Leadframe Product Wirebond design rule-E
半导体全制程介绍
《晶圆处理制程介绍》 基本晶圆处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之后，送到热炉管 （Furnace）内，在含氧的环境中，以加热氧化（Oxidation）的方式在晶圆的表面 形成一层厚约数百个的二氧化硅层，紧接着厚约1000到2000的氮化硅层 将以化学气相沈积Chemical Vapor Deposition；CVP）的方式沈积（Deposition）在刚刚长成的二氧化硅上，然后整个晶圆将进行微影（Lithography）的制程，先在 晶圆上上一层光阻（Photoresist），再将光罩上的图案移转到光阻上面。接着利用蚀刻（Etching）技术，将部份未被光阻保护的氮化硅层加以除去，留下的就是所需要的线路图部份。接着以磷为离子源（Ion Source），对整片晶圆进行磷原子的植入（Ion Implantation），然后再把光阻剂去除（Photoresist Scrip）。制程进行至此，我们已将构成集成电路所需的晶体管及部份的字符线（Word Lines），依光罩所提供的设计图案，依次的在晶圆上建立完成，接着进行金属化制程（Metallization），制作金属导线，以便将各个晶体管与组件加以连接，而在每一道步骤加工完后都必须进行一些电性、或是物理特性量测，以检验加工结果是否在规格内（Inspection and Measurement）；如此重复步骤制作第一层、第二层．．．的电路部份，以在硅晶圆上制造晶体管等其它电子组件；最后所加工完成的产品会被送到电性测试区作电性量测。 根据上述制程之需要，FAB厂内通常可分为四大区： 1）黄光本区的作用在于利用照相显微缩小的技术，定义出每一层次所需要的电路图，因为采用感光剂易曝光，得在黄色灯光照明区域内工作，所以叫做「黄光区」。 2）蚀刻经过黄光定义出我们所需要的电路图，把不要的部份去除掉，此去除的步骤就> 称之为蚀刻，因为它好像雕刻，一刀一刀的削去不必要不必要的木屑，完成作品，期间又利用酸液来腐蚀的，所 以叫做「蚀刻区」。 3）扩散本区的制造过程都在高温中进行，又称为「高温区」，利用高温给予物质能量而产生运动，因为本区的机台大都为一根根的炉管，所以也有人称为「炉管区」，每一根炉管都有不同的作用。 4）真空
制程能力分析释
e 1999年对公司来说，可定义为OEM品质年，此话怎讲?因为从去年HP的PIGLET开始生产后，陆陆续续接到OEM客户的订单，诸如NEC、PANASONIC、广宇、以及最近的通用、INTEL 等等；我们可以从过去的经验与事实，去观察与分析OEM客户非常重视产品的品质管制，认为供货商是产品生产系统的源头或重要的一部份，足以影响产品是否能及时推上市，获得好评的重要关键之一。 因此对于品质管制手法的使用，一直是OEM客户注意的焦点。尤其是制程能力分析(Analysis for Process Capability) 的应用，大家都视为是一新开发产品导入量产阶段的指针， 所以本文的主题将针对制程能力分析来进行研讨。 接下来将透过下列几个问题，来切入正题: 一、制程能力是个什么东西？ 二、制程能力分析在什么时候实施是正确的？ 三、执行制程能力分析前有那些步骤？ 四、制程能力分析的数据要如何评价？ 五、制程能力分析的数据要如何应用？ 六、究竟要量测多少个样品才能计算Cpk？ 七、Cpk 是否能监测连续生产之制程？ 一、制程能力是个什么东西? 所谓『制程能力』就是一个制程在固定的生产因素(条件)
及稳定管制下所展现的品质能力。 那些是「固定的生产因素(条件)」；如设计的品质、模治具、机器设备、作业方法与作业者的训练、作业照明与环境、检验设备、检验方法与检验者的训练….等等皆属之。 什么是「稳定管制」；就是以上因素加以标准化设定后，并彻底实施后，且该制程之测定值，都是在稳定的管制状态之下，此时的品质能力才可说是该制程的制程能力。 制程能力如何表示： 1.制程准确度Ca (Capability of accuracy) 2.制程精确度Cp (Capability of precision ) 3.综合评价(不良率p ) 4.制程能力指数Cpk 以上最常用的是Cpk、Cp、Ca，而p比较少有人使用。 1.制程准确度Ca (Capability of accuracy) 与
我国引线框架产业现状及前景分析
我国引线框架产业现状及前景分析 引线框架、金丝均属于半导体/微电子封装专用材料，在半导体封装过程起着重要的作用。微电子或半导体封装，直观上就是将生产出来的芯片封装起来，为芯片的正常工作提供能量、控制信号，并提供散热及保护功能。 引线框架是一种用来作为集成电路芯片载体，并借助于键合丝使芯片内部电路引出端（键合点）通过内引线实现与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件。在半导体中，引线框架主要起稳固芯片、传导信号、传输热量的作用，需要在强度、弯曲、导电性、导热性、耐热性、热匹配、耐腐蚀、步进性、共面形、应力释放等方面达到较高的标准。 （1）我国引线框架功能与分类 引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑的载体，并作为导电介质内外连接芯片电路而形成电信号通路，以及与封装外壳一同向外散发芯片工作时产生热量的散热通路。 内容选自产业信息网发布的《2015-2020年中国引线框架行业市场发展动态及投资策略建议报告》 引线框架在半导体封装中的应用及位置 资料来源：中国产业信息网数据中心整理
引线框架根据应用于不同的半导体，可以分为应用于集成电路的引线框架和应用于分立器件的引线框架两大类。这两大类半导体所采用的后继封装方式各不相同，种类繁多。不同的封装方式就需要不同的引线框架，因此，通常以半导体的封装方式来对引线框架进行命名。集成电路运用广泛且发展迅速，目前有DIP、SOP、QFP、BGA、CSP 等多种封装方式；分立器件主要是各种晶体管，封装上大都采用TO、SOT 这两种封装方式。 引线框架分类列表 资料来源：中国产业信息网数据中心整理 （2）我国引线框架行业相关政策 2012 年2 月，国家工业和信息化部颁布的《集成电路产业“十二五”发展规划》中提出，要加强12 英寸硅片、SOI、引线框架、光刻胶等关键材料的研发与产业化，支持国产集成电路关键设备和仪器、原材料在生产线上规模应用。 引线框架行业相关标准
CPK制程能力分析讲解
C P K为什么要定1，1.33，1.67，这几个值？ CPK：ComplexProcessCapabilityindex的缩写，是现代企业用于表示的指标。现今下产品的质量要求越来越高，产品的质量也不是仅仅能保证在公差范围内就能满足要求，因此对产品的质量关注从原来的被动检查产品尺寸转换到对产品加工过程的控制，那么如何来评价某个过程对产品加工质量的控制能力，利用统计学的原理按照一定的时间规律、对加工生产出的产品进行数据统计，通过计算其产品数据的离散度、标准差等数据来表达这个过程中产品的质量波动情况，CPK就在这种情况应运而生。 CPK用数值来表示，该值反映的是制造加工过程控制能力的大小，数值越大表示该过程的控制能力越好，产品的一致性越好，产品的尺寸变化波动越小越靠近中间值；而数值越大表示该过程的控制能力越差，产品的一致性越差，产品的尺寸变化波动越大离散度越大，甚至容易超出两边极限公差。 CPK的计算数据由至少125组数据组成，抽取的数据也有一定的要求（每5件为一组连续数据，每组之间按一定的时间间隔进行），抽取数据时制程必须是无任何异常状态下进行，所以CPK值反应的是某个制程在正常工作状态下的过程控制能力。 下面分别用4态图、柱状图辅助理解这样更直观一些（两侧的竖直线表示产品的尺寸极限，中间的竖直线表示产品的中间值）： 上图的CPK值为0.656，接近0.67，从柱状表示可以看出，虽然产品的尺寸都在极限范围以内，但大部分的产品数据分列在靠近极限值的两端，产品的离散度大；如果某过程的CPK计算数值在0.67左右，意味作该过程的控制能力并不稳定，具有超出产品极限的风险，如果数值小于0.67，加工过程中可能已经有超差极限值得产品存在。 上图的CPK值为1.078，与CPK值为0.656的图形对比可以看出，产品的尺寸的波动范围比前一副图约小一点，更趋近中间值。因此当CPK值增大时，该图反应出的过程控制能力就比CPK值为0.656的过程控制能力要好，那么产品超差两端极限的情况也就更小。 下面分别为CPK值为1.33和1.67左右的图形 从上列4张图片的对比不难看出，当CPK值越大时，过程控制能力越强，加工出的产品越靠近中间值且波动范围越小，产品互换性好质量越高。
引线框架铜合金
引线框架铜合金材料 1）介绍引线框架： 作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。 2）优势所在： 科学技术现代化对铜及铜合金材料提出越来越多的新要求，引线框架的作用是导电、散热、联接外部电路，因此要求制作引线框架材料具有高强度、高导电、良好的冲压和蚀刻性能。目前全世界百分之八十的引线框架使用铜合金高精带材制作，据不完全统计，引线框架合金约77种，最为显著的是C194铜合金材料：抗拉强度≥410 MPa,硬度120～145HV,电导率≥×10-2S/m。 3）C194热轧工艺： 本试验所用C194铜合金取自国内某铜厂热轧后的板坯，用水冷铁模浇铸合金扁锭，铸锭尺寸为40 mmxl00 mmx600mm。加热温度、保温时间和终轧温度是热轧工艺的几个关键因素。 1、开轧温度，是轧机开始对金属轧制的温度。开轧温度在金属的塑性变化温度以上，这多半是使金属坯按照要求轧制成某种形状，每种金属均有自己的开轧温度。生产现场总是希望开轧温度高一点，以便提高轧件的塑性，降低变形抗力，节省动力，易于轧制变形。 2、终轧温度，是金属产生塑性变形结束时的温度。这个温度有两个要求：（1）要满足金属仍在塑性变化的温度区域，以便顺利完成轧制；（2）要满足某种金相组织。这是因为，不同的温度，金属有不同的金相组织。如果超过终轧温度，就会出现其他组织的金相组织，这就影响了轧制质量。终轧温度是控制金属合金组织性能的重要条件,需考虑到晶粒大小、第二相的析出。 保温时间主要考虑到合金对温度的敏感性。C194合金对温度不敏感,加热时间的影响较小,实验中控制在2 h。重点研究开轧温度和终轧温度的确定及其对组织性能的影响。 ）开轧温度
半导体各工艺简介5
Bubbler Wet Thermal Oxidation Techniques
Film Deposition Deposition is the process of depositing films onto a substrate. There are three categories of these films: * POLY * CONDUCTORS * INSULATORS (DIELECTRICS) Poly refers to polycrystalline silicon which is used as a gate material, resistor material, and for capacitor plates. Conductors are usually made of Aluminum although sometimes other metals such as gold are used. Silicides also fall under this category. Insulators refers to materials such as silicon dioxide, silicon nitride, and P-glass (Phosphorous-doped silicon dioxide) which serve as insulation between conducting layers, for diffusion and implantation masks,and for passivation to protect devices from the environment.
我国引线框架的生产情况
我国引线框架的生产情况 我国内引线框架生产企业主要集中在长三角、珠三角，随着国外大封装测试厂家在中国境内投资办厂，国内引线框架的需求也将有迅速增长。国内引线框架主要企业介绍如下：（1）先进半导体物料科技有限公司（ASM Assembly Materials Limited） ASM 于 1968 年成立，公司总部位于荷兰的比尔托芬，是一家跨国公司，拥有雄厚的技术基础，ASM 公司主要生产半导体用设备和材料，是全球 15 家顶级半导体设备制造商之一。在美国、日本、香港、中国、新加坡、马来西亚都设有分公司。在深圳设有分公司，生产引线框架。 （2）深圳赛格高技术投资股份有限公司（SHIC） 公司与德国、荷兰柏狮（POSSEHL）电子集团合资兴办深圳赛格柏狮电子有限公司（PSE），注册资本 1104.36 万美元，主营半导体集成电路引线框架、半导体精密模具制造等业务,产品畅销海内外。 （3）铜陵丰山三佳微电子有限公司 公司是由韩国丰山微电子株式会社与三佳电子集团有限责任公司共同投资2000 万美元建立的一家高科技企业，韩国丰山公司以技术、设备和资金入股，占51%的股份，三佳集团以厂房、设备和资金入股，占 49%的股份。公司引进国际先进的技术和生产装备，生产 IC、TR 类引线框架和硬质合金级进冲模具，已建成年产 40 亿只引线框架的规模。 （4）三井高科技（上海）有限公司三井高科技（上海）有限公司、三井高科技（天津）有限公司、三井高科技电子（东莞）有限公司都是日本三井高科技股份公司在中国大陆独资开设的三家分立器件及集成电路引线框架、高精度马达转子定子叠片的专业生产厂家。是专业生产集成电路引线框架，高精度金属模的企业，也是目前国内唯一具有 240 只脚 IC 引线框架生产能力的生产厂家，包括照相蚀刻 IC 引线框架、密冲压 IC 引线框架。三井高科技（上海）有限公司成立于 1996 年 3 月，1998 年 6 月开始批量生产。投资总额 2500 万美元，注册资本 1500 万美元，占地面积 33000 平方米。主要品种：SIP、CDIP、PDIP、HDIP、QFP、TQFP、QFJ、SOJ、LCC、VSOP、SOP、TSOP、SSOP 等。 （5）中山复盛机电有限公司 公司成立于 1995 年，是台湾复盛股份有限公司（台湾上市公司）下属独资企业。公司包含两大事业部：机械事业部（空气压缩机类产品）；电子事业部（精密模具、引线框架、电子连接器类产品）。目前，客户广泛分布于美国、日本、台湾、香港以及中国大陆等国家与地区。 （6）宁波康强电子股份有限公司 宁波康强电子股份有限公司是由宁波普利赛思电子有限公司、宁波电子信息集团有限公司、宁波经济技术开发区康盛贸易有限公司、江阴市新潮科技有限公司以及外商英属维尔京群岛杰强投资国际有限公司、台商刘俊良先生合资创办的高新技术企业。公司成立于 1992 年6 月，经过十年的发展，目前已成为国内最大的塑封引线框架生产基地，年产量达 120 亿只，产品包括 TO-92、TO-126、TO-220、 TO-3P 系列和大中小功率三极管引线框架、SOT 系列的表面贴装引线框架及 IC 系列的集成电路引线框架 100 余种规格。上述产品均以世界一流的技术研究开发并组织生产，产品质量受到 ISO9001 国际标准质量保证体系的控制。 （7）厦门永红电子有限公司 厦门永红电子有限公司是电子部重点扶持的最早从事高精度半导体和集成电路塑封引线框架开发、生产及精密模具制造的专业厂家。公司于 1983 年由天水永红器材厂与厦门华夏集团联营创建，2001 年 7 月引入社会资金后再经股权优化而成。主营产品或服务：分立器件系列、DIP 系列、SOP 系列、SSOP 系列、QFP 系列、SOT 系列等总计 150 个品种。 （8）无锡华晶利达电子有限公司
半导体制程气体介绍
一、半導體製程氣體介紹: A.Bulk gas: ---GN2 General Nitrogen : 只經過Filter -80℃ ---PN2 Purifier Nitrogen ---PH2 Purifier Hydrgen (以紅色標示) ---PO2 Purifier Oxygen ---He Helium ---Ar Argon ※“P”表示與製程有關 ※台灣三大氣體供應商: 三福化工(與美國Air Products) 亞東氣體(與法國Liquid合作) 聯華氣體(BOC) 中普Praxair B.Process gas : Corrosive gas (腐蝕性氣體) Inert gas (鈍化性氣體) Flammable gas (燃燒性氣體) Toxic gas (毒性氣體) C.General gas : CDA : Compressor DryAir (與製程無關，只有Partical問題)。 ICA : Instrument Compressor Air (儀表用壓縮空氣)。 BCA: Breathinc Compressor Air (呼吸系統用壓縮空氣)。 二、氣體之物理特性: A.氣體分類: 1.不活性氣體: N2、Ar、He、SF6、CO2、CF4 , ….. (惰性氣體) 2.助燃性氣體: O2、Cl2、NF3、N2O ,….. 3.可燃性氣體: H2、PH3、B2H6、SiH2Cl2、NH3、CH4 ,….. 4.自燃性氣體: SiH4、SC2H6 ,….. 5.毒性氣體: PH3、Cl2、AsH3、B2H6、HCl、SiH4、Si2H6、NH3 ,…..
制程能力分析 Cpk Cp Ca
CPK (Process Capability Index )的定义：制程能力指数； CPK的意义：制程水平的量化反映;（用一个数值来表达制程的水平）制程能力指数：是一种表示制程水平高低的方便方法，其实质作用是反映制程合格率的高低。 与CPK相关的几个重要概念： USL (Upper Specification Limit): 即规格上限; LSL (Lower Specification Limit): 即规格下限; C (Center Line）：规格中心; =(X1+X2+……+Xn)/n 平均值；(n为样本数) T=USL-LSL：即规格公差； δ（sigma）为数据的标准差。标准差是一组数据平均值分散程度的一种度量。一个较大的标准差，代表大部分数值和其平均值之间差异较大；一个较小的标准差，代表这些数值较接近平均值。 例如，A、B两组各有6位学生参加同一次语文测验，A组的分数为95、85、75、65、55、45，B 组的分数为73、72、71、69、68、67。这两组的平均数都是70，但A组的标准差约为17.08分，B组的标准差约为2.16分，说明A组学生之间的差距要比B组学生之间的差距大得多。 (Excel中的“STDEV”函数自动计算所取样数据的标准差(σ) ) 样本: 从总体中随机抽取的若干个个体的总和称为样本。组成样本的每个个体称为样品。 样本标准偏差S: 因为标准偏差是用数据整体计算，所以当数据量大太时，就不便以操作,而且不符合现场需要。所以一般情况下, 会用样本标准偏差S来代替σ。 S ≈σ Ca (Capability of Accuracy)：制程准确度，Ca 衡量的是“实际平均值“与“规格中心值”的一致性; 1.对于单边规格，不存在规格中心，因此也就不存在Ca;
最新引线框架
引线框架
引线框架背景材料 引线框架是半导体集成电路用的主要原材料。按知识产权分类，有open 和close 两种。Open即公开的，无知识产权保护，各半导体厂家都可以使用。close 是有知识产权的引线框架，不允许他人使用。 一市场需求 引线框架生产以冲压为主，蚀刻工艺很少。冲压的生产效率要高于蚀刻，在产量大的情况下，冲压生产成本低，主要是模具费用。机械冲制只需电费，冲下的废料足够支付电费。 蚀刻工艺主要用于： 1新产品研发，因为量比较少。 2用量少且又不想让他人使用的产品，例如汽车、电机所使用的专用集成电路。 3需要半蚀刻区的引线框架。 4引脚数多的产品。这类产品，模具费用高，用量少。通常认为 100脚以上的引线 框架，用蚀刻工艺较多。 二原材料 大部分材料为铜，中高端材料需进口。个别也有使用 inwa 材料的，例如led 用的引线框架。材料宽度一般为15cm。
三工艺流程 打定位孔→清洗→贴感光膜→曝光→显影-腐蚀-剥膜→电镀→打凹→贴带→检验 韩国AQT公司前段采用连续卷式生产，后段电镀工艺为片式。苏州住友公司采用分段式卷式工艺，包括电镀。 四上马该项目所面临的问题。 1只能走高端路线。 因为模具技术在不断提高，制作模具的成本也在不断降低，蚀刻引线框架恐怕只能走高端路线。例如，汽车、电机以及单反相机用的专用集成电路，一个品种全球也就需要不到几百万片，分散到某个公司，一年也就几十万片，所以，采用蚀刻工艺生产是可行的。 但这类产品要求高，认证时间长。
2环保问题。 电镀工艺是否可以和兄弟公司的电镀有机结合？如果单独设置电镀，恐不易操作。 2011-06-06
集成电路用引线框架材料研究
集成电路用引线框架材料研究 【摘要】随着电子技术飞跃发展，集成电路成为了电路中尤为重要的部件。因此，对集成电路的研究上升到了一定的高度。引线框架作为集成电路是重要组成部分，运到了新机遇及新挑战，研究引线框架材料成为相关专家与学者研究的重要课题。本文阐述了当今引线框架的研究进展，介绍了引线框架的基本特征及研发动态，就集成电路用引线框架材料发展前景做了展望。 【关键词】引线框架材料;集成电路;研究 0.前言 在集成电路中，就是依靠进线框架连接外部元件与芯片，其作用至关重要。主要起到支撑及固定芯片，保护内部元件，把IC组装成为一个整体；同时将芯片和外部电路连接起来传递信号，有效进行导电导热。因此，集成电路与各个组装程序必然依据框架才能成为一种整体。鉴于引线框架材料在集成电路中的重要，许多相关人士将研究集成电路用引线框架材料成为了热点话题。在这种形势下，本文对集成电路用引线框架材料研究具有实际价值。 1.集成电路用引线框架概述 随着电力技术快速发展，信息产品正朝着轻量化、高速化、薄型化、小型化以及智能化等方向发展，而作为封装材料也得到长足发展，尤其是半导体的集成电路封装更是突飞猛进。 如今，引线框架的封装密度及引线密度是越来越高，同时封装引线的脚数也快速增多，让引线的节距逐年降低，如今已近达到了0.1mm，同时超薄型成为了热门，从过去的0.25mm降至到0.05-0.08mm,而引线的框架也朝着轻、短、薄、多引线、高精细度以及小节距方向发展。 集成电路用引线框架的性能: ①具备较高强度与硬度；因为引线框架逐步小型，但是其内部容纳的电路依然是那么多，而且容纳的东西应该是越来越多，这就为其材料提出了较高强度及硬度要求。 ②良好的导热性；随着集成电路逐渐变小，功能足部增大，随着工作效率提高必然产生热量越多，必然要具备加好导热性。 ③较好的导电性；要消除电感及电容造成的影响，材料就必然要求较好导电性，才能降低框架上的阻抗，也有效散热。 除了具备如上一些功能特性之外，引线框架还要具备良好的冷热加工性能，较好的微细加工和刻蚀性能及较好的钎焊性能等。一般而言，较为理想引线框架材料的强度不能够低于600MPa，其硬度HV不能小于130，而其电导率不能小于80%。 2.研究引线框架材料进展 随着集成电路朝着小型化及高集成化以及安装方式变化等等方向上发展，为引线框架材料特性及质量要求是逐渐增强，必然要投入更多人力物力来开发与研究新材料。自从上世纪60年代集成电路研发成功以来，相关人士就在不断的开发优质集成材料，电子封装材料及各类引线框架也不断产生，针对引线框架材料较多的是高铜合金及铁镍合金开发比较成功，本文就是以这两种材料作为例子进行阐述。 2.1铁镍合金
半导体全制程介绍
半导体全制程介绍 《晶圆处理制程介绍》 基本晶圆处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗 （Cleaning）之后，送到热炉管（Furnace）内，在含氧的 环境中，以加热氧化（Oxidation）的方式在晶圆的表面形 成一层厚约数百个的二氧化硅层，紧接着厚约1000到 2000的氮化硅层将以化学气相沈积Chemical Vapor Deposition；CVP）的方式沈积（Deposition）在刚刚长成的二氧化硅上，然后整个晶圆将进行微影（Lithography）的制程，先在晶圆上上一层光阻（Photoresist），再将光罩上的图案移转到光阻上面。接着利用蚀刻（Etching）技术，将部份未被光阻保护的氮化硅层加以除去，留下的就是所需要的线路图部份。接着以磷为离子源（Ion Source），对整片晶圆进行磷原子的植入（Ion Implantation），然后再把光阻剂去除（Photoresist Scrip）。制程进行至此，我们已将构成集成电路所需的晶体管及部份的字符线（Word Lines），依光罩所提供的设计图案，依次的在晶圆上建立完成，接着进行金属化制程（Metallization），制作金属导线，以便将各个晶体管与组件加以连接，而在每一道步骤加工完后都必须进行一些电性、或是物理特性量测，以检验加工结果是否在规格内（Inspection and Measurement）；如此重复步骤制作第一层、第二层的电路部份，以在硅晶圆上制造晶体管等其它电子组件；最后所加工完成的产品会被送到电性测试区作电性量测。 根据上述制程之需要，FAB厂内通常可分为四大区： 1）黄光本区的作用在于利用照相显微缩小的技术，定义出每一层次所需要的电路图，因为采用感光剂易曝光，得在黄色灯光照明区域内工作，所以叫做「黄光区」。
半导体引线框架
产品类型有TO、DIP、ZIP、SIP、SOP、SSOP、QFP（QFJ）、SOD、SOT等 半导体引线框架：产能不足高端需进口 2006-07-06 15:54:45 来源: 中国电子报网友评论 0 条进入论坛 作者：傅祥胜 随着我国集成电路产业的迅猛发展，IC新型封装技术的升级发展，对封装材料的要求也愈来愈苛刻，带动了我国封装材料技术和市场的发展。这为我国的引线框架行业带来了发展的机遇，同时也面临着严峻的挑战。 产量仅能满足50%左右国内需求 目前，在国内从事半导体引线框架生产的企业主要有17家： 新光电气工业(无锡)有限公司、no 日立电线(苏州)精工有限公司、11 三井高科技(上海、天津、东莞)电子有限公司、 济南晶恒山田电子精密科技有限公司、 no 东莞长安品质电子制造厂、11 先进半导体物料科技有限公司、1 柏狮电子(香港)有限公司、零件 顺德工业有限公司、 中山复盛机电有限公司、机械 铜陵丰山三佳微电子有限公司11、 广州丰江微电子有限公司、 宁波康强电子股份有限公司1、 厦门永红电子有限公司、1 无锡华晶利达电子有限公司1、 宁波华龙电子股份有限公司、1 宁波东盛集成电路元件有限公司、1 浙江华科电子有限公司 其中，独资企业7家，合资企业4家，内资企业6家。以上企业主要从事半导体引线框架、精密模具和其他电子设备、电子元器件的设计、制造和销售，实属国内领先。 从被调查的17家生产厂家2005年生产产能可以看出，我国半导体企业中合资及外商独资的成分较大，其中三井高科技(上海)有限公司是日本三井在我国独资的引线框架专业生产厂家，总投资2500万美元，注册资本1500万美元，其产品科技含量高、生产工艺先进。我国台湾的中山复盛总投资3000万美元，注册资本1600万美元，系广东省高新技术企业。合资企业中丰山三佳为中韩合资企业，总投资2800万美元，注册资金2100万美元，其依据三佳的模具优势及韩国丰山微电子20多年引线框架的技术优势，在从业短短4年内一举打入市场，并迅速占领了我国中高档产品近1/3的市场份额并销售海外市场。 引线框架行业主要集中在长三角、珠三角一带，在长三角一带颇具规模的主要是铜陵丰山三佳、上海三井、日本无锡新光，珠三角一带以ASM、广东丰江、中山复胜为代表，与我国封装企业区域分布彼此呼应。 高端产品仍需进口 国内引线框架生产企业起步较早，多年来为国内IC和分立器件生产配套，具有产品研制、开发和大生产能力，一直担当引线框架生产的主力军，但国内的产量仅能满足50%左右的国内需求，大部分高端产品还需要进口，且大多数是引线少，节距大的一般产品，满足不了国内市场的需求。2001年12月，铜陵丰山三佳(集团)有限责任公司和韩国丰山微电子株式会社共同出资2100万美组建铜陵丰山三佳微电子有限公司，生产具有国际竞争力的“半导体集成电路引线框架”及“引线框架模具”，目前可生产208脚以下冲压品引线框架，计划2004年—2007年分两期共投资7500万美元，将成为中国引线框架和引线框架模具重要的生产基地。 技术向细间距产品发展
2019年Leadframe知识简介
Leadframe知识简介 框架材料（Leadframe） 框架的构成：框架是模塑封装的骨架，它主要由两部分组成：芯片焊盘（die paddle）和引脚（lead finger）。其中芯片焊盘在封装过程中为芯片提供机械支撑，而引脚则是连接芯片到封装外的电学通路，就引脚而言，每一个引脚末端都与芯片上的一个焊盘通过引线相连接，该端称为内引脚（inner finger），引脚的另一端就是所谓管脚，它提供与基板或PC板的机械和电学连接。 框架的功能是显而易见的，首先它起到了封装器件的支撑作用，同时防止模塑料在引线间突然涌出，为塑料提供支撑；其次它使芯片连接到基板，提供了芯片到线路板的电及热通道。由它的这些功能出发，我们在选择引线框架材料所要考虑如下因素：制造难易、框架性能要求，自然，成本也是非常重要的。 框架材料：框架通常都是由合金材料制成的，加工方法一般为冲压法（stamping punch）和蚀刻法（etching）。化学蚀刻法主要采用光刻及金属溶解的化学试剂从金属条带上蚀刻出图形。大体可分为以下步骤： （1）冲压定位孔 （2）双面涂光刻胶 （3）UV通过掩膜板曝光、显影、固化 （4）通过化学试剂腐蚀暴露金属（通常使用三氯化铁等试剂） （5）祛除光刻胶 蚀刻法的特点是设备成本低，但是框架成本较高，生产周期短。机械冲制法一般使用跳步工具，靠机械力作用进行冲切。这种方法所使用的模具昂贵，但框架生产成本低。对于微细间距封装所采用的框架，通常都是采用蚀刻方法加工的，因为机械冲压加工的精度是无法满足高密度封装要求的。 除了选择合适的加工方法，由于框架的几何形状和成分会强烈影响到封装模块的可加工性、质量及性能，所以也应当得到重视。选择框架材料要考虑到材料是否能满足加工、封装装配、PCB板装配及器件的性能要求。 通常的框架材料是铜合金材料和铁镍合金（也称合金42，一般情况下镍的含量为42%，铁的含量为58%）。除此之外现今各种各样的复合材料层出不穷，但是应用的范围还比较狭窄，一个是由于技术上还不够完善，再一点就是价格因
CPK(过程能力分析报告方法)
过程能力分析 过程能力也称工序能力，是指过程加工方面满足加工质量的能力，它是衡量过程加工内在一致性的，最稳态下的最小波动。当过程处于稳态时，产品的质量特性值有99.73%散布在区间[μ-3σ，μ+3σ]，(其中μ为产品特性值的总体均值，σ为产品特性值总体标准差)也即几乎全部产品特性值都落在6σ的范围内﹔因此，通常用6σ表示过程能力，它的值越小越好。 为什么要进行过程能力分析 进行过程能力分析，实质上就是通过系统地分析和研究来评定过程能力与指定需求的一致性。之所以要进行过程能力分析，有两个主要原因。首先，我们需要知道过程度量所能够提供的基线在数量上的受控性;其次，由于我们的度量计划还相当"不成熟"，因此需要对过程度量基线进行评估，来决定是否对其进行改动以反映过程能力的改进情况。根据过程能力的数量指标，我们可以相应地放宽或缩小基线的控制条件。 工序过程能力分析 工序过程能力指该工序过程在5M1E正常的状态下，能稳定地生产合格品的实际加工能力。过程能力取决于机器设备、材料、工艺、工艺装备的精度、工人的工作质量以及其他技术条件。过程能力指数用Cp 、Cpk表示。 非正态数据的过程能力分析方法 当需要进行过程能力分析的计量数据呈非正态分布时，直接按普通的计数数据过程能力分析的方法处理会有很大的风险。一般解决方案的原则有两大类:一类是设法将非正态数据转换成正态数据，然后就可按正态数据的计算方法进行分析;另一类是根据以非参数统计方法为基础，推导出一套新的计算方法进行分析。遵循这两大类原则，在实际工作中成熟的实现方法主要有三种，现在简要介绍每种方法的操作步骤。 非正态数据的过程能力分析方法1:Box-Cox变换法 非正态数据的过程能力分析方法2:Johnson变换法 非正态数据的过程能力分析方法3:非参数计算法
半导体引线框架
半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。那么，用半导体材料制成的引线框架是怎么样的呢？下面就让广德均瑞电子科技为您简单解析，希望可以帮助到您！ 引线框架作为集成电路的芯片载体，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。 产品介绍 有TO、DIP、ZIP、SIP、SOP、SSOP、TSSOP、QFP（QFJ）、SOD、SOT等。主要用模具冲压法和化学刻蚀法进行生产。引线框架使用的原材料有：KFC、C194、C7025、FeNi42、TAMAC-15、
PMC-90等。材料的选择主要根据产品需要的性能：（强度、导电性能以及导热性能）来选择。 广德均瑞电子科技有限公司注册资金500万人民币，拥有不锈钢五金蚀刻加工独立法人环评资质，厂房面积2000平方米，6条不锈钢生产线，公司销售生产管理人员均超十年不锈钢蚀刻生产加工经验。公司主要生产集成电路导线架；接地端子; 表面贴装零件(SMT)模板；精密线材布线钢板;编码器光栅；手机按键、RDIF天线、基板及金属配件；(VFD)栅网、陈列、支架；电极针（放电针）；各类金属过滤网片/喇叭网片；眼镜框架；精密元器件掩模板；LCD背光模仁、钢版；显像管荫罩；电脑硬盘骨架；金属蚀刻发热片工艺等。 广德均瑞电子科技是以补强钢片为主打产品的蚀刻厂，ISO9001认证工厂，具有独立法人和环评资质，持有排污许可证的企业。拥有6蚀刻加工生产线，免费提供FPC补强板工艺解决方案以及蚀刻行业资讯。
半导体制程基本简介说明
(基本觀念) IC製程說明介紹 半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array (圖一) 不同外形半導體元件(圖二)EPROM內部晶片 (圖三)EPROM晶片接腳放大圖(圖四)LED 燈
(圖五)LED內部晶片放大圖(圖六)LED通電時因晶片發亮而發光 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種: 一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA 一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序: 前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造 後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段 的製造程序。
引线框架-------成分一览
附件C：引线框架原材料的种类 base Metal Feature Name Chemical Composition T.S E.C H.C Remarks Ni系 High Alloy 42Fe58/Ni426830.11 Strength Kovar Fe46/Ni29/Co17763 C155CuAg99.8/P0.06/Ag0.07/Mg0.114586 3.5 C151Cu99.9/Zr0.14890 3.7Olin C1020Cu99.96/O210PPM38101 3.9 High KFC Cu99.87/Fe0.1/P0.034290 3.5Kobe Electrical EFTEC-3S Cu99.84/Sn0.15/P0.014290 3.5Furukawa Conductivity CCZ Cu99.2/Cr0.55/Zn0.255085 3.2 PMC90Cu99.87/Fe0.1/P0.034290 3.5Poongsan Tamac-2Cu99.84/Sn0.15/P0.0064585Mitsubishi Tamac-4Cu99.85/Fe0.07/Zn0.05/P0.034985Mitsubishi SLF-3Cu99.08/Cr0.8/Sn0.125080 3.1Sumitomo C19700Cu99.15/Fe0.6/P0.3/Mg0.055180 3.1Olin C194Cu97.5/Fe2.35/P0.03/Zn0.124665 2.6Olin C195Cu97/Fe1.5/P0.1/Co0.8/Sn0.663502Olin Medium C505Cu98.7/Sn1.34640 2.1 Strength KLF-1Cu96.3/Ni3.0/Si0.76255 2.2Kobe Cu系 Medium KLF-5Cu97.87/Sn2.0/Fe0.1/P0.036035 1.3Kobe Electrical MF202Cu97.8/Sn2.0/Ni0.25530 1.5Mitsubishi Conductivity Tamac-5Cu97.97/Sn1.25/Fe0.75/P0.035240 1.4Mitsubishi EFTEC-5Cu98/Fe1.0/Sn0.5/Zn0.5Furukawa EFTEC-4S Cu97.1/Fe2.4/Zn0.54865 2.6Furukawa C19750Cu98.92/Fe0.6/Sn0.23/P0.2/Mg0.055865 2.6 K-75Cu99.53/Cr0.3/Ti0.15/Si0.025878 3.2Wieland KLF-125Cu96.5/Ni1.6/Si0.35/Zn0.3/Sn1.256870 1.5Kobe PMC102Cu98.77/Ni1.0/Si0.2/P0.035369 2.6Poongsan C510Cu94.9/Sn5.0/P0.156150.71 C654Cu95.38/Si3.05/Sn1.5/Cr0.076070.38 High AI-35Cu98.95/Al0.35/Al2030.76085 3.4 Strength C7025Cu94.77/Fe0.2/Zn1.0/Ni3.2/Si0.73/Mn0.18840Olin EFTEC-64T Cu99.65/Zn0.10/Sn0.257875Furukawa PMC26Cu99.4/Ni2.0/Si0.3/Sn0.36045Poongsan C725Cu89/Ni9/Sn265110.54 KLF-125Cu96.5/Ni1.6/Sn1.25/Si0.35/Zn0.38530Kobe Fe系 Low Cost SPCC FE-C(low)455-Nissin
国内生产Leadframe厂商
國內生產Leadframe廠商 資料來源https://www.360docs.net/doc/301078109.html,/html/02/t-336302.html 2008/1 随着我国集成电路产业的迅猛发展，IC新型封装技术的升级发展，对封装材料的要求也愈来愈苛刻，带动了我国封装材料技术和市场的发展。这为我国的引线框架行业带来了发展的机遇，同时也面临着严峻的挑战。 产量仅能满足50%左右国内需求 目前，在国内从事半导体引线框架生产的企业主要有17家：新光电气工业(无锡)有限公司、日里电线(苏州)精工有限公司、三井高科技( 上海、天津、东莞)电子有限公司、济南晶恒山田电子精密科技有限公司、东莞长安品质电子制造厂、先进半导体物料科技有限公司、柏狮电子(香港)有限公司、顺德工业有限公司、中山复盛机电有限公司、铜陵丰山三佳微电子有限公司、广州丰江微电子有限公司、宁波康强电子股份有限公司、厦门永红电子有限公司、无锡华晶利达电子有限公司、宁波华龙电子股份有限公司、宁波东盛集成电路元件有限公司、浙江华科电子有限公司。其中，独资企业7家，合资企业4家，内资企业6家。以上企业主要从事半导体引线框架、精密模具和其他电子设备、电子元器件的设计、制造和销售，实属国内领先。 从被调查的17家生产厂家2005年生产产能可以看出，我国半导体企业中合资及外商独资的成分较大，其中三井高科技(上海)有限公司是日本三井在我国独资的引线框架专业生产厂家，总投资2500万美元，注册资本15 00万美元，其产品科技含量高、生产工艺先进。我国台湾的中山复盛总投资3000万美元，注册资本1600万美元，系广东省高新技术企业。合资企业中丰山三佳为中韩合资企业，总投资2800万美元，注册资金2100 万美元，其依据三佳的模具优势及韩国丰山微电子20 多年引线框架的技术优势，在从业短短4年内一举打入市场，并迅速占领了我国中高档产品近1/3的市场份额并销售海外市场。 引线框架行业主要集中在长三角、珠三角一带，在长三角一带颇具规模的主要是铜陵丰山三佳、上海三井、日本无锡新光，珠三角一带以ASM、广东丰江、中山复胜为代表，与我国封装企业区域分布彼此呼应。 高端产品仍需进口 国内引线框架生产企业起步较早，多年来为国内IC和分立器件生产配套，具有产品研制、开发和大生产能力，一直担当引线框架生产的主力军，但国内的产量仅能满足50%左右的国内需求，大部分高端产品还需要进口，且大多数是引线少，节距大的一般产品，满足不了国内市场的需求。2001年12月，铜陵丰山三佳(集团)有限责任公司和韩国丰山微电子株式会社共同出资2100万美组建铜陵丰山三佳微电子有限公司，生产具有国际竞争力的“半导体集成电路引线框架”及“引线框架模具”，目前可生产208脚以下冲