芯片LTV-816

慧荣SM3259AA芯片U盘量产USB-CDROM启动盘量产教程

慧荣SM3259AA芯片U盘量产USB-CDROM详细步骤这里分享它的cdrom启动盘量产教程给大家。 1、下载量产工具：慧荣SM3259AA主控V15.10.05.21 O1012版，也可以尝试更加新的版本。 2、解压压缩包。进入到SM3259AA\Beta_SM3259AA_O1012_SCY_7THL2CE Only文件夹中，可看到SMIMPTool.exe。 3、双击打开运行SMIMPTool.exe。插入U盘后点击右边的“扫描”。不同容量的U盘显示的颜色不一样，看到红色了也不要慌。

4、点击右边的“设定”，弹出密码输入框，密码为空，直接确定即可。进入到选择配置文件界面，直接点击“打开”默认的即可。进入到设置界面。可以选择优化方式“速度优先”或者“容量优先”，没有特殊需求的这一页不用做任何修改，点击上边的“U盘设定”选项卡。 5、如果要制作CDROM启动盘，其他的不用修改，仅将图中标识的填入即可。分区总数2个。分区1的分区模式为光驱，勾选考入文档，容量比ISO文件大2MB（图中的ZQDigital.iso 101MB 大，我输入103）；分区二的分区模式为“擦除式磁盘”，容量输入0表示剩余的所有容量均作为U盘的普通分区。

6、如果要恢复CDROM盘的容量，其他的不用修改，仅将图中标识的填入即可。 分区总数1个。磁盘分区1分区模式为“擦除式磁盘”，容量0（表示所有容量），不要勾选“考入档案”。

7、设置好之后，点击右上角的“保存”或者“另存为”，回到量产工具主界面。点击右边的“开始”即可开始量产（量产CDROM或者恢复CDROM容量都是量产），只需要等待即可。

数据采集卡技术原理

核心提示：一、数据采集卡の定义：数据采集卡就是把模拟信号转换成数字信号の设备，其核心就是A/D芯片。二、数据采集简介：在计算机广泛应用の今天，数据采集の重要性是十分显著の。它是计算机与外部物理世界连接の桥梁。各种类型信号采集の难易程度差别很大。实际采集时，噪声也可能带来一些麻烦。数据采集时，有一些基本原理要注意，还有更多の实际の问题要解决。假设现在对一个模拟信号 x(t) 每隔Δ t 时间采样一次。时 一、数据采集卡の定义： 数据采集卡就是把模拟信号转换成数字信号の设备，其核心就是A/D芯片。 二、数据采集简介： 在计算机广泛应用の今天，数据采集の重要性是十分显著の。它是计算机与外部物理世界连接の桥梁。各种类型信号采集の难易程度差别很大。实际采集时，噪声也可能带来一些麻烦。数据采集时，有一些基本原理要注意，还有更多の实际の问题要解决。 假设现在对一个模拟信号 x(t) 每隔Δ t 时间采样一次。时间间隔Δ t 被称为采样间隔或者采样周期。它の倒数1/ Δ t 被称为采样频率，单位是采样数 / 每秒。t=0, Δ t ,2 Δ t ,3 Δ t …… 等等， x(t) の数值就被称为采样值。所有x(0),x( Δ t),x(2 Δ t ) 都是采样值。这样信号x(t) 可以用一组分散の采样值来表示： 下图显示了一个模拟信号和它采样后の采样值。采样间隔是Δ t ，注意，采样点在时域上是分散の。 图 1 模拟信号和采样显示 如果对信号 x(t) 采集 N 个采样点，那么 x(t) 就可以用下面这个数列表示： 这个数列被称为信号 x(t) の数字化显示或者采样显示。注意这个数列中仅仅用下标变量编制索引，而不含有任何关于采样率（或Δ t ）の信息。所以如果只知道该信号の采样值，并不能知道它の采样率，缺少了时间尺度，也不可能知道信号 x(t) の频率。 根据采样定理，最低采样频率必须是信号频率の两倍。反过来说，如果给定了采样频率，

硅集成电路复习提纲(最终版)

集成电路工艺基础复习 绪论 1、Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。 2、特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 3、提拉法（CZ法，切克劳斯基法）和区熔法制备硅片：答：区熔法制备的硅片质量更高，因为含氧量低。目前8英寸以上的硅片，经常选择选择CZ法制备，因为晶圆直径大。 4、MOS器件中常使用什么晶面方向的硅片，双极型器件呢？答：MOS器件：<100> Si/SiO2界面态密度低；双极器件：<111>的原子密度大，生长速度快，成本低。 氧化 1、sio2的特性二氧化硅对硅的粘附性好，化学性质比较稳定，绝缘性好 2、sio2的结构，分为结晶形与不定形二氧化硅 3、什么是桥键氧和非桥键氧连接两个Si-o四面体的氧称为桥键氧；只与一个硅连接的氧称为非桥键 氧。 4、在无定形的sio2中，si、o那个运动能力强，为什么？氧的运动同硅相比更容易些；因为硅要运动 就必须打破四个si-o键，但对氧来说，只需打破两个si-o键，对非桥键氧只需打破一个si-o键。5、热氧化法生长sio2过程中，氧化生长的方向是什么？在热氧化法制备sio2的过程中，是氧或水汽 等氧化剂穿过sio2层，到达si-sio2界面，与硅反应生成sio2，而不是硅向sio2外表面运动，在表面与氧化剂反应生成sio2 6、Sio2只与什么酸、碱发生反应？只与氢氟酸、强碱溶液发生反应 7、杂质在sio2中的存在形式，分别给与描述解释，各自对sio2网络的影响 能替代si-o四面体中心的硅，并能与氧形成网络的杂志，称为网络形成者；存在于sio2网络间隙中的杂志称为网络改变者。 8、水汽对sio2网络的影响水汽能以分子态形式进入sio2网络中，并能和桥键氧反应生成非桥键氢氧 基，本反应减少了网络中桥键氧的数目，网络强度减弱和疏松，使杂志的扩散能力增强。 9、为什么选用sio2作为掩蔽的原因，是否可以作为任何杂质的掩蔽材料为什么？ 10、制备sio2有哪几种方法？热分解淀积法，溅射法，真空蒸发法，阳极氧化法，化学气相淀积法，热氧化法等。 11、热生长sio2的特点：硅的热氧化法是指硅与氧气或水汽等氧化剂，在高温下经化学反应生成sio2【热生长：在高温环境里，通过外部供给高纯氧气使之与硅衬底反应，得到一层热生长的SiO2 ；淀积：通过外部供给的氧气和硅源，使它们在腔体中方应，从而在硅片表面形成一层薄膜。】 12、生长一个单位厚度的sio2需要消耗0.44个单位的si 14、实际生产中选用哪种生长方法制备较厚的sio2层？采用干氧-湿氧-干氧相结合的氧化方式 15、由公式2.24，2.25分析两种极限情况，给出解释其一是当氧化剂在sio2中的扩散系数D sio2很小时（D sio2《k s x0，则的C i→0，C0→C*，在这种情况下，sio2的生长速率主要由氧化剂在sio2中的扩散速度所决定，称这种极限情况为扩散控制；其二，如果扩散系数D sio2很大，则C1=C0=C*/（1+k s/h），sio2生长速率由si表面的化学反应速度控制，称这种极限情况为反应控制。 17、sio2生长厚度与时间的关系，分别解释x02+Ax0=B（t+τ），当氧化时间很长，即t》τ和t》A2/4B 时，则x02=B（t+τ），这种情况下的氧化规律称抛物型规律，B为抛物型速率常数，sio2的生长速率主要由氧化剂在sio2中的扩散快慢决定；当氧化时间很短，即（t+τ）《A2/4B，则x0=B（t+τ）/A，这种极限情况下的氧化规律称线性规律，B/A为线性速率常数，具体表达式B/A=-k s hc*/(k s+h)N1。 18、氧化速度与氧化剂分压、温度成正比?

U盘主控芯片IS903

IS903 USB3.0 Flash Disk Controller Specification Copyright ? 2010 Innostor Technology Corporation. All rights reserved.

? Copyright Innostor Technology Corporation All Rights Reserved. No part of this document may be reproduced or transmitted in any form or by any means. All information contained in this document is subject to change without notice. The products described in this document are not intended for use implantation or other life supports application where malfunction may result in injury or death to persons. The information contained in this document does not affect or change Innostor Technology Corporation product specification or warranties. Nothing in this document shall operate as an express or implied license or environments, and is presented as an illustration. The results obtained in other operating environments may vary. THE INFORMATION CONTAINED IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED ON AN “AS IS” BASE. In no event will Innostor be liable for damages arising directly or indirectly from any use of the information contained in this document. Innostor Technology Corporation 2F, No.8, Lane 32, Xianzheng 5th St., Jhubei City, Hsinchu County 302, Taiwan

硅集成电路复习资料

硅集成电路工艺基础考试复习题，，完全更新版。。。 来源：陈萌的日志 集成电路工艺基础复习提纲 氧化 1、sio2的特性二氧化硅对硅的粘附性好，化学性质比较稳定，绝缘性好 2、sio2的结构，分为哪两种结晶形与不定形二氧化硅 3、什么是桥键氧和非桥键氧连接两个Si-o四面体的氧称为桥键氧；只与一个硅连接的氧称为非桥键氧。 4、在无定形的sio2中，si、o那个运动能力强，为什么？氧的运动同硅相比更容易些；因为硅要运动就必须打破四个si-o键，但对氧来说，只需打破两个si-o键，对非桥键氧只需打破一个si-o键。 5、热氧化法生长sio2过程中，氧化生长的方向是什么？在热氧化法制备sio2的过程中，是氧或水汽等氧化剂穿过sio2层，到达si-sio2界面，与硅反应生成sio2，而不是硅向sio2外表面运动，在表面与氧化剂反应生成sio2 6、Sio2只与什么酸、碱发生反应？只与氢氟酸、强碱溶液发生反应 7、杂质在sio2中的存在形式，分别给与描述解释，各自对sio2网络的影响能替代si-o四面体中心的硅，并能与氧形成网络的杂志，称为网络形成者；存在于sio2网络间隙中的杂志称为网络改变者。 8、水汽对sio2网络的影响水汽能以分子态形式进入sio2网络中，并能和桥键氧反应生成非桥键氢氧基，本反应减少了网络中桥键氧的数目，网络强度减弱和疏松，使杂志的扩散能力增强。 9、为什么选用sio2作为掩蔽的原因，是否可以作为任何杂质的掩蔽材料为什么？ 10、制备sio2有哪几种方法？热分解淀积法，溅射法，真空蒸发法，阳极氧化法，化学气相淀积法，热氧化法等。 11、热生长sio2的特点硅的热氧化法是指硅与氧气或水汽等氧化剂，在高温下经化学反应生成sio2 12、生长一个单位厚度的sio2需要消耗0.44个单位的si 13、热氧化分为哪几种方法？各自的特点是什么？干氧氧化是指在高温下，氧气与硅反应生成sio2。水汽氧化是指在高温下，硅与高纯水长生的蒸汽反应生成sio2。湿氧氧化的氧化剂是通过高纯水的氧气，高纯水一般被加热到95摄氏度左右。 14、实际生产中选用哪种生长方法制备较厚的sio2层？采用干氧-湿氧-干氧相结合的氧化方式 15、由公式2.24，2.25分析两种极限情况，给出解释其一是当氧化剂在sio2中的扩散系数 D sio2很小时（D sio2《k s x0，则的C i→0，C0→C*，在这种情况下，sio2的生长速率主要由氧化剂在sio2中的扩散速度所决定，称这种极限情况为扩散控制；其二，如果扩散系数D sio2很大，则C1=C0=C*/（1+k s/h），sio2生长速率由si表面的化学反应速度控制，称这种极限情况为反应控制。 16、热氧化速率受氧化剂在sio2的扩散系数和与si的反应速度中较快还是较慢的影响？较慢的一个因素决定 17、sio2生长厚度与时间的关系，分别解释x02+Ax0=B（t+τ），当氧化时间很长，即t》τ和t》A2/4B时，则x02=B（t+τ），这种情况下的氧化规律称抛物型规律，B为抛物型速率常数，sio2的生长速率主要由氧化剂在sio2中的扩散快慢决定；当氧化时间很短，即（t+τ）《A2/4B，则x0=B（t+τ）/A，这种极限情况下的氧化规律称线性规律，B/A为线性速率常数，具体表达式B/A=-k s hc*/(k s+h)N1。

最新-常见U盘主控芯片比较 精品

常见U盘主控芯片比较 篇一：盘主控芯片对盘读写速度影响情况的对比测试!篇二：盘品牌型号与主控芯片方案索引盘品牌型号与主控芯片方案索引希望此帖也会成为的另一个实用帖。 。 。 。 。 。 转帖请注明出处，本帖会被不断更新配合此帖：盘修复工具全集?=4345大家补充的时候最好能说明盘的品牌、型号、主控、和根据英文首字母排列：爱国者贵宾王1主控：安国6981爱国者智慧棒201主控：161爱国者智慧棒行业特供2主控：163爱国者情侣盘8212\8221主控：321爱国者357主控：10奥美加24系列主控：我想奥美加1系列主控：安国方正晶灵射手2主控：163华矽普天256雷鸟盘主控：6201汉鑫科技超速王1主控：8-汉鑫科技超速王1主控：5128金邦2稳定王20主控：163江民杀毒盘1主控：芯邦2090金河田主控：安国9380金河田128主控：5062-金士顿2主控：1-5845()金士顿11主控：32_0824金士顿1主控：2136（10）金士顿2主控：20金士顿1主控：6677超棒主控：10备注：假金顿一般都是采用安国的6980、芯邦的2080、我想的5128等联想闪存盘2102主控：8-联想810（带蓝牙20）512主控：芯邦2090联想扬天盘128主控：芯邦1180联想710主控：10联想720主控：321联想160主控：10联想510主控：10联想5101主控：8--256主控：5062-美的欧盘512主控：2080朗科2102主控：2019朗科2102主控：321朗科208主控：2033朗科优盘-主控：201912主控：群联10清华紫光368256主控：1180清华紫光-81主控：5128清华紫光220主控：2080清华紫光2-300主控：2019清华时代迷你王128主控5128清华普天(型号未知)主控：2080清华同方8081主控：2090迪欧128主控：1180彪王缤纷1盘主控：321彪王1(壳印网址,铝壳软帖)主控：2080彪王天蓝系列主控：2091台电主控：163天朗211的主控：2090天朗20主控：1180跳鼠王128盘主控：群联雨瞻盘主控11台电用的是163主控。

数据采集及传输处理

数据采集及传输处理 摘要 本文主要阐述了基于数字采集与传输处理系统的设计基本思想，包括硬件实现，应用软件实现以及驱动程序设计，同时也介绍了基于MAX485数据传输系统。 硬件的主要组成部分为AT89C51，ADC0809，MAX485，8155，LED显示。 用软件编程控制硬件实现的过程：发送方的设备把模拟信息转换为数字信息后，发送到接收方的设备上。接收设备利用LED来显示数据。 使用的核心芯片是AT89C51，这个芯片可以很好地满足我们的要求。数据采集系统用来采集模拟数据，并将模拟数据存放于存储器中作以后发送用。A/D转换器将模拟形式转换为数字量表示。使用ADC0809作为A/D转换器，它可以把连续的模拟信号转变成数字形式。选用MAX485连接两台机器进行传递信息. 软件编程的语言使用的是C 语言，它的运行的环境是keil软件。 关键词: 单片机AT89C51,ADC0809,MAX485,LED显示.

Abstract This article introduces the base method according to data collection and transmitting process system, including the hardware design, the application software design and the design of the program design, also introduces the data transmitting system according to the MAX485. The necessary hardware consists of AT89C51，ADC0809，MAX485，8155，LED display. The process of the programme of software controlling hardware operation as follow: The device on the transmitting computer converts the analog signals to digital format and this digital format is transmitted to the receiving computer. The device on the receiving computer uses the information to driver LED display. The key chip we use is AT89C51. This chip can meet our need perfectly. Data acquisition system is used to acquire analog data and store it on storage devices for later transmitting. A/D converter converts an analog format into an equivalent digital representation. We use the ADC0809 as A/D converter, which is used to convert continuous analog signals into digital format. We choose the MAX485 as the device, which is used to connect two computers for transmitting information. The programme of software language is C language, which of operation is keil software. Key words: MCS-AT89C51, A/D converter, MAX485, LED display.

硅集成电路工艺基础复习

硅 集 成 电 路 工 艺 基 绪论： 单项工艺的分类： 1、 图形转换：光刻、刻蚀 2、 掺杂：扩散、离子注入 3、 制膜：氧化、化学气相淀积、物理气相淀积 第2章氧化 SiO 2的作用： 1、 在MOS 电路中作为 MOS 器件的绝缘栅介质，作为器件的组成部分 2、 作为集成电路的隔离介质材料 3、 作为电容器的绝缘介质材料 4、 作为多层金属互连层之间的介质材料 5、 作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料 6、 扩散时的掩蔽层，离子注入的 (有时与光刻胶、Si 3N 4层一起使用#阻挡层 热氧化方法制备的 SiO 2 是无 定形 制备二氧化硅的方法：热分解淀积法、溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、化学气相淀积法、热 氧化法； 热氧化法制备的 SiO 2具有很高的重复性和化学稳定性，其物理性质和化学性质不太受湿度和中 等热处理温度的影响。 SiO 2的主要性质： 密度：表征致密程度 折射率：表征光学性质 密度较大的SiO 2具有较大的折射率 、 波长为5500A 左右时，SiO 2的折射率约为1.46 电阻率：与制备方法及所含杂质数量等因素有关，高温干氧氧化制备的电阻率达 1016 Q 介电强度：单位厚度的绝缘材料所能承受的击穿电压 大小与致密程度、均匀性、杂质含量有关一般为 106?10?V/cm (10 1 ?1V/nm ) S 介电常数：表征电容性能 C 二；SQ — ( SiO 2的相对介电常数为 3.9) 2 d 腐蚀：化学性质非常稳定，只与氢氟酸发生反应 SiO 2 4HF > SiF 4 2出0 SiF 4 2HF > H 2(SiF 6)… 六氟硅酸 还可与强碱缓慢反应 SiO 2 6HF > 出儕6)2出。 薄膜应力为压应力 晶体和无定形的区别：桥键氧和非桥键氧 桥联氧：与两个相邻的 Si-O 四面体中心的硅原子形成共价键的氧 非桥联氧：只与一个 Si-O 四面体中心的硅原子形成共价键的氧 非桥联氧越多，无定型的程度越大，无序程度越大，密度越小，折射率越小 无定形SiO 2的强度：桥键氧数目与非桥键氧数目之比的函数 结晶态和无定形态区分一一非桥联氧是否存在 cm

拥有U盘的芯片备忘

一、金士顿Kingston DataTraveler G2 16G 红白色，伸缩插口的 插口的序列号： 设备描述: [J:]USB Mass Storage Device(Kingston DataTraveler G2) 设备类型:大容量存储设备 协议版本: USB 2.00 当前速度: 高速(HighSpeed) 电力消耗: 100mA USB设备ID: VID = 0951 PID = 1624 设备序列号: 001CC0EC34BFF9C126970CBB 设备供应商: Kingston 设备名称: DataTraveler G2 设备修订版: 0100 产品制造商: Kingston 产品型号: DataTraveler G2 产品修订版: 1.00 芯片厂商: SSS(鑫创) 芯片型号: SSS6690-B1 闪存识别码:98D79432 - Toshiba(东芝) - 4CE/单通道[MLC-8K] -> 总容量= 16GB 二、金士顿Kingston DataTraveler G2 16G 红蓝色，插口的（第一个） 插口的序列号： 设备描述: [J:]USB Mass Storage Device(Kingston DataTraveler G3) 设备类型:大容量存储设备 协议版本: USB 2.00 当前速度: 高速(HighSpeed) 电力消耗: 100mA USB设备ID: VID = 0951 PID = 1643 设备序列号: F46D04613D24FC70C96323E8 设备供应商: Kingston 设备名称: DataTraveler G3 设备修订版: 0100 产品制造商: Kingston 产品型号: DataTraveler G3 产品修订版: 1.00

数据采集系统

数据采集系统数据采集系统的构成 在任何计算机测控系统中，都是从尽量快速，尽量准确，尽量完整的获得数字形式的数据开始的。因此，数据采集系统作为沟通模拟域与数字域的桥梁起着非常重要的作用。 随着计算机技术及大规模集成电路的发展，特别是微处理器及高速A/D转换器的出现，数据采集系统结构发生了重大变革。原来由小规模集成的数字逻辑电路及硬件程序控制器组成的采集系统被微处理器控制的采集系统所代替。因为由微处理器去完成程序控制，数据处理及大部分逻辑操作，使系统的灵活性和可靠性大大的提高，系统的硬件成本和系统的重建费用大大的降低。 数据采集系统一般由信号调理电路，采样保持电路，A/D转换芯片，微处理器组成。结构框图如图1所示。 图1 数据采集系统结构框图 其中信号调理电路，它是传感器与A/D之间的桥梁，也是测控系统中重要组成部分。信号调理的主要功能是： (1)目前标准化工业仪表通常采用0~10Ma，4~20mA信号，为了和A/D的输入形式相适应，必须经I/V变换成电压信号。 (2)某些测量信号可能是非电压量，如热电阻等，这些非电压量信号必须变为电压信号，还有些信号是弱电压信号，如热电偶信号，必须放大，滤波，这些处理包括信号形式的变换，量程调整，环境补偿，线性化等。

(3)某些恶劣条件下，共模电压干扰很强，如共模电平高达220V，不采用隔离的办法无法完成数据采集的任务，因此，必须根据现场环境，考虑共模干扰的抑制，甚至采用隔离措施，包括地线隔离，路间隔离等等。 综上所述，非电量的转换，信号形式的变换，放大，滤波，共模抑制及隔离等等，都是信号调理的主要功能。 信号调理电路包括电桥，放大，滤波，隔离等电路。根据不同的调理对象，采用不同的电路。电桥电路的典型应用之一就是热电阻测温。用热电阻测温时，工业设备距离计算机较远，引线将很长，这就容易引进干扰，并在热电阻的电桥中产生长引线误差。解决的办法有：采用热电阻温度变送器：智能传感器加通讯方式连接：采用三线制连接方法。 信号放大电路通常由运放承担，运放的选择主要考虑精度要求(失调及失调温漂)，速度要求(带宽、上升率)，幅度要求(工作电压范围及增益)及共模抑制要求。常用于前置放大器的有uA741，LF347(低精度)，OP-07(中精度)，ICL7650(高精度)等。 滤波和限幅电路通常采用二极管，稳压管，电容等器件。用二极管和稳压管的限幅方法会产生一定的非线性且灵敏度下降，这可以通过后级增益调整和非线性校正补偿。此外，由于限幅值比最大值输入值高，当使用多路开关时，某一路超限时可能影响其他路，需要选用优质模拟开关如AD7501。 共模电压的存在对模拟信号的处理有影响。高的共模电压会击穿器件，即使没有损坏器件，也会影响测量的精度。隔离是克服共模干扰影响的有效措施。常用的隔离方法有：光电隔离，采用隔离放大器等。 系统的原理及其组成 在工业生产和科学技术研究的各行业中，常需要对各种信号进行采集，如液位、温度、压力、频率等。但传统的采集方式是在PC机或工控机内安装数据采集卡，采用这种方式不仅安装麻烦、易受机箱内环境的干扰，而且由于受计算机插槽数量和地址、中断资源的限制，不可能挂接很多设备。而通用串行总线的出现，很好地解决了上述这些冲突，很容易就能够实现低成本、高可靠性、多点的外置式数据采集系统，这不仅能提高系统的数据传输速度，还能增强系统的灵活性，同时有利于系统的维护。

如何识别U盘芯片

如何识别U盘/SD卡/CF卡等移动存储产品扩容和山寨 我的电脑扩容移动存储检测mydisktestchipgenius 相信有很多人都买过U盘（优盘）、SD卡、CF卡吧？这些移动存储产品的售价也逐步下降，并且容量也越来越大，在电子城、在淘宝都可以买到便宜的宝贝。不过买下来的移动存储产品是不是山寨，是不是扩容盘，心里没底。现在这些产品的市场有点乱，如果你没有一双慧眼，没有能够检测的工具软件，买回了一个假货，等突然某天这黑芯片导致你的资料文件全部丢失的时候，就只能后悔莫及了。 以金士顿U盘为例，存储产品的品牌金士顿为首，市场销售量大，但假货也多（特别是在淘宝网）。不管你在哪购买，如果您想买到真正的正品金士顿U盘，您咨询的时候只要向卖家提3个问题就可以了：第一U盘的USB接口处是否有激光印，第二是否支持用"MyDiskTest"检测是否扩容，第三是否支持用"ChipGenius"检测是不是山寨黑芯片。正品金士顿U盘芯片厂商有4家，分别是:群联、东芝、鑫创、擎泰，不用管它的是什么芯片，只要不是这四种就是假的。 假的U盘一般有两种。第一种，就是最让人深恶痛绝的“扩容盘”（我的手上就有2个，早先在淘宝买的金士顿优盘和SD卡，店家已关

闭）。也许还有人不知道扩容盘是什么意思，比如说你买的是一个4G 的U盘.，在电脑上看属性是4G，但实际却是用2G甚至更小的内存。第二种，这种用的是足量的芯片，容量确实是如标示的容量，但芯片却是地下工厂生产的山寨黑芯片，这种芯片质量是完全没有保障的，今天用着好好的，说不定明天就坏了，里面的资料也随之丢失。 对于第一种，推荐用"MyDiskTest"软件检测是否扩容。"MyDiskTest"软件可以在网上搜索下载，也可以在360软件管家的软件宝库-系统工具里查找（也可以利用360软件管家上的“找软件”查找）下载。 MyDiskTest是绿色免费软件，是一款U盘/SD卡/CF卡等移动存储产品扩容识别工具，可以方便的检测出存储产品是否经过扩充容量，以次充好。还可以检测FLASH闪存是否有坏块，是否采用黑片，不破坏磁盘原有数据，并可以测试U盘的读取和写入速度。是你挑选U盘和存储卡必备的工具。 方法：插入U盘（或SD卡等移动存储），打开MyDiskTest软件，软件会自动选择要测试的U盘，点击“立即开始测试此驱动器”，就会进行各项检测，如果是扩容盘，会提示并提醒点击修复回实际的容量。

基于单片机的数据采集

基于单片机的数据采集系 苏州大学应用技术学院 07电子转邱翠琴 2008年12月 目录 第1章绪论 (3) 第1.1节引言 (3) 第1.2节试验目的 (3) 第1.3节试验器材 (3) 第1.4节试验内容 (3) 第二章硬件设计 (5) 第2.1节主控芯片AT89C51简介 (5) 第2.2节系统硬件电路 (7) 第2.3节A/D采样电路 (8) 第2.4节AD0809的逻辑电路 (8) 第2.5节AD0809的工作原理 (9) 第三章串口控制 (11) 第3.1节串口控制工作原理 (11) 第3.2节实验仿真 (11) 第3.3节串口控制程序 (13) 第四章结论及未来工作 (15) 第4.1节实验总结 (15) 第4.2节未来工作 (15) 参考文献 (15)

基于单片机的数据采集系 苏州大学应用技术学院 07电子转邱翠琴 2008年12月 【摘要】本文主要提出了利用单片机AT89C51和A/D转换器件AD0809等构成的数据采集系统，通过了解A/D转换原理和AD0809芯片、AT89C51芯片和MAX232串口等的相关知识来熟练掌握整个实验的流程，本设计首先将采集到的数据送入AD0809转换器进行数据转换，再将转换后的数据送入单片机AT89C51，单片机通过MAX232串口将数据送入PC机。 【关键词】：单片机A/D转换数据采集串口 abstract]：This article mainly proposed use monolithic integrated circuit AT89C51and A/D constitution and so on transformation component AD0809data acquisition systems，Through understood the A/D transformation principle and the AD0809chip,at89C51chip and the MAX232serial port and so on the related knowledge comes the skilled grasping entire experiment the flow，This design first will gather the data will send in the AD0809switch to carry on the data conversion，Again will transform after the data to send in monolithic integrated circuit AT89C51，The monolithic integrated circuit sends in through the MAX232serial port the data PC machine。 [Key word]：Monolithic integrated circuit、A/D transformation、data acquisition、Serial port

大部分U盘采用的主控芯片列表

大部分U盘采用的主控芯片列表 平时做U盘数据恢复，拆了很多U盘，见过各种各样主控，虽然不是绝对正确，但大部分还是可信的，省得大家拆机之苦。因假U盘太多，而且因为各U盘厂家生产备料状况的不同，在其同型号的产品不同批次生产是所采用的部件可能会有所不同，特别是ISO9000认证的厂家，ISO9000要求外部采购件至少必须具备主备选两家供应商以规避风险，所以这些仅供参考。具体的还要用CHIP GENIUS检测一下比较精确。 aigo爱国者贵宾王 1G主控：安国AU6981 aigo爱国者pqi智慧棒2.0 1G主控：UT161 aigo爱国者智慧棒行业特供 2G 主控：UT163 aigo爱国者情侣U盘L8212\L8221 主控：SM321BB aigo爱国者E357 主控：UP10 aigo爱国者经典型L8206 主控：SM321BB aigo爱国者迷你王（蝙蝠型）64M 主控：东芝J13441 奥美加OMJ/AFS/TFS/TFF/T2/A4系列主控：我想iGreate 奥美加KFC/KFM/T1/KTA系列主控：安国ALCOR Founder方正晶灵射手CS 2G 主控：UT163 华矽普天256M雷鸟U盘主控：SK6201 汉鑫科技超速王 1G 主控：UP8-R 汉鑫科技超速王 1G 主控：i5128 金邦2G 稳定王2.0 主控：UT163 江民杀毒u盘1G 主控：芯邦CBM2090

金河田KDT 主控：安国AU9380 金河田 128M 主控：i5062-ZD 金士顿Kingsoft DataTraveler Smart 2G主控：S1-58A45L(BGA) 金士顿Kingsoft DataTraveler DT1 1G 主控：SM32x_E0824 金士顿KINGSTON DataTraveler Mini 1G 主控：PS2136（UP10） 金士顿Kingston DataTraveler 2GB 主控：U20TWGOJ 金士顿Kingsoft DataTraveler 1G 主控：SSS 6677 金士顿Kingsoft DataTraveler DT1 1G 主控：SM32x_E0824 金士顿Kingsoft 逸盘2G 主控：超科威MW6208 假金士顿一般都是采用安国的AU6980、芯邦的CBM2080、我想的i5128等KingMAX超棒主控：UP10 金邦2G 稳定王2.0 主控UT163 金邦稳定王联群ps2153 宇瞻U盘主控PH11 联想闪存盘B210i2G主控：phison UP8-Y 联想YT810（带蓝牙2.0）512M主控：芯邦CBM2090 联想扬天Safe Key U盘128M主控：芯邦CBM1180 联想B710 主控：UP10 联想B720 主控：SM321 联想T160 主控：UP10 联想C510 主控：UP10 联想C510 1G 主控：phison UP8-Y 联想T108 主控：SM321

数据采集卡技术原理

核心提示：一、数据采集卡①定义： 数据采集卡就是把模拟信号转换成数字信 号①设备，其核心就是A/D芯片。二、数据采集简 介：在计算机广泛应用①今天， 数据采集①重要性是十分显著①。它是计算机与外部物理世界连接①桥梁。各种类型信号采集①难易程度差别很大。实际采集时，噪声也可能带来一些麻烦。数据采集时，有一些基本原理要注意，还有更多①实际①问题要解决。假设现在对一个模拟信号x(t)每 隔△ t时间采样一次。时 一、数据采集卡①定义： 数据采集卡就是把模拟信号转换成数字信号①设备，其核心就是A/D芯片。 二、数据采集简介： 在计算机广泛应用①今天，数据采集①重要性是十分显著①。它是计算机与外部物理世界连接①桥梁。各种类型信号采集①难易程度差别很大。实际采集时，噪声也可能带来 一些麻烦。数据采集时，有一些基本原理要注意，还有更多①实际①问题要解决。 假设现在对一个模拟信号x(t)每隔△ t时间采样一次。时间间隔△ t被称为采样间隔或者采样周期。它①倒数1/ △ t被称为采样频率，单位是采样数/每秒。t=0, △ t ,2 △ t ,3 A t……等等，x(t)①数值就被称为采样值。所有x(0),x( △ t),x(2 △ t )都是采样值。这样信号x(t) 可以用一组分散①采样值来表示： 下图显示了一个模拟信号和它采样后①采样值。采样间隔是A t ,注意，采样点在时域上是分散

①。 如果对信号x(t)采集N个采样点，那么x(t)就可以用下面这个数列表示： 这个数列被称为信号x(t)①数字化显示或者采样显示。注意这个数列中仅仅用下标变 量编制索引，而不含有任何关于采样率(或△ t)o信息。所以如果只知道该信号①采样 值，并不能知道它①采样率，缺少了时间尺度，也不可能知道信号x(t)①频率。 根据采样定理，最低采样频率必须是信号频率①两倍。反过来说，如果给定了采样频率，那么能够正确显示信号而不发生畸变①最大频率叫做恩奎斯特频率，它是采样频率①一半。 如果信号中包含频率高于奈奎斯特频率①成分，信号将在直流和恩奎斯特频率之间畸变。图2显示了一个信号分别用合适①采样率和过低①采样率进行采样①结果。 采样率过低①结果是还原①信号①频率看上去与原始信号不同。这种信号畸变叫做混叠(alias )。出现①混频偏差(alias frequency )是输入信号①频率和最靠近①采样率

硅集成电路基本工艺流程简介

硅集成电路基本工艺流程简介 近年来，日新月异的硅集成电路工艺技术迅猛发展，一些新技术、新工艺也在不断地产生，然而，无论怎样，硅集成电路制造的基本工艺还是不变的。以下是关于这些基本工艺的简单介绍。 IC制造工艺的基本原理和过程 IC基本制造工艺包括：基片外延生长、掩模制造、曝光、氧化、刻蚀、扩散、离子注入及金属层形成。 一、硅片制备（切、磨、抛） 1、晶体的生长（单晶硅材料的制备）： 1) 粗硅制备: SiO2+2H2=Si+2H2O99％ 经过提纯:>99.999999% 2) 提拉法 基本原理是将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化，在熔体表面接籽晶提拉熔体，在受控条件下，使籽晶和熔体的交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长出单晶体.

2、晶体切片：切成厚度约几百微米的薄片 二、晶圆处理制程 主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子元件，是整个集成电路制造过程中所需技术最复杂、资金投入最多的过程。 功能设计à模块设计à电路设计à版图设计à制作光罩 其工艺流程如下： 1、表面清洗 晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 2、初次氧化 有热氧化法生成SiO2 缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力 氧化技术 干法氧化Si(固) + O2 àSiO2(固) 湿法氧化Si(固) +2H2O àSiO2(固) + 2H2 3、CVD法沉积一层Si3N4。 CVD法通常分为常压CVD、低压CVD 、热CVD、电浆增强CVD及外延生长法（LPE）。 着重介绍外延生长法（LPE）：该法可以在平面或非平面衬底上生长出十分完善的和单晶衬底的原子排列同样的单晶薄膜的结构。在外延工艺中，可根据需要控制外延层的导电类型、电阻率、厚度，而且这些参数不依赖于衬底情况。 4、图形转换（光刻与刻蚀） 光刻是将设计在掩模版上的图形转移到半导体晶片上，是整个集成电路制造流程中的关键工序，着重介绍如下： 1）目的：按照平面晶体管和集成电路的设计要求，在SiO2或金属蒸发层上面刻蚀出与掩模板完全对应的几何图形，以实现选择性扩散和金属膜布线。 2）原理：光刻是一种复印图像与化学腐蚀相结合的综合性技术，它先采用照相复印的方法，将光刻掩模板上的图形精确地复印在涂有光致抗蚀剂的SiO2层或金属蒸发层上，在适当波长光的照射下，光致抗蚀剂发生变化，从而提高了强度，不溶于某些有机溶剂中，未受光照的部分光致抗蚀剂不发生变化，很容易被某些有机溶剂融解。然后利用光致抗蚀剂的保护作用，对SiO2层或金属蒸发层进行选择性化学腐蚀，然后在SiO2层或金属蒸发层得到与掩模板(用石英玻璃做成的均匀平坦的薄片，表面上涂一层600 800nm厚的Cr层，使其表面光洁度更高)相对应的图形。 3）现主要采有紫外线(包括远紫外线)为光源的光刻技术，步骤如下：涂胶、前烘、曝光、显影、坚模、腐蚀、去胶。 4）光刻和刻蚀是两个不同的加工工艺，但因为这两个工艺只有连续进行，才能完成真正意义上的图形转移。在工艺线上，这两个工艺是放在同一工序，因此，有时也将这两个工艺步骤统称为光刻。 湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法。 干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。 5) 掺杂工艺（扩散、离子注入与退火） 掺杂是根据设计的需要，将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以达到改变半导体电学性质，形成PN结、电阻欧姆接触，通过掺杂可以在硅衬底上形成不同类型的半导体区域，构成各种器件结构。掺杂工艺的基本思想就是通过某种技术措施，将一定浓度的三价元素，如硼，或五价元素，如磷、砷等掺入半导体衬底，掺杂方法有两种：

让坏U盘起死回生

让坏U盘起死回生 本文由：xp系统下载https://www.360docs.net/doc/9711305599.html,提供技术支持 一直以来，U盘越来越离不开我们的生活，可是U盘的问题日益凸显，有些问题甚至很让人感到棘手。今天为了让大家更加了解U盘，在出问题之后自己解决，真正做到变废为宝！特意准备了这教程，以便让U盘更加赤裸裸的显现在我们的面前！:42; 废话不多说了！ 准备知识 一、U盘的分类 U盘主要按容量分类，例如1GB、2GB、4GB、8GB、、、、、、 从维修的角度可将U盘按照U盘电路板上是否有稳压管进行分类，因为这决定了主控芯片供电电压，如果没有稳压管，主控芯片供电脚从USB接口直接获取5V供电；如果有稳压管，主控芯片供电脚通过稳压管获取3.3V电压。 二、U盘的硬件结构 U盘的结构由7部分组成：USB接口、主控芯片、闪存芯片、晶振、保护电阻、PCB底板和外壳封装，如下图所示：

以下图片大家自己辨认，进一步巩固

三、U盘的工作原理 U盘的基本工作原理是：主控芯片（U盘的核心）负责各个部件的协调管理和下达各项操作的指令，通过USB接口连接电脑，输入/输出数据，并使计算机将U盘识别为"可移动磁盘”，闪存芯片与电脑中的内存条的原理基本相同，使保存数据的媒介，不同于内存的使断电后数据不会丢失，能长期保存。当U盘再次被操作系统识别后，继续由主控芯片输入/输出数据. 四、USB接口管教定义 USB电缆由四条线组成，包括两条信号线和两条电源线，可提供5V电压。允许的电压范围是4.75V~5.25V，可提供的最大电流为500mA，线缆最大长度是5米。 USB接口有上行口和下行口两种不同的物理接口，目的是防止形成回路。两种接口都是4