SI2302 N沟道MOS管中文数据资料.pdf

Si2302DS

Vishay Siliconix

N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET

ＳＩ２３０２是二三极管的一种，属于增强模式场效应晶体管

ＳＩ２３０２

主要参数：

晶体管类型　：Ｎ沟道ＭＯＳＦＥＴ 最大功耗ＰＤ　：　１．２５Ｗ

栅极门限电压ＶＧＳ　：　２．５Ｖ（典型值） 漏源电压ＶＤＳ　：２０Ｖ（极限值） ２０ｖ　漏极电流ＩＤ：２．８Ａ

通态电阻ＲＤＳ（ｏｎ）：０．１４５ｏｈｍ（典型值） 栅极漏电流ＩＧＳＳ：±１００ｎＡ 结温：５５℃ｔｏ＋１５０℃

替代型号：

封装：

ＳＯＴ－２３（ＴＯ－２３６）

ＷＴ－２３０２　ＷＴＣ２３０２　ＳＭＧ２３０２　ＣＥＳ２３０２　ＫＩ２３０２ＢＤＳ

PRODUCT

V DS (V)

20

Max Unit

V

"100nA 1

m A

TYPICAL CHARACTERISTICS a i n C u r r e n t (A )

46

8

10

On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage

= 3.6 A