在开关设备应用中有效驱动螺线管线圈

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在开关设备应用中有效驱动螺线管线圈

在开关设备应用中有效驱动螺线管线圈

在开关设备应用中有效驱动螺线管线圈

引言

所有电源系统的主要目的都是维持高水平的持续供电能力,并在出现不可承受状态时,最小化其影响范围和断电时间。功率损耗、电压下降、过电流和过压总会出现,因为我们无法避免自然事件、物理事故、设备故障或者人为误操作。组合使用一些器件,用于保护电气设备免受这些事件的损害,也即“接电装置”。螺线管和继电器是所有接电装置中不可或缺的组成部分。它们通过线圈通电和接触,连接/断开受保护设备的电源。本文为您介绍继电器、电流接触器和阀门中常见的螺线管线圈的一些特性。另外,文章还介绍了一些驱动它们的方法,并说明有效驱动的发展趋势。本文还列举了一些接电装置应用电路的例子。

过电流保护器件(例如:断路器等),用于保护导体不受过电流的损害。设计这些保护器件的目的是,让电路中的电流保持在一个安全水平,以防止电路导体器过热。电流接触器主要用于连接或者断开导体接触电流。它们用于一些频繁或者长期不变的导通-断开连接。

为了保护电路免受强电流的损害,保护性器件必须知道故障状态何时出现,并能自动将电气设备同电源断开。过电流保护器件必须能够区分过电流与短路的区别,并以正确的方式做出反应。可以允许一定时间的小过电流,但是,随着电流量的增加,保护器件必须能够更加迅速地做出响应,例如:迅即阻止短路。

螺线管线圈特性

机电螺线管由一个围绕可移动钢或铁芯(称作“电枢”)的电磁感应线圈绕组组成。该线圈的形状可让电枢移入或移出其中心,从而改变线圈的电感,最终形成电磁(请参见图1)。电枢用于向一些机械装置提供机械力。

图1螺线管工作原理

螺线管的主要电特性是,它是一种电感器,拥有电感,这是一种对抗电流变化的特性。这就是当螺线管带电时电流不会立即达到最大水平的原因。相反,电流以一种稳定的速率增加,直到其受到螺线管DC电阻的限制为止。电感器(例如:螺线管)以集中磁场的方式存储能量。只要线路或者导体内存在电流,就会在线路周围形成磁场(尽管很小)。把线路绕成一个线圈(例如:螺线管中的线圈)以后,磁场便变得非常集中。通过电信号,电磁可用于控制机械阀门。螺线管一通电,电流便增加,从而使磁场不断扩展,直到其强至能够移动电枢为止。电枢移动会增加磁场的集中度,因为电枢自有磁质量移至更远,进入该磁场。记住,磁场变化的方向与让其形成的电流的方向相同,从而在绕组中引起反向电压。由于电枢运动时磁场迅速扩展,它会使通过螺线管绕组的电流短暂下降。在电枢运动后,电流继续沿其正常路径上升至最大水平。结果。注意观察电流波形上升过程中的明显下探点。

螺线管线圈驱动:电压还是电流驱动?

所前所述,螺线管的电枢用于为机械装置提供机械力。施加给电枢的

力与电枢位置变化时线圈的电感变化成比例关系。另外,它还与流经线圈的电流成比例关系(根据法拉第的电感定律)。方程式1计算螺线管电磁对某个通过电荷所施加的力:

力=Q×V×(磁常量×N×I),(1)

其中,Q为通过点电荷的电荷;V为该点电荷的速度;磁常量为4π×10–7;N为螺线管线圈的匝数;I为通过螺线管的电流。这表明,螺线管的电磁力直接与电流有关。

传统上,电压驱动用于驱动螺线管线圈;因此,线圈内持续消耗电力。这种功率消耗的一个不利影响是线圈发热,之后扩散至整个继电器。线圈温度由环境温度、V×I线圈功耗带来的自发热、接触系统引起的发热、涡电流产生的磁化损耗以及其它热源(例如:继电器附近的一些组件)共同决定。由于线圈发热,线圈电阻增加。高温电阻计算方法如方程式2所示:

其中,RCoil_20°C为电阻20°C值,而kR_T则为铜的热系数,其等于0.0034每摄氏度。根据RCoil_20°C(一般可在螺线管线圈产品说明书中找到),可计算得到高温下的极端线圈电阻。在电路设计期间,需注意进行极端条件下的相关计算,例如:工作拾取电压的最高可能线圈温度。

图2螺线管电流

需要注意的另一点是,就特定线圈而言,在任何条件下拾取电流都保

持不变。拾取电流取决于拾取电压和线圈电阻(IPick-up= VPick-up/RCoil)。大多数继电器均由铜线制成。根据方程式2,由于线圈温度上升,线圈电阻增加。因此,热线圈的拾取电压应更高,以产生要求的拾取电流。例如,如果一个12VDC继电器的拾取电压为9.6VDC,并且20°C下线圈电阻为400Ω,则IPick-up=24mA。当线圈温度上升至40°C时,线圈电阻增加至432Ω。因此,拾取电压为10.36VDC。(拾取电流保持不变。)换句话说,温度增加20°C,拾取电压上升0.76VDC。继电器使用更高占空比时,由于线圈的温度上升,每个连续周期的拾取电压可能会稍微上升。图3表明,如果使用电压驱动,则用户可能不得不对线圈进行超裕度设计。

图3螺线管电压驱动的超裕量设计

简而言之,由于电流随线圈电阻、温度、电源电压等变化而变化,因此电压驱动迫使我们只能进行超裕度设计。所以,对于许多螺线管的器件来说,使用电流驱动是最佳方式。

功耗优化

关闭一个继电器或者阀门,要求使用大量的能量。激活螺线管致动器的瞬间电流(称作“峰值电流”,Ipeak)会非常高。但是,一旦继电器或者阀门关闭,将其维持在这种状态下所要求的电流(称作“保持电流”,IHold)则大大小于峰值电流。一般而言,保持电流均小于峰值电流:IHold<<IPeak。

使用电压驱动时,螺线管线圈的电流持续,并且高于使用电流驱动的

情况(图4)。与电压驱动不同,电流驱动无需为温度或者螺线管差异引起的参数变化留出余量。这种设计要求使用单独的峰值电流值(大小可能为数安培),并同时使用固态保持电流(可能仅为峰值电流值的1/20)。

图4电压驱动和电流驱动的螺线管电流

螺线管线圈驱动的电流控制实施

传统上,我们直接通过微控制器(MCU)的通用输入/输出(GPIO)来驱动螺线管线圈(图5a)。通过一个由MCU的GPIO控制的一个开关,激活线圈。人们开发出了一种新的驱动系统,其使用波形的脉宽调制(PWM)(图5b)。线圈经由一个受MCU的PWM控制的开关来激活,然后占空比决定通过线圈的平均电流。我们使用了德州仪器DRV110,它是一种带有集成电源调节的节能型螺线管控制器(图5c)。这种基于DRV110的系统,设计它的目的是通过较好控制的波形来调节电流,以降低功耗。在初始上升以后,螺线管电流保持在峰值上,以确保正常工作,之后降至某个更低的保持水平,目的是避免发热问题和降低功耗。图6的曲线图比较了传统驱动器和DRV110的工作情况。注意,其它一些方法也可降低电压,但却需要一定的开销才能保证在各种温度下保持电流始终不变。

图5线圈驱动方法

图6传统驱动器和DRV110工作原理比较

图7显示了基于DRV110的一个典型应用电路。DRV110控制通过螺线管的电流(LS),。EN引脚电压被(内部或者外部驱动器)拉高时,激活开始。在激活之初,DRV110允许负载电流升高至峰值(IPeak),然后在降低至IHold以前对其进行tKeep时间的调节。只要EN引脚维持高电平,则把负载电流调节至保持值。初始电流上升时间取决于螺线管的电感和电阻。一旦EN引脚被驱动至GND,则DRV110允许螺线管电流降至零。

图7DRV110和螺线管电流波形的典型应用电路

计算DRV110的IPeak和IHold

DRV110的激活(峰值)电流由线圈的“导通”电阻和继电器要求的拾取电压所决定。最高温度电阻值(RCoil_T(max))和继电器额定工作电压(Vnom)可用于计算最高温度下要求的IPeak值:

DRV110的保持电流由线圈的“导通”电阻以及避免继电器出现压降所要求的电压决定。为了使继电器不出现压降,制造厂商均在其产品说明书中列出了建议电压值;但是,应为振动和其它意外情况留出一定的余量。许多继电器制造厂商把额定电压的35%作为安全极限。假设这一极限值够用,则可使用RCoil_T(max)值和继电器额定工作电压(Vnom)来计算不同工作温度的IHold值:

接电装置应用举例

如果在规定时间负载超出器件的额定电流,则过载保护会让器件断开电路连接。图8所示保护电路实现通过测量电流和电压来产生激活(EN)信号。(为了简化图8-10,未显示OSC、PEAK、HOLD和KEEP的DRV110引脚连接。)

图8过载保护

磁接触器需要一个电流通过线圈,以移动该接触器进入关闭或者开启位置。图9显示了使用DRV110的一个接触器系统的RMS电压检测电路实现。

图9RMS电压检测磁接触器系统

利用DRV110还可以实现欠压和过压保护(图10)。使用两个比较器来测量高低阈值电压。根据每个比较器的输出,SR触发器向DRV110发送一个激活(EN)信号。

图10欠压和过压保护

结论

使用集成电源调节的节能型螺线管控制器有很多好处。为了实现节能的目的,电流调节是致动器力控制最为精确的方法。由于这种系统不受线圈电阻、电源电压和温度变化的影响,因此无需增加余量。另外,系统可靠性也得到了提高,因为螺线管行为经过了反复优化。最后,还降低了系统成本。由于能量得到精确控制,使用更小、更便宜的线圈,便可轻松获得可以接受的驱动性能。

霍尔效应法测量螺线管磁场分布

霍尔效应法测量螺线管磁场分布 1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究载流导体在磁场中受力性质时发现了一种电磁现象,此现象称为霍尔效应,半个多世纪以后,人们发现半导体也有霍尔效应,而且半导体霍尔效应比金属强得多。近30多年来,由高电子迁移率的半导体制成的霍尔传感器已广泛用于磁场测量和半导体材料的研究。用于制作霍尔传感器的材料有多种:单晶半导体材料有锗,硅;化合物半导体有锑化铟,砷化铟和砷化镓等。在科学技术发展中,磁的应用越来越被人们重视。目前霍尔传感器典型的应用有:磁感应强度测量仪(又称特斯拉计),霍尔位置检测器,无接点开关,霍尔转速测定仪,100A-2000A 大电流测量仪,电功率测量仪等。在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。近年来,霍尔效应实验不断有新发现。1980年德国冯·克利青教授在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应,这是近年来凝聚态物理领域最重要发现之一。目前对量子霍尔效应正在进行更深入研究,并取得了重要应用。例如用于确定电阻的自然基准,可以极为精确地测定光谱精细结构常数等。 通过本实验学会消除霍尔元件副效应的实验测量方法,用霍尔传感器测量通电螺线管内激励电流与霍尔输出电压之间关系,证明霍尔电势差与螺线管内磁感应强度成正比;了解和熟悉霍尔效应重要物理规律,证明霍尔电势差与霍尔电流成正比;用通电长直通电螺线管轴线上磁感应强度的理论计算值作为标准值来校准或测定霍尔传感器的灵敏度,熟悉霍尔传感器的特性和应用;用该霍尔传感器测量通电螺线管内的磁感应强度与螺线管轴线位置刻度之间的关系,作磁感应强度与位置刻线的关系图,学会用霍尔元件测量磁感应强度的方法. 实验原理 1.霍尔效应 霍尔元件的作用如图1所示.若电流I 流过厚度为d 的半导体薄片,且磁场B 垂直作用于该半导体,则电子流方向由于洛伦茨力作用而发生改变,该现象称为霍尔效应,在薄片两个横向面a 、b 之间与电流I ,磁场B 垂直方向产生的电势差称为霍尔电势差. 霍尔电势差是这样产生的:当电流I H 通过霍尔元件(假设为P 型)时,空穴有一定的漂移速度v ,垂直磁场对运动电荷产生一个洛仑兹力 )(B v q F B ?= (1) 式中q 为电子电荷,洛仑兹力使电荷产生横向的偏转,由于样品有边界,所以偏转的载流 子将在边界积累起来,产生一个横向电场E ,直到电场对载流子的作用力F E =qE 与磁场作用的洛仑兹力相抵消为止,即 qE B v q =?)( (2) 这时电荷在样品中流动时不再偏转,霍尔电势差就是由这个电场建立起来的。 如果是N 型样品,则横向电场与前者相反,所以N 型样品和P 型样品的霍尔电势差有不同的符号,据此可以判断霍尔元件的导电类型。 设P 型样品的载流子浓度为Р,宽度为ω,厚度为d ,通过样品电流I H =Рqv ωd ,则空穴的速度v= I H /Рq ωd 代入(2)式有 d pq B I B v E H ω= ?= (3) 上式两边各乘以ω,便得到 d B I R pqd B I E U H H H H == =ω (4)

霍尔效应法测量螺线管磁场

霍尔效应法测量螺线管磁场实验报告 【实验目的】 1.了解霍尔器件的工作特性。 2.掌握霍尔器件测量磁场的工作原理。 3.用霍尔器件测量长直螺线管的磁场分布。 4.考查一对共轴线圈的磁耦合度。 【实验仪器】 长直螺线管、亥姆霍兹线圈、霍尔效应测磁仪、霍尔传感器等。 【实验原理】 1.霍尔器件测量磁场的原理 图1 霍尔效应原理 如图1所示,有-N 型半导体材料制成的霍尔传感器,长为L ,宽为b ,厚为d ,其四个侧面各焊有一个电极1、2、3、4。将其放在如图所示的垂直磁场中,沿3、4两个侧面通以电流I ,则电子将沿负I 方向以速 度运动,此电子将受到垂直方向磁场B 的洛仑兹力m e F ev B =? 作用,造成电子在半导体薄片的1测积累过量的负电荷,2侧积累过量的正电荷。因此在薄片中产生了由2侧指向1侧的电场H E ,该电场对电子的作用力H H F eE = ,与m e F ev B =? 反向,当两种力相平衡时,便出现稳定状态,1、2两侧面将建立起 稳定的电压H U ,此种效应为霍尔效应,由此而产生的电压叫霍尔电压H U ,1、2端输出的霍尔电压可由数显电压表测量并显示出来。 如果半导体中电流I 是稳定而均匀的,可以推导出H U 满足: H H H IB U R K IB d =? =?, 式中,H R 为霍耳系数,通常定义/H H K R d =,H K 称为灵敏度。 由H R 和H K 的定义可知,对于一给定的霍耳传感器,H R 和H K 有唯一确定的值,在电流I 不变的情况下,

与B 有一一对应关系。 2.误差分析及改进措施 由于系统误差中影响最大的是不等势电势差,下面介绍一种 方法可直接消除不等势电势差的影响,不用多次改变B 、I 方向。如图2所示,将图2中电极2引线处焊上两个电极引线5、6,并在5、6间连接一可变电阻,其滑动端作为另一引出线2, 将线路完全接通后,可以调节滑动触头2,使数字电压表所测 电压为零,这样就消除了1、2两引线间的不等势电势差,而 且还可以测出不等势电势差的大小。本霍尔效应测磁仪的霍 尔电压测量部分就采用了这种电路,使得整个实验过程变得 较为容易操作,不过实验前要首先进行霍尔输出电压的调零, 以消除霍尔器件的“不等位电势”。 在测量过程中,如果操作不当,使霍尔元件与螺线管磁场不垂直,或霍尔元件中电流与磁场不垂直,也会引入系统误差。 3.载流长直螺线管中的磁场 从电磁学中我们知道,螺线管是绕在圆柱面上的螺旋型线圈。对于密绕的螺线管来说,可以近似地看成是一系列园线圈并排起来组成的。如果其半径为R 、总长度为L ,单位长度的匝数为n ,并取螺线管的轴线为x 轴,其中心点O 为坐标原点,则 (1)对于无限长螺线管L →∞或L R >>的有限长螺线管,其轴线上的磁场是一个均匀磁场,且等于: 00B NI μ= 式中0μ——真空磁导率;N ——单位长度的线圈匝数;I ——线圈的励磁电流。 (2)对于半无限长螺线管的一端或有限长螺线管两端口的磁场为: 101 2 B NI μ= 即端口处磁感应强度为中部磁感应强度的一半,两者情况如图3所示。 图 2

螺线管内磁场的测量

实验九螺线管内磁场的测量在工业、国防和科学研究中经常要对磁场进行测量例如在粒子回旋加速器、受控热核反应、同位素分离、地球资源探测、地震预测和磁性材料研究等方面。测量磁场的方法较多从测量原理上大体可以分为五类力和力矩法、电磁感应法、磁传输效应法、能量损耗法、基于量子状态变化的磁共振法。常用的测量方法主要有冲击电流计法霍尔元件法、核磁共振法和天平法。练习一用冲击电流计法测量螺线管内磁场【实验目的】1学习用冲击法测量磁感应强度的原理和方法2学会使用冲击电流计3研究长直螺线管内轴线上的磁场分布4对比螺线管轴线上磁场的测量值和理论值加深对毕奥萨伐尔定律的理解。【实验仪器】冲击电流计、螺线管磁场测量仪、直流电源、直流电流表、电阻箱、滑线变阻器。【实验原理】1. 长直螺线管轴线上的磁场如图5.9.1所示设螺线管长为L半径为r0表面均匀地绕有N匝线圈放在磁导率为μ的磁介质中并通以电流I。如果在螺线管上取一小段线圈dL则可看作是通过电流为INdL/L的圆形载流线圈。由毕奥萨伐尔定律得到在螺线管轴线上距离中心O为x的P点产生的磁感应强度dBx 为3202rrLINdLdBx 5.9.1 图5.9.1长直螺线管轴的结构图OP2LLx0r21dLdBxrd 由图5.9.1可知0sinrrsinrddL代入式5.9.1得到dLμINdBxsin2 5.9.2 因为螺线管的各小段在P点的磁感应强度方向均沿轴线向左故整个螺线管在P点产生的

磁感应强度21coscos2sin22121LNIdLNIdBBx 5.9.3 由图 5.9.1可知5.9.3式还可以表示为2122rxLxLrxLxLLNIBx 5.9.4 令x0得到螺线管中点O的磁感应强度2120204rLNIB 5.9.5 令xL/2得到螺线管两端面中心点的感应强度2122202LNIBLr 5.9.6 当L≥r0时由式5.9.5和式5.9.6可知BL/2≈B0/2。只要螺线管的比值L/r0保持不变则不论螺线管放大或缩小也不论线圈的匝数N和电流I为多少磁感应强度相对值沿螺线管轴的分布曲线不改变。 2. 用冲击电流计测量磁场的原理如图5.9.2所示设探测线圈匝数为n平均截面为S线圈的法线和磁场方向一致当K1倒向一边使螺线管中通过电流的I。当K1突然断开时螺线管内的磁通突然改变探测线圈中的感应电流i通过冲击电流计G若测出在短时间内的脉冲电流所迁移的电量就可求得该点的Bx值。由法拉第电磁感应定律可知在探测回路中产生感应电动势ddt 5.9.7 设探测回路的总电阻为R则通过冲击电流计的瞬时感应电流为1diRdt 5.9.8 图5.9.2测量螺线管内磁场电路图 GA-1R2RgR1KER在磁通变化的时间内通过冲击电流计的总电量0000111dQidtdtdRdtRR 5.9.9 实验时把通过螺线管的电流由I突变为0即把K1断开使磁通量发生改变则有0t时0xBnSt0代入5.9.9式有xBnSQR 5.9.10 因此只需测量出R 及Q就可以算出Bx。Q值可以通过DQ-3/4型智能冲击电流计直接测出为了测出探测回路的总电阻为R使用图5.9.3

霍尔效应法测量螺线管磁场分布

霍尔效应法测量螺线管磁场分布 1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究载流导体在磁场中受力性质时发现了一种电磁现象,此现象称为霍尔效应,半个多世纪以后,人们发现半导体也有霍尔效应,而且半导体霍尔效应比金属强得多。近30多年来,由高电子迁移率的半导体制成的霍尔传感器已广泛用于磁场测量和半导体材料的研究。用于制作霍尔传感器的材料有多种:单晶半导体材料有锗,硅;化合物半导体有锑化铟,砷化铟和砷化镓等。在科学技术发展中,磁的应用越来越被人们重视。目前霍尔传感器典型的应用有:磁感应强度测量仪(又称特斯拉计),霍尔位置检测器,无接点开关,霍尔转速测定仪,100A-2000A 大电流测量仪,电功率测量仪等。在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。近年来,霍尔效应实验不断有新发现。1980年德国·克利青教授在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应,这是近年来凝聚态物理领域最重要发现之一。目前对量子霍尔效应正在进行更深入研究,并取得了重要应用。例如用于确定电阻的自然基准,可以极为精确地测定光谱精细结构常数等。 通过本实验学会消除霍尔元件副效应的实验测量方法,用霍尔传感器测量通电螺线管激励电流与霍尔输出电压之间关系,证明霍尔电势差与螺线管磁感应强度成正比;了解和熟悉霍尔效应重要物理规律,证明霍尔电势差与霍尔电流成正比;用通电长直通电螺线管轴线上磁感应强度的理论计算值作为标准值来校准或测定霍尔传感器的灵敏度,熟悉霍尔传感器的特性和应用;用该霍尔传感器测量通电螺线管的磁感应强度与螺线管轴线位置刻度之间的关系,作磁感应强度与位置刻线的关系图,学会用霍尔元件测量磁感应强度的方法. 实验原理 1.霍尔效应 霍尔元件的作用如图1所示.若电流I 流过厚度为d 的半导体薄片,且磁场B 垂直作用于该半导体,则电子流方向由于洛伦茨力作用而发生改变,该现象称为霍尔效应,在薄片两个横向面a 、b 之间与电流I ,磁场B 垂直方向产生的电势差称为霍尔电势差. 霍尔电势差是这样产生的:当电流I H 通过霍尔元件(假设为P 型)时,空穴有一定的漂移速度v ,垂直磁场对运动电荷产生一个洛仑兹力 )(B v q F B ?= (1) 式中q 为电子电荷,洛仑兹力使电荷产生横向的偏转,由于样品有边界,所以偏转的载流 子将在边界积累起来,产生一个横向电场E ,直到电场对载流子的作用力F E =qE 与磁场作用的洛仑兹力相抵消为止,即 qE B v q =?)( (2) 这时电荷在样品中流动时不再偏转,霍尔电势差就是由这个电场建立起来的。 如果是N 型样品,则横向电场与前者相反,所以N 型样品和P 型样品的霍尔电势差有不同的符号,据此可以判断霍尔元件的导电类型。 设P 型样品的载流子浓度为Р,宽度为ω,厚度为d ,通过样品电流I H =Рqv ωd ,则空穴的速度v= I H /Рq ωd 代入(2)式有 d pq B I B v E H ω= ?= (3) 上式两边各乘以ω,便得到 d B I R pqd B I E U H H H H == =ω (4) 其中pq R H 1 = 称为霍尔系数,在应用中一般写成

测量螺线管的磁场.

实验题目:测量螺线管的磁场 实验目的:学习测量交变磁场的一种方法,加深理解磁场的一些特性及电磁感应定律. 实验原理: 1、有限长载流直螺线管的磁场 长为2l,匝数为N的单层密绕的直螺线管产生的磁场.当导线中流过电流I时,由毕奥-萨伐尔定律可以计算出在轴线上某一点P的磁感应强度为 (1 式中为单位长度上的线圈匝数,R为螺线管半径,x为P点到螺线管中心处的距离.由曲线显示,在螺线管内部磁场近于均匀,只在端点附近磁感应强度才显著下降.当l>>R时,与场点的坐标x无关,而在螺线管两端 为内部B值的一半.无限长密绕直螺线管是实验室中经常使用到的产生均匀磁场的理想装置. 2、测线圈法测量磁场

本实验采用探测线圈法测量直螺线管中产生的交变磁场.图6.3.2-2是实验装置的示意图.当螺线管A中通过一个低频的交流电流时,在螺线管内产生一个与电流成正比的交变磁场 (2 其中CP是比例常数.把探测圈A1放在螺线管线圈内部或附近,在A1中将产生感生电动势.探测线圈的尺寸比1较小,匝数比较少.若其截面积为S,匝数为N1,线圈平面的发线与磁场方向的夹角为θ,则穿过线圈的磁通链数为 (3 根据法拉第定律,线圈中的感生电动势为 (4 通常测量的是电压的有效值.设E(t有效值为V,B(t有效值为B,则有 (5 由此得出磁感应强度 (6 其中r1是探测线圈的半径,f是交变电源的频率.在测量过程中如始终保持A和A1在同一轴线上,此时,则螺线管中的磁感应强度为

(7 在实验装置中,在待测螺线管回路中串接毫安计用于测量螺线管导线中交变电流的有效值. 在探测线圈A1两端连接数字毫安计用于测量A1种感生电动势的有效值. 实验数据: 2R=32.5mm 2L=30.00cm N=3893匝2r=21.00mm N1=335匝 探测线圈的感生电动势与螺线管电流的V-I曲线 I /mA1520253035404550 V /mV (f=1500Hz289382485581680779875970 V /mV (f=750Hz130175220270318363410458 V /mV (f=375Hz5078101124150173197220 x=0.0cm f /Hz I /mA I*f V /mV 1500 12.5 18750 103 750 25.0 18750 105 375 50.0 18750 105

试论螺线管的结构特征和磁场分布

试论螺线管的结构特征和磁场分布 (2008-08-04 13:55:00) 转载▼ 标签: 杂谈 作者:朱昱昌 摘要:本文尝试通过分析螺线管的各个单元线圈是相互串联而不是并联的结构特征,来阐述产生螺线管内部磁场收敛错误的原因;并尝试归纳总结出了螺线管内部磁场分布的一个近似规律。 关键词:载流螺线管串联结构并联结构发散与收敛传导线圈 Discussion on Structural Characteristics and Magnetic Field Distribution of Solenoid ZHU Yu-chang Abstract:This article analyses the structure characteristic of solenoid that various circles winding is mutually in series but is not parallel. And it is reason of the wrong conclusion that the internal magnetic field of solenoid is convergent. What’s more, we attempt to deduce the approximate rule of the magnetic field distribution in solenoid. Key: Current-Carrying solenoid, Serial structure, Parallel structure, Convergence with Divergence ,Conduction winding 译文—陈睿 1、引言 载流密绕直螺线管和载流密绕螺绕环是用途很广的电磁结构。例如:高温超导磁悬浮列车、高温超导推进船用的高温超导磁体就是带铁芯的载流高温超导密绕螺线管;核聚变反应装置——托卡马克用的磁约束结构,就是豆形截面的载流超导密绕螺绕环。所以我们有必要认真研究和规范螺线管内的磁场理论问题,以澄清目前螺线管内磁场收敛与发散两种理论并存的矛盾状态。本文主要是从分析螺线管是串联结构还是并联结构和B矢量的特性入手,研究螺线管内部磁场的分布,解决了螺线管内部磁场的具体计算问题。我们的具体思路是:先解决轴向一条线问题,再解决径向一条线问题,然后根据对称性原理,即等于解决了螺线管内部空间的磁场分布问题。但是,应该注意:螺线管内的B矢量是轴矢量,故所谓螺线管内的径向磁场分布,就是研究关于径向不同点的轴矢量分布或变化。 2、电磁学中关于螺线管内磁场收敛与发散两种理论并存的主要表现 2.1、能够推导出螺线管内部磁场收敛的理论是: 螺线管内轴线磁”泶锸剑ㄒ话憬滩某谱骷扑愎式):B=(μ0nI/2)(cosβ2-cosβ1)[1. 2]。这是根据毕奥、萨法尔定律直接推导的一个结果。 安培环路定理:在恒定磁场中,磁感应强度B沿任一闭合环路的线积分,等于该环路所包围的电流的代数和的μ0倍。它的数学表示式为:

COMSOL-4.4-模拟螺线管线圈产生的磁场分布

COMSOL 4.4 螺线管线圈产生的磁场分布 1.模型向导>三维>选择物理场,添加“磁场(mf)”和“电路(cir)”,“求解”中选择“瞬态”,然后“完 成”。 2.“几何”里面长度单位设置为所需单位,此处设置为“mm”。在“几何”菜单中点击“工作平面”,右 击“模型开发器”中的“几何1”>“工作平面1”>“面几何”,选择“圆”,设置“圆”的参数:对象类型选为“曲线”,位置选择“中心”,“层”中的“层1”厚度设置为线圈的厚度,如1mm。 3.关闭“工作平面”,点击“几何菜单”中的“拉伸”: 4.设置外界空气: “几何”菜单中选择“长方体”,设置好参数,在“图像”工作区点击“线框渲染”工具,得到如下图:

5.右击“模型开发器”中的“定义”>“视图1”,选择“隐藏几何实体”,在“隐藏几何实体”编辑区, 选择“几何实体层次”中的“边界”,手动选择需要隐藏的边界:长方体的六个面,则可以得到下图: 6.定义各个域和边界: 定义线圈:点击“定义”菜单栏中的“显示”,“模型开发器”中的“定义”下面会出现“显示1”,右击并重命名为“线圈”,然后在“显示”工作区将“几何实体层次”选择为“域”,再选择图中看到的圆筒,此时圆筒有四个域,由于圆筒与后来的长方体重合,所以长方体现在变成了“域1”,而圆筒变成了“域2,3,4,5”:

定义线圈边界:同样的方法在“定义”中得到“显示2”,并重命名为“线圈边界”,在“显示”编辑区的“几何实体层次”中选择“边界”,并在图形中选择圆筒的各个边界,此时圆筒中的四个域中接触面也算一个边界。本例中可以在“显示”编辑区点击“粘贴选择”按钮,输入“7-14,16-19,21-14”,点击“确认”。 定义空气:同样的方法,选择“域1”位空气,就是刚刚建立的长方体,此时空气的边界已被隐藏,所以此处看不见长方体。

霍尔效应法测定螺线管磁场分布

实验四 霍尔效应法测定螺线管磁场分布 霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应。1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁现象,故称霍尔效应。后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器,但因金属的霍尔效应太弱而未能得到实际应用。随着半导体材料和制造工艺的发展,人们又利用半导体材料制成霍尔元件,由于半导体材料的霍尔效应显著而得到了发展,现在广泛用于非电量的测量、电动控制、电磁测量和计算装置方面。 一、实验目的 1.了解霍尔效应现象,掌握其测量磁场的原理。 2.测绘霍尔元件的S H I -U ,M H I -U 曲线,了解霍尔电压H U 与霍尔元件工作电流S I ,霍尔电压H U 与励磁电流M I 之间的关系。 3.学会用霍尔效应测量长直通电螺线管轴向磁场分布的方法。 4.学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。 二、实验仪器 螺线管磁场实验仪,电压表,电流表,电流源。 三、实验原理 1.霍尔效应

图4-1 霍尔效应 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在两侧的聚积,从而形成附加的横向电场。如图4-1所示,磁场B 位于z 的正向,与之垂直的半导体薄片上沿x 正方向通以电流S I (称为工作电流),假设载流子为电子(N 型半导体材料),它沿着与电流S I 相反的x 负向运动。 由于洛仑兹力L F 作用,电子向图中虚线箭头所指的y 轴负方向偏转,并使B 侧电子积累,A 侧正电荷积累,形成从A 到B 的电场,这个电场称为霍尔电场H E ,相应的电势差称为霍尔电压H U 。此时,运动的电子受到向上的电场力E F 的作用,随着电荷的积累,E F 增大,当两力大小相等时,电子积累达到动态平衡。 设电子以平均速度v 向x 负方向运动(图1),在磁场B 的作用下,电子所受的洛仑兹力为B v e F L =式中,e 为电子电量,v 为电子漂移平均速度,B 为磁感应强度。同时,电场作用于电子上的电场力的大小为l eU eE F H H E /==,式中H E 为霍尔电场强度,H U 为霍尔电压,l 为霍尔元件宽度,当达到动态平衡时,E L F F =,即 H eE B v e = (1) 设霍尔元件厚度为d ,载流子浓度为n ,则霍尔元件的工作电流为 ld v ne I S = (2) 由(1)式和(2)两式可得 d B I R d B I ne l E U S H S H H == =1 (3) 即霍尔电压H U (A 、B 间电压)与S I 和B 的乘积成正比,与霍尔元件的厚度d 成反比,比例 系数ne R H 1 = 称为霍尔系数(严格来说,对于半导体材料,在弱磁场下应引入一个修正因子83π=A ,从而有ne R H 183π=),它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数,根据材料的电 导率μσne =的关系,还可以得到 σμ/=H R (4)

新型螺线管磁场测定实验报告

新型螺线管磁场测定 一.实验目的 1.验证霍耳传感器输出电势差与螺线管内磁感应强度成正比。 2.测量集成线性霍耳传感器的灵敏度。 3.测量螺线管内磁感应强度与位置之间的关系,求得螺线管均匀磁场范围及边缘的磁感应强度。 4.学习补偿原理在磁场测量中的应用。 二.实验原理 霍耳元件的作用(如右图2所示):若电流I 流过厚度为d 的半导体薄片,且磁场B 垂直于该半导体,是电子流方向由洛伦茨力作用而发生改变,在薄片两个横向面a 、b 之间应产生电势差, 这种现象称为霍耳效应。在与电流I 、磁场B 垂直方向上产生的电势差称为霍耳电势差,通常用UH 表示。霍耳效应的数学表达式为: IB K IB d R U H H H ==)( (1) 其中RH 是由半导体本身电子迁移率决定的物理常数,称为霍耳系数。B 为磁感应强度,I 为流过霍耳元件的电流强度,KH 称为霍耳元件灵敏度。 虽然从理论上讲霍耳元件在无磁场作用(即B=0)时,UH=0,但是实际情况用数字电压表测时并不为零,这是由于半导体材料结晶不均匀及各电极不对称等引起附加电势差,该电势差U0称为剩余电压。 随着科技的发展,新的集成化(IC)元件不断被研制成功。本实验采用SS95A 型集成霍耳传感器(结构示意图如图3所示)是一种高灵敏度集成霍耳传感器,它由霍耳元件、放大器和薄膜电阻剩余电压补偿组成。测量时输出信号大,并且剩余电压的影响已被消除。对SS95A 型集成霍耳传感器,它由三根引线,分别是:“V+”、“V-”、“Vout ”。其中“V+”和“V-”构成“电流输入端”,“Vout ”和“V-”构成“电压输出端”。由于SS95A 型集成霍耳传感器,它的工作电流已设定,被称为标准工作电流,使用传感器时,必须使工作电流处在该标准状态。在实验时,只要在磁感应强度为零(零磁场)条件下,调节“V+”、“V-”所接的电源电压(装置上有一调节旋钮可供调节),使输出电压为2.500V(在数字电压表上显示),则传感器就可处在标准工作状态之下。 图2 霍耳元件

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