WinCE 6.0的大容量NAND Flash驱动开发-论文
实验五WinCE中的驱动程序开发
WinCE中的驱动程序开发 一．实验目的 1、熟悉WinCE中流式接口驱动程序的12个接口的功能。 2、掌握流式驱动程序的工作过程。 3、能够编写出流式接口的驱动程序。 二．实验内容 使用VS2005的智能设备应用程序开发方法，进行网络通信的编程，并通信多线程技术实现服务器与客户端之间的文件传输。 三．实验设备及工具 硬件：PC机一台； 软件：Windows XP操作系统，VS2005开发环境，WinCE 6.0开发环境，或Windows Mobile 5.0 SDK 四．实验步骤及说明 (1)写出流式接口驱动程序的12个接口，及每个接口的功能。 答：见教材515页 (2)写出流式驱动程序的工作过程。 答：第一步：加载驱动程序，主要有两种加载方式：（1）当系统启动时，设备管理器搜寻注册表的HKEY_LOCAL_MACHINE\Drivers\BuiltIn键下面的子键，并逐一加载该子键下的每一个驱动，此过程称为BusEnum；（2）应用程序可调用ActivateDeviceEx()函数动态地加载驱动程序。 第二步：设备管理器从注册表的dll键值中获取驱动程序所在的DLL文件名。 第三步：设备管理器调用LoadDriver()函数把该DLL加载到自己的虚拟地址空间中。 第四步：设备管理器在注册表的HKEY_LOCAL_MACHINE\Drivers\Active下，记录所有已经加载的驱动程序。 第五步：设备管理器调用驱动程序中的COM_Init函数，并把上一步中添加的注册表项的完整路径作为COM_Init函数的第1个参数传入驱动程序内。 第六步：在COM_Init中，通常须对硬件进行一些最基本的初始化操作。 通过以上的操作完成流式驱动程序的加载任务。 对驱动程序的操作： 第一步：应用程序使用该设备。首先，应用程序调用CreateFile(TEXT(“COM1”)….)打开设备。然后，文件系统判断打开的是文件还是设备。最后，如果打开的是设备，就将控制权交回设备管理器。 第二步：设备管理器调用驱动程序的COM_Open()函数打开设备。 第三步：COM_Open()函数把打开设备的结果返回给设备管理器。 第四步：设备管理器把SMP_open()的返回结果，返回给应用程序的CreateFile()函数调用。 通过第七步到第十步，设备已被成功打开，接下来可对设备进行读/写和控制操作。下面将以从设备中读取数据为例。 第一步：应用程序使用CreateFile()调用返回的句柄，调用函数ReadFile()，向设备发送读请求。
NAND Flash中文版资料
NAND Flash 存储器 和 使用ELNEC编程器烧录NAND Flash 技术应用文档 Summer 翻译整理 深圳市浦洛电子科技有限公司 August 2006
目录 一． 简介 ----------------------------------------------------------------------------------- 1 二． NAND Flash与NOR Flash的区别 -------------------------------------------- 1 三． NAND Flash存储器结构描叙 --------------------------------------------------- 4 四． 备用单元结构描叙 ---------------------------------------------------------------- 6 五． Skip Block method（跳过坏块方式） ------------------------------------------ 8 六． Reserved Block Area method（保留块区域方式）----------------------------- 9 七． Error Checking and Correction（错误检测和纠正）-------------------------- 10 八． 文件系统 ------------------------------------------------------------------------------10 九． 使用ELNEC系列编程器烧录NAND Flash -------------------------------- 10 十． Invalid Block Management drop-down menu -------------------------------- 12 十一． User Area Settings3 -------------------------------------------------------- 13 十二． Solid Area Settings --------------------------------------------------------- 15 十三． Quick Program Check-box ---------------------------------------------- 16 十四． Reserved Block Area Options --------------------------------------------17 十五． Spare Area Usage drop-down menu ------------------------------------18
WINCE驱动开发中几个内存分配函数比较
【转】LocalAlloc,VirtualAlloc,malloc,new的异同首先明白几个概念：虚拟内存是从硬盘置换出来的，堆本身就是内存，程序运行时，可用内存=物理内存+虚拟内存。虚拟内存一般用文件来保存数据，虚拟内存的出现主要是因为以前内存不够(16M的内存刚出来的时候可是天价啊)，磁盘相对便宜一些，所以聪明的系统设计者就把设计了虚拟内存，在程序运行的时候把那些很久没有被访问过的(可能以后也不会用到）内存映射到文件里面去（以后需要的时候再读进内存），把内存腾出来给真正需要执行的代码和数据，这样看起来可用内存就比物理内存多了。 HeapAlloc（）是堆分配内存函数，查看c,c++的malloc,new函数的代码，可以看到就是对HeapAlloc（）函数的封装，在堆上可以动态分配内存。 1. 首先我们来看HeapAlloc： MSDN上的解释为：HeapALloc是从堆上分配一块内存，且分配的内存是不可移动的（即如果没有连续的空间能满足分配的大小，程序不能将其他零散的空间利用起来，从而导致分配失败），该分配方法是从一指定地址开始分配，而不像GloabalAlloc是从全局堆上分配，这个有可能是全局，也有可能是局部。函数原型为： LPVOID HeapAlloc( HANDLE hHeap, DWORD dwFlags, SIZE_T dwBytes ); hHeap是进程堆内存开始位置。 dwFlags是分配堆内存的标志。包括HEAP_ZERO_MEMORY，即使分配的空间清零。 dwBytes是分配堆内存的大小。 其对应的释放空间函数为HeapFree。 2. 再看GlobalAlloc：该函数用于从全局堆中分配出内存供程序使用，函数原型为： HGLOBAL GlobalAlloc( UINT uFlags, SIZE_T dwBytes ); uFlags参数含义 GHND GMEM_MOVEABLE和GMEM_ZEROINIT的组合 GMEM_FIXED 分配固定内存，返回值是一个指针 GMEM_MOVEABLE 分配活动内存，在Win32中,内存块不能在物理内存中移动，但能在默认的堆中移动。返回值是内存对象的句柄，用函数GlobalLock可将句柄转化为指针 GMEM_ZEROINIT 将内存内容初始化为零 GPTR GMEM_FIXED和GMEM_ZEROINIT的组合
WinCE驱动开发流程
wince驱动开发学习笔记 嵌入式技术/walking_man 发表于2007-03-20, 20:03 首先是wince驱动的分类问题。按照书上讲的说CE下驱动分成单体驱动和分层驱动,而看到另一种说法是本机驱动和流式驱动。经过microsun大哥的指点，把这两种分类法分开了。在这里引用一下：“单体与分层只是从代码的形式上做的分类.分层驱动代码上分为PD D与MDD,一般的微软已经实现了MDD，可能也实现了PDD，我们只需要对PDD做些修改就能使用，比如音频的驱动，显示的驱动。单层驱动是把PDD与MDD写在一起，没有做严格的区分，通常这种驱动比较简单，比如：ATADISK。 至于本地驱动和流式驱动是从驱动与系统其它模块(调用者)的接口 形式上做的分类.其实,本地驱动这个名称不大恰当,可能叫专用驱动或其它名字更为合适.它是指调用它的模块给它有特定的接口，比如电源驱动和通用LED驱动。而串口，网卡等就是流接口驱动程序. 所以,一个驱动程序可以是单体的流式驱动,例如:ATADISK.也可以 是分层的流式: 如OHCI ” 按照我的理解，单体和分层是驱动实现方式上的分类，而本地和流式则是驱动模型上的分类，所谓本地驱动就是操作系统有保留专门的接口，所谓流式是指编写的DLL文件里可以导出各种流式接口函数。 第二点：驱动的功能属性。设备驱动程序是操作系统内核和硬件的接口，操作系统定义了一组标准的接口，编写驱动的过程也就是实现这些接口。从应用程序到具体硬件间有如下这些环节起作用：
应用程序-调用OS函数-操作系统-驱动接口-驱动程序-硬件操作函数-硬件。在wince里驱动都以用户态的DLL存在，需要通过进程加载到slot里。共有三类系统进程用来加载：Device.exe,GWES.exe,File Sys.exe.绝大多数设备驱动都是通过Device.exe加载的。需要注意的是，不同的OS保留的设备驱动接口是不一样的，如桌面windows 和wince就不同。 第三点：wince下设备的初始化分为两个阶段：Device.exe的初始化；外设的枚举和加载。其流程是：上电-启动bootloader-启动N K-启动注册表init键（Device.exe启动）-初始化数据结构，I/O，电源管理等-加载BusEnum.dll(总线枚举器）-枚举注册表下Driver/buil din的所有子键。这里的枚举过程就是循环调用ActivateDeviceEx()函数加载驱动的过程。在OS启动完毕后，我们可以用PB的Remot e Registry Tool查看H_L_M/drivers/active包含的子键，看哪些驱动随启动而加载。 第四点：流接口驱动的概念。暴露流式接口函数的驱动即是流驱动，它把外设抽象成一个文件。过程是：应用程序使用文件API 对设备进行访问，OS接受API调用FileSys.exe，转到device.exe，调用流接口，与硬件交互。所谓流接口函数有十个，包括XXX_Init、XXX_Deinit、XXX_Open、XXX_Close、XXX_Read、XXX_Write、XXX_P owerUp、XXX_PowerDown、XXX_Seek、XXX_IOControl，在wince5.0中 增加le了XXX_PreClose,XXX_PreDeinit.而我们在应用程序里对应的文件A PI有CreateFile、DeviceIoControl、 ReadFile、 WriteFile，CloseHan dle,SetFilePointer. 第五点：编写流驱动的步骤。有两种实现途径：1。写DLL，做
NOR-FLASH驱动文档(SST39VF1601)
NOR-FLASH驱动文档(SST39VF1601)2012-03-30 00:57:33 NOR-FLASH是最早出现的Flash Memory，目前仍是多数供应商支持的技术架 构.NOR-FLASH在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用,但是由于NOR-FLASH只支持块擦除,其擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大，导致擦除和编程操作所花费的时间很长,所以在纯数据存储和文件存储的应用中显得力不从心. NOR-FLASH的特点是: 1. 程序和数据可存放在同一芯片上，FLASH芯片拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随 机读取，并且允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行； 2. 可以单字节或单字读取，但不能单字节擦除，必须以部分或块为单位或对整片执行擦除操 作，在执行写操作之前,必需先根据需要对部分,块或整片进行擦除,然后才能写入数据。 以SST系列NOR-FLASH芯片为例介绍FLASH的使用方法及驱动. 首先,在驱动的头文件中,要根据芯片的具体情况和项目的要求作如下定义: 1. 定义操作的单位,如 typedef unsigned char BYTE; // BYTE is 8-bit in length typedef unsigned short int WORD; // WORD is 16-bit in length typedef unsigned long int Uint32; // Uint32 is 32-bit in length 在这里地址多是32位的,芯片写操作的最小数据单位为WORD,定义为16位,芯片读操作的最小数据单位是BYTE,定义为8位. 2. 因为芯片分为16位和32位的,所以对芯片的命令操作也分为16位操作和32位操作(命令 操作在介绍具体的读写过程中将详细介绍). #ifdef GE01 /*宏NorFlash_32Bit，若定义了为32位NorFlash，否则为16位NorFlash*/ #define NorFlash_32Bit #endif 3. 根据芯片的情况,定义部分(段)和块的大小. #define SECTOR_SIZE 2048 // Must be 2048 words for 39VF160X #define BLOCK_SIZE 32768 // Must be 32K words for 39VF160X
Wince6.0驱动开发
Wince6.0驱动开发 (1) 在WINCE600\PLATFORM\LPC32XX \SRC\DRIVERS目录下新建一个目录MyDriver. (2) 在MyDriver目录下新建5个文件。 a) MyDriver.c 实现流接口函数的具体代码。 b) MyDriver.h 为MyDriver.h的头文件。 c) MyDriver.def 定义导出的函数名称。 d) makefile 与其它驱动的相同，不用改。 e) sources 链接和编绎文件。 (3) 前缀定义为MYD (4)文件内容完成后，在平台的“解决方案”的界面下，寻找FLATFORM\LPC32XX\src\drivers\MyDriver,然后单击鼠标右键，在弹出的菜单中选择“Build”,开始编绎驱动，完成后，在WINCE600\PLATFORM\LPC321XX\target\ARMV4I\retail下可找到MyDriver.dll. (5) 驱动加载的方法：手动，自动。 这里介绍自动加载的方法： a) 在MyDriver目录的位置找到dirs文件，在该文件中插入一行mydriver （都为小写）,并在上一行后加“\”。 b) 在平台的“解决方案”的界面下，寻找FLATFORM\LPC32XX\Parameter Files\platform.bib.打开此文件，在相关位置添加mydriver(_FLATRELEASEDIR)\mydriver.dll NK SHK SHK指明该文件的属性，S—系统文件，H—隐藏文件，K—在内核中的位置固定。 c) 在Platform.req文件中相关位置添加程序如下： ；MyDriver [HKEY_LOCAL_MACHINE\Drivers\BuiltIn\MYD] “Prefix”=”MYD”
浅谈NorFlash的原理及其应用
浅谈NorFlash的原理及其应用 NOR Flash NOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel 于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器）和EEPROM（电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。 2、NAND的写入速度比NOR快很多。 3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。 5 、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。此外，NAND 的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外，Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。详解 NOR
总结NAND FLASH控制器的操作
NAND FLASH相对于NOR FLASH而言，其容量大，价格低廉，读写速度都比较快，因而得到广泛应用。NOR FLASH的特点是XIP，可直接执行应用程序， 1～4MB时应用具有很高的成本效益。但是其写入和擦除的速度很低直接影响了其性能。 NAND FLASH不能直接执行程序，用于存储数据。在嵌入式ARM应用中，存储在其中的数据通常是读取到SDROM中执行。因为NAND FLASH主要接口包括 几个I/O口，对其中的数据都是串行访问，无法实现随机访问，故而没有执行程序。 NAND FLASH接口电路是通过NAND FLAH控制器与ARM处理器相接的，许多ARM处理器都提供NAND FLASH控制器，为使用NAND FLASH带来巨大方便。 K9F2G08U0B是三星公司的一款NAND FLASH产品。 K9F2G08U0B包含8个I/O，Vss、Vcc、以及控制端口（CLE、ALE、CE、RE、WE、WP、R/B）。其存储结构分块。 共2K 块 每块大小16 页 每页大小2K + 64BYTE 即容量=块数×页数×每页大小=2K×16×（2K + 64BYTE）=256M BYTE + 8M BYTE NAND FLASH控制器提供了OM[1:0]、NCON、GPG13、GPG14、GPG15共5个信号来选择NAND FLASH启动。 OM[1:0]=0b00时，选择从NAND FLASH启动。 NCON：NAND FLASH类型选择信号。 GPG13：NAND FLASH页容量选择信号。 GPG14：NAND FLASH地址周期选择信号。 GPG15:NAND FLASH接口线宽选择。0：8bit总线宽度；1：16bit总线宽度。 访问NAND FLASH 1）发生命令：读、写、还是擦除 2）发生地址：选择哪一页进行上述操作 3）发生数据：需要检测NAND FLASH内部忙状态 NAND FLASH支持的命令： #define CMD_READ1 0x00 //页读命令周期1 #define CMD_READ2 0x30 //页读命令周期2 #define CMD_READID 0x90 //读ID 命令 #define CMD_WRITE1 0x80 //页写命令周期1 #define CMD_WRITE2 0x10 //页写命令周期2 #define CMD_ERASE1 0x60 //块擦除命令周期1 #define CMD_ERASE2 0xd0 //块擦除命令周期2 #define CMD_STATUS 0x70 //读状态命令 #define CMD_RESET 0xff //复位 #define CMD_RANDOMREAD1 0x05 //随意读命令周期1
开发wince驱动步骤
开发wince驱动步骤： software：VS20005+wince6.0+BSP hardware：AT91SAM9261开发板（MCUZONE）1在vs2005新建一个驱动工程DemoDrv。
2编写好所有DemoDrv的源文件，例如“.cpp”or“.c”or“.REG”文件，特别注意source文件编写，然后单独编译DemoDrv看有无错误，这样避免全部编译NK导致时间太久。然后立即看到编译结果。若编译成功，会在$:\WINCE600\PLATFORM\AT91SAM9261EK\target目录有相应的DemoDrv.dll文件。（在实现文件“.c”需添加串口抛出信息以便调试）在如图所示：
3在目录$:\WINCE600\PLATFORM\AT91SAM9261EK\FILES找到配置文件：platform.reg 和platform.bib文件。 platform.bib文件添加： IF BSP_AT91SAM9261EK_DemoDrv DemoDrv.dll$(_FLATRELEASEDIR)\DemoDrv.dll NK SHK ENDIF BSP_AT91SAM9261EK_LED platform.reg文件添加： IF BSP_AT91SAM9261EK_DemoDrv #include"$(_TARGETPLATROOT)\SRC\DRIVERS\DemoDrv\DemoDrv.reg" ENDIF BSP_AT91SAM9261EK_LED 添加后分别保存。 4在$:\WINCE600\PLATFORM\AT91SAM9261EK\CATALOG目录下at91sam9261ek.PbcXml 文件打开： 添加文件：
STM32使用FSMC控制NAND flash 例程概要
本文原创于观海听涛,原作者版权所有,转载请注明出处。 近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH,但由于开发板例程以及固件库是用于小页(512B,我要用到的FLASH为1G bit的大页(2K,多走了两天弯路。以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND,并作驱动。 本文硬件:控制器:STM32F103ZET6,存储器:HY27UF081G2A 首先说一下NOR与NAND存储器的区别,此类区别网上有很多,在此仅大致说明: 1、Nor读取速度比NAND稍快 2、Nand写入速度比Nor快很多 3、NAND擦除速度(4ms远快于Nor(5s 4、Nor 带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很轻松的挂接到CPU 地址和数据总线上,对CPU要求低 5、NAND用八个(或十六个引脚串行读取数据,数据总线地址总线复用,通常需要CPU支持驱动,且较为复杂 6、Nor主要占据1-16M容量市场,并且可以片内执行,适合代码存储 7、NAND占据8-128M及以上市场,通常用来作数据存储 8、NAND便宜一些 9、NAND寿命比Nor长 10、NAND会产生坏块,需要做坏块处理和ECC 更详细区别请继续百度,以上内容部分摘自神舟三号开发板手册
下面是NAND的存储结构: 由此图可看出NAND存储结构为立体式 正如硬盘的盘片被分为磁道,每个磁道又分为若干扇区,一块nand flash也分为若干block,每个block分为如干page。一般而言,block、page之间的关系随着芯片的不同而不同。 需要注意的是,对于flash的读写都是以一个page开始的,但是在读写之前必须进行flash 的擦写,而擦写则是以一个block为单位的。 我们这次使用的HY27UF081G2A其PDF介绍: Memory Cell Array = (2K+64 Bytes x 64 Pages x 1,024 Blocks 由此可见,该NAND每页2K,共64页,1024块。其中:每页中的2K为主容量Data Field, 64bit为额外容量Spare Field。Spare Field用于存贮检验码和其他信息用的,并不能存放实际的数据。由此可算出系统总容量为2K*64*1024=134217728个byte,即1Gbit。NAND闪存颗粒硬件接口: 由此图可见,此颗粒为八位总线,地址数据复用,芯片为SOP48封装。 软件驱动:(此部分写的是伪码,仅用于解释含义,可用代码参见附件 主程序: 1. #define BUFFER_SIZE 0x2000 //此部分定义缓冲区大小,即一次写入的数据 2. #define NAND_HY_MakerID 0xAD //NAND厂商号 3. #define NAND_HY_DeviceID 0xF1 //NAND器件号 4. /*配置与SRAM连接的FSMC BANK2 NAND*/
NAND FLASH在储存测试中的应用
NAND FLASH在储存测试系统中的应用(3) 2009-11-09 22:35:43 来源:王文杰马游春李锦明 关键字：NAND FLASH 储存测试K9K8G08UOM 2 NAND FLASkI Memory的硬件部分 本设计当中，FLASH的数据输入输出口、控制端口通过调理电路与FPGA的端口相连，图4所示是其硬件连接电路。 从图4中可知，FLASH的数据输入输出端口I／00～7、控制端口／CE、是通过芯片SN54LV245与FPGA相连；FLASH的控制端口cLE、ALE、／WE、／RE通过芯片SN54LV245和芯片74HCl4与ITGA相连。其中F-CLE、F-ALE、F—WE、F-RE、F—CE、F- R／Bur是FPGA的I／O口，是FPGA逻辑的输入输出口。CLE、ALE信号是FLASH存储器命令、地址锁存使能信号,／WE是保证命令、地址、数据能否及时正确的写入FLASH 的信号，／RE信号控制着数据的读取，这些信号的精确度关系着FLASH存储、读数功能的实现。所以，这些信号的好坏直接关系着FLASH的正常工作。经实践的电路调试，这些信号在传输过程中受到了其它因素的干扰，信号明显失真，在电路中加入74HCl4(非门)以后，信号会变得光滑，准确。 芯片SN54LV245是八进制三态总线收发器，DIR=1时，总线传输方向从A→B；DIR=0时，总线传输方向从B→A。／OE是片选信号。／0E，DIR信号是由FPGA内部编程逻辑控制的。 FL,ASH接口中，为了保证／wE、／RE、／CE、R／B控制信号初始状态无效，由硬件电路实现端口值拉高。本设计中不使用写保护功能，所以／WP端口也接上了上拉电阻。 3 结束语 基于闪存技术的固态存储器存储密度大，功耗小，可靠性高，体积小重量轻且成本也在不断降f氐，在航空应用中有良好的应用前景。在设计储存测试系统时选用大容量的NAIXD FLASH存储器大大提高了储存、读取速度，并且设计电路结构简单，易于修改。 (本文转自电子工程世界：http://www.eewo
nandflash用法
6 NAND FLASH CONTORLLER OVERVIEW In recent times, NOR flash memory gets high in price while an SDRAM and a NAND flash memory is comparatively economical , motivating some users to execute the boot code on a NAND flash and execute the main code on an SDRAM. S3C2440A boot code can be executed on an external NAND flash memory. In order to support NAND flash boot loader, the S3C2440A is equipped with an internal SRAM buffer called ‘Steppingstone’. When booting, the first 4K Bytes of the NAND flash memory will be loaded into Steppingstone and the boot code loaded into Steppingstone will be executed. Generally, the boot code will copy NAND flash content to SDRAM. Using hardware ECC, the NAND flash data validity will be checked. Upon the completion of the copy, the main program will be executed on the SDRAM. comparatively 比较地、相当地 motivating v. 激励；刺激；调动…的积极性（motivate的ing形式） execute vt. 实行；执行；处死 internal n. 内脏；本质adj. 内部的；里面的；体内的；（机构）内部的 Steppingstone n. 踏脚石；进身之阶；达到目的的手段 validity n. [计] 有效性；正确；正确性 content n. 内容，目录；满足；容量adj. 满意的；vt. 使满足 FEATURES 1. Auto boot: The boot code is transferred into 4-kbytes Steppingstone during reset. After the transfer, the boot code will be executed on the Steppingstone. 2. NAND Flash memory I/F: Support 256Words, 512Bytes, 1KWords and 2KBytes Page. 3. Software mode: User can directly access NAND flash memory, for example this feature can be used in read/erase/program NAND flash memory. 4. Interface: 8 / 16-bit NAND flash memory interface bus. 5. Hardware ECC generation, detection and indication (Software correction). 6. SFR I/F: Support Little Endian Mode, Byte/half word/word access to Data and ECC Data register, and Word access to other registers 7. SteppingStone I/F: Support Little/Big Endian, Byte/half word/word access. 8. The Steppingstone 4-KB internal SRAM buffer can be used for another purpose after NAND flash booting. 特性 1。自动引导:在复位时，引导代码写入4-k字节的中转区，在转移后启动 代码将在中转区上执行。 2。NAND闪存接口:支持256字，512字节，1k字和2KB字节页。 3。软件模式:用户可以直接访问NAND闪存，例如这个特性可以用于 读/写/擦除NAND闪存。
NAND Flash原理和使用
目录 1．概述 (2) 2．功能框图 (3) 3．管脚 (3) 4．寻址 (4) 5．总线操作 (5) 6．命令表 (6) 7．PAGE READ，0x00-0x30 (7) 8．RANDOM DATA READ，0x05-0xE0 (7) 9．PAGE READ CACHE MODE START，0x31；PAGE READ CACHE MODE START LAST，0x3F (8) 10．READ ID，0x90 (8) 11．READ STATUS，0x70 (9) 12．编程操作 (9) 13．内部数据搬移 (11) 14．块擦除操作，0x60-0xD0 (12) 15．复位操作，0xFF (13) 16．写保护操作 (13) 17．错误管理 (14)
以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用。 1．概述 MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线（I/O[7:0]）来传输数据、地址、指令。5个命令脚（CLE、ALE、CE#、WE#）实现NAND命令总线接口规程。3个附加的脚用作: 控制硬件写保护（WP#）、监视芯片状态（R/B#），和发起上电自动读特征（PRE-仅3V芯片支持）。注意, PRE功能不支持宽温芯片。 MT29F2G08内部有2048个可擦除的块，每个块分为64个可编程的页，每个页包含2112字节（2048个字节作为数据存储区，64个备用字节一般作为错误管理使用）。 每个2112个字节的页可以在300us内编程，每个块（64x2112=132K）可以在2ms内被擦除。片上控制逻辑自动进行PROGRAM和ERASE操作。 NAND的内部存储阵列是以页为基本单位进行存取的。读的时候，一页数据从内部存储阵列copy到数据寄存器，之后从数据寄存器按字节依次输出。写（编程）的时候，也是以页为基本单位的：起始地址装载到内部地址寄存器之后，数据被依次写入到内部数据寄存器，在页数据写入之后，阵列编程过程启动。 为了增加编程的速度，芯片有一个CACHE寄存器。在CACHE编程模式，数据先写入到CACHE寄存器，然后再写入到数据寄存器，一旦数据copy进数据寄存器后，编程就开始。在数据寄存器被装载及编程开始之后，CACHE寄存器变为空，可以继续装载下一个数据，这样内部的编程和数据的装载并行进行，提高了编程速度。 内部数据搬移命令（INTERNAL DATA MOVE）也使用内部CAHCE寄存器，通常搬移数据需要很长时间，通过使用内部CACHE寄存器和数据寄存器，数据的搬移速度大大增加，且不需要使用外部内存。
STM32使用FSMC控制NAND flash 例程
本文原创于观海听涛，原作者版权所有，转载请注明出处。 近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH，但由于开发板例程以及固件库是用于小页（512B），我要用到的FLASH为1G bit的大页（2K），多走了两天弯路。以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND，并作驱动。 本文硬件：控制器：STM32F103ZET6，存储器：HY27UF081G2A 首先说一下NOR与NAND存储器的区别，此类区别网上有很多，在此仅大致说明： 1、Nor读取速度比NAND稍快 2、Nand写入速度比Nor快很多 3、NAND擦除速度（4ms）远快于Nor（5s） 4、Nor 带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很轻松的挂接到CPU地址和数据总线上，对CPU要求低 5、NAND用八个（或十六个）引脚串行读取数据，数据总线地址总线复用，通常需要CPU支持驱动，且较为复杂 6、Nor主要占据1-16M容量市场，并且可以片内执行，适合代码存储 7、NAND占据8-128M及以上市场，通常用来作数据存储 8、NAND便宜一些 9、NAND寿命比Nor长 10、NAND会产生坏块，需要做坏块处理和ECC 更详细区别请继续百度，以上内容部分摘自神舟三号开发板手册 下面是NAND的存储结构： 由此图可看出NAND存储结构为立体式 正如硬盘的盘片被分为磁道，每个磁道又分为若干扇区，一块nand flash也分为若干block，每个block分为如干page。一般而言，block、page之间的关系随着芯片的不同而不同。 需要注意的是，对于flash的读写都是以一个page开始的，但是在读写之前必须进行flash 的擦写，而擦写则是以一个block为单位的。 我们这次使用的HY27UF081G2A其PDF介绍： Memory Cell Array = (2K+64) Bytes x 64 Pages x 1,024 Blocks 由此可见，该NAND每页2K，共64页，1024块。其中：每页中的2K为主容量Data Field，64bit为额外容量Spare Field。Spare Field用于存贮检验码和其他信息用的，并不能存放实际的数据。由此可算出系统总容量为2K*64*1024=134217728个byte，即1Gbit。NAND闪存颗粒硬件接口： 由此图可见，此颗粒为八位总线，地址数据复用，芯片为SOP48封装。 软件驱动：（此部分写的是伪码，仅用于解释含义，可用代码参见附件） 主程序： 1. #define BUFFER_SIZE 0x2000 //此部分定义缓冲区大小，即一次写入的数据 2. #define NAND_HY_MakerID 0xAD //NAND厂商号 3. #define NAND_HY_DeviceID 0xF1 //NAND器件号
在wince应用程序中直接访问硬件
平台：wince5.0.0OK2440-III BSP 直接在wince下操作硬件可以避免烧写NK，避免繁琐的驱动调试，用来验证硬件好坏非常有用，是系统起来后调试外设的很好的手段。 一、在平台 wince平台是比较成熟的平台，驱动比较好调试，驱动和应用的写法可以一模一样，甚至可以采用EVC来开发流驱动，效果不错。 在上直接访问硬件有如下方法： 1、直接访问uncached虚拟地址，成功案例如下： //-GPB for LCD backlight control 0xB16000XX is uncached Address#define rGPBCON(*(volatile unsigned *)0xB1600010)//Port B control#define rGPBDAT(*(volatile unsigned *)0xB1600014)//Port B data#definerGPBUP(*(volatileunsigned*)0xB1600018)//Pull-upcontrolB下面的代码在EVC下成功控制了背光。 // test is OK ---the backlight is controlled void CSPI_wifi_testDlg::OnButton3() { // TODO: Add your control notification handler code here// setting GPB1out [3:2]=01 rGPBCON& rGPBCON| rGPBDAT| }=~(1<<3); =(1<<2);
=(1<<1);// backlight on // backlight off //rGPBDAT&=~(1<<1); 2、使用MmMapIoSpace以及MmUnmapIoSpace访问 其实MmMapIoSpace以及MmUnmapIoSpace就是用VirtualAlloc和VirtualCopy实现的，下面地址有一篇文章详细介绍 MmMapIoSpace以及MmUnmapIoSpace成功访问硬件案例： void CDlgDemoDlg::OnButton1() { // TODO: Add your control notification handler code here//unsigned char *gpio_base; unsigned int *gpio_base; OutputDebugString(L"TestDrv - LedDrive1\n"); //PUCHAR ioPortBase; PHYSICAL_ADDRESS PortAddress = {0x, 0};//LowPart=0x；HighPart=0;gpio_base =(unsigned int *)MmMapIoSpace( PortAddress, 0x04,FALSE );//获得内存，4字节大小。 *gpio_base = 0x0585FF87; }//直接访问硬件 //释放内存 MmUnmapIoSpace(gpio_base,0x04); 3、用VirtualAlloc和VirtualCopy访问硬件