基于加速性能退化的元器件贮存寿命预测

常用贴片元件封装尺寸图

常用贴片元件封装尺寸图 目录 1 TO-268AA 41 D-7343 2 TO-26 3 D2PAK 42 C-6032 3 TO-263-7 43 B-3528 4 TO-263- 5 44 A-3216 5 TO-263-3 45 SOT883 6 TO-252 DPAK 46 SOT753 7 TO-252-5 47 SOT666 8 TO252-3 48 SOT663 9 2010 49 SOT552-1 10 4020 50 1SOT523 11 0603 51 SOT505-1 12 0805 52 SOT490-SC89 13 01005 53 SOT457 SC74 14 1008 54 SOT428 15 1206 55 SOT416/SC75 16 1210 56 SOT663 SMD 17 1406 57 SOT363 SC706L 18 1812 58 SOT353/sc70 5L 19 1808 59 SOT346/SC59 20 1825 60 SOT343 SMD 21 2010 61 SOT323/SC70-3 SMD 22 2225 62 SOT233 SMD 23 2308 63 SOT-223/TO-261AA SMD 24 2512 64 SOT89/TO243AA SC62 SMD 25 DO-215AB 65 SOT23-8 26 DO-215AA 66 SOT23-6 27 DO-214AC 67 SOT23-5 28 DO-214AB 68 SOT23 29 DO-214AA 69 SOT143/TO253 SMD 30 DO-214 31 DO-213AB 32 DO-213AA 33 SOD123H 34 SOD723 35 SOD523 36 SOD323 37 SOD-123F 38 SOD123 39 SOD110 40 DO-214AC SOD106

载流子寿命

载流子寿命 半导体中的非平衡载流子寿命是半导体的一个基本特性参数，它的长短将直接影响到依靠少数载流子来工作的半导体器件的性能，这种器件有双极型器件和p-n结光电子器件等。但是，对于在结构上包含有p-n结的单极型器件（例如MOSFET）也会受到载流子寿命的影响。 非平衡载流子寿命主要是指非平衡少数载流子的寿命。影响少子寿命的主要因素是半导体能带结构和非平衡载流子的复合机理；对于Si、Ge、GaP等间接禁带半导体，一般决定寿命的主要因素是半导体中的杂质和缺陷。 对于少子寿命有明显依赖关系的电子器件特性，主要有双极型器件的开关特性、导通特性和阻断特性；对于光电池、光电探测器等之类光电子器件，与少子寿命直接有关的特性主要有光生电流、光生电动势等。 （1）少子寿命对半导体器件性能的影响： ①双极型器件的开关特性与少子寿命的关系： 双极型器件的开关特性在本质上可归结为p-n结的开关性能。 p-n结的开关时间主要是关断时间，而关断时间基本上就是导通时注入到扩散区中的少子电荷消失的过程时间（包括有存储时间和下降时间两个过程）。少子寿命越短，开关速度就越快。因此，为了提高器件的开关速度，就应该减短少子寿命。 ②器件的阻断特性与少子寿命的关系： 半导体器件在截止状态时的特性——阻断特性，实际上也就是p-n结在反向电压下反向漏电流大小的一种反映。因此，这里器件的阻断特性不单指双极型器件，而且也包括场效应器件在内。 p-n结的反向漏电流含有两个分量：一是两边扩散区的少子扩散电流，二是势垒区中复合中心的产生电流；这些电流都与少子寿命有关，载流子寿命越长，反向漏电流就越小，则器件的阻断特性也就越好。当载流子寿命减短到一定程度时，反向电流即大幅度地上升，就会产生反向电流不饱和的“软”的阻断特性。 一般，硅p-n结的反向漏电流主要是势垒区复合中心的产生电流，因此载流子的产生寿命将严重地影响到器件的阻断特性。所以注意工艺控制，减小杂质和缺陷的不良影响，对于提高器件的阻断特性至关重要。 总之，为了获得良好的器件阻断特性，要求器件应该具有较长的少数载流子寿命。为此，

半导体器件(附答案)

第一章、半导体器件（附答案） 一、选择题 1．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 ________ A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2．设二极管的端电压为 u ，则二极管的电流方程是 ________ A. B. C. 3．稳压管的稳压是其工作在 ________ A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿区 4．V U GS 0=时，能够工作在恒流区的场效应管有 ________ A. 结型场效应管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管 5．对PN 结增加反向电压时，参与导电的是 ________ A. 多数载流子 B. 少数载流子 C. 既有多数载流子又有少数载流子 6．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____ A. 增加 B. 减少 C. 不变 7．用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测 量结果 ______ A. 相同 B. 第一次测量植比第二次大 C. 第一次测量植比第二次小 8．面接触型二极管适用于 ____ A. 高频检波电路 B. 工频整流电路 9．下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是： ____ A. 2CZ11 B. 2CP10 C. 2CW11 D.2AP6 10．当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=。若其他参数不变，当温度上 升到40℃，则D U 的大小将 ____ A. 等于 0.7V B. 大于 0.7V C. 小于 0.7V 11．当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 _____ A. 两种 B. 三种 C. 四种 12．在图中，稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ，且工作在稳压状态，由此可知输 出电压O U 为 _____ A. 6V B. 7V C. 0V D. 1V

SMT常见贴片元器件封装类型和尺寸

1、SMT 表面封装元器件图示索引（完善） 名称 图示 常用于 备注 Chip 电阻，电容，电感 片式元件 MLD ： Molded Body 钽电容，二极 管 模制本体元件 CAE ： Aluminum Electrolytic Capacitor 铝电解电容 有极性 Melf ： Metal Electrode Face 圆柱形玻璃二极管, 电阻（少见） 二个金属电极 SOT ： Small Outline Transistor 三极管，效应管 小型晶体管 JEDEC(TO) EIAJ(SC) TO ： Transistor Outline 电源模块 晶体管外形的贴片元件 JEDEC(TO) OSC ： Oscillator 晶振 晶体振荡器 Xtal ：Crystal 晶振 二引脚晶振

SOD： Small Outline Diode 二极管 小型二极管（相 比插件元件） JEDEC SOIC： Small Outline IC 芯片，座子小型集成芯片 SOP： Small Outline Package 芯片 小型封装，也称 SO，SOIC 引脚从封装 两侧引出呈 海鸥翼状(L 字形) 前缀： S：Shrink T：Thin SOJ： Small Outline J-Lead 芯片 J型引脚的小芯 片【也成丁字形】 LCC： Leadless Chip carrier 芯片 无引脚芯片载 体： 指陶瓷基板的四 个侧面只有电极 接触而无引脚的 表面贴装型封 装。也称为陶瓷 QFN 或QFN-C PLCC： plastic leaded Chip carrier 芯片 引脚从封装的四 个侧面引出，呈 丁字形或J型， 是塑料制品。DIP： Dual In-line Package 变压器，开关, 芯片 双列直插式封 装：引脚从封装 两侧引出QFP： Quad Flat Package 芯片 四方扁平封装： 引脚从四个侧面 引出呈海鸥翼 (L)型。基材有陶

半导体器件物理 试题库

半导体器件试题库 常用单位： 在室温（T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为 n i = 1.5×1010/cm 3 电荷的电量q= 1.6×10-19C μn =1350 2cm /V s ? μp =500 2 cm /V s ? ε0=8.854×10-12 F/m 一、半导体物理基础部分 （一）名词解释题 杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵消 的作用，通常称为杂质的补偿作用。 非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度， 额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。 迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电场下的漂移速度。 晶向： 晶面： （二）填空题 1．根据半导体材料内部原子排列的有序程度，可将固体材料分为 、多晶和 三种。 2．根据杂质原子在半导体晶格中所处位置，可分为 杂质和 杂质两种。 3．点缺陷主要分为 、 和反肖特基缺陷。 4．线缺陷，也称位错，包括 、 两种。 5．根据能带理论，当半导体获得电子时，能带向 弯曲，获得空穴时，能带 向 弯曲。 6．能向半导体基体提供电子的杂质称为 杂质；能向半导体基体提供空穴的杂 质称为 杂质。 7．对于N 型半导体，根据导带低E C 和E F 的相对位置，半导体可分为 、弱简 并和 三种。 8．载流子产生定向运动形成电流的两大动力是 、 。

9．在Si-SiO 2系统中，存在 、固定电荷、 和辐射电离缺陷4种基 本形式的电荷或能态。 10．对于N 型半导体，当掺杂浓度提高时，费米能级分别向 移动；对于P 型半 导体，当温度升高时，费米能级向 移动。 （三）简答题 1．什么是有效质量，引入有效质量的意义何在？有效质量与惯性质量的区别是什么？ 2．说明元素半导体Si 、Ge 中主要掺杂杂质及其作用？ 3．说明费米分布函数和玻耳兹曼分布函数的实用范围？ 4．什么是杂质的补偿，补偿的意义是什么？ （四）问答题 1．说明为什么不同的半导体材料制成的半导体器件或集成电路其最高工作温度各不相同？ 要获得在较高温度下能够正常工作的半导体器件的主要途径是什么？ （五）计算题 1．金刚石结构晶胞的晶格常数为a ，计算晶面（100）、（110）的面间距和原子面密度。 2．掺有单一施主杂质的N 型半导体Si ，已知室温下其施主能级D E 与费米能级F E 之差为 1.5B k T ，而测出该样品的电子浓度为 2.0×1016cm -3，由此计算： （a ）该样品的离化杂质浓度是多少？ （b ）该样品的少子浓度是多少？ （c ）未离化杂质浓度是多少？ （d ）施主杂质浓度是多少？ 3．室温下的Si ，实验测得430 4.510 cm n -=?，153510 cm D N -=?， （a ）该半导体是N 型还是P 型的？ （b ）分别求出其多子浓度和少子浓度。 （c ）样品的电导率是多少？ （d ）计算该样品以本征费米能级i E 为参考的费米能级位置。 4．室温下硅的有效态密度1932.810 cm c N -=?，1931.110 cm v N -=?，0.026 eV B k T =，禁带 宽度 1.12 eV g E =，如果忽略禁带宽度随温度的变化

《半导体器件》习题及参考答案

第二章 1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为0.8μm，求零偏压下的总耗尽层宽度、内建电势和最大电场强度。 解：)0(,22≤≤-=x x qax dx d p S εψ )0(,2 2n S D x x qN dx d ≤≤-=εψ 0),(2)(22 ≤≤--=- =E x x x x qa dx d x p p S εψ n n S D x x x x qN dx d x ≤≤-=- =E 0),()(εψ x ＝0处E 连续得x n ＝1.07μm x 总=x n +x p =1.87μm ?? =--=-n p x x bi V dx x E dx x E V 0 516.0)()( m V x qa E p S /1082.4)(25 2max ?-=-= ε,负号表示方向为n 型一侧指向p 型一侧。 2 一个理想的p-n 结，N D ＝1018cm －3，N A ＝1016cm －3，τp＝τn＝10－6s ，器件的面积为1.2×10－5cm －2，计算300K 下饱和电流的理论值，±0.7V 时的正向和反向电流。 解：D p ＝9cm 2/s ，D n ＝6cm 2/s cm D L p p p 3103-?==τ，cm D L n n n 31045.2-?==τ n p n p n p S L n qD L p qD J 0 + =

I S =A*J S =1.0*10-16A 。 ＋0.7V 时，I ＝49.3μA ， －0.7V 时，I ＝1.0*10-16A 3 对于理想的硅p +-n 突变结，N D ＝1016cm －3，在1V 正向偏压下，求n 型中性区内存贮的少数载流子总量。设n 型中性区的长度为1μm，空穴扩散长度为5μm。 解：P ＋ >>n ，正向注入：0)(2 202=---p n n n n L p p dx p p d ，得： ) sinh() sinh() 1(/00p n n p n kT qV n n n L x W L x W e p p p ---=- ??=-=n n W x n n A dx p p qA Q 20010289.5)( 4一个硅p +-n 单边突变结，N D ＝1015cm －3，求击穿时的耗尽层宽度，若n 区减小到5μm，计算此时击穿电压。 解：m V N E B g c /1025.3)1 .1E )q ( 101.148 14 32 1S 7 ?=?=（ ε V qN E V B C S B 35022 == ε m qN V x B B S mB με5.212== n 区减少到5μm 时，V V x W x V B mB mB B 9.143])(1[2 2 /=--＝ 第三章 1 一个p +-n-p 晶体管，其发射区、基区、集电区的杂质浓度分别是5×1018，1016，1015cm －3，基区宽度W B 为1.0μm，器件截面积为3mm 2。当发射区－基区结上的正向偏压为0.5V ，集电区－基区结上反向偏压为5V 时，计算

最全贴片元件的封装

常用贴片元件封装 1 电阻： 最为常见的有0201、0402、0805、0603、1206、1210、1812、2010、2512几类1）贴片电阻的封装与尺寸如下表： 英制(mil) 公制(mm) 长(L)(mm) 宽(W)(mm) 高(t)(mm) 0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.05 0.23±0.05 0402 1005 1.00±0.10 0.50±0.10 0.30±0.10 0603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50±0.10 1206 3216 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55±0.10 1210 3225 3.20±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 1812 4832 4.50±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2010 5025 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 2512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2）贴片电阻的封装、功率与电压关系如下表： 英制(mil)公制(mm)额定功率@ 70°C 最大工作电压(V) 0201 0603 1/20W 25 0402 1005 1/16W 50 0603 1608 1/10W 50 0805 2012 1/8W 150 1206 3216 1/4W 200 1210 3225 1/3W 200 1812 4832 1/2W 200 2010 5025 3/4W 200 2512 6432 1W 200 3）贴片电阻的精度与阻值 贴片电阻阻值误差精度有±1％、±2％、±5％、±10％精度， J －表示精度为5％、 F－表示精度为1％。 T －表示编带包装 阻值范围从0R-100M 4）贴片电阻的特性 ·体积小，重量轻； ·适应再流焊与波峰焊； ·电性能稳定，可靠性高； ·装配成本低，并与自动装贴设备匹配； ·机械强度高、高频特性优越。 2电容： 1）贴片电容可分为无极性和有极性两种，容值范围从0.22pF-100uF 无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603； 英制尺寸公制尺寸长度宽度厚度 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20

贴片电容基础知识

贴片电容 英贴片电容全称：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。英文全称：Multi-layerceramiccapacitors。英文缩写：MLCC。 目录 一、基本概述二、尺寸 三、命名四、分类 五、MLCC电容品牌与选型六、作用 七、内部结构八、封装 一、基本概述 贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法。 二、尺寸 贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，是英寸表示法，04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02英寸，其他类同型号尺寸（mm） 三、命名 1、贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、要求的精度、电压的要求、容量值、以及要求的品牌即可。如下 华新科（WALSIN）系列的贴片电容的命名： 原厂命名料号：0805N102J500CT 0805：是指该贴片电容的尺寸套小，是用英寸来表示的08 表示长度是0.08 英寸、05 表示宽度为 0.05 英寸； N：是表示做这种电容要求用的材质，这个材质一般适合于做小于10000PF以下的电容；102：是指电容容量，前面两位是有效数字、后面的2 表示有多少个零102=10×102也就是= 1000PF ； J：是要求电容的容量值达到的误差精度为5%，介质材料和误差精度是配对的；500：是要求电容承受的耐压为50V 同样500前面两位是有效数字，后面是指有多少个零； C：是指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极（银/铜层）、镍、锡 T：是指包装方式； T：表示7"盘装编带包装； 2、贴片电容的颜色，常规见得多的就是比纸板箱浅一点的黄和青灰色，这在具体的生产过程中会有

常用电子元件封装尺寸规格汇总

常用电子元件封装、尺寸、规格汇总 贴片电阻规格 贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸： 贴片元件的封装 一、零件规格: (a)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表英制表示法1206 0805 0603 0402 公制表示法3216 2125 1608 1005含义L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm) L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm) L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm) L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm) 注： a、L（Length）：长度；W（Width）：宽度；inch：英寸 b、1inch=25.4mm（b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。（c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。（d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。二、常用元件封装1）电阻：最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照

半导体器件的贮存寿命

半导体器件的贮存寿命 时间:2008-09-03 08:34来源:可靠性论坛作者:张瑞霞，徐立生，高兆丰点击:1291次１引言高可靠半导体器件在降额条件（Tj＝１００℃）下的现场使用失效率可以小于１０－８／ｈ，即小于10FIT，按照偶然失效期的指数分布推算，其平均寿命MTTF大于１０８ｈ，即大于１００００年。据文献报导，电子元器件的贮存失效率比工作失效率还要小一个数量级 １引言 高可靠半导体器件在降额条件（Tj＝１００℃）下的现场使用失效率可以小于１０－８／ｈ，即小于10FIT，按照偶然失效期的指数分布推算，其平均寿命MTTF大于１０８ｈ，即大于１００００年。据文献报导，电子元器件的贮存失效率比工作失效率还要小 一个数量级，即小于１Ｆｉｔ。 国内航天用电子元器件有严格的超期复验规定，航天各院都有自己的相应标准，其内容大同小异［１］。半导体器件在Ι类贮存条件下的有效贮存期最早规定为３年，后放宽到４年，最近某重点工程对进口器件又放宽到５年，比较随意。同时规定，每批元器件的超期复验不得超过２次。 美军标规定对贮存超过３６个月的器件在发货前进行Ａ１分组、Ａ２分组以及可焊性检验［２］，并没有有效贮存期的规定。 在俄罗斯军用标准中，半导体器件的最短贮存期一般为２５年，器件的服务期长达３５年，和俄罗斯战略核武器的设计寿命３０年相适应。 然而，国内对于半导体器件的贮存寿命尤其是有效贮存期有着不同的解释，在认识上存在着误区。国内的超期复验的规定过严，有必要参考美、俄的做法加以修订，以免大量可用的器件被判死刑，影响工程进度，尤其是进口器件，订货周期长，有的到货不久就要复验，在经济上损失极大。 ２芯片和管芯的寿命预计 高可靠半导体器件通常采用成熟的工艺、保守的设计（余量大）、严格的质量控制、封帽前的镜检和封帽后的多项筛选，有效剔除了早期失效器件。用常规的寿命试验方法无法评估其可靠性水平，一般采用加速寿命试验方法通过阿列尼斯方程外推其MTTF，其芯片和管芯的寿命极长，通常大于１０８ｈ，取决于失效机构激活能和器件的使用结温。 随着工艺技术的进展，半导体器件的激活能每年大约增长３％。据报道１９７５年的激活能为０ ６ｅＶ，１９９５年增长到１ ０ｅＶ，其MTTF每隔１５年增长一倍，加速系数每隔５年增长一倍。 化合物半导体器件微波性能优越，可靠性高，自８０年代以来，在军事领域得到了广泛的

半导体器件作业有答案

1．半导体硅材料的晶格结构是（A） A 金刚石 B 闪锌矿 C 纤锌矿 2．下列固体中，禁带宽度 Eg 最大的是（ C ） Ａ金属Ｂ半导体Ｃ绝缘体 3．硅单晶中的层错属于（ C ） Ａ点缺陷Ｂ线缺陷Ｃ面缺陷 4．施主杂质电离后向半导体提供（ B ），受主杂质电离后向半导体提供（ A ），本征激发后向半导体提供（ A B ）。 A 空穴 B 电子 5．砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ A ） A 直接复合 B 间接复合 C 俄歇复合 6．衡量电子填充能级水平的是（ B ） Ａ施主能级Ｂ费米能级Ｃ受主能级 D 缺陷能级 7．载流子的迁移率是描述载流子( A )的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子( B ) 的一个物理量。 A 在电场作用下的运动快慢 B 在浓度梯度作用下的运动快慢 8．室温下，半导体 Si中掺硼的浓度为 1014cm－3，同时掺有浓度为 1.1×1015cm－3的磷，则电子浓度约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级（ G ）；将该半导体升温至 570K，则多子浓度约为（ F ），少子浓度为（ F ），费米能级（ I ）。（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm－3，570K 时，ni≈2×1017cm－3） A 1014cm－3 B 1015cm－3 C 1.1×1015cm－3 D 2.25×105cm－3

E 1.2×1015cm－3 F 2×1017cm－3 G 高于 Ei H 低于 Ei I 等于 Ei 9．载流子的扩散运动产生（ C ）电流，漂移运动产生（ A ）电流。 A 漂移 B 隧道 C 扩散 10. 下列器件属于多子器件的是（ B D ） Ａ稳压二极管Ｂ肖特基二极管Ｃ发光二极管 D 隧道二极管 11. 平衡状态下半导体中载流子浓度n0p0=ni2，载流子的产生率等于复合率，而当np

常用元器件封装尺寸大小

封装形式图片国际统一简称 LDCC LGA LQFP PDIP TO5 TO52 TO71 TO71 TO78 PGA Plastic PIN Grid Array 封装形式图片国际统一简称 TSOP Thin Small OUtline Package QFP Quad Flat Package PQFP 100L QFP Quad Flat Package SOT143 SOT220 Thin Shrink Qutline Package uBGA Micro Ball Grid Array uBGA Micro Ball Grid Array PCDIP

PLCC LQFP LQFP 100L TO8 TO92 TO93 T099 EBGA 680L QFP Quad Flat Package TQFP 100L ZIP Zig-Zag Inline Packa SOT223 SOT223 SOT23 SOT23/SOT323 SOT25/SOT353 SOT26/SOT363 FBGA FDIP SOJ

SBGA LBGA 160L PBGA 217L Plastic Ball Grid Array SBGA 192L TSBGA 680L CLCC SC-705L SDIP SIP Single Inline Package SO Small Outline Package SOP EIAJ TYPE II 14L SSOP 16L SSOP SOJ 32L Flat Pack HSOP28 ITO220 ITO3P TO220 TO247

常用电子元件封装及尺寸

常用电子元件封装 电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列 无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0 电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5 二极管：封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率) 三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管) 电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等 79系列有7905，7912，7920等 常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46） 电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4 瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1 电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般<100uF用 RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6 二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4 发光二极管：RB.1/.2 集成块：DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少脚，８脚的就是DIP8 贴片电阻 0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系，但封装尺寸与功率有关通常来说如下： 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是：

电子元器件 半导体器件长期贮存 第1部分：总则-编制说明

国家标准《电子元器件半导体器件长期贮存第1部分：总 则》（征求意见稿）编制说明 一、工作简况 1、任务来源 《电子元器件半导体器件长期贮存第1部分：总则》标准制定是2018年国家标准委下达的国家标准计划项目，计划号：20182268-T-339。由中华人民共和国工业和信息化部提出，全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会（SAC/TC 78/SC2）归口，中国电子科技集团公司第十三研究所负责标准的制定，项目周期为2年。 2、主要工作过程 2.1 2018.12 成立了编制组，编制组成员包括检验试验管理人员、从事半导体器件长期贮存的技术研究人员，以及具有多年标准编制经验的标准化专家。 2.2 2019.01～2019.04 编制组成员广泛收集资料，对等同采用的IEC标准进行翻译、研究、分析和比较，对国内相关单位展开深入调研和部分试验验证。 2.3 2019.05～2019.06编制工作组讨论稿，编制组内部讨论，对工作组讨论稿进行修改、完善，形成征求意见稿，并完成编制说明。 3 标准编制的主要成员单位及其所做的工作 本标准承办单位为中国电子科技集团公司第十三研究所。在标准编制过程中，主要负责标准的翻译、制定、试验及验证工作。 二、标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题 1、编制原则 本标准为电子元器件半导体器件长期贮存系列标准的第1部分，属于基础标准。为保证半导体器件试验方法与国际标准一致，实现半导体器件检验方法、可靠性评价、质量水平与国际接轨，本标准等同采用IEC 62435-1：2016《电子元器件半导体器件长期贮存第1部分：总则》。 2、确定主要内容的依据 除编辑性修改外，本标准的结构和内容与IEC 62435-1：2016保持一致，标准编写符合GB/T 1.1—2009《标准化工作导则第1部分：标准结构和编写》、GB/T 20000.2-2001 《标准化工作指南第2部分：采用国际标准》的规定。

常用贴片元件封装尺寸图

目录 TO-268AA贴片元件封装形式图片 (3) TO-263 D2PAK封装尺寸图 (4) TO-263-7封装尺寸图 (5) TO-263-5封装尺寸图 (6) TO-263-3封装尺寸图 (7) TO-252 DPAK封装尺寸图 (8) TO-252-5封装尺寸图 (9) TO252-3封装尺寸图 (10) 0201封装尺寸 (11) 0402封装尺寸图片 (12) 0603封装尺寸图 (13) 0805封装尺寸图 (14) 01005封装尺寸图 (15) 1008封装尺寸图 (16) 1206封装尺寸图 (17) 1210封装尺寸图 (18) 1406封装尺寸图 (19) 1812封装尺寸图 (20) 1808封装尺寸图 (21) 1825封装尺寸图 (22) 2010封装尺寸图 (23) 2225封装尺寸图 (24) 2308封装尺寸图 (25) 2512封装尺寸图 (26) DO-215AB封装尺寸图 (27) DO-215AA封装尺寸图 (28) DO-214AC封装尺寸图 (29) DO-214AB封装尺寸图 (30) DO-214AA封装尺寸图 (31) DO-214封装尺寸图 (32) DO-213AB封装尺寸图 (33) DO-213AA封装尺寸图 (34) SOD123H封装图 (35) SOD723封装尺寸图 (36) SOD523封装尺寸图 (37) SOD323封装尺寸图 (38) SOD-123F封装尺寸图 (39) SOD123封装尺寸图 (40) SOD110封装尺寸图 (41) DO-214AC SOD106封装尺寸图 (42) D-7343封装尺寸图 (43)

半导体器件寿命影响因素分析及处理方法

半导体器件寿命影响因素分析及处理方法 摘要：随着半导体器件的广泛使用，其寿命指标受到业界普遍关注。半导体器 件寿命的延续是一种性能退化过程，最终导致失效。造成这种退化的原因很多， 如人为使用不当、浪涌和静电击穿等，但通过一定的预防措施和增加必要的附加 电路可以有效延长半导体器件的寿命。 关键词：半导体器件；寿命；处理办法 作为现代信息社会基础的半导体材料和器件有着相当重要的地位，半导体电 子器件本身就具有很多不错的优点，不管是在工业上，还是在电力设备当中，半 导体电子器件的应用越来越多。可是，半导体电子器件也是存在着或多或少的不 足之处，再加上自身的特点，所以在设计使用的时候要注意。电子元器件是产品 的最小组成部分, 其可靠性高低直接影响着在此基础上设计的产品可靠性。尤其 是微电子技术的发展使得集成电路的可靠性愈来愈重要, 若其可靠性得不到保证, 不仅影响最终产品的可靠性, 还会影响研制进度、信誉及经济效益。 1 半导体电子器件的发展 随着科学技术的快速发展，电子器件的功能也就越来越强大了。人类的发展 对器件的需求也推动了半导体器件的发展，而半导体的发展又带动了器件的发展。 1)真空电子管。关于真空电子管的意思是指把电子引导进入真空的环境之中，用加在栅极上的电压去改变发射电子阴极表面附近的电场从而控制阳极电流大小，由此来把信号放大。真空电子管的材料有钨、钼、镍、钡锶钙氧化物等等，再以 真空电子学为理论依据，利用电子管制造工艺来完成工作。 2)固体晶体管。固体晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制 等多种功能。固体晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关不同，固体晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关 速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。 2 半导体器件的退化和失效 大量试验表明，半导体器件的失效随时间的统计分布规律呈浴盆状，失效期 包括早期的快速退化失效、中期的偶然失效与后期的快速损耗失效。早期快速失 效一般是由半导体材料本身原因造成；中期偶然失效期的时域较宽，在此期间导 致半导体器件失效的原因具有一定的偶然性；后期失效概率较高，主要由各种损 耗积累与综合爆发引起。由此可知，只要通过初期的严格筛选，同时加强质量管 理和改进生产工艺，防止偶然失效，半导体器件就能获得较长的寿命。如图所示。 3 半导体器件寿命影响因素及预防措施 PN 结是半导体器件的核心，对电压冲击的承受能力很差，一旦被击穿，便无法产生非平 衡载流子。在使用过程中，半导体器件的损坏多半是由浪涌或静电击穿造成的。浪涌是一种 突发性的瞬间电信号脉冲，具有很强的随机性，一般表现为尖脉冲，脉宽很窄，但峰值较高，容易使半导体器件瞬时过压造成PN 结击穿，即使不致于一次性使半导体器件产生完全失效，但在多次浪涌的冲击下也会加速它的性能退化和最终失效。在电路的使用过程中，出现比较 多的浪涌是开启或关断电源时抑或器件接触不良时产生的电压/ 电流冲击，以及由于电网波 动或其它大功率电器启动而产生的电压/ 电流冲击。另外，静电也是造成PN 结损坏或击穿的 重要原因。 1)短路保护开关。为半导体器件并联一个电阻较小的短路保护开关是一种简单的消浪涌 方法。当需要启动半导体器件电源时，先闭合短路保护开关，让启动电源瞬间产生的浪涌经 短路保护开关放电，待电源工作稳定后，断开短路开关，稳定的电源便可正常工作于半导体

半导体器件物理与工艺复习题(2012)

半导体器件物理复习题 第二章： 1） 带隙：导带的最低点和价带的最高点的能量之差，也称能隙。 物理意义：带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低 2）什么是半导体的直接带隙和间接带隙？ 其价带顶部与导带最低处发生在相同动量处(p ＝0)。因此，当电子从价带转换到导带时，不需要动量转换。这类半导体称为直接带隙半导体。 3）能态密度：能量介于E ～E+△E 之间的量子态数目△Z 与能量差△E 之比 4）热平衡状态：即在恒温下的稳定状态.(且无任何外来干扰,如照光、压力或电场). 在恒温下,连续的热扰动造成电子从价带激发到导带，同时在价带留下等量的空穴.半导体的电子系统有统一的费米能级,电子和空穴的激发与复合达到了动态平衡，其浓度是恒定的，载流子的数量与能量都是平衡。即热平衡状态下的载流子浓度不变。 5）费米分布函数表达式？ 物理意义：它描述了在热平衡状态下,在一个费米粒子系统（如电子系统）中属于能量E 的一个量子态被一个电子占据的概率。 6 本征半导体价带中的空穴浓度： 7）本征费米能级Ei ：本征半导体的费米能级。在什么条件下，本征Fermi 能级靠近禁带的中央：在室温下可以近似认为费米能级处于带隙中央 8）本征载流子浓度n i : 对本征半导体而言，导带中每单位体积的电子数与价带每单位体积的空穴数相同, 即浓度相同，称为本征载流子浓度，可表示为n ＝p ＝n i . 或：np=n i 2 9) 简并半导体：当杂质浓度超过一定数量后，费米能级进入了价带或导带的半导体。 10) 非简并半导体载流子浓度: 且有: n p=n i 2 其中: n 型半导体多子和少子的浓度分别为: p 型半导体多子和少子的浓度分别为:

SMT常见贴片元器件封装类型和尺寸

1、SMT表面封装元器件图示索引（完善）

2、SMT物料基础知识 一. 常用电阻、电容换算： 1.电阻（R）： 电阻：定义：导体对电流的阻碍作用就叫导体的电阻。 无方向,用字母R表示,单位是欧姆(Ω)，分：欧（Ω）、千欧（KΩ）、兆欧（MΩ）1MΩ=1000KΩ=1000000Ω 1).换算方法： ①.前面两位为有效数字(照写)，第三位表示倍数10n次方（即“0”的个数） 103=10*103=10000Ω=10KΩ 471=47*101=470Ω 100=10*100=10Ω 101=10×101=100Ω 120=12×100=12Ω ②.前面三位为有效数字(照写)，第四位表示倍数倍数10n次方（即“0”的个数）. 1001=100*101=1000Ω=1KΩ 1632=163*102=16300Ω=16.3KΩ 1470=147×100=147Ω 1203=120×103Ω=120KΩ 4702=470×102Ω=47KΩ

2.电容（C）： 电容的特性是可以隔直流电压，而通过交流电压。它分为极性和非极性，用C表示。 2.1三种类型：电解电容钽质电容有极性, 贴片电容无极性。 用字母C表示，单位是法（F），毫法（MF），微法（UF）,纳法（NF）皮法（PF） 1F=103MF=106UF=109NF=1012PF 2.2换算方法: 前面两位为有效数字(照写)，第三位倍数10n次方（即“0”的个数） 104=10*104=100000PF=0.1UF 100=10*100=10PF 473=47×103=47000pF=47nF=0.047uF 103=10×103=10000pF=10nF=0.01uF 104=10×104=100000pF=10nF=0.1uF 221=22×101=220pF 330=33×100=33pF 2.3钽电容： 它用金属钽或者铌做正极，用稀流酸等配液做负极，用钽或铌表面生成的氧化膜做成介质制成，其特点是体积小、容量大、性能稳定、寿命长、绝缘电阻大、温度特性好，用在要求较高的设备中。钽电容表面有字迹表明其方向、容值，通常有一条横线的那边标志钽电容的正极。钽电容规格通常有：A型、B型、C型、P型。 2.4 电容的误差表示 2.4.1常用钽电容代换参照表. 1UF：105、A6、CA6 2.2UF：225 3.3UF：335、AN6、CN6、JN6、CN69 4.7UF：475、JS6 10UF：106、JA7、AA7、GA7 22UF：226、GJ7、AJ7、JJ7 47UF：476 3. 电感（L） 电感的单位：亨(H)、毫享(MH)、微享(μH)、纳享(NH),其中：1H=103MH=106μH=109NH 片状电感 电感量：10NH～1MH 材料：铁氧体绕线型陶瓷叠层