2011模电实验试卷B答案

2011模电实验试卷B答案
2011模电实验试卷B答案

徐州工程学院试卷

2010 — 2011 学年第 2 学期 课程名称 模拟电子技术实验 试卷类型 B 考试形式 闭卷 考试时间 60 分钟

命 题 人 徐晓菊 2011 年 6 月 1 日使用班级 09电信、09通信、09自动化、09电气1,2 教研室主任 年 月 日 教学院长 年 月 日 姓 名 班 级 学 号 试卷说明:本试卷分为笔试和操作两部分。其中第一、二大题为笔试部分,限时30分钟;第三大题为操作部分在实验室进行,限时30分钟。

第一部分 笔试

一、填空题(共 4小题,每空 2 分,共计18 分)

1、测量放大器的静态工作点,应在输入信号为 0的情况下进行,即将放大器输入端与接地端 短接 。

2、用示波器观察正弦波波形,若屏幕上出现图1所示图形,应调节示波器的 时间 旋钮;若屏幕上出现图2所示图形,应调节示波器的 幅度 旋钮;若屏幕上始终只有一条直线则是由于 示波器探头损坏

图1 图2

3、射极跟随器的射极电流比基极电流大 1+β 倍,所以它既有一定的电流和 功率 放大作用。

4、观察单管放大电路的输出波形如图所示,这是 截止 失真,造成这种失真的原因是 静态工作点过低 。

题号 一 二 三 四 五 六 七 八 总分 总分 16 24 60 100 得分

二、问答题(共 2小题,每题 11 分,共计22 分)

1、简述集成运放的衡量参数;

电源电压范围、输入失调电压、输入失调电流、输入偏置电流、输入失调电压温漂、开环差模电压增益、差模输入电阻、共模抑制比

(每项1.5分)

2、画出两级阻容耦合放大电路的电路图;(没错一个支路扣一分,扣完为止)

第二部分 操作

三、实验操作:运算放大电路(60分)

图1为u741的引脚图, 工作电压为正、负12伏;利用实验桌上仪器及元件,实现反相比例运算;按图2接线。其中:R 1= 10K Ω,R 2= 20K Ω,R 3=10K Ω

图1 图2

该题为实验室现场操作,老师视操作过程和操作结果酌情给分。此题输出比输入的值即放大倍数约为10。

+Ucc 1 2 3 4 5

6 7 8 -Ucc ui

uo

+Ucc

+ -

+

+

+

-

R 2

R 1 R 3

模电模拟试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是单向导电性。 3.差分放大电路中,若u I1 = 100 μV,u I 2 = 80 μV则差模输入电压u Id= 20μV;共模输入电压u Ic = 90μV。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz时,可选用 低通滤波器;有用信号频率高于10 kHz时,可 选用 高通滤波器;希望抑制50 Hz的交流电源干扰时,可选用 带阻滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通滤波器。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC =0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到78.5%,但这种功放有交越失真。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是(A)。A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为(D)。 A.P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的(C)。 A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( D )。 A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是(A)。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C)。 a.不用输出变压器b.不用输出端大电容c.效率高d.无交越失真 9.稳压二极管稳压时,其工作在( C),发光二极管发光时,其工作在( A)。 a.正向导通区b.反向截止区c.反向击穿区 三、放大电路如下图所示,已知:V CC 12 V,R S 10kΩ, R B1 120 kΩ,R B2 39 kΩ,R C 3.9 kΩ, R E 2.1 kΩ,R L 3.9 kΩ,r bb’ Ω,电流放大系 数 β 50,电路中电容容量足够大,要求: 1.求静态值I BQ ,I CQ 和U CEQ ( 设U BEQ 0.6 V ); u I u o R L

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100V ,u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ;共模输入电压u Ic = 90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的2 = 50,则复合后的约为( A )。 A .1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

模电试题及答案12

《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章) 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。A .大于 B.等于 C .小于 3、本征半导体温度升高以后, C 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B .空穴数增多,自由电子数基本不变 C .自由电子数和空穴数都增多,且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A .电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D . 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B .反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D . 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B . 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C从1m A变为2mA ,那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D . 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 D ;图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.P NP 硅管 C .NP N锗管 D.P NP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A .电流控制电流 B.电流控制电压 C .电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R b的作用是 A 。 A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C .保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中,集电极电阻Rc 的作用是 B 。 A .限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中,输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B .相反 C.相差90° D.相差270° 16、NP N管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真,通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2

(完整版)重大模电试卷及答案

重庆大学《模拟电子技术(Ⅱ)》课程试卷 A卷 B卷 2010 ~2011学年 第 1 学期 开课学院: 电气 课程号:15012335 考试日期: 2010-12-30 考试方式: 开卷闭卷 其他 考试时间: 120 分钟 题号 一 二 三 总分 11 12 13 14 15 16 分值 20 10 10 12 12 12 12 12 得分 一、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共10小题,每空2分,共20分) 1.欲得到电压-电流转换电路,应在集成运算放大电路中引入( )。 (a) 电压串联负反馈 (b )电流并联负反馈 (c )电流串联负反馈 2. 图1为正弦波振荡电路,其反馈电压取自( )元件。 (a) L 1 (b) L 2 (c) C 1 3. 负反馈对放大器的影响是( ) A 、减少非线性失真 B 、增大放大倍数 C 、收窄通频带 图1 图2 4. 图2为单相桥式整流滤波电路,u 1为正弦波,有效值为U 1=20V ,f=50H Z 。若实际测 得其输出电压为28.28V ,这是由于( )的结果。 (a) C 开路 (b) R L 开路 (c)C 的容量过小 5. 图3为( )功率放大电路。 (a)甲乙类OCL (b)乙类OTL (c)甲乙类OTL 6. 共模抑制比K CMR 是( )之比。 (a)输入量中的差模信号与共模信号 (b)输出量中的差模信号与共模信号 (c)差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)。 7. PNP 管工作在饱和状态时,应使发射结正向偏置,集电结( )偏置。 (a )正向 (b) 反向 (c) 零向 8.如图4电路,设二极管为理想元件,则电压U AB 为( )V 。 (a) 0 (b) 5 (c)-8 图3 图4 9.抑制频率为100kHz 以上的高频干扰,应采用( )滤波电路。 (a)低通 (b)带通 (c)带阻 10. U GS =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管是( ) 。 (a) 结型管 (b) 增强型MOS 管 (c) 耗尽型MOS 管 二、判断下列说法是否正确,凡对者打“ √ ”,错者打“ × ” (每小题2分,共10分) 1.一个理想对称的差分放大电路,只能放大差模输入信号,不能放大共模输入信号。( ) 2.对于正弦波振荡电路,只要满足自激振荡的平衡条件,就能自行起振。( ) 3.乙类互补对称OTL 电路中的交越失真是一种非线性失真。 ( ) 4.一般情况下高频信号发生器中采用LC 振荡电路。 ( ) 5.在整流电路中,一般采用点接触型晶体二极管。 ( ) + - 命题人: 熊兰 组题人: 审题人: 命题时间: 教 务处 制 学院 专业、班 年级 学号 姓名 公平竞争、诚实守信、严肃考纪、拒绝作弊 封 线 密

模电实验(附答案)

实验一 晶体管共射极单管放大器 一、实验目的 1.学会放大器静态工作点的调式方法和测量方法。 2.掌握放大器电压放大倍数的测试方法及放大器参数对放大倍数的影 响。 3.熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 二、实验原理 图2—1为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。偏置电阻R B1、R B2组成分压电路,并在发射极中接有电阻R E ,以稳定放大器的静态工作点。当在放大器的输入端加入输入信号后,在放大器的输出端便可得到一个与输入信号相位相反、幅值被放大了的输出信号,从而实现了电压放大。 三、实验设备 1、 信号发生器 2、 双踪示波器 3、 交流毫伏表 4、 模拟电路实验箱 5、 万用表 四、实验内容 1.测量静态工作点 实验电路如图1所示,它的静态工作点估算方法为: U B ≈ 2 11B B CC B R R U R +? 图1 共射极单管放大器实验电路图

I E = E BE B R U U -≈Ic U CE = U C C -I C (R C +R E ) 实验中测量放大器的静态工作点,应在输入信号为零的情况下进行。 1)没通电前,将放大器输入端与地端短接,接好电源线(注意12V 电源位置)。 2)检查接线无误后,接通电源。 3)用万用表的直流10V 挡测量U E = 2V 左右,如果偏差太大可调节静态工作点(电位器RP )。然后测量U B 、U C ,记入表1中。 表1 B2所有测量结果记入表2—1中。 5)根据实验结果可用:I C ≈I E =E E R U 或I C =C C CC R U U - U BE =U B -U E U CE =U C -U E 计算出放大器的静态工作点。 2.测量电压放大倍数 各仪器与放大器之间的连接图 关掉电源,各电子仪器可按上图连接,为防止干扰,各仪器的公共端必须连在一起后接在公共接地端上。 1)检查线路无误后,接通电源。从信号发生器输出一个频率为1KHz 、幅值为10mv (用毫伏表测量u i )的正弦信号加入到放大器输入端。 2)用示波器观察放大器输出电压的波形,在波形不失真的条件下用交流毫

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模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题(满分100分) 1.N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。() 3.PN结处于正向偏置时,正向电流小,电阻大,处于导通状态。() 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时,反向电流剧增,二极管被击穿,就不能再使用了。() 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。() 6.在本征半导体中,空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。() 7.晶体三极管的基极,集电极,发射极都不可互换使用。() 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是:发射结正偏,集电结正偏。() 9.晶体三极管有三种工作状态,即:放大状态,饱和状态,导通状态。() 10.三极管是一种电压控制器件,场效应管是一种电流控制器件。() 11.温度升高后,在纯净的半导体中()。 A.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同 B.空穴增多,自由电子数目不变 C.自由电子增多,空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大(小于击穿电压),则()。 A.阻当层不变,反向电流基本不变 B.阻当层变厚,反向电流基本不变 C.阻当层变窄,反向电流增大 D.阻当层变厚,反向电流减小

一、习题(满分100分) 1.N型半导体()。 A.带正电 B.带负电C.呈中性D.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大,则该二极管()。 A.正常 B.断路C.被击穿D.短路 3.对于晶体二极管,下列说法正确的是()。 A.正向偏置时导通,反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图,那么,第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为()。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图,从而可判断该晶体管工作在()。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态D.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态,三个极电位的关系是()。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BC.V E >V B> V CD.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态,各极对地电位分别是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,则1,2,3分别为()。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA,而i b=40μA时i c=3mA,则该管的交流电流放大系数β为()。 A.60 B.75 C.80 D.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,则1,2,3分别为()。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区,下列不属于工作区的是()。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区D.击穿区 11.在放大电压信号时,通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为() A.输入电阻小,输出电阻大 B.输入电阻小,输出电阻小 C.输入电阻大,输出电阻小 D.输入电阻大,输出电阻大

华南理工大学模电试题(附答案)

B 选择题(在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分,共14分) 1. 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ,电流I D =0.8mA ,其交流电阻 r D =( )。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2. BJT 放大电路中,测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ,据此 可判定BJT 为( A )型三极管,其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3. 图1所示共射放大电路,设静态时CQ 5mA I =,晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =,当输入信号幅度增大到一定值时,电路将首先出现( )失真,其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4. 在图1所示电路中,已知晶体管的100β=, be 1k r =Ω,i 20mV U =;静态工作时BEQ 0.7V U =,CEQ 5V U =,BQ 20uA I =, 相应的电压增益为( )。 A .u 1003 3001A ?=-=-& B .u 1001.5 1501 A ?=-=-& C .u -352502010A =-=-?& D .u 57.140.7 A =-≈-& 5. 根据不同器件的工作原理,试判断( )可以构成复合管。 (A ) (B )(C ) (D ) 6. 在设计两级放大电路的过程中,要求输入电阻i R 约为150k Ω,电压放大倍数的数值 u A &约为100,第一级电和第二级电路应采用( )。 A. 共集电路;共射电路 B .共基电路;共射电路 C. 共集电路;共基电路 D. 共射电路;共射电路 7. MOS FET 构成的两级放大电路,总电压增益u 2000A =倍,其中第一级的电压增益

模电实验报告答案1汇总

简要说明:本实验所有内容是经过^一年的使用并完善后的定稿;已经出版的较为成熟的内容,希望同学们主要参考本实验内容进行实验。 实验一常用电子仪器使用 为了正确地观察电子技术实验现象、测量实验数据,实验人员就必须学会常用电子仪器及设备的正确使用方法,掌握基本的电子测试技术,这也是电子技术实验课的重要任务之一。在电子技术实验中,所使用的主要电子仪器有:SS-7804型双踪示波器,EE-1641D函数信号发生器,直流稳压电源,DT89C型数字万用表和电子技术实验学习机。学习上述仪器的使用方法是本实验的主要内容,其中示波器的使用较难掌握,是我们学习的重点,要进行反复的操作练习,达到熟练掌握的目的。 一、实验目的 1. 学习双踪示波器、函数信号发生器、直流稳压电源的正 确使用方法。 2. 学习数字万用表的使用方法及用数字万用表测量元器 件、辩别二极管和三极管的管脚、类型。 3. 熟悉实验装置,学会识别装置上各种类型的元件。 二、实验内容

(一)、示波器的使用 1. 示波器的认识 示波器是一种测量、观察、记录电压信号的仪器,广泛应用于电子技术等领域。随着电子技术及数字处理技术的发展,示波器测量技术日趋完善。示波器主要可分为模拟示波器和数字存贮示波器两大种类。 模拟示波器又可分为:通用示波器、取样示波器、光电存储示波器、电视示波器、特种示波器等。数字存贮示波器也可按功能分类。 即便如此,它们各有各的优点。模拟示波器的优点是: ?可方便的观察未知波形,特别是周期性电压波形; ?显示速度快; ?无混叠效应; ?投资价格较低廉。 数字示波器的优点是: ?捕捉单次信号的能力强; ?具有很强的存储被测信号的功能。 示波器的主要技术指标: ①. 带宽:带宽是衡量示波器垂直系统的幅频特性,它 指的是输入信号的幅值不变而频率变化,使其显示波形的幅度 下降到3dB时对应的频率值。 ②. 输入信号范围: ③. 输入阻抗: ④. 误差: ⑤. 垂直灵敏度:指垂直输入系统的每格所显示的电压

大学模电最新最全题库模拟电路考试试题10套和答案

试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空(本题共20分,每空1分): 1.整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________;滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的,漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3.放大器有两种不同性质的失真,分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________;引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6.正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__100________,总的放大倍数为__________。 8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响,对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为____37______dB。 二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×): 1、(y )构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。 2、(y )稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、(y )在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、(n )若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。 5、(yn )通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、(n )一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。 7、(y n)根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、(y)要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。 9、(y)在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、(y n)在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择(本题共20分,每个选择2分): 1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是( A ) A. NPN型硅管; B. NPN型锗管; C. PNP型硅管; D. PNP型锗管; 2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻R b的值(C )。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3.典型的差分放大电路中Re( B )。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为20V,则其共模输入电压为(C )。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5.电流源的特点是( A )。 A .交流电阻大,直流电阻小; B . 交流电阻小,直流电阻大; C. 交流电阻大,直流电阻大; D. 交流电阻小,直流电阻小。 6.影响放大电路高频特性的主要因素是( D )。 A. 耦合电容和旁路电容的存在; B. 放大电路的静态工作点不合适; C. 半导体管的非线性特性; D. 半导体管极间电容和分布电容的存在; 7.关于理想运算放大器的错误叙述是( A )。 A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零;B.输入信号为零时,输出处于零电位; C.频带宽度从零到无穷大;D.开环电压放大倍数无穷大 8.有T1 、T2和T3三只晶体管,T1的β=200,I CEO=200μA;T2的β=100,I CEO=10μA;T3的β=10,I CEO=100μA,其它参数基本相同,则实用中应选( B ) A. T1管; B. T2管; C. T3管 9.交流反馈是指( C ) A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈;B.变压器耦合电路中的负反馈; C.交流通路中的负反馈;D.放大正弦信号时才有的负反馈; 10.RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成,即RC串并联选频网络和( D ) A. 基本共射放大电路; B. 基本共集放大电路; C. 反相比例运算电路; D. 同相比例运算电路; 四、分析与计算(本题共50分): 1.(本小题10分) 电路如图2所示,通过分析判断反馈组态,并近似计算其闭环电压增益A usf。 2.(本小题10分) 电路如图3所示,u2=10V,在下列情况下,测得输出电压平均值U o的数值各为多少?(1)正常情况时;(2)电容虚焊时;(3)R L开路时;(4)一只整流管和电容C同时开路时。 3.(本小题12分) 如图4所示电路中,A为理想运放,Vcc=16V,R L=8Ω,R1=10kΩ,R2=100kΩ,三极管的饱和管压降U CES=0V,U o=-10V。(1)合理连接反馈电阻R2;(2)设A输出电压幅值足够大,估算最大输出功率P om;(3)估算单个三极管的最大集电极

模电试卷题库(含答案)

1.某个处于放大状态的电路,当输入电压为10mV,输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时,输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( C ) a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( B ) a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接3KΩ的负载 电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 ( C ) a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内 阻的电压 信号进行放大,测试结果输出电压VOA>VOB,由此可知A比B ( B ) a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ,都接入负载R L时,测得V OA

模电实验报告答案1

(此文档为word格式,下载后您可任意编辑修改!) 简要说明:本实验所有内容是经过十一年的使用并完善后的定稿;已经出版的较为成熟的内容,希望同学们主要参考本实验内容进行实验。 实验一常用电子仪器使用 为了正确地观察电子技术实验现象、测量实验数据,实验人员就必须学会常用电子仪器及设备的正确使用方法,掌握基本的电子测试技术,这也是电子技术实验课的重要任务之一。在电子技术实验中,所使用的主要电子仪器有:SS-7804型双踪示波器,EE-1641D函数信号发生器,直流稳压电源,DT890型数字万用表和电子技术实验学习机。学习上述仪器的使用方法是本实验的主要内容,其中示波器的使用较难掌握,是我们学习的重点,要进行反复的操作练习,达到熟练掌握的目的。 一、实验目的 1.学习双踪示波器、函数信号发生器、直流稳压电源的正

确使用方法。 2.学习数字万用表的使用方法及用数字万用表测量元器 件、辩别二极管和三极管的管脚、类型。 3.熟悉实验装置,学会识别装置上各种类型的元件。 二、实验内容 (一)、示波器的使用 1.示波器的认识 示波器是一种测量、观察、记录电压信号的仪器,广泛应用于电子技术等领域。随着电子技术及数字处理技术的发展,示波器测量技术日趋完善。示波器主要可分为模拟示波器和数字存贮示波器两大种类。 模拟示波器又可分为:通用示波器、取样示波器、光电存储示波器、电视示波器、特种示波器等。数字存贮示波器也可按功能分类。 即便如此,它们各有各的优点。模拟示波器的优点是: ◆可方便的观察未知波形,特别是周期性电压波形; ◆显示速度快;

◆无混叠效应; ◆投资价格较低廉。 数字示波器的优点是: ◆捕捉单次信号的能力强; ◆具有很强的存储被测信号的功能。 示波器的主要技术指标: ①. 带宽:带宽是衡量示波器垂直系统的幅频特性,它指的是输入信号的幅值不变而频率变化,使其显示波形的幅度下降到3dB时对应的频率值。 ②. 输入信号范围: ③. 输入阻抗: ④. 误差: ⑤. 垂直灵敏度:指垂直输入系统的每格所显示的电压值,通常为2mV-5VDIV。 ⑥. 扫描时间:指水平系统的时间测量范围,通常低限为0.5SDIV,高限与带宽有关。 2. SS-7804(8702)型示波器的面板及其各键钮的功能 SS-7804型示波器是双踪示波器,它可以同时观察两个信

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础(1)》期末试题 (A 卷)参考答案及评分标准 一、填空(每空1分,共20分) 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种: 直接 耦合; 阻容 耦合; 变压器 耦合;在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ,要消除此失真,应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用 阻容 耦合方式,1T 接成 共基 组态,2T 接成 共集 组态,1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πω?±=T 。

二、简答(共3小题,每小题5分,共15分) 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 (1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1分, 共3分) (2)估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β, 985.01≈+= ββα (各1分,共2分)

2.电路如图3所示,试回答下列问题 (1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈? R f 应如何接入?(在图中连接) 答:应接入电压串联负反馈(1分) R接法如图(1分) f (2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分) 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。(组成部分3分,功能2分)

模电试卷题库含答案

1.某个处于放大状态的电路,当输入电压为10mV,输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时,输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( C) a、700b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或fH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( B) a、05. b、0.7c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dBB、3dBC、4dBD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为(C) a、10KΩb、2KΩc、1 KΩd、0.5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大,测试结果输出电压V OA>VOB,由此可知A比B( B ) a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V =V OB,都接入负载R L时,测得V OA

a、虚短 b、虚断c、虚地d、以上均否 8.如图示,运放A为理想器件,则其输出电压V0为(A ) a、0V b、3V c、6Vd、9V 9.如图示,运放A为理想器件,则其输出电压V O为(C) a、9Vb、6Vc、0V d、3V 10.设VN、V P和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端,则V0与V N、V P分别成( D) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波,则应选用( D ) A、反相比例运算电路?B、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( D)。 a、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子,它们分别是(C) a、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ) a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺d、晶体缺陷 15.在室温附近,当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是(C ) a、载流子b、多数载流子c、少数载流子d、正负离子

大工15秋《模拟电子线路实验》实验报告参考答案

大工15秋《模拟电子线路实验》实验报告参考答案 实验一常用电子仪器的使用 一、实验目的 1、了解并掌握模拟电子技术实验箱的主要功能及使用方法。 3、学习并掌握TDS1002型数字存储示波器和信号源的基本操作方法 二、基本知识 1.简述模拟电子技术实验箱布线区的结构及导电机制。 答:模拟电子技术试验箱布线区:用来插接元件和导线,搭建实验电路。配有2只8脚集成电路插座和1只14脚集成电路插座。结构及导电机制:布线区面板以大焊孔为主,其周围以十字花小孔结构相结合,构成接点的连接形式,每个大焊孔与它周围的小孔都是相通的。 2.试述NEEL-03A型信号源的主要技术特性。 答:NEEL-03A型信号源的主要技术特性: ①输出波形:三角波、正弦波、方波、二脉、四脉、八脉、单次脉冲信号;②输出频率:10Hz~1MHz连续可调;

③幅值调节范围:0~10VP-P连续可调; ④波形衰减:20dB、40dB; ⑤带有6位数字频率计,既可作为信号源的输出监视仪表,也可以作外侧频率计用。 3.试述使用万用表时应注意的问题。 答:应注意使用万用表进行测量时,应先确定所需测量功能和量程。 确定量程的原则: ①若已知被测参数大致范围,所选量程应“大于被测值,且最接近被测值”。 ②如果被测参数的范围未知,则先选择所需功能的最大量程测量,根据初测结果逐步把量程下调到最接近于被测值的量程,以便测量出更加准确的数值。如屏幕显示“1”,表明已超过量程范围,须将量程开关转至相应档位上。2、了解并掌握数字万用表的主要功能及使用方法。 三、预习题 1.正弦交流信号的峰-峰值×峰值,峰值×有效值。 2.交流信号的周期和频率是什么关系?答:互为倒数,f=1/T,T=1/f

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一 一、判断题 1.因为P型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电。(F) 2.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(T) 3.处于放大状态的三极管,集电极电流是多数载流子漂移所形成的。(F) 二、单选题 1.半导体中的少数载流子产生的原因是(D)。 A.外电场B.内电场C.掺杂D.热激发2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为(C)。 A.正、反向电阻相等B.正向电阻大,反向电阻小 C.反向电阻比正向电阻大很多倍D.正、反向电阻都等于无穷大 3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将(B)。(X 轴为电压) A.右移B.左移C.上移D.下移 4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将(A)。 A.增大B.减小C.不变D.不确定 5.三极管β值是反映(B )能力的参数。(三极管可改为电流控制电流源) A.电压控制电压B.电流控制电流C.电压控制电流D.电流控制电压 6.温度升高时,三极管的β值将(A )。 A.增大B.减少C.不变D.不能确定 7.下列选项中,不属三极管的参数是(B )。 A.电流放大系数B.最大整流电流 C.集电极最大允许电流D.集电极最大允许耗散功率 8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =,V U4.5 2 =,V U12 3 =,则对应该管的管脚排列依次是(B)。 A.e, b, c B.b, e, c C.b, c, e D.c, b, e 9.晶体三极管的反向电流是由(B)运动形成的。 A.多数载流子B.少数载流子 C.扩散D.少数载流子和多数载流子共同 10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V,则此三极管是(D)。(发正偏集反偏) A.PNP型硅管B.PNP型锗管C.NPN型锗管D.NPN型硅管 11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的(B)。 A.非饱和区B.饱和区C.截止区D.击穿区12.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时(B)。 A.能够形成导电沟道B.不能形成导电沟道 C.漏极电流不为零D.漏极电压为零 三、填空题 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2.少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3.PN结正偏导通,反偏截止,称为PN结的单向导电性性能。 4.PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄。 5.PN结正向偏置时,PN结的内电场被削弱。 6.三极管最重要的特性是电流放大作用。 7.温度升高时,晶体管的反向饱和电流将增大。 8.场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档

模电试题及答案

试题一 一、选择题:(每小题2分,共24分) (1)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( B )。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 (2)N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( C )。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 (3)为了减小零点漂移,通用型运放的输入级大多采用( C )。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 (4)高通滤波电路可以用于( A )。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 (5)长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是( C )。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 (6)、电路如图所示,其输出电压u O 等于( B )。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + (7)当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降( A )。 A .3d B B.4dB C.5dB (8)( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A .同相比例 B .微分 C .同相求和 (9)PN 结加正向电压时,空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (10)OCL 功率放大电路如图所示,当u i 为正半周时,则( A )。

A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1,T2导通 (11)整流的目的是( A )。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波(12)电路如图所示,二极管D为理想元件,输入信号u i为如图所示的三角波,则输出电压u o的最大值为( B )。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题:(总16 分,每空 2 分) (1)、一只晶体管在放大电路中,用万用表测出管脚对地电压分别是:A脚为12伏,B脚为11.7伏,C脚为6伏,则该管为PNP型锗管,A为e 极,B为 b 极,C为 c 极。 (2)工作在放大区的晶体管,当I B从10μA增大到20μA,I C从1mA增大到2mA,它的β为 100 。 (3)由于不易制造大容量电容,集成电路采用直接耦合放大方式。

模拟电路试卷及答案(十套)

模拟综合试卷一 一.填充题 1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a , b。 2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a, b 。 3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。 5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。 6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是 故一般功率输出级应工作于状态。 7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压u i1=u i2 ,则输出电压为 V;若 u i1=1500μV, u i2 =500μV,则差模输入电压u id 为μV,共模输入信号u ic 为μV。 8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为 的影响。 10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最; 组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。 二.选择题 1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,I CBO,u BE 的变化情况为()。 A.β增加,I CBO,和u BE 减小 B. β和I CBO 增加,u BE 减小 C.β和u BE 减小,I CBO 增加 D. β、I CBO 和u BE 都增加 2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是() A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压D. 跨导

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