三极管基础知识及检测方法

三极管基础知识及检测方法
三极管基础知识及检测方法

三极管基础知识及检测方法

[命名方法] [常用三极管] [检测方法]

一、晶体管基础

双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区,其中大部分空穴能够到达集电结的边界,并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区,形成集电极电流 I C 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 V BE 很小,所以基极电流约为 I B = 5V/50 k Ω = 0.1mA 。

如果晶体管的共发射极电流放大系数β = I C / I B =100, 集电极电流 I C = β*I B =10mA 。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降V RC =10mA*500Ω=5V ,而晶体管集电极和发射极之间的压降为V CE =5V ,如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流i b ,在集电极电路中将出现一个相应的交变电流i c ,有c /i b =β,实现了双极晶体管的电流放大作用。

金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应,在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压 V G 增大时, p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗

尽,而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时,电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 V DS ≠ 0 时,源漏电极之间有较大的电流 I DS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 V T 。当 V GS >V T 并取不同数值时,反型层的导电能力将改变,在相同的 V DS 下也将产生不同的 I DS , 实现栅源电压 V GS 对源漏电流 I DS 的控制。

二、晶体管的命名方法

晶体管:最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG (旧)或(T )表示,二极管以D 表示。按制作材料分,晶体管可分为锗管和硅管两种。

按极性分,三极管有PNP 和NPN 两种,而二极管有P 型和N 型之分。多数国产管用xxx 表示,其中每一位都有特定含义:如 3 A X 31,第一位3代表三极管,2代表二极管。第二位代表材料和极性。A 代表PNP 型锗材料;B 代表NPN 型锗材料;C 为PNP 型硅材料;D 为NPN 型硅材料。第三位表示用途,其中X 代表低频小功率管;D 代表低频大功率管;G 代表高频小功率管;A 代表高频大功率管。最后面的数字是

产品的序号,序号不同,各种指标略有差异。注意,二极管同三极管第二位意义基本相同,而第三位则含

义不同。对于二极管来说,第三位的P代表检波管;W代表稳压管;Z代表整流管。上面举的例子,具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说,就各有不同,要在实际使用过程中注意积累资料。

常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列,欧洲的2Sx系列,在该系列中,第三位含义同国产管的第三位基本相同。

返回顶部

三、常用中小功率三极管参数表

返回顶部

四、用万用表测试三极管

(1)判别基极和管子的类型

选用欧姆档的R*100(或R*1K)档,先用红表笔接一个管脚,黑表笔接另一个管脚,可测出两个电阻值,然后再用红表笔接另一个管脚,重复上述步骤,又测得一组电阻值,这样测3次,其中有一组两个阻值都很小的,对应测得这组

值的红表笔接的为基极,且管子是PNP型的;反之,若用黑表笔接一个管脚,重复上述做法,若测得两个阻值都小,对应黑表笔为基极,且管子是NPN型的。(2)判别集电极

因为三极管发射极和集电极正确连接时β大(表针摆动幅度大),反接时β就小得多。因此,先假设一个集电极,用欧姆档连接,(对NPN型管,发射极接黑表笔,集电极接红表笔)。测量时,用手捏住基极和假设的集电极,两极不能接触,若指针摆动幅度大,而把两极对调后指针摆动小,则说明假设是正确的,从而确定集电极和发射极。

(2)电流放大系数β的估算

选用欧姆档的R*100(或R*1K)档,对NPN型管,红表笔接发射极,黑表笔接集电极,测量时,只要比较用手捏住基极和集电极(两极不能接触),和把手放开两种情况小指针摆动的大小,摆动越大,β值越高。

三极管替换及常用开关三极管

三极管替换及常用开关三极管 三极管替换及常用开关三极管 gaost 发表于2009-5-4 8:44:00 8 推荐 一、三极管的类型及材料 初学者首先必须清楚三极管的类型及材料。常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种。由于这两类三极管工作(工作总结)时对电压的极性要求不同,所以它们是不能相互代换的。 三极管的材料有锗材料和硅材料。它们之间最大的差异就是起始电压不一样。锗管PN结的导通电压为0.2V左右,而硅管PN结的导通电压为0.6~0.7V。在放大电路中如果用同类型的锗管代换同类型的硅管,或用同类型的硅管代换同类型的锗管一般是可以的,但都要在基极偏置电压上进行必要的调整,因为它们的起始电压不一样。但在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须具体分析,不能盲目代换。 二、三极管的主要参数 选用三极管需要了解三极管的主要参数。若手中有一本晶体管特性手册最好。三极管的参数很多,根据实践经验,我认为主要了解三极管的四个极限参数:ICM、BVCEO、PCM及fT即可满足95%以上的使用需要。 1. ICM是集电极最大允许电流。三极管工作(工作总结)时当它的集电极电流超过一定数值时,它的电流放大系数β将下降。为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM。所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管,但会使β值减小,影响电路的工作(工作总结)性能。 2. BVCEO是三极管基极开路时,集电极-发射极反向击穿电压。如果在使用中加在集电极与发射极之间的电压超过这个数值时,将可能使三极管产生很大的集电极电流,这种现象叫击穿。三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降。 3. PCM是集电极最大允许耗散功率。三极管在工作(工作总结)时,集电极电流在集电结上会产生热量而使三极管发热。若耗散功率过大,三极管将烧坏。在使用中如果三极管在大于PCM下长时间工作(工作总结),将会损坏三极管。需要注意的是大功率三极管给出的最大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。使用中一定要注意这一点。 4. 特征频率fT。随着工作(工作总结)频率的升高,三极管的放大能力将会下降,对应于β=1时的频率fT叫作三极管的特征频率。 三、一般小功率三极管的选用 小功率三极管在电子电路中的应用最多。主要用作小信号的放大、控制或振荡器。选用三极管时首先要搞清楚电子电路的工作(工作总结)频率大概是多少。如中波收音机振荡器的最高频率是2MHz左右;而调频收音机的最高振荡频率为120MHz左右;电视机中VHF频段的最高振荡频率为250MHz左右;UHF 频段的最高振荡频率接近1000MHz左右。工程设计中一般要求三极管的fT大于3倍的实际工作(工作总结)频率。所以可按照此要求来选择三极管的特征频率fT。由于硅材料高频三极管的fT一般不低于50MHz,

三极管的测量方法

三级管的在路测量,(1).NPN管的电压正常是:VC>VB>VE.其中PN结电压是0.5V左右,也就是:VB>VE的电压是0.5V,明显大于2V或者VB∠VE,三极管是损坏,(注: VC的电压大小是不固定的,看这个管的承受多大的内压) (2).PNP管的电压正常是:VE>VB>VC. 其中PN结电压是0.5V左右, 也就是: VE>VB 的电压是0.5V,明显大于2V或者VE∠VB, 三极管是损坏,( VC的电压大小是不固定的,看偏置电路是要多大的电压,但一定适上面的VE>VB>VC电压的大小) 2.拆下来时的三极管测量(R*1K档来测量) 根据PN结的原理:和二极管一样,正向电阻一边用万用表测是相通,对调红.黑笔反向来测是不通.拆下来时的三极管,(1) NPN管:任意测三极管的两个脚,当发现固定黑笔接的一脚不动,用红笔分别接另外两脚时,万用表的指针摆动,电阻是相同.反过来对调表笔,红笔固定的一脚不动,用黑笔分别接另外两脚时,万用表的指针不摆动,电阻是无穷大.哪确定;固定的一脚确定是b极(坏的三极管是对调表笔也是相通的) . (2) PNP管:任意测三极管的两个脚,当发现固定红笔接的一脚不动, 用黑笔分别接另外两脚时,万用表的指针摆动,电阻是相同.反过来对调表笔,黑笔固定的一脚不动, 用红笔分别接另外两脚时,万用表的指针不摆动,电阻是无穷大.哪确定;固定的一脚确定是b极 3(确定C极和E极) 三极管好坏的判断(R*10K档来测量) (1)(确定C极和E极) NPN好坏的判断:上面已确定了B极,R*10K档来测量.用黑笔和红笔分别接触另外两极,保持红笔和黑笔现在状态不变用手指捏b极+红笔接的一极,发现指针摆动的幅度大,放大倍数大,黑笔接的是c极,红笔接的是e极(坏的三极管,用万用表的R*10K档来测量.红,黑笔测量c.e极,接法和二极管测量相同,一边相通,对调表笔另一边是不通,例如;R*10K档的黑笔接C极红笔接E极指针摆动一点,说明是漏电损坏.经验总结:如果是好的三级管,用万用表的R*10K档来测量c.e电阻一边不通,极笔对调后,另一边是相通的有电阻,电阻大的和原来没有用过的同型号的三极管对比.B极E极输出电压偏低的. (2) (确定C极和E极) PNP好坏的判断 R*10K档来测量.用黑笔和红笔分别接触另外两极保持红笔和黑笔现在状态不变用手指捏b极+黑笔接的一极,同时捏两极,发现指针摆动的幅度大,放大倍数大,黑笔接的是e极,红笔接的是c极(坏的三极管,用万用表的R*10K档来测量.红,黑笔测量c.e极,接法和二极管测量相同,一边相通,对调表笔另一边是不通,例如:R*10K档的黑笔接E极红笔接极

详解经典三极管基本放大电路

详解经典三极管基本放大电路 三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E。分成NPN和PNP 两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。 图1:三极管基本放大电路 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1,例如几十,几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。 三极管在实际的放大电路中使用时,还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管),基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管,常取0.7V)。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时,基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比0.7V要小,如果不加偏置的话,这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7V时,基极电流都是0)。如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流,上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的,所以它被叫做基极偏置电阻),那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时,小信号就会导致基极电流的变化,而基极电流的变化,就会被放大并在集电极上输出。另一个原因就是输出信号范围的要求,如果没有加偏置,那么只有对那些增加的信号放大,而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电极电流为0,不能再减小了)。而加上偏置,事先让集电极有一定的电流,当输入的基极电流变小时,集电极电流就可以减小;当输入的基极电流增大时,集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。 下面说说三极管的饱和情况。像上面那样的图,因为受到电阻Rc的限制(Rc是固定值,那么最大电流为U/Rc,其中U为电源电压),集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大,不能使集电极电流继续增大时,三极管就进入了饱和状态。一般判断三极管是否饱和的准则是:Ib*β〉Ic。进入饱和状态之后,三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小,可以理解为一个开关闭合了。这样我们就可以拿三极管来当作开关使用:当基极电流为0时,三极管集电极电流为0(这叫做三极管截止),相当于开关断开;当基极电流很大,以至于三极管饱和时,相当于开关闭合。如果三极管主要工作在截止和饱和状态,那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管。 如果我们在上面这个图中,将电阻Rc换成一个灯泡,那么当基极电流为0时,集电极电流为0,灯泡灭。如果基极电流比较大时(大于流过灯泡的电流除以三极管的放大倍数β),三极管就饱和,相当于开关闭合,灯泡就亮了。由于控制电流只需要比灯泡电流的β分之一大一点就行了,所以就可以用一个小电流来控制一个大电流的通断。如果基极电流从0慢慢增加,那么灯泡的亮度也会随着增加(在三极管未饱和之前)。

三极管理论基础知识部分教学设计

识别晶体三极管(理实一体)---理论基础知识部分教学设计

三极管类型、三极管的三种工作状态及其条件 教学方法 情境引入法、启发式提问讲授法 教学准备 备学生、备课、备教材、备器材(万用表、三极管) 多媒体以及多媒体课件 课时分配 1课时 授课班级 12级汽修1、2、3、7班 授课时间 2013年5月 板书设计 教学任务内容及过程 【理论讲授】 一、情景导入(5分钟): 图1 扩音器结构示意图 如图1所示扩音器:话筒是将声音信号转换为电信号,经放大电路放大后,变成大功率的电 晶体三极管 结构 类型 材料 特点 工作状态 (及条件) 三个电极基极b 、集电极c 、发射极e 2个PN 结:集电结、发射结,3个区:基区接b 极、集 电区接c 极、发射区接e 极。(绘图讲解) 1、按结构分PNP 、NPN 型; 2、按功率分大、中、小型; 3、按频率分低、中、高频;4按材料分硅、锗型等 三极管材料:硅、锗材料(加入微量杂质P 、Be 元素) 1、放大状态(Vc>Vb>Ve ); 2、截止状态(Ve>Vb,Vc>Vb ); 3、饱和导通状态,(Uce 近似为0v )。

本次任务学习三极管的结构、类型及分类方法。 二、讲授新课内容(25分钟): 半导体三极管也称晶体三极管,是汽车电子点火系统等电工电子电路中最重要的电子元器件之一。它主要的功能是电流放大和开关作用,配合其他元器件还可以构成振荡电路。 1、三极管外形,如图2所示。 特点:有三个电极,故称三极管。 2、三极管内部结构: 在一块极薄的硅或锗材料的半导体基片上,经过特殊的工艺加工,制造出两个PN结,这两块PN结将整个半导体基片分为3个区域:集电区,基区和发射区。如图3所示。 其中:基区相对很薄,集电区面积很大,发射区载流子的掺杂浓度很高。对应着三个区分别引出三个电极;即:基极,集电极和发射极。分别用英文字母b,c和e来表示,也可以用大写字母表示基极B、发射极C、集电极E。 三极管是由两个PN结组成的。我们把基极和发射极之间的PN结称作发射结,基极和集电极之间的PN结称作集电结。 NPN型符号 NPN结构简图 PNP符号 PNP结构简图 图4 三极管符号、结构简图 图3 三极管的结构图 图 2 三极管外形

二极管、三极管的性能检测

二极管、三极管的性能检测 1. 二极管性能的检测 1) 普通二极管性能的检测 晶体二极管具有单向导电特性。用万用表的欧姆挡测量二极管的正、反向电阻,就可以判断出二极管管脚的极性,还可以粗略地判断二极管的好坏。 用万用表欧姆挡测量二极管的正、反向电阻原理如图4.1所示。 对于稳定电压U Z 小于万用表欧姆挡高阻挡表电池电压U o 的稳压二极管,可通过测量稳压二极管的反向电阻,用下式估算出U Z(U Z 越接近U o ,估算出的U Z 误差越大): 用万用表欧姆挡测二极管 例如:用某万用表 R ×10 k Ω挡测一只2CW55二极管,实 测反向电阻Rx 为70 k Ω,已知 U o=15V, R o=10 Ω,则 2) 发光二极管性能的检测 发光二极管除测量正、反向电阻外,还应进一步检查其是否发光。发光二极管的工作电压一般在1.6 V 左右,工作电流在1 mA 以上时才发光。用R ×10 k Ω挡测量正向电阻时,有些发光二极管能发光即可说明其正常。对于工作电流较大的发光二极管亦可用实训图4.2所示电路进行检测。 发光二极管测试电路 3) 光电(敏)二极管性能的检测 光电二极管的反向电阻随着从窗口射入光线的强弱而发生显著变化。在没有光照时,光电二极管的正、反向电阻测量以及极性判别与普通二极管一样。 光电二极管光电特性的测量方法:用万用表R ×100 k Ω挡或R ×1 k Ω挡测它的反向电阻时,用手电筒照射光电二极管顶端的窗口,万用表指示的电阻值应明显减小。光线越强,光电二极管的反向电阻越小,甚至只有几百Ω。关掉手电筒,电阻读数应立即恢复到原来的阻值。这表明被测光电二极管是良好的。 3. 三极管的管脚和类型的判别 ο οnR R R U U X X Z +=V nR R R U U X X Z 2.610101070107015433≈?+???=+=οο

常用开关管对照

常用开关管、场管、IC参数、国内外相似替换型号 分类:液晶屏维修实例 2009.7.9 12:15 作者:龙哥 | 评论:0 | 阅读:0 2SC1885 150V,0.05A 0.75,200MHZ BF297,BF422,BF391,3DG180K NPN 2SC2336 180V,1.5A,25W,95MHZ 2SC2238A,2SC2238B,2SC2660, NPN 2SD478,2SD608A,2SD760,2SD1138, 3DA25F 2SC3306 500V,10A,100W BUV48A,BUV48B,BUV48C,BUW13 NPN 2SC2740,2SC3042,2SC3277,2SC3365 2SC3842,2DK308C 2SC3461 1100V,8A,140W BU902,2SC3643,2SC3847,2SC3982, NPN 2SD1433 2SC3746 80V,5A,20W 2SC3253,2SC3258,2SC3540,2SC3691 NPN 2SC4549,2SD1270,2SC1832 2SC3866 900V,3A,40W 2SC2979,2SC3178,2SC3559,2SC3979 NPN 2SC4303 2SC3953 2SC3886 1400V,8A,50W BU508AF,2SC3847,2SC3896,2SD1850 NPN 2SD1886 2SC3997 1500V,20A,250W - NPN 2SC4111 1500V,10A,150W 2SC3307,2SC3897,2SC3995 N PN 2SC4159 180V,1.5A,15W 2SC3298A,2SC3298B,2SD1763A,2SD177 2 NPN 2SC4288 1400V,12A,200W 2SC3910,2SC3995 NPN 2SC4538 2SC4633 1500V,0.03A,7W 2SC4451,2SC4576 NPN 2SC4686A 1500V,0.05A,10W 2SC4578 NPN 2SC4833 500V,5A,35W BUT11AF,2SC3310,2SC3570,2SC4026 NPN 2SC4054,2SC4160,2SC4073,2SC4371 2SC4834 500V,8A,45W BU306F,BUT12AF,2SC3626,2SC4130, NPN

三极管的基本知识讲解复习课程

三极管的基本知识讲解 三极管的初步认识 三极管是一种很常用的控制和驱动器件,在数字电路和模拟电路中都有大量的应用,常用的三极管根据材料分有硅管和锗管两种,原理相同,压降略有不同,硅管用的较普遍,而锗管应用较少,以下以硅管为例进行讲解。三极管有2 种类型,分别是PNP 型和NPN 型。先来认识一下,如下图所示。三极管一共有3 个极,横向左侧的引脚叫做基极(base),中间有一个箭头,一头连接基极,另外一头连接的是发射极 e(emitter),剩下的一个引脚就是集电极c(collector)。 三极管的原理 三极管有截止、放大、饱和三种工作状态。放大状态主要应用于模拟电路中,且用法和计算方法也比较复杂,我们暂时用不到。而数字电路主要使用的是三极管的开关特性,只用到了截止与饱和两种状态,所以我们也只来讲解这两种用法。三极管的类型和用法有个总结:箭头朝内PNP,箭头朝外NPN,导通电压顺箭头过,电压导通,

电流控制。三极管的用法特点,关键点在于b 极(基极)和e 级(发射极)之间的电压情况,对于PNP 而言,e 极电压只要高于b 级0.7V以上(硅三极管的PN 结道导通电压,如果是锗三极管,这个电压大概为0.3V),这个三极管e 级和c 级之间就可以顺利导通。也就是说,控制端在b 和e 之间,被控制端是e 和c 之间。同理,NPN 型三极管的导通电压是b 极比e 极高0.7V,总之是箭头的始端比末端高0.7V就可以导通三极管的e 极和c 极。这就是关于“导通电压顺箭头过,电压导通”的解释。 三极管的用法 以上图为例介绍一下三极管的用法。三极管基极通过一个10K 的电阻接到了单片机的一个IO口上,假定是P1.0,发射极直接接到5V 的电源上,集电极接了一个LED 小灯,并且串联了一个1K 的限流电阻最终接到了电源负极GND 上。如果P1.0 由我们的程序给一个高电平1,那么基极b 和发射极e 都是5V,也就是说e到b 不会产生一个0.7V 的压降,这个时候,发射极和集电极也就不会导通,那么竖着看这个电路在三极管处是断开的,没有电流通过,LED2 小灯也就不会亮。如果程序给

谈谈三极管的开关功能

谈谈三极管的开关功能 三极管的工作机理本质上就是通过be之间的电流来控制ce之间的电流。所以b极叫基极也叫控制极。本科生们关于三极管的一个粗糙的印象是三极管有放大作用,至于放大什么东西,可能有相当一部分人也含糊不清。我们这里说的放大,当然是指be间的电流来控制gemfield倍于它的流经ce之间的电流,这个gemfield,通常是100左右。形象的说,Ic就是将Ib放大100倍所得的电流。 三极管的工作有三种状态,即截止状态、线性放大状态、饱和状态。其实我本人是非常不喜欢这三个名字的。只是另起炉灶的话,会浪费更多的精力,也就罢了。不过深刻了解了这三种工作状态,以后便可以真正做到胸有成竹,从而看透电路中万变不离其宗的三级管用法。 那就先说截止状态吧。在描述三极管工作条件时,经常会蹦出正偏或者反偏这类词语,比如集电结反偏。这些词语也是令我很讨厌的一类词语,仿佛就是一个个骗子,将初始时我们对于森林的好奇最终引向了弥漫着雾气的杂草丛生的沼泽地带。所以我先费些笔墨来解释一下这个词语。所谓正偏,即两极间加的电压与PN结的导通方向一致,如本例中的2n5550 安森美NPN硅管,对于b、e构成的发射结来说,b极电位高于e极电位,就叫发射结正偏,相反则叫反偏!而对于b、c构成的集电结来说,b极电位高于c极电位,就叫集电结正偏,相反就叫反偏。 那么这个2n5550三极管什么时候处于截止状态呢?我们说当我们打开三极管的钥匙——be间的电压,有一个开启的电压,大约在0.5到0.6v之间。注意是b比e高0.5到0.6v,也就是说当b的电位比e 的电位高不出这个电压时,比如是0.4v或者0.1v或者-0.1v,我们就说三极管陷入了截止状态。这个时候,从c流向e的电流很小——只有1微安以下,因为我们还不具备开启三极管的钥匙。在multisim 10的电路仿真中,当ce间的电压为5v,Vbe钥匙电压为0.4v时,流经ce电流(Ic)为800多纳安。ce之间5v 这个还算可以的电压才仅仅产生了Ic纳安级渺小的电流。只能说ce间的电阻太大了。所以说,这个时候的ce间电阻很大,我们把它近似于开路。 所以对截止状态做个总结时,我们就说当be这把开启钥匙没有达到开启电压时(0.5到0.6)时,ce开路。这时的三极管你可以说它是装饰物,也可以说它是石头,甚至你把它从电路中拿走也没关系。这就是第一个我们要阐述的三极管的官员状态——我在休息,什么也不做。 不过不幸的是,下面还有一大段话要啰嗦。这些谆谆教诲对于三极管的任意一种工作状态都是适用的: 截止状态也不是说因为不用工作,所以就没有什么参数限制了。这是不对的,就像官员上班时间也在休息,甚至都有人在打麻将,ok,这是没关系的,反正也不会丢掉乌纱帽。但你不能放火烧房子,这个就不行了。同样,三极管在be的电位差不足前面提到的那个钥匙电压时不工作,但是be之间的电位差也不能太低了。比如,是一个很大的负值,这就是说e的电位反而比b的电位高很多。我们都知道三极管的be之间像一个pn结,那么毫无疑问也有一个反向耐压值。所以这块儿也有一个这样的值,就是说发射极的电位不能比基极高出那么多的一个值,是多少呢?对于2N5550来说,是6v,也就是说当Vbe<-6v时,三极管的发射结可能会被反向击穿。

三极管基础知识练习.doc

晶体三极管与单级低频小信号放大器 章节练习(2015.6) 一、判断题(对的打“√”,错的打“×” ) 1、为使三极管处于放大工作状态,其发射结应加反向电压,集电结应加正向电压;( ) 2、无论是哪种三极管,当处于放大工作状态时,b 极电位总是高于e 极电位,c 极电位也总是高于b 极电位;( ) 3、三极管的发射区和集电区是由同一种类半导体(N 型或P 型)构成的,所以e 极和c 极可以互换使用;( ) 4、三极管的穿透电流I CEO 的大小不随温度而变化;( ) 5、三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高,β减小;( ) 6、对于NPN 型三极管,当V BE ﹥0时,V BE ﹥V CE ,则该管的工作状态是饱和状态;( ) 7、已知某三极管的发射极电流I E =1.36mA ,集电极电流I C =1.33mA ,则基极电流I B =30μA ;( ) 8、某三极管的I B =10μA 时,I C =0.44mA ;当I B =20μA 时,I C =0.89mA ,则它的电流放大系数β=45; 9、三极管无论工作在何种工作状态,电流I E =I B +I C =(1+β)I B 总是成立;( ) 10、由于三极管的核心是两个互相联系的PN 结,因此可以用两个背靠背连接的二极管替换;( ) 11、三极管是一种电流控制器件;( ) 12、同一只三极管的β和β数值上很接近,在应用时可相互代替;( ) 13、共发射极放大器的输出电压信号和输入电压信号反相;( ) 14、交流放大电路之所以能实现小信号放大,是由于三极管提供了较大的输出信号能量;( ) 15、放大器的静态工作点一经设定后,不会受外界因素的影响;( ) 16、在单管放大电路中,若V G 不变,只要改变集电极电阻R C 的值就可改变集电极电流I C 的值;( ) 17、三极管放大电路工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量,直流分量用来表示静态工作点,交流分量用来表示信号的变化情况;( ) 二、选择题 1、万用表测得一PNP 型三极管三极电位分别有V C =3.3V ,V E =3V ,V B =3.7V ,则该管工作在( ) A .饱和区 B .截止区 C .放大区 D .击穿区 2、测得某三极管三个极在放大电路中的对地电压分别为6V 、4V 、3.3V , 则该三极管是( ) A .硅材料的NPN 管 B .硅材料的PNP 管 C .锗材料的NPN 管 D .锗材料的PNP 管 3、三极管放大器设置合适的静态工作点,以保证放大信号时,三极管( ) A .发射结为反向偏置 B .集电结为正向偏置 C .始终工作在放大区 4、在共发射极单管低频电压放大电路中,输出电压可表示为( ) A .0c c v i R = B .0c c v i R =- C .0c c v I R = D .0c c v I R =-

三极管的基础知识

三极管 半导体电子器件,有两个PN结组成,可以对电流起放大作用,有3个引脚,分别为集电极(c),基极(b),发射极(e).有PNP和NPN型两种,以材料分有硅材料和锗材料两种。 编辑本段概念 半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件. 作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关. 编辑本段三极管的分类: a.按材质分: 硅管、锗管 b.按结构分: NPN 、PNP c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等. 编辑本段三极管的主要参数 a. 特征频率fT:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作. b. 工作电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围. c. hFE:电流放大倍数. d. VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压. e. PCM:最大允许耗散功率. f. 封装形式:指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导致组件无法在. 编辑本段判断基极和三极管的类型 先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两 次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极. 当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接基它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为NPN,反之 为PNP. 判断集电极C和发射极E,以NPN为例: 把黑表笔接至假充的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头所示C,E 电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小,说明原假设成立. 体三极管的结构和类型 晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种, 从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。 发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。 三极管的封装形式和管脚识别 常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式具有一定的规律, 底视图位置放置,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c。

三极管和MOS管做开关用时的区别

三极管和MOS管做开关用时的区别 ?我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别工作性质: 1.三极管用电流控制,MOS管属于电压控制. 2、成本问题:三极管便宜,MOS管贵。 3、功耗问题:三极管损耗大。 4、驱动能力:MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。 实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管 实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射区,当基极外加电压产生的电场大于内建电场时,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区,此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在,此时如果集电极-发射极加正电压,在电场作用下,发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动),由于基区宽度很小,电子很容易越过基区到达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极),为维持平衡,在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动,而空穴则为pn结处运动,此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理。三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,如果这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需要时间。而MOS三极管工作方式不同,没有这个恢复时间,因此可以用作高速开关管。 ?(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。 (2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

三极管知识与应用详解资料

三极管知识与应用详解 是帅哥 1.三极管的放大作用 图1是收信放大管的结构及符号图,栅极用符号g表示,栅极具有 控制阳极电流ia的作用。由于栅极与阴极之间的距离较阳极与阴极间的距离近得多,所以栅极对阴极发射电子的影响也较阳极的影响大得多,即是说栅极控制电子的能力要比阳极大得多,栅压ug有多少 量的变化,就能引起阳极电流ia发生较大的变化,这就是三极管具有放大作用的原因。 图1三极管结构及符号 2.三极管的静态特性曲线 (1)阳极特性曲线,指栅压ug为常数时,阳极是电流ia与阳极电 压ua的变化关系曲线,采用图2的线路可测出在极管阳极特性曲线, 图3表示6N8P的阳极特性曲线簇。

图2、测量三极管静态特性曲线的电路 从阳极特性的曲线簇可以看出: 1 )它的每条曲线形状和二极管的行性曲线相似,栅压愈负,曲线愈 向右移。这是因为栅压为负进,只有当阳极电压增加到能够抵消在阴 极附近产生的排斥电场以后,才会产生阳极电流。 2 )特性曲线的大部分是彼此平行的直线,间隔也比较均匀,但在阳 极电流较低的部分,曲线显得弯曲。 3)从图中还可以看出,栅压电流可变化 4毫安,若栅压保持---8伏 不变,要使阳极电流变化4毫安,则阳极电压应变化40伏才行,这 说明书栅压对阳极电流的控制作用是阳极电压控制作用的 20倍。 (2)阳栅特性曲线,指阳极电压为常数时,阳极电流 ia 与栅压ug 的变化关系曲线。 仍用图2测量阳栅特性曲线。只要把阳极电压ua 固定在某一数值上, 然后一条阳栅特性曲线,在不同的阳极电压下作出很多条曲线就组成 特性曲线簇。图4为6N8P 阳栅特性曲线簇。 从曲线簇可以看出: 1)在阳极电压为定值时,随着负栅压的增加,阳极电流减小。当负 栅压增加到某一个数值时, 阳极电流减小到零, 这时称为阳极电流截 止,对应的栅压称为截止栅压。 2)阳极电压越高,特性曲线越往左移,这是因为阳极电压越高,要 使阳极电流图3、6N8P 阳极特性曲线 图4、6N8P 阳栅特性曲线

三极管基础练习题

三极管练习题 一、填空题: 1.晶体管工作在饱和区时发射结偏;集电结偏。 2.三极管按结构分为_和两种类型,均具有两个PN结,即______和______。 3.三极管是___________控制器件,场效应管是控制器件。 4.晶体管放大电路的性能指标分析,主要采用等效电路分析法。 5.放大电路中,测得三极管三个电极电位为U1=,U2=,U3=15V,则该管是______类型管子,其中_____极为集电极。 6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。 7.三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时,三极管的工作状态分别是____和 ______。 8.场效应管同三极管相比其输入电阻_________,热稳定性________。 9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时,输入信号必须是________的信号。 10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________,集电结______。 11.在正常工作范围内,场效应管极无电流 12.三极管按结构分为______和______两种类型,均具有两个PN结,即___________和 _________。 13.晶体三极管是一种___控制___器件,而场效应管是一种___控制___器件。14.若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压,在集电结上也加上反向偏置电压,则这个晶体三极管处于______状态。 15.作放大作用时,场效应管应工作在____(截止区,饱和区,可变电阻区)。 16.晶体三极管用于放大时,应使发射极处于__偏置,集电极处于__偏置。 二、选择题: 1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V,V B=,V E=1V则晶体管工作在()状态。 A、放大 B、截止 C、饱和 D、损坏 2、三级管开作在放大区,要求() A、发射结正偏,集电结正偏 B、发射结正偏,集电结反偏 C、发射结反偏,集电结正偏 D、发射结反偏,集电结反偏 3、在放大电路中,场效应管应工作在漏极特性的哪个区域() A可变线性区B截止区C饱合区D击穿区 4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=,V E=3V,V B=,则该管工作在() A.饱和区B.截止区 C.放大区D.击穿区

三极管开关电路分析

站内搜索: 永生 RSS 电路测试仪正达电路测试 电路测试仪-北京正达专营电路测试仪 https://www.360docs.net/doc/9f10897183.html, 高校实验教学解决方案 集成电路维修检测仪. STC 51 新39.99 USB ISP 5 in 1(USB 能在线 录器 45.0 搜索

图1 基本的三极管开关 因此,基极电流最少应为: ( 流值。由于基极回路只是一个电阻和基射极接面的串联电路,故 (

为了避免混淆起见,本文所介绍的三极管开关均采用NPN三极管,当然NPN三极管亦可以被当作开关来使用,只是比较不常见罢了。 例题1 试解释出在图2的开关电路中,欲使开关闭合(三极管饱和) 所须的输入电压为何﹖并解释出此时之负载电流与基极电流值﹖ 解﹕由2式可知,在饱和状态下,所有的供电电压完全跨降于负载电阻上,因此 由方程式 (1) 可知 因此输入电压可由下式求得﹕ 图2 用三极管做为灯泡开关 由例题得知,欲利用三极管开关来控制大到1.5A的负载电流之启闭动作,只须要利用甚小的控制电压和电流即可。此外,三极管虽然流过大电流,却不须要装上散热片,因为当负载电流流过时,三极管呈饱和状态,其VCE趋近于零,所以其电流和电压相乘的功率之非常小,根本不须要散热片。 二、三极管开关与机械式开关的比较 截至目前为止,我们都假设当三极管开关导通时,其基极与射极之间是完全短路的。事实并非如此,没有任何三极管可以完全短路而使VCE=0,大多数的小信号硅质三极管在饱和时,VCE(饱和) 值约为0.2伏特,纵使是专为开关应用而设计的交换三极管,其VCE(饱和) 值顶多也只能低到0.1伏特左右,而且负载电流一高,VCE(饱和) 值还会有些许的上升现象,虽然对大多数的分析计算而言,VCE(饱和) 值可以不予考虑,但是在测试交换电路时,必须明白VCE(饱和) 值并非真的是0。 虽然VCE(饱和)的电压很小,本身微不足道,但是若将几个三极管开关串接起来,其总和的压降效应就很可观了, 不幸的是机械式的开关经常是采用串接的方式来工作的,如图3(a)所示,三极管开关无法模拟机械式开关的等效电 路(如图3(b)所示)来工作,这是三极管开关的一大缺点。表 步进电机控制工作原理 直流电机的PWM冲调速控制技术 消除按键抖动电路 伺服电机工作原理LED驱动原理

三极管的基本知识讲解

三极管的初步认识 三极管是一种很常用的控制和驱动器件,在数字电路和模拟电路中都有大量的应用,常用的三极管根据材料分有硅管和锗管两种,原理相同,压降略有不同,硅管用的较普遍,而锗管应用较少,以下以硅管为例进行讲解。三极管有 2 种类型,分别是 PNP 型和 NPN 型。先来认识一下,如下图所示。三极管一共有 3 个极,横向左侧的引脚叫做基极(base),中间有一个箭头,一头连接基极,另外一头连接的是发射极 e(emitter),剩下的一个引脚就是集电极 c(collector)。 三极管的原理 三极管有截止、放大、饱和三种工作状态。放大状态主要应用于模拟电路中,且用法和计算方法也比较复杂,我们暂时用不到。而数字电路主要使用的是三极管的开关特性,只用到了截止与饱和两种状态,所以我们也只来讲解这两种用法。三极管的类型和用法有个总结:箭头朝内 PNP,箭头朝外NPN,导通电压顺箭头过,电压导通,电流控制。三极管的用法特点,关键点在于 b 极(基极)和 e 级(发射极)之间的电压情况,对于PNP 而言,e 极电压只要高于 b 级以上(硅三极管的PN结道导通电压,如果是锗三极管,这个电压大概为),这个三极管 e 级和 c 级之间就可以顺利导通。也就是说,控制端在 b 和 e 之间,被控制端是 e 和 c 之间。同理,NPN 型三极管的导通电压是 b 极比 e 极高,总之是箭头的始端比末端高就可以导通三极管的 e 极和 c 极。这就是关于“导通电压顺箭头过,电压导通”的解释。 三极管的用法 以上图为例介绍一下三极管的用法。三极管基极通过一个 10K 的电阻接到了单片机的一个 IO口上,假定是,发射极直接接到 5V 的电源上,集电极接了一个 LED 小灯,并且串联了一个 1K 的限流电阻最终接到了电源负极 GND 上。如果由我们的程序给一个高电平 1,那么基极 b 和发射极 e 都是 5V,也就是说 e到 b 不会产生一个的压降,这个时候,发射极和集电极也就不会导通,那么竖着看这个电路在

电子元器件基础知识详解之三极管

首先就说说三极管,实际上只要你了解了三极管的特性对你使用单片机就顺手很多了。大家其实也都知道三极管具有放大作用,但如何去真正理解它却是你以后会不会使用大部分电子电路和1C的关键。 我们一般所说的普通三极管是具有电流放大作用的器件。其它的三极管也都是在这个原理基础上功能延伸。三极管的符号如下图左边,我们就以NPN型三极管为例来说说它的工作原理。由于三极管是由二极管演化而来的,所以大家记住PN结永远都是P 指向N的,这样PNP还是XPN—下就很清楚了. 它就是一个以b(基极)电流lb来驱动流过CE的电流Ic的器件,它的工作原理很像一个可控制的阀门。 左边细管子里藍色的小水流冲动杠杆使大水管的阀门开大,就可允许较大红色的水

流通过这个阀门。当蓝色水流越大,也就使大管中红色的水流更大。如果放大倍数是100,那么当蓝色小水流为1千克/小时,那么就允许大管子流过100千克/小时的水。三极管的原理也跟这个一样,放大倍数为100时,当lb(基极电流)为1M时,就允许100mA 的电流通过Ice。我这么说大家能理解吗? 这个原理大家可能也都知道,但是把它用在电路里的状况能理解,那单片机的运用就少了一大障碍了。最常用的连接如下图。 我们来分析一下这个电路,如果它的放大倍数是100,基极电压我们不计。基极电流就是10V+10K=lmA,集电极电流就应该是100mA。根据欧姆定律,这样Rc上的电压就是0.1AX50〇=5V。那么剩下的5V就吃在了三极管的C、E极上了。好!现在我们假如让Rb为1K,那么基极电流就是10V+lK=10mA,这样按照放大倍数100算,Ic就是不是就为1000mA也就是1A了呢?假如真的为1安,那么Rc上的电压为1AX50Q=50V。啊?50V!都超过电源电压了,三极管都成发电机了吗?其实不是这样的。见下图:

三极管开关电路分析及Rb计算

1.输入电压Vin,输入电阻Rin,三极管导通电压取0.6V,三极管电流放大倍数是B,输出电阻(在C极的电阻)是Rout。这样很好计算了: 5V / Rout = A, A / B = C,所以C是你最小的基极电流。 如果你的输入电压Vin也用5V,那么(5 - 0.6)/C = Rin,你就可以选Rin了,为使三极管可靠饱和,选(5 - 0.6)/Rin > C就可以了。 2.先求I先求Ic=Vc/Rc Ib=Ic/B 基极电阻Rb=(Vb-Vbe)/Ib c=Vc/Rc Ib=Ic/B 基极电阻Rb=(Vb-Vbe)/Ib 举例: 已知条件:输入Vi=5V,电源电压Vcc=5V,三极管直流放大系数beta=10. 查规格书得,集-射饱和电压Vcesat=0.2V,此时集电极电流Ic=10mA(或其它值),则集电极电阻Rc=(Vcc-Vcesat)/Ic = (5-0.2)/10 = 480 欧。 则Ib=Ic/beta=10/10=1 mA,基极限流电阻Rb=(Vi-Vbe)/Ib=(5-0.6)/1=4.4K,取为4.2K。 这时要注意,输入高电平为5V是理想情况,有可能在2.5V(输入的一半)以上就为高了,这时我们以5V输入而得到的基极电流很可能不够,因此要重新计算。以2.5V为逻辑电平的阈值来计算,则Rb==(Vi-Vbe)/Ib=(2.5-0.6)/1=1.9K,取为1.8K,或2K。 如何使三极管工作于开关状态?? 如何使三极管工作于开关状态 晶体三极管的实际开关特性决定于管子的工作状态。晶体三极管输出特性三个工作区,即截止区、放大区、饱和区,如图4.2.1(b)所示。 如果要使晶体三极管工作于开关的接通状态,就应该使之工作于饱和区; 要使晶体三极管工作于开关的断开状态,就应该使之工作于截止区,发射极电流 iE=0,这时晶体三极管处于截止状态,相当于开关断开。集电结加有反向电压,集电极电流iC=ICBO,而基极电流iB=-ICBO。说明三极管截止时,iB并不是为0,而等于-ICBO。基极开路时,外加电源电压VCC使集电结反向偏置,发射结正向偏置晶体三极管基极电流iB=0时,晶体管并未进入截止状态,这时iE=iC =ICEO还是较大的。晶体管进入截止状态,晶体管基极与发射极之间加反向电压,这时只存在集电极反向饱和电流ICBO,iB =-ICBO,iE=0,为临界截止状态。进一步加大基极电压的绝对值,当大于VBO时,发射结处于反向偏置而截止,流过发射结的电流为反向饱和电流IEBO,这时晶体管进入截止状态iB = -(ICBO+ IEBO),iC= ICBO。发射结外加正向电压不断升高,集电极电流不断增加。同时基极电流也增加,随着基极电流iB 的增加基极电位vB升高,而随着集电极电流iC的增加,集电极电位vC却下

常用电源开关管参数

常用电源开关管参数 型号反压V 电流A 功率W 型号反压V 电流A 功率W BU108 1500 5 12.5 C4291 1500 5 100 BU208A 1500 5 12.5 C4292 1500 6 100 BU208D 1500 5 12.5 C4303A 1500 6 80 BU209A 1500 5 12.5 2SD348 1500 7 50 BU308 1500 5 12.5 D820 1500 5 50 BU500 1500 6 75 D821 1500 6 50 BU508A 1500 7.5 75 D822 1500 7 50 BUY71 2200 2 40 D838 2500 3 50 2SC1942 1500 3 50 D869 1500 3.5 50 C2027 1500 5 50 D870 1500 5 50 C2125 2200 5 50 D871 1500 6 50 C3480 1500 3.5 80 D898 1500 3 50 C3481 1500 5 120 D899 1500 4 50 C3482 1500 6 120 D900 1500 5 50 C3484 1500 3.5 80 D903 1500 7 50 C3485 1500 6 120 D950 1500 3 42 C3685 1500 6 120 D952 1500 3 65 C3686 1500 7 120 D953 1500 5 70 C3687 1500 8 150 D954 1500 5 80 C3688 1500 10 150 D957A 1500 6 95 C3729 1500 5 50 D994 1500 8 50 C3883 1500 5 50 D995 2500 3 50 C4199A 1500 10 100 D1016 1500 7 50 型号反压V 电流A 功率W 型号反压V 电流A 功率W D1142 1500 3.5 50 D1455 1500 5 50 D1143 1500 5 65 D1456 1500 6 50 D1172 1500 5 65 D1545 1500 5 50 D1173 1500 5 70 D1546 1500 6 50 D1174 1500 5 85 D1547 1500 7 50

相关文档
最新文档