隔离度测试
如何使用Agilent N9912A测试隔离度
?如何校准？
1)校准S11项(RF OUT 口):按Mode键，选择NA模式，按Freq/Dist键，设置
测试的频率范围，按硬按键(Cal 5), 按软按键 Calibration Type ，选择 [O，S，L]。然后按软按键 Start Cal 开始进行校准。可以用任何顺序按软按键 Open， Short，和 Load。把对应上述软按键的校准件连接到将要连接 DUT 的端口上，然后用软按键Measure 对这些校准件进行测量。按软按键 Finish 结束 OSL 校准。当使用 OSL 校准对测量结果进行修正时，在仪表的屏幕上会显示CAL ON U 。此时可以验证S11校准结果的精确性，以对数幅度结果显示格式(log Magnitude),观察FieldFox显示屏上的曲线，
?如果低于‐40dB,表示校准效果很好
?如果高于‐30dB,表示需要重新校准
2)校准S21项(RF IN 口): 选择 NA 测量模式，按硬按键Cal 5，按软按键
Calibration Type [Normalize] ，按软按键 Start Cal 再按软按键 Thru，把 DUT 连接到 RF OUT 和 RF IN 之间，最后按Measure ，测量的轨迹会自动存储到仪表的内存里。按软按键 Finish 结束归一化校准过程。当使用归一化校准对测量结果进行修正时，在仪表的屏幕上会显示CAL ON U 。
3)验证校准效果：在连接RF Out口的测试电缆端口接上标准负载，在NA模
式下选择S11项，以对数幅度结果显示格式(log Magnitude),观察FieldFox显示屏上的曲线，
?如果低于‐40dB,表示校准效果很好，
?如果高于‐30dB,表示需要重新校准
(注:测试仪器要求N9912A firmware Release A.05.53，Mode 选项中”NA”模式)。
?设置测试界面: 选择 NA 测量模式，按硬按键Trace 6, 按软按键 Num of
Traces[x1], 选择 x2H。
?设置测试结果显示模式: S11设置成VSWR格式，S21设置成Log 格式
最终测试界面如下
结晶度测试方法及研究意义
高分子结晶度的分析方法研究进展 ……专业聂荣健学号：……指导老师：…… 摘要：综述聚合物结晶度的测定方法，包括：差示扫描量热法；广角X衍射法；密度法；红外光谱法；反气相色谱法等，并对不同方法测定结晶度进行分析比较 , 同时对结晶度现代分析技术的发展作出展望。 关键词：结晶度；测试方法；分析比较
引言 高分子材料是以聚合物为主体的多组分复杂体系 , 由于具有很好的弹性、塑性及一定的强度，因此有多种加工形式及稳定的使用性能。由于聚合物自身结构的千变万化 , 带来了性能上的千差万别，正是这一特点 , 使得高分子材料应用十分广泛，已成为当今相当重要的一类新型材料[1]。 结晶度是表征聚合物性质的重要参数，聚合物的一些物理性能和机械性能与其有着密切的关系。结晶度愈大，尺寸稳定性愈好，其强度、硬度、刚度愈高；同时耐热性和耐化学性也愈好，但与链运动有关的性能如弹性、断裂伸长、抗冲击强度、溶胀度等降低。因而高分子材料结晶度的准确测定和描述对认识这种材料是很关键的。所以有必要对各种测试结晶度的方法做一总结和对比[2]。 1.结晶度定义 结晶度是高聚物中晶区部分所占的质量分数或体积分数 . ( )%100*W Wc Xc = 式中 : W ———高聚物样品的总质量 ; W c ———高聚物样品结晶部分的质量 结晶度的概念虽然沿用了很久，但是由于高聚物的晶区与非晶区的界限不明确，有时会有很大出入。下表给出了用不同方法测得的结晶度数据，可以看到，不同方法得到的数据的差别超过测量的误差。因此，指出某种聚合物的结晶度时，通常必须具体说明测量方法。 表1.1用不同方法测得的结晶度比较 结晶度（%） 方法 纤维素（棉花） 未拉伸涤纶 拉伸过的涤 纶 低压聚乙烯 高压聚乙烯 密度法 60 20 20 77 55 X 射线衍射法 80 29 2 78 57 红外光谱法 -- 61 59 76 53 水解法 93 -- -- -- -- 甲酰化法 87 -- -- -- -- 氘交换法 56 -- -- -- --
天线隔离度
5G NR天线隔离度 5G NR（2.6GHz频段）与其它无线系统共址时，需预留足够的干扰隔离距离规避干扰，同时多系统共址时需要预留不同天馈系统间的安装和维护空间，因此建议： （1）5G NR（2.6GHz）系统与D频段TD-LTE系统邻频，需要时隙对齐避免交叉时隙干扰。 （2）5G NR大规模天线阵与GSM/NB-IoT（900MHz）CDMA 1X/NB-IoT（800MHz）/FDD LTE（900MHz和1.8GHz）/WCDMA/FDD LTE（2.1GHz）/TD-SCDMA（A频段）/TD-LTE（F频段）/5G NR（3.5GHz）/5G NR（4.9GHz）定向天线之间间距要求：并排同向安装时，水平隔离距离≥0.5m；垂直距离≥0.3m。 （3）5G NR大规模天线阵与DCS定向天线之间间距要求：并排同向安装时，水平隔离距离≥0.9m；垂直距离≥0.3m。 （4）如果安装空间有限，可以适当缩减隔离距离，以不影响天馈系统安装和维护为宜。同时隔离距离不应该小于下表所示数值： 表 10.1-1 5G NR（2.6GHz频段）与其它移动通信系统共站站时的隔离距离要 求 1.15G NR（ 2.6GHz频段）与其他无线电台（站）的干扰协调 根据中国人民共和国无线电频谱划分方案，在5G NR系统使用的2600MHz 频段（2500~2690MHz）附近，有低端和高端无线系统存在。 （1）低端：2483.5~2500MHz频段，分配给移动、固定、无线电定位、卫星移动（空对地）、卫星无线电测定（空对地）使用。
（2）高端：2690~2700MHz频段，分配给卫星地球探测、射电天文以及空间研究业务；2700~2900MHz频段，分配给航空无线电导航、无线电定位业务使用。 在2.6GHz频段低端，主要是5G NR与北斗一代导航系统的干扰。在2.6GHz 频段高端，主要是5G NR与航空无线电导航系统的干扰。 （1）5G NR与北斗一代导航系统的干扰协调 5G NR与北斗一代导航系统的干扰主要是5G NR基站和终端对北斗系统终端的干扰。 如果以被北斗系统终端的接受机灵敏度降低1dB为其干扰保护标准，则需要的干扰隔离距离要求如下表： 表10.0-1 5G NR（2.6GHz）与北斗一代卫星导航系统干扰隔离要求 考虑北斗系统终端的移动性，其所受到的干扰为瞬态干扰，因此从整体看，5G NR与北斗系统基本满足共存的要求。 为规避对北斗系统终端的干扰，除增强北斗系统终端的抗干扰能力外，建议综合采取以下干扰缓解工程措施： ①5G NR基站选址及建设时，保证周围一定范围内没有用户活动。 ②通过网络优化实现5G NR网络的良好覆盖，避免5G NR基站和终端以最大功率发射。 （2）5G NR与航空无线电导航系统的干扰协调 航空无线电导航业务属于重要的无线电业务，根据《中华人民共和国无线电管理条例》规定，在导航雷达周围应设置电磁环境保护区。保护区范围由各地无线电管理机构协调相关单位，结合当地地理地形等因素确定。从干扰规避的角度，干扰保护区的范围在视距范围外，且大于850米。 除设置电磁环境保护区外，为规避对5G NR与导航雷达的干扰，建议综合采取以下干扰缓解工程措施： ①提高5G NR基站在2700~2900MHz的抗阻塞指标。 ②5G NR天线最大辐射方向严禁朝向导航雷达。
线性测量方法
一、检验项目：原材料的线性成品线性 二、定义：量测待测物(以下简称为试片)测量电压值与理论电压值的误差 三、适用范围：本标准检验方法适用于公司所有须做线性测试之试片。 四、目的：本实验的目的在测试试片的导电情形是否良好。 五、检验方法： Ⅰ、方法一（适用于纳米银导电材料） 1. 样品准备：SNWFilm 2. 使用装置：激光机、万用表、稳压电源 3. 测量原理 a)在导电膜上刻上电极(宽度10mm)，给电极加5V(DC)电压，然后用电压表测量待测 位置的电压，如图1所示 b)按图2所示分好测试点，（长220mm、23个测试点）A点、B点电压在所示位置取 得，10mm为距离测一个点 c)测量参数：E A：输出电压测量起点A处的电压 E B：输出电压测量终点B处的电压 E X：输出电压测量任意点X处的电压 E XX：理论计算电压 L：线性 计算公式： E XX（理论电压）=E AB*X/(B-A)+ E A L(%)= （︱E XX- E X︱）÷（E B- E A）×100 图 1
图 2 V A(0) mm 5V 0V EB 图 3 4. 操作步骤： a) 设计图纸，开好材料，覆膜 b) 激光镭射 c) 将稳压电源调至ON ，电压调至５V 。 d) 将稳压电源正极夹至右边银棒、负极夹至左边银棒。 e) 将万用表表负极夹至右边银棒，正极拿来测试。 f) 将试片置入定位，开始测试并记录分压值。 g) 将所测得之电压值输入表（一）～表（五），计算其线性。 Ⅱ、方法二（适用于成品） 1. 样品准备：成品
2. 使用仪器：线性测试机 3. 测量原理及要求 ※线性度的定义：当施加DC 5V在“X”方向电极和“Y”方向电极时，用笔（Special stylus）压点（X,Y）以得到各自输出电压（E OX,E OY）。如Fig.1（测量关系）。在A和B的区域内（Active area），在X，Y方向各以2mm为间隔划直线。如Fig2。 ※注：线性测量范围：A.A区边缘单边内缩2mm。 测量关系 测 量 Y 坐 标 Y （X+电极） Vcc （Y+电极） 测量X坐标 X Fig 2 ※计算公式：V XX（理论电压）=V AB*X/(B-A)+ V A L(%)= （︱V XX- V X︱）÷（V B- V A）×100 V A：输出电压测量起点A处的电压 V B：输出电压测量终点B处的电压 V X：输出电压测量任意点X处的电压 V XX：理论计算电压 L：线性 4. 操作步骤：见作业指导书 六、检验数据处理： １、表（一）：分压表＆线性表。 ２、表（二）：线性错误及异常对照表。 ３、表（三）：线性错误及异常统计表。 ４、表（四）：平均线性分析图。 ５、表（五）：平均电压分析图。
硅铝比、结晶度的测定
X 射线衍射法测定高岭石合成的NaY 分子筛物相组成、 结晶度、晶胞参数及硅铝比研究 程 群* （北京普析通用仪器有限责任公司 北京 100081） 摘要：由高岭石合成的NaY 分子筛经如下处理：将试样放入玛瑙研钵中充分研细，经120℃，1小时烘干，然后置于氯化钙过饱和水溶液气氛中（室温20~30℃）吸水16至24小时；将处理后试样照X 射线衍射仪(XRD)进行测定，分析其物相组成、结晶度、晶胞参数及硅铝比。该方法测得的NaY 分子筛各参数，比通常采用的化学分析方法省时、简便、重复性好，并为高岭石合成NaY 分子筛提供了有效的理论依据，从而可以及时监控合成NaY 分子筛的生产过程，降低了NaY 分子筛生产成本。 关键词：X 射线衍射仪；NaY 分子筛；物相组成；结晶度；晶胞参数；硅铝比 Study on Determining Composition, crystallinity, cell parameter and ratio of silicate to aluminium of Zeolite NaY treated from kaolinite by X-ray Diffractometer Abstract: In this paper, Zeolite NaY treated from kaolinite continued to be treated, such as ground in the agate mortar , dried in 120℃ for an hour, damped in the surroundings of supersaturated calcium chloride solution(room temperature from 20℃ to 30℃) for 16 to 24 hours, The treated Zeolite NaY was determined by X-ray diffractometer, the Composition, crystallinity, cell parameter and ratio of silicate to aluminium of Zeolite NaY was analyzed. The Analytical result showed the feasibility of synthesizing Zeolite NaY from kaolinite, Then the cost is obviously reduced. Keywords: X-ray diffractometer ；Zeolite NaY ；Composition ；crystallinity ；cell parameter ；ratio of silicate to aluminium 1 引言 Hewell 等人首先利用高岭土矿物合成NaA 沸石以来，引起了国内外学者对以天然矿物合成NaY 沸石方法的广泛重视[1-3]，而且矿物原料来源丰富，降低了成本，所以其在矿物合成NaY 沸石中，占有重要的地位。本文中，研究了XRD 测定由高岭石合成产物结晶度、晶胞参数及硅铝比，为高岭石合成NaY 分子筛提供了有效的理论依据，从而可以及时监控合成NaY 分子筛的生产过程，降低了NaY 分子筛生产成本。 2 实验原理 2.1 测定结晶度实验原理[4] 为了排除高岭石特征衍射峰的干扰，本实验选择331，333，660，555四峰为被测峰，以NaY 分子筛79Y-16为外标，用四峰的峰面积之和计量衍射峰强度，用外标法测定试样的相对结晶度，分别计算试样和外标衍射峰强度测I 和标I ，按照下式计算样品的结晶度Rc: ___________ *E-mail: qun.cheng@https://www.360docs.net/doc/317281511.html,
系统间隔离度及天线间距计算举例
WLAN 系统中和共址时 天线之间的最小间距计算 （版权所有） 我们选取以下模型来计算 WLAN 系统隔离度和室内分布中和共址时天 线之间的最小间距 干扰站 y y 被干扰站 图1两牛对W214扰校型 在这个模型中，从干扰源基站的功放输出的信号首先被发送滤波器滤波，然 后因两个基站间有一定的隔离而得到相应的衰减，最后被受干扰基站的接收 机所接收。 到达被干扰基站的天线端的杂散干扰功率可以表示： lb 二Ptxamp-Patte nutio n-lisolatio n+10*lg(BW1/BW2) 变形得： Iisolatio n=Ptxamp-Patte nutio n-Ib+10*lg(BW1/BW2) 其中: I 旳发找火亦干 脱电平 计以法L 卜旳千祝电平 的干九毗平
isolation :天线隔离度(dB) Ptxamp：干扰源功放输出杂散功率指标(dBm) Patte nuation:限带滤波器带外衰减 lb :允许最大杂散干扰(杂散干扰不应该大于带内总的热噪声Pn) BW1：被干扰基站信号带宽 BW2:干扰信号可测带宽 ( 1 )计算WLAN 频段和频段工作信道带宽内总的热噪声功率。 WLAN频段工作信道带宽为22MHz,因此WLAN频段工作信道带宽内总 的热噪声功率: Pn=-174dBm+10lg(22 ^HZ)=-101dBm WLAN频段工作信道带宽为20MHz,因此WLAN频段工作信道带宽内总的热噪声功率: Pn=-174dBm+10lg(20 ^HtQ二-101dBm (取值四舍五入,实际计算值均小于-101dBm) 则lb= Pn=-101dBm 2)根据我国无委型号核准测试标准, WLAN 杂散指标为-30dBm/MHz； 则:干扰源功放输出杂散功率指标: Ptxamp() =22 MHz &30dBm/MHz) =( 10lg22-30) dBm=-17 dBm Ptxamp ()=20 MHz x(-30dBm/MHz) = (10lg22-30) dBm=-17 dBm (取值四 舍五入,实际计算值均小于-17 dBm) 则Ptxamp=-17 dBm (3)常用WLAN设备的限带滤波器带外衰减Pattenuation为80dB 4) 10*lg(BW1/BW2)
天线隔离度
1.各系统之间的干扰分析 1.1. 需考虑的干扰类型 由于各系统需要共址建设，为了保证各系统间不至于互相影响，需要对各系统间的干扰情况进行分析。从形成机理的角度，系统之间的干扰可以分为杂散辐射、接收机互调干扰和阻塞干扰（由于一般系统之间的间隔频率可以大约工作带宽数倍，所以系统间一般不容易出现邻频干扰）。 1）杂散辐射（Spurious emissions） 由于发射机中的功放、混频、滤波等器件工作特性非理想，会在工作带宽以外较宽的范围内产生辐射信号分量（不包括带外辐射规定的频段），包括电子热运动产生的热噪声、各种谐波分量、寄生辐射、频率转换产物以及发射机互调等。3GPP 将该部分信号通归为杂散辐射，因为其分布带宽很广，也有文献称为宽带噪声（Wideband Noise）。 邻频干扰和杂散辐射不同，邻频干扰中所考虑的干扰发射机泄漏信号指的是：被干扰接收机所处频段距离干扰发射机工作频段较近，但尚未达到杂散辐射的规定频段的情况；根据3GPP TS25.105，杂散辐射适用于指配带宽以外、有效工作带宽2.5倍以上的频段；当两系统的工作频段相差带宽2.5倍以上时，滤波器非理想性将主要表现为杂散干扰。 2）接收机互调干扰 包括多干扰源形成的互调、发射分量与干扰源形成的互调（TxIMD）、交叉调制（XMD）干扰3种。 多干扰源形成的互调是由于被干扰系统接收机的射频器件非线性，在两个以上干扰信号分量的强度比较高时，所产生的互调产物。 发射分量与干扰源形成的互调是由于双工器滤波特性不理想，所引起的被干扰系统发射分量泄漏到接收端，从而与干扰源在非线性器件上形成互调。 交叉调制也是由于接收机非线性引起的，在非线性的接收器件上，被干扰系统的调幅发射信号，与靠近接收频段的窄带干扰信号相混合，将产生交叉调制。 3）阻塞干扰 阻塞干扰并不是落在被干扰系统接收带宽内的，但由于干扰信号功率太强，而将接收机的低噪声放大器（LNA）推向饱和区，使其不能正常工作。被干扰系统可允许的阻塞干扰功率一般要求低于LNA的1dB压缩点10dB。 由于互调干扰主要出现在：有两个以上不同的频率作用于非线性电路或器件时，将由这两个频率互相调制而产生新的频率，若这个新频率正好落于某一个信道而为工作于该信道的接收机所接收时，此时所构成的接收机的干扰。本次共址建设的多个系统只是共用铁塔、机房等公共设施，收发信机间并不共用电路或器件，所以不会直接共同作用在非线性器件上，间接落在某系统非线性器件上的不同频率分量一般强度不高，产生的新频率分量较微弱。而且，互调干扰产物与各频率分配有关，可以通过频率规划（所分配频段内的频率调整），避免互调产物落在被干扰系统工作频点上。所以，本方案可以不考虑互调干扰，重点分析杂散干扰和阻塞干扰，并且按照两者中受限的一种，分析共址时的干扰抑制方案；由于基站发射功率大、接收灵敏度高，所以本例中多系统共址时主要考虑基站与基站之间的干扰。
收发天线隔离度
收发天线隔离度？ 在安装天线时, 一般要求天线的水平隔离度约为 5 λ至10 λ, 垂直隔离度约为 1 λ。 GSM系统中天线隔离度为避免交调干扰，GSM基站的收、发信机必须有一定的隔离，Tx-Rx：30dB；Tx-Tx：30dB。这同样适用于GSM900和GSM1800共站址的系统。天线隔离度取决于天线辐射方向图和空间距离及增益，通常不考虑电压驻波比引入的衰减。其计算如下： 垂直排列布置时，Lv=28+40lg(k/ ) (dB) 水平排列布置时，Lv=22+20lg(d/ )-(G1+G2)-(S1+S2) (dB) 其中，Lv为隔离度要求，λ为载波的波长k为垂直隔离距离，d为水平隔离距离，G1、G2 分别为发射天线和接收天线在最大辐射方向上的增益（dBi），S1 、S2 分别为发射天线和接收天线在90°方向上的副（dBp，相对于主波束，取负值）。通常65°扇形波束天S约为-18dBp，90°扇形波束天线约为-9dBp，120°扇形波束S约为-7dBp，这可以根据具体的天线方向图来确定。采用全向天线时，S为0。 GSM900和GSM1800两系统天线支架应满足以下要求： 定向天线 同一系统内，同扇区两天线水平隔离间距≥4m；不同扇区两天线水平间距≥0.5m； 两系统间，同扇区两天线同方向时，天线水平隔离间距≥1m； 天线垂直隔离间距≥0.5 米；天线底部距楼顶围墙≥0.5米； 天线下沿和天线面向方向上楼顶的连线与水平方向的夹角>150； 全向天线 天线水平间距≥10米或天线垂直间距≥0.5米；天线下沿距楼顶围墙≥0.5米 ●水平隔离度Lh是收发信天线在水平间隔距离上产生的空间损耗，表示公式如下: Lh=22.0+20lg(d/λ)-(Gt+Gr)+(Dt+Dr) 其中:22.0为传播常数;d为收发天线水平间隔(m);λ为天线工作波长(m);Gt、Gr分别为发射和接收天线的增益(dB);Dt、Dr分别为发射和接收天线的水平方向性函数造成的损耗,具体数值可以在天线方向图中查得，当收发天线夹角为180°时，方向性损耗即为天线的前后比。 ●垂直隔离度Lv是收发信天线在垂直间隔距离上产生的空间损耗，表示公式如下:
线性度
TP 线性度测试 一：线性度定义 备注： △ Ymax ：输出平均值与最佳直线问的最大偏差 Ymax-Ymin ：传感器的量程，是测量上限(高端)和测量下限(低端)的代数差 ? 以电阻屏为例：电阻式TP 由上下两个导电层构成，其等效电阻为Rx 、Ry 。测试时，先给X 向加基准 电压5V ，测试Y 向电压。因为触摸压力使两个导电层接触，通过计算测量Y 向电压就可以解析出触点Y 向基于相对零点的偏移量。同理可以测得X 向基于相对零点的偏移量。 在线性度测试中，根据所选定参考直线的不同，可获得不同的线性度 在不同衡量标准中，独立线性度足衡量线性特性的最客观标准（以最佳直线作为参考直线） 独立线性度定义为实际平均输 特性曲线对最佳直线的最大偏差，以满量程输出的分比来表示 Xmax-Xmin Lx=± △Xmax X 100% Ymax-Ymin Ly=± △Ymax X 100% Ymax Ymi Xmi Xma
二：测试原理 测试接触点的选择：在测试触摸屏线性度时，为了能够精确反应触摸屏的整体特性，需要选取尽量多的测 点。然而，对于测试时间与效率而言，希望选取尽量少的测试点。因此，在精度和效率之间需要选取一个平衡点。 线性度：支持并行线、垂直线、对角线、圆弧等多种图像来检测产品的线性偏差，可在测试区域内任意设 臵线距、线数及弧度大小，并支持两点同时划线、两点划圆等多种测试方式，达到更精确的体现产品特性； 灵敏度：可设定不同的划线轨迹，实现接触式划线或非接触式划线，触笔离产品的高度可按设定调节，并 能自动找出触控高度 在实际应用中，常用两个步进电机作为驱动装臵实现一个二维定位系统控制测试笔在触摸屏上打点，实现 测试的输入。 根据接触点输入集P （P1,P2,P2……….Pn-1,Pn ）与输出集T （T1,T2,T3……Tn-1,Tn ）中对应点的最大偏差 值即可求出整块屏的线性度 测试点分布示意 测试区域定位图
聚合物密度和结晶度的测定
聚合物密度和结晶度的测定 聚合物密度和结晶度的测定一、实验目的 1. 掌握密度计测定聚合物密度和结晶度的基本原理。 2. 用密度计测定聚合物的密度，并由密度计算结晶度。二、实验原理 聚合物密度是聚合物物理性质的一个重要指标，是判断聚合物产物、指导成型加工和探索聚集态结构与性能之间关系的一个重要数据。对于结晶性聚合物，常用结晶度表征内部结构规则程度，而密度与结晶度有密切的关系。因此，可通过聚合物密度和结晶度的测定来研究结构状态，进而控制材料的性质。 密度天平利用阿基米德原理测定物质的密度，可测固体、液体、浮体、颗粒、粉末、粘稠体、海棉体，具有操作简单、直接的优点。 结晶性聚合物都是部分结晶的，即晶区和非晶区共存。而晶区和非晶区的密度不同。因此，同一聚合物由于结晶度不同，样品的密度不同。如采用两相结合模型，并假定比容(密度的倒数)具有加和性，即结晶性聚合物的比容等于晶区和非晶区比容的线性加和，则有: 111 (公式 1) ，，,f，1,fcc ,,, ca 式中，fc为结晶度，ρc为晶区密度，ρa为非晶区密度 则从测得的聚合物试样密度可计算出结晶度: ,,,,，，caf,，100%c (公式 2) ，，,,,,ca 三、实验仪器及试剂 实验仪器:密度天平(型号AND EK-300iD，产地:日本) 实验试剂:锡粒、聚氯乙烯板。高密度聚乙烯(粒料) 四、实验步骤
(一)聚合物密度测定: 1. 按电源键打开密度天平。 2. 观察密度天平的示数，若不为零，按“RE-ZERO”清零。 3. 将准备好的样品置于密度天平顶部称量处，示数稳定后按“SAMPLE”键。此时屏幕上端显示“LO”。 4. 将样品小心的置于密度天平内部，带示数稳定后按SAMPLE” 键。此时屏幕上端显示的数值即为样品的密度。 (二)结晶度的计算: 从文献查得: 聚乙烯的晶区密度、非晶区密度，根据公式 2 计算结晶度。 五、注意点 一定要熟读仪器说明书，没有疑问后，才开始操作仪器～～一，内容: a,通过密度天平测量三种物质的密度:锡粒(?99.9%)、矩形的PVC板、HDPE(粒料)。 b,通过液体比重天平测量参考液-----一次蒸馏水的密度。 c,密度的测量，至少测两次以上，后取平均值。 d,样品在空气中的质量、在参考液中的质量也要记录下来---------- 做实验报告时，根据实际测得的参考液密度，通过公式来计算出样品密度。 e, 矩形的PVC板可以用游标卡尺量出长、宽、高后，计算出体积，从而算出其密度。 二，仪器: (1)密度天平 a,我们实验室的密度天平是用来测量固体密度的--------虽然它可以固液两测，但我们并没有测量液体密度的配件。b,“上秤盘”指的是水槽的最上方的有机玻璃。 c,实验完成后，请将铁秤盘、铁网球用电吹风吹至干燥-----------
天线隔离度要求.docx
精品文档 1、LTE-D频段天线隔离度要求 : GSM/DCS符合 3GPP TS 05.05 V8.20.0 （2005-11 ）规范要求时， TD-LTE 线阵和GSM/DCS定向天线之间间距要求：并排同向安装时，建议采用垂直隔离方式，垂直 距离≥ 1.8 m ； GSM/DCS符合 3GPP TS 45.005 V9.1.0 (2009-11)规范要求时，TD-LTE 线阵和GSM/DCS定向天线之间间距要求：并排同向安装时，水平隔离距离≥0.5m，垂直距离≥0.3m。 TD-LTE线阵和 CDMA 1X定向天线之间间距要求：并排同向安装时，建议采用垂 直隔离方式，垂直距离≥ 2.7m。 TD-LTE 线阵和 CDMA2000定向天线之间间距要求：并排同向安装时，建议采用 垂直隔离方式，垂直距离≥ 2.7m。 TD-LTE线阵和 WCDMA定向天线之间间距要求：并排同向安装时，水平隔离距离≥0.5m，垂直距离≥ 0.2m TD-LTE与 TD-SCDMA隔离要求：并排同向安装时，水平隔离距离≥0.5m，垂直距离≥ 0.2m。 2、LTE-F 频段天线隔离度要求 : TD-LTE 线阵和 GSM/DCS定向天线之间间距要求：并排同向安装时，水平隔离 距离≥ 0.5m，垂直距离≥ 0.3m。 TD-LTE 线阵和 CDMA 1X定向天线之间间距要求：并排同向安装时，建议采用垂 直隔离方式，垂直距离≥ 2 m。 TD-LTE 线阵和 CDMA2000定向天线之间间距要求：并排同向安装时，建议采用 垂直隔离方式，垂直距离≥ 3 m。 TD-LTE线阵和 WCDMA定向天线之间间距要求：并排同向安装时，水平隔离距离 ≥ 0.5m，垂直距离≥ 0.2m。 3、GPS 天线安装位置应高于其附近金属物，与附近金属物水平距离大于等于 1.5 米,两个或多个 GPS天线安装时要保持 2 米以上的间距 4、不同扇区的天线之间间距应在 2 米以上； a) 铁塔顶平台安装全向天线时，天线水平间距必须大于4m。 b) 全向天线安装于铁塔塔身平台上时，天线与塔身的水平距离应大于3m。 c)同平台全向天线与其它天线的间距应大于 1.5m。 d)上下平台全向天线的垂直距离应大于1m。5、 定向天线 同一小区两单极化天线在辐射方向上间距应大于 4m。（最小不小于 3.5m）相 邻小区间两天线间距应大于 0.5m。 上下平台间天线垂直分极距离应大于 1m。 900MHz天线和 DCS1800MHz天线安装与同一平台上时，天线水平间距应大于 1m。 微波天线与 GSM天线安装于同一平台上时，微波天线朝向应处于 GSM同一小区两天线之间。
高低压配电柜基础知识
高、低压柜知识问答 1. 什么是TT 、IN 、IT 系统？ 答：TT 方式是指将电气设备的金属外壳直接接地的保护系统，称为保护接地系统，也称TT 系统。TN 方式是将电气设备的金属外壳与工作零线相接的保护系统，称作接零保护系统，用TN 表示。IT 方式是电源侧没有工作接地，或经过高阻抗接地。负载侧电气设备进行接地保护的保护系统。 2. 我国电网的标准频率是多少？ 答：为50Hz，又叫工频。 3. 电力负荷的分级？ 答：一级负荷：中断将造成人身伤亡者；或政治、经济上将造成重大损者。二级负荷：二级负荷为中断供电将在政治、经济上造成较大损失者，三级负荷：三级负荷为一般的电力负荷。 4. 什么是电弧? 答：电弧是电气设备运行中产生的一种物理现象,其特点是光亮很强温度很高。 5. 什么是变电所？ 答：是担负着从电力系统接受电能，经过变压（升压或降压），然后再配电的任务的供电枢纽。 6. 什么是相电压、相电流？线电压、线电流？ 答：在三相四线电路中相线与中线的电压为相电压；任意两相线间的电压为线电压；线电压是相电压的√3倍。流过各相负载的电流为
相电流；流过相线中的电流为线电流。 7. 在电力系统中主要作用是什么？ 答：主要作用是变换电压，以利于功率的传输。在同一段线路上,传送相同的功率, 电压经升压变压器升压后，线路传输的电流减小,可以减少线路损耗，提高送电经济性，达到远距离送电的目的，而降压则能满足各级使用电压的用户需要。 8. 变压器各主要参数是什么？ 答：（1 ）额定电压；（2 ）额定电流；（3 ）额定容量；（4 ）空载电流；（5 ）空载损耗；（6 ）短路损耗；（7 ）阻抗电压；（8 ）绕组连接图、相量图及连接组标号。 9. 什么叫短路电流的热效应？ 答：在电路发生短路时，极大的短路电流将使导体温度迅速升高，称之为短路电流的热效应。 10. 什么叫涡流？涡流的产生有哪些害处？ 答：当交流电流通过导线时，在导线周围会产生交变的磁场。交变磁场中的整块导体的内部会产生感应电流，由于这种感应电流在整块导体内部自成闭合回路，很像水的旋涡，所以称作涡流。涡流不但会白白损耗电能，使用电设备效率降低，而且会造成用电器（如变压器铁芯）发热，严重时将影响设备正常运行。 11. 二次回路的定义和分类是什么？ 答：二次回路用于监视测量仪表，控制操作信号，继电器和自动装置的全部低压回路均称二次回路，二次回路依电源及用途可分为：
传感器线性度的概念及表示方法
传感器线性度的概念及表示方法 1传感器线性度的概念 线性度是描述传感器静态特性的一个重要指标，以被测输入量处于稳定状态为前提。 线性度又称非线性，表征传感器输出—输入校准曲线（或平均校准曲线）与所选定的作为工作直线的拟合直线之间的偏离程度。这一指标通常以相对误差表示如下。 %100.max ??±=S F L y L ξ （1） 式中：max L ?——输出平均校准曲线与拟合直线间的最大偏差； S F y .——理论满量程输出。 由式（1）可见，拟合直线是获得相应的线性度的基础，选择的拟合直线不同，max L ?不同，计算所得的线性度数值也就不同。 2线性度表示方法 线性度表示方法很多，一般常用的有以下四种方法。 2.1理论直线法 理论直线法是以传感器的理论特性直线作为拟合直线，与传感器被测输出值无关。 例如：在一个标准大气压力试验条件下，设定被测温度传感器下限值为0℃，上限值为100℃，以测量范围为0℃～100℃的二等标准水银温度计作为标准计量器具，不管温度标定试验级数如何确定，均以标准水银温度计示值作为拟合直线，即试验各温度测试点温度传感器计算温度值均直接与该测试点标准水银温度计示值进行比较，从中获取max L ?，max L ?值即为被测温度传感器线性误差，暂名之以“理论线性度”。理论直线法示意见图1。 图1 理论直线法示意图 0 y x
2.2最佳直线法 通过图解法或计算机辅助解算，获得一条“最佳直线”，使得传感器正反行程校准曲线相对于该直线的正、负偏差相等且最小，如图2所示。由此所得的线性度称为“独立线性度”。 2.3端点直线法 以传感器校准曲线两端点间的连线作为拟合直线，这种方法可为称之为端点直线法，端基直线法，相应地线性度称之为端点线性度或端基线性度。端点直线法示意见图3。 图3 端点直线法示意图 端点直线法拟合直线方程为： kx b y += （2） 2.4最小二乘直线法 利用最小二乘原理获取拟合直线的方法称为最小二乘直线法。这种方法的基本原理是使传感器校准数据的残差的平方和最小。 最小二乘法拟合直线以式（2）表示，设定传感器校准测试点为n ，第i 个标准数据i y 的残差i ?为： )(i i i kx b y +-=? （3） 按最小二乘法原理，应使∑=?n i i 12 最小。因此，以∑=?n i i 12 分别对b 和k 求一阶偏0 x y 0
DSC测定结晶度
结晶度的测定 对于结晶聚合物，用DSC(DTA)测定其结晶熔融时，得到的熔融峰曲线和基线所包围的面积，可直接换算成热量。此热量是聚合物中结晶部分的熔融热△H f。聚合物熔融热与其结晶度成正比,结晶度越高,熔融热越大．如果已知某聚合物百分之百结晶时的熔融热为△H f*，那么部分结晶聚合物的结晶度θ可按下式计算： 式中θ为结晶度(单位用百分表示)，△H f是试样的熔融热，△H f*为该聚合物结晶度达到100%时的熔融热. △H f可用DSC(DTA)测定，△H f*可用三个方法求得： (1)取100密结晶度的试样，用Dsc(DTA)测其溶融热，即AH2． (2)取一组已知结晶度的试样(其结晶度用其他方法测定，如用密度梯度法，X射线衍射法等)，用DSC(DTA)测定其熔融热，作结晶度对熔融热的关系图，外推到结晶度为100%时，对应的熔融热△H f*．此法求得的高密度聚乙烯的△H f*＝125.9 J/g，聚四氟乙烯的△ H f*=28.0J/g。 (3)采用一个模拟物的熔融热来代表△H f*．例如为了求聚乙烯的结晶度，可选择正三十二碳烷的熔融热作为完全结晶聚乙烯的熔融热，则 必须提出，测定时影响DSC(DTA)曲线的因素，除聚合物的组成和结内外，还有晶格缺陷、结晶变态共存、不同分子结晶的共存、混晶共存、再结晶、过热、热分解、氧化、吸湿以及热处理、力学作用等，为了得到正确的结果，应予分析． 利用等速降温结晶热△H c，还可计算结晶性线型均聚物的分子量．其计算依据一是过冷度(T m一T c)，过冷度超大，结晶速率越快。二是分子量，在一定范围内，分子量越大，分子链的迁移越困难，结晶速率越慢．如用规定的降温速率使过冷度保持一定，则结晶速率就是某一试样在该速率下能结晶的量(以结晶时放出的热量表示)．1973年T. Suwa等研究了聚四氟乙烯(PTFE)的结晶和焙融行为，发现聚合物熔体的结晶热与它的分子量密切相关，并求得聚四氟乙烯的数均分子量M n与结晶热△H c之间的关系为 试验的分子量范围在5.2×105—4.5×107之间．这一关系为不溶不熔的聚四氟乙烯分子量的测定提供了非常方便的方法． 70年代后，DSC的发展为用量热法研究结晶聚合物的等温结晶动力学创造了条件，因为结晶量可用放热量来记录，因此就可分析结晶速度． 描述等温下结晶总速率变化的动力学关系式是众所周知的A v r ami-Erofeev方程，即 式中θ为结晶度，z为结晶速率常数，t为结晶时间，n是表征成核及其生长方式的整数。如应用热响应快的DSC曲线，将熔融状态的试样冷却到熔点以下某个温度，并在恒温下测定其结晶速率，则dH/dt随时间变化的曲线如图1.44(a)所示．
隔离开关基础知识 (图文)民熔
隔离开关 隔离开关主要用于隔离电路。分段状态下有明显的断口，导电系统在合闸状态下能通过正常工作电流和故障短路电流。 隔离开关无灭弧装置，既能切断负载电流，又能切断短路电流。但是，隔离开关必须是动态和稳定的。 隔离开关的主要功能如下： （1）设备检修时，用隔离开关将带电部分和非带电部分隔离，造成明显的断开点。逆向维修设备的力系是隔离的，以确保人员和设备的安全。 （2）隔离开关与断路器配合切换操作，改变操作方式。 （3）用于切断小电流回路和旁路（回路）电流。 （4）隔离开关用于闭合500kV小电流回路的旁路（回路）电流。但必须在计算满足隔离开关条件和有关调度规定后才能进行。 隔离开关牌子推荐 民熔电气 1.1结构形式 1.1.1隔离开关的分类
M0级隔离开关：机械寿命1000个工作循环，适用于输配电系统，满足一般要求。 M1级隔离开关：具有3000-5000个操作循环，以延长隔离开关的 机械寿命。主要用于隔离开关与同级断路器联动操作的场合。 M2级隔离开关：机械寿命10000个操作循环，主要用于隔离开关 与同级断路器联动操作的场合。隔离开关分类 见表1.1 表1.1隔离开关分类 户内隔离开关:通常是35kV及以下的电压等级,GN系列为主要代表。如图1.1所示。
图1.1户内隔离开关结构 (GN2-10)户外型隔离开关是以35kV及以上电压等级，三相可实现单极独立安装,单相或三相同步操作形式。按其绝缘支柱的不同可分为单柱式、双柱式和三柱式。 如图1 .2所示。
图1.2户外隔离开关结构 1.1.2隔离开关的结构隔离开关都是有开端元件、支持绝缘件、传动元件、基座及操作机构五个基本部分组成，其方框图如图1.3所示，示意图如图1.4。 图1.3隔离开关组成方框图
试验测试线性范围的确认
化学分析方法确认 线性范围 a)采用校准曲线法定量，并至少具有6个校准点（包括空白），浓度范围尽可能覆盖一个 或多个数量级，每个校准点至少随机顺序重复测量2次，最好是3次或更多；对于筛选方法，线性回归方程的相关系数不低于0.98；对于准确定量的方法，线性回归方程的相关系数不低于0.99。 b)校准用的校准点应尽可能均匀地分布在关注的浓度范围内并能覆盖该范围。在理想的情 况下，不同浓度的校准溶液应独立配置，低浓度的校准点不宜通过稀释校准曲线中高浓度的校准点进行配置。 c)浓度范围一般应覆盖关注浓度的50%～150%，如需做空白时，则应覆盖关注浓度的0%～ 150%。 d)应充分考虑可能的基质效应影响，排除其对校准曲线的干扰。实验室应提供文献或实验 数据，说明目标分析物在溶剂中、样品中和基质成分中的稳定性，并在方法中予以明确。 通常各种分析物在保持条件的稳定性都已有很好的研究，监测保存条件应作为常规实验室确认系统的一部分。对于缺少稳定性数据的目标分析物，应提供能分析其稳定性的测定方法和确认结果。 检出限 a)仪器检出限（IDL）：为用仪器可靠的将目标分析物信号从背景（噪音）中识别出来时分 析物的最低浓度或量，该值表示为仪器检出限（IDL）。随着一起灵敏度的增加，仪器噪声也会降低，相应IDL也降低。 b)方法检出限（MDL）：为用特定方法可靠的将分析物测定信号从特定基质背景中识别或 区分出来时分析物的最低浓度或量。即MDL就是用该方法测定出大于相关不确定度的最低值。确定MDL时，应考虑到所有基质的干扰。 注：方法的检出限（LOD）不宜与仪器最低相应值相混淆。使用信噪比可用来考察仪器性能但不适用于评估方法的检出限（LOD）。 c)确定检出限的方法 1)目视评估法评估LOD 目视评估法是通过在样品空白中添加已知浓度的分析物，然后确定能够可靠检测出分析物最低浓度值的方法。即在样品空白中加入一系列不同浓度的分析物，随机对每一个浓度点进行约7次的独立测试，通过绘制阳性（或阴性）结果百分比与浓度相对应的反应曲线确定阀值浓度。该方法也可用于定性方法中检出限的确定。 2)空白标准偏差法评估LOD 即通过分析大量的样品空白或加入最低可接受浓度的样品空白来确定LOD。独立测试的次数应不少于10次（n≧10），计算出检测结果的标准偏差（s），计算方法见下表。
单柱式隔离开关基础知识 图文 民熔
单柱式隔离开关 民熔单柱式隔离开关是一种主要用于“隔离电源、倒闸操作、用以连通和切断小电流电路”，无灭弧功能的开关器件。由于隔离开关的使用量大，工作可靠性要求高，所以对变电所、电厂的设计、建立和安全运行的影响均较大。 民熔单柱式隔离开关是采用陶瓷绝缘子浇筑而成，不易老化经久耐用，民熔隔离开关的表面有抗氧化能力，加强零件的抗锈蚀能力，民熔的隔离开关是一体锁扣装置、安全可靠，放心选择。本文将会介绍关于民熔单柱式隔离开关的基础知识，感觉这篇文章对你有帮助的话，可以关注下小编 1、分闸后，建立可靠的绝缘间隙，将需要检修的设备或线路与电源用一个明显断开点隔开，以保证检修人员和设备的安全。 2、可用来分、合线路中的小电流，如套管、母线、连接头、短电缆的充电电流，开关均压电容的电容电流，双母线换接时的环流以及电压互感器的励磁电流等。
3、根据不同结构类型的具体情况，可用来分、合一定容量变压器的空载励磁电流。民熔单柱式隔离开关在低压设备中主要适用于民宅、建筑等低压终端配电系统。 主要功能：不带负荷分断和接通线路。 1.用于隔离电源，将高压检修设备与带电设备断开，使其间有一明显可看见的断开点。 2.民熔单柱式隔离开关与断路器配合，按系统运行方式的需要进行倒闸操作，以改变系统运行接线方式。 民熔单柱式隔离开关主要用来将高压配电装置中需要停电的部分与带电部分可靠地隔离，以保证检修工作的安全。 民熔单柱式隔离开关无笨重的底座，占地面积小，可直接布置在架空母线的下面，减少配电装置的面积。单柱式隔离开关需用材料少，成本低。但在破冰能力和恶劣气候条件下稳定可靠地工作显得还不够理想，且无法装设两组接地刀闸。由于单柱式隔离开关具有占地面积小的突出优点，近年发展较快。
四线电阻式触摸屏线性度测试的研究
四线电阻式触摸屏 注：湖南省自然科学基金资助项目（项目编号：04JJ6036） 摘要：本文提出一种测试电阻式触摸屏线性度的方法。电压集合，简化测试流程，提高了测试精度。同时，该方法首次提出纠偏算法，在一定程度上解决了触摸屏测试时有偏移情况下的精度问题，并对测试中的典型噪声进行分析并提出针对性的除噪方法。实验结果表明，该方法提高了测试速度和测试精度，可以满足实际测试应用。 关键字：触摸屏；线性度；独立直线；纠偏处理 中图分类号: TP334.3 文献标识码: 一、引言 在传感器的线性度测试中，根据所选定参考直线的不同，可获得不同的线性度。在不同衡量标准中，独立线性度是衡量传感器线性特性的最客观标准。独立线性度以最佳直线作为参考直线。传感器的独立线性度定义为传感器实际平均输出特性曲线对最佳直线的最大偏差，以传感器满量程输出的百分比来表示，如图 ??? ???? ?±=?±=min max max min max max y y y L x x x L y x ??其中: ?y max —输出平均值与最佳直线间的最大偏差； y max -y min —传感器的量程，是测量上限的代数差。 作为一种位置传感器，电阻式触摸屏已成为一种广泛应用的人机接口，其工作原理如图两个导电层构成，其等效电阻为压5V ，测试Y 向电压。因为触摸压力使两个导电层接触，通过计算测量到Y 向电压就可以解析出触点可以测得X 向基于相对零点的偏移量。 二、测试原理 1、测试接触点集合选择在测试触摸屏线性度时，为了能够精确反映触摸屏的整体特性，需要选取尽量多的测试点。然而，对于测试时间与效率而言，希望选取尽量少的测试点。因此，在精度和效率之间需要选取一个平衡点。
实验 密度梯度管法测定聚合物的密度和结晶度
实验 密度梯度管法测定聚合物的密度和结晶度 密度梯度法是测定聚合物密度的方法之一。聚合物的密度是聚合物的重要参数。聚合物结晶过程中密度变化的测定，可研究结晶度和结晶速率；拉伸、退火可以改变取向度和结晶度，也可通过密度来进行研究；对许多结晶性聚合物其结晶度的大小对聚合物的性能、加工条件选择及应用都有很大影响。聚合物的结晶度的测定方法虽有X 射线衍射法、红外吸收光谱法、核磁共振法、差热分析、反相色谱等等，但都要使用复杂的仪器设备。而用密度梯度管法从测得的密度换算到结晶度，既简单易行又较为准确。而且它能同时测定一定范围内多个不同密度的样品，尤其对很小的样品或是密度改变极小的一组样品，需要高灵敏的测定方法来观察其密度改变，此法既方便又灵敏。 一、实验目的： 1．掌握用密度梯度法测定聚合物密度、结晶度的基本原理和方法。 2．利用文献上某些结晶性聚合物PE 和PP 晶区和非晶区的密度数据，计算结晶度。 二、基本原理： 由于高分子结构的不均一性，大分子内摩擦的阻碍等原因，聚合物的结晶总是不完善的，而是晶相与非晶相共存的两相结构，结晶度f w 即表征聚合物样品中晶区部分重量占全部重量的百分数： 在结晶聚合物中（如PP 、PE 等），晶相结构排列规则，堆砌紧密，因而密度大；而非晶结构排列无序，堆砌松散，密度小。所以，晶区与非晶区以不同比例两相共存的聚合物，结晶度的差别反映了密度的差别。测定聚合物样品的密度，便可求出聚合物的结晶度。 密度梯度法测定结晶度的原理就是在此基础上，利用聚合物比容的线性加和关 系，即聚合物的比容是晶区部分比容与无定形部分比容之和。聚合物的比容V 和结晶度w f 有如下关系： ()1c w a w V V f V f =+- --------------------------------- （2） 式中c V 为样品中结晶区比容，可以从X 光衍射分析所得的晶胞参数计算求得； a V 为样品中无定形区的比容，可以用膨胀计测定不同温度时该聚合物熔体的比