二极管封装大全

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军用电子器件目录JUN YONG DIAN ZI QI JIAN MU LU

(2005年版)

济南半一电子有限公司

目录

半导体器件选用注意事项 (1)

第一部分:二极管 (8)

一. 开关二极管 (8)

1. 锗金键开关二极管2AK1~20系列 (8)

2. 锗金键检波二极管2AP1~31B系列 (9)

3. 肖特基检波二极管SP1~31B系列(替代2AP1~31B) (10)

4. 肖特基开关二极管SK1~20系列(替代2AK1~20) (11)

5. 肖特基开关检波二极管2DKOlO、020、O3O型(替代2AK1~20、2AP1~31B)··12

6. 硅开关二极管2CK70~86、2CK49~56系列 (13)

7. 硅开关二极管1N、1S、1SS、BAV系列 (16)

8. 玻璃钝化封装大电流开关二极管RG0.5~5系列 (17)

二. 整流二极管 (18)

1. 玻封快速硅整流二极管2CZ50~57系列 (18)

2. 玻璃钝化整流管1N、RL、6A系列 (19)

3. 玻璃钝化高速整流管SF11G~66G系列 (20)

4. 贴片玻璃钝化整流管S1~5系列 (21)

5. 贴片高速整流管ES1~5系列 (22)

6. 肖特基二极管SR0620~510、1N5817~5822系列 (23)

7. 肖特基二极管SR735~4060系列 (24)

8. 贴片肖特基二极管SS1~36、SS110系列 (25)

三. 电压调整(稳压)二极管 (26)

1. 硅稳压二极管2CW50~78系列

2. 硅稳压二极管2CW100~121系列 (27)

3. 硅稳压二极管ZW50~78系列 (28)

4. 硅稳压二极管ZW100~121系列 (29)

5. 硅稳压二极管2CW5221~5255(1N5221~5255)系列 (30)

6. 硅稳压二极管2CW4728A~4754A(1N4728A~4754A)系列 (31)

7. 硅稳压二极管1N746A~759A、1N957A~974A系列 (32)

8. 硅稳压二极管1N4352B~4358B系列 (33)

9. 硅稳压二极管HZ2~36系列 (34)

10. 硅稳压二极管BZX55/C系列 (35)

11. 硅稳压二极管BZX85/C系列 (36)

四. 电压基准二极管 (37)

1. 硅基准稳压二极管2DW14~18系列 (37)

2. 硅平面温度补偿二极管2DW230~236系列 (38)

五. 电流调整(稳流)二极管 (39)

1. 稳流管2DH1~36系列 (39)

六. 瞬变电压抑制二极管 (40)

1. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS500~534系列 (40)

2. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS1000~1034系列 (41)

3. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS1500~1534系列 (42)

4. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS5000~5034系列 (43)

第二部分:晶体管 (44)

一. 双极型晶体管 (44)

1. 硅NPN型平面高频小功率三极管3DG110、3DG111、3DG130系列 (44)

2. 硅NPN型外延平面高反压三极管3DG182系列 (45)

3. 硅NPN型平面三极管3DK101、3DK106、3DK21系列 (46)

4. 硅PNP型外延平面高频小功率三极管3CG111、3CG120、3CG130系列 (47)

5. 硅PNP型外延平面高频小功率三极管3CK2、3CK120、3CK130系列 (48)

6. 硅PNP型外延平面高频高反压小功率三极管3CG182、3CG184、2N2907系列 (49)

7. 硅NPN低频大功率晶体管3DD1~8系列 (50)

8. 硅NPN达林顿功率晶体管FH6~8系列 (53)

二. 场效应晶体管 (54)

1. N沟道MOS型场效应晶体管IRF120~823系列 (54)

2. P沟道MOS型场效应晶体管IRF9130~9643系列 (56)

3. N沟道结型场效应晶体管3DJ2、3DJ6/66、3DJ7/67/304、3DJ8/68系列 (57)

三. 部分替代俄型号晶体管 (59)

第三部分:半导体分立器件组件 (60)

一. 说明 (60)

二. 产品型号 (61)

1. 200mA~2A玻璃钝化芯片整流桥DF、1W、RB、W系列 (61)

2. 1~4A玻璃钝化芯片整流桥2W、GBP、GBL系列 (62)

3. 4~15A玻璃钝化芯片整流桥GBU、GBP系列 (63)

4. 15~35A玻璃钝化芯片整流桥GBPC系列 (64)

5. 定制式三相整流桥 (65)

6. 2Д906A型硅二极管矩阵 (65)

7. 双向限幅器SXF0.25~5.8系列 (65)

第四部分:电路及模块 (66)

一. 集成稳压器 (66)

1. 固定输出三端正稳压器CW7800系列 (66)

2. 固定输出三端负稳压器CW7900系列 (66)

4. 可调输出三端负稳压器CW137系列 (67)

5. 定制式5V以下电压基准DCW系列 (68)

第五部分:外形图 (69)

半导体器件选用注意事项

半导体器件(以下简称器件)的质量问题,不仅有器件本身所固有的质量和可靠性问题,也有由于用户选择或使用不当造成的器件失效问题。从统计分析的结果来看,两者几乎各占50%。因此,为了保证器件的质量、提高器件的可靠性,除供方的工作以外,使用方应在器件的选择,测试,装配和焊接,贮存、包装和运输等各方面综合考虑,做到正确选择、合理使用。

一. 器件的选择

1. 器件选择前应了解以下知识:

⑴封装形式

器件的封装形式多种多样。从封装结构来分,有气密封装和实体封装;从封装材料来分,有金属封装、陶瓷封装、玻璃钝化封装、玻璃封装、玻璃内钝化塑料封装、塑料封装等。气密封装的封装腔体内的芯片周围有一定气氛的空间并与外界隔离;实体封装的芯片周围与封装腔体形成整个实体,这种封装形式不存在气密封装可能出现的漏气和封装多余物问题,但对封装材料要求较高,必须致密、抗潮、与芯片材料粘附和热匹配良好,并且在高温、低压条件下不应产生有害气体。

小型化是器件发展的趋势。表面贴装器件的封装材料一般采用改性环氧树脂,具有较高的可靠性水平;器件体积比常规器件要小20%~80%,在电子线路中整体采用这种器件可大幅度缩小整机体积。我厂大部分产品除常规封装形式外也采用这种封装形式,小电流的器件一般采用SOT-23、SOD-123等封装形式,部分产品采用MELF (DO-213AB)、Mini-MELF等玻璃封装表面贴装封装形式;1~6A的器件一般采用SMA、SMB、SMC等封装形式。

⑵产品质量保证等级

分立器件产品执行QZJ840611半导体二、三极管“七专”技术条件、QZJ840611A 半导体分立器件“七专”技术条件、GJB33A-97半导体分立器件总规范以及用户技术协议(用户有要求时)等,对应的质量等级分别为“J”、“G”、“G+”、“JP”、“JT”、“JCT”、“JY”等。我厂执行的产品标准为:“J”级(普军品):执行QZJ840611和

级(“七专”加严产品):执行QZJ840611、QZJ840611A、GJB33A-97和用户加严技术协议(如一院LMS203.3硅开关二极管(微玻璃封装)“七专”加严技术条件、五院东方红三号、四号卫星技术条件等);“JP”、“JT”、“JCT”级(国军标产品):执行GJB33A-97和用户技术协议。

三端稳压器(集成电路)产品执行QZJ840615模拟集成电路总技术条件、GJB597A-96半导体集成电路总规范以及用户技术协议等,对应的质量等级为“J”、“G”、“B1”、“B”、“S”等。

模块电源产品执行SJ20668-1998 微电路模块总规范和用户技术协议。

⑶器件选择的一般原则

根据应用部位对器件的功能和性能(包括电性能及体积、重量等)要求及质量要求、环境适应性要求,选择合适的品种、型号、生产厂,确定器件的质量等级及器件的封装形式(外形)、引线涂覆、辐射强度保证等级等要求;有特殊要求的应对器件的其他要求诸如内热阻、抗静电能力、抗瞬态过载能力进行选择或评价。

2. 器件选择时要注意以下问题:

⑴正确选择封装形式

选择封装形式时要根据应用部位对环境适应性的要求,综合考虑各种封装形式的优缺点,确定器件的封装形式,以使其满足使用要求同时兼顾经济性。

⑵不能超过器件的最大额定值

器件能够安全使用的工作条件和环境条件的极限值称为器件的最大额定值。无论工作条件和环境条件怎样恶劣,器件在使用时都不允许超过或瞬时超过规定的极限值。只有在此极限值以下使用,才能保证器件可靠地工作,充分发挥器件的功能,否则器件可能出现参数退化、性能降低、寿命大大缩短等现象,甚至损坏失效。因此,电路设计者在选择器件时应充分考虑到器件在整个工作寿命期的电气条件(如电流电压变化、负载变化、信号变化、电路控制调整、元器件设备变化等)和环境条件的变化,使之不超过器件允许的最大额定值。另外,由于器件最大额定值的各参数之间是互相联系的,在设计或使用时必须兼顾考虑。

⑶降额使用

温度是影响器件寿命的重要因素。器件的结温越高,失效几率越大。因此应把

降额使用是防止器件过热的有效措施。为提高器件工作的可靠性,应考虑对器件的规定参数进行降额。器件使用时需要降额的参数(降额因子)有:电压、电流、功率、工作结温和环境温度。二、三极管典型的降额使用范围见表1(仅供参考)。

)应采用推荐值,不有的器件不允许降额使用,如电压基准二极管的电流(I

Z

可降额。这种情况应当引起使用者的注意。

⑷合理选择质量等级

器件的工作失效率是和其质量等级有关的。质量等级确定的依据是其所属电子设备的可靠性指标。选择器件的质量等级应以此指标为出发点,考虑应用部位的关键程度,初步确定质量等级,再借助于电子设备可靠性预计检验初步确定质量等级的正确性和合理性。若预计结果说明初步确定的质量等级偏低,则应适当提高;反之则应适当降低,以兼顾经济性。不能只考虑到经济性而降低质量等级。

另外,在选用时对器件的引出端涂覆形式、辐射强度保证等级、内热阻、抗静电能力、抗瞬态过载能力等方面也应加以考虑。

二. 器件的测试

器件测试时,为获得准确的测试数据且不至于损坏器件,应按照国家标准的规定或按照由供方提供使用方认可的测试方法进行测试。测试时应注意以下事项:

1. 电测试条件

除另有规定外,器件应在下述环境条件下进行电测试:

环境温度:25±3℃;

相对湿度:45%~75%;

环境大气压:86Kpa~106Kpa。

2. 限制、保护措施

除非规定的测试方法中有要求,器件不应承受会产生超过器件最大额定值的工作条件。要采取措施限制最大瞬时电流和所加的电压,通常要求大串联电阻值(恒流源)及小电容量。避免引线反接、误接、短路,防止因仪器设备开启和关断时产生的浪涌电流加到器件上。

3. 小电流测试

测试反向电流或截止电流小的器件(如nA数量级)时,要注意采取措施保证测试夹具与测试仪器连接电路的寄生电流或外部漏电流远远小于被测器件的反向电流或截止电流。

4. 大电流测试

在进行较大电流测试时,为了避免因引线压降和接触压降所引起的测试误差,应尽可能采用具有开尔文连接功能的测试仪器和夹具。

5. 脉冲测试

当施加的测试条件有可能产生较大的功率耗散时,为避免因器件发热引起的测试误差或器件损伤,应采取脉冲方法进行测试以使器件发热减至最小。除另有规定外,脉冲频率为1000Hz±25Hz,脉冲时间(t

)应不大于10ms,占空比最大2%。

p

在此范围内,脉冲必须长至足以适应试验设备的能力和所要求的准确度,短至足以避免发热。

三. 器件的装配和焊接

装配和焊接质量的好坏对器件的可靠性影响很大,因此必须以科学合理的方法,从引线的成型和切断,在印制电路板上的安装、焊接、涂覆、清洗,器件的布置以及散热器的设计安装等各方面加以考虑。

1. 引线的成型和切断

在对器件的引线进行成型和切断时,应尽量避免使器件内部遭到机械损伤和不合理的机械应力,否则可能使器件的内引线折断,外壳和引线之间的玻璃绝缘子出现裂缝甚至将外引线折断,从而使器件的可靠性降低或无法使用。因此,应注意以

⑴引线折弯时,必须在离器件本体3mm以外用钳子或其他夹具夹紧,以防止将应力直接加到器件本体和引线之间,切断引线时亦应如此;

⑵引线弯曲角度不能大于90ο,而且不要使引线反复弯折;

⑶对扁形引线不允许横向弯折和切断;

⑷采用引线成型和切断工具时,不能损伤引线表面涂层。

2. 在印制电路板上安装

器件在印制电路板上安装时,要注意以下几个方面:

⑴印制电路板上安装孔的间隔要与引线成型的间隔一致,插入时不要将器件硬插入引线孔以免在器件引线上产生附加应力;也不可硬拉引线,以免造成引线和外壳间的过大应力。轴向拉力(沿引线轴方向的引线拉力)与引线直径(异形引线按截面积计算等效直径)有关,安装时不应超过表2的规定值。

⑵若须在印制电路板上粘接固定器件本体时,粘接应严格在器件的引线空间进行以避免使引线受力。

表2 引线直径和轴向拉力对照

⑶在印制电路板和器件之间如果必须采用垫层,应事先留下空隙。

⑷有散热器的器件在印制电路板上固定焊接时,为避免在器件上施加不必要的机械应力,须将器件事先固定在散热器上,并将散热器固定在印制电路板上后才可进行。

3. 焊接

器件在焊接时温度要尽可能低,时间应尽可能短,不允许在高温条件下滞留较长时间,以免使器件过热损坏。

⑴器件焊接时允许的热条件是温度不超过260℃,时间不超过10S。焊接时应在距离器件本体至少2mm以上处进行。焊接温度过高、时间过长,器件的结温会随之升高,可能导致器件性能退化或热破坏。

⑵焊接时,应避免使用酸性或碱性强的助焊剂以避免腐蚀引线或造成整机气

去多余的助焊剂。

⑶为了提高器件的焊接性能,在焊接前可对引线预先浸锡。此时应注意浸锡方式和操作方法,避免带来不必要的热应力而导致器件失效。

a. 引线浸锡时,必须距离器件本体2mm以上,不能直接浸到引线根部。

b. 用电烙铁浸锡时,应用镊子夹在器件本体和烙铁之间,以减少热量直接传向器件内部从而造成器件损坏。

c. 绝对不能将器件丢进锡锅内浸锡,否则器件将会失效。

d. 浸锡温度不能超过260℃,时间不能超过10S。

4. 器件的位置

在整机装配时,器件位置排列的合适与否对器件的可靠性影响很大,下面几种情况应引起注意:

⑴应使器件尽量远离大的电阻、变压器等发热源,避免热量传到器件或散热器上使其温度升高。

⑵器件应放置在不易积聚灰尘的地方以防止绝缘性能下降,可以在器件或印制电路板上涂敷一层防水树脂加以保护。

⑶注意避免在高压、高频设备中产生的感应电压使器件击穿。

5. 散热器的设计安装

器件特别是功率器件在使用时,为合理控制外热阻和外部热环境,发挥器件的最佳性能,要进行可靠的热设计。除对器件降额使用外,功率器件应安装散热器。散热器的设计安装要注意以下几个方面:

⑴散热器表面积应满足设计要求;散热器上有多个肋片时应选择肋片间距大的散热器;散热器要进行表面处理使其表面粗糙度适当并呈黑色以增强辐射散热。

⑵散热器的表面不允许有裂纹、起泡、起皮,局部机械损伤最大深度不超过

0.5mm,表面凹凸弯度与螺栓孔之间的间隔应小于0.05cm。

⑶应采取以下措施使器件外壳与散热器间的热阻尽可能少:

a. 器件与散热器接触时面积要尽可能大;

b. 接触面要保持平直光洁(平整度一般要求小于25μm),接触面和器件之间不能有切削多余物或碎屑;

c. 器件外壳与散热器间要求绝缘时应采用导热系数高的绝缘片,必要时应在

⑷对热敏感的器件,安装时应远离耗散功率大的元器件。

⑸在有气流的工作条件下,器件应安装在其他功率元器件自然或强迫对流的相反方向,有肋片的散热器应使其肋片沿散热器长度方向垂直安装便于自然对流。

⑹工作在真空条件下器件,散热器设计时应以只有辐射和传导散热为基础。

⑺器件在散热器表面安装时要使用合适的紧固力矩,以保证器件与散热器表面之间接触良好,使器件不至于受损并且热阻足够小。注意紧固时不能对外壳施加机械应力。

⑻器件在散热器表面安装好以后不允许对外壳和器件的散热片进行机械加工和整形,否则将产生应力或增大热阻。

四. 器件的贮存、包装和运输

1. 贮存

器件应贮存在干燥、通风、无腐蚀性气体影响,温度范围-10℃~40℃,相对湿度小于80%的库房内,若须堆码应严格按照包装箱上堆码标志的要求进行。在库房内贮存36个月以上的器件使用前,应对可焊性及主要电参数进行测试和检验,以确保器件质量可靠。

2. 包装

除非有符合产品要求的包装,使用方应使用供方提供的包装进行贮存和运输。

3. 运输

产品运输时应有牢固的包装箱,箱外应有符合规定的“小心轻放”、“防潮”等标志。装有产品的包装箱应允许用任何运输工具运输。运输过程中应避免雨雪的直接淋袭和机械撞击。

第一部分:二极管一. 开关二极管

5. 肖特基开关检波二极管2DKOlO、020、O3O型(替代2AK1~20、2AP1~31B)

6. 硅开关二极管2CK70~86、2CK49~56系列

B R B R F档V B=105V,V R=70V,其余参数不变。

注: 2CK76~81系列产品E档V B=90V,V R=60V;F档V B=105V,V R=70V,其余参数不变。

肖特基二极管常用参数大全分析

肖特基(势垒)二极管(简称SBD)整流二极管的基本原理?FCH10A15型号简称:10A15 ?主要参数:IF(AV)=10A, VRRM=150V ?产品封装:TO-220F ?脚位长度:6-12mm ?可测试参数:耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?型号全名:FCH20A15 ?型号简称:20A15 ?主要参数:20A 150V ?产品封装:TO-220F ?可测试参数:耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。 其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基整流二极管的主要参数 ?以下是部分常用肖特基二极管型号,以及耐压和整流电流值:

肖特基二极管 肖特基二极管常用参数大全 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 6

0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.50 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .60 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57 SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 5 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45

肖特基二极管特性详解(经典资料)

肖特基二极管特性详解 我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中,但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等,让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试,可得到如图2所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比,其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V,但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升,所以在价格条件允许下,尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路

图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中,高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的,二极管当然也不例外,在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道:二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大,却不影响二极管的稳定性,但在环境温度为75℃时,外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃,则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

肖特基二极管(学)

肖特基二极管 肖特基势垒二极管SBD(SchottkyBarrierDiode,简称肖特基二极管)是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 一、肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为 B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极(阻档层)金属材料是钼。二氧化硅(SiO2)用来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴

极的接触电阻。通过调整结构参数,可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒,当加上正偏压E时,金属A和N型基片B分别接电源的正、负极,此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时,势垒宽度就增加。 综上所述,肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN 结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,近年来,采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世,这不仅可节省贵金属,大幅度降低成本,还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子(电子)输送电荷,在势垒外侧无过剩少数载流子的积累,因此,不存在电荷储存问题(Qrr→0),使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低,一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点,能提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率。 二、肖特基二极管的结构 肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别,它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料、N-外延层(砷材料)、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成,如图4-44所示。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。

MHCHXM肖特基二极管MBR20100CT

◆Half Bridge Rectified、Common Cathode Structure.◆Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.◆Low Power Waste,High Efficiency.◆Low Voltage High Frequency Switching Power Supply.◆Low Voltage High Frequency Invers Circuit. ◆Low Voltage Continued Circuit and Protection Circuit. Summarize Absolute Maximum Ratings Symbol Data Unit VRRM 100 V VDC 100 V IFAV 2010 IFSM 150A TJ -40-+170℃ TSTG -40-+170 ℃ Electricity Character Item Minimum representative Maximum Value Unit TJ =25℃ 100 uA TJ =125℃ 10mA VF TJ =25℃IF=10A 0.82 v Forward Peak Surge Current(Rated Load 8.3Half Mssine Wave-According to JEDEC Method)Operating Junction Temperature Storage Temperature Test Condition IR VR=VRRM Item Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage Average Rectified Forward Current TC=150℃Whole Device A unilateral maximal DC interdiction voltage MBR20100Schottky diode,in the manufacture uses the main process technology includes:Silicon epitaxial substrate,P+loop technology,The potential metal and the silicon alloy technology,the device uses the two chip,the common cathode,the plastic half package structure. ◆ RoHs Product. Productor Character ◆Beautiful High Temperature Character. ◆Have Over Voltage protect loop,high reliability.Primary Use Package ITO-220AB TO-220AB Typical Reference Data Internal Equivalent Principle MBR20100CT

二极管封装大全

二极管封装大全 篇一:贴片二极管型号、参数 贴片二极管型号.参数查询 1、肖特基二极管SMA(DO214AC) 2010-2-2 16:39:35 标准封装: SMA 2010 SMB 2114 SMC 3220 SOD123 1206 SOD323 0805 SOD523 0603 IN4001的封装是1812 IN4148的封装是1206 篇二:常见贴片二极管三极管的封装 常见贴片二极管/三极管的封装 常见贴片二极管/三极管的封装 二极管: 名称尺寸及焊盘间距其他尺寸相近的封装名称 SMC SMB SMA SOD-106 SC-77A SC-76/SC-90A SC-79 三极管: LDPAK

DPAK SC-63 SOT-223 SC-73 TO-243/SC-62/UPAK/MPT3 SC-59A/SOT-346/MPAK/SMT3 SOT-323 SC-70/CMPAK/UMT3 SOT-523 SC-75A/EMT3 SOT-623 SC-89/MFPAK SOT-723 SOT-923 VMT3 篇三:常用二极管的识别及ic封装技术 常用晶体二极管的识别 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5表示编号为5的二极管。 1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长

肖特基二极管有哪些作用

肖特基二极管有哪些作用 肖特基二极管介绍: 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。 肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极(阻档层)金属材料是钼。二氧化硅(SiO2)用来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒,当加上正偏压E时,金属A和N型基片B分别接电源的正、负极,此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时,势垒宽度就增加。 综上所述,肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别,通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,近年来,采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世,这不仅可节省贵金属,大幅度降低成本,还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子(电子)输送电荷,在势垒外侧无过剩少数载流子的积累,因此,不存在电荷储存问题(Qrr→0),使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低,一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点,能提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率。 肖特基二极管作用

【经典】AD 9.0 PCB封装大全

PCB封装大全 电位器:pot1,pot2;封装属性为vr-1到vr-5 二极管:封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率) 三极管:常见的封装属性为to-18(普通三极管)to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管) 电源稳压块有78和79系列 78系列如7805,7812,7820等 79系列有7905,7912,7920等 常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥:BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列(D-44,D-37,D-46) 电阻:AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度,一般用AXIAL0.4 瓷片电容:RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小,一般用RAD0.1 电解电容:RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般<100uF用RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6 二极管:DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短,一般用DIODE0.4 发光二极管:RB.1/.2 集成块:DIP8-DIP40, 其中8-40指有多少脚,8脚的就是DIP8 贴片电阻 0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系但封装尺寸与功率有关通常来说 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W

电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 关于零件封装我们在前面说过,除了DEVICE。LIB库中的元件外,其它库的元件都已经有了固定的元件封装,这是因为这个库中的元件都有多种形式:以晶体管为例说明一下: 晶体管是我们常用的元件之一,在DEVICE。LIB库中,简简单单的只有NPN 与PNP之分,但实际上,如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3,如果它是NPN的2N3054,则有可能是铁壳的TO-66或TO-5,而学用的CS9013,有TO-92A,TO-92B,还有TO-5,TO-46,TO-52等等,千变万化。 还有一个就是电阻,在DEVICE库中,它也是简单地把它们称为RES1和RES2,不管它是100Ω还是470KΩ都一样,对电路板而言,它与欧姆数根本不相关,完全是按该电阻的功率数来决定的我们选用的1/4W和甚至1/2W的电阻,都可以用AXIAL0.3元件封装,而功率数大一点的话,可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下: 电阻类及无极性双端元件 AXIAL0.3-AXIAL1.0 无极性电容 RAD0.1-RAD0.4 有极性电容 RB.2/.4-RB.5/1.0 二极管 DIODE0.4及 DIODE0.7 石英晶体振荡器 XTAL1 晶体管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5) 可变电阻(POT1、POT2) VR1-VR5

电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印

二极管是电子电路中常用的元件之一,其在电子电路中可以作为整流、检波、钳位保护等用途。本文介绍一下电子爱好者搞电子制作时经常用到的一些二极管的主要电参数及封装丝印。 1、常用的整流二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 1N4001整流二极管 1N4001整流二极管是1N40xx系列中常用的管子,其耐压值为50V,整流电流为1A,在一些低压稳压电源中很常见。对于直插的1N4001二极管,带有白色色环的那一端为负极(其它型号的直插二极管亦然)。贴片封装的1N4001的丝印为M1,其参数与直插的1N4001的参数一样。 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 贴片1N4001二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 1N4007整流二极管 1N4007二极管可以说是1N40xx系列中最常用的二极管,该管耐压值为1000V,整流电流为1A,其广泛用于电子镇流器、LED驱动器中作为低频高压整流。 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 贴片1N4007二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 1N5408整流二极管

1N40xx系列二极管的整流电流为1A,若需要大电流整流,可以选用整流电流为3A的1N54xx 的整流二极管。其中1N5408是该系列中最常用的二极管。该管的耐压值可达1000V。 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 6A10整流二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 10A10整流二极管 若需要更大电流的整流二极管,可以选用6A10及10A10,它们的耐压值皆为1000V,整流电流分别为6A和10A。 2、常用的肖特基二极管 肖特基二极管高频性能良好,正向压降小,多用于开关电源及逆变器中作高频整流。 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 1N5819肖特基二极管 1N5819肖特基二极管高频性能良好,正向压降低(在左右),在一些输出电流1A以下的锂电池充电器中很常见。1N5819的耐压值为40V,整流电流为1A。 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 贴片封装的1N5819肖特基二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 1N5822肖特基二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 贴片封装的1N5822肖特基二极管

发光二极管封装结构与技术

发光二极管封装结构及技术( 1 ) 1、LED 封装的特殊性 LED 封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的,但却有很大的特殊性。一般情况下,分立器件的管芯被密封在封装体内,封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而LED 封装则是完成输出电信号,保护管芯正常工作,输出:可见光的功能,既有电参数,又有光参数的设计及技术要求,无法简单地将分立器件的封装用于LED 。 LED 的核心发光部分是由p 型和n 型半导体构成的pn 结管芯,当注入pn 结的少数载流子与多数载流子复合时,就会发出可见光,紫外光或近红外光。但pn 结区发出的光子是非定向的,即向各个方向发射有相同的几率,因此,并不是管芯产生的所有光都可以释放出来,这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料,应用要求提高LED的内、外部量子效率。常规①5mm型LED封装是将边长0.25mm 的正方形管芯粘结或烧结在引线架上,管芯的正极通过球形接触点与金丝,键合为内引线与一条管脚相连,负极通过反射杯和引线架的另一管脚相连,然后其顶部用环氧树脂包封。反射杯的作用是收集管芯侧面、界面发出的光,向期望的方向角内发射。顶部包封的环氧树脂做成一定形状,有这样几种作用:保护管芯等不受外界侵蚀;采用不同的形状和材料性质(掺或不掺散色剂),起透镜或漫射透镜功能,控制光的发散角;管芯折射率与空气折射率相关太大,致使管芯内部的全反射临界角很小,其有源层产生的光只有小部分被取出,大部分易在管芯内部经多次反射而被吸收,易发生全反射导致过多光损失,选用相应折射率的环氧树脂作过渡,提高管芯的光出射效率。用作构成管壳的环氧树脂须具有耐湿性,绝缘性,机械强度,对管芯发出光的折射率和透射率高。选择不同折射率的封装材料,封装几何形状对光子逸出效率的影响是不同的,发光强度的角分布也与管芯结构、光输出方式、封装透镜所用材质和形状有关。若采用尖形

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军用电子器件目录 JUN YONG DIAN ZI QI JIAN MU LU (2005 年版) 济南半一电子有限公司

半导体器件选用注意事项 (1) 第一部分:二极管 (8) 一.开关二极管 (8) 1. 锗金键开关二极管2AK1~20 系列 (8) 2. 锗金键检波二极管2AP1~31B系列 (9) 3. 肖特基检波二极管SP1~31B系列(替代2AP1~31B) (10) 4. 肖特基开关二极管SK1~20 系列(替代2AK1~20) (11) 5. 肖特基开关检波二极管2DKOl、O020、O3O型(替代2AK1~20、2AP1~31B)··12 6. 硅开关二极管2CK7~0 86、2CK4~9 56 系列 (13) 7. 硅开关二极管1N、1S、1SS、BAV系列 (16) 8. 玻璃钝化封装大电流开关二极管RG0.5~5 系列 (17) 二.整流二极管 (18) 1. 玻封快速硅整流二极管2CZ50~57系列 (18) 2. 玻璃钝化整流管1N、RL、6A 系列 (19) 3. 玻璃钝化高速整流管SF11G~66G系列 (20) 4. 贴片玻璃钝化整流管S1~5 系列 (21) 5. 贴片高速整流管ES1~5 系列 (22) 6. 肖特基二极管SR062~0 510、1N581~7 5822系列 (23) 7. 肖特基二极管SR73~5 4060 系列 (24) 8. 贴片肖特基二极管SS1~36、SS110系列 (25) 三.电压调整(稳压)二极管 (26) 1. 硅稳压二极管2CW5~078 系列 (26)

2. 硅稳压二极管2CW10~0121 系列 (27) 3. 硅稳压二极管ZW5~0 78 系列 (28) 4. 硅稳压二极管ZW10~0 121 系列 (29) 5. 硅稳压二极管2CW522~15255(1N5221~5255)系列 (30) 6. 硅稳压二极管2CW4728~A4754A(1N4728~A 4754A)系列 (31) 7. 硅稳压二极管1N746~A 759A、1N957A~974A系列 (32) 8. 硅稳压二极管1N4352~B 4358B系列 (33) 9. 硅稳压二极管HZ2~36 系列 (34) 10. 硅稳压二极管BZX55/C系列 (35) 11. 硅稳压二极管BZX85/C系列 (36) 四.电压基准二极管 (37) 1. 硅基准稳压二极管2DW1~4 18 系列 (37) 2. 硅平面温度补偿二极管2DW23~0236 系列 (38) 五.电流调整(稳流)二极管 (39) 1. 稳流管2DH~1 36 系列 (39) 六.瞬变电压抑制二极管 (40) 1. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS50~0 534系列 (40) 2. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS100~01034系列 (41) 3. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS150~01534系列 (42) 4. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS500~05034系列···························43 第二部 分:晶体管 (44) 一.双极型晶体管 (44) 1. 硅NPN型平面高频小功率三极管3DG11、0 3DG11、1 3DG130系列 (44) 2. 硅NPN型外延平面高反压三极管3DG182系列 (45)

常见二极管封装

二极管常用封装 (2013.9.22 Wu Edited.) 目录 一、常用二极管封装概述 (3) 二、常用二极管封装尺寸 (5) 1、表面安装模压型 (5) 1.1、SOD-723 (5) 1.2、SOD-523 (6) 1.3、SOD-323 (7) 1.4、SOD-123 (8) 1.5、DO-213AA (LL-34,Mini-Melf) (9) 1.6、SOD-106 (12) 1.7、DO-214AC(SMA) ........................................................................ 错误!未定义书签。 1.8、DO-213AB(Melf) (13) 1.9、SMAJ (17) 1.10、DO-214AA(SMB) (18) 1.11、DO-214AB(SMC) (20) 2、管脚式 (21) 2.1、DO-34 (21) 2.2、DO-35 (22) 2.3、DO-41Mini (23) 2.4、A-405 (24) 2.5、DO-15 (25) 2.6、DO-27 (26) 2.7、DO-204AR (27) 2.8、DO-41 (28) 2.9、R-1 (29) 2.10、R-3 (30)

2.11、R-6 (31) 3、直插式 (32) 3.1、TO-220AC (32)

一、常用二极管封装概述 1、表面安装模压型 英制公制封装系列封装管脚数0402 1006 VMD2 2 1406 SOD-723 2 0603 1608 EMD2 SOD-523 2 0603 1608 EMD3 SOT-416 3 0603 1608 EMD4 4 0805 2012 UMD2 SOD-323 2 0805 2012 UMD3 SOT-323 3 0805 2012 UMD4 SOT-343 4 0805 2012 UMD5 SOT-353 5 0805 2012 UMD6 SOT-363 6 2913 SSD3 SOT-23 3 2916 SMD3 SOT-346 3 2916 SMD4 SC-61A 4 2916 SMD5 SC-74A 5 2916 SMD6 SOT-457 6 1206 3216 PMPU SOD-123 2 3516 Mini-Melf DO-213AA(LL-34) 2 4526 PMDS SOD-106 2 2010 5025 SMA DO-214AC 2 2010 5025 Melf DO-213AB 2 5426 DO-214 2 5626 SMAJ 2 2114 5436 SMB DO-214AA 2 3220 8250 SMC DO-214AB 2 2、管脚式 英制公制封装系列封装管脚数2718 MSD DO-34 2 3718 GSD DO-35 2 3025 MSR DO-41Mini 2 5025 A-405 2 6333 DO-15 2 8952 DO-27 2 9363 DO-204AR 2 5126 DO-41 2 3025 R-1 2 3939 R-3 2 8988 R-6 2

肖特基(Schottky)二极管

肖特基(Schottky)二极管 肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。 一个典型的应用,是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态,从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS,74ALS,74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。 肖特基(Schottky)二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流稍大些。选用时要全面考虑。 三、晶体二极管 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5表示编号为5的二极管。 1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小; 而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常 把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如 1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用 一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。 3、测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极 管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好 相反。 4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下: 型号 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 耐压(V) 50 100 200 400 600 800 1000 电流(A)均为1 四、稳压二极管 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示,如:ZD5表示编号为5的稳压管。 1、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。 这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电 压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。 2、故障特点:稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中, 前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表: 型号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761 稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V 肖特基势垒二极管SBD(Schottky Barrier Diode,简称肖特基二极管)是近年来间世的低功耗、

发光二极管封装结构及技术

发光二极管封装结构及技术(1) 1、LED封装的特殊性 LED封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的,但却有很大的特殊性。一般情况下,分立器件的管芯被密封在封装体内,封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而LED封装则是完成输出电信号,保护管芯正常工作,输出:可见光的功能,既有电参数,又有光参数的设计及技术要求,无法简单地将分立器件的封装用于LED。 LED的核心发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯,当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时,就会发出可见光,紫外光或近红外光。但pn结区发出的光子是非定向的,即向各个方向发射有相同的几率,因此,并不是管芯产生的所有光都可以释放出来,这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料,应用要求提高LED的内、外部量子效率。常规Φ5mm型LED封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上,管芯的正极通过球形接触点与金丝,键合为内引线与一条管脚相连,负极通过反射杯和引线架的另一管脚相连,然后其顶部用环氧树脂包封。反射杯的作用是收集管芯侧面、界面发出的光,向期望的方向角内发射。顶部包封的环氧树脂做成一定形状,有这样几种作用:保护管芯等不受外界侵蚀;采用不同的形状和材料性质(掺或不掺散色剂),起透镜或漫射透镜功能,控制光的发散角;管芯折射率与空气折射率相关太大,致使管芯内部的全反射临界角很小,其有源层产生的光只有小部分被取出,大部分易在管芯内部经多次反射而被吸收,易发生全反射导致过多光损失,选用相应折射率的环氧树脂作过渡,提高管芯的光出射效率。用作构成管壳的环氧树脂须具有耐湿性,绝缘性,机械强度,对管芯发出光的折射率和透射率高。选择不同折射率的封装材料,封装几何形状对光子逸出效率的影响是不同的,发光强度的角分布也与管芯结构、光输出方式、封装透镜所用材质和形状有关。若采用尖形树脂透镜,可使光集中到LED的轴线方向,相应的视角较小;如果顶部的树脂透镜为圆形或平面型,其相应视角将增大。 一般情况下,LED的发光波长随温度变化为0.2-0.3nm/℃,光谱宽度随之增加,影

常用肖特基二极管型号

常用肖特基二极管型号: 常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号,各管的主要参数见表4-43。

常用的表面封装肖特基二极管有FB系列,其主要参数见表4-44。 特基二极管F5KQ100 F5KQ100 肖特基二极管30CPQ140 30CPQ140 肖特基二极管30CPQ100 30CPQ100 肖特基二极管30CPQ090 30CPQ090 肖特基二极管30CPQ060

30CPQ060 肖特基二极管30CPQ045 30CPQ045 肖特基二极管MBRS260T3G MBRS260T3G 肖特基二极管MBRS130T3G MBRS130T3G 肖特基二极管MBRS320T3G MBRS320T3G 肖特基二极管MBRS340T3G MBRS340T3G 肖特基二极管MBRS140T3G MBRS140T3G 肖特基二极管MBRS240LT3 MBRS240LT3 肖特基二极管MBRS230LT3 MBRS230LT3 肖特基二极管MBRS2040LT MBRS2040LT 肖特基二极管MBR20100 MBR20100 肖特基二极管MBR3045 MBR3045 肖特基二极管MBR2545 MBR2545 肖特基二极管MBR2045 MBR2045 肖特基二极管MBR1545 MBR1545 肖特基二极管MBR1045

MBR1045 肖特基二极管MBR745 MBR745 肖特基二极管MBR3100 MBR3100 肖特基二极管MBR360 MBR360 肖特基二极管DSC01232 DSC01232 肖特基二极管SB3040 SB3040 肖特基二极管IN5817 IN5817 肖特基二极管IN5819 IN5819 肖特基二极管IN5818 IN5818 肖特基二极管IN5822 IN5822 肖特基二极管HER107 HER107 肖特基二极管HER207 HER207 肖特基二极管HER307 HER307 肖特基二极管FR105 FR105 肖特基二极管FR2050

常用肖特基二极管参数

常用肖特基二极管参数 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0.65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.96 10BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00

30 0.39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0.53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.5 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0. 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0.57

SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.75 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0.51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45 30BQ015 IR SMC 3.00 15 0.35 30BQ040 IR SMC 3.00 40 0.51 30BQ060 IR SMC 3.00 60 0.58 30BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79 STPS340U STM SOD6 3.00 4

常用二极管的识别及ic封装技术

常用晶体二极管的识别 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5表示编号为5的二极管。 1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。 3、测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。 4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下: 型号 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 耐压(V) 50 100 200 400 600 800 1000 电流(A) 均为1 SMT基础知识介绍 SMT(Surface Mount Technology)是电子业界一门新兴的工业技术,它的兴起及迅猛发展是电子组装业的一次革命,被誉为电子业的”明日之星”,它使电子组装变得越来越快速和简单,随之而来的是各种电子产品更新换代越来越快,集成度越来越高,价格越来越便宜。为IT(Information Technology)产业的飞速发展作出了巨大贡献。 SMT零件 SMT所涉及的零件种类繁多,样式各异,有许多已经形成了业界通用的标准,这主要是一些芯片电容电阻等等;有许多仍在经历着不断的变化,尤其是IC类零件,其封装形式的变化层出不穷,令人目不暇接,传统的引脚封装正在经受着新一代封装形式(BGA、FLIP CHIP等等)的冲击,在本章里将分标准零件与IC 类零件详细阐述。 一、标准零件 标准零件是在SMT发展过程中逐步形成的,主要是针对用量比较大的零件,本节只讲述常见的标准零件。目前主要有以下几种:电阻(R)、排阻(RA或RN)、电感(L)、陶瓷电容(C)、排容(CP)、钽质电容(C)、

肖特基的工作原理及特点

肖特基二极管的工作原理和特点 肖特基二极管(SBD)是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安培。肖特基二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。常用在彩电的二次电源 整流,高频电源整流中。 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极 管。 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。 基本原理是:在金属和N型硅片的接触面上,用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右,大多不高于60V,以致于限制了其应用范围。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管(SBD)的主要特点: 1)正向压降低:由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,故其正向导通门限电压和 正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。 2)反向恢复时间快:由于SBD是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN 结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少,故开关速度非常快,开关损 耗也特别小,尤其适合于高频应用。 3)工作频率高:由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。 4)反向耐压低:由于SBD的反向势垒较薄,并且在其表面极易发生击穿,所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿,反向漏电流比PN结二极管大。 SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流,在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝

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