退火制度对铝箔性能的影响

InN薄膜的退火特性

第27卷　第2期2006年2月 半　导　体　学　报 C HIN ES E J OU RNAL O F S EM ICON D U C TO RS V ol.27　N o.2 Feb.,2006 3国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068305),国家高技术研究发展规划(批准号:2001AA311110,2003AA311060,2004AA311080), 国家自然科学基金(批准号:6039072,60476030),国家杰出青年基金(批准号:60025411)和江苏省自然科学基金(批准号:B K2005210,B K2003203)资助项目 通信作者.Email :xzl @https://www.360docs.net/doc/a213386290.html, 2005208224收到,2005210212定稿ν2006中国电子学会 In N 薄膜的退火特性 3 谢自力 张　荣　修向前　毕朝霞　刘　斌　濮　林　陈敦军　韩　平　顾书林 江若琏　朱顺明　赵　红　施　毅　郑有　 (南京大学物理系江苏省光电功能材料重点实验室,南京　210093) 摘要:对InN 薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD ,S EM 和XPS 对样品进行了分析.结果表 明,InN 薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N 原子的挥发,剩下的In 原子在样品表面聚集形成In 颗粒.当退火温度高于425℃时,In 原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In 颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD 和S EM 结果表明In 颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In 颗粒隔离了其下面的InN 与退火气氛的接触,同时,金属In 和InN 结构上的差异也可能在InN 中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN 薄膜的结晶质量. 关键词:InN ;热退火;X 射线衍射;扫描电子显微镜;X 射线光电子谱PACC :7360F ;7155;6820 中图分类号:TN30412+3 文献标识码:A 文章编号:025324177(2006)022******* 1　引言 在Ⅲ族氮化物半导体中,I nN 有其特殊的物理性质.例如,I nN 具有最小的电子有效质量,它决定了I nN 具有最高的峰值和饱和电子漂移速率.这使I nN 在高速、高频电子器件如高电子迁移率晶体管方面有着极为重要的应用价值.I nN 具有最小的禁带宽度(最新报道为017eV ),其和GaN 的合金I n x Ga 1-x N 的带隙宽度覆盖了从红外到紫外的波长范围.因此I n GaN 合金不仅可以用来做紫外和红外光电子器件,而且目前光纤通信中所应用的光学器件也有可能用I n GaN 合金来制备.另外,调节I n x Ga 1-x N 中的I n 组分可以用来制备不同禁带宽度的多结太阳能电池,其理论效率可达到70%以上.因此,I nN 作为Ⅲ族氮化物半导体中的一员,有 着重要的研究价值[1] .但是直到现在,对于I nN 材料的研究还不够充分,一些光电子参数比如光学常数、禁带宽度、载流子的有效质量和声子波数等都有待更精确地确定,这主要是因为高质量的I nN 薄膜很难制备[2]. 由于I nN 具有低的离解温度(≥600℃分解)要求低温生长,而作为氮源的N H 3的分解温度较高,在1000℃左右,这是I nN 生长的一对矛盾.其次,对 于I nN 材料生长缺少与之匹配的衬底材料.这就使 得高质量I nN 材料生长特别困难.因此I nN 材料的研究几乎没有取得什么进展.我们对I nN 材料的性质知之甚少[3,4]. 最近几年,由于科学技术的进步和发展,I nN 材料生长技术也越来越成熟.生长的I nN 材料中杂质也越来越少.特别是2002年,对I nN 材料本征能隙认识的新突破,对于纯度更纯的I nN 材料,其能隙是016～017eV ,而不是人们一直认为的119eV.这使得I nN 材料在微电子和光电子领域中的应用将有更好的表现.在国际上也因此掀起了一股I nN 材料的研究热潮.因而有必要对I nN 材料进行研究[5]. 本文对I nN 薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用X RD ,S EM 和XPS 对样品进行了分析.结果表明,I nN 薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N 原子的挥发,剩下的I n 原子在样品表面聚集形成I n 颗粒.当退火温度高于425℃时,I n 原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的I n 颗粒逐渐减少.X 射线衍射(X RD )和电子显微镜(S EM )结果表明,I n 颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于I n 颗粒隔离了其下面的I nN 与退火气氛的接触,同时,金属I n 和I nN 结构上的差异也

热处理调质工艺守则及操作规程

热处理调质工艺守则及操作规程

————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：

热处理调质工艺守则及操作规程 １、主题内容与使用范围 本守则及规程确定了热处理调质处理(淬火+高温回火）的设备评定、工艺确定、及操作规范的内容。 2、引用标准 API Spec6A 《井口装置和采油树设备规范》 3、总则 产品的热处理必须在已经过定期检定并合格的热处理设备中进行。炉子的检定周期为一年。 4、对热处理炉及监控设备的要求 ４．１、对热处理炉的要求 4．１．1、炉衬完好，无明显损坏； 4.1．2、电阻丝齐全,电极接触牢固； 4.1.3、炉底平整，无裂纹； ４.1．4、保温材料完好无损； 4．1.５、热处理炉各处的温度应分度均匀，温差不大于１4℃(这就需要炉子空间的前、后、左、右及底部都要有电炉丝分布,炉膛的功率密度一般在100-１1０kw/m3左右）。热处理炉的鉴定周期不大于1年。４．１.６、温度传感器（热电偶）插点正确（在工作区域)并且分布均匀、合理。馈线两端(热电偶与圆盘平衡记录仪或温度显示器）连接可靠。

4.2、仪表 4.2.1、温度控制器的控制精度为：±10℃; 4．2.2、温度显示器（平衡记录仪)以及热电偶,必须在检定有效期之内。检定周期为三个月。 ４．２．3、更换记录仪圆盘记录纸，确保其能完整准确地记录加热保温过程。(完工后,在记录纸上填写日期、加工零件号、炉号、操作者等相关信息）。 5、装炉 5.1、装炉前的准备工作 5．1.１、检查设备、仪表是否正常，尤其是注意炉门起闭自动断电装置是否良好，并将炉膛清理干净。 5．1．2、核对任务单与待处理工件以及工艺卡（或作业指导书)是否相符。 5.1.3、检查工件外观，所有棱角必须倒角≥1mｍ，表面不得有严重的磕碰划伤、氧化皮。 5．1.４、熟悉工艺全过程,考虑好装（出）炉方法，并准备好必要的工夹具及吊具，保证在淬火时工件能快速浸入淬火液中。 5.1.５、对技术要求不允许表面氧化脱碳的工件需要进行必要的防护,如在加热炉内装入适量的木炭或铸铁屑等。 5.1.6、如果是热炉装炉，检查炉温是否与工艺要求相符。 5.1.7、确定吊装设备及工具是否安全、可靠。 注：以上情况如果出现否定或怀疑，应暂停整改，待确定肯定以后方

离子注入和快速退火工艺处理

离子注入和快速退火工艺 离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程。注入能量介于1keV到1MeV之间，注入深度平均可达10nm~10um，离子剂量变动范围从用于阈值电压调整的1012/cm3到形成绝缘层的1018/cm3。相对于扩散工艺，离子注入的主要好处在于能更准确地控制杂质掺杂、可重复性和较低的工艺温度。 高能的离子由于与衬底中电子和原子核的碰撞而失去能量，最后停在晶格内某一深度。平均深度由于调整加速能量来控制。杂质剂量可由注入时监控离子电流来控制。主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。因此，后续的退化处理用来去除这些损伤。 1 离子分布 一个离子在停止前所经过的总距离，称为射程R。此距离在入射轴方向上的

投影称为投影射程Rp。投影射程的统计涨落称为投影偏差σp。沿着入射轴的垂直的方向上亦有一统计涨落，称为横向偏差σ┷。 下图显示了离子分布，沿着入射轴所注入的杂质分布可以用一个高斯分布函数来近似： S为单位面积的离子注入剂量，此式等同于恒定掺杂总量扩散关系式。沿x 轴移动了一个Rp。回忆公式: 对于扩散，最大浓度为x＝0；对于离子注入，位于Rp处。在（x－Rp）＝±σp处，离子浓度比其峰值降低了40%。在±2σp处则将为10%。在±3σp处为1%。在±4σp处将为0.001%。沿着垂直于入射轴的方向上，其分布亦为高斯分布，可用: 表示。因为这种形式的分布也会参数某些横向注入。 2 离子中止 使荷能离子进入半导体衬底后静止有两种机制。 一是离子能量传给衬底原子核，是入射离子偏转，也使原子核从格点移出。设E是离子位于其运动路径上某点x处的能量，定义核原子中止能力：

精选退火工艺操作规程资料

精品文档 退火工艺操作规程 1.生产范围 罐式退火炉用于铜单线的退火，线径范围：0.40～3.25mm。 2开机前准备 2.1 准备好生产用的量具及工具，并检查校对计量器具是否准确 2.2 检查吊车，真空泵，仪器，仪表等生产设备是否完好正常，还应检查退火炉中的发热元件有否损坏，如有损坏应及时修理 2.3 铜单线退火时，应检查退火钢罐是否漏气。如有漏气应清理密封槽及密封胶圈 3开机步骤及操作要点 3.1 将检验好的铜单线用起吊铁钩吊起，缓慢地吊入退火钢罐中，防止碰伤导体3.2 将铜单线装满罐后，盖上罐盖，拧紧罐盖螺栓 3.3 启动真空泵，把真空软管接上退火钢罐阀门，抽真空使真空压力表指未到工艺要求压力时关上阀门，再关真空泵取下软管，再接上二氧化碳软管，打开阀门充二氧化碳使真空压力表指示在工艺要求压力为止。充气时先开气瓶低压阀，后开气瓶高压阀。关气时应先关高压阀，后关低压阀 3.4 将充好气体的退火钢罐吊入电热炉中，按工艺要求温度进行加热，并接上罐盖冷却水管打开水制，在加热过程中要检查炉温和气压。升温至工艺要求的退火温度后，必须继续保温，保温时间按工艺规定执行 3.5 将退火钢罐从电热炉中吊出置于地面，让其在空气中冷却至到达工艺要求的自然冷却时间再放入水池中冷却，按工艺要求的浸水时间进行浸水，到达时间后开罐出线，出线要小心轻放，防止碰伤铜线 3.5 在退火过程中如发现罐内的气压不是逐步上升，而是逐步下降时，说明钢罐漏气，必须采取充二氧化碳等补救措施。在加热过程中若气压上升超过0.1Mpa 必须放气至0.01Mpa。以防气压过大使钢罐变形 3.6 每罐出线都必须按品字形堆放在指定位置，防止碰伤，检查外观质量，并通知检验员抽样检验铜线的机械性能和电性能，经验收合格的产品都挂上合格标签，并且要认真做好记录 4质量要求 4.1 铜单线表面不得有擦伤和碰伤，表面应光亮，不得有氧化变色 4.2 经退火后的铜单线机械性能和电性能应符合GB3953-83标准的要求 5质量门题的产生原因及防止方法（见下表）

热退火对多晶硅特性的影响

第26卷　第12期2005年12月 半　导　体　学　报 CHIN ESE J OURNAL OF SEMICONDUCTORS Vol.26　No.12 Dec.,2005 Received 10J une 2005 Ζ2005Chinese Institute of Electronics E ffect of Therm al Annealing on Characteristics of Polycrystalline Silicon Ren Bingyan 1,Gou Xianfang 1,2,Ma Lifen 1,2,Li Xudong 2,Xu Ying 2,and Wang Wenjing 2 (1Semiconductor Research I nstit ute ,Hebei Uni versit y of Technolog y ,Tianj in 300130,China ) (2B ei j ing S olar Energ y Research I nstit ute ,Bei j i ng 100083,China ) Abstract :Oxygen and carbon behaviors and minority 2carrier lifetimes in multi 2crystalline silicon (mc 2Si )used for solar cells are investigated by FTIR and QSSPCD before and after annealing at 750～1150℃in N 2and O 2ambient.For comparison ,the annealing of CZ silicon with nearly the same oxygen and carbon concentrations is also carried out under the same conditions.The results reveal that the oxygen and carbon concentrations of mc 2Si and CZ 2Si have a lesser decrease ,which means oxygen precipitates are not generated ,and grain boundaries in mc 2Si do not affect car 2bon behavior.Bulk lifetime of mc 2Si increases in N 2and O 2ambient at 850,950,and 1150℃,and the lifetime of mc 2Si wafers annealed in O 2are higher than those annealed in N 2,which shows that a lot of impurities in mc 2Si at high temperature annealing diff use to grain boundaries ,greatly reducing recombination centers.Interstitial Si atoms filling vacancies or recombination centers increases lifetime.K ey w ords :polycrystalline silicon ;oxygen ;lifetime EEACC :2520C C LC number :TN30411+2 Document code :A Article I D :025324177(2005)1222294204 1　Introduction Polycrystalline Si wafers have become preva 2lent in t he recent p hotovoltaic market.However ,t hey need f urt her quality imp rovement for highly efficient ,low 2co st solar cells.First we must under 2stand t he behaviors of imp urities and defect s in t he polycrystalline Si wafers in more detail.Because t here are grain boundaries and more imp urities and defect s ,mc 2Si material has more complicated p hysi 2cal behavior in high temperat ure annealing t han mono 2crystalline silicon.Oxygen in mc 2Si is a very important imp urity t hat affect s t he elect rical and mechanical properties of silicon material during heat t reat ment s [1].However ,t he formation of oxy 2gen precipitates ,t he variety of minor carrier life 2times ,and t he influence of t he annealing ambient are less investigated for polycrystalline silico n solar cells.In t his paper ,t he effect s of t hermal annealing on oxygen behavior and carrier lifetimes for poly 2crystalline Si wafers are investigated. 2　Experiment The polycrystalline Si wafers provided by Ba 2yer Solar Corporation in t his experiment were p 2 type ,019Ω?cm ,and 285 μm t hick.The interstitial oxygen and substit ute carbon concent rations of t he samples were 813×1017and 2×1017cm -3,respec 2tively.For comparison ,p 2type CZ 2Si samples wit h 〈100〉orientation ,1～3Ω?cm ,a t hickness of 330 μm ,and almost t he same oxygen concent ration were also st udied.The samples were cleaned wit h chemical solution ,and Si oxide was removed in an HF (10%)solution.Then t hey were subjected to heat t reat ment at 1260℃for 1h in N 2ambient so as to eliminate t he influence of t hermal history before

模拟退火

模拟退火算法 什么是模拟退火算法 模拟退火算法（Simulate Anneal Arithmetic，SAA）是一种通用概率演算法，用来在一个大的搜寻空间内找寻命题的最优解。模拟退火是S.Kirkpatrick, C.D.Gela tt和M.P.Vecchi在1983年所发明。而V.?erny在1985年也独立发明此演算法。模拟退火算法是解决TSP问题的有效方法之一。 模拟退火来自冶金学的专有名词退火。退火是将材料加热后再经特定速率冷却，目的是增大晶粒的体积，并且减少晶格中的缺陷。材料中的原子原来会停留在使内能有局部最小值的位置，加热使能量变大，原子会离开原来位置，而随机在其他位置中移动。退火冷却时速度较慢，使得原子有较多可能可以找到内能比原先更低的位置。 模拟退火的原理也和金属退火的原理近似：将热力学的理论套用到统计学上，将搜寻空间内每一点想像成空气内的分子；分子的能量，就是它本身的动能；而搜寻空间内的每一点，也像空气分子一样带有“能量”，以表示该点对命题的合适程度。演算法先以搜寻空间内一个任意点作起始：每一步先选择一个“邻居”，然后再计算从现有位置到达“邻居”的概率。 模拟退火算法的模型[1] 模拟退火算法可以分解为解空间、目标函数和初始解三部分。 模拟退火的基本思想: o(1) 初始化：初始温度T(充分大)，初始解状态S(是算法迭代的起点)，每个T值的迭代次数L o(2) 对k=1，……，L做第(3)至第6步： o(3) 产生新解S′ o(4) 计算增量Δt′=C(S′)-C(S)，其中C(S)为评价函数 o(5) 若Δt′<0则接受S′作为新的当前解，否则以概率exp(-Δt′/T)接受S′作为新的当前解. o(6) 如果满足终止条件则输出当前解作为最优解，结束程序。终止条件通常取为连续若干个新解都没有被接受时终止算法。 o(7) T逐渐减少，且T->0，然后转第2步。 算法对应动态演示图：

退火炉操作规程

退火炉操作规程 一、目的和适用范围 目的：为了保证公司退火工艺的正确地执行，并同时保证设备的正确操作和使用，特制定本规程。 适用范围：适用于脱退平车间使用全氢罩式退火炉机组对进行退火作业的全过程。 二、设备的主要技术参数 1、整体参数 设备名称：全氢罩式退火炉 型号：HOg 200/580 St-H2-B 最高工作温度：760℃ 最大钢卷外径：1950 mm 最大堆垛高度：5800 mm (包括对流板) 设计年产量：211000 t 生产钢种：CQ、DQ、DDQ钢 2、能源介质 ①天然气 天然气发热值………………………………………………9.77kWh / m3 压力（在T.O.P接点）…………………………………….0.3～0.4MPa ②氮气（N2） 微量氧含量…………………………………………………….≦10 ppm 露点 (60) 压力（吹扫）…………………………………..….……0.6MPa±10% (控制)…………………………………………….…0.6~0.8MPa 应急N2储量…………………………………………………..1000 Nm3 ③氢气（H2） 微量氧含量…………………………………………………………5 ppm 露点…………………………………………………..……..……...-60 ℃

供气压力………………………………………………..…0.2MPa±10% ④冷却水 悬浮物…………………………………………………..….….≤10 mg/L PH值…………………………….…………………………………＜7.43 总硬度…………………………………………………...………310mg/L 最高入口温度………………………………………………….. ≤33 ℃ 供水压力…………………………………………………….0.2~0.4 Mpa 炉台冷却用水量………………………………………………….20 m3/h 冷却罩冷却用水量（最大）……………………….…….…….110 m3/h ⑤电 供电电压…………………………………..3相380v±10% 50±1 Hz 消耗………………………………………………………..平均760 kVA 3、炉台（10座） 每座炉台： 炉台最大负荷：………………………………………….……..……….114 t 电机功率：……………………………………………….……………22 kW 风机转速：……………………………………………...590/1475/2500 rpm 风量：…………………………………………….……..最大100000 Nm3/h 风扇直径：………………………………………………….…….Φ950 mm 冷却水消耗：………………………………………………….………2 m3/h 4、加热罩（5个） 每个加热罩： 设计温度：………………………………….…………………………850℃极限温度：……………………………………….…..880℃（870℃报警）主烧嘴功率：……………………………………….…….1400 kW（8个）主烧嘴数量：…………….…8个（分两排切向均布，带自动点火装置）废氢烧嘴：……………………………….………1个（带自动点火装置）重量：…………………………………………….…………………约11.5t

熔融法蓝宝石晶体退火特性研究

收稿日期:2011 04 05 作者简介:王 铎(1978-),男,汉族,吉林长春人,福建江夏学院助教,硕士,主要从事光电晶体方向研究,E mail:qglpw d@163. com. 第32卷第3期 长春工业大学学报(自然科学版) Vo l 32N o.32011年06月 Jour nal of Chang chun U niver sity o f T echnolog y (N atur al Science Edition) Jun 2011 熔融法蓝宝石晶体退火特性研究 王 铎 (福建江夏学院工商管理系,福建福州 350007) 摘 要:研究了蓝宝石( A l 2O 3)晶体热退火前后光学均匀性的变化,发现适当温度下退火可以降低晶体的内应力,提高晶体质量,从而提高晶体的光学均匀性。结果表明,采用自制内绕式钼丝炉在1890 下退火即可有效消除部分内应力,晶体经任意切割均无出现炸裂现象。 关键词:蓝宝石晶体;热处理;钼丝炉;内应力 中图分类号:O782 文献标志码:A 文章编号:1674 1374(2011)03 0296 04 Annealing properties of sapphire crystal with melting method WANG Duo (Department of Busin ess Administration,Fujian In stitute Jiangxia,Fuzh ou 350007,China) Abstract:T he optical ho mog eneity of the sapphir e ( A l 2O 3)crystals is studied before and after the annealing pro cess.It is found that the internal stress of the crystal can be reduced at an appropriate annealing temperature so that bo th the cr ystal quality and the optical homog eneity are improved.The results show that par t of the internal stress can be elim inated at 1890 w ith a self made moly bdenum w ire w o und furnace for annealing ,and no burst pheno menon appear s w hen the crystal is cut. Key words:sapphir e;therm al annealing;mo lybdenum filam ent fur nace;internal stress. 0 引 言 蓝宝石单晶(又称白宝石或刚玉)是一种简单的配位型氧化物晶体[1] ,也是一种优秀的多功能材料,具有一系列独特的物理化学性能[2 3] 。它的 介电常数小、介质损耗低,具有良好的电绝缘性和 耐各种射线能力。 蓝宝石晶体作为一种优良的透波材料,在紫外、可见光、红外波段、微波都具有良好的透过率,可以满足多模式复合制导(电视、红外成像、雷达 等)的要求,因而常被用作红外军事装置和高强度激光器的窗口材料,广泛应用于工业、国防和科研等多个领域;蓝宝石晶体也是目前发蓝、白光二极管(LED)[4 6]和蓝光激光器(LD)的首选基片材料。超高亮度蓝、白光LED 的品质取决于氮化镓(GaN)薄膜与所用基片间的晶格匹配度,c 面蓝宝石单晶与 族和 族沉积薄膜之间的晶格失配率小,同时符合镀膜过程中的高温要求,使得蓝宝石晶片成为制作蓝、白光LED 的关键材料。目前超过80%的主流LED 基板供应商仍是

拉丝、退火、绞线工艺操作规程

拉丝、退火、绞线工艺操作规程 名称：拉丝工艺操作规程 1. 设备的组成及用途 拉线机由拉线轮、电动机、传动部分 2. 生产前的准备工作 2.1. 根据生产任务单要求，按原材料定额领用一定数量经检查合格的铜杆，准备好收 线盘，并检查盘具是否完好，将完好的盘具装在收线架上 2.2. 根据生产任务单要求的规格，按配模表的规定将拉线模配齐 2.3. 检查设备是否运转正常，才可开机，并作记录 3. 操作要点 3.1 检查润滑管道是否通畅 3.2 将进线的头子轧尖，穿出第一模子35cm 左右，并把模子固定在穿模机的模座上， 用穿模机上的夹钳夹住线关，开动穿模机，使穿模机滚筒绕有10～15 圈，用以上方法依次将所有模具穿好，并将线头绕过牵收固定在收线盘上 3.3 根据线径大小调节好收线涨力，开动润滑油及拉线机拉到100～200米左右停机。 检查成品线径是否合符要求，合符要求方能开机。 2.2.4 线盘排线应整齐，平坦，收线张力应适宜，收线不得过满，离盘边不小于15mm 3.4 每盘下线要小心，不要有碰伤铜线，品字型放在指定的区位，并按要求进行完工 检验。经验收合格的产品都挂上合格标签，并且要认真做好记录 4. 本工序量问题，产生原因及防止方法 质量问题产生原因解决方法 1.尺寸不合格 1.1 模子用错及磨损1.1 调整模子 1.2 收张张力大1.2 调节收张张力 1.3 模子堵塞1.3 经常清洗模子 2.线不圆 2.1 模子放得不正2.1 放正模子 2.2 模子不光，有尖角2.1 修理或换模 3.表面毛糙，斑点 3.1 铜杆质量不好3.1 换进线 3.2 成品模不光，角度不对3.2 换模子 3.3 定速轮不光，有槽子3.3 修理或换定速轮 4.线径局部缩小表面起 波浪节 4.1 定速轮跳动有槽子4.1 换定速轮 4.2 模子承线太短4.2 换模子4.3 收线不稳定4.3 调整收线张力 5.断线 5.1 铜材杂质多5.1 换进线 5.2 定速轮有槽，不光5.2 换定速轮 5.3 进线模破裂5.3 换模子 5.4 润滑不良5.4 加强润滑 退火工艺操作规程 1.生产范围

关于塑料退火

关于退火 为了改善成型品的尺寸稳定性，有时需要进行退火工序。那么，应在何时、何温度、用多长时间进行退火，以及退火有哪些要注意的事项呢？此次，介绍一下正确的退火条件和方法。 ■尺寸稳定性的改善——首先，何谓后收缩？ 象本公司“夺钢”（POM树脂）及Duranex（PBT树脂）那样的所谓结晶性塑料，一经冷却固化，其分子就进行规则有序排列，所以体积有很大收缩。这种收缩的程度一般用成型收缩率的值来表示。 但是，成型品中有序排列的分子所占的比例（称之为结晶度）并非100%。在高分子材料中，由于分子过长，运动受限制，所以必然剩有未结晶化的部分，叫做非结晶部分。这种非结晶部分会因使用环境温度的增高等原因而发生结晶，使体积进一步收缩，这种现象叫做“后收缩”。 图1、后收缩情况 （附加说明）即使是非结晶树脂也会发生体积收缩，但它与结晶性树脂相比其数值要小。 这种后收缩的大小受成型条件（模具温度）和树脂的使用环境温度所左右。图2表示了以模具温度40℃和80℃进行成型的成型品，分别在80℃和120℃环境下一定时间静置后的后收缩率。从图中可以看出：模具温度越低、静置温度越高，后收缩率就越大。 图2、夺钢M90-44（50mm正方形平板、点浇口φ1.0、板厚1mm）时

数据库：自M90-44的收缩率中选出(English) 另外,后收缩率的大小因树脂的种类和品级制品而异。下表中列出了各代表品级制品的值，请参照。表1、各代表性品级制品的后收缩率

■尺寸稳定性的改善——最佳退火温度和时间？ 改善尺寸稳定性亦即减少后收缩率的方法有两个方面。 （1）充分提高成型时的模具温度 如果提高模具温度，则会促进成型品的结晶化，所以，可相应地减少后收缩。下页汇总了后收缩率数据，请一并参照。成型时的模具温度高于制品的使用环境温度时，几乎所有制品均不需要退火。 （2）进行退火 退火是将成型品在高温环境下放置一定时间，预先促进其结晶化的方法。换言之，就是事前人为地使其进行后收缩，以达到使用环境温度下的稳定状态。 如上所述，使用环境温度越高、模具温度越低，后收缩就越大。所以，退火温度必须根据使用环境温度而改变。一般认为，以使用环境温度+10~20℃的退火温度为宜。譬如：使用环境温度为80℃时，退火温度应为90~100℃。另外，虽然定为+20℃，但是仅就退火而言，可以高于这一温度。然而，温度过高时有可能会产生其它（变色等）问题，所以，还须注意温度不能过高。 退火时间一般建议在3小时左右。但是，厚度薄的成型品有时无须3小时即可。模具温度高时也可使用较少的时间。所以，为避免浪费，最好按照不同的时间，分别测定实际成型品的尺寸，从而确定必要且充分的退火时间。 另外，可在任何时候进行退火。成型后立即退火和放置若干日后退火，效果相同。 ■退火时注意事项 （1）玻璃纤维增强材料应注意异向性 与成型收缩率相同，后收缩率也有异向性。它还因成型品的厚度和浇口的位置、形状而异。 （2）嵌入品不得退火 嵌入品绝对不可进行退火。否则，会大大损坏制品性能和减少制品寿命。对嵌入成型品进行退火使之进行后收缩时，有可能在熔合纹处造成破坏、或在与嵌入物的界面处因应力松弛而产生间隙。

退火炉(工)安全操作规程示范文本

退火炉（工）安全操作规 程示范文本 In The Actual Work Production Management, In Order To Ensure The Smooth Progress Of The Process, And Consider The Relationship Between Each Link, The Specific Requirements Of Each Link To Achieve Risk Control And Planning 某某管理中心 XX年XX月

退火炉（工）安全操作规程示范文本使用指引：此操作规程资料应用在实际工作生产管理中为了保障过程顺利推进，同时考虑各个环节之间的关系，每个环节实现的具体要求而进行的风险控制与规划，并将危害降低到最小，文档经过下载可进行自定义修改，请根据实际需求进行调整与使用。 1. 危险源（危害因素）分析 1.1 作业人员失误，违章作业造成人员伤害（溺水、起 重等）； 1.2 防护装置，工盘具使用不当造成碰撞，砸伤等； 1.3 电气绝缘破坏，电气漏电造成电气伤害； 2. 操作要求 2.1 操作前 2.1.1 退火工作前，穿戴好劳保用品（尤其是反毛 鞋）。 2.1.2 装炉前，应检查电炉丝是否突出，导线是否裸 露，以防漏电伤人。 2.2 操作中

2.2.1 吊运线盘时，操作者不应与线盘距离太近，重量不准超过吊具规定负荷。 2.2.2 线盘或罐体应搁放平稳，入炉时，线盘或罐体与电炉丝保持一定距离，不要碰撞或接触电炉丝。 2.2.3 应经常检查钢丝绳吊钩等安全附件，发现问题及时报修，操作时应遵循电动葫芦工安全操作规程，禁止斜吊、斜拉。 2.2.4 严禁非岗位人员串岗，冬季不准在炉前烤火取暖。 2.2.5 罐体放入或吊起水池时，要注意小心，防止掉入池中。 2.3 操作后 2.3.1 操作结束后，应把电源、水源、气源全部关闭。 2.3.2 做好操作区域环境卫生工作。 3. 应急措施

退火温度对

退火温度对Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3薄膜结构和性 能的影响 赵媛媛，胡广达 （济南大学材料科学与工程学院，山东济南250022） 摘要：采用溶胶-凝胶法在LaNiO3/Si(100)衬底上制备Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3薄膜，退火温度在500℃~650℃之间，主要研究了退火温度对薄膜结构和性能的影响。结果表明：提高退火温度可以有效地抑制焦绿石相，改善薄膜的电学性能。值得注意是我们得到纯钙钛矿相结构薄膜的退火温度降低至600℃，650℃下退火薄膜在10μm×10μm测试区域内的平均压电响应高达~180pm/V。 关键词：溶胶-凝胶法；Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3薄膜；退火温度；压电响应 Effect of The Annealing Temperature on The Structure and Properties of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3Thin Film ZHAO Yuanyuan,HU Guangda (School of Materials Science and Engineering,University of Jinan,Jinan250022,China) Abstract:The Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3thin films were deposited on LaNiO3/Si(100)substrates annealed at the temperature ranging from500℃to650℃by a sol-gel method.The effect of annealing temperature on the structure and properties of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3thin film was investigated.The experimental results show that the pyrochlore phase can be effectively suppressed by increasing annealing temperature.At the same time,the electric properties of films were improved.The annealing temperature required to obtain the film with a pure perovskite phase can be lowered to600℃.It was noteworthy that the average piezoelectric coefficient of the film annealed at650℃in the10μm×10μm detected areas was as high as180pm/V. Key word:Sol-gel method;Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3thin film;annealing temperature;piezoresponse Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMN-PT)是一种典型的弛豫铁电体材料，它在准同型相界处具有大的压电响应和大的机电耦合系数，因此使其在微机电系统(MEMS)中有很大的应用前景[1]。相对于沉积在LaAlO3[2]和SrTiO3[3]等单晶衬底上，沉积在Si衬底上最大的难题就是制备纯钙钛矿相结构的PMN-PT薄膜。Kumar 等[4]人研究了沉积在Pt/Si、ITO/glass、不锈钢和Si四种衬底上PMN-PT薄膜的相组成，研究发现在Si衬底上制备的薄膜钙钛矿相含量最低，仅达到49%。 大量研究发现，通过在PMN-PT薄膜与衬底之间加入一层具有钙钛矿结构的缓冲层或氧化物电极便可有效地抑制焦绿石相[5]。但是加入了缓冲层后，其制备温度依然高于650℃，如此高的退火温度使PMN-PT 薄膜与硅半导体工艺很难兼容。 本论文采用溶胶-凝胶法结合层层退火工艺在LaNiO3(LNO)电极上制备了准同型相界处的PMN-PT薄膜，使得到纯钙钛矿相结构薄膜的制备温度得到了降低。通过X射线衍射仪(XRD)、标准铁电测试仪、阻抗分析仪和原子力显微镜(AFM)研究了退火温度对PMN-PT薄膜的结构和性能的影响。 1实验 1．1材料与仪器设备 乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、乙酸镁(Mg(CH3COO)2·4H2O)、乙醇铌(Nb(OC2H5)5)、异丙醇钛(Ti(OCH(CH3)2)4)、乙二醇甲醚(CH3OCH2CH2OH)、醋酸(CH3COOH)、乙酰丙酮(CH3COCH2COCH3)（分析纯，上海国药集团）。 KW-4A型匀胶机（中国科学院微电子研究所）；RTP-600型快速退火炉（北京东方之星应用物理研究所）；DX-2500型X射线衍射仪（XRD，丹东方圆公司）；P-PM/D型标准铁电测试仪（美国立顿科技公司）；TH2828S型阻抗分析仪（常州同惠电子公司）；NSIV型原子力显微镜（AFM，美国维易科公司）。1．2实验方法 基金项目：国家自然科学基金（50972049） 作者简介：赵媛媛（1989–），女，陕西西安人，硕士生。 通信作者：胡广达（1970–），男，吉林松原人，教授，博士后，博士生导师。 邮箱：guangdahu@https://www.360docs.net/doc/a213386290.html,

退火工艺

一、铝箔退火工艺操作规程 1 适用范围、定义及工艺参数 1.1 本规程适用于轧制箔材的分卷、分切、剪切成品、轧制卷材成品的退火。 1.2 定义 为满足成品交货的机械性能和获得无油斑表面的铝箔材而进行的热处理工序。 1.3 退火炉的主要技术参数见表22。 表22 1.4 炉子的性能见表23。 表23 2 烘炉制度 新炉使用前及旧炉子大修后，各系统工作正常情况下，必须进行烘炉，烘炉制度见表24。

表24 3 操作前准备 3.1 接料时按生产卡片核对退火箔卷的合金牌号、状态、批号、规格及数量,?并检查有无碰伤、划伤、串层，发现问题及时解决。 3.2 装炉前应按顺序记录好各卷的批号、合金、规格及重量，避免出炉时混料。 3.3 同炉退火的铝箔按要求放在料架或料筐上。 3.4 工件测温采用外径230mm左右，宽度300mm左右的铝卷模拟块。工件热电偶插在该卷端部距外圆10-20mm处，深度要求20-30mm。装炉前要采用凉透的模拟块并检查热电偶是否插紧，以及有无破损情况，确认完好时方可装炉。要求每炉必须安放四根工件热电偶，两根备用。 3.5 开动前应仔细检查加热系统、冷却系统、保护气体发生系统以及仪表等是否正常和安全，确认正常后方可随炉升温。 3.6 每次装炉前，应将炉内以及风机口所剩铝屑及脏物清除干净，否则不能装炉。 4 炉子操作 4.1 各批料的退火均为装炉后随炉升温。 4.2 成品退火加热时炉子发生故障或因停电等原因，炉料在炉子停留时间不超过1小时可以补充加热时间，如果超过1小时则应重新退火。 4.3 装炉后炉门放下时，开启上下开启装置，放下后应开动炉门压紧装置。 4.4 调整炉子定温，当温度快达到要求时，应改定温，调到要求温度下恒温，且在此温度下进行保温，并应每小时检查一次各仪表控制情况，做好记录以免仪表失灵而跑温或引起损坏，

退火种类及正火特点

退火种类及正火特点 1）退火： 退火和正火是生产中应用很广泛的预备热处理工艺，主要用于改善材料的切削加工性能。对于一些受力不大、性能要求不高的机器零件，也可以做为最终热处理。等温退火将奥氏体化后的钢快冷至珠光体形成温度等温保温，使过冷奥氏体转变为珠光体，空冷至室温。 球化退火将过共析碳钢加热到Ac1以上20～30℃，保温2～4h，使片状渗碳体发生不完全溶解断开成细小的链状或点状，弥散分布在奥氏体基体上，在随后的缓冷过程中，或以原有的细小的渗碳体质点为核心，或在奥氏体中富碳区域产生新的核心，形成均匀的颗粒状渗碳体 均匀化退火（扩散退火）将工件加热到1100℃左右，保温10～15h，随炉缓冷到 350℃，再出炉空冷。工件经均匀化退火后，奥氏体晶粒十分粗大，必须进行一次完全退火或正火来细化晶粒，消除过热缺陷. 去应力退火将工件随炉缓慢加热到500～650℃，保温，随炉缓慢冷却至200℃出炉空冷。主要用于消除加工应力。 再结晶退火将材料加热至再结晶温度以上，保温后缓慢冷却的工艺方法。 完全退火用于亚共析碳钢和合金钢的铸、锻件；等温退火用于奥氏体比较稳定的合金钢；球化退火用于共析钢、过共析钢和合金工具钢；均匀化退火用于高质量要求的优质高合金钢的铸锭和成分偏析严重的合金钢铸件；去应力退火用于铸件、锻件、焊接件、冷冲压件及机加工件；再结晶退火主要用于去除加工硬化。 2）正火： 将亚共析碳钢加热到Ac3以上30～50℃，过共析碳钢加热到Accm以上30～50℃，保温，空气中冷却的方法称为正火。适用于碳素钢及中、低合金钢，因为高合金钢的奥氏体非常稳定，即使在空气中冷却也会获得马氏体组织。对于低碳钢、低碳低合金钢，细化晶粒，提高硬度（140～190HBS），改善切削加工性能；对于过共析钢，消除二次网状渗碳体，有利于球化退火的进行。 残留应力退火处理 一般机械製品於加工面总是免不了会有残留应力的存在，若製品未经适当应力退 火处理，在不当的暴露於热源〈例如阳光、热引擎等〉下，会產生变形的现象， 另外由残餘应力经常识高度集中在某一局部区域，例如表面，焊接区等，因此会 局部降低製品的机械强度。為避免这些问题，我们必须採用残餘应力退火处理。