多晶硅片成品标准
浙江光普能源有限公司文件编号：CGP-JY01-03
多晶硅片成品标准版本号：C/1 页码：第1页共6页生效日期：2011年5月12日
一、目的
为加强公司多晶硅片的质量管控，指导使公司生产的产品，特制订本标准。
二、适用范围
适用于公司生产的太阳能级多晶硅片的品质检测和判定。
三、标准内容
1、检测环境要求：温度18~28℃，湿度不大于60%。
2、检验项目及要求：
项目内容
外观线痕、崩边、污片、凹坑、缺角、缺口、隐裂、穿孔、色差、微晶、雪花晶、分布晶、废片
尺寸边长、对角线、垂直度、倒角、翘曲、厚度
性能氧含量、碳含量、少子寿命、极性、电阻率
批准审核编制
修改履历
页码内容状态备注
文件编号：CGP-JY01-03
多晶硅片成品标准版本号：C/1 页码：第2页共6页生效日期：2011年5月12日
3、名词解释
线痕：硅片在切割过程中硅片表面被划伤所留下的痕迹。
崩边（chip）：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出。
污片：用清洗溶剂清洗不能去除的表面沾污。
凹坑：在适当的光照条件下，硅晶片表面上肉眼可见的一种具有渐变斜面呈凹面状的浅坑。
缺角：上下贯彻晶片边缘的缺损。
穿孔：在对光源观察时，晶片表面有用针或似用针刺的小孔。
微晶：1cm单位长度上个数超过5个。
雪花晶：呈连续分布，具有一定面积的晶体，2cm2内晶粒超过50个。
分布晶：大晶粒上分布的具有特定“圈点”特征的小晶粒。
隐裂：硅片表面存在不惯穿的隐型的裂纹，裂纹宽度大于0.1mm。
弯曲度（bow）：晶片中心面凹凸形变的一种度量，它与晶片可能存在任何厚度变化无关。弯曲度是晶片的一种体性质而不是表面特性。
翘曲度（warp）：晶片中心面与基准平面之间的最大和最小距离的差值。翘曲度是晶片的体性质而不是表面特性。
厚度（thickness）：通过晶片上一给定点垂直于表面方向穿过晶片的距离。
总厚度变化（total thickness variation）（TTV）：在厚度扫描或一系列点的厚度测量中，所测晶片的最大厚度与最小厚度的绝对差值。
密集型线痕：垂直线痕方向每厘米存在5条线痕以上。
电阻率（resistivity）：单位体积的材料对与两平行面垂直通过的电流的阻力。符号为ρ，单位为Ω·cm。
少数载流子寿命：晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到起始值的1/e（e=2.718）所需的时间。又称少数载流子寿命，体寿命。
4、判定标准（见下表）：
文件编号：CGP-JY01-03
多晶硅片成品标准版本号：C/1 页码：第3页共6页生效日期：2011年5月12日
内容项目
检测标准
A级片B1级片B2级片备注
外观
线痕线痕≤15 μm15-25 μm25-35 μm线痕是双面线痕深度相加的值
密集
线痕
面积比例＜1/2 ＞1/4 ＞1/4
密集线痕的定义：垂直线痕方向每厘米存在5条线痕以上；深度优先
判断；
最大双面线痕深
度（μm）
≤1515-2020-25
手感摸起来无手感摸起来有手感
崩边
长≤1 mm，
深≤0.5 mm，
数量≤2个，
不得有V型口
长≤1.5 mm，
深≤0.5 mm，
数量≤2个，
不得有V型口
长≤1.5mm，
深≤0.5 mm，
数量≤3个，
不得有V型口
每100片崩边总片数不超过该批总量的3%，如超过3片拿出来作B1
级片;不够3片也不可插进去。磨过的边缘片必须检测隐裂。
污片无
明显沾污,表面脏
污≤10%.
明显沾污,表面脏
污≤10%.
凹坑无凹坑无凹坑无凹坑
缺角、穿孔无无无
色差无有明显色差
微晶、雪花晶分布晶无无无
隐裂无无无设备检查隐性裂纹宽度大于0.1mm
文件编号：CGP-JY01-03
多晶硅片成品标准版本号：C/1 页码：第4页共6页生效日期：2011年5月12日
内容项目
检测标准
A级片B1级片B2级片备注
尺寸
边长
125×125±0.5mm
156×156±0.5mm
125×125±0.5mm
156×156±0.5mm
125×125±0.5mm
156×156±0.5mm
对角线
175.5±0.5mm
219.2±0.8mm
175.5±0.7mm
219.2±0.8mm
175.5±0.7mm
219.2±0.8mm
垂直度90°±0.2°90°±（0.2~0.5°）90°±（0.2~0.5°）
倒角1~1.8mm 0.5~2mm 0.5~2mm
弯曲度
翘曲度
弯曲度、翘曲度≤50μm
边缘翘曲≤80μm
50μm≤弯曲度
翘曲度≤75μm
边缘翘曲≤80μm
厚度
180±18 μm
200±20μm
TTV≤30μm
180±25 μm
200±25μm
TTV≤30μm
180±25 μm
200±25μm
TTV≤40μm
其中厚度D取五点法平均，五点同时满足标准，厚度测量5
点的位置，中心点和离四角15mm处的点；TTV为同一张硅
片上厚度最大值减厚度最小值。其中，超厚，超薄片同一箱中
各硅片的厚度D、TTV的变化不超过30μm。以上条件优先级
最高为不合格片，依次为C级片、B级片，即满足任意一条不
合格片的标准，则为不合格片。当同类异常出现1000片以上
时，将由品管召集技术、销售、生产等，进行处理。
多晶硅片成品标准
版本号：C/1
页码：第5页 共6页
生效日期：2011年5月12日
内容 项目
检测标准
A 级片
B1级片
B2级片
备注
物理性能
氧含量 [0]≤14ppma 或7×1017atom/cm 3 1、正常电阻率超过标准,判定为电阻率异常废片. 2、特殊情况可按客户要求调整参数。
碳含量
[C]≤16ppma 或8×1017atom/cm 3
少子寿命 τ≥2.0μs
极性 P
电阻率
ρ=[0.8~3]Ω．cm
5、其它注意事项
1.若出现边缘上线痕，无法用粗糙仪测量时，用分选机判定：
A 级片 B1级片
B2级片 线痕深度（μm ）
≤15
15-25
25-35
2.若硅片测试系统MS203测量结果与分选机矛盾，应以以下标准用分选机分选，结果以分选机为准。
6、抽样标准：
抽样依据GB/T2828.1-2003；外观按一般检验Ⅱ级水平，AQL1.0；性能按特殊检验S-2级水平, AQL1.0。按每刀抽样,如外观、厚度、翘曲不合格依刀为批次返工；如:极性、电阻率、边长、倒角等不合格依方块返工。（要求更改为出现问题都按硅块返工）
四、硅片判定的优先级
在判定一片硅片时，不良品命名以优先级高的不良名称为依据。
A 级片 B1级片 B2级片 厚度（μm ） 180±15 180±（15-25） 180±（15-25） 厚度（μm ） 200±18 200±（18-25） 200±（18-25） TTV （μm ）
≤28
28-30
30-40
多晶硅片成品标准
版本号：C/1
页码：第6页 共6页
生效日期：2011年5月12日
1、 各等级硅片的判断优先级：
2、同等级中判定的优先级：
晶体 凹坑 隐裂 倒角
TTV 厚度异常 尺寸不良 线痕 崩边
不合格品
B2 B1
A
优先级高
优先级低
多晶硅块检验标准
多晶硅锭/块质量检验规范 编制： 审核： 批准：
年月日发布年月日正式实施 目录 一. 适用范围 二. 引用标准 三. 检验项目 四. 检验工具 五. 实施细则 1. 硅锭/块电性能检测 2. 多晶硅块阴影检验 3. 硅块电性能阴影判定 4. 多晶硅块外观尺寸检验 附表1：硅锭/块性能检验标准 附表2：硅块外观尺寸检验标准
一.适用范围 本细则规定了多晶硅锭/块的电性能/阴影杂质/外观尺寸的检验项目、测量器具、检测方法、操作步骤、判定依据，适用于正常生产的多晶硅锭/硅块的质量检验。 二.引用标准 《硅锭内控标准》 《Q/BYL02太阳能级多晶硅片》 《硅片切割工艺文件》 三.检验项目 电阻率、少子寿命、导电类型、氧/碳含量、外观、几何尺寸、硅块杂质/隐形裂纹四.检验工具 四探针电阻率测试仪、导电类型测试仪、少子寿命测试仪、红外阴影扫描测试仪、游标卡尺（0.02mm精度）、万能角度尺、钢板尺 五.实施细则 1. 硅锭/块电性能检测 1.1 硅块测试取样及测试面的选取 16块规格的硅块每锭抽测A块、B块和F块三块，25块规格的硅锭每锭抽测A块、B块、G块、M块四块，若“测量样块”表面无法测试时可选用对称位置的其他硅块代替。（测量样块表面手感平整无明显“锯痕”、“台阶”等现象，测试时保证测试平面与少子寿命测试仪测试头无摩擦，防止损伤“测试头”，测试过程中“测试头”与测试平面距离(2±1mm)基本保持一致）。 通常选择“测量样块”的第2或3面（硅块上箭头所指方向为第1面，顺时针依次为2、3、4面）。若A块第2或3面质量不符合测试要求，则选取D块第3、4面或M 块第1、2面或P块第1、4面其中一面进行测试；B、G、F、M样块的测量出现质量不符合测试要求的情况可按以上A块测量方式测量；并在记录中注明。
单晶硅太阳电池检验标准
单晶硅太阳电池检验标准……………………………… EVA检验标准…………………………………………… 钢化玻璃检验标准……………………………………… TPT检验标准…………………………………………… 铝型材检验标准………………………………………… 涂锡焊带检验标准……………………………………… 双组分有机硅导热灌封胶检验标准…………………… 有机硅橡胶密封剂检验标准…………………………… 组件质量检测标准……………………………………… EVA检验标准 晶体硅太阳电池囊封材料是EVA，它乙烯与醋酸乙烯脂的共聚物，化学式结构如下 （CH2—CH2）—（CH—CH2） | O | O — O — CH2 EVA是一种热融胶粘剂，常温下无粘性而具抗粘性，以便操作，经过一定条件热压便发生熔融粘接与交联固化，并变的完全透明，长期的实践证明：它在太阳电池封装与户外使用均获得相当满意的效果。 固化后的EVA能承受大气变化且具有弹性，它将晶体硅片组“上盖下垫”，将硅晶片组包封，并和上层保护材料玻璃，下层保护材料TPT（聚氟乙烯复合膜），利用真空层压技术粘合为一体。 另一方面，它和玻璃粘合后能提高玻璃的透光率，起着增透的作用，并对太阳电池组件的输出有增益作用。 EVA厚度在0.4mm～0.6mm之间，表面平整，厚度均匀，内含交联剂，能在150℃固化温度下交联，采用挤压成型工艺形成稳定胶层。 EVA主要有两种：①快速固化②常规固化，不同的EVA层压过程有所不同 采用加有抗紫外剂、抗氧化剂和固化剂的厚度为0.4mm的EVA膜层作为太阳电池的密封剂，使它和玻璃、TPT之间密封粘接。 用于封装硅太阳能电池组件的EVA，主要根据透光性能和耐侯性能进行选择。 1. 原理 EVA具有优良的柔韧性，耐冲击性，弹性，光学透明性，低温绕曲性，黏着性，耐环境应力开裂性，耐侯性，耐化学药品性，热密封性。 EVA的性能主要取决于分子量（用熔融指数MI表示）和醋酸乙烯脂（以VA表示）的含量。当MI一定时，VA的弹性，柔软性，粘结性，相溶性和透明性提高，VA的含量降低，则接近聚乙烯的性能。当VA含量一定时，MI降低则软化点下降，而加工性和表面光泽改善，
太阳能多晶硅片来料检验标准
（盖章） 文件分发明细 受文部门份数受文部门份数受文部门份数受文部门份数 文件制修订记录 修订日期文件版本修订摘要拟定审批
（盖章） 1.0目的:规范硅片的来料检验过程,使采购的硅片质量符合公司规定要求和标准。 2.0范围：适用于公司所有的晶体硅片来料检验。 3.0内容： 5.1 IQC收到仓库提供的“入库单”后，按照入库单上的来料信息进行抽样检查。 5.2抽样方案：抽样量按照国标GB/T2828.1-2012标准，正常检验一次抽样方案，一般检验水平Ⅱ。 5.3抽样接收标准及检验程序： 5.3.1抽样接受标准为AQL=1.0,若不良品（机碎除外）超标则按不合格处理（《不合格品控制程序》），不再进行重复抽检。 5.3.2抽取样品及与硅片接触的任何操作过程中，均需要戴上乳胶防护手套。 5.4 检验项目及检验标准 序号检验项目/ 检验步骤 抽样方案检验工具检验方法及判定标准注意事项图标 1 检验外箱包 装外观质量 全数检查 (Ac=00，Re=1) 目视 要求堆放整齐，外包装箱及托盘无损坏、变形、脏 污等不良现象。 发现异常时，应拍照取证，并立即报告， 以便及时通知供应商 2 核对到货单 信息与外箱 标识信息的 一致性 全数检查 (Ac=00，Re=1) 目视 要求到货单上显示的硅片型号、规格，数量与外箱 标识一致 发现异常时，应拍照取证，并立即报告， 以便及时通知供应商 3 抽取样品GB/T2828.1正 常检验一次性 抽样方案，一般 检验水平Ⅱ 目视 (1)记录所抽样盒子上显示的晶体编号,将晶体编 号写在《硅片检验记录表》 (2)在抽样的盒子中抽取检测样片到指定泡沫盒 中. (3)抽取的样品放置在规定的泡沫盒中，注：抽 取样品时，要检验该盒硅片边缘部分是否有缺觉、 硅晶脱落及开箱碎片等明显的不良 (4)抽取样品后，在对应硅片的外箱标签处写上该 抽样数量，以便核对硅片数量 (1)刀片使用过程中注意事项，防止划 伤 (2)刀片伸出长度小于1cm，放置划破内 包装，损伤硅片 (3)取完硅片后，盖上盒盖，注意盒盖内没 有异物及盒内硅片的整齐度，避免硅片 破裂
多晶硅块检验标准
多晶硅锭/块 质量检验规范 编制： 审核： 批准： 年月日发布年月日正式实施
目录 一. 适用范围 二. 引用标准 三. 检验项目 四. 检验工具 五. 实施细则 1. 硅锭/块电性能检测 2. 多晶硅块阴影检验 3. 硅块电性能阴影判定 4. 多晶硅块外观尺寸检验 附表1：硅锭/块性能检验标准 附表2：硅块外观尺寸检验标准
一.适用范围 本细则规定了多晶硅锭/块的电性能/阴影杂质/外观尺寸的检验项目、测量器具、检测方法、操作步骤、判定依据，适用于正常生产的多晶硅锭/硅块的质量检验。 二. 引用标准 《硅锭内控标准》 《Q/BYL02太阳能级多晶硅片》 《硅片切割工艺文件》 三.检验项目 电阻率、少子寿命、导电类型、氧/碳含量、外观、几何尺寸、硅块杂质/隐形裂纹 四.检验工具 四探针电阻率测试仪、导电类型测试仪、少子寿命测试仪、红外阴影扫描测试仪、 游标卡尺（0.02mm 精度）、万能角度尺、钢板尺 五.实施细则 1. 硅锭/块电性能检测 1.1 硅块测试取样及测试面的选取 16块规格的硅块每锭抽测A 块、B 块和F 块三块，25块规格的硅锭每锭抽测A 块、B 块、G 块、M 块四块，若“测量样块”表面无法测试时可选用对称位置的其他硅块代替。（测量样块表面手感平整无明显“锯痕”、“台阶”等现象，测试时保证测试平面与少子寿命测试仪测试头无摩擦，防止损伤“测试头”，测试过程中“测试头”与测试平面距离(2±1mm)基本保持一致）。 通常选择“测量样块”的第2或3面（硅块上箭头所指方向为第1面，顺时针依次为2、3、4面）。若A 块第2或3面质量不符合测试要求，则选取D 块第3、4面或M 块第1、2面或P 块第1、4面其中一面进行测试；B 、G 、F 、M 样块的测量出现质量不符合测试要求的情况可按以上A 块测量方式测量；并在记录中注明。 16块规格 25块规格
太阳能材料检验标准
目录 单晶硅太阳电池检验标准 EV A检验标准 钢化玻璃检验标准 TPT检验标准 铝型材检验标准 涂锡焊带检验标准 双组分有机硅导热灌封胶检验标准 有机硅橡胶密封剂检验标准 组件质量检测标准 EVA检验标准 晶体硅太阳电池囊封材料是EVA，它乙烯与醋酸乙烯脂的共聚物，化学式结构如下 （CH2—CH2）—（CH—CH2） | O | O — O — CH2 EVA是一种热融胶粘剂，常温下无粘性而具抗粘性，以便操作，经过一定条件热压便发生熔融粘接与交联固化，并变的完全透明，长期的实践证明：它在太阳电池封装与户外使用均获得相当满意的效果。 固化后的EVA能承受大气变化且具有弹性，它将晶体硅片组“上盖下垫”，将硅晶片组包封，并和上层保护材料玻璃，下层保护材料TPT（聚氟乙烯复合膜），利用真空层压技术粘合为一体。 另一方面，它和玻璃粘合后能提高玻璃的透光率，起着增透的作用，并对太阳电池组件的输出有增益作用。 EVA厚度在0.4mm～0.6mm之间，表面平整，厚度均匀，内含交联剂，能在150℃固化温度下交联，采用挤压成型工艺形成稳定胶层。 EVA主要有两种：①快速固化②常规固化，不同的EVA层压过程有所不同 采用加有抗紫外剂、抗氧化剂和固化剂的厚度为0.4mm的EVA膜层作为太阳电池的密封剂，使它和玻璃、TPT之间密封粘接。 用于封装硅太阳能电池组件的EVA，主要根据透光性能和耐侯性能进行选择。 原理文章信息来自宇辉仪器https://www.360docs.net/doc/6f16529926.html, 1. EVA具有优良的柔韧性，耐冲击性，弹性，光学透明性，低温绕曲性，黏着性，耐环境应力开裂性，耐侯性，耐化学药品性，热密封性。 EVA的性能主要取决于分子量（用熔融指数MI表示）和醋酸乙烯脂（以VA表示）的含量。当MI一定时，VA的弹性，柔软性，粘结性，相溶性和透明性提高，VA的含量降低，则接近聚乙烯的性能。当VA含量一定时，MI降低则软化点下降，而加工性和表面光泽改善，但是强度降低，分子量增大，
硅片检验标准
1．目的 监测硅片质量，确保电池片质量稳定。J 2．适用范围 适用于本公司品质部对所有来料硅片质量的监视和测量。 3．职责 3.1 品质部负责制订硅片检验文件。 3.2 品质部负责来料硅片质量的控制。 4．检验 4.1核对 对照送检单，核对硅片的来源、规格和数量，供方所提供的参数、如电阻率、厚度、对角线长、边长。检查供方出具的材质报告（碳含量、氧含量、晶向及位错密度），如有不符，须先与采购部沟通，无误后进行检验。 4.2 外观检验 4.2.1用刀片划开封条，划时刀片不宜切入太深，刀尖深入不要超过5mm，防止划伤泡沫盒内的硅片。塑封好的硅片，用刀尖轻轻划开热缩膜四个角，然后撕开热缩膜。 4.2.2 抽出两边的隔版，观察盒内有没有碎片，如有则要及时清理碎片。 4.2.3 检验时戴PVC手套。从盒内拿出100片硅片（不得超过100片），先把硅片并齐并拢后观察硅片四边是否对齐平整,并用硅片模板进行对照，鉴别是否存在尺寸不对的现象，如不符合，则用游标卡尺测量，并及时记录于硅片外观检验原始记录表上。 4.2.4 再将100片硅片分出一部分使其旋转90度或180度，再并拢观察硅片间是否有缝隙，如有则说明有线痕或是TTV超标的现象。将缝隙处的硅片拿出来，用MS-203测硅片上不固定的数点厚度(硅片边缘2-5cm以内取点),根据厚度结果确定是否超标。将线痕、TTV超标片区别放置。再观察四个倒角是否能对齐，如有偏差，对照硅片模板进行鉴别，把倒角不一致硅片分开放置。并在硅片外观检验原始记录表上分别记录数量。 4.2.5 观察硅片是否有翘曲现象，翘曲表现为硅片放在平面上成弧形或是一叠硅片并拢后容易散开。如有，则要把硅片放在大理石平面上，用塞尺测量其翘曲度，将翘曲度超标片区别放置，在硅片外观检验原始记录表上记录数量。 4.2.6 逐片检验硅片，将碎片、缺角、崩边、裂纹、针孔、污物、微晶（特指多晶硅片）等不合格品单独挑出，分别存放，并在硅片外观检验原始记录表上记录。
多晶硅片质量检验规范
多晶硅片 质量检验规范 编制：赵荣伟 审核： 批准： 年月日发布年月日正式实施
目录 一. 适用范围 二. 引用标准 三. 检验项目 四. 检验工具 五. 实施细则 六. 相关记录 附表1：硅片检验项目及判定标准 附件1：二级硅片分类及标识方法 附件2：125×125mm划片技术要求及标识方法附件3：硅片“亮线”的判定标准
1.适用范围 本细则规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、检测方法、操作步骤、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。 2.引用标准 《Q/BYL02太阳能级多晶硅片》 《太阳能级多晶硅片内控标准》 3.检验项目 电性能、外形尺寸、外观 4.检测工具 硅片自动分选机、游标卡尺（0.02mm）、测厚仪、万能角度尺。 5.实施细则 5.1表面质量 目测外观符合附表1相关要求。对整包硅片重点查看B4，B7、TTV、缺口、碎片、油污等情况；整包里的B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗； B7、TTV片手感表现较重的，利用分选机重新分选；油污一般为斑点形式，擦拭不掉，无论面积大小均需重新清洗。 5.2 外型尺寸 通过硅片自动分选机分选判定，符合附表1相关要求。 5.3 电性能 依据硅锭／硅块测试数据判定，必要时用相关测试仪器核实。 5.3抽检方法 （1）对硅片车间自检合格的包装硅片或直传片，采取一次抽检（抽检比例８％），不合格比例不高于０.5％。每次抽检不合格率大于0.5%时，通知清洗班长重新分选，对重新分选片抽检合格后可入库。 （2）抽取８％硅片进行检测，其结果作为该批硅片合格的判定依据。 注：针对分选机现状，分选机分选A等硅片由清洗工序包装时进行简易分选； B3、B5、B9硅片人工分选，B7、B8硅片分选时加大抽检力度，避免不合格硅片混入。 6.相关记录
硅块 检测标准
硅块检验标准 一.适用范围 本细则规定了多晶硅锭/块的电性能/阴影杂质/外观尺寸的检验项目、测量器具、检测方法、操作步骤、判定依据，适用于正常生产的多晶硅锭/硅块的质量检验。 三.检验项目 电阻率、少子寿命、导电类型、外观、几何尺寸、硅块杂质/隐形裂纹 四.检验工具 四探针电阻率测试仪、导电类型测试仪、少子寿命测试仪、红外阴影扫描测试仪、游标卡尺（0.02mm精度）、万能角度尺、钢板尺、粗糙仪 五.实施细则 1. 硅锭/块电性能检测 1.1 硅块测试取样及测试面的选取 25块规格的硅锭每锭抽测A块、B块、G块、M块四块，若“测量样块”表面无法测试时可选用对称位置的其他硅块代替。（测量样块表面手感平整无明显“锯痕”、“台阶”等现象，测试时保证测试平面与少子寿命测试仪测试头无摩擦，防止损伤“测试头”，测试过程中“测试头”与测试平面距离(2±1mm)基本保持一致）。 通常选择“测量样块”的第2或3面（硅块上箭头所指方向为第1面，顺时针依次为2、3、4面）。若A块第2或3面质量不符合测试要求，则选取E块第3、4面或U块第1、2面或Y块第1、4面其中一面进行测试；B、G、M样块的测量出现质量不符合测试要求的情况可按以上A块测量方式测量；并在记录中注明。
25块规格 注： 电性能参数不影响209mm切割高度的生产锭： 25块规格：A块代表该硅锭四周的硅块（硅块A、E、U、Y块，共4块）；B块代表四周的硅块（B、C、D、F、P、K、O、J、T、V、W、X块，共12块）；G、M块代表中间的硅块（G、H、I、L、M、N、Q、R、S块，共9块）。 电性能参数影响209mm切割高度的生产锭： 根据实际情况进行测试，保证数据准确，并具有代表性，并在记录中注明。 1.2 电阻率测试 用四探针电阻率测试仪对报检硅块首、中、尾三个部位进行电阻率测试，（测试点要求距底10-15mm左右、距顶25-30mm左右、距侧棱大于7mm，电阻率测试采取5点取平均值法测试并符合附表1要求。（测试时，四个探针所在的平面平行于硅块底面，尽可能在同一晶界内。）对于表面电阻率分布有一级、二级、不合格区域之分的“测量样块”，要将一级、二级、不合格区域划出分界线（此时样块不具备代表性，应逐块测量），并测量记录各高度。 1.3 导电类型测试 用导电类型测试仪测试样块各表面导电类型为p型，以样块导电类型判定其硅锭导电类型；如有“反型现象”，在4个面反型最低点作出标记线（如样块反型高度影响有效切割高度时，样块不具备代表性，应逐块测量），并测量记录反型高度。 1.4 少子寿命测试 1.4.1仪器的选定及校对 a.正常生产中的工序少子寿命检验，使用Semilab公司生产的“WT-2000”。 b.设备使用前需进行标准校对，通过标准块少子寿命曲线比对来确定仪器的准确性。
太阳能光伏电池组件质量检测标准
本文由彼岸烟花盛贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 组件质量检测标准……………………………………… EVA EVA检验标准晶体硅太阳电池囊封材料是EVA，它乙烯与醋酸乙烯脂的共聚物，化学式结构如下（CH2—CH2）—（CH—CH2） | O | O — O — CH2 EVA是一种热融胶粘剂，常温下无粘性而具抗粘性，以便操作，经过一定条件热压便发生熔融粘接与交联固化，并变的完全透明，长期的实践证明：它在太阳电池封装与户外使用均获得相当满意的效果。固化后的EVA能承受大气变化且具有弹性，它将晶体硅片组“上盖下垫”，将硅晶片组包封，并和上层保护材料玻璃，下层保护材料TPT（聚氟乙烯复合膜），利用真空层压技术粘合为一体。另一方面，它和玻璃粘合后能提高玻璃的透光率，起着增透的作用，并对太阳电池组件的输出有增益作用。 EVA厚度在0.4mm～0.6mm之间，表面平整，厚度均匀，内含交联剂，能在150℃固化温度下交联，采用挤压成型工艺形成稳定胶层。EVA主要有两种：①快速固化②常规固化，不同的EVA层压过程有所不同采用加有抗紫外剂、抗氧化剂和固化剂的厚度为0.4mm的EVA膜层作为太阳电池的密封剂，使它和玻璃、TPT 之间密封粘接。用于封装硅太阳能电池组件的EVA，主要根据透光性能和耐侯性能进行选择。 1. 原理 EVA具有优良的柔韧性，耐冲击性，弹性，光学透明性，低温绕曲性，黏着性，耐环境应力开裂性，耐侯性，耐化学药品性，热密封性。 EVA的性能主要取决于分子量（用熔融指数MI表示）和醋酸乙烯脂（以VA表示）的含量。当MI一定时，VA的弹性，柔软性，粘结性，相溶性和透明性提高，VA的含量降低，则接近聚乙烯的性能。当VA含量一定时，MI降低则软化点下降，而加工性和表面光泽改善，但是强度降低，分子量增大，可提高耐冲击性和应力开裂性。不同的温度对EVA的胶联度有比较大的影响， EVA的胶联度直接影响到组件的性能以及使用寿命。在熔融状态下,EVA 与晶体硅太阳电池片，玻璃，TPT产生粘合，在这过程中既有物理也有化学的键合。未经改性的EVA透明，柔软，有热熔粘合性，熔融温度低，熔融流动性好。但是其耐热性较差，易延伸而低弹性，内聚强度低而抗蠕变性差，易产生热胀冷缩导致晶片碎裂，使得粘接脱层。因此通过采取化学胶联的方式对EVA进行改性，其方法就是在EVA中添加有机过氧化物交联剂，当EVA加热到一定温度时，交联剂分解产生自由基，引发EVA分子之间的结合，形成三维网状结构，导致EVA胶层交联固化，当胶联度达到60%以上时能承受大气的变化，不再发生热胀冷缩。测定胶联度原理：通过二甲苯萃取样品中未胶联的EVA，剩下的未溶物就是已经胶联的EVA，假设样品总量为 W1，未溶物的重量为W2，那么EVA的胶联度就为W2/W1*100%。 2. 功能介绍 a). 封装电池片，防止外界环境对电池片的电性能造成影响。 b). 增强组件的透光性。 c). 将电池片，钢化玻璃，TPT粘接在一起，具有一定的粘接强度。 3. 材料介绍 用作光伏组件封装的EVA，主要对以下几点性能提出要求 a). 熔融指数 b). 软化点 c). 透光率影响EVA的融化速度。影响EVA开始软化的温度点。对于不同的光谱分布有不同的透过率，这里主要指的是在AM1.5的光谱分布 条件下的透过率。 d). 密度 e). 比热胶联后的密度。胶联后的比热，反映胶联后的EVA吸收相同热量的情况下温度升高数值的大 小。 f). 热导率胶联后的热导率，反映胶联后的EVA的热导性能。 g). 玻璃化温度反映EVA的抗低温性能。 h). 断裂张力强度胶联后的EVA断裂张力强度，反映了EVA胶联后的抗断裂机械强度。 i). 断裂延长率胶联后的EVA断裂延长率，反映了EVA胶联后的延伸性能。 j). 张力系数 k). 吸水性 l). 胶连率 m). 剥离强度胶联后的EVA张力系数，反映了EVA胶联后的
《硅片检验规程》word版
1目的 为了加强成品质量控制，规范成品检验方法及步骤，特制定此规程。 2范围 本文件规定了对成品进行检验的标准等。 本文件适用于硅片公司品管部硅片分选包装检验员。 3设备、工模具、材料 Manz硅片分选设备、PVC手套、标签打印机、工作台、包装盒、包装箱、封口胶带等。 4 内容 4.1 检验方式 4.1.1 外观 全检，即对全部生产的硅片外观逐件用肉眼进行检测，从而判断每一件产品是否合格。 4.1.2 电学及其他性能 抽检（加严时须全检），每个硅块抽取200片用Manz硅片分选设备对其导电类型、电阻率、厚度、TTV、少子寿命等进行检验。 4.2 检验步骤 a)每个硅块抽取200片用Manz硅片分选设备对其导电类型、电阻率、少子寿命等进行检验； b)在抽检的200片当中如果有30及30片以上的硅片（导电类型、电阻率、厚度、TTV、少子寿命等不符合要求 硅片数的总计）不满足4.3中相关要求，则对该硅块所有的硅片用Manz硅片分选设备进行检验，之后再对所有硅片进行外观上的检验； c)在抽检的200片当中如果只有30片以下的硅片（导电类型、电阻率、厚度、TTV、少子寿命等不符合要求硅片 数的总计）不满足4.3中相关要求，则将这些硅片判定为导电类型不符、电阻率不符等，该硅块其他硅片不再进行导电类型、电阻率、厚度、TTV、少子寿命等的检验，连同抽检的200片硅片中剩下的硅片进行外观上的全检； 例如：如某一硅块理论切片数为535片，抽检了200片，当中有29片不满足4.3中相关要求。则将29片判定为导电类型不符、电阻率不符等，剩下的171（200-29）片连同前面的335片（535-200）进行外观上的全检； d)依据4.3中相关要求对硅片进行分类。 4.3 技术要求
多晶硅片检测标准
多晶硅片技术标准 1范围 1.1 本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等 1.2 本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。 2 规范性引用文件 2.1 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 2.2 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 2.3 ASTM F 1535用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命 的试验方法 3 术语和定义 3.1 TV：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况； 3.2 TTV：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片 5 点厚度：边缘上下左右4点和中心点）； 3.4崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生 时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出； 3.5 裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解 理或裂痕； 3.6 垂直度：硅片相邻两边与标准90°相比较的差值。 3.7 密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条 4 分类 多晶硅片的等级有A级品和B级品，规格有：125?125；156?156；210?210。 5 技术要求 5.1 外观 5.1.1无孪晶、隐裂、裂痕、裂纹、孔洞、缺角、V形（锐形）缺口，崩边、缺口长度≤0.5mm，深度≤0.3mm，且每片不得超出2个； 5.1.2表面需清洗干净，无可见斑点、玷污及化学残留物； 5.1.3硅片表面局部凹凸不平深度（如表面划痕、凹坑、台阶等）≤20μm，切割线痕深度≤20μm；当在硅片正反两面的同一个位置出现线痕加和小于20um。无密集型线痕。
5.1.4 弯曲度≤30μm，，翘曲度≤30μm； 5.1.5切片前的棒/锭要经化学腐蚀或机械抛光去除损伤层，即切完的硅片边沿是光亮的。 5.2外形尺寸 5.2.1 标称厚度系列为200±20μm；220±20μm；240±20μm；对于每单合同需要明确规定标称厚度。 5.2.2 200μm厚度以上硅片TV±20μm，160μm、180μm厚度硅片TV±15μm。例如对于200μm的标称厚度，抽测中心点厚度必须在180μm～220μm之间,其他类推； 5.2.3 一批硅片厚度必须符合>190μm； 5.2.4 200μm 厚度以上硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%。 5.2.5 其他尺寸要求见表1。 5.2.6 相邻边的垂直度：90 o±0.3o。 5.3 材料性质 5.3.1 导电类型：P型，掺杂剂：硼（Boron） 5.3.2 硅片电阻率： 掺硼多晶硅片：目标电率为2Ω2cm ，可接收电阻率为1Ω2cm～3Ω2cm，单片电阻率不均匀性<15%（测试位置为硅片中心点与四个角上距离两边1cm 的四个点） 5.3.3 硅棒少子寿命≥2us （此寿命为硅棒切片前的少子寿命）； 5.3.4 氧碳含量：氧含量≤1?1018atoms/cm3，碳含量≤5?1016atoms/cm3。 5.3.5 光致衰减：由于硅材料中过量的氧和硼元素形成的复合体会导致太阳能电池的效率衰减，所以我们将以电池的效率衰减作为衡量材料性能的指标之一。我们确定以1%的相对电池效率衰减作为判定材料性能的标准。电池片在25℃的室温中，光强不低于800W/m2，光照5小时（光照过程中电池温度不超过80℃），大于2.5%的相对效率衰减将被认为硅材料性能不合格所致。 5.1.4 弯曲度≤30μm，，翘曲度≤30μm； 5.1.5切片前的棒/锭要经化学腐蚀或机械抛光去除损伤层，即切完的硅片边沿
太阳能级多晶硅的国家标准
太阳能级多晶硅的国家标准 1 范围 本标准规定了太阳能级硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输及贮存。 本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅为原料，生产的棒状多晶硅、粒状状多晶硅、包括块状多晶硅、碳头料和生产过程中的硅粉，以及采用物理提纯法提纯生产的多晶硅。产品主要用于太阳能级单晶硅棒和多晶硅锭的生产。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测试 直排四探针法 GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T 4059 硅多晶气氛区熔磷检验法 GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验法 GB/T 1558 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 测定硅晶体中代位碳含量红外吸收方法 GB/T ××××-200× 硅多晶中基体金属杂质化学分析 电感耦合等离子体质谱法 GB/T 14264 半导体材料术语 ASTM F1389-00 光致荧光光谱测单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质 ASTM F1724-01 利用原子吸收光谱测量多晶硅表面金属杂质 3 要求 3.1 分类 产品按外型分为块状、粒状、粉状和棒状多晶硅，根据纯度的差别分为3级。 3.2 牌号 硅多晶牌号表示为：SOGPSi—1□—2□ SOGPSi表示太阳能级硅多晶 1□字母I表示棒状，N表示块状、G表示粒状、P表示粉状 2□阿拉伯数字表示硅多晶等 3.3 技术要求
多晶硅生产中的分析检测(学员版).
多晶硅生产中的分析检测 第一部分化学分析部分 第一节光谱定量分析基础 一、基本原理 光谱定量分析目前大约有三种方法。即目视法、摄谱法和光电直读法。目视法主要应用于作定性和半定量分析,用途很广。因为具有分析速度快、结果可靠等优点。光电直读法将在后面简单介绍。这里主要介绍摄谱法定量分析。 光谱定量分析主要是根据被测试样中的浓度的相互关系,可用经验公式表示: I=aC b(1 式中a及b是常数,与实验条件有关。这个公式称为罗马金公式。是光谱定量分析的基本公式,对上式取对数得: logI=blogC+loga (2 以logI对logC作图所得曲线在一定的浓度范围
内为一直线。如图3-22所示: ⅠlogI=logC+loga (b=1 ⅡlogI=blogC+loga (b<1 系数b决定曲线的斜率,当b=1时,曲线与横 坐标(logC的夹角为45°。常数a则决定曲线在纵 坐标上的位置。曲线表明,在元素浓度较小的情况下 (曲线的直线部分OA,可认为b是常数,且b=1。 随着浓度的增大,强度的增加将逐渐趋于缓慢,浓度 达到一定高度,曲线(AB部分变成弯曲,这时则认为b不是常数,且b<1。 常数a,因受到试样基体元素的组成、放电间隙的气氛、放电条件、物质由固态到气态的“转化”过程,弧焰的激发温度等因素的影响,问题是十分复杂的。 公式(2表示了光谱定量分析的基本概念:就是试样中元素的浓度(含量不同,则谱线强度也不同。并且由乳剂特性曲线可知,谱线的强度不同,在感板上所得到的谱线的黑度也不同。根据谱线的强度或黑度,就可以求得样品中元素的含量。 二、内标法 在实际分析中,很少根据测量谱线的绝对强度作定量分析。因为蒸发、激发过程和曝光等条件不可能严格不变,稍有变化,就会影响谱线强度,从而不能获得准确的分析结果。所以,一般都测量谱线的相对强度,即在被分析的元素谱线中,选一根谱线称为分析线(或称杂质线,在基体元素 (或定量加入某元素中,选一根谱线称为内标线,(或称比较线,这一线对称为分析线对。分析线与内标线的绝对强度之比称为相对强度。测量谱线相对强度的方法叫