2SB1713中文资料(rohm)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
晶体管
-3A / -12V双极晶体管2SB1713
应用
低频放大,驱动器外形尺寸（单位：mm）MPT3
特征
1）集电极电流高.
2）低集电极 - 发射极饱和电压.
（典型值= -250mV,在I C= -1.5A, I B= -30mA)
结构体
PNP外延平面硅晶体管
绝对最大额定值(Ta=25°C)
参数
集电极基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极基极电压
集电极电流功耗
结温
储存温度DC
Pulse
符号
V
V
V
I
I
P
Tj
Tstg
限制
15
12
6
3
6
0.5
2
150
55to+150
1
2
3
包装规格
Unit
V
V
V
A
W
°C
°C
包
包装类型
Code
型号
2SB1713
基本订购单位（件）
M PT3
大坪
T100
1000
1Pw=1ms, Pulsed.
2Each terminal mounted on a recommended land. 3M ounted on a 40×40×0.7mm ceramic board.
电气特性(Ta=25°C)
参数
集电极 - 发射极击穿电压集电极基击穿电压
发射基地击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压D C电流增益
转换频率
集电极输出电容符号
BV
BV
BV
I
I
V
h
f
C ob
最小典型.最大.部件
12
15
6
270
280
30
100
100
680
nA
m V
pF
V
I= 1mA
I= 10μA
I= 10μA
V= 15V
V= 6V
条件
120 250I/I= 1.5A/ 30mA
V= 2V,I= 500mA
V= 10V, I=0m A , f=1M H z
兆赫V= 2V,I=500m A , f=100M H z
1/2
晶体管
电气特性曲线
V)V)
A)A)A)
Fig1. DC current gain vs. collector current
Fig.2 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
Fig.3 Base?emitter saturation voltage
vs.collector current
)
Fig.4 Grounded emitter propagation
charactereistics Fig.5 Gain bandw idth product
vs. emitter current
Fig 6. Emitter input capacitance vs. emitter-base volatage
Collector output capacitance vs. collector-base voltage
2/2
附录
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交通运输设备,航空航天机械,核反应控制器,燃料控制器等
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关于出口管制令日本
产品本文所述品控对象附件出口贸易管制1（16项）
订单在日本.
如果从日本出口,请确认是否适用于"客观"标准或"通知"（通产省条款）基础上"捉对大规模杀伤性武器不
扩散所有控件.
Appendix1-Rev1.1