IC命名方法

IC命名方法
IC命名方法

I C 命名方法

AD 574 A I D ADM 691 A R AD 9850 B RS

①②③④⑤①②④⑤①②④⑤

ANALOG ①功能/缩写:AD-缩写ADG-模拟开关或多路转换器ADM—接口或监控

DEVCES OP-运算放大器REF-电压基准TMP-温度传感器

②器件序号

③混合信息:A—第二代产品DI—电介质隔离Z—±12V工作电压

④温度特性:I.J.K.L.M—0℃~+70℃A.B.C—-40℃~85℃S.T.V—-55℃~+125℃

⑤封装:N-塑料DIP Q-陶瓷DIP D-铜焊陶瓷DIP H-圆金属壳R/RS-贴片封装

AD公司标准及混合集成电路产品型号编码规则:

DAC 123 X X

①②③④

①产品功能和型号分类:

ADC:模数转换器AD AMP:仪表放大器BUF:缓冲器(电压跟随)

CMP:比较器DAC:数模转换器LIU:高速串行数据接收器

MA T:匹配传输器MUX:多路转换器OP:专用运算放大器

RKD:蜂值检测器RM:第二货源工业标准REF:电压基准

RPT:RCM线接收器SWP:采样保持放大器SW:模拟开关

SSM:音频产品TMP;温度传感器

②器件序号

③老化测试:AD大部分温度范围在0℃~+70℃,-25℃~+85℃,-40℃~+85℃的产品经过老化,有时标记

的老测试。

④封装类型:

H 6脚TO-78圆形金属封装J 8脚TO-99圆形金属封装K 10脚TO-100圆形金属封装

P 环氧树脂DIP封装PC 塑料带引线芯片载体Q 16脚陶瓷DIP封装

R 20脚陶瓷DIP封装RC 20脚PLCC封装S 小尺寸封装

T 28脚PLCC封装T9 TO92封装V 24脚陶瓷DIP封装

X 18脚陶瓷DIP封装Z 8脚陶瓷DIP封装* 可获得带MIL-STD-883产品

AD公司专用产品型号编码规则:

DAC 123 X X X

①②③④⑤

①AD为标准编码:其它如ADG-模拟开关或多路转换器ADSP-数字信号处理器

ADV-视频产品VIDEO ADM-接口或监控及电源处理器

ADP-电源标准

②器件序号

③附加信息:A-第二代产品DI-电介质隔离Z-12V工作电压L-低电耗

④温度范围:

0℃~+70℃L、J、K、L、M特性依次递增M性能最优

-25℃(-40℃)~+85℃A、B、C特性依次递增C性能最优

-55℃~+125℃S、T、U特性依次递增U性能最优

⑤封装形式:

BC 芯片级球形格栅阵列BP 温度增强性球形格栅阵列 D 边或底铜焊陶瓷CDIP

E 陶瓷无引线芯载体PLCC G 多层陶瓷PGA H 圆金属壳封装

N 塑料/环氧树脂DIP ND 塑料DIP P 塑料带引线芯片载体

Q 陶瓷DIP R 小外形封装(宽或窄SOIC)RB 带散热片SOIC

RQ SOIC(宽0.025英寸)RS 紧缩型小尺寸(SSOP)RU 细小型TSSOP

V 表面安装带弯脚VR 表面安装带弯脚Y 单列直插封装SIP

AD 常用产品型号命名 (单块和混合集成电路)

XX XX XX X X X

1 2 3 4 5

AD 常用产品型号命名

单块和混合集成电路

XX XX XX X X X 1 2 3 4

5

1.前缀:AD模拟器件,HA 混合集成A/D,HD 混合集成D/A

2.器件型号

3.一般说明:A 第二代产品,DI 介质隔离,Z 工作于±12V

4.温度范围/性能(按参数性能提高排列):

I、J、K、L、M 0℃至70℃

A、B、C-25℃或-40℃至85℃

S、T、U -55℃至125℃

5.封装形式:

D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装

E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装

F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装

G 陶瓷针阵列ST 薄型四面引线扁平封装

H 密封金属管帽T TO-92型封装

J J形引线陶瓷封装 U 薄型微型封装

M 陶瓷金属盖板双列直插W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插

N 料有引线芯片载体Y 单列直插

Q 陶瓷熔封双列直插Z 陶瓷有引线芯片载体

P 塑料或环氧树脂密封双列直插

高精度单块器件

XXX XXXX BI E X /883

1 2 3 4 5

6

1.器件分类: ADC A/D转换器 OP 运算放大器

AMP 设备放大器PKD 峰值监测器

BUF 缓冲器PM PMI二次电源产品

CMP 比较器REF 电压比较器

DAC D/A转换器 RPT PCM线重复器

JAN Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器

LIU 串行数据列接口单元SW 模拟开关

MAT 配对晶体管SSM 声频产品

MUX 多路调制器TMP 温度传感器

2.器件型号

3.老化选择

4.电性等级

5.封装形式: H 6腿TO-78 S 微型封装

J 8腿TO-99 T 28腿陶瓷双列直插

K 10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体

P 环氧树脂B双列直插 V 20腿陶瓷双列直插

PC 塑料有引线芯片载体 X 18腿陶瓷双列直插

Q 16腿陶瓷双列直插Y 14腿陶瓷双列直插

R 20腿陶瓷双列直插Z 8腿陶瓷双列直插

RC 20引出端无引线芯片载体

6.军品工艺

1.前缀:AD模拟器件,HA 混合集成A/D,HD 混合集成D/A

2.器件型号

3.一般说明:A 第二代产品,DI 介质隔离,Z 工作于±12V

4.温度范围/性能(按参数性能提高排列):

I、J、K、L、M 0℃至70℃

A、B、C-25℃或-40℃至85℃

S、T、U -55℃至125℃

5.封装形式:

D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装

E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装

F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装

G 陶瓷针阵列ST 薄型四面引线扁平封装

H 密封金属管帽T TO-92型封装

J J形引线陶瓷封装 U 薄型微型封装

M 陶瓷金属盖板双列直插W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插

N 料有引线芯片载体Y 单列直插

Q 陶瓷熔封双列直插Z 陶瓷有引线芯片载体

P 塑料或环氧树脂密封双列直插

高精度单块器件

XXX XXXX BI E X /883

1 2 3 4 5 6

1.器件分类:ADC A/D转换器OP运算放大器

AMP设备放大器PKD峰值监测器

BUF缓冲器PM PMI二次电源产品

CMP比较器REF 电压比较器

DAC D/A转换器RPT PCM线重复器

JAN Mil-M-38510SMP取样/保持放大器

LIU串行数据列接口单元SW模拟开关

MA T配对晶体管SSM声频产品

MUX多路调制器TMP温度传感器

2.器件型号

3.老化选择

4.电性等级

5.封装形式:H6腿TO-78S微型封装

J8腿TO-99T28腿陶瓷双列直插

K10腿TO-100TC 20引出端无引线芯片载体

P环氧树脂B双列直插V20腿陶瓷双列直插

PC塑料有引线芯片载体X18腿陶瓷双列直插

Q16腿陶瓷双列直插Y14腿陶瓷双列直插

R20腿陶瓷双列直插Z8腿陶瓷双列直插

RC20引出端无引线芯片载体

6.军品工艺

AT 89 C 2051 —24 P I

①②③④⑤⑥⑦

ATMEL①前缀:公司缩写

②功能:24—串行EEPROM 27—EPROM 28—并行EEPROM 29—FLASH存储器

89-单片机90—8位高性能FLASH单片机F/LV/V—门阵列

③功耗:C—低功耗(4.5V—5.5V)LV—低电压(2.7V—6.0V)

④器件序号

⑤频率/速度:12—120ns 24—240ns 10—100ns

⑥封装:P—塑料DIP D—陶瓷DIP J—PLCC S—贴片T--TSOP

⑦温度特性:C—0℃~+70℃I—-25℃~+85℃2

DS 1225 Y —150

DALLAS①②③④

①前缀:公司缩写

②器件序号

③工作电压:AB—5V±5% AD—5V±10% Y—5V±10%

④速度:150—150ns

⑤温度特性:空—0℃~+70℃IND—-40℃~+85℃

ICL 7107 C P L 82 C 54 A — 5 HARRIS①②③④⑤⑥

①功能:ICL/ICM—线性或数据采集或时钟DG—模拟开关CD—逻辑电路

CA—运放OR视频AD

②器件序号

③温度特性:C—0℃~+70℃I—-40℃~+85℃M—-55℃~+125℃

④封装:P—塑料DIP K/D/F—陶瓷DIP Q—PLCC T—圆金属壳

⑤脚位数:A—8P Z—18P L—40P D—14P

⑥速度频率:80(微处理器)2-8MHZ 空-5MHZ 82(外围处理片)5-5MHZ 空-8MHZ

IDT 7132 SA 55 P IDT 7203 SA 50 TP IDT①②③④⑤①②③④⑤

①前缀:公司缩写

②器件序号

③类型:SA/S—标准LA/L—低比耗

④速度:25—25ns

⑤封装:P—塑料DIP TP—窄体塑料DIP D—陶瓷DIP J—PLCC Y—贴片

⑥温度特征:空—0℃~+70℃B/M—-55℃~+125℃

P 80C31 BH Q D 8279 —5

②③④①②③

INTEL①温度范围:空—0℃~+70℃I—-40℃~+85℃N M—-55℃~+125℃(L—-40℃~+85℃扩展工作温度,须168小时动态老化)(Q—-40℃~+85℃产出未经老化)

②封装:P—塑料DIP D—陶瓷DIP

③器件序号

④器件版本代号

GAL 16 V 8 D —25 L P

①②③④⑤⑥⑦⑧

lattice ①矩阵类型:GAL—门阵列

②矩阵输入数

③输出类型代号

④矩阵输出数

⑤混合信息:A,B,D逐渐改进

⑥速度:25—25 ns

⑦功耗:空—标准功耗L—半功耗Q—1/4功耗

⑧封装:P—塑料DIP D—塑料DIP J—PLCC

⑨温度:空—0℃~+70℃I—-40℃~+85℃M—-55℃~+125℃

MAX 186 C C P P MAX 232 C P E MAX 530 B C N G

. ①②③④⑤①③④⑤①②③④⑤MAXIM①器件序号/功能:100—A/D转换200—232接口300—多路转换器400—485接口

500—DA/AD转换600/700/800—电源or监控orDC-DC

②混合信息:A.B.C—改进

③温度:C—0℃~+70℃I—-20℃~+85℃E—-40℃~+85℃M—-55℃~+125℃

④封装:P—塑料DIP N—塑料窄体DIP W—窄体贴片SOJ S—窄体贴片SOJ

MAXIM 专有产品型号命名

MAX XXX (X) X X X

1 2 3 4 5 6

1.前缀:MAXIM公司产品代号

2.产品系列编号:

100-199 模数转换器600-699 电源产品

200-299 接口驱动器/接受器 700-79微处理器/外围显示驱动器

300-399 模拟开关模拟多路调制器 800-899 微处理器监视器

400-499 运放 900-999 比较器

500-599 数模转换器

3.指标等级或附带功能:A表示5%的输出精度,E表示防静电

4.温度范围:C= 0℃ 至70℃(商业级)

I =-20℃ 至+85℃(工业级)

E =-40℃ 至+85℃(扩展工业级)

A = -40℃至+85℃(航空级)

M =-55℃ 至+125℃(军品级)

5.封装形式: A SSOP(缩小外型封装)

B CERQUAD

C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)

D 陶瓷铜顶封装

E 四分之一大的小外型封装

F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA

J CERDIP (陶瓷双列直插)

K TO-3 塑料接脚栅格阵列

LLCC (无引线芯片承载封装)

M MQFP (公制四方扁平封装)

N 窄体塑封双列直插

P 塑封双列直插

Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)

R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)

S 小外型封装

T TO5,TO-99,TO-100

U TSSOP,μMAX,SOT

W 宽体小外型封装(300mil)

X SC-70(3脚,5脚,6脚)

Y 窄体铜顶封装

Z TO-92MQUAD

/D裸片

/PR 增强型塑封

/W 晶圆

6.管脚数量:

A:8

B:10,64

C:12,192

D:14

E:16

F:22,256

G:24

H:44

I:28 J:32 K:5,68

L:40

M:7,48

N:18

O:42

P:20

Q:2,100

R:3,84 S:4,80

T:6,160

U:60

V:8(圆形)

W:10(圆形)

X:36

Y:8(圆形)

Z:10(圆形)

⑤脚数:A—8 D—14 E—16 N—18 P—20 G—24 I—28 L—40

MC 145027 P MC 1403 U MC 14051 B C P

①②④①②④①②③④

MOTOROLA①前缀:MC

②器件序号:15**-军品14051/14538 –逻辑CMOS 68 –单片机

③温度:空/C- 0℃~+70℃I—-40℃~+85℃U/L—-55℃~+125℃

④封装:P-塑DIP L-陶瓷DIP U-陶瓷DIP

SN 75176 P TLC 2543 DW

①②③①②③

TI①前缀:SN-标准N/NE/MC/CF/SG/OP—仿制产品TL—线性电路TLC/TLV-A/D or D/A

TCM—通信芯片TMS—MOS存储器、MOS微处理器及相关电路TIL—光耦

②封装:P/N/NE—塑料DIP J/JG—陶瓷DIP D/DW—贴片FN—PLCC

③温度:空/C/L—0℃~+70℃I—-25℃~+85℃E—-40℃~+85℃M—-55℃~+125℃TI产品命名规则

TLC 2272 C D

①②③④

①前缀:

A:先进电路AC:先进的双机型电路TMS:MOS存储器/微处理器

RSN:抗辐射电路SBP:双极型微处理器TIES:红外光源

SN:标准电路TAC:COMS逻辑阵列OPA:运算放大器

TAL:低功耗TTL逻辑阵列TLC:线性COMOS ADC:模数转换器

DAC:数模转换器

②器件编号

③温度范围:

Q:汽车级-40℃~+125℃M:-55℃~+125℃S:-55℃~+100℃

I:工业级-40℃~+85℃A:-40℃~+85℃Z:-40℃~+150℃

C:商业级0℃~+70℃H:0℃~+55℃

④封装形式:

P/N/NE/NW:塑料DIP FN:PLCC封装

D/DW/RS/NS:塑料贴片FR/PG/PX/PFB:QFP封装

J:陶瓷DIP GA:陶瓷针插阵列封装

DBV:SOT23型5脚贴片PT:塑料窄体四边平面封装

ALTERA 产品型号命名

XXX XXX X X XX X

1 2 3 4 5 6

1.前缀:EP 典型器件

EPC 组成的EPROM器件

EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列

EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列

EPX 快闪逻辑器件

2.器件型号

3.封装形式:

D陶瓷双列直插Q 塑料四面引线扁平封装

P塑料双列直插R功率四面引线扁平封装

S塑料微型封装T薄型J形引线芯片载体

J陶瓷J形引线芯片载体W陶瓷四面引线扁平封装

L塑料J形引线芯片载体B球阵列

4.温度范围:C℃至70℃,I-40℃至85℃,M-55℃至125℃

5.腿数

6.速度

ATMEL产品型号命名

AT XX X XX XX X X X

1 2 3 4 5 6

1.前缀:ATMEL公司产品代号

2.器件型号

3.速度

4.封装形式:

A TQFP封装P 塑料双列直插

B 陶瓷钎焊双列直插Q 塑料四面引线扁平封装

C 陶瓷熔封R 微型封装集成电路

D 陶瓷双列直插S 微型封装集成电路

F 扁平封装T 薄型微型封装集成电路

G 陶瓷双列直插,一次可编程U 针阵列

J 塑料J形引线芯片载体V 自动焊接封装

K 陶瓷J形引线芯片载体W 芯片

L 无引线芯片载体Y 陶瓷熔封

M 陶瓷模块Z 陶瓷多芯片模块

N 无引线芯片载体,一次可编程

5.温度范围:C 0℃至70℃,I -40℃至85℃,M -55℃至125℃

6.工艺:空白标准

/883Mil-Std-883, 完全符合B级

B Mil-Std-883,不符合B级

INA 128 K P

①②③④

BURR①功能:ADS—A/D转换DAC—D/A转换INA—仪用放大器ISO—隔离放大器MPC

BROWN—多路开关OPA—功放PGA—可编程运放VFC—V/F或F/V转换XTR—V/I变送器

②器件序号

③温度特性:H.J.K.L—0℃~+70℃A.B.C—-25℃~+85℃T.V—-55℃~+125℃

④封装:P—塑料G—陶瓷D/P M—密封金属壳V—贴片

BB 产品型号命名

XXX XXX (X) X X X

1 2 3 4 5 6

DAC 87 X XXX X /883B

4 7 8

1.前缀:

ADC A/D转换器MPY 乘法器

ADS 有采样/保持的A/D转换器OPA 运算放大器

DAC D/A转换器PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器

DIV 除法器PGA 可编程控增益放大器

INA 仪用放大器SHC 采样/保持电路

ISO 隔离放大器SDM 系统数据模块

MFC 多功能转换器VFC V/F、F/V变换器

MPC 多路转换器XTR 信号调理器

2.器件型号

3.一般说明:

A 改进参数性能L 锁定

Z + 12V电源工作 HT 宽温度范围

4.温度范围:

H、J、K、L 0℃至70℃

A、B、C -25℃至85 ℃

R、S、T、V、W -55℃至125℃

5.封装形式:

L 陶瓷芯片载体H 密封陶瓷双列直插

M 密封金属管帽 G 普通陶瓷双列直插

N 塑料芯片载体 U 微型封装

P 塑封双列直插

6.筛选等级: Q 高可靠性 QM 高可靠性,军用

7.输入编码: CBI 互补二进制输入COB 互补余码补偿二进制输入

CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码

8.输出: V 电压输出 I 电流输出

CYPRESS 产品型号命名

XXX 7 C

XXX XX X X X

1 2 3

4 5 6

1.前缀:

CY Cypress公司产品, CYM 模块, VIC VME总线

2.器件型号:

7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM 7C404 FIFO 7C9101 微处理器

3.速度

A 塑料薄型四面引线扁平封装

B塑料针阵列

D 陶瓷双列直插

F 扁平封装

G 针阵列

H 带窗口的密封无引线芯片载体

J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封

L 无引线芯片载体

P 塑料

Q 带窗口的无引线芯片载体

R 带窗口的针阵列

S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封

U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装

V J形引线的微型封装

W 带窗口的陶瓷双列直插

X 芯片

Y 陶瓷无引线芯片载体

HD 密封双列直插

HV 密封垂直双列直插

PF 塑料扁平单列直插

PS 塑料单列直插

PZ 塑料引线交叉排列式双列直插

E 自动压焊卷

N 塑料四面引线扁平封装

5.温度范围: C 民用(0℃至70℃)

I 工业用(-40℃至85℃)

M 军用(-55℃至125℃)

6.工艺: B 高可靠性

HITACHI 常用产品型号命名

XX XXXXX X X

1 2 3 4

1.前缀:

HA 模拟电路HB 存储器模块

HD 数字电路 HL 光电器件(激光二极管/LED)

HM 存储器(RAM) HR光电器件(光纤)

HN 存储器(NVM)PF RF功率放大器

HG 专用集成电路

2.器件型号

3.改进类型

4.封装形式

P 塑料双列PG 针阵列

C 陶瓷双列直插S 缩小的塑料双列直插

CP 塑料有引线芯片载体CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体

FP 塑料扁平封装G 陶瓷熔封双列直插

SO 微型封装

NTERSIL 产品型号命名

XXX XXXX X X X X

1 2 3 4 5 6

1.前缀: D 混合驱动器 G 混合多路FET

ICL 线性电路 ICM 钟表电路

IH 混合/模拟门 IM 存储器

AD 模拟器件DG 模拟开关

DGM 单片模拟开关 ICH 混合电路

MM 高压开关NE/SE SIC产品

2.器件型号

3.电性能选择

4.温度范围: A -55℃至125℃, B -20℃至85℃, C 0℃至70℃

I -40℃至125℃, M -55℃至125℃

5.封装形式:

A TO-237型L 无引线陶瓷芯片载体

B 微型塑料扁平封装P 塑料双列直插

C TO-220型S TO-52型

D 陶瓷双列直插T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型

E TO-8微型封装U TO-72、TO-18、TO-71型

F 陶瓷扁平封装V TO-39型

H TO- 66型Z TO-92型

I 16脚密封双列直插/W 大圆片

J 陶瓷双列直插/D 芯片

K TO-3型Q 2引线金属管帽

6.管脚数:

A 8,

B 10,

C 12,

D 14,

E 16,

F 22,

G 24,

H 42, I 28, J 32, K 35, L 40, M 48, N 18,

P 20, Q 2, R 3, S 4, T 6, U 7,

V 8(引线间距0.2",绝缘外壳) W 10(引线间距0.23",绝缘外壳)

Y 8(引线间距0.2",4脚接外壳) Z 10(引线间距0.23",5脚接外壳)

NEC 常用产品型号命名

μP X XXXX X

1 2 3 4

1.前缀

2.产品类型:A 混合元件 B 双极数字电路,

C 双极模拟电路

D 单极型数字电路

3.器件型号:

4.封装形式:

A 金属壳类似TO-5型封装 J 塑封类似TO-92型

B 陶瓷扁平封装M 芯片载体

C 塑封双列 V 立式的双列直插封装

D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体

G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体

H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插

MICROCHIP 产品型号命名

PIC XX XXX XXX (X) -XX

X /XX

1 2 3

4 5 6

1. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号

2. 器件型号(类型):

C CMOS电路 CR CMOS ROM

LC 小功率CMOS电路LCS 小功率保护

AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROM

LV 低电压 F 快闪可编程存储器

HC 高速CMOS FR FLEX ROM

3.改进类型或选择

4.速度标示:-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns -15 150ns,-17 170ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns

晶体标示:LP 小功率晶体,RC 电阻电容,

XT 标准晶体/振荡器HS 高速晶体

频率标示: -20 2MHZ, -04 4MHZ, -10 10MHZ, -16 16MHZ

-20 20MHZ,-25 25MHZ,-33 33MHZ

5.温度范围:空白0℃至70℃,I -45℃至85℃, E -40℃至125℃

6.封装形式:

L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插,有窗口

P 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装

W 大圆片SL 14腿微型封装-150mil

JN 陶瓷熔封双列直插,无窗口 SM 8腿微型封装-207mil

SN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mm

SO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mm

SP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线,带窗口

SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装

TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装

ST 产品型号命名

普通线性、逻辑器件

MXXX XXXXX XX X X

1 2 3 4

5

1.产品系列:

74AC/ACT……先进CMOS HCF4XXX

M74HC………高速CMOS

2. 序列号

3.速度

4.封装:BIR,BEY……陶瓷双列直插

M,MIR………塑料微型封装

5.温度

普通存贮器件

XX X XXXX X XX X XX

1 2 3 4 5 6 7

1.系列:

ET21 静态RAM ETL21 静态RAM

ETC27 EPROM MK41 快静态RAM

MK45 双极端口FIFO MK48 静态RAM

TS27 EPROM S28 EEPROM

TS29 EEPROM

2.技术:空白…NMOS C…CMOS L…小功率

3.序列号

4.封装: C 陶瓷双列 J 陶瓷双列

N 塑料双列 Q UV窗口陶瓷熔封双列直插

5.速度

6.温度:空白0℃~70℃ E -25℃~70℃

V -40℃~85℃ M -55℃~125℃

7.质量等级:空白标准B/B MIL-STD-883B B级

存储器编号(U.V EPROM和一次可编程OTP)

M XX X XXX X X XXX X X

1 2

3 4 5 6 7 8

1.系列:

27…EPROM 87…EPROM锁存

2.类型:

空白…NMOS,C…CMOS,V…小功率

2.容量:

64…64K位(X8)256…256K位(X8)

512…512K位(X8)1001…1M位(X8)

101…1M位(X8)低电压1024…1M位(X8)

2001…2M位(X8)201…2M位(X8)低电压

4001…4M位(X8)401…4M位(X8)低电压

4002…4M位(X16)801…4M位(X8)

161…16M位(X8/16)可选择160…16M位(X8/16)

4.改进等级

5.电压范围:

空白 5V +10%Vcc, X 5V +10%Vcc

6.速度:

55 55n, 60 60ns,70 70ns,80 80ns

90 90ns, 100/10 100 n

120/12 120 ns,150/15 150 ns

200/20 200 ns,250/25 250 ns

7.封装:

F 陶瓷双列直插(窗口) L 无引线芯片载体(窗口)

B 塑料双列直插

C 塑料有引线芯片载体(标准)

M 塑料微型封装 N 薄型微型封装

K 塑料有引线芯片载体(低电压)

8.温度: 1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃ 快闪EPROM的编号

M XX X A B C X X XXX X X

1 2 3 4 5 6 7 8

9 10

1.电源

2.类型: F 5V +10%,V 3.3V +0.3V

3.容量: 1 1M, 2 2M, 3 3M,8M,16 16M 4.擦除: 0 大容量 1 顶部启动逻辑块

2 底部启动逻辑块 4 扇区

5.结构:0 ×8/×16可选择, 1 仅×8, 2 仅×16 6.改型:空白 A

7. Vcc:空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc

8.速度:

60 60ns,70 70ns, 80 80ns,90 90ns

100 100ns,120 120ns,150 150ns,200 200ns

9.封装:

M 塑料微型封装N 薄型微型封装,双列直插

C/K 塑料有引线芯片载体 B/P 塑料双列直插

10.温度:

1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃

仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号

M XX X XXX X XXX X X

1

2 3 4 5 6 7

1.器件系列: 29 快闪

2.类型: F 5V单电源V 3.3单电源

3.容量:

100T (128K×8.64K×16)顶部块, 100B (128K×8.64K×16)底部块

200T (256K×8.64K×16)顶部块, 200B (256K×8.64K×16)底部块

400T (512K×8.64K×16)顶部块, 400B (512K×8.64K×16)底部块

040 (12K×8)扇区, 080 (1M×8)扇区

016 (2M×8)扇区

4.Vcc:空白 5V+10%Vcc, X +5%Vcc

5.速度:60 60ns,70 70ns, 80 80ns

90 90ns,120 120ns

6.封装: M 塑料微型封装 N 薄型微型封装

K 塑料有引线芯片载体 P 塑料双列直插

7.温度: 1 0℃~70℃, 6 -40℃~85℃, 3 -40℃~125℃

串行EEPROM的编号

ST XX XX XX X X X

1 2 3 4 5

6

1.器件系列:

24 12C , 25 12C(低电压), 93 微导线

95 SPI总线28 EEPROM

2.类型/工艺:

C CMOS(EEPROM) E 扩展I C总线

W 写保护士 CS 写保护(微导线)

P SPI总线 LV 低电压(EEPROM)

3.容量:01 1K,02 2K,04 4K,08 8K

16 16K, 32 32K, 64 64K

4.改型:空白 A、 B、 C、 D

5.封装: B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装

ML 14腿塑料微型封装

6.温度: 1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃

微控制器编号

ST XX X XX X X

1 2 3 4 5 6

1.前缀

2.系列:

62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列

72 ST7系列 90 普通ST9系列

92 专用ST9系列 10 ST10位系列

20 ST20 32位系列

3.版本:

空白 ROM T OTP(PROM)

R ROMless P 盖板上有引线孔

E EPROM

F 快闪

4.序列号

5.封装:

B 塑料双列直插 D 陶瓷双列真插

F 熔封双列直插 M 塑料微型封装

S 陶瓷微型封装 CJ 塑料有引线芯片载体

K 无引线芯片载体 L 陶瓷有引线芯片载体

QX 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷四面扁平封装成针阵列

R 陶瓷什阵列 T 薄型四面引线扁平封装6.温度范围:

1.5 0℃~70℃(民用) 2 -40℃~125℃(汽车工业)

61 -40℃~85℃(工业) E -55℃~125℃

XICOR 产品型号命名

X XXXXX X X X (-XX)

1 2 3 4 5 6

EEPOT X XXXX X X X

1 2 7 3 4

串行快闪 X XX X XXX X X -X

1

2 3 4 8

1.前缀

2.器件型号

3.封装形式:D 陶瓷双列直插P 塑料双列直插

E 无引线芯片载体R 陶瓷微型封装

F 扁平封装S 微型封装

J 塑料有引线芯片载体T 薄型微型封装

K 针振列V 薄型缩小型微型封装

L薄型四面引线扁平封装X 模块

M 公制微型封装Y 新型卡式

4.温度范围:空白标准, B B级(MIL-STD-883),

E -20℃至85℃ I -40℃至85℃,

M -55℃至125℃

5.工艺等级:空白标准, B B级(MIL-STD-883) 6.存取时间(仅限EEPROM和NOVRAM):

20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns

55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150ns

Vcc限制(仅限串行EEPROM):

空白 4.5V至5.5V,-3 3V至5.5V

-2.7 2.7V至5.5V,-1.8 1.8V至5.5V

7.端到末端电阻:

Z 1KΩ, Y 2KΩ, W 10KΩ,U 50KΩ, T 100KΩ8. Vcc限制:空白 1.8V至3.6V,-5 4.5V至5.5V

ZILOG 产品型号命名

Z XXXXX XX X X X XXXX

1 2 3 4 5 6 7

1.前缀

2.器件型号

3.速度:空白 2.5MHz, A 4.0MHz, B 6.0MHz

H 8.0MHz,L 低功耗的,直接用数字标示

4.封装形式:

A 极小型四面引线扁平封装 C 陶瓷钎焊

D 陶瓷双列直插

E 陶瓷,带窗口

F 塑料四面引线扁平封装

G 陶瓷针阵列

H 缩小型微型封装 I PCB芯片载体

K 陶瓷双列直插,带窗口 L 陶瓷无引线芯片载体

P 塑料双列直插 Q 陶瓷四列

S 微型封装 V 塑料有引线芯片载体

5.温度范围: E -40℃至100℃, M -55℃至125℃,S 0℃至70 ℃

6.环境试验过程:

A 应力密封,

B 军品级,

C 塑料标准,

D 应力塑料,

E 密封标准

7.特殊选择

器件型号举例说明( 缩写字符:AMD 译名:先进微器件公司(美))

AM 29L509 P C B

AMD首标器件编号封装形式温度范围分类

"L":低功耗;D:铜焊双列直插C:商用温度,没有标志的

"S":肖特基;(多层陶瓷);(0-70)℃或为标准加工

"LS":低功耗肖特基;L:无引线芯片载体:(0-75)℃;产品,标有

21:MOS存储器;P:塑料双列直插;M:军用温度,"B"的为已

25:中规范(MSI);E:扁平封装(陶瓷扁平);(-55-125)℃;老化产品。

26:计算机接口;X:管芯;H:商用,

27:双极存储器或EPROM ;A:塑料球栅阵列;(0-110)℃;

28:MOS存储器理;B:塑料芯片载体I:工业用,

29:双极微处理器;C、D:密封双列;(-40~85 )℃;

54/74:同25;E:薄的小引线封装;N:工业用,

60、61、66:模拟,双极;G:陶瓷针栅陈列;(-25~85)℃;

79:电信;Z、Y、U、K、H:塑料K:特殊军用,

80:MOS微处理器;四面引线扁平;(-30~125)℃;

81、82:MOS和双极处围电路;J:塑料芯片载体(PLCC);L:限制军用,

90:MOS;L:陶瓷芯片载体(LCC);(-55-85)℃<

91:MOS RAM:V、M:薄的四面125℃。

92:MOS;引线扁平;

93:双极逻辑存储器P、R:塑料双列;

94:MOS;S:塑料小引线封装;

95:MOS外围电路;W:晶片;

1004:ECL存储器;也用别的厂家的符号:

104:ECL存储器;P:塑料双列;

PAL:可编程逻辑陈列;NS、N:塑料双列;

98:EEPROM;JS、J:密封双列;

99:CMOS存储器。W:扁平;

R:陶瓷芯片载体;

A:陶瓷针栅陈列;

NG:塑料四面引线扁平;

Q、QS:陶瓷双列。

器件型号举例说明( 缩写字符:ANA 译名:模拟器件公司(美))

AD 644 A S H /883B

ANA首标器件附加说明温度范围封装形式筛选水平

AD:模拟器件编号A:第二代产品;I、J、K、L、M:D:陶瓷或金属气MIL-STD- HA:混合DI:介质隔离产(0-70)℃;密双列封装883B级。

A/D;品;A、B、C:(多层陶瓷);

HD:混合Z:工作在+12V (-25-85)℃;E:芯片载体;

D/A。的产品。(E:ECL)S、T、U:F:陶瓷扁平;

(-55-125)℃。G:PGA封装

(针栅阵列);

H:金属圆壳气

密封装;

M:金属壳双列

密封计算机部件;

N:塑料双列直插;

Q:陶瓷浸渍双列

(黑陶瓷);

CHIPS:单片的芯片。

同时采用其它厂家编号出厂产品。

通用器件型号举例说明(缩字字符:BUB 译名:布尔-布朗公司(美))

ADC 803 X X X X

首标器件编号通用资料温度范围封装筛选水平

A::改进参数性能;J、K、L:M:铜焊的金属壳封装;Q:高可

L:自销型;(0-70)℃;L:陶瓷芯片载体;靠产品;

Z:+ 12V电源工作;A、B、C:N:塑料芯片载体;/QM:

HT:宽温度范围。(-25-85)℃;P:塑封(双列);MIL

R、S、T、V:H:铜焊的陶瓷封装STD

(-55-125)℃。(双列);883产品。

G:普通陶瓷(双列);

U:小引线封装。

模拟器件产品型号举例说明( 缩字字符:BUB 译名:布尔-布朗公司(美))

- -- X X X

首标器件编号温度范围封装筛选水平

H、J、K、L:M:铜焊金属壳封装;Q:高可靠产品;

(0-70)℃;P:塑封;/QM:MIL-STD-

A、B、C:(-25-85)℃;G:陶瓷。883产品。

R、S、T、V:

(-55-125)℃。

军用器件产品型号举例说明(放大器/多路转换器/ADC/VFC)

OPA 105 X M /XXX

首标器件编号温度范围封装高可靠性等级

V:(-55-125)℃;M:金属的;MIL-STD-883B。

U:(-25-85)℃;L:芯片载体。

W:(-55-125)℃。

DAC的型号举例说明

DAC 87 X XXX X /XXX

首标器件编号温度范围输入代码输出MIL-STD-883B表示

V:(-55-125)℃;CBI:互补二进制V:电压输出;

U:(-25-85)℃。输入;I:电流输出。

COB:互补余码补偿

二进制输入;

CSB:互补直接二进制

输入;

CTC:互补的两余码

输入。

首标的意义:

放大器转换器ADC:A/D转换器;

OPA:运算放大器;ADS:有采样/保持的A/D转换器;

INA:仪用放大器;DAC:D/A转换器;

PGA:可编程控增益放大器;MPC:多路转换器;

ISO:隔离放大器。PCM:音频和数字信号处理的

A/D和D/A转换器。

模拟函数MFC:多功能转换器;SDM:系统数据模块;

MPY:乘法器;SHC:采样/保持电路。

DIV:除法器;

LOG:对数放大器。混杂电路PWS:电源(DC/DC转换器);

PWR:电源(同上);

频率产品VFC:电压-频率转换器;REF:基准电压源;

UAF:通用有源滤波器。XTR:发射机;

RCV:接收机。

器件型号举例说明( 缩写字符:CYSC 译名:丝柏(CYPRESS)半导体有限公司)

CY 7C128 -45 C M B

首标系列及速度封装温度范围加工

器件编号B:塑料针栅阵列;C:(0-70)℃;B:高可靠。

D:陶瓷双列;L:(-40-85)℃;

F:扁平;M:(-55-125)℃。

G:针栅阵列(PGA);

H:密封的LCC(芯片载体);

J:PLCC(密封芯片载体);

K:CERPAK;

L:LCC;

P:塑封;

Q:LCC;

R:PGA ;

S:小引线封装(SOIC);

T:CERPAK;

V:SOJ ;

W:CERDIP(陶瓷双列);

X:小方块(dice);

HD:密封双列;

HV:密封直立双列;

PF:塑料扁平单列(SIP) ;

PS:塑料单列(SIP);

PZ:塑料ZIP。

缩写字符:FSC 译名:仙童公司(美)

μA 741 T C

FSC首标器件封装形式温度范围

F:仙童(快捷)电路编号D:密封陶瓷双列封装C:商用温度(0-70/75)℃;

SH:混合电路;(多层陶瓷双列);[CMOS:(-40-85)℃]

μA:线性电路。E:塑料圆壳;M:军用温度(-55-125)

F:密封扁平封装(陶瓷扁平);L:MOS电路(-55-85)℃;

H:金属圆壳封装;混合电路(-20-85)℃;

J:铜焊双列封装(TO-66);V:工业用温度(-20-85)℃,

K:金属功率封装(TO-3)(-40-85)℃。

(金属菱形);

P:塑料双列直插封装;

R:密封陶瓷8线双列封装;

S:混合电路金属封装(陶瓷

双列,F6800系列);

T:塑料8线双列直插封装;

U:塑料功率封装(TO-220);

U1:塑料功率封装;

W:塑封(TO-92);

SP:细长的塑料双列;

SD:细长的陶瓷双列;

L:陶瓷芯片载体;

Q:塑料芯片载体;

S:小引线封装(SOIC)。

器件型号举例说明

缩写字符:HAS 译名:哈里斯公司(美)

H M 1 6508 B 2

HAS 系列封装器件种类/产品温度范围

音标A:模拟电路;0:芯片编号等级种类: 1:(-55-200)℃;

C:通信电路;1:陶瓷双列; COMS: 2:(-55-125) ℃;

D:数字电路;1B:铜焊的陶瓷双列;A:10V类; 4:(-25-85)℃;

F:滤波器;2:金属圆壳(TO-5); B:高速-低功耗; 5:(0-75)℃;

I:接口电路;3:环氧树脂双列; D:商用的; 没标6:100%25℃抽测

M:存储器;4:芯片载体; 的为一般产品。(小批);

V:高压模拟电路;4P:塑料芯片载体;双极: 7:表示"5"温度范围

PL:可编程逻辑;5:LCC混合电路A:再设计,双金属的的高可靠产品;

Y:多片组合电路。(陶瓷衬底); P:有功率降额选择的; 8:MIL-STD-883B产品;

7:小型陶瓷双列;R:锁定输出的; 9:(-40-85)℃;

9:扁平封装。RP:有功率降额限9+:(-40-85)℃,

制的锁定输出已老化产品;

没标的为一般产品. RH:抗辐射产品。

产品等级:

A:高速;

B:甚高速;

没标的为一般速度.

部分器件编号:

0×××:二极管矩阵;61××:微处理器;63××:CMOS ROM;64××:CMOS接口;

65××:CMOS RAM;66××;CMOS PROM;67××:COMS EPROM;76××;双极PROM;77××:可编程逻辑。

80C86系列型号举例说明

M D 82C59A S /B

温度封装器件速度(MHz)高可靠产品

C:商用(0-70)℃;P:塑封;编号外围电路:B:已老化,8次冲击的

I:工业用(-40-85)℃;D:陶瓷双列;5:5MHz;+:已老化,

M:军用(-55-125)℃;X:芯片;空白:8MHz;工业温度等级;

X:25℃。R:芯片载体(陶瓷);CPU电路:/883:(-55-125)℃;

S :塑料芯片载体。空白:5MHz;MIL-STD-883产品。

2:8MHz。

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式 半导体器件(semiconductor device)通常,这些半导体材料是硅、锗或砷化镓,可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别,有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构,已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极,可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件,典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同,晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外,还有一些特殊用途的晶体管,如光晶体管、磁敏晶体管,场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号,又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外,还有一些特殊器件,如单结晶体管可用于产生锯齿波,可控硅可用于各种大电流的控制电路,电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中,主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展,微波半导件低噪声器件发展很快,工作频率不断提高,而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性,在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类 按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。 导体:具有良好导电性能的物质,如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体:导电能力很差或不导电的物质,如玻璃、陶瓷、塑料。 电阻率在108Ω?cm以上 半导体:导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,如锗、硅。 纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性 与导体、绝缘体相比,半导体具有三个显著特点: (1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大,如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼,硅的电阻率就会从241000Ω?cm下降到0.4Ω?cm,变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。 例如:温度每升高8℃时,纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时,电阻率只增加4%左右。

电子元件分类与编码标准

电子元件分类与编码标准 为了方便电子元器件的购买及生产管理, 且为以后元器件的电脑化管理提供可能, 本说明对可能涉及到的电子元器件的编号进行规定。 1: 总体原则 1.1 总体规定: 电子元器件的编号统一设想采用字母与数字混合编号方 式且统一为9位. 具体以器件分类名称的字母缩写(2位)开始, 后续6 位数字或字母表示器件的具体规格或型号,第7位是附加的备注或特 殊的识别标记(除电容的命名方式外) 1.2 对于不同规格与不同厂家的元器件原则上采用不同的编号. 1.3 对于一些通用类电子元器件, 如: 电阻, 电容, 电感等如规格及外 形相同则不同厂家的产品也可采用统一编号. 1.4 对于元器件应有相非通用类电子应的图纸存档. 图纸中应包含器件 的外形尺寸, 主要规格参数, 产品型号, 生产厂家等. 1.5 电阻, 电容,电感的标称值原则上在具体规格上说明 1.6 对于一些开发项目专用或关联较大以及根据本说明无法明确归类的 电子元器件的编号如: PWB, PCB组装单元, 可以用项目编号取代编 号的前4位, 后6位表示某具体元器件. 若该器件也在别的项目中使 用, 采用同一编号, 保证编号的唯一性。 2.0、编码结构说明: XX-XX-XXXXXX-XXX-X | | | | | 空位(环保区分时备 用) | | | | 误差/封装信息/引脚 数/修正编号/空位 | | | | | | 元件种类/电气参数/型号 | | 供应商名代码 | 物品代码 注:编码长度一至,编码中间的“—”不纳入ERP系统,例: RE0120000061280 2.1、电子元器件物品(电子元器件的命名字母缩写): 器件名称字母缩写器件名称字母缩写器件名称字母缩写 电阻RE混合厚膜电路HB 导线WR 电阻阵列、 RA /RG传感器SN磁珠FR 可变 电容CP继电器RL 线圈CL

电子元器件的命名

电子元器件命名- - (资料是刚工作时前辈们留给我的,仅供参考。需要更多资料请咨询https://www.360docs.net/doc/6412420758.html,掌柜) 电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上. 封装形式: 封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好. 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP; 材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装. DIP Double In-line Package 双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点. PQFP Plastic Quad Flat Package PQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.

(整理)元器件封装命名规则ds.

精品文档 精品文档 目 次 1 范围 ................................................................................ 1 2 规范性引用文件 ...................................................................... 1 3制订规则 ............................................................................. 1 3.1以B 开头的封装 ..................................................................... 1 3.2以C 开头的封装 ..................................................................... 1 3.3以D 开头的封装 ..................................................................... 2 3.4以E 开头的封装 ..................................................................... 2 3.5以F 开头的封装 ..................................................................... 2 3.6以G 开头的封装 ..................................................................... 2 3.7以H 开头的封装 ..................................................................... 2 3.8以K 开头的封装 ..................................................................... 2 3.9以L 开头的封装 ..................................................................... 2 3.10以R 开头的封装 .................................................................... 2 3.11以S 开头的封装 .................................................................... 3 3.12以T 开头的封装 .................................................................... 3 3.13以U 开头的封装 .................................................................... 3 3.14以V 开头的封装 .................................................................... 3 3.15以X 开头的封装 .................................................................... 3 3.16以Z 开头的封装 .. (4) 印制板设计 元器件封装命名规则

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则

一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、

3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:

PCB元件库SCH元件库命名规则

PCB元件库命名规则 2.1 集成电路(直插) 用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装 尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装,体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如:DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2.2 集成电路(贴片) 用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装 尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装,体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装,体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如:SO-16N表示的是体宽150mil,引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装 若SO前面跟M则表示为微形封装,体宽118mil,引脚间距0.65mm 2.3 电阻 2.3.1 SMD贴片电阻命名方法为:封装+R 如:1812R表示封装大小为1812的电阻封装 2.3.2 碳膜电阻命名方法为:R-封装 如:R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 2.3.3 水泥电阻命名方法为:R-型号 如:R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 2.4 电容 2.4.1 无极性电容和钽电容命名方法为:封装+C 如:6032C表示封装为6032的电容封装 2.4.2 SMT独石电容命名方法为:RAD+引脚间距 如:RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 2.4.3 电解电容命名方法为:RB+引脚间距/外径 如:RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 2.5 二极管整流器件 命名方法按照元件实际封装,其中BAT54和1N4148封装为1N4148 2.6 晶体管 命名方法按照元件实际封装,其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装,另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名 2.7 晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装,AT26,AT38为圆柱封装,数字表规格尺寸 如:AT26表示外径为2mm,长度为8mm的圆柱封装 2.8 电感、变压器件 电感封封装采用TDK公司封装 2.9 光电器件 2.9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示 如:0805D表示封装为0805的发光二极管 2.9.2 直插发光二极管表示为LED-外径 如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则1,常用电阻器、电位器 第一部分第二部分第三部分第四 部分第五 部分 第六 部分 第七 部分 第八 部分 用字母表示主称用字母表示材 料 用数字或者字 母表示分类 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 符号意义符号意义符号意义额定 功率阻值允许 误差 精密 等级 封装 R 电阻 器H 合成 膜 1,2 普通 W 电位 器S 有机 实芯 3 超音 频 N 无机 实芯 4 高阻T 碳膜 5 高温Y 氧化 膜 7 精密J 金属 膜 (箔 ) 8 电阻 器-高 压 I 玻璃 釉膜 电位 器-特 殊 X 线绕9 特殊 G 高功 率 T 可调 W 微调 M 敏感 2,电容器 第一部分(材 料) 第二 部分 分类 (第 三部 分) (用 数字 或者 字母 直接 表 示) 第四 部分 (用 数字 或者 字母 直接 表 示) 第五 部分 (用 数字 或者 字母 直接 表 示) 第六 部分 符号意义符号意义符号意义容值精密封装

瓷介云母有机电解等级 C 电容 器C 高频 瓷 1 圆片非密 封 非密 封 箔式T 低频 瓷 2 圆形非密 封 非密 封 箔式I 玻璃 釉 3 叠形密封密封烧结 粉液 体O 玻璃 膜 4 独石密封密封烧结 粉固 体Y 云母 5 穿心穿心 V 云母 纸 6 支柱 等 无极 性Z 纸介7 J 金属 化纸 8 高压高压高压 D 铝电 解 9 特殊特殊 A 钽电 解 G 高功率 N 铌电 解 W 微调 Q 漆膜 G 合金 电解 E 其它 电解 材料 B 聚苯 乙烯 等非 极性 有机 薄膜 L 聚酯 等极 性有 机薄 膜 H 复合 介质

元器件封装命名规范

元器件封装命名规范

前言 概述:本文主要描述元器件的封装命名原则。关键词:封装、命名

1.贴装器件 (5) 1.1贴装电容SC (不含贴装钽电容) (5) 1.2贴装二极管(含发光二极管)SD (5) 1.3贴装保险管(含管座)SF (5) 1.4贴装电感SL(不含贴装功率电感 (5) 1.5贴装电阻SR (5) 1.6贴装晶体(含晶体振荡器)SX (6) 1.7小外形晶体管SOT (6) 1.8贴装功率电感SPL (6) 1.9贴装阻排SRN (6) 1.10贴装钽电容STC (6) 1.11球栅阵列BGA (7) 1.12四方扁平封装IC QFP (7) 1.13J引线小外形封装IC SOJ(不含引脚外展式IC) (7) 1.14小外形封装IC SOP (7) 1.15塑封有引线载体(含插座)PLCC (7) 1.16贴装滤波器SFLT (8) 1.17贴装锁相环SPLL (8) 1.18贴装电位器SPOT (8) 1.19贴装继电器SRLY (8) 1.20贴装电池SBAT (8) 1.21贴装变压器STFM (9) 1.22贴装拨码开关SDSW (9) 2.插装器件 (9) 2.1插装无极性电容器CAP (9) 2.2插装有极性圆柱状电容器CAPC (9) 2.3插装有极性方形电容器CAPR (10) 2.4插装二极管DIODE (10) 2.5插装保险管(含管座)FUSE (10) 2.6插装电感器IND (10) 2.7插装电阻器RES (10)

2.8插装晶体XTAL (11) 2.9插装振荡器OSC (11) 2.10插装滤波器FLT (11) 2.11插装电位器POT (11) 2.12插装继电器RLY (11) 2.13插装变压器TFM (12) 2.14插装蜂鸣器BUZZLE (12) 2.15插装LED显示器LED (12) 2.16插装电池BAT (12) 2.17插装电源模块PW (12) 2.18插装传感器SEN (12) 2.19双列直插封装(不含厚膜) DIP (13) 2.20单列直插封装(不含厚膜) SIP (13) 2.21针状栅格阵列封装PGA (13) 2.22双列直插封装厚膜HDIP (13) 2.23单列直插封装厚膜HSIP (13) 2.24插装晶体管TO (14) 2.25开关 (14) 3.插装连接器 (14) 3.1同轴电缆连接器COX (14) 3.2D型电缆连接器DB (15) 3.3电源连接器PWC (15) 3.4视频连接器VDC (15) 3.5音频连接器ADC (15) 3.6USB连接器USB (16) 3.7网口连接器RJ45 (16) 3.8插座PMR (16)

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则 2,电容器

5,半导体二、三极管 一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。 表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、 C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、 N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、 BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、 1-二极管、 2三极或具有两个pn结的其他器件、 3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。

电气元件命名规则

一、互感器命名 互感器的种类: 油浸式电流互感器 110kV及以上35-60kV27.5kV及以下 浇注式电流互感器 27.5kV及以上15-20kV10kV及以下 发电机组用电流互感器发电机组用电流互感器 发电机母线用电流互感器发电机母线用电流互感器 GIS组合电器用电流互感器 GIS组合电器用电流互感器 干式电流互感器干式电流互感器 油浸式电压互感器 110kV及以上35-60kV27.5kV及以下 浇注式电压互感器 27.5kV及以上15-20kV10kV及以下 组合式互感器组合式互感器 零序电流互感器零序电流互感器 电容式电压互感器电容式电压互感器 SF6气体电流互感器 SF6气体电流互感器 互感器型号字母含义: LCZ-35Q L 电流互感器 Current transformer C 手车式 Handcart type Z 浇注式 Casting type 35 额定电压(kV) Highest voltage for equipment(kV) Q 结构代号 Structure code LDZB6-10Q L 电流互感器 Current transformer D 单匝式 Z 浇注式 Casting type B 带保护级 Wity protective class 6 设计序号 Design Number 10 额定电压(kV) Highest voltage for equipment(kV) Q 结构代号 Structure code LDJ2-10 L 电流互感器 Current transformer D 带触头盒 J 加强型 Reinforced type 6 设计序号 Design Number 10 额定电压(kV) Highest voltage for equipment(kV) LFSQ-10Q L 电流互感器 Current transformer F 封闭式 Hermetical type S 手车式 Handcart type Q 加强型 Reinforced type 10 额定电压(kV) Highest voltage for equipment(kV)

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式 半导体器件(semiconductor device)通常,这些半导体材料是硅、锗或砷化镓,可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别,有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构,已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极,可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件,典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同,晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外,还有一些特殊用途的晶体管,如光晶体管、磁敏晶体管,场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号,又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外,还有一些特殊器件,如单结晶体管可用于产生锯齿波,可控硅可用于各种大电流的控制电路,电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中,主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展,微波半导件低噪声器件发展很快,工作频率不断提高,而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性,在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类 按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。 导体:具有良好导电性能的物质,如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体:导电能力很差或不导电的物质,如玻璃、陶瓷、塑料。 电阻率在108Ω?cm以上 半导体:导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,如锗、硅。 纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性 与导体、绝缘体相比,半导体具有三个显著特点:

元器件封装命名规则

1框架结构:分为原理图元件库和PCB元件库两个库,每个库做为一个单独的设计项目 1.1依据元器件种类,原理图元件库包括以下16个库: 1.1.1单片机 1.1.2集成电路 1.1.3TTL74系列 1.1.4COMS系列 1.1.5二极管、整流器件 1.1.6晶体管:包括三极管、场效应管等 1.1.7晶振 1.1.8电感、变压器件 1.1.9光电器件:包括发光二极管、数码管等 1.1.10接插件:包括排针、条型连接器、防水插头插座等 1.1.11电解电容 1.1.12钽电容 1.1.13无极性电容 1.1.14SMD电阻 1.1.15其他电阻:包括碳膜电阻、水泥电阻、光敏电阻、压敏电阻等 1.1.16其他元器件:包括蜂鸣器、电源模块、继电器、电池等 1.2依据元器件种类及封装,PCB元件封装库包括以下11个库: 1.2.1集成电路(直插) 1.2.2集成电路(贴片) 1.2.3电感 1.2.4电容 1.2.5电阻 1.2.6二极管整流器件 1.2.7光电器件 1.2.8接插件 1.2.9晶体管 1.2.10晶振 1.2.11其他元器件 2PCB元件库命名规则 2.1集成电路(直插) 用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装 尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装,体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm

如:DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2.2集成电路(贴片) 用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装 尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装,体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装,体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如:SO-16N表示的是体宽150mil,引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装 若SO前面跟M则表示为微形封装,体宽118mil,引脚间距0.65mm 2.3电阻 2.3.1SMD贴片电阻命名方法为:封装+R 如:1812R表示封装大小为1812的电阻封装 2.3.2碳膜电阻命名方法为:R-封装 如:R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 2.3.3水泥电阻命名方法为:R-型号 如:R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 2.4电容 2.4.1无极性电容和钽电容命名方法为:封装+C 如:6032C表示封装为6032的电容封装 2.4.2SMT独石电容命名方法为:RAD+引脚间距 如:RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 2.4.3电解电容命名方法为:RB+引脚间距/外径 如:RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 2.5二极管整流器件 命名方法按照元件实际封装,其中BAT54和1N4148封装为1N4148 2.6晶体管 命名方法按照元件实际封装,其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电 路的SOT-23封装,另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名 作为封装名 2.7晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装,AT26,AT38为圆柱封装,数字表规格尺寸 如:AT26表示外径为2mm,长度为8mm的圆柱封装 2.8电感、变压器件 电感封封装采用TDK公司封装 2.9光电器件

(整理)常用电子元器件命名

常用电子元器件型号命名法一.电阻器 1.电阻器型号命名方法 示例: (1)精密金属膜电阻器 R J7 3 第四部分:序号 第三部分:类别(精密) 第二部分:材料(金属膜) 第一部分:主称(电阻器) (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分:序号 第三部分:类别(多圈) 第二部分:材料(线绕) 第一部分:主称(电位器)

2.电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值,额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值,后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值,其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω,2K7表示2.7kΩ, 例如: RJ71-0.125-5k1-II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号 由标号可知,它是精密金属膜电阻器,额定功率为1/8W,标称阻值为5.1kΩ,允许误差为±10%。 (2)色标法:色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色(色环或色点)标注在它的外表面上。色标电阻(色环电阻)器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差

图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值(允许误差均为±20%)。例如,色环为棕黑红,表示10?102=1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值(二位有效数字)及精度。例如,色环为棕绿橙金表示15?103=15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值(三位有效数字)及精度。例如,色环为红紫绿黄棕表示275?104=2.75MΩ±1%的电阻器。 一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远。较标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的(1.5~2)倍。 有些色环电阻器由于厂家生产不规范,无法用上面的特征判断,这时只能借助万用表判断。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值第三位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 图2 三位有效数字阻值的色环表示法

电子元器件命名规则

Q/NT 天津住美信息技术有限公司企业标准 Q/NTJ006—2018 电子元器件 命名规则

电子元器件命名规则 Q/NTJ006-2018 1目的 为使公司研发产品使用的电子元器件名称统一化、规范化,方便设计、采购、和生产,以及ERP录入工作,提高工作效率,特制定了本规则。 2范围 本标准规定了电子元器件命名规则。 3职责 研发部输出的元件清单应严格按此规则命名。 采购部ERP电子元器件的录入应严格按此规则命名。 4基本要求 4.1总则 4.1.1元件名称的表述及要求 表述形式:贴装形式+元件名称+封装 贴装形式:直插或贴片,当元件既非贴片也非直插时,可根据实际情况留空或填写。 封装:表述元器件的外形和封装形式,如果前面已经清楚的表述封装形式,此处可留空。 元件名称:要求能直观的体现出器件的特点,在元器件的使用过程中不应出现一个产品器件多个名称现象。 天津住美信息技术有限公司2010-XX-XX批准2010-XX-XX实施

4.1.2元件规格型号的表述及要求 以能够清楚直观的表述元器件的各项参数和信息为原则。所有元器件应具备以下表述形式。 表述形式:型号-主要参数(可选)-精度(可选)。 元件型号:表述元器件生产厂家规定的型号。 主要参数:表述元器件的表征值、功率、耐压等详细参数。当元件型号不能明确元件时,需要填写元件的主要参数。 精度:表述元器件的精度等级。 注意:当有些元件型号无法直接给出元件型号时,元件的主要参数必需详细填写。 4.2元器件参数说明 4.2.1电阻精度表示: F:±1%;G:±2%;J:±5%;K:±10% 4.2.2贴片电阻封装与功率对应表: 0201:1/20W;0402:1/16W;0603:1/10W; 0805:1/8W;1206:1/4W;1210:1/3W 4.2.3贴片电容容值表述方法: 容值由三位数字表示,前两位表示有效数字,第三位表示0的个数。 注意:为统一贴片电容容值表述方法,规定100PF以上容值电容,均要求按三位数字表示法表示容值。 4.2.4接线端子 配套的接线端子统一命名为:接线端子头、接线端子座 天津住美信息技术有限公司2010-XX-XX批准2010-XX-XX实施

通用电子元器件命名规则

上海忠成天野轻工有限公司 通 用 元 器 件 命名规则 2006-12-18发布 2006-12-26实施 上海忠成天野轻工有限公司部品表推行小组 发布

前 言 目前,由于公司产品使用的元器件来自多个不同厂家,原有品番均以数字表示,既不规则也不直观,甚至有些混乱,特制定一个适合本公司情况的通用规则,尽可能从器件品番中提供直也观的参数和信息,便于设计、采购、制造等各环节的工作。 另外,从2006年12月起我们向欧、美洲出口产品要求必须是无铅产品,执行ROHS指令,公司ROHS和部品表推行小组确定了无铅产品的标志:尾缀-R0.今后将推行的ERP系统,因ERP所存在的弊端,如系统录入字符越长则影响系统速度,从而影响工作效率,经部品表推行小组决定,系统录入字符最长为20位,有些IC及排线,尤其是FLASH、SDRAM的供应商品番不能完整录入,我们将会为其量身定制了相应规则)。 因部品表推行小组人员对元器件的认识程度有限,此规则可能有遗漏或不太恰当之处,敬请指出。 部品表推行小组: 上海忠成天野:黎虹蔚 齐华军 深圳研发中心:李艳红 中国华录集团:王爱华 2006.12.18

目录 1.目的 (1) 2.适用范围 (1) 3.参考资料 (1) 4.职责 (1) 5.通用元器件命名规则 (1) 5.1 电阻 (1) 5.1.1 贴片电阻 (1) 5.1.2 插件电阻 (2) 5.2 电容 (3) 5.2.1 贴片电容 (3) 5.2.2 插件铝电解电容 (6) 5.2.3 瓷片电容 (7) 5.2.4 聚酯膜电容 (8) 5.2.5 轴向色环电容 (8) 5.3 电感 (9) 5.3.1 贴片电感 (9) 5.3.2 插件电感 (10) 5.4 接插件 (12) 5.4.1 插座 (12) 5.4.2 连接器 (13) 5.5 稳压二极管 (15) 5.5.1 小型玻封稳压二极管 (15) 5.5.2 1N系列稳压二极管整形规则 (15) 5.6 保险丝 (15) 5.7 石英晶体谐振器 (16) 5.8 其它 (16)

元器件的完整型号说明和命名方法

元器件的完整型号说明和命名方法 完整的器件型号,一般都是包括主体型号、前缀、后缀等组成。一般工程师只关心前缀和主体型号,而会忽略后缀,甚至少数工程师连前缀都会忽略。当然,并不是所有器件一定有前缀和后缀,但是,只要这个器件有前缀和后缀,就不可以忽略。 器件前缀一般是代表器件比较大的系列,比如逻辑IC中的74LS系列代表低功耗肖特基逻辑IC,74ASL系列代表先进的低功耗肖特基逻辑IC,74ASL系列比74LS系列的性能更好。又比如,2N5551三极管和MMBT5551三极管两者封装不同,一个是插件的(TO-92),一个是贴片的(SOT-23)。如果BOM上只写5551三极管,那肯定不知道是哪个。 忽略前缀的现象一般稍少一点,但是忽略后缀的情况就比较多了。一般来说,后缀有以下这些用处: 1、 区分细节性能 比如,拿MAXIM公司的复位芯片MAX706来说,同样是706,但是有几种阀值电压,比如MAX706S的阀值电压为2.93V,MAX706T的阀值电压为3.08V,这里的后缀“S”和“T”就代表不同的阀值电压。 2、区分器件等级和工作温度 比如TI公司的基准电压芯片TL431,TL431C代表器件的工作温度是0度至70度(民用级),TL431I代表器件的工作温度是-40度至85度(工业级),其中后缀“C”和“I”就代表不同的工作温度。 3、 区分器件封装形式 比如TI公司的基准电压芯片TL431,TL431CP代表的是PDIP封装,TL431CD代表的是SOIC封装,其中后缀“P”和“D”代表的就是不同封装(“C”代表温度,在上面已经解释)。 4、区分订货包装方式

比如,TI公司的基准电压芯片TL431 CD,如果要求是按盘装(2500PCS/盘)的采购,那么必须按TL431 CDR的型号下单,这里的后缀“R”代表的就是盘装。否则,按TL431 CD下单,买回来的可能是管装(75PCS/管)的物料。 5、区分有铅和无铅 比如,ON公司的比较器芯片LM393D(“D”表示是SOIC封装),如果要用无铅型号,必须按LM393DG下单,这里的后缀“G”就表示无铅型号,没这个后缀就是有铅型号。 后缀可能还有其他特殊的用处,总之,后缀的信息不能省略,否则买回来的可能就不是你想要的物料。 不同的公司的前缀和后缀可能是不同的(也有少数公司的一些前缀后缀一致),这需要参考实际选用厂家的具体情况。 各国半导体元器件型号的命名方法 一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、 C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、 N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f <3MHz,Pc<1W)、 G-高频小功率管(f >3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A-高频大功率管(f >3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、

元器件命名规则V1.0

元器件命名规则V1.0 拟制:胡胜双 审核:谢建军 签发:张鹏超 2012-12-26 研发本部-产业中心-数字设计部

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元器件的命名总表一、器件命名简表

元器件命名规则1. 接插件命名 1.1、使用字母代表其物理含义 卧/弯焊:用W表示直焊:用H表示 贴片:用T 表示直插:用D表示 立式:用L表示卧式:用O表示 插座:用Z表示插针/头:用C表示 上接触: Up 下接触:Down 加长:用J表示 绿端子:DZ 航插座:HCZ 组合器件用: + 表示 白色接插件:CJZ 网座:RJ “-”后面带表他的属性所有都是拼音如-Bai 代表白色 1.2 连接器的位号标识 J? :(各种插座、FPC 座等) SW?: (拨码开关,按键类) 1.3 接插件命名方式 1.3.1普通插座和插座的命名方式 CON_排数*每排的个数_间距mm_插针/插座直焊/弯焊如: CON_3*25_2.54mm_CW 表示: 3排每排25针间距是2.54mm的插针焊接方式为弯焊(实际规格:SPM-针-3*25pin*2.54mm-方针-弯焊) 1.3.2 其他器件的命名方式 CON_ USB/BNC/RJ45*个数_直焊/弯焊 如: CON_USB*2_W 表示:双层USB座弯焊 (实际规格:双层USB插座-90°-弯焊-雅斯) CON_FPC/CJZ/DZ_排数*每排的个数_间距mm_特性 如 CON_FPC_50*0.5mm_LT

表示:FPC座50pin间距是0.5mm的立式贴片 (实际规格:FPC座-50*0.5mm-立式贴片-Molex) 1.4 特殊说明 1.4.1 “-”后面接的是型号(或属性) 例1:CON_FPC_50*0.5mm_TL-D 表示:PCF座间距为0.5mm的50pin的立式贴片的 D型 例2: CON_BNC*2_8_DZW-Bai 表示:双层BNC座8引脚的直插弯焊的白颜色的 (实际规格:BNC座-双层-弯焊-白色塑料封装) 2. 电阻的命名 2.1 水泥电阻用RS表示(水泥电阻属于特殊分装命名里不再体现其封装) RSM_阻值_RS 2.2 普通的电阻的表示方法 RSM_阻值_封装 3. LED二极管的命名 LED_颜色_贴片/直插 注释:红色: RED 蓝色: BLUE 绿色: GREEN 橙色: ORANGE 贴片: T 直插: D 4. 电容的命名 CAP_容值_封装_耐压值 CE_容值_封装_耐压值 注释: CE表示的是电解电容 CAP表示的是其他电容 5. 晶振的命名 CRY_匹配电容值_引脚数_直插/贴片 OSC_匹配电容值_引脚数_直插/贴片 注释:CRY: 表示无源晶振 OSC: 表示的是有源晶振 直插:D 贴片:T

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