基于S3C44B0X的Flash在线编程

第28卷第4期武汉理工大学学报?信息与管理工程版V01.28No.42006年4月JOURNALOFWUT(INFORMATION&MANAGEMENTENGINEERING)Apr.2006

文章编号:1007—144X(2006)04--0060一04

基于S3C4480X的Flash在线编程

方安平,李伟国,黄小銮

(武汉理工大学计算机科学与技术学院,湖北武汉430070)

摘要:用Flash芯片在线保存数据是嵌入式系统的常用方法,不同的Flash在线编程的方法略有不同。介绍了S3C44BOX与Intel28f320c3的硬件连接方式及实现Flash烧写的C语言程序代码。该方法在Flash系列产品软硬件设计中极具代表性,硬件连接典型实用,程序代码简洁明了,具有很强的实际参考价值。

关键词:S3C44BOX;Intel28f320C3;Flash烧写

中图法分类号:TP33文献标识码:A

l引言

连接及在线编程的功能函数代码。

目前基于ARM内核的微处理器上用的存储器分为片内存储器和片外存储器。使用片内存储可以简化系统设计,并且具有较强的抗干扰能力。但片内存储器一般容量较小,在某些应用场合受到限制。片外存储器的优势在于,可以只增加少量成本就能灵活地确定存储器的容量,从而可以大幅度地增加软件的容量和功能,而不必担心存储器容量不够uJ。

三星公司的S3C44BoX是32位的ARM系列CPU,它不含内部存储器,需要外接存储器(Flash、ARM)。外接Flash存储器分为8位、16位、32位存储器。8位存储器速度较慢,但价位低;32位存储器速度最快,但价位最高;16位存储器性价比较为理想,因此目前32位的ARM系列CPU一般都选用16位存储器作为片外存储器。嵌入式系统设备一般都需要保存一些运行参数,保存参数可以通过2种途径:一种通过12C或SPI接口外接EEPROM;另一种是通过片内或片外Flash存储器在线保存参数。对于片j’bFlash存储器,由于容量较大,可开辟出一块存储区域专门用来保存参数,很适于在线保存参数。

Intel28f320C3是按16位寻址的Flash芯片,可以用作为S3C44BOX的外接Flash存储器。以下将详细介绍S3C44BOX与Intel28f320c3的硬件2硬件连接方式

S3C4480X与Intel28f320C3的硬件连接图如1所示。

图1中Intel28f320C3芯片通过引脚A0~A20与CPU的地址总线ADDRl~ADDR21相接。Ao~A20共用了21根地址线,因此,寻址范围可以到2M。又由于28f320C3是按16位bit为一个存储单元寻址的,因此如果按8位字节算,容量是4M。在图1中CPU的地址线ADDR0没有用,而是把ADDRl接到了A0,这是因为CPU的地址总线最少可以按8位字节寻址的,而28f320c3是按16位半字存储数据的。采用这种接法可以保证CPU对28f320C3按8位寻址无效,只有按16位寻址才有效,防止了错误寻址。ADDRl每单位表示2个字节,即16个bit(半字)。

28f320C3的引脚DQO~DQl5接CPU的数据总线DATAo~DATAl5,进行16位的数据传送。28f320C3其他引脚的作用如下:

{-RP#]接S3C44BOX第50脚,接收CPU来的复位信号;[wP#]芯片写保护,图中接高电平表示取消写保护,在实际产品中可以采用转接方法。在厂内生产时接低电平,以便写入程序。在出厂时接低电平,避免程序丢失;[WE#]接S3C44BOX第16脚,向存储器发送写(使能)信号,

收稿日期:2005—12—04.

作者简介:方安平(1960一),女,湖南岳阳人,武汉理工大学计算机科学与技术学院副教授 万方数据

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