0.05V/div，误差不超过+3% 3.信号 阶梯电流范围（Ib;）;0.2uA/级-------100mA/级分18档 1uA/级-------100mA/级，误差不超过+5% 0.2uA/级-------100uA/级，误差不超过+7% 阶梯电压范围（Vb);0.1/级-------2V/级分5档，误差不超过+3% 串联电阻：0Ω，10Ω。10KΩ。100KΩ分3档，误差不超过+10% 每簇级数；1----10级连续可调 4.极扫描电源。高压二极管测试电源 峰值电压与峰值电流容量如下表所示，其最大输出不低于下表，各档级电压连续可调功耗限制电阻0--0.5MΩ分11档，误差不超过+10%
XJ4822型半导体管特性图示仪
XJ4822型半导体管特性图示仪 使用说明书 上海新建仪器设备有限公司
1.概述 XJ4822型半导体管特性图示仪是一种用示波管显示半导体器件各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。 与其它同类型图示仪相比，主要区别在于采用了微机控制技术，引入了字符显示，光标测量功能，使半导体管的各种静态参数，包括β（hfe）、Gfs(gm) 均可光标测量、数字读出, 给用户带来更多方便。 1.1 本仪器由下列几部分组成 X轴、Y轴放大器 阶梯信号发生器 集电极电源 二簇电子开关 低压电源供给 高频高压电源及示波管控制电路 CRT读测微机电路 过流报警电路 1.2 仪器的特点 1.2.1 本仪器由于采用微机控制, 数字插入技术，引入字符显示, 光标测量功能, 面板上增添了六个操作键,CRT屏幕上实时显示Y(电流) 、X（电压）、S（阶梯）开关档位（位标）量、通过主光标［+］操作,能直接显示测得的I(电流) 、U(电压) 测量值，辅光标［×］配合操作, 能自动计算显示, 读出β（hfe）、Gfs(gm) 等器件的参数。 1.2.2 通过配合高压测试台, 使反向电压U R可达3000V。 1. 2. 3 由于使用了VMOS器件作为电子开关管, 扩大了测试电流, 使测试电流不再受IB＞0.1mA的限制。 2技术参数 Y轴偏转系数 2.1.1 集电极电流偏转系数 a) 范围(Ic)： 10μA/div～1A/div； b) 分档： 1、2、5进制共16档； c) 误差：±3％。
2.1.2 漏电流(I R) a) 范围： 0.2μA/div～5μA/div； b) 分档： 1、2、5进制共5档； 误差：见表1。 表1 2.1.3 基极电流或基极源电压 a) 电压： 0.1V/div； b) 误差：不超过±3％。 2.1.4 倍率 a) 范围：×10； b) 误差：±5％±10nA 。 2.2 X轴系统 2.2.1 集电极电压偏转系数 a) 范围： 0.05V/div～50V/div； b) 分档： 1、2、5进制10档； c) 误差：不超过±3％。 2.2.2 基极电压偏转系数 a) 范围： 0.05V/div～1V/div； b) 分档： 1、2、5进制5档； c) 误差：不超过±3％。 2.2.3 基极电流或基极源电压 a) 偏转系数： 0.05V/div； b) 误差：不超过±3％。 2.2.4 二极管反向电压
晶体管图示仪使用方法
审核/日期----- 版次A/O 批准/日期QT2晶体管图示仪使用方法页次1/4 QT2晶体管图示仪使用方法 一、晶体管图示仪测试范围：三极管/二极管/场效应管/可控硅等。 二、使用方法： 1、先将图示仪电源开关打开，十分钟后便可开始检测。 a、反向击穿电压的检测： Vcbo 集电极/基极间电压（发射极开路） Vebo 发射极/基极间电压（集电极开路） Vceo 集电极/发射极间电压（基极开路） Vcer 集电极/发射极间电压（基极与发射极间电阻连接） Vces 集电极/发射极间电压（基极与发射极间短路） 2、根据被测三极管的极性选择NPN/PNP 。被测的BCE各极按照上 表所示进行连接（开路可直接悬空） 3、Y偏转放大器的电流/度（集电极电流）开关至于较小挡，无特殊 要求一般置于100/uA度挡级。 4、X偏转放大器的电压/度U0根设定合适的挡。 5、无特殊要求将集电极功耗电阻至于10K~100K之间的任意挡级。 6、集电极电压至于合适的档级（根据被测管的参数而定），峰值电压 初始为0 ，测试时按顺时针方向适当的加大。 7、读出数值并记录、比较，要求所测值必须大于晶体管额定值。
审核/日期------ 版次A/O 批准/日期QT2晶体管图示仪使用方法页次2/4 QT2晶体管图示仪使用方法 b、V CE----I C特性测试:(集、射极电压/集电极电流) 1、根据集电极、基极的极性选择开关置于NPN/PNP，并将开关 置于常态。如基极需要反相时可置于“倒置”。 2、按照被测管的管脚CBE的排列对应插入测试盒中。 3、查看被测管的参数，将Y电流/度置于I C合适的档级，X电压/度置于 U C合适档级。 4、选择A/B测试盒,并将开关置于所要测试的一边。 5、调整光标的位置，使其停在左下方（NPN）或右上方（PNP）的零点 开始。 6、选择合适的阶梯幅度/级开关置于电流/级的某一挡（一般至于较小挡 级，再逐渐加大致要求值）。 7、选择合适的集电极功耗电阻，电阻值的确定可根据负载线的要求或保 护被测管的要求选择。 8、对所显示的V CE----I C的曲线读数并记录比较，要求该数值必须在晶体 管额定值范围之内。