模拟电子技术基础第三版课后习题答案

一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C

三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V

五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE

＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。

六、1、

2V mA

6.2 μA

26V C C CC CE B C b

BB B =-===

=-=

R I U I I R U I β

U O ＝U CE ＝2V 。

2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以

≈-=

=-=

k 4.45V μA 6.28mA

86.2V B

BB b C

B c CES

CC C I U R I I R U I β

七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。

1.5 u o 的波形如图所示。

1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝

2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。

1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。

1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L

O ≈?+=

U R R R U

当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。

当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。

（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。

（2）。

，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。

1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。

1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。

1.14

1.16 当V BB ＝0时，T 截止，u O ＝12V 。

当V BB ＝1V 时，T 处于放大状态。因为

V 9u mA 3 μA 60C CQ O BQ CQ b BEQ

BB BQ =-====-=

R I V I I R U V I CC ，，β

当V BB ＝3V 时，T 处于饱和状态。因为

BE C CQ O BQ CQ b

BEQ

BB BQ mA 8 A μ160U R I V u I I R U V I CC ＜，，-====-=β

1.17 取U CES ＝U BE ，若管子饱和，则

管子饱和。

，所以，100 C

b C b C BE CC b BE CC =≥=-=-?

R R

R R R U V R U V βββ 1.18 当u I ＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，u O ＝－U Z ＝－5V 。

当u I ＝－5V 时，晶体管饱和，u O ＝0.1V 。因为

24μA 480B C b BE

I B ===-=

I I R U u I β

CC C C CC EC V R I V U ＜-=

1.19（a ）可能（b ）可能（c ）不能（d ）不能，T 会损坏。（e ）可能

1.20 根据方程

GS(th)

GS DSS D )1(U u I i -

逐点求出确定的u GS 下的i D ，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上u GD ＝U GS （off ）的点连接起来，便为予夹断线。 1.21

1.22 过u DS 为某一确定值（如15V ）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的i D 值；建立i D ＝f （u GS ）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。

1.23 u I ＝4V 时T 夹断，u I ＝8V 时T 工作在恒流区，u I ＝12V 时T 工作在可变电阻区。

1.24 （a ）可能（b ）不能（c ）不能（d ）可能一、（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）× （7）× 二、（a ）不能。因为输入信号被V BB 短路。（b ）可能

（c ）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。（d ）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。

（e ）不能。因为输入信号被C 2短路。

（f ）不能。因为输出信号被V CC 短路，恒为零。

（g ）可能。（h ）不合理。因为G-S 间电压将大于零。（i ）不能。因为T 截止。

三、（1）3 )( 565 )(BQ CEQ CC BQ BEQ CC I U V I U V β--；

（2）0.3

120- '

o L

C L i o U R R R U U ?-＋；

四、（1）A （2）C （3）B （4）B 五、（1）C ，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C （6）B C E ，A D 六、

2.1

大大中大 c b c 小大大小 b e c 大小小大

2.2（a ）将－V CC 改为＋V CC 。（b ）在＋V CC 与基极之间加R b 。（c ）将V BB 反接，且加输入耦合电容。

（d ）在V BB 支路加R b ，在－V CC 与集电极之间加R c 。

2.3 图P2.3所示各电路的交流通路；将电容开路即为直流通路，图略。

2.4空载时：I BQ ＝20μA ，I CQ ＝2mA ，U CEQ ＝6V ；最大不失真输出电压峰值约为5.3V 。

带载时：I BQ ＝20μA ，I CQ ＝2mA ，U CEQ ＝3V ；最大不失真输出电压峰值约为2.3V 。 2.5（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）× （7）× （8）√

（9）√ （10）× （11）× （12）√

2.6 （1）6.4V （2）12V （3）0.5V （4）12V （5）12V 2.7

Ω==-≈?+≈Ω≈≈=-≈-=Ω≈++=≈-=≈=≈-

k 5 93 k 3.1 308

k 3.1mV

26)1( V 2.6mA

76.1 A

μ22o 'c u

s be

be be b i be

bb be c CQ CC CEQ BQ CQ BEQ b

BEQ

CC BQ R R A r R r A r r R R r R A I r r R I V U I I R

U R U V I Q ∥，空载时：：βββ

47 115

3.2)(k 3be

s be

L c CQ L

c L

CEQ L -≈?+≈-≈-=≈-+=Ω=u

u A r R r A r R A R R I R R R U R β∥时：

2.8（a ）饱和失真，增大R b ，减小R c 。（b ）截止失真，减小R b 。（c ）同时出现饱和失真和截止失真，增大V CC 。

2.9 （a ）截止失真（b ）饱和失真（c ）同时出现饱和失真和截止失真

2.10 （1）

≈-=

=-=

k 565μA

20mA

2BQ

BEQ

CC b CQ

BQ c CEQ

CC CQ I U V R I I R U V I β

（2）

Ω==+Ω=-=-=-=k 5.1 111k 1 100L L

c 'L be

L i o R R R R r R A U U A u u β

2.11 空载时，V 28.32

CES

CEQ om ≈-=

U U U

V 12.22

k 3'

CQ om L ≈=

Ω=R I U R 时，

2.12 ② ① ② ① ③

③ ② ① ③ ① ③ ③ ① ③ ③ 2.13（1）静态及动态分析：

==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++==++-≈≈+=

≈+-==?+≈k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV

26)

1(V

7.5)( A μ101mA

1 V 2c o f be b2b1i f

be L c EQ

bb'be e f c EQ CEQ EQ

BQ e f BEQ BQ EQ CC b2b1b1

BQ R R R r R R R R r R R A I r r R R R I V U I I R R U U I V R R R U u

CC βββββ

∥∥∥

(2) R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A 减小，u

A ≈－1.92。 2.14 c BQ CC CEQ BQ CQ c

21BEQ CC BQ )1( )1(:R I V U I I R R R U V I Q βββ+-==+++-=

2o 1be i be

32 R R R R r R r R R A u ∥∥∥==-=β 2.15 Q 点：

BEQ

c CQ CC CEQ BQ CQ 132BEQ CC 322

BQ ]

)1([)(

U R I V U I I R R R U V R R R I +-==-+=ββ＋＋∥

动态：

4o be

1i be

1 R R r R R r R A u

=+==β

β∥

2.16

o be132i 2

1be2

4122be12

be2

BEQ2BQ2CQ2CEQ2BEQ2

BQ2CEQ1BEQ1

BEQ1CC 2

BQ24CQ2CC CQ2BQ1

CQ1CQ23

BEQ12

1BEQ1

CC BQ1 1)( R R r R R R A A A r R A r r A U U U U U U U U U V R R R U R I V U I I I R U R R U V I u u u u u ====+?

-=+==+-+≈

-==≈-

+-≈

∥∥－－ ββββ

2.17 1 12

1+≈-≈u u A A 图略。 2.18 （1）求解Q 点：

17.7mA

61.2)1(A

μ3.32)1(e EQ CC CEQ BQ EQ e

b BEQ CC BQ ≈-=≈+=≈++-=

R I V U I I R R U V I ββ

（2）求解电压放大倍数和输入电阻：

992

.0)

)(1()

)(1( k 76)])(1([k 3996

.0)1()1( k 110])1([L e be L e L e be b i L e

be e

e be b i L ≈+++=Ω≈++=Ω=≈+++=Ω≈++=∞=R R r R R A R R r R R R R r R A R r R R R u

∥∥∥∥：∥：ββββββ

（3）求解输出电阻：Ω≈++=371be

s e o β

r R R R R b ∥∥

2.19 (1)

==-≈-=Ω≈=Ω≈++==+-≈≈=≈++-=

k 3 95)( 952 952mV

26)

1( V

56.4)( A

86.1 A μ31)1(c o be L c be b i EQ

bb'be e c EQ CC CEQ BQ CQ e

b BEQ CC BQ R R r R R A r R R I r r R R I V U m I I R R U V I Q u

∥∥：ββββ

(2)

mV 4.14mV

6.95.1k 3.51])1([C mV 304mV

2.3i o i

s i

i e L c e be b i e i o i

s i

i ≈=≈?+=

-=-≈Ω≈++=≈=≈?+=

U A U U R R R U R R R A R r R R U A U U R R R U u s u

u s ∥∥开路，则

若β

2.20（a ）源极加电阻R S 。（b ）输入端加耦合电容，漏极加电阻R D 。

（c ）输入端加耦合电容（d ）在R g 支路加－V GG ，＋V DD 改为－V DD

2.21 （1）在转移特性中作直线u GS ＝－i D R S ，与转移特性的交点即为Q 点；读出坐标值，得出I DQ ＝1mA ，U GSQ ＝－2V 。

在输出特性中作直流负载线u DS ＝V DD －i D （R D ＋R S ），与U GSQ ＝－2V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点，U DSQ ≈3V 。（2）mA/V 12DQ DSS GS(off)

D m DS

??=

I I U u i g U

Ω==Ω=-=-=k R R R R g A u 5 M 1 5D

o i D m 2.22 （1）求Q 点：U GSQ ＝V GG ＝3V

从转移特性查得，当U GSQ ＝3V 时，I DQ ＝1mA ，U DSQ ＝V DD －I DQ R D ＝5V （2）求电压放大倍数：

20V

mA 32)

(-=-===

m u DO DQ th GS m R g A I I U g

2.23

i L D m u R R R R R R R R g A =+=-=02

13)

(∥∥

2.24 （a ）× （b ）× （c ）NPN 型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。（d ）× （e ）× （f ）PNP 型管，上-发射极，中-基极，下-集电极。（g ）NPN 型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。一、（1）× （2）√√ （3）√× （4）× （5）√ 二、（1）A A （2）D A （3）B A （4）D B （5）C B 三、（1）B D （2）C （3）A （4）A C （5）B （6）C 四、（1）I C3＝（U Z －U BEQ3）/ R e3＝0.3mA I E1＝I E2＝0.15mA

（2）减小R C2。

当u I ＝0时u O ＝0，I CQ4＝V EE / R C4＝0.6mA 。

Ω≈++=Ω

≈++=Ω

≈+=

=-=k 74.2mV

26)

1(k 7.10mV

26)1(k 14.7mA 14.0EQ4

bb'be4EQ2

bb'be2

BEQ4

E4E4C2B4C2C2

C4I r r I r r I U R I R I I I R R ββ {}29718

)1( 5.16 2])1([2

1e4

be4c4

be2

e4be4c21

≈?=-≈++-=-≈++-=u u u u u A A A R r R A r R r R A ββββ∥

3.1 （a ）共射，共基（b ）共射，共射（c ）共射，共射（d ）共集，共基

（e ）共源，共集（f ）共基，共集

3.2 图（a ）

{}2

2be23o be1

1i 3

2be232be1132be2211)1()1(])1([βββββ++=+=+++?+++-=R r R R r R R R r R r R R r R A u

∥

图（b ）

o b e 2321b e 11i b e 2

42b e 2321b e 1b e 2321)]

)(1([)

())(1()1(R R r R R r R R r R

r R R r r R R A u

=++=-?+++-=∥∥∥∥∥∥∥ββββ

图（c ）

{}3

o be1

1i 2be23

2be112be221])1([)1([R R r R R r r R r R r r R A D

D u

=+=++-?+++=ββββ∥

图（d ）

o 2

13i 2

be 82be2

764m )()]([R R R R R R r R r R R R g A u =+=-?-=∥∥∥∥β

3.3 （1）（d ）（e ）（2）（c ）（e ）（3）（e ） 3.4 图（a ）

==Ω≈=-≈?===+?

-=k 3k 93.012512513i be121i 2

1be2

322

be1

be2

R R r R R R A A A r R A r r A u u u u u ∥∥ βββ

图（b ）

==Ω≈+=≈?=-≈=-≈?-=k 1k 2.1)(21004250)(4i be1325i 2

1be2

422

be1

be2111

R R r R R R R A A A r R A r r R A u u u u u ∥∥∥ ββ

3.5 图（c ）

==Ω≈=≈?=-≈=-≈?-=k 2k 5.1663410762)(4i be11i 2

1be2

422

be1

be2311

R R r R R A A A r R A r r R A u u u u u ∥∥ ββ

图（e ）

{}Ω

≈++=Ω==-≈?=≈+++=-≈-≈++-=431M 1061

)1()1(6])1([2

be 4o 1i 2

be 4

4be 21β

βββR r R R R R A A A R r R A R g R r R g A u u u u m m u ∥

∥

3.6

c I

d C2C1O I

C2I be

W c C1be

c I

d )2

( 2 2)

( )2()2

( )1(r R R u u A u u u u r R u u r R R u r R R u u A +

-=??=

?-?=???-

=???+-

=?+

-=??=

ββββ

3.7

≈++=-≈++-

=Ω

≈++=≈-==+?+k 4.10)1(2972

)

1( k 66.2mV

26)1(mA

517.022

W be i W

be c

d EQ

bb'be e W BEQ EE EQ EE e EQ W

EQ BEQ R r R R r R A I r r R R U V I V R I R I U ββββ＋，

3.8

67.067

2 mV 10mV 152

Id d O be

d I2I1Id I2

I1IC -≈=?-≈-

==-==+=u A u r R A u u u u u u β

3.9 （1） V 5 k 67.6CC L

c L

CC L c '

L =?+=

Ω≈=V R R R V R R R ∥

15V 23.3mA

265.02CC CQ2'

L CQ 'CC CQ1e

BEQ

EE EQ ==≈-==-≈

V U R I V U R U V I

（2） △u O ＝u O －U CQ1≈－1.23V

9.2V 327.0mV 6.377

.32)

(2 k 1.5mA

26)1(O 1O I d O d

I be b '

d EQ 'bb b

e ≈?+=-≈=?≈?=

-≈+-

=Ω≈++=u U u u A u A u u r R R A I r r CQ ββ

3.10

]

)1([2)1()2

(be21be1i be2

11be L

c 21

d r r R r r R R A ββββ++=++-≈∥

3.11 A d ＝－g m R D ＝－40 R i ＝∞ 3.12 1600 2

D m d -=?-=R g A β R i ＝∞

3.13

{}{}5

be57o 2

217

5be57

be 54be4642

be1

54be4211

1)1()1(2)1([2)1([βββββββ++==+++=++-=++=R r R R A A A A R r R A r R r R A r R r R A u u u u u u u ∥

∥∥

3.14 （1）

8.77V

78.72

o i CEQ

CC o ≈=≈-=

U U V U

（2）若U i ＝10mV ，则U o ＝1V （有效值）。

若R 3开路，则u o ＝0V 。若R 3短路，则u o ＝11.3V （直流）。一、（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、（1）× （2）√ （3）√ （4）√ （5）× 三、μA 100BE1

BE2CC C2=--=

≈R

U U V I I R

四、（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。

（2）第一级：采用共集-共基形式，增大输入电阻，改善高频特性；利用有源负载（T 5、T 6）增大差模放大倍数，使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数，同时减小共模放大倍数。

第二级共射放大电路以T 7、T 8构成的复合管为放大管、以恒流源作集电极负载，增大放大倍数。

第三级加偏置电路，利用D 1、D 2消除交越失真。五、（1）① （2）③ （3）⑦ （4）② （5）⑥ （6）⑤ （7）④ 4.1 输入级、中间级、输出级和偏置电路。

输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电路，偏置电路为电流源电路。

对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数即可能大。对中间级的要求：放大倍数大。

对输出级的要求：带负载能力强，最大不失真输出电压即可能大。 4.2 。

，5od od 10dB 100lg 20==A A u O 1V 10V 14V 14V -1V -10V -14V -14V 4.3 A 1－通用型，A 2－高精度型，A 3－高阻型，A 4－高速型。 4.4

。

时，＞＞当A μ1003)1( 3

)1( 313μA

100C2C122C C C B C0B4C00

BE BE4CC =≈=+?+++=++

=++=+==--=

R R

R R I I I I I I I I

I I I I R

U U V I βββββββββ

4.5

μ3202A μ160 A μ1601 V)7.0(μA 200C0C2C0C1C0C0C0B C EB EB

CC =====+=

+=+===-=

I I I I I I I

I I I I U R

U V I R

R R β

ββ

其中

4.6 )()

(DS2DS1m I

DS2DS1D I

r r g u r r i u u A u ∥∥-=??-=

??=

4.7 在图（a ）（b ）所示电路中

)

(2I21I O 1

D 1D 2D O 4D 3D 2D 1D u u i g i i i i i i i i m -??-

=?-=?-?=??=?=?-=?，

图（a ）中：

)

(- )

()( )

(DS4DS2m I2I1DS4DS2O I2I1r r g u u r r i u u u A O

u ∥∥=-??=-??=

图（b ）中：)(- DS4DS2m r r g A u ∥=

4.8（1）T 1和T 2、组成的复合管为放大管，T 5和T 6为有源负载，双端输入、单端输出的差分放大电路。（2）ββ)1(I

+=??=

i i A i 4.9 同题4.8。 4.10（1）

1be3

c22be1

3be c112

u u u u u A A A r R A r r R A ?=?

-=?

-=ββ∥

（2）当有共模输入电压时，u O =0。

R c1＞＞r D ，△u C1＝△u C2，因此△u BE3＝0，故u O =0。 4.11 （1）C （2）C （3）B （4）A

4.12 因为U BE3＋U CE1＝2U D ，U BE1≈U D ，U CE1≈U D ，所以U CB ≈0，反向电路为零，

因此I CBO 对输入电流影响很小。

4.13（1）因为β＞＞2，所以i C2≈i C1≈i I2 。（2） i B3＝i I1－i C2≈i I1－i I2

（3）

3B3O I2I1O c B33c C3O )(

R i u i i u A R i R i u ui ββ-=??≈-??=?-=?-=?

4.14 图（a ）所示电路中，D 1、D 2使T 2、T 3微导通，可消除交越失真。

R 为电流采样电阻，D 2对T 2起过流保护。当T 2导通时，u D3＝u BE2＋i O R － u D1，未过流时i O R 较小， u D3因小于开启电压而截止；过流时u D3因大于开启电压而导通，为T 2基极分流。D 4对T 4起过流保护，原因与上述相同。

图（b ）所示电路中，T 4、T 5使T 2、T 3微导通，可消除交越失真。

R 2为电流采样电阻，T 6对T 2起过流保护。当T 2导通时，u BE6＝u BE2＋i O R － u BE4，未过流时i O R 较小，因u BE6小于开启电压T 6截止；过流时6因大于开启电压T 6导通，为T 2基极分流。T 7对T 3起过流保护，原因与上述相同。

4.15 （1）为T 1提供静态集电极电流、为T 2提供基极电流，并为T 1的有源负载。（2）T 4截止。因为u B4＝u C1＝u O ＋u R ＋u B2＋u B3，u E4＝u O ，u B4＜u E4。（3）T 3的射极电流，在交流等效电路中等效为阻值非常大的电阻。

（4）保护电路。u BE5＝i O R ，未过流时T 5电流很小；过流时使i E5＞50μA ，T 5更多地为T 5的基极分流。

4.16 T 1－共射电流的放大管，T 2和T 3－互补输出级，T 4、T 5、R 2－消除交越失失真。 4.17 （1）u 11为反相输入端，u 12为同相输入端。

（2）为T 1和T 2管的有源负载，将T 1管集电极电路变化量转换到输出，使单端输出的放大倍数近似等于双端输出时的放大倍数。

（3）为T 6设置静态电流，且为T 6的集电极有源负载。（4）消除交越失真。

4.18 （1）由T 10、T 11、T 9、T 8、T 12、T 13、R 5构成。（2）三级放大电路：

T 1～T 4－共集-共基差分放大电路，T 14～T 16－共集-共射-共集电路，T 23、T 24－互补输出级。

（3）消除交越失真。U BE23＋U BE24＝U BE20＋U BE19 一、（1）A （2）B A （3）B A （4）C C

二、（1）静态及动态分析估算：

∥178)(A mA/V

2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV

26)

1(V 3mA 8.1)1(A

μ6.22c be

e b'i s i

us T

EQ b be i e b'bb'be EQ

bb'e b'c CQ CC CEQ BQ EQ b

BEQ

CC BQ -≈-?+=

≈=Ω≈=Ω≈+=Ω≈++=≈-=≈+=≈-=

R g r r R R R U I g R r R r r r I r r R I V U I I R U V I m m ββ

（2）估算‘

πC ：

1602)1(pF

214π2)

(π2μc m '

μT

e b'0

μπe b'0

T ≈++=≈-≈

+≈

C R g C C C f r C C C r f πππββ

（3）

14)π(21

kHz 175π21

567)()(i s L '

H s b b'e b'b s b b'e b'≈+=

≈=

≈+≈+=C

R R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥

（4）dB 45lg 20sm ≈u A ，频率特性曲线略。

三、（1）60 103

（2）10 10

（3）)

j 1)(10j 1)(10j 1(j 100)10j 1)(10j 1)(j 101(1054543f f f f

f f f ++++++或

5.1（1）

)π(21

C r R R be b S ∥+ ① ①

（2）

'')](π[21

C R R r r S b bb e b ∥∥+ ① ① ① ③ 5.2 )

j 1)(10j 1( 3.2j )10j 1)(j 101(3255f f f A f f A u

++-=++-= 或 5.3

)10

5.2j 1)(10j 1)(j 1(10)105.2j 1)(j 101)(j 11(1005

5?+++=

?+++=f f f f A f f f A u u

－或 5.4 （1）直接耦合；

（2）三级；

（3）当f ＝104Hz 时，φ’＝－135o ；当f ＝105Hz 时，φ’＝－270o 。

5.5 kHz 13131.1 )10

5.21(10'

H H 353

≈≈?+=f f f j A u

5.6 （1）

10Hz 10100

)10j 1)(10j

1(10

j 1005H L m

5==-=++?-=f f A f

f f

A u u

（2）图略。 5.7

10 Hz 5

)105.2j 1)(10j 1)(5j 1(5

104H L 3m

43≈==?+++?=f f A f f f f A u u

图略。

5.8 （1）（a ）（2）（c ）（3）（c ） 5.9

80π21

2011e

L s

b s e ≈≈

≈++≈++=RC f R r R R r R R be be β

β∥∥

5.10（1）C 1（R s ＋R i ）＝C 2（R c ＋R L ），C 1 : C 2＝5 : 1。

（2）

Hz 1021.1Hz 4.6π21

μ 5.2μF 5.12L1L L2L1L

c 2i

s 1≈≈≈=

=≈+=

≈+=f f f f R R C R R C τ

5.11 sm u A 减小，因为在同样幅值的i U 作用下，b I 将减小，c I 随之减小，o U 必

然减小。

f L 减小，因为少了一个影响低频特性的电容。

f H 减小，因为'

πC 会因电压放大倍数数值的减小而减小。

5.12

μF

133π21

2011L

e s

b s e ≈≈

≈++≈++=Rf C R r R R r R R be be β

β∥∥

5.13 （1）

Hz 3.5)

(π21

)(π21be s i s L ≈+≈+=r R R R f

（2）

6.37lg 2076

)g ()g (V

/mA 77g kHz 316)]([π21

)]([π21k 9.0sm '

L m be

s e b''L m be e b'i s i sm T

EQ m '

πs b b'e b''πs b b b'e b'H b b'be e b'≈-≈-?+≈-??+=

≈≈

≈+≈+=

Ω=-=u u A R r R r R r r R R R A U I C R r r C R R r r f r r r ∥∥∥

图略。

5.14 )

101.1j 1)(16j 1()16j

(4.12MHz 1.1π21

)π(21pF

72)1(Hz

16π21

.12)(6

s 'GS G s H GD '

L m GS 'GS s

s L '

L m 'L m i

s i sm ?++?-≈≈≈=

≈++=≈≈

-≈=-≈-+=f f f

A C R C R R f C R g C C C R f R g R g R R R A u u ∥

5.15 Hz 904π21

796.0)π(21

88)1(20'

G H L D L GD '

L m GS 'GS 'L

m m ≈=

≈+≈

=++=-=-=C R f C R R f C R g C C R g A u

图略。

5.16 kHz 3.6410

21.11

50 )2()10

j 1)(50j 1)(4j 1(50 )1(H 5H L 2

1≈≈≈+++-=

=f f f f f f f A A A u u u ，

（3）折线画法，低频段有两个拐点，f ＜4Hz 时幅频特性的斜率为40dB/十倍频，4Hz

＜f ＜50Hz 时幅频特性的斜率为20dB/十倍频；高频段有一个拐点，f ＞105Hz 时幅频特性的斜率为－40dB/十倍频。图略。 5.17 （1）C e

（2）’

π1432’

1π’

π212C R R R R R C C A A s u u ，∥＞∥∥。＞，所以＞因为所在回路的τ大于'

π1C 所在回路的τ，第二级的上限频率低。

5.18 dB 60lg 20=u

A 。在折线化幅频特性中，频率小于10Hz 时斜率为＋40dB/十倍频，频率大于105Hz 时斜率为－40dB/十倍频。在折线化相频特性中，f ＝10Hz 时相移为＋90o ，f ＝105Hz 时相移为－90o 。一、（1）× （2）√ （3）× （4）√ 二、（1）

B （2）

C （3）A （4）D

三、（a ）电流串联负反馈。L

1321f 3213

1 R R R R R R A R R R R R F u ?++≈++=

（b ）电压并联负反馈。12f R R A u -≈ （c ）电压串联负反馈。1f

≈u A （d ）正反馈。

四、（1）应引入电压串联负反馈。

（2）。

，故因 190k 201f 1

Ω==+≈R R R A u

五、因为f ＝105Hz 时，；，?-==180dB 40lg 20'A ?A 为使此时0lg 20＜F A ，则需 210dB 40lg 20-＜，即＜－F F

6.1 （1）B B （2）D （3）C （4）C （5）A B B A B

6.2 （1）A （2）B （3）C （4）D （5）B （6）A 6.3 （1）× （2）× （3）√ （4）×

6.4 （a ）直流负反馈（b ）交、直流正反馈（c ）直流负反馈（d ）、（e ）、（f ）、（g ）、（h ）均引入交、直流负反馈 6.5 （a ）交、直流负反馈（b ）交、直流负反馈（c ）R S 引入交、直流负反馈，C 2引入交流正反馈。（d ）、（e ）、（f ）均引入交、直流负反馈。

（g ）R 3和R 7引入直流负反馈，R 4引入交、直流负反馈。

6.6 （d ）电流并联负反馈 1o f ==I I F （e ）电压串联负反馈 2

f R R R U U F +==

（f ）电压串联负反馈 1o f ==U U F （g ）电压串联负反馈 211

o f R R R U U F +==

（h ）电压串联负反馈 3

f R R R U U F +==

6.7 （a ）电压并联负反馈 R U I F 1o f -== （b ）电压并联负反馈 4o f 1R U I F -== （e ）电流并联负反馈 2

f R R R I I F +==

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子技术基础习题册.docx

专业姓名学号成绩 1-1 、写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。 1-2 、在单相桥式整流电路中，已知输出电压平均值U O（AV）＝15V，负载电流平均值 I L（AV）＝100mA。（1）变压器副边电压有效值U2≈ （2）设电网电压波动范围为±10％。在选择二极管的参数时，其最大整流平均电流 I F和最高反向电压 U R的下限值约为多少 1-3 、电路如图所示，变压器副边电压有效值为 2U2。（1）画出u2、u D 1和u O的波形；（2）求出输出电压平均值U O（AV）和输出电流平均值I L（（3）二极管的平均电流I D（AV）和所承受的最大反向电压AV）的表达式；U Rmax 的表达式。

1-4 、电路如图所示，变压器副边电压有效值U21＝50V，U22＝20V。试问：（1）输出电压平均值U O1（AV）和U O2（AV）各为多少（2）各二极管承受的最大反向电压为多少 1-5 、试在如图所示电路中，标出各电容两端电压的极性和数值，并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。 1-6 、已知稳压管的稳压值U＝6V，稳定电流的最小值I Zmin ＝ 5mA。求图所示电路中U和 U Z O1O2各为多少伏。

专业姓名学号成绩 I Zmin＝5mA，最大稳定电流1-7 、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流 I Zmax＝25mA。（1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值；（2）若U I＝ 35V 时负载开路，则会出现什么现象为什么 1-8 、电路如图所示。（1）分别标出u O1和u O2对地的极性；（2）u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流（3）当U21＝U22＝ 20V 时，U O1（AV）和U O2（AV）各为多少（4 ）当U2 1＝ 18V ，U2 2＝ 22V 时，画出u O1、u O2的波形；并求出U O1（AV）和U O2（AV）各为多少

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

电力电子技术课后题答案

0-1.什么是电力电子技术? 电力电子技术是应用于电力技术领域中的电子技术；它是以利用大功率电子器件对能量进行变换和控制为主要内容的技术。国际电气和电子工程师协会（IEEE）的电力电子学会对电力电子技术的定义为：“有效地使用电力半导体器件、应用电路和设计理论以及分析开发工具，实现对电能的高效能变换和控制的一门技术，它包括电压、电流、频率和波形等方面的变换。” 0-2.电力电子技术的基础与核心分别是什么? 电力电子器件是基础。电能变换技术是核心. 0-3.请列举电力电子技术的 3 个主要应用领域。电源装置;电源电网净化设备;电机调速系统;电能传输和电力控制;清洁能源开发和新蓄能系统;照明及其它。 0-4.电能变换电路有哪几种形式?其常用基本控制方式有哪三种类型? AD-DC整流电;DC-AC逆变电路;AC-AC交流变换电路;DC-DC直流变换电路。常用基本控制方式主要有三类：相控方式、频控方式、斩控方式。 0-5.从发展过程看，电力电子器件可分为哪几个阶段? 简述各阶段的主要标志。可分为：集成电晶闸管及其应用；自关断器件及其应用；功率集成电路和智能功率器件及其应用三个发展阶段。集成电晶闸管及其应用：大功率整流器。自关断器件及其应用：各类节能的全控型器件问世。功率集成电路和智能功率器件及其应用：功率集成电路（PIC），智能功率模块（IPM）器件发展。 0-6.传统电力电子技术与现代电力电子技术各自特征是什么? 传统电力电子技术的特征：电力电子器件以半控型晶闸管为主，变流电路一般为相控型，控制技术多采用模拟控制方式。现代电力电子技术特征：电力电子器件以全控型器件为主，变流电路采用脉宽调制型，控制技术采用PWM数字控制技术。 0-7.电力电子技术的发展方向是什么? 新器件：器件性能优化，新型半导体材料。高频化与高效率。集成化与模块化。数字化。绿色化。 1-1.按可控性分类，电力电子器件分哪几类? 按可控性分类，电力电子器件分为不可控器件、半控器件和全控器件。 1-2.电力二极管有哪些类型?各类型电力二极管的反向恢复时间大约为多少? 电力二极管类型以及反向恢复时间如下： 1）普通二极管，反向恢复时间在5us以上。 2）快恢复二极管，反向恢复时间在5us以下。快恢复极管从性能上可分为快速恢复和超快速恢复二极管。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者在100ns 以下，甚至达到20~30ns，多用于高频整流和逆变电路中。 3）肖特基二极管，反向恢复时间为10～40ns。 1-3.在哪些情况下，晶闸管可以从断态转变为通态? 维持晶闸管导通的条件是什么? 1、正向的阳极电压； 2、正向的门极电流。两者缺一不可。阳极电流大于维持电流。

模拟电子技术基础试题汇总

模拟电子技术基础试题汇总一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小

模拟电子技术基础考试试题复习资料

第1页共5页一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的视为开路，视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、和耦合等。 7、晶体管是利用极电流来控制极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究。 9、理想运放的两个输入端虚断是指。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为。 12、通用集成运放电路由、、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是相输入端，否则该输入端是相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的，越大越好，越小越好。二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。（2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14

光电子技术安毓英习题答案(完整版)

第一章 2. 如图所示，设小面源的面积为?A s ，辐射亮度为L e ，面源法线与l 0 的夹角为θs ；被照面的面积为?A c ，到面源?A s 的距离为l 0。若θc 为辐射在被照面?A c 的入射角，试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。解：亮度定义: r r e e A dI L θ?cos = 强度定义:Ω Φ =d d I e e 可得辐射通量：Ω?=Φd A L d s s e e θcos 在给定方向上立体角为： 2 cos l A d c c θ?= Ω 则在小面源在?A c 上辐射照度为：2 cos cos l A L dA d E c s s e e e θθ?=Φ= 3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源（如红外装置面对的天空背景），其各处的辐亮度L e 均相同，试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。答：由θcos dA d d L e ΩΦ = 得θcos dA d L d e Ω=Φ，且() 2 2cos r l A d d +=Ωθ 则辐照度：()e e e L d r l rdr l L E πθπ =+=? ?∞ 20 0222 2 7.黑体辐射曲线下的面积等于等于在相应温度下黑体的辐射出射度M 。试有普朗克的辐射公式导出M 与温度T 的四次方成正比，即 M=常数4T ?。这一关系式称斯特藩-波耳兹曼定律，其中常数为 5.6710-8W/m 2K 4 解答：教材P9，对公式2 1 5 1 ()1 e C T C M T e λλλ=-进行积分即可证明。第二章 3．对于3m 晶体LiNbO3，试求外场分别加在x,y 和z 轴方向的感应主折射率及相应的相位延迟（这里只求外场加在x 方向上）解：铌酸锂晶体是负单轴晶体，即n x =n y =n 0、n z ＝n e 。它所属的三方晶系3m 点群电光系数有四个，即γ22、γ13、γ33、γ51。电光系数矩阵为： L e ?A s ?A c l 0 θs θc 第1.2题图

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

电工电子技术课后答案

《电工电子技术》（第二版）节后学习检测解答第1章节后检验题解析第8页检验题解答： 1、电路通常由电源、负载和中间环节组成。电力系统的电路功能是实现电能的传输、分配和转换；电子技术的电路功能是实现电信号的产生、处理与传递。 2、实体电路元器件的电特性多元而复杂，电路元件是理想的，电特性单一、确切。由理想元件构成的、与实体电路相对应的电路称为电路模型。 3、电路中虽然已经定义了电量的实际方向，但对某些复杂些的直流电路和交流电路来说，某时刻电路中电量的真实方向并不能直接判断出，因此在求解电路列写方程式时，各电量前面的正、负号无法确定。只有引入了参考方向，方程式中各电量前面的的正、负取值才有意义。列写方程式时，参考方向下某电量前面取正号，即假定该电量的实际方向与参考方向一致，若参考方向下某电量前面取负号，则假定该电量的实际方向与参考方向相反；求解结果某电量为正值，说明该电量的实际方向与参考方向相同，求解结果某电量得负值，说明其实际方向与参考方向相反。电量的实际方向是按照传统规定的客观存在，参考方向则是为了求解电路方程而任意假设的。 4、原题修改为：在图1-5中，五个二端元件分别代表电源或负载。其中的三个元件上电流和电压的参考方向已标出，在参考方向下通过测量得到：I 1＝－2A ，I 2＝6A ，I 3＝4A ，U 1＝80V ，U 2＝－120V ，U 3＝30V 。试判断哪些元件是电源？哪些是负载？解析：I 1与U 1为非关联参考方向，因此P 1=－I 1×U 1=－（－2）×80=160W ，元件1获得正功率，说明元件1是负载；I 2与U 2为关联参考方向，因此P 2=I 2×U 2=6×（－120）=－720W ，元件2获得负功率，说明元件2是电源；I 3与U 3为关联参考方向，因此P 3= I 3×U 3=4×30=120W ，元件3获得正功率，说明元件3是负载。根据并联电路端电压相同可知，元件1和4及3和5的端电压之代数和应等于元件2两端电压，因此可得：U 4=40V ，左高右低；U 5=90V ，左低右高。则元件4上电压电流非关联，P 4=－40×（－2）=80W ，元件4是负载；元件5上电压电流关联，P 5=90×4=360W ，元件5是负载。验证：P ＋= P 1+P 3+ P 4+ P 5= 160+120+80+360=720W P －= P 2 =720W 电路中电源发出的功率等于负载上吸收的总功率，符合功率平衡。第16页检验题解答：图1-5检验题4电路图 U 3

模拟电子技术基础第三版课后习题答案

一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-=== =-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t t

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时，视为短路，视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究。 9、理想运放的两个输入端虚短是指。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是。

模拟电子技术基本练习题(解)

电子技术基础（模拟部分）综合练习题 2010-12-12 一．填空题：（将正确答案填入空白中） 1．N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。P型半导体是在本征半导体中掺入5价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。 2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。 3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。 4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。 5．某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA，其基极电流为0.04mA，该管的β值为49。 6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为0.05mA，该管的α值为0.99。 7．某三极管工作在放大区时，当I B从20μA增大到40μA，I C从1mA变成2mA。则该管的β约为 50。 8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于电压控制器件。其输入电阻很高。 9.晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。 10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。 11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。 12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路, 中间放大器, 输入级和输出级四部分组成。 13．在一个三级放大电路中，已知A v1=20；A v2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中A1是共基极组态；A2是共射极组态；A3是共集电极组态。14．正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器；反馈网络；稳幅电路和选频网络。 15．为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻，在放大电路中应引入电流串联负反馈。 16．PNP三极管基区中的多数载流子是电子。少数载流子是空穴。17．对于放大电路，所谓开环是指放大电路没有反馈支路。18．为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻，应引入电压串联负反馈。19．单相桥式整流电路中，设变压器的副边电压为V2，则输出直流电压的平均值为0.9V2。 20K CMR是指差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值。

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的：本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材：杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社主要参考书目：康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社，张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社，谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，

陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社，孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社，谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社，绪论本章的教学目标和要求：要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点：放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。本章教学方式：课堂讲授本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法；介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

电子技术课后习题详解

习题解答【1-1】填空： 1．本征半导体是，其载流子是和。两种载流子的浓度。 2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。 3．漂移电流是在作用下形成的。 4．二极管的最主要特征是，与此有关的两个主要参数是和。 5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。它工作在。描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。 6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。 8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。 9．场效应管属于控制型器件，而双极型晶体管是控制型器件。 10．当温度升高时，双极性晶体管的β将，反向饱和电流I CEO将，正向结压降U BE将。 11．用万用表判断电路中处于放大状态的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。 12．晶体管工作有三个区域，在放大区时，应保证和；在饱和区，应保证和；在截止区，，应保证和。 13．当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。解： 1.完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。 2.杂质浓度，温度。 3.少数载流子，(内)电场力。 4.单向导电性，正向导通压降U F和反向饱和电流I S。 5.反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z），工作电流（I Emin），最大管耗（P Zmax）和动态电阻（r Z） 6.增大; 7.NPN，PNP，自由电子，空穴(多子，少子)。 8.结型，绝缘栅型，多数，单极型。 9.电压，电流。 10.变大，变大，变小。 11.各管脚对地电压; 12.发射结正偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏，集电结反偏。 13.左移，上移，增大.。

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1 所示，已知u i ＝5sin ωt (V) ，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1 所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1 和u I2 的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u 的波形，并标出幅值。 O 图P1.2 解：u 的波形如解图P1.2 所示。 O

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA，最大功耗P ZM＝150mW。试求图P1.3 所示电路中电阻R的取值范围。图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM＝P ZM/ U Z＝25mA 电阻R的电流为I ZM～I Zmin，所以其取值范围为 R U U I ～ Z 0 .36 1.8k I Z 1.4 已知图P1.4 所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax＝25mA。（1）别计算U I 为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O 的值；（2）若U I ＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4 解：（1）当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 U R L O U R R L I 3. 33V 当U I＝15V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 R U U 5V

学习《电子技术基础》的一些心得体会

学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的专业基础课程电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层，最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习，你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好，可以肯定，其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础，就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂，你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图？如果你对数字电路一窍不通，你怎么去学习计算机硬件和软件知识？你怎么能成为出色的电气工程师？二.培养对电子技术的兴趣，使你学好电子技术有充足的学习动力大家都知道，如果你想要学习某个方面的知识和技能，就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。例如歌手，除了其本身有好的嗓子外，他（她）们肯定对唱歌有浓厚的兴趣，他（她）们才能如此刻苦去学习，才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手，如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。同样，学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣，不是老师要我学，而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习，才能学好电子技术基础。本人能从事电子技术工作数十年，其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术，对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业，而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂，当时正是文化革命时期，到了工厂就接受工人阶级再教育，六、七年的时间，和其它工人师傅一样，一直在车间生产第一线。三班倒，干的是高温作业，又热又累的工作。尽管干的别的工种的活，但我热爱电子技术。到工厂之后，对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代，本人又从研究所调回学校，从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。三.电子技术基础是比较难学的课程。无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。

模拟电子技术基础习题(全集) (1)

模拟电子技术基础习题第一章半导体二极管及其应用电路第二章半导体三极管及其放大电路第三章场效应晶体管及其放大电路第四章集成运算放大器第六章运放应用电路第七章功率放大电路第八章波形发生和变换电路第九章直流稳压电源第五章负反馈放大电路第十章晶闸管及其应用第十一章～第二十一章应用篇

第一章半导体二极管及其应用电路一、填空： 1．半导体是导电能力介于_______ 和_______之间的物质。 2．利用半导体的_______ 特性，制成杂质半导体；利用半导体的_______ 特性,制成光敏电阻，利用半导体的_______ 特性,制成热敏电阻。3．PN 结加正向电压时_______ ，加反向电压时_______，这种特性称为PN 结的_______ 特性。 4．PN 结正向偏置时P 区的电位_______N 区的电位。导体绝缘体掺杂光敏热敏单向导电截止高于导通

5．二极管正向导通的最小电压称为______ 电压，使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为_______ 电压.6．二极管最主要的特性是，使用时应考虑的两个主要参数是和_。 7．在常温下，硅二极管的死区电压约_______V ，导通后在较大电流下的正向压降约_______V 。死区单向导电击穿最大整流电流最大反向工作电压0.50.7

8．在常温下，锗二极管的死区电压约为_______V ，导通后在较大电流的正向压降约为_______V 。 9．半导体二极管加反向偏置电压时，反向峰值电流越小，说明二极管的_______性能越好。 10．稳压管工作在伏安特性的________ 区，在该区内的反向电流有较大变化，但它两端的电压_ ______。 0.1V 0.3单向导电反向击穿基本不变

模拟电子技术基础知识讲解

常用半导体器件一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×）（5）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（√）二、选择正确答案填入空内。（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管（5）在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价（6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小（7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图T1.4