EN27C51270JI中文资料(List Unclassifed)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

EN27C512 512KBIT EPROM (64K x 8)特征

快速读取时间: -45,-55,-70,和-90ns

5V单电源供电

编程电压+ 12.75V

QuikRite 闭锁抗扰度100mA电流

从-1V到V CC+ 1V

二线控制（OE&CE) 标准产品识别码

JEDEC标准引脚

28引脚PDIP

32引脚PLCC

28引脚TSOP（类型1）商业和工业温度

范围

编程算法

典型编程时间为20μs

低功耗CMOS操作

静态1μA（典型值）

30毫安操作（最大）

CMOS-和TTL兼容I / O

高可靠性CMOS技术

概述

所述EN27C512是一个低功率512Kbit,5V-只有一次性可编程（OTP）只读

存储器（EPROM）.组织成64K字,每字8位,它功能QuikRite单-地址位置编程,典型地在每字节为20μs.任何字节不到访问

为45nS,省去高性能微处理器系统等待状态.该

EN27C512有独立输出使能（OE）和芯片使能（CE）控制消除

总线争用问题.

图1. PDIP

引脚名称A0-A15 DQ0-DQ7功能

地址

输出

芯片使能输出使能无连接

图2. TSOP 图3：PLCC

图4.框图

功能说明

THE QUIKRITE TM编程EN27C512

当EN27C512交付,该芯片具有所有512K位"一",或

高状态.个"0",通过编程程序加载到EN27C512.

在进入编程模式时12.75±0.25V被施加到OE/V PP销和CE是在V IL.用于编程,要编程数据被应用于与8位并行

数据引脚.

图5中QUIKRITE程序流程图显示EON交互式编程

算法.交互式算法采用20减少编程时间μs to 100μs 编程脉冲和给每个地址仅尽可能多脉冲,是必要,以便

可靠地进行编程数据.之后每个脉冲被施加到一个给定地址,在该数据

地址被检验.如果数据没有被证实,额外脉冲给出,直到它被核实,

直到脉冲最大数量为止.这个过程重复,同时测序

通过EN27C512每个地址.编程算法这部分做

V= 6.25V,以确防护每个EPROM位编程为一个足够高门槛

电压.这防护证所有位具有足够余量.中最终地址完成后,

整个EPROM存储器被读出在V CC= 5.25±0.25V,以验证整个存储器.

禁止编程模式

多EN27C512在不同数据并行编程也很容易实现

通过编程禁止模式.除CE,平行EN27C512都喜欢投入

可能是共同.一个TTL低一级方案脉冲应用到EN27C512CE输入,

OE/V PP= 12.75±0.25V会编程EN27C512.一个高级别CE输入抑制

其他EN27C512被编程.

程序校验模式

验证应在编程位进行,以确定他们是

正确编程.核查应与进行OE/V PP and CE在V IL.数据应在核实t DV下降沿之后CE.

汽车产品标识

自动产品标识模式允许读出二进制代码从EPROM

将确定其制造商和类型.这种模式适用于通过编程设备使用

用于自动地匹配装置目,以与它相应编程

规划算法.这个模式是功能在25℃±5°C环境温度范围

当编程EN27C512所需.

要激活此模式下,编程设备必须强制12.0 V±0.5V在地址线A9

EN27C512.两个标识符字节然后可从该设备输出由测序

从V切换地址线A0IL到V IH当A1 = V IH.所有其他地址线必须举行

V IL在汽车产品标识模式.

字节0（A?0 = V IL）表示制造商代码和字节1（A0 = V IH）,设备代码.对于

EN27C512,这两个标识符字节中给出模式选择表.所有标识符

制造商和设备代码将拥有奇校验,与MSB（DQ7）定义为奇偶

位.当A1 = V IL时,EN27C512将宣读7F,继续码二进制代码,以

意味着制造商ID代码不可用.

READ模式

该EN27C512具有两个控制功能,这两者必须逻辑满足以

获得在输出数据.芯片使能（CE）是功率控制和应当用于

设备选择.输出使能（OE）是输出控制和应使用栅极数据到

输出引脚,独立设备选择.假定地址是稳定,

地址访问时间（t A CC）等于从延迟CE输出（T CE）.数据可在

输出（T OE）下降沿后OE,假设CE一直不高和

地址一直稳定在至少为T.A CC- t OE.

待机模式

该EN27C512由CMOS待机模式这减小最大V CC为20μA电流.

它被放置在CMOS待机时CE是在V CC±0.3 VEN27C512也有一个与TTL

待机模式这减小最大V CC1.0 mA电流.它被放置在TTL-

待机时,CE是在V IH.当在待机模式时,输出处于高阻抗

国家,独立OE输入.

两线输出控制功能

为适应多个存储器连接,两线控制功能以允许

for:

1.低内存功耗,

2.防护证不会发生输出总线争用.

所以建议CE被解码并作为主设备选择功能,而

OE进行到阵列中所有设备共同连接,并连接到READ线

从系统控制总线.这防护证所有选择存储设备都在其低功率待机模式并且输出引脚仅当数据

从一个特定存储装置所需活性.

系统注意事项

在工作和待机状态之间切换,瞬态电流尖峰产生

片上上升和下降沿使能.这些瞬态电流峰值幅度

是依赖于器件输出电容负载.至少,一个0.1μF陶瓷

电容器（高频率,低固有电感）应V每个设备上使用CC 和V SS尽量减少瞬态效应.此外,为克服电压降

印刷电路电路板走线EPROM阵列感应效果,一个4.7μF大容量电解

电容应V使用CC和V SS每个八个器件.位置

电容应该是接近地方,电源连接到阵列.