场效应管代换

场效应管代换
场效应管代换

常用场效应管(25N120等)参数及代换

FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25A//TO3P (电磁炉用)

FQA27N25 (MOSFET) 250V/27A/TO3P IRFP254

FQA40N25 (MOSFET) 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264

FQA55N25 (MOSFET) 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3P

FQA18N50V2 (MOSFET) 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460A

FQA24N50 (MOSFET) 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P

FQA28N50 (MOSFET) 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50E

FQL40N50 (MOSFET) 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50

FQA24N60 (MOSFET) 600V/24A/TO3P

FQA10N80 (MOSFET) 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3P

FQA13N80 (MOSFET) 800V/13A/300W/0. Ω/TO3P

FQA5N90 (MOSFET) 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P

FQA9N90C (MOSFET) 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P

FQA11N90C (MOSFET) 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P

FFA30U20DN (快恢复二极管) 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02A

FFPF30U60S (快恢复二极管) 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560

FFA30U60DN (快恢复二极管) 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06A

MBRP3010NTU (肖特基) 100V/30A/TO-220

MBRA3045NTU (肖特基) 45V/30A/TO-3P

ISL9R3060G2 (快恢复二极管) 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 (快恢复二极管) 600V/30A/35nS/TO247

FQP44N10 (MOSFET) 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 (MOSFET) 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220

IRFP450B (MOSFET) 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P

IRFP460C (MOSFET) 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460

KA3162/FAN8800 (Drive IC)单IGBT/MOSFETFET驱动IC

RHRP860 (快恢复二极管) 600V/8A/30NS/TO-220 MUR860

RHRP1560 (快恢复二极管) 600V/15A/TO0220 MUR1560

RHRP8120 (快恢复二极管) 1200V/8A/75W/TO220

RHRP15120 (快恢复二极管) 1200V/15A/TO220

RHRP30120 (快恢复二极管) 1200V/30A/125W/TO220单 DSEI20-10A

RHRG30120 (快恢复二极管) 1200V/30A/T03P

SSH45N20B (MOSFET) 200V/45A/TO3P IRFP260

FGL40N150D (IGBT) 1500V/40A/TO264快速IGBT

FGL60N100BNTD (IGBT) 1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100

HGTG10N120BND (IGBT) 1200V/35A/298W/100ns/TO247

HGTG11N120CND (IGBT) 1200V/43A/298W/TO247

HGTG18N120BND (IGBT) 1200V/54A/390W/90ns/TO247

FQP5N50C (MOSFET) 500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代:IRF830,用于35W FQPF5N50C (MOSFET) 500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代:IRF830,用于35W FQP9N50C (MOSFET) 500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代:IRF840,用于75W FQPF9N50C (MOSFET) 500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220F 替代:IRF840,用于75W

FQP13N50 (MOSFET) 500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W产品

FQPF13N50 (MOSFET) 500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F 用于75W/125W产品

FQD5N50C (MOSFET) 500V/5A/1.4Ω/TO252 用于35W FQA16N50 (MOSFET) 500V/16A/200W/0.32C/TO3P 用于150W到250W的产品

FDP15N50 (MOSFET) 500V/15A/0.43Ω/56W/TO220 用于150W左右的产品

FQP18N50V2 (MOSFET) 500V/18A/0.43Ω/208W/TO220 用于250WG到400W的产品

FQPF18N50V2 (MOSFET) 500V/18A/0.43Ω/56W/TO220 用于250WG到400W的产品

FQA18N50V2 (MOSFET) 500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P 用于250WG到400W的产品

FQA24N50 (MOSFET) 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 用于400W的产品

FQA24N60 (MOSFET) 600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P 用于400W的产品

FQA28N50 (MOSFET) 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P 用于400W的产品

FQL40N50 (MOSFET) 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 用于560W的产品

IRF740B (MOSFET) 400V/10A/0.55Ω/134W/TO220

IRF730B (MOSFET) 400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220

IRF830B (MOSFET) 500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220

IRF840B (MOSFET) 500V/8A/0.85Ω/134W/TO220

IRFP450B (MOSFET) 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P

IRFP460C (MOSFET) 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W

FQPF5N60C (MOSFET) 600V/5A/TO220F

FQPF8N60C (MOSFET) 600V/8A/TO220F

FQPF10N60C (MOSFET) 600V/10A/TO220

FQPF12N60 (MOSFET) 600V/12A/51W/0.65Ω/TO220F

FCP11N60 (MOSFET) 650V/11A/125W0.32Ω/TO220

RHRD660S (快恢复二极管) 600V/6A/TO-252

RHRP860 (快恢复二极管) 600V/8A/75W/TO-220

RHRP1560 (快恢复二极管) 600V/15A/TO-220单

2N7002 (三极管) 60V/0.12A/SOT-23 HUF76629D3S (MOSFET) 100V/20A/110W/TO-252

HUF75639S3S (MOSFET) 100V/56A/200W/TO-263

ISL9V3040D3S (IGBT) 430V/21A/150W/300MJ/TO252

ISL9V3040S3S (IGBT) 430V/21A/150W/300MJ/TO263

ISL9V5036S3S (IGBT) 360V/46A/250W/TO262

FQP33N10L (MOSFET) 100V/33A/52MΩ127W/TO220

常用胆管代换及特性

常用胆管代换及特性(一) 常用电压放大级即前级放大胆管代换表 6N1ECC85,6AQ8,6H1л 6N412AX7,ECC83,E83CC,7729,CV4004,B759,CV492 6N10 12AU7,ECC82,E82CC,7316,CV4003,5814,B749,6189 6N11 6DJ8,E88CC,ECC88,6922,ECC189,6J5,6H11N,7308,El88CC 6N8P 6SN7,B65,5692,33S30,CV1988,6H8C,6HM,6F8G,1633 6H8C 6HM,6F8G,1633,9002,6C8G 6J8P 6SJ7,6267,EF86,12AT7 ECC81,CV4024,6201,B739,A2900,2025,ECC8015 6N9P 6SL7,5691,33S29,VT229 6F2ECF82,6U8 6N26H2л 功率用管代换表 6P3P6L6GC,5881 6P6P6V6GT,5S2,KT63 EL346CA7,KT66,7027A 6P14EL84,6BQ5,6П14П 6N5P6080,6AS7,6H5C FU-5805 FU-7807,1625 FU-13813 FU-4606146B FU-17 FU-605 6T51 70926T50 FU811811A FU812812A GL-211 211

300B WE300B,NL50,4300B KT886550,NT99,KT100 2A32A3S 845845A 6360,TY-7 整流电子管代换及特性表 型号代换型号Bb2V UfV/I I2L(mA)最大型式 5U4G5Z3P,U52500V5V/3A2500直热式5Y3GT522P350V5V/2A125直热式5R4GY22S2C900V5V/2A150直热式5T4450V5V/3A250A直热式6Z4350V 6.3V/0.5A50直热式 6Z56X5230V 6.3V/0.8A60旁热式 6X4325V 6.3V/0.5A70旁热式 5Z4P5Z4400V5V/2A125旁热式5AR4GZ34450V5V/1.9A250旁热式

常用功率MOS管代换

常用功率MOS管代换 品牌INFINEON 型号09N03LA,IPS09N03L 封装TO-251 极限电压25(V) 极限电流50(A) 沟道类型N沟道 品牌INFINEON 型号09N05,SPD09N05 封装TO-252 极限电压55(V) 极限电流9.2(A) 沟道类型N沟道 品牌MOT/ON 型号20N03L,20N03HL 封装TO-252/TO-251 极限电压20(V) 极限电流30(A) 沟道类型N沟道

品牌MOT,ON,哈里斯 型号MTP3055,MTP2955 封装TO-220 极限电压60(V) 极限电流12(A) 品牌NIKO 型号P3057LD 封装TO-252 极限电压25(V) 极限电流12(A) 品牌ST 型号D38NH02L,STD38NH02L 封装TO-252 极限电压24(V) 极限电流38(A) 沟道类型N沟道 品牌NIKO 型号P45N02LD,P45N02LDG

封装TO-252 极限电压20(V) 极限电流45(A) 沟道类型N沟道 型号50N03 封装TO-252,TO-220 极限电流50A(A) 沟道类型N沟道 品牌PHILIPS 型号PHB55N03LTAS 封装TO-263 极限电压25(V) 极限电流55(A) 沟道类型N沟道 品牌IR,ST,三星,MOT,东芝,哈里斯型号IRF630 封装TO-220,TO-220F 极限电压200V(V) 极限电流9(A)

沟道类型N沟道 品牌MOT,IR,ST,FSC等型号IFR640 封装TO-220,T0-263 极限电压200V(V) 极限电流18A(A) 品牌FAIRCHILD 型号603AL 封装TO-252 极限电压30(V) 极限电流25(A) 沟道类型N沟道 品牌FAIRCHILD 型号FDD6676 封装TO-252 极限电压30(V) 极限电流78(A) 沟道类型N沟道

场效应管对照表

场效应管对照表(分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数) 本手册由"场效应管对照表"和"外形与管脚排列图"两部分组成。 在场效应管对照表中,收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管(JFET)、金属氧化物半导体场次晶体管(MOSFET)、肖特基势垒控制栅场效应晶体管(SB)、金属半导体场效应晶体管(MES)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、静电感应晶体管(SIT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等,型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号,其中含国产场效应晶体管型号。 1."型号"栏 表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。同一类型的场效应晶体型号编为一组,处于同一格子内,不用细线分开。2."厂家"栏 为了节省篇幅,仅列入主要厂家,且厂家名称采用缩写的形式表示。) 所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下: ADV 美国先进半导体公司 AEG 美国AEG公司 AEI 英国联合电子工业公司 AEL 英、德半导体器件股份公司 ALE 美国ALEGROMICRO 公司ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司AME 挪威微电子技术公司 AMP 美国安派克斯电子公司 AMS 美国微系统公司 APT 美国先进功率技术公司 ATE 意大利米兰ATES公司 ATT 美国电话电报公司 AVA 美、德先进技术公司 BEN 美国本迪克斯有限公司 BHA 印度BHARAT电子有限公司CAL 美国CALOGIC公司 CDI 印度大陆器件公司 CEN 美国中央半导体公司 CLV 美国CLEVITE晶体管公司 COL 美国COLLMER公司 CRI 美国克里姆森半导体公司 CTR 美国通信晶体管公司 CSA 美国CSA工业公司 DIC 美国狄克逊电子公司 DIO 美国二极管公司 DIR 美国DIRECTED ENERGR公司LUC 英、德LUCCAS电气股份公司MAC 美国M/A康姆半导体产品公司MAR 英国马可尼电子器件公司 MAL 美国MALLORY国际公司DIT 德国DITRATHERM公司ETC 美国电子晶体管公司 FCH 美国范恰得公司 FER 英、德费兰蒂有限公司 FJD 日本富士电机公司 FRE 美国FEDERICK公司 FUI 日本富士通公司 FUM 美国富士通微电子公司 GEC 美国詹特朗公司 GEN 美国通用电气公司 GEU 加拿大GENNUM公司 GPD 美国锗功率器件公司 HAR 美国哈里斯半导体公司 HFO 德国VHB联合企业 HIT 日本日立公司 HSC 美国HELLOS半导体公司 IDI 美国国际器件公司 INJ 日本国际器件公司 INR 美、德国际整流器件公司 INT 美国INTER FET 公司 IPR 罗、德I P R S BANEASA公司ISI 英国英特锡尔公司 ITT 德国楞茨标准电气公司 IXY 美国电报公司半导体体部KOR 韩国电子公司 KYO 日本东光股份公司 LTT 法国电话公司 SEM 美国半导体公司 SES 法国巴黎斯公司 SGS 法、意电子元件股份公司

可以相互替代的一些场效应管

可以相互替代的一些场管. 如无特别说明,同一条内的管子可以相互替换. 1、SD9435 SOP-8 < 5.3A 30V 50 mΩ >,可替代市面上各类型9435 : APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435 、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、FDS9435、Si9435、STP9435、SPP9435、Si9435DY、SM9435、iTM9435、MI9435、ME9435、ME4405 等等! 2、SD9926 SOP-8 <6A 20V 28 mΩ>,可替代市面上各类型9926 : APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V 、SDM9926、STM9926、 MT9926、TM9926 、GE9926、 iTM9926、 MI9926、 TF9926 、AFT9926 、FDS9926、GT9926 等等! 3、SG9926 TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>:暂无。 4、SD4953 SOP-8 <30V 5A 53mΩ>,可替代市面上各类型4953 : GE4953、 iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953 、SSM4953、CEM4953、STS4953、AP4953、 TM4953、STM4953、SDM4953、STP4953、AO4801、AO4801A、AO4803、AO4803A、AFT4953、SPP4953、STP4953A、SPP4953A、 GT4953、Si4953DY、MI4953、ME4953、SM4953、TF4953、AKE4953 等等! SD4953BDY替代APM4953、Si4953、FDS4953、CEM4953 5、 SD4435 SOP-8 <30V 8A 20mΩ>,可替代市面上各类型4435 : APM4435、 Si4435DY、 CEM4435、 SDM4435、 SSM4435、 GE4435 、MT4435、 H4435、STM4435、 AP4435、TM4953、AO4411、STP4435、GT4435、MI4435、ME4435、SPP4435、SM4435 等等! 6、SD4410 SOP-8 <10A 13.5mΩ 30V>,替代各型4410: APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、AO4406、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N、STN4410、STP4410、SPN4410、MI4410、SM4410、GT4410、AFT4410 等等! 7、SD2300 SOT-23-3L <20V 4A 28mΩ>,替代各型2300: APM2300、Si2300、CEM2300、STS2300、AP2300、MT2300、MI2300、ST2300、SSS2300、GT2300、GE2300、GE2312、iTM2300、SM2300、TM2300、ME2314 等等! 8、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>,替代各类2301 : APM2301 、 Si2301、 CEM2301 、STS2301 、 AP2301 、 MT2301、IRLML6401、ST2301、ST2301A、STS2301A、SSS2301、SSS2301A、MI2301、ST2301M、ME2301、TM2301、CES2301、KI2301DY 等等! 9、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>,可替代市面上各类型2301M、2301A、2301S : APM2301A、SSS2301A、STS2301A、ST2301M 等等!

常用高清行管和大功率三极管主要参数表

常用高清行管和大功率三极管主要参数表 2010-03-02 10:33:54 阅读78 评论0 字号:大中小 高清彩电行管损坏的原因及代换 现在,大屏幕彩色电视大都是数字高清,原来50Hz的场扫描频率接近人眼感知频闪的临界点,所以高清电视都是提高扫描频率来提高图像的清晰度,即将场扫描提高到100Hz或是60Hz逐行,这样就会使行扫描的频率提高一倍,自然行输出管的开关速度和功耗都会随之增加,普通的行输出管已经不能胜任,要采用性能更好的大功率三极管。目前采用的行管有:C5144、C5244、J6920、C5858、C5905等,这些行输出管的耐压都在1500V以上,电流多大于20A,但是由于其功耗比较大,损坏率还是比较高。归纳起来,其损坏的原因一般有以下六种。 1. 行激励不足 如果行激励不足,行管不能迅速截止与饱和,导致行管内阻变大,将造成行输出电路的功耗增加,引起行输出管发烫,一旦超过行管功耗的极限值,便会使行管烧坏。 在海信高清电视中,行振荡方波信号是由数字变频解码板输出,经过一对三极管2SC1815、2SA1015放大后,送到行激励管的基极。这两个三极管工作在大电流开关状态,故障率相对较高,损坏后就会造成行激励不足,损坏行输出管,对比可以用示波器测量行管基极的波形来确定。另外,行管基极的限流电阻阻值一般为Ω,与行管的发射极串联,再与行激励变压器并联,若是阻值增大有可能用普通万用表测不出来。我们曾经修过多例次电阻增值到2Ω以上而导致开机几分钟后行管损坏的故障,且损坏行管的比例较大。 2. 行逆程电压过高 在行逆程期间,偏转线圈会对逆程电容充电,逆程电容容量大小决定充电的时间。容量越小,充电时间越短,充电电压越高,因而会产生很高的反峰脉冲电压。所以,当行一旦超过行管的耐压值,就会出现屡烧行管的结果。我们在测量逆程电容时,一般是测量电容的直流参数,而一些ESR等交流参数无法测量,所以最好是代换较可靠。 3. 行偏转线圈或行输出变压器局部短路造成行负责过重 常见场输出集成电路击穿导致行偏转线圈或行输出变压器绝缘性能下降,产生局部短路、行输出逆程电容漏电等。如果保护电路性能不完善,则会引起行管过流损坏。海信高清电视由于电源保护措施比较完善,所以这种情况不多见,表现出来的现象是行一开机就停。 4. 电源电压升高 电源电压升高会导致行逆程电压升高。现在的高清电视电源一般都是模块化的,电源设计比较合理,保护功能全,不像以前的老式电源电路,电源电压升高造成击穿行管的故障相对比较少。 5. 行管的型号和参数不对 这种情况在专业的厂家售后一般不会出现,但是作为个体维修或是业余维修就可能遇到。高清电视行管的功率大、频率高,最好用同型号行管代换。有的行管发射结没有并联电阻,如果采用普通行管,发射结并联电阻的阻值比较小,会造成基极驱动电流小,激励不足,行电流过大(正常高清行电流在500mA~600mA)而再次损坏。更换行管后测量行电流,如果原行推动变压器次级并联有缓冲电阻的,可将电阻阻值增大,甚至拿掉;如果行管发射极串联有负反馈电阻或是基极有限流电阻的,可减小该电阻阻值,再次测量行电流,如果行电流减小就适当改变这两个电阻的阻值。 6. 其他 像阻尼二极管开路、高压打火、显像管内部跳火、行信号反馈电路有故障、更换后的行管

电子管代换

6N1 ECC85,6AQ8,6H1л 6N4 12AX7,ECC83,E83CC,7729,CV4004,B759,CV492 6N10 12AU7,ECC82,E82CC,7316,CV4003,5814,B749,6189 6N11 6DJ8,E88CC,ECC88,6922,ECC189,6J5,6H11N,7308,El88CC 6N8P 6SN7,B65,5692,33S30,CV1988,6H8C,6HM,6F8G,1633 6H8C 6HM,6F8G,1633,9002,6C8G 6J8P 6SJ7,6267,EF86,12AT7 ECC81,CV4024,6201,B739,A2900,2025,ECC8015 6N9P 6SL7,5691,33S29,VT229 6F2 ECF82,6U8 6N2 6H2л 功率用管代换表 6P3P 6L6GC,5881 6P6P 6V6GT,5S2,KT63 EL34 6CA7,KT66,7027A 6P14 EL84,6BQ5,6П14П 6N5P 6080,6AS7,6H5C FU-5 805 FU-7 807,1625 FU-13 813 FU-46 06146B

FU-17 FU-605 6T51 7092 6T50 FU811 811A FU812 812A GL-211 211 300B WE300B,NL50,4300B KT88 6550,NT99,KT100 2A3 2A3S 845 845A 6360,TY-7 整流电子管代换及特性表 型号代换型号 Bb2V UfV/I I2L(mA)最大型式 5U4G 5Z3P,U52 500V 5V/3A 2500 直热式5Y3GT 522P 350V 5V/2A 125 直热式 5R4GY 22S2C 900V 5V/2A 150 直热式 5T4 450V 5V/3A 250A 直热式 6Z4 350V 6.3V/0.5A 50 直热式

电脑主板适用场效应管参数及代换

电脑主板适用场效应管参数及代换 器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型 2SK 3225-Z N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 60V,34A,40W,32/110ns,Ron=0.018mΩ TO-252 3353- Z N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 60V,82A,95W,100/280ns,Ron=14mΩ T O-263 3354-S 3354-Z N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 60V,83A,100W,100/300ns,Ron=8mΩ 2SK 3355-ZJ 2SK 3355-ZJ TO-263 3355-ZJ N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 60V,83A,100W,130/510ns,Ron=5.8mΩ 2SK 3354-S-Z 2SK 3354-S-Z TO-263 3366-Z N-MOSFET(耗尽型)用于用于笔记本电脑 中的DC-DC转换 30V,20A,30W,28/47ns,Ron=21mΩ TO-252 3367-Z N-MOSFET(耗尽型)用于用于笔记本电脑 中的DC-DC转换 30V,36A,40W,75/165ns,Ron=9mΩ TO-252 3377-Z N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 60V,20A,30W,13/43ns,Ron=40mΩ TO-252 3385-Z N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 60V,30A,35W,22/77ns,Ron=28mΩ 2SK 3386-Z 2SK 3386-Z TO-252 3386-Z N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 60V,34A,40W,32/98ns,Ron=25mΩ 2SK 3385-Z 2SK 3385-Z TO-252 3900-ZP N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 60V,82A,104W,18/62ns,Ron=8mΩ TO-263 3901-ZK N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 60V,60A,64W,12/48ns,Ron=13mΩ TO-263 3902-ZK N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 60V,30A,45W,10/37ns,Ron=21mΩ TO-263 3943-ZP N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 40V,82A,104W,29/69ns,Ron=3.5mΩ TO-263 738-Z N-MOSFET(耗尽型)功率场效应管 30V,2A,20W,Ron=0.25Ω TO-252 MTD 10N05A N通道,功率场效应管 50V,10A,1.8W,Ron=0.1Ω MTD 3055A TO-252 10N05E 10N05E1 N通道,功率场效应管 50V,10A,20W,30/45ns,Ron=0.1Ω TO-252 10N08E 10N08E1 N通道,功率场效应管 80V,10A,50W,13/45ns,Ron=0.12Ω TO-252 器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型 3055A N通道,功率场效应管 60V,8A,1.8W,Ron=1.5Ω MTD 10N05A TO-252

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220

DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进 行判别 (1)用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以 判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。

1 / 19 . (2)用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效 应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏 极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测 得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极 之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。 (3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S, 黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时 表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针

电子管代换2

国内外常用电子管代换大全-----希望对各位烧友有用………… 一、常用型号、用途及代换 常用型号管芯结构主要用途国外同类型号代备注 5X4G 直热式双阳极二极管小功率全波整流氧化物阴极 5Z3P 直热式双阳极二极管小功率全波整流5T4、5ц3C、CV1861、5R4GY、U52、CV1071、5V3、5AU4、5U4G氧化物阴极 5Z4P 旁热式双阳极二极管小功率全波整流*5B×1、*5ц4C,GZ30、CV2748、5Z4G/GT 氧化物阴极 5Z1P 直热式双阳极二极管小功率全波整流氧化物阴极 5Z2P 直热式双阳极二极管小功率全波整流5W4、5Y3G、80、U50 氧化物阴极 5Z8P 旁热式双阳极二极管全波整流*5ц8C 氧化物阴极 5Z9P 旁热式双阳极二极管全波整流*5ц9C 氧化物阴极 6Z4 旁热式双阳极二极管全波整流*6ц4П、6B×4、6×4、6Z31 共阴极 6Z5P 旁热式双阳极二极管小功率全波整流*6ц5C 共阴极 6H2 旁热式双阳极二极管检波、整流*6×2П、6AL5、C 氧化物阴极 6C1 旁热式三极管宽带电压放大*6C1П、CV664、9002 氧化物阴极 6C3 旁热式三极管宽带电压放大*6C3П 阴地三极管 6C4 旁热式三极管宽带电压放大*6C4П 栅地三极管 6C5P 旁热式三极管低频电压放大6C5GT、*6C5C、6C5 、CV1067、L63氧化物阴极 6C6B 旁热式三极管低频电压放大5703、CV3917、*6C6Ь 氧化物阴极 6C7B 旁热式三极管低频电压放大*6C7Ь 氧化物阴极 6C12 旁热式三极管宽带电压放大EC88、5842 高S、低N 6C31B-Q 旁热式三极管电压放大*6C31Ь-B 氧化物阴极 6C32B-Q 旁热式三极管电压放大*6C32Ь-B 遥截止三极管

电脑主板场管代换表(MOS 管代换)

如无特别说明,同一条内的管子可以相互替换 1、SD9435 SOP-8 < 5.3A 30V 50 mΩ>,可替代市面上各类型9435 APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435 、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、 FDS9435、Si9435、STP9435、SPP9435、Si9435DY、SM9435、iTM9435、MI9435、ME9435、ME4405 等等! 2、SD9926 SOP-8 <6A 20V 28 mΩ>,可替代市面上各类型9926 :APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V 、SDM9926、STM9926、MT9926, TM9926 、GE9926、iTM9926、MI9926、TF9926 、AFT9926 、FDS9926、GT9926 等等! 3、SG9926 TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>:暂无 4、SD4953 SOP-8 <30V 5A 53mΩ>,可替代市面上各类型4953 : GE4953、iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953 、SSM4953、CEM4953、STS4953、AP4953、TM4953、 STM4953、SDM4953、STP4953、AO4801、AO4801A、AO4803、AO4803A、AFT4953、SPP4953、STP4953A、 SPP4953A、GT4953、Si4953DY、MI4953、ME4953、SM4953、TF4953、

AKE4953 等等! SD4953BDY 替代APM4953、Si4953、FDS4953、CEM4953 5、SD4435 SOP-8 <30V 8A 20mΩ>,可替代市面上各类型4435 :) APM4435、Si4435DY、CEM4435、SDM4435、SSM4435、GE4435 、H4435、STM4435、AP4435、TM4953、AO4411、STP4435、GT4435、MI4435、 ME4435、SPP4435、SM4435 等等!! 6、SD4410 SOP-8 <10A 13.5mΩ30V>,替代各型4410: APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、AO4406、SSM4410、SDM4410、 STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N STN4410、STP4410、SPN4410、MI4410、SM4410、GT4410、AFT4410 等等! 7、SD2300 SOT-23-3L <20V 4A 28mΩ>,替代各型2300: APM2300、Si2300、CEM2300、STS2300、AP2300、MT2300、MI2300、ST2300 SSS2300、GT2300、GE2300、GE2312、iTM2300、SM2300、TM2300、ME2314 等等!

电子管代换与说明

常用电压放大级即前级放大胆管代换表6N1ECC85,6AQ8,6H1л 6N412AX7,ECC83,E83CC,7729,CV4004,B759,CV492 6N10 12AU7,ECC82,E82CC,7316,CV4003,5814,B749,6189 6N11 6DJ8,E88CC,ECC88,6922,ECC189,6J5,6H11N,7308,El88CC 6N8P 6SN7,B65,5692,33S30,CV1988,6H8C,6HM,6F8G,1633 6H8C 6HM,6F8G,1633,9002,6C8G 6J8P 6SJ7,6267,EF86,12AT7 ECC81,CV4024,6201,B739,A2900,2025,ECC8015 6N9P 6SL7,5691,33S29,VT229 6F2ECF82,6U8 6N26H2л 电子管代换及说明 可以直接代用12AU7的型号有:ECC82,E82CC,ECC802S,B329,CV491,CV4003,CV8155,M8136,5814,6189,7730,6067,7730。 可以直接代用12AX7的管子有:ECC83,ECC803S,B339,E283CC,M8137,CV492,CV4004,CV8156,6057,7729。7025,5751,7058,6N4。 前级管的选择:12AX7:品牌一:AMPEREX 『橙字』『地球嘜』品牌二:RCA 5751 『红字』『黑屏』『方环胆』『三云母』三:『黃字』『三雲母』『黑屏』『方環』『閃電嘜』SYLVANIA 5157。12AU7:品牌一:AMPEREX『地球嘜』品牌二:MULLARD ecc82 6922:品牌一:西门子CCA品牌二:AMPEREX 7308 PHILIPS电子管大家族 “买Philips电子管?不是真的吧,他们好像只是生产灯泡和光管,其音响用电子管的质素想必好不到哪里吧!”,“Philips电子管?他们根本没有生产音响用电子管,全部都是买别人家的出品回来印牌发售,又

常用场效应管参数大全(1)

型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB

常用电子管代换表

【<常用电子管代换表>供大家速查和参考】 国产型号管芯结构主要用途国外同类型号代备注 5Z3P 直热式双阳极二极管小功率全波整流5T4,5×4G,5U4G*,5ц3C,U52 氧化物阴极5Z4P 旁热式双阳极二极管小功率全波整流* 5B×1,*5ц4C,GZ30,5Z4G/GT氧化物阴极5Z1P 直热式双阳极二极管小功率全波整流氧化物阴极5Z2P 直热式双阳极二极管小功率全波整流 5W4、5Y3G、80、U50 氧化物阴极 5Z8P 旁热式双阳极二极管全波整流*5ц8C氧化物阴极 5Z9P 旁热式双阳极二极管全波整流*5ц9C氧化物阴极 6Z4 旁热式双阳极二极管全波整流*6ц4П、6B×4、6×4、6Z31 共阴极 6Z5P 旁热式双阳极二极管小功率全波整流*6ц5C共阴极 6H2 旁热式双阳极二极管检波、整流*6×2П、6AL5、C 氧化物阴极 6C1 旁热式三极管宽带电压放大*6C1П、CV664、9002 氧化物阴极 6C3 旁热式三极管宽带电压放大*6C3П阴地三极管 6C4 旁热式三极管宽带电压放大*6C4П栅地三极管 6C5P 旁热式三极管低频电压放大 6C5GT、*6C5C、6C5 氧化物阴极 6C6B 旁热式三极管低频电压放大 5703、CV3917、*6C6Ь氧化物阴极 6C7B 旁热式三极管低频电压放大*6C7Ь氧化物阴极6C12 旁热式三极管宽带电压放大 EC88、5842 高S、低N 6C31B-Q 旁热式三极管电压放大*6C31Ь-B 氧化物阴极6C32B-Q 旁热式三极管电压放大*6C32Ь-B 遥截止三极管 6N1 旁热式双三极管低频电压放大*6H1П,6AQ8,AA61,ECC40/82氧化物阴极 6N2 旁热式双三极管低频电压放大*6H2П、6AX7、6AV7、ECC41 氧化物阴极 6N3 旁热式双三极管低频电压放大*6H3П、6A8Q、2C51、ECC42 氧化物阴极 6N4 旁热式双三极管低噪声电压放大ECC83、12AX7 高μ、低N 6N5P 旁热式双三极管低频功率放大*6H13C,6AS7,CV2523,6NS7G/GT 低Ri 6N6(T)旁热式双三极管低频电压放大*6H6П、E182CC、12BH7 氧化物阴极 6N7P 旁热式双三极管低频功率放大6H7、*H7C、6N7/G/GT 共阴极 6N8P 旁热式双三极管低频电压放大*6H8C*6H8M,6SN7,6F8G,CV181,QB65,ECC32氧化 6N9P 旁热式双三极管低频电压放大 *6H9C,6SL7,ECC35,6SC7,6CY7 高μ 6N10 旁热式双三极管低频电压放大*6H10M、12AV7A、E82CC、CV491 氧化物阴极 6N11 旁热式双三极管宽带电压放大*6H23П,6DJ8,ECC84,E88CC,6922,CV2492高S,低RI、N. 6N12P 旁热式双三极管低频电压放大*6H12C、TS229、5687 氧化物阴极 6N13P 旁热式双三极管低频功率放大*6H13C,6AS7,CV2523,6NS7G/GT 低内阻 6N15 旁热式双三极管低频电压放大*6H15П,6J6WA,6CC31,CV858共阴极 6N16B 旁热式双三极管低频电压放大氧化物阴极6N17B 旁热式双三极管低频电压放大*6H17Ь、6112、CV5007 氧化物阴极 6N21B-Q 旁热式双三极管低频电压放大氧化物阴极6N23 旁热式双三极管低频电压放大6DJ8、ECC88、PCC88 高μ低N 6J1 旁热锐止五极管宽带电压放大*6ж1П,6AK5,6BC5,EF40,EF95,CV850高频管 6J1B 锐截止五极管宽带电压放大*6ж1Ь,CV3929,61489,CK5702/7083 旁热式阴极 6J2锐截止五极管宽带电压放大*6ж2П,6AS6,CV2522,EF11/732,CV4011旁热式阴极 6J2B 锐截止五极管宽带电压放大*6ж2Ь、CK5639 旁热式阴极

电子管代换及说明

常用电压放大级即前级放大胆管代换表 6N1ECC85,6AQ8,6H1л 6N412AX7,ECC83,E83CC,7729,CV4004,B759,CV492 6N10 12AU7,ECC82,E82CC,7316,CV4003,5814,B749,6189 6N11 6DJ8,E88CC,ECC88,6922,ECC189,6J5,6H11N,7308,El88CC 6N8P 6SN7,B65,5692,33S30,CV1988,6H8C,6HM,6F8G,1633 6H8C 6HM,6F8G,1633,9002,6C8G 6J8P 6SJ7,6267,EF86,12A T7 ECC81,CV4024,6201,B739,A2900,2025,ECC8015 6N9P 6SL7,5691,33S29,VT229 6F2ECF82,6U8 6N26H2л 电子管代换及说明 可以直接代用12AU7的型号有:ECC82,E82CC,ECC802S,B329,CV491,CV4003,CV8155,M8136,5814,6189,7730,6067,7730。 可以直接代用12AX7的管子有:ECC83,ECC803S,B339,E283CC,M8137,CV492,CV4004,CV8156,6057,7729。7025,5751,7058,6N4。 前级管的选择: 12AX7: 品牌一:AMPEREX 『橙字』『地球嘜』 品牌二:RCA 5751 『红字』『黑屏』『方环胆』『三云母』 三:『黃字』『三雲母』『黑屏』『方環』『閃電嘜』 SYLVANIA 5157。 12AU7: 品牌一:AMPEREX『地球嘜』 品牌二:MULLARD ecc82

电子管置换表

常用电子管代换 (一)二极管部分: 5Z3P 直热式双阳极二极管 小功率全波整流 5T4、5×4G、5U4G*、5ц3C、U52 氧化物阴极 5Z4P 旁热式双阳极二极管 小功率全波整流 *5B×1、*5ц4C,GZ30、5Z4G/GT 氧化物阴极 5Z1P 直热式双阳极二极管 小功率全波整流 氧化物阴极 5Z2P 直热式双阳极二极管 小功率全波整流 5W4、5Y3G、 80、 U50 氧化物阴极 5Z8P 旁热式双阳极二极管 全波整流 *5ц8C 氧化物阴极 5Z9P 旁热式双阳极二极管 全波整流 *5ц9C 氧化物阴极 6Z4 旁热式双阳极二极管 全波整流 *6ц4П、6B×4、6×4、6Z31 共阴极 6Z5P 旁热式双阳极二极管 小功率全波整流 *6ц5C

共阴极 6H2 旁热式双阳极二极管 检波、整流 *6×2П、6AL5、C 氧化物阴极 (二)三极管部分: 6C1 旁热式三极管 *6C1П、CV664、9002 氧化物阴极 6C3 旁热式三极管 *6C3П 阴地三极管 6C4 旁热式三极管 *6C4П 栅地三极管 6C5P 旁热式三极管 6C5GT、*6C5C、6C5 氧化物阴极 6C6B 旁热式三极管 5703、CV3917、*6C6Ь 氧化物阴极 6C7B 旁热式三极管 *6C7Ь 氧化物阴极 6C12 旁热式三极管 EC88、5842 高S、低N 6C22D 旁热式三极管 5876 金属陶瓷管

6C31B-Q 旁热式三极管 *6C31Ь-B 氧化物阴极 6C32B-Q 旁热式三极管 *6C32Ь-B 遥截止三极管 6N1 旁热式双三双极管 *6H1П、6AQ8、AA61、ECC40/82 氧化物阴极 6N2 旁热式双三双极管 *6H2П、6AX7、6AV7、ECC41 氧化物阴极 6N3 旁热式双三双极管 *6H3П、6A8Q、2C51、ECC42 氧化物阴极 6N4 旁热式双三双极管 低噪声电压放大 ECC83、12A×7 高μ、低N 6N5P 旁热式双三双极管 低频功率放大 *6H13C、6AS7、CV2523、6NS7G/GT 低Ri 6N6(T) 旁热式双三双极管 *6H6П、E182CC、12BH7 氧化物阴极 6N7P 旁热式双三极管 6H7、*H7C、6N7/G/GT 共阴极 6N8P

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别 (1)用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一

只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。 (2)用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法

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