陶瓷贴片电容各类电介质不同的区别

陶瓷贴片电容各类电介质不同的区别
陶瓷贴片电容各类电介质不同的区别

陶瓷电容器分类

分类原因:

依据材料之介电特性及产品之温度系数 (Temperature coefficient of capacitance,TCC)特性所定分为三大类。

介质材料分类:

1类 (Class Ⅰ)或稱溫度補償型(temperature compensation)

2类(Class Ⅱ)

3类(Class Ⅲ)或稱半導體陶瓷電容器

产品使用分类:

温度补偿型高Q值C0G

高频C0G 中高压型

低感抗型片式排容

1类(Class Ⅰ): C0G

或称温度补偿型(temperature compensation),产品低介

电系数,无论时间和温度如何改变,其电容量是极稳定的;正常电容量下有低介电损失及较小公差。

1类产品应用于精密计时电路、高频杂讯虑波、阻抗匹

配、ESD/EMI(回声探测仪或电磁干扰)的限制。

2类( Class Ⅱ): X7R/X5R

具有较高的介电常数,容量比1类电容器高,具有较稳

定的温度特性,

应用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔

直流、耦合、旁路、鉴频等电路中。

2类(Class Ⅱ):Z5U

其温度特性介于X7R和Y5V之间,容量稳定性差,对温度、电压等条件较敏感;

应用于要求大容量,使用温度范围接近于室温的旁路、耦合、低直流偏压等电路中。

2类(Class Ⅱ):Y5V

是所有电容器中介电常数最大的电容器,但其容量稳定性

较差,对温度、电压等条件较敏感;

应用于要求大容量、温度变化不大的电路中。

3类(ClassⅢ):或稱半導體陶瓷電容器

其电容量变化相似于2类,然而此型别在客户应用上是属于

非常等级。

高频类:

此类介质材料的电容器为1类电容器,包括通

用型高频C0G电容器和温度补偿型高频电容器,其中C0G电容器电性能最稳定,

几乎不随温度、电压、时间和变化而变化。

应用于低损耗、稳定性要求高的高频电路,如

虑波器,振动器和计时电路中。

温度补偿型:

温度系数系列,此为1

类电容器,电容量的变化与温度呈线性变化;

应用于工作温度变化较大,要求高的谐振电路

中,起到温度补偿之用,例电视机中的谐振器。

高Q值C0G:

此类电容器为1类电容器,使用频率在1MHz ~

3GHz之间;

应用于射频RF电路及要求Hi-Q、低ESR、高频

率响应的微波电路中。

陶瓷贴片电容各类电介质不同的区别

陶瓷电容器分类 分类原因: 依据材料之介电特性及产品之温度系数 (Temperature coefficient of capacitance,TCC)特性所定分为三大类。 介质材料分类: 1类 (Class Ⅰ)或稱溫度補償型(temperature compensation) 2类(Class Ⅱ) 3类(Class Ⅲ)或稱半導體陶瓷電容器 产品使用分类: 温度补偿型高Q值C0G 高频C0G 中高压型 低感抗型片式排容 1类(Class Ⅰ): C0G 或称温度补偿型(temperature compensation),产品低介 电系数,无论时间和温度如何改变,其电容量是极稳定的;正常电容量下有低介电损失及较小公差。 1类产品应用于精密计时电路、高频杂讯虑波、阻抗匹 配、ESD/EMI(回声探测仪或电磁干扰)的限制。 2类( Class Ⅱ): X7R/X5R 具有较高的介电常数,容量比1类电容器高,具有较稳 定的温度特性, 应用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔 直流、耦合、旁路、鉴频等电路中。 2类(Class Ⅱ):Z5U 其温度特性介于X7R和Y5V之间,容量稳定性差,对温度、电压等条件较敏感; 应用于要求大容量,使用温度范围接近于室温的旁路、耦合、低直流偏压等电路中。 2类(Class Ⅱ):Y5V 是所有电容器中介电常数最大的电容器,但其容量稳定性 较差,对温度、电压等条件较敏感; 应用于要求大容量、温度变化不大的电路中。

3类(ClassⅢ):或稱半導體陶瓷電容器 其电容量变化相似于2类,然而此型别在客户应用上是属于 非常等级。 高频类: 此类介质材料的电容器为1类电容器,包括通 用型高频C0G电容器和温度补偿型高频电容器,其中C0G电容器电性能最稳定, 几乎不随温度、电压、时间和变化而变化。 应用于低损耗、稳定性要求高的高频电路,如 虑波器,振动器和计时电路中。 温度补偿型: 温度系数系列,此为1 类电容器,电容量的变化与温度呈线性变化; 应用于工作温度变化较大,要求高的谐振电路 中,起到温度补偿之用,例电视机中的谐振器。 高Q值C0G: 此类电容器为1类电容器,使用频率在1MHz ~ 3GHz之间; 应用于射频RF电路及要求Hi-Q、低ESR、高频 率响应的微波电路中。

贴片电容的区分

电容:可分为无极性和有极性两类,无极性电容下述两类封装最为常见,即0805、0603;而有 极性电容也就是我们平时所称的电解电容,一般我们平时用的最多的为铝电解电容,由于其电解 质为铝,所以其温度稳定性以及精度都不是很高,而贴片元件由于其紧贴电路版,所以要求温度 稳定性要高,所以贴片电容以钽电容为多,根据其耐压不同,贴片电容又可分为A、B、C、D 四 个系列,具体分类如下: 类型封装形式耐压 A 3216 10V B 3528 16V C 6032 25V D 7343 35V 贴片电容的尺寸表示法有两种,一种是英寸为单位来表示,一种是以毫米为单位来表示,贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1812、2010、2225、2512,是英寸表示法,04 表示长度是0.04 英寸,02 表示宽度0.02 英寸,其他类同 型号尺寸(mm) 英制尺寸公制尺寸长度及公差宽度及公差厚度及公差 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.20 1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.20 1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30 1.50±0.30 1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00 1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50 2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50 3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00 贴片电容的命名 贴片电容的命名: 贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求 的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求 例风华系列的贴片电容的命名 贴片电容的命名: 贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求 的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、

贴片电容封装详细

贴片电容封装详细资料 单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司产品手册。? NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。? * NPO电容器? NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±%。 NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损

耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。? 封装 DC=50V DC=100V? 0805 ? 1206 ? 1210 560---5600pF 560---2700pF? 2225 μF μF? NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。? * X7R电容器? X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。?

常用电容容值

常用电容容值 2008-05-22 09:01 现在较为通用的容值代码表示方法为三位代码“XXY”表示法,前两位数字表示乘系数,后一位表示乘指数,单位为pF。其中一般前两位的取值范围为上述E6和E12系列,后一位数字表示乘指数10 n。当Y= 9时,对应前述n = -1;当Y= 8时,对应前述n = -2;当Y= 0,1,2,3,4,5,6,7时,Y就等于n。示例如下: 0.5pF容值代码表示为508; 68pF容值代码表示为680; 1 pF容值代码表示为109; 120pF容值代码表示为121; 4.7pF容值代码表示为479; 2200pF容值代码表示为222;10pF容值代码表示为100; 100000pF容值代码表示为104(0.1μF); 47μF容值代码表示为476; 330μF容值代码表示为337 //-------------------------------------------------- 【单位pF】 39 P 43 P 47 P 51 P 56 P 62 P 68 P 75 P 82 P 91 P 100 P 120 P 150 P 180 P 200 P 220 P 240 P 270 P 300 P 330 P 360 P 390 P 470 P 560 P 620 P 680 P 750 P 【单位nF】 1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 10 15 18 22 27 33 39 56 68 82 【单位uF】 0.1 0.15 0.22 0.33 0.47 1.0 (1.5) 2.2 贴片电容,SMD贴片电容,无铅贴片电容的如何命名? SMT: Surface Mounting Technology表面贴装技术 SMT包括表面贴装技术.表面贴装设备,表面元器件.及SMT管理

贴片电容极性判别

贴片电容极性判别 贴片式电容有贴片式陶瓷电容、贴片式钽电容、贴片式铝电解电容。 贴片式陶瓷电容无极性(如图3),容量也很小(PF级),一般可以耐很高的温度和电压,常用于高频滤波。陶瓷电容看起来有点像贴片电阻(因此有时候我们也称之为“贴片电容”),但贴片电容上没有代表容量大小的数字。 贴片式钽电容的特点是寿命长(如图4)、耐高温、准确度高、滤高频改波性能极好,不过容量较小、价格也比铝电容贵,而且耐电压及电流能力相对较弱。它被应用于小容量的低频滤波电路中。 贴片钽电容与陶瓷电容相比,其表面均有电容容量和耐压标识,其表面颜色通常有黄色和黑色两种。譬如100-16即表示容量100μF,耐压16V。 贴片式铝电解电容拥有比贴片式钽电容更大的容量,其多见于显卡上,容量在300μF~1500μF之间,其主要是满足电流低频的滤波和稳压作用。 一般我们平时用的最多的为铝电解电容,由于其电解质为铝,所以其温度稳定性以及精度都不是很高,而贴片元件由于其紧贴电路版,所以要求温度稳定性要高,所以贴片电容以钽电容为多,根据其耐压不同,贴片电容又可分为A、B、C、D 四 个系列,具体分类如下: 类型封装形式耐压 A 3216 10V B 3528 16V C 6032 25V D 7343 35V

贴片的钽电解电容(A/B/C/D壳)横杠是正极.或底盘(金属)上有缺口的那边是正极 贴片的圆型铝电解电容,横杠是负极. 瓷片电容对高频滤除效果最好; 电解电容对低频的抑制效果就比其他的好; 独石、钽电容等,在温度系数方面比瓷片的好,而在滤除高频方面远没有瓷片的好。 去耦电容和旁路电容没有本质的区别,电源系统的电容本来就有多种用途,从为去除电源的耦合噪声干扰的角度看,我们可以把电容称为去耦电容(Decoupling),如果从为高频信号提供交流回路的角度考虑,我们可以称为旁路电容(By-pass).而滤波电容则更多的出现在滤波器的电路设计里.电源管脚附近的电容主要是为了提供瞬间电流,保证电源/地的稳定,当然,对于高速信号来说,也有可能把它作为低阻抗回路,比如对于CMOS电路结构,在0->1的跳变信号传播时,回流主要从电源管脚流回,如果信号是以地平面作为参考层的话,在电源管脚的附近需要经过这个电容流入电源管脚.所以对于PDS(电源分布系统)的电容来说,称为去耦和旁路都没有关系,只要我们心中了解它们的真正作用就行了 铝电容容量较大、价格较低,但易受温度影响、准确度不高;而且随着使用时间会逐渐失效。钽电容寿命长、耐高温、准确度高,不过容量较小、价格高。除非是需要大容量滤波的地方(如CPU插槽附近),原则上最好都使用钽电容,因为它不易引起波形失真。 下图为SMD钽电容电容 下图为SMD铝电容

贴片电容系列材质及规格

贴片电容材质及规格 贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格,不同的规格有不同的用途。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 一NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。 二X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。 三Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。 Z5U电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围+10℃--- +85℃ 温度特性+22% ---- -56% 介质损耗最大4%

(完整版)贴片电容的介绍

X7R 性质: 1. 介电常数可达到3000,容温变化率小于15%,介电损耗小于3.5%; 2. 粉体粒径250-300nm,烧成陶瓷晶粒尺寸300-400nm。 电镜照片: 用途: 1. 此介质材料为环保型粉料,无任何有毒镉(Cd)和铅(Pd)的化合物; 2. 适合于制备超薄层大容量贱金属内电极多层陶瓷电容器的生产:单层陶瓷膜片厚度5~10mm;层数从几十到几百层;电容量从 0.1 nF 到100 nF; 3. 由于瓷粉粒度小,分散性好,因此不需要再进行剧烈的球磨,以免改变瓷料的晶粒性质,使性能劣化。 Y5V贴片电容,MLCC Y5V多层陶瓷片式电容 贴片电容简述 COG(NPO)贴片电容选型表 X7R贴片电容选型表 创建时间:2006-1-13 最后修改时间:2006-1-13 简述 Y5V贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。它的电容量受温度、电压、时间变化影响大。

Y5V贴片电容特性 ?具有较差的电容量稳定性,在-25℃~85℃工作温度范围内,温度特性为+30%,-80%。 ?层叠独石结构,具有高可靠性。 ?优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。 ?应用于温度变化小的退耦、隔直等电路中。 Y5V贴片电容各个生产厂家规格书 生产厂家规格书 AVX Datasheet 风华Datasheet 国巨Datasheet 太阳诱电Datasheet 村田Datasheet Y5V贴片电容容量范围 厚度与符号对应表 符 号 A C E G J K M N P Q X Y Z 最 大 厚 度毫米(英寸) 0.33 (0.013 ) 0.56 (0.022 ) 0.71 (0.028 ) 0.86 (0.034 ) 0.94 (0.037 ) 1.02 (0.040 ) 1.27 (0.050 ) 1.40 (0.055 ) 1.52 (0.060 ) 1.78 (0.070 ) 2.29 (0.090 ) 2.54 (0.100 ) 2.79 (0.110 ) 0201~1210 Y5V贴片电容选型表 封装尺寸0201 0402 0603 0805 1206 1210 工作电压6. 3 1 6. 3 1 1 6 2 5 5 6. 3 1 1 6 2 5 5 6. 3 1 1 6 2 5 5 6. 3 1 1 6 2 5 5 6. 3 1 1 6 2 5 5 电容量(pF ) 820 1000 2200 4700 A A A C 电容量(uF 0.01 0.02 2 A A A A C C C C C G G G G

贴片电容按材质分类

贴片电容的材质按美国电工协会(EIA)标准,贴片电容介质材料,按温度稳定性分成三类: 一、超稳定级(Ⅰ类)的介质材料为COG或NPO; 二、稳定级(Ⅱ类)的介质材料为X7R; 三、能用级(Ⅲ)的介质材料Y5V。 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。NPO 电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。而C0G和NPO只是标准不同而已,C0G是EIA标准,美国电工协会,NP0是JIS标准,日本工业协会,在电路里面,是一样用的。 X5R与X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。X7R是当温度在-55℃到+125℃时其容量变化仅为15%的,而X5R只是当温度在-55℃到+85℃时其容量变化才为15%。X5R 与X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化。X5R与X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。 Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。小体积,大容量,其容量随温度变化比较明显,但成本较低。广泛应用于对容量,损耗要求不高的场合。 NPO(COG)、X7R、X5R、Y5V均是电容的材质,几种材料的温度系数是依次递减的,而容值是依次递增的。不同材质的频率特性也是不同的,NPO是最高频的,依次递减。

贴片陶瓷电容知识(介质,DF,漏电,应用等)

AVX/松下/华亚/国巨/TDK ,TAIYO,村田(不是春田啊),AVX 单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 一NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。 容量精度在5%左右,但选用这种材质只能做容量较小的,常规100PF以下,100PF-1000PF也能生产但价格较高 介质损耗最大0。15% 封装DC=50V DC=100V 0805 0.5---1000pF 0.5---820pF 1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF 1210 560---5600pF 560---2700pF 2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。适用于低损耗,稳定性要求要的高频电路 二X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。 X7R此种材质比NPO稳定性差,但容量做的比NPO的材料要高,容量精度在10%左右。常规10000PF以下,10000PF-1UF也能生产但价格较高 介质损耗最大2。5%(25V与50V)3。5%(16V) 封装DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF 三Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。

贴片电容与相应介质材料的关系简介

贴片电容与相应介质材料的关系简介 贴片电容的稳定性及容量精度与其采用的介质材料存在对应关系,主要分为三大类别: 一、是以COG/NPO为I类介质的高频电容器,其温度系数为±30ppm/℃,电容量非常稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,主要应用于高频电子线路,如振荡、计时电路等;其容量精度主要为±5,以及在容量低于10pF时,可选用B档(± 0.1pF)、C档(±0.25pF)、D档 (±0.5pF)三种精度。 二、是以X7R为II类介质的中频电容器,其温度系数为±15,电容量相对稳定,适用于各种旁路、耦合、滤波电路等,其容量精度主要为K档(±10)。

特殊情况下,可提供J档(±5)精度的。 不同品种的电容器,最高使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ。 三、是以Y5V为II类介质的低频电容器,其温度系数为:+30~-80,电容量受温度、电压、时间变化较大,一般只适用于各种滤波电路中。其容量精度主要为Z档 (+80~-20),也可选择±20精度的。 贴片电阻在电路上出现问题,有可能是贴片电容本身质量不良,亦有可能是设计时选取规格欠佳或是在表面贴装机械力热冲击等对贴片电容造成一定的损伤等因素造成。 正确选择一颗贴片电容时,除了要提供其规格尺寸及容量大小外,还必须特别注意到电路对这颗片式电容的温度系数、额定电压等参数的要求。贴片电容标准命名方法及定义:贴片电容的命名,国内和国外的产家有一此区别但所包含的参数是一样的。

贴片陶瓷电容分类及温度特性

EIA Code Operation Temperature Range (?C) Temperature Coffcient CLASS I C0G/NP0-55~+1250±30PPM/?C X5R-55~+850±15% X7R-55~+1250±15% X6S-55~+1050±22% Y5V-30~+85-82%~+22% X7S-55~+1250±22% X7T-55~+125-33%~+22% U2J-55~+125-750±120PPM/?C X7U-55~+125-56%~+22% X6T-55~+105-33%~+22% Z5U10~+85-56%~+22% MURATA X8G-55~+1500±30PPM/?C Ⅰ类陶瓷电容器(ClassⅠceramic capacitor) 过去称高频陶瓷电容器(High-frequency ceramic capacitor),介质采用非铁电(顺电)配方,以TiO2为主要成分(介电常 数小于150),因此具有最稳定的性能;或者通过添加少量其他(铁电体)氧化物,如CaTiO3 或SrTiO3,构成“扩展型”温度 补偿陶瓷,则可表现出近似线性的温度系数,介电常数增加至500。这两种介质损耗小、绝缘电阻高、温度特性好。特别适 用于振荡器、谐振回路、高频电路中的耦合电容,以及其他要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补 Ⅱ类陶瓷电容器(Class Ⅱ ceramic capacitor) 过去称为为低频陶瓷电容器(Low frequency ceramic capacitor),指用铁电陶瓷作介质的电容器,因此也称铁电陶瓷电容 器 。这类电容器的比电容大,电容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗 和电容量稳定性要求不高的电路中。其中Ⅱ类陶瓷电容器又分为稳定级和可用级。X5R、X7R属于Ⅱ类陶瓷的稳定级,而 Y5V和Z5U属于可用级。 CLASS II

贴片电容材质分类

这个是按美国电工协会(EIA)标准,不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类:超稳定级(工类)的介质材料为COG或NPO;稳定级(II类)的介质材料为X7R;能用级(Ⅲ)的介质材料Y5V。 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。 COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质,几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的,不同材质的频率特性也是不同的。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 一 NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%, NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容 COG(Chip On Glass)即芯片被直接邦定在玻璃上。这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积,且易于大批量生产,适用于消费类电子产品的LCD,如:手机,PDA等便携式产品,这种安装方式,在IC生产商的推动下,将会是今后IC与LCD 的主要连接方式。 相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。 NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。 二 X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

常见贴片陶瓷电容规格

【MC Series 】 Multilayer Ceramic Chip Capacitor ■Features -Wide capacitance range, extremely compost size -Low inductance of capacitor for high frequency application -Excellent solderability and resistance to soldering heat, suitable for flow and reflow soldering -Adaptable to high-speed surface mount assembly -Conform to EIAJ-RC3402, and also compatible with EIA-RS198 and IEC PUB. 384-10 .. ■Construction ■Dimensions MC / MCHL / MCRF Type Unit: mm Packaging (7” Reel) Type Size (Inch) L W T / Symbol M B Paper tape Plastic tape 01 0201 0.6±0.03 0.3±0.03 0.3±0.03 L 0.15±0.05 15K - 02 0402 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 N 0.25 +0.05 / -0.10 10K - 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±010 S 4K 03 0603 1.60 +0.15 / -0.10 0.80 +0.15 / -0.10 0.80 +0.15 / -0.10 X 0.40±0.15 4K - 0.60±0.15 A 4K - 0.80±0.10 B 4K - 2.00±0.15 1.25±0.10 D - 3K 0.85±0.10 T 4K - 05 0805 2.00±0.20 1.25±0.20 1.25±0.20 I 0.50±0.20 - 3K 0.80±0.10 B 4K - 0.95±0.10 C - 3K 3.20±0.15 1.25±0.10 D - 3K 1.60±0.15 1.15±0.15 J - 3K 3.20±0.20 1.60±0.20 1.60±0.20 G - 2K 06 1206 3.20+0.3 / -0.1 1.60+0.3 / -0.1 1.60+0.3 / -0.1 P 0.60±0.20 (0.50±0.20)*** - 2K 0.95±0.10 C - 3K 3.20±0.30 2.50±0.20 1.25±0.10 D - 3K 1.60±0.20 G - 2K 2.00±0.20 K - 1K 10 1210 3.20±0.40 2.50±0.30 2.50±0.30 M 0.75±0.25 - 1K 1.25±0.10 D - 2K 08 1808 4.50±0.40 (4.5+0.5/-0.3)** 2.03±0.25 2.00±0.20 K 0.75±0.25 (0.50±0.20)*** - 1K 1.25±0.10 D - 1K 3.20±0.30 2.00±0.20 K - 1K 12 1812 4.50±0.40 (4.5+0.5/-0.3)** 3.20±0.40 2.50±0.30 M 0.75±0.25 (0.50±0.20)*** - 0.5K ** For 1808/1812: 200~3KV , ***For 1206:1KV~3KV ; 1808/1812: 200~3KV Low Inductance Capacitors for MCLI Type Unit: mm Packaging (7” Reel) Type Size (Inch) L W T / Symbol Ta min. Tb min. Paper tape Plastic tape MCLI43 0612 3.20±0.15 1.60±0.15 0.80±0.10 B 0.5 0.13 4K - 1Ceramic Material 3 Termination: 2 Inner Electrodes NPO: Ag/Ni/Sn dielectric X7R, Y5V, X5R: Cu/Ni/Sn dielectric 1 2 3

各种贴片电容容值规格全参数表

各种贴片电容容值表 X7R贴片电容简述 X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。它的容量相对稳定。X7R贴片电容特性 具有较高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度围,温度特性为±15%。层叠独石结构,具有高可靠性。 优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。 应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。 X7R贴片电容容量围 厚度与符号对应表 0201~1206 X7R贴片电容选型表

1210~2225 X7R贴片电容选型表

NPO COG 贴片电容容量规格表 默认分类2009-07-15 16:28 阅读354 评论1 字号:大大中中小小 NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。它的容量稳定,几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。尤其适用于高频电子电路。 具有最高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度围,温度特性为:0±30ppm/℃(COG)、0±60ppm/℃(COH)。 层叠独石结构,具有高可靠性。 优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。 应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。

我们把用来制造片式多层瓷介电容(MLCC)的瓷叫电容器瓷。这里所说的瓷介就是用电容器瓷制成的瓷介质。大家知道,瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。就其显微结构而论,大都具有多晶多相结构。其性能往往决定于其成份和结构。当配方确定之后,能否达到预期的效果,关键取决于制造瓷粉料的工艺。 按其用途可以分为三类:①高频热补偿电容器瓷(UJ、SL);②高频热稳定电容器瓷(NPO); ③低频高介电容器瓷(X7R、Y5V、Z5U)。 按温度系数分可以分为两类:①负温度系数电容器瓷(即高频热补偿电容器瓷);②正温度系数电容器瓷(即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料)。 按工作频率可以分为三类:低频、高频、微波介质。 高频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用,其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。其特点是介质系数较大,介质损耗小,温度系数和围广,一般在(+120~-5600)ppm/℃之间可调。高频热补偿电容瓷常用来制造的负温产品,其用途最广的地方就是振荡回路,像彩电高频头。大家知道,

贴片电容封装材质特性(精)

贴片电容封装材质特性 单片陶瓷电容器 (通称贴片电容是目前用量比较大的常用元件 , 就 AVX 公司生产的贴片电容来讲有 NPO 、 X7R 、 Z5U 、 Y5V 等不同的规格 , 不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的 NPO 、 X7R 、 Z5U 和 Y5V 来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法 , 这里我们引用的是 AVX 公司的命名方法 , 其他公司的产品请参照该公司产品手册。 NPO 、 X7R 、 Z5U 和 Y5V 的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同 , 随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器 * NPO电容器 NPO 是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO 电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从 -55℃到 +125℃时容量变化为 0±30ppm/℃ , 电容量随频率的变化小于±0.3ΔC 。 NPO 电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO 电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同 , 大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了 NPO 电容器可选取的容量范围。

NPO 电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容 , 以及高频电路中的耦合电容。 * X7R电容器 X7R 电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在 -55℃到 +125℃时其容量变化为 15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R 电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的 , 它也随时间的变化而变化 , 大约每 10年变化1%ΔC, 表现为 10年变化了约 5%。 X7R 电容器主要应用于要求不高的工业应用 , 而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了 X7R 电容器可选取的容量范围。 * Z5U电容器 Z5U 电容器称为“通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围 , 对于 Z5U 电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下 Z5U 电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大 , 它的老化率最大可达每 10年下降 5%。尽管它的容量不稳定 , 由于它具有小体积、等效串联电感(ESL 和等效串联电阻(ESR 低、良好的频率响应 , 使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了 Z5U 电容器的取值范围。

贴片电容介电材料

多层陶瓷电容(MLCC)根据材料分为Class 1和Class 2两类。Class 1是温度补偿型,Class 2是温度稳定型和普通应用的。 ?Class 1 - Class 1或者温度补偿型电容通常是由钛酸钡不占主要部分的钛酸盐混合物构成。它们有可预见的温度系数,通常没有老化特性。因此它们是可用的最稳定的电容。最常用的Class 1多层陶瓷电容是COG(NPO)温度补偿型电容(±0 ppm/°C). ?Class 2 - EIA Class 2 电容通常也是由钛酸钡化合物组成。Class 2电容有很大的电容容量和温度稳定性。最普通最常用的Class 2电容电解质是X7R和Y5V。在温度范围 -55°C到125°C之间,X7R能提供仅有±15%变化的的中等容量的电容容量。它最适合应用在温度范围宽,电容量要求稳定的场合。 Y5V能提供最大的电容容量,常用在环境温度变化不大的地方。在温度范围-30°C to 85°C之间,Y5V电容值的变化是 22% to -82%。所有的Class 2电容的电容容量受以下几个条件影响:温度变化、操作电压(直流和交流)、频率。 ? 对Class 2材料电容的容量随温度变化,EIA可以通过3个符号代码来表述。第一个符号表示工作温度范围的下限,第二个符号表示工作温度的上限,第三个符号表示在这个温度内允许容量变化的百分比。以下表提供了EIA系统详细的描述。

法拉(F)= 1000毫法(mF)=1000000微法(μF) 1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。 1F=1000mf=1000,000uf=1000,000,000nf=1000,000,000,000pf

多层贴片陶瓷电容烧结原理及工艺

多层贴片陶瓷电容烧结原理及工艺 多层陶瓷电容器(MLCC)的典型结构中导体一般为Ag或AgPd,陶瓷介质一般为(SrBa)TiO3,多层陶瓷结构通过高温烧结而成。器件端头镀层一般为烧结Ag/AgPd,然后制备一层Ni阻挡层(以阻挡内部Ag/AgPd材料,防止其和外部Sn发生反应),再在Ni层上制备Sn或SnPb层用以焊接。近年来,也出现了端头使用Cu的MLCC产品。 根据MLCC的电容数值及稳定性,MLCC划分出NP1、COG、X7R、Z5U等。根据MLCC 的尺寸大小,可以分为1206,0805,0603,0402,0201等。 MLCC 的常见失效模式 多层陶瓷电容器本身的内在可靠性十分优良,可以长时间稳定使用。但如果器件本身存在缺陷或在组装过程中引入缺陷,则会对其可靠性产生严重影响。 陶瓷多层电容器失效的原因分为外部因素和内在因素 内在因素主要有以下几种: 1.陶瓷介质内空洞(Voids) 导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染,烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电,而漏电又导致器件内部局部发热,进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生,不断恶化,严重时导致多层陶瓷电容器开裂、爆炸,甚至燃烧等严重后果。 2.烧结裂纹(firing crack) 烧结裂纹常起源于一端电极,沿垂直方向扩展。主要原因与烧结过程中的冷却速度有关,裂纹和危害与空洞相仿。 3.分层(delamination) 多层陶瓷电容器的烧结为多层材料堆叠共烧。烧结温度可以高达1000℃以上。层间结合力不强,烧结过程中内部污染物挥发,烧结工艺控制不当都可能导致分层的发生。分层和空洞、裂纹的危害相仿,为重要的多层陶瓷电容器内在缺陷。 外部因素主要为: 1.温度冲击裂纹(thermal crack) 主要由于器件在焊接特别是波峰焊时承受温度冲击所致,不当返修也是导致温度冲击裂纹的重要原因。

常用贴片电容结构和特点介绍

常用贴片电容结构和特点介绍 总所周知,电容器通常简称其为电容,用字母C表示,它是一种容纳电荷的器件。电容器是一种储能元件,是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于电路中的隔直通交,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制等方面。而通常把常用的电容器按其介质材料可分为电解电容器、云母电容器、瓷介电容器、玻璃釉电容等。 1)铝电解电容。它是由铝圆筒做负极,里面装有液体电解质,插入一片弯曲的铝带做正极制成。还需要经过直流电压处理,使正极片上形成一层氧化膜做介质。它的特点是容量大,但是漏电大,误差大,稳定性差,常用作交流旁路和滤波,在要求不高时也用于信号耦合。电解电容有正、负极之分,使用时不能接反。有正负极性,使用的时候,正负极不要接反。 2)纸介电容。用两片金属箔做电极,夹在极薄的电容纸中,卷成圆柱形或者扁柱形芯子,然后密封在金属壳或者绝缘材料(如火漆、陶瓷、玻璃釉等)壳中制成。它的特点是体积较小,容量可以做得较大。但是有固有电感和损耗都比较大,用于低频比较合适。

3)金属化纸介电容。结构和纸介电容基本相同。它是在电容器纸上覆上一层金属膜来代替金属箔,体积小,容量较大,一般用在低频电路中。 4)油浸纸介电容。它是把纸介电容浸在经过特别处理的油里,能增强它的耐压。它的特点是电容量大、耐压高,但是体积较大。 5)玻璃釉电容。以玻璃釉作介质,具有瓷介电容器的优点,且体积更小,耐高温。

6)陶瓷电容。陶瓷电容用陶瓷做介质,在陶瓷基体两面喷涂银层,然后烧成银质薄膜做极板制成。它的特点是体积小,耐热性好、损耗小、绝缘电阻高,但容量小,适宜用于高频电路。 7)薄膜电容。结构和纸介电容相同,介质是涤纶或者聚苯乙烯。涤纶薄膜电容,介电常数较高,体积小,容量大,稳定性较好,适宜做旁路电容。 8)云母电容。用金属箔或者在云母片上喷涂银层做电极板,极板和云母一层一层叠合后,再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。它的特点是介质损耗小,绝缘电阻大、温度系数小,适宜用于高频电路。 9)钽、铌电解电容。它用金属钽或者铌做正极,用稀硫酸等配液做负极,用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。它的特点是体积小、容量大、性能稳定、寿命长、绝缘电阻大、温度特性好。用在要求较高的设备中。 10)半可变电容。也叫做微调电容。它是由两片或者两组小型金属弹片,中间夹着介质制成。调节的时候改变两片之间的距离或者面积。它的介质有空气、陶瓷、云母、薄膜等。 11)可变电容。它由一组定片和一组动片组成,它的容量随着动片的转动可以连续改变。把两组可变电容装在一起同轴转动,叫做双连。可变电容的介质有空气和聚苯乙烯两种。空气介质可变电容体积大,损耗小,多用在电子管收音机中。聚苯乙烯介质可变电容做成密封式的,体积小,多用在晶体管收音机中.

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