光盘存储器全解
多媒体技术基础(第3版)第14章光盘存储器
第14章光盘存储器目录
14.1 CD光盘
14.1.1 CD工业史上的大事
14.1.2 CD系列产品
14.1.3 CD盘的结构
14.1.4 数据是怎样写入到CD盘上
的
14.1.5 数据是怎样从CD盘读出的
14.1.6 CD激光唱盘标准摘要14.2 CD-Audio
14.2.1 采样频率和样本大小
14.2.2 声道数
14.2.3 声音数据的通道编码
14.2.4 CD盘如何批量生产14.3 DVD光盘
14.3.1 DVD光盘是什么
14.3.2 DVD的规格
14.3.3 DVD的存储容量是怎样
提高的
14.4 VCD与DVD播放机
14.4.1 VCD简介
14.4.2 VCD播放机的基本结构
14.4.3 DVD播放机的基本结构14.5 HD DVD与BD光盘
14.5.1 HD DVD与BD光盘是什
么
14.5.2 HD DVD与BD技术规范
14.1 CD光盘
?14.1.1 CD工业史上的大事
模拟光盘系统的诞生
?20世纪70年代初期，荷兰飞利浦(Philips)公司的
研究人员开始研究利用激光来记录和重放信息
?1972年9月向全世界展示了长时间播放电视节目
的光盘系统，这就是1978年正式投放市场并命名
为LV(L aser V ision)的光盘播放机
?利用激光来记录信息的革命便拉开了序幕。它的
诞生对人类文明进步的影响，不亚于纸张的发明
对人类的贡献。
数字激光唱盘的诞生
?大约从1978年开始，研究人员把声音信号变成用
“1”和“0”表示的二进制数字，然后记录到以塑
料为基片的金属圆盘上
?1982年Philips公司和Sony公司成功地把记录数字
声音的盘推向了市场
?这种塑料金属圆盘很小巧，故用Compact Disc命
名，而且还为这种光盘制定了标准，这就是世界著名的“红皮书(Red Book)标准”。这种盘又称
为数字激光唱盘(Compact Disc-Digital Audio，
CD-DA)盘
CD-ROM的诞生
?由于CD-DA能够记录数字信息，自然就想到把
它用作计算机的存储设备。但从CD-DA过渡到
CD-ROM需要解决两个重要问题
◆地址问题：计算机如何寻找盘上的数据，即如何划分
盘上的地址。因为记录歌曲时是按一首歌作单位，一
片盘也就记录20首左右的歌曲，每首歌平均占用30
MB左右的空间。存储一个文件不一定都要那么大的存
储空间，因此需在CD盘上写入很多的地址编号
◆误码率：把CD盘作为计算机的存储器使用时，要求它
的错误率(10-12)远远小于声音数据的错误率(10-9)。而
用当时现成的CD-DA技术不能满足这一要求，因此还
要采用错误校正技术
?1984年Sony和Philips发布了CD-ROM物理格式标
准，称为黄皮书(Yellow Book)标准
ISO 9660标准的诞生
?黄皮书标准只解决了硬件生产厂家的制造标准问
题，即存放计算机数据的物理格式，而没有涉及逻辑格式，也就是计算机文件如何存放在CD-
ROM上，文件如何在不同的系统之间进行交换
等问题。为此，在多方努力下又制定了一个文件交换标准，后来国际标准化组织(ISO)把它命名
为ISO 9660标准
?14.1.2 CD系列产品
自1981年激光唱盘上市以后，开发了一系列CD产品，见图14-1，包括
?CD-DA(Compact Disc-Digital Audio)
?CD-G(Graphics)
?CD-V(Video)
?CD-ROM
?CD-I(Interactive)
?CD-I FMV(Full Motion Video)
?Karaoke CD
?Video CD
CD系列盘
?大小、重量、制造工艺、材料、制造设备等都相同，只是
根据不同的应用目的存放不同类型的数据而已
图14-1 CD产品系列
?14.1.3 CD盘的结构
盘片结构
?组成部分见图14-2
◆保护层；反射层；刻槽；聚碳酸酯衬垫
?两种反射层
◆铝反射层：银白色，称为“银盘”，只读的光盘
◆金反射层：金色，称为“金盘”，可刻录的光盘，称
为CD-R (CD-Recordable)盘
?外形尺寸见图14-3
◆ CD盘的外径为120 mm，重约14～18g
◆激光唱盘分为3个区：导入、导出和声音数据记录区
图14-2 CD盘片的结构
图14-3 CD盘的结构
光道结构
CD盘的光道结构与磁盘磁道的结构比较
CD光盘磁盘
记录道螺旋形同心环
磁道数目很多只有一条，长约5 km 盘片转动速度CLV(恒定线速度) CA V(恒定角速度) 记录密度里外记录区的密度相同里外记录区的密度不同光道形状
?14.1.4-5 CD盘的记录原理
数据记录原理
?磁光盘(magneto optical disc，MOD)
◆利用磁的记忆特性，借助激光来写入和读出数据
?相变光盘(phase change disc，PCD)
◆利用激光特殊材料在加热前后的反射率不同记忆1和0
?只读CD光盘
◆在盘上压制凹坑的机械办法记录数据，见图14-5
?凹坑的边缘记录的是1
?凹坑和非凹坑的平坦部分记录的是0
◆使用激光读出，见图14-7
激光束
凹坑
刻录设备
(引自Encarta Premium DVD 2006)
图14-5 原版盘制作示意图
图14-7 CD 盘的读出原理
14.1.6 CD激光唱盘标准摘要
名称技术指标
光盘
播放时间74分钟
旋转方向顺时针(从读出表面看)
旋转速度 1.2～1.4m/s (恒定线速度)
光道间距 1.6 μm
盘片直径120 mm
盘片厚度 1.2 mm
中心孔直径15 mm
记录区46 mm～117 mm
数据信号区50 mm～116 mm
材料折射率为1.55的材料
最小凹坑长度0.833 μm (1.2m/s)～0.972 μm (1.4m/s) 最大凹坑长度 3.05 μm (1.2 m/s)～3.56 μm (1.4 m/s) 凹坑深度～0.11 μm
光学系统
激光波长780 nm (7 800 ?) 聚焦深度± 2 μm
信号格式
通道数2个
量化16位线性量化
采样频率44.1 kHz
通道位速率 4.3218 Mb/s
数据位速率 1.9409 Mb/s
数据：通道位8:17
错误校正码CIRC
调制方式EFM
14.2 CD-Audio
?14.2.1 采用频率和样本大小
采样频率为44 100 Hz
?普通人耳朵能听到的声音信号的频率范围为20～20 000 Hz
?对频率高于20 000 Hz的信号进行滤波。考虑到滤波器在20
000 Hz处约有10%的衰减，故用22 000 Hz的2倍作为采样
频率
?考虑与电视信号场扫描频率同步以避免相互干扰，PAL电
视的场扫为50 Hz，NTSC为60 Hz，取50和60的整数倍，
选用44 100 Hz
样本精度为16位
?样本位数表示信号的动态范围。一位(bit)的动态范围约为
20lg2 ? 6.02 dB，16位能够表达的动态范围大于96 dB 在激光唱盘上1秒钟的声音需要占据的存储空间为
?1秒? 44 100样本/秒? 2字节/样本? 2(左右两个通道)=
176.4 千字节
?14.2.2 声道数
立体声有两个声道
?长期以来，立体声就是两个声道(轨)。早期存储声音的媒
体是接触式的唱片，唱片上的V形刻槽只能记录最多两个
声道的模拟信号，这就使后来的录音机、调频广播、录像
机、甚至连数字激光唱盘都采用两个声道的规格 环绕声有多个声道
?多声道设备早已开发和采用，许多剧院一直采用4个以上
的声音通道。声音转换成数字信号后，计算机很容易处理，
如压缩、偏移(Pan)、环绕音响效果(surround sound)等，更
多的声音通道和更逼真的音响效果已经出现
?例如，MPEG-2数字影视标准和杜比数字(Dolby Digital)都
采用5＋1个声音通道，即左、中、右3个主声道，左后、
右后两个环场声道和一个次低音声道
?14.2.3 声音数据的通道编码
将用户数据转换成适合存储或传输媒体的代码的过程
1. 为什么要做通道编码
?从信号本身提取自同步信号
◆例如，有要记录连续多个字节的全“0”或全“1”信号，如不
做通道编码就记录到盘上，读出的信号是一条直线，电子线
路就很难区分有多少个“0”或“1”
?使读出信号的频带变窄
◆例如，对于没有规律的数字信号，读出时的信号幅度和频率
的变化范围都很大，电子线路就很难把“0”和“1”区分开
?通道编码的本质
◆在连续“0”(或“1”)之间插入若干个“1” (或“0”)
◆对“0”和“1”的连续长度数目即“行[游]程长度”加以限制
?凡在物理设备上存储或传输的数字信号都要通道编码
为什么要把8位转换成14位/17位
?理论分析和实验证明
◆根据20世纪70年代的技术水平，把“0”的游程长度最短为2
个而最长不超过10个，即2个“1”之间的“0”至少要有2个而
最多不超过10个，光盘上的信号就能够可靠读出
?从8位到14位， EFM (eight to fourteen modulation)
◆8位数有256种代码，14位通道位有16 384种代码，其中有
267种代码能够满足“0”游程长度的要求。在267种代码中有
10种代码在合并通道代码时限制游程长度仍有困难，再去掉
一个就得到与8位数相对应的256种通道码
?从14位到17位
◆为满足游程长度的要求，在通道码之间增加3位以确保读出
信号的可靠性，于是8位数据就转换成17位
◆注：在DVD光盘技术中，把3位合并位改成2位，并把它们直
接插入到重新设计的码表中，于是1字节的数据就转换成16
位的通道位，提高了DVD的存储容量
图14-8 激光唱盘上声音数据编码的过程
5半导体存储器习题解答
---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 5半导体存储器习题解答 5 大规模数字集成电路习题解答99自我检测题1．一个 ROM 共有 10 根地址线，8 根位线（数据输出线），则其存储容量为 A．10×8 B．102×8 C．10×82 D．210×8 2．为了构成4096× 8 的 RAM，需要片1024× 2 的 RAM。 A．8 片 B．16 片 C．2 片 D．4 片 3．哪种器件中存储的信息在掉电以后即丢失？ 2 A．SRAM B．UVEPROM C．E PROM D．PAL 4．关于半导体存储器的描述，下列哪种说法是错误的 B．ROM 掉电以后数据不会丢失 C．RAM 可分为静态 RAM 和动态 RAM D．动态 RAM 不必定时刷新 5．有一存储系统，容量为256K×32。 设存储器的起始地址全为 0，则最高地址的十六进制地址码为3FFFFH 。 6．真值表如表 T5.6 所示，如从存储器的角度去理解，AB 应看为地址，F0F1F2F3 应看为数据。 表 T5.6 A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 F0 0 1 0 1 F1 1 0 1 1 F2 0 1 1 1 F3 1 0 1 0。 。 A．RAM 读写方便，但一旦掉电，所存储的内容就会全部丢失习题1．在存储器结构中，什么是“字”？什么是“字长” ，如何表示存储器的容量？解：采用同一个地址存放的一组二进制数，称为字。 字的位数称为字长。 1/ 7
第10章 半导体存储器汇总
第10章半导体存储器 10.1 学习要求 （1）理解只读存储器的基本工作原理。 （2）掌握用只读存储器进行逻辑设计的方法。 （3）了解随机存取存储器的基本工作原理。 （4）了解扩展存储器容量的方法。 10.2 学习指导 本章重点： （1）只读存储器的工作原理。 （2）利用只读存储器进行逻辑设计。 本章难点： （1）只读存储器的工作原理。 （2）利用只读存储器进行逻辑设计。 本章考点： （1）利用只读存储器实现各种组合逻辑函数。 （2）利用只读存储器实现给定功能的逻辑电路。 （3）与、或阵列图的意义和用法。 10.2.1 只读存储器（ROM） 1．ROM的结构 ROM由地址译码器、存储矩阵和读出电路组成，如图10.1所示。ROM的特点是存入的内容固定不变，工作时只能读出（取出），不能存入（写入），且在断电后存入的信息仍能保持，常用于存放固定的信息。 存储矩阵是存储器的主体，由大量的存储单元组成。一个存储单元只能存储1位二进制数码1或0。通常数据和指令用M位的二进制数表示，称为一个字，M为字长。M个存储单元为一组，存储一个字，称为字单元。每个字单元有一个地址，按地
电子技术学习指导与习题解答 246 址来选择所需要的字。图10.1中W 0、W 1、…、1N -W 称为字单元的地址选择线，简称字线；D 0、D 1、…、1M -D 称为输出信息的数据线，简称位线。存储矩阵有N 条字线和M 条位线，M N ?表示存储器的存储容量，这是存储器的主要技术指标之一。 地址译码器的作用是根据输入的地址代码011n A A A -，从N （n N 2=）条字线中选择一条字线，以确定与地址代码相对应的字单元的位置。至于选择哪—条字线，则决定于输入的是哪一个地址代码。任何时刻，只能有一条字线被选中。被选中的那条字线所对应的字单元中的各位数码便经M 条位线传送到数据输出端。 A 0A 1 A 0 地 址输入 数据输出 … 图10.1 ROM 的结构示意图 2．ROM 的工作原理 如图10.2所示是一个由二极管构成的容量为44?的ROM 。 A 0 地址输入 地址译码器 存储矩阵 A 1 图10.2 二极管ROM 电路
半导体存储器分类介绍
半导体存储器分类介绍 § 1. 1 微纳电子技术的发展与现状 §1.1.1 微电子技术的发展与现状 上个世纪50年代晶体管的发明正式揭开了电子时代的序幕。此后为了提高电子元器件的性能，降低成本，微电子器件的特征尺寸不断缩小，加工精度不断提高。1962年，由金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）组装成的集成电路（IC）成为微电子技术发展的核心。 自从集成电路被发明以来[1,2]，集成电路芯片的发展规律基本上遵循了Intel 公司创始人之一的Gordon Moore在1965年预言的摩尔定律[3]：半导体芯片的集成度以每18个月翻一番的速度增长。按照这一规律集成电路从最初的小规模、中规模到发展到后来的大规模、超大规模（VLSI），再到现在的甚大规模集成电路（ULSI）的发展阶段。 随着集成电路制造业的快速发展，新的工艺技术不断涌现，例如超微细线条光刻技术与多层布线技术等等，这些新的技术被迅速推广和应用，使器件的特征尺寸不断的减小。其特征尺寸从最初的0.5微米、0.35 微米、0.25 微米、0.18 微米、0.15 微米、0.13 微米、90 纳米、65 纳米一直缩短到目前最新的32纳米，甚至是亚30纳米。器件特征尺寸的急剧缩小极大地提升了集成度，同时又使运算速度和可靠性大大提高，价格大幅下降。随着微电子技术的高速发展，人们还沉浸在胜利的喜悦之中的时候，新的挑战已经悄然到来。微电子器件等比例缩小的趋势还能维持多久？摩尔定律还能支配集成电路制造业多久？进入亚微米领域后，器件性能又会有哪些变化？这一系列的问题使人们不得不去认真思考。20世纪末
期，一门新兴的学科应运而生并很快得到应用，这就是纳电子技术。 §1.1.2 纳电子技术的应用与前景 2010年底，一篇报道英特尔和美光联合研发成果的文章《近距离接触25nm NAND闪存制造技术》[4]，让人们清楚意识到经过近十年全球范围内的纳米科技热潮，纳电子技术已逐渐走向成熟。电子信息技术正从微电子向纳电子领域转变，纳电子技术必将取代微电子技术主导21世纪集成电路的发展。 目前，半导体集成电路的特征尺寸已进入纳米尺度范围，采用32纳米制造工艺的芯片早已问世，25纳米制造技术已正式发布，我们有理由相信相信亚20纳米时代马上就会到来。随着器件特征尺寸的减小，器件会出现哪些全新的物理效应呢？ （1）量子限制效应。当器件在某一维或多维方向上的尺寸与电子的徳布罗意波长相比拟时，电子在这些维度上的运动将受限，导致电子能级发生分裂，电子能量量子化，出现短沟道效应、窄沟道效应以及表面迁移率降低等量子特性。 （2）量子隧穿效应。当势垒厚度与电子的徳布罗意波长想当时，电子便可以一定的几率穿透势垒到达另一侧。这种全新的现象已经被广泛应用于集成电路中，用于提供低阻接触。 （3）库仑阻塞效应。单电子隧穿进入电中性的库仑岛后，该库仑岛的静电势能增大e2/2C，如果这个能量远远大于该温度下电子的热动能K B T，就会出现所谓的库仑阻塞现象，即一个电子隧穿进入库仑岛后就会对下一个电子产生很强的排斥作用，阻挡其进入。 以上这些新的量子效应的出现使得器件设计时所要考虑的因素大大增加。目
计算机系统中各种存储器的对比研究
河南理工大学 计算机科学与技术学院课程设计报告 2012 — 2013学年第 1 学期 课程名称微机原理与接口技术设计题目计算机系统中各种存储器 的对比研究 学生姓名 学号 专业班级 指导教师 2012年9 月10 日
目录 1.各种存储器的分类 1.1 按存储介质分类 1.2 按存储方式分类 1.3 按应用可分类 2.各种存储器的特点 2.1 随机存取存储器（RAM） （静态与动态的区分） 2.2 只读存储器（ROM） 2.2.1 EPROM 2.2.2 EEPROM 2.3 高速缓冲存储器（Cache) 2.4 硬盘 2.5 光盘 2.6 U盘 3.各种存储器与计算机的连接及其作用 4.参考文献
1 各种存储器的分类 1.1 按存储介质分类 （1）半导体存储器。存储元件由半导体器件组成的叫半导体存储器。其优点是体积小、功耗低、存取时间短。其缺点是当电源消失时，所存信息也随即丢失，是一种易失性存储器。 半导体存储器又可按其材料的不同，分为双极型（TTL）半导体存储器和MOS半导体存储器两种。前者具有高速的特点，而后者具有高集成度的特点，并且制造简单、成本低廉，功耗小、故MOS半导体存储器被广泛应用。 （2）磁表面存储器。磁表面存储器是在金属或塑料基体的表面上涂一层磁性材料作为记录介质，工作时磁层随载磁体高速运转，用磁头在磁层上进行读写操作，故称为磁表面存储器。 由于用具有矩形磁滞回线特性的材料作磁表面物质，它们按其剩磁状态的不同而区分“0”或“1”，而且剩磁状态不会轻易丢失，故这类存储器具有非易失性的特点。 （3）光盘存储器。光盘存储器是应用激光在记录介质(磁光材料)上进行读写的存储器，具有非易失性的特点。光盘记录密度高、耐用性好、可靠性高和可互换性强等。 1.2 按存取方式分类 按存取方式可把存储器分为随机存储器、只读存储器、顺序存储器和直接存取存储器四类。 （1）随机存储器RAM(Random Access Memory)。RAM是一种可读写存储器，其特点是存储器的任何一个存储单元的内容都可以随机存取，而且存取时间与存储单元的物理位置无关。计算机系统中的主存都采用这种随机存储器。由于存储信息原理的不同， RAM又分为静态RAM (以触发器原理寄存信息)和动态RAM(以电容充放电原理寄存信息)。 DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
存储器的发展史
1.存储器设备发展之汞延迟线是基于汞在室温时是液体，同时又是导体，每比特数据用机械波的波峰（1）和波谷（0）表示。 机械波从汞柱的一端开始，一定厚度的熔融态金属汞通过一振动膜片沿着纵向从一端传到另一端，这样就得名“汞延迟线”。 在管的另一端，一传感器得到每一比特的信息，并反馈到起点。 设想是汞获取并延迟这些数据，这样它们便能存储了。 这个过程是机械和电子的奇妙结合。 缺点是由于环境条件的限制，这种存储器方式会受各种环境因素影响而不精确。 1950年，世界上第一台具有存储程序功能的计算机EDVAC由冯.诺依曼博士领导设计。 它的主要特点是采用二进制，使用汞延迟线作存储器，指令和程序可存入计算机中。 1951年3月，由ENIAC的主要设计者莫克利和埃克特设计的第一台通用自动计算机UNIVAC-I交付使用。 它不仅能作科学计算，而且能作数据处理。 2.存储器设备发展之磁带UNIVAC-I第一次采用磁带机作外存储器，首先用奇偶校验方法和双重运算线路来提高系统的可靠性，并最先进行了自动编程的试验。 磁带是所有存储器设备发展中单位存储信息成本最低、容量最大、标准化程度最高的常用存储介质之 一。 它互换性好、易于保存，近年来，由于采用了具有高纠错能力的编码技术和即写即读的通道技术，大大提高了磁带存储的可靠性和读写速度。
根据读写磁带的工作原理可分为螺旋扫描技术、线性记录（数据流）技术、DLT技术以及比较先进的LTO技术。 根据读写磁带的工作原理，磁带机可以分为六种规格。 其中两种采用螺旋扫描读写方式的是面向工作组级的DAT（4mm）磁带机和面向部门级的8mm磁带机，另外四种则是选用数据流存储技术设计的设备，它们分别是采用单磁头读写方式、磁带宽度为1/4英寸、面向低端应用的Travan和DC系列，以及采用多磁头读写方式、磁带宽度均为1/2英寸、面向高端应用的DLT和IBM的3480/3490/3590系列等。 磁带库是基于磁带的备份系统，它能够提供同样的基本自动备份和数据恢复功能，但同时具有更先进的技术特点。 它的存储容量可达到数百PB，可以实现连续备份、自动搜索磁带，也可以在驱动管理软件控制下实现智能恢复、实时监控和统计，整个数据存储备份过程完全摆脱了人工干涉。 磁带库不仅数据存储量大得多，而且在备份效率和人工占用方面拥有无可比拟的优势。 在网络系统中，磁带库通过SAN（Storage Area Network，存储区域网络）系统可形成网络存储系统，为企业存储提供有力保障，很容易完成远程数据访问、数据存储备份或通过磁带镜像技术实现多磁带库备份，无疑是数据仓库、ERP等大型网络应用的良好存储设备。 3.存储器设备发展之磁鼓1953年，随着存储器设备发展，第一台磁鼓应用于IBM 701，它是作为内存储器使用的。 磁鼓是利用铝鼓筒表面涂覆的磁性材料来存储数据的。 鼓筒旋转速度很高，因此存取速度快。 它采用饱和磁记录，从固定式磁头发展到浮动式磁头，从采用磁胶发展到采用电镀的连续磁介质。 这些都为后来的磁盘存储器打下了基础。
半导体存储器分类
半导体存储器 一．存储器简介 存储器（Memory）是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。在数字系统中，只要能保存二进制数据的都可以是存储器；在集成电路中，一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器，如RAM、FIFO等；在系统中，具有实物形式的存储设备也叫存储器，如内存条、TF卡等。计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。 存储器件是计算机系统的重要组成部分，现代计算机的内存储器多采用半导体存储器。存储器（Memory）计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。自世界上第一台计算机问世以来，计算机的存储器件也在不断的发展更新，从一开始的汞延迟线，磁带，磁鼓，磁芯，到现在的半导体存储器，磁盘，光盘，纳米存储等，无不体现着科学技术的快速发展。 存储器的主要功能是存储程序和各种数据，并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。存储器是具有“记忆”功能的设备，它采用具有两种稳定状态的物理器件来存储信息。这些器件也称为记忆元件。在计算机中采用只有两个数码“0”和“1”的二进制来表示数据。记忆元件的两种稳定状态分别表示为“0”和“1”。日常使用的十进制数必须转换成等值的二进制数才能存入存储器中。计算机中处理的各种字符，例如英文字母、运算符号等，也要转换成二进制代码才能存储和操作。 储器的存储介质，存储元，它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元，然后再由许多存储单元组成一个存储器。一个存储器包含许多存储单元，每个存储单元可存放一个字节（按字节编址）。每个存储单元的位置都有一个编号，即地址，一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。假设一个存储器的地址码由20位二进制数（即5位十六进制数）组成，则可表示2的20次方，即1M个存储单元地址。每个存储单元存放一个字节，则该存储器的存储容量为1MB。
存储器的工作原理
存储器的工作原理 1、存储器构造 存储器就是用来存放数据的地方。它是利用电平的高低来存放数据的，也就是说，它存放的实际上是电平的高、低，而不是我们所习惯认为的1234这样的数字，这样，我们的一个谜团就解开了，计算机也没什么神秘的吗。 图2
图3 让我们看图2。这是一个存储器的示意图：一个存储器就像一个个的小抽屉，一个小抽屉里有八个小格子，每个小格子就是用来存放“电荷”的，电荷通过与它相连的电线传进来或释放掉，至于电荷在小格子里是怎样存的，就不用我们操心了，你可以把电线想象成水管，小格子里的电荷就像是水，那就好理解了。存储器中的每个小抽屉就是一个放数据的地方，我们称之为一个“单元”。 有了这么一个构造，我们就可以开始存放数据了，想要放进一个数据12，也就是00001100，我们只要把第二号和第三号小格子里存满电荷，而其它小格子里的电荷给放掉就行了（看图3）。可是问题出来了，看图2，一个存储器有好多单元，线是并联的，在放入电荷的时候，会将电荷放入所有的单元中，而释放电荷的时候，会把每个单元中的电荷都放掉，这样的话，不管存储器有多少个单元，都只能放同一个数，这当然不是我们所希望的，因此，要在结构上稍作变化，看图2，在每个单元上有个控制线，我想要把数据放进哪个单元，就
给一个信号这个单元的控制线，这个控制线就把开关打开，这样电荷就可以自由流动了，而其它单元控制线上没有信号，所以开关不打开，不会受到影响，这样，只要控制不同单元的控制线，就可以向各单元写入不同的数据了，同样，如果要某个单元中取数据，也只要打开相应的控制开关就行了。 2、存储器译码 那么，我们怎样来控制各个单元的控制线呢？这个还不简单，把每个单元的控制线都引到集成电路的外面不就行了吗？事情可没那么简单，一片27512存储器中有65536个单元，把每根线都引出来，这个集成电路就得有6万多个脚？不行，怎么办？要想法减少线的数量。我们有一种方法称这为译码，简单介绍一下：一根线可以代表2种状态，2根线可以代表4种状态，3根线可以代表几种，256种状态又需要几根线代表？8种，8根线，所以65536种状态我们只需要16根线就可以代表了。 3、存储器的选片及总线的概念 至此，译码的问题解决了，让我们再来关注另外一个问题。送入每个单元的八根线是用从什么地方来的呢？它就是从计算机上接过来的，一般地，这八根线除了接一个存储器之外，还要接其它的器件，如图4所示。这样问题就出来了，这八根线既然不是存储器和计算机之间专用的，如果总是将某个单元接在这八根线上，就不好了，比如这个存储器单元中的数值是0FFH另一个存储器的单元是00H，那么
5半导体存储器习题解答
5 大规模数字集成电路习题解答99 自我检测题 1．一个ROM 共有10根地址线，8根位线（数据输出线），则其存储容量为。 A．10×8 B．102×8 C．10×82D．210×8 2．为了构成4096×8的RAM，需要片1024×2的RAM。 A．8片B．16片C．2片D．4片 3．哪种器件中存储的信息在掉电以后即丢失？ A．SRAM B．UVEPROM C．E2PROM D．PAL 4．关于半导体存储器的描述，下列哪种说法是错误的。 A．RAM读写方便，但一旦掉电，所存储的内容就会全部丢失 B．ROM掉电以后数据不会丢失 C．RAM可分为静态RAM和动态RAM D．动态RAM不必定时刷新 5．有一存储系统，容量为256K×32。设存储器的起始地址全为0，则最高地址的十六进制地址码为3FFFFH 。 6．真值表如表T5.6所示，如从存储器的角度去理解，AB应看为地址，F0F1F2F3应看为数据。 表T5.6 习题 1．在存储器结构中，什么是“字”？什么是“字长”，如何表示存储器的容量？ 解：采用同一个地址存放的一组二进制数，称为字。字的位数称为字长。习惯上用总的位数来表示存储器的容量，一个具有n字、每字m位的存储器，其容量一般可表示为n ×m位。 2．试述RAM和ROM的区别。 解：RAM称为随机存储器，在工作中既允许随时从指定单元内读出信息，也可以随时将信息写入指定单元，最大的优点是读写方便。但是掉电后数据丢失。 ROM在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速、随时地修改或重新写入数据，内部信息通常在制造过程或使用前写入， 3．试述SRAM和DRAM的区别。 解：SRAM通常采用锁存器构成存储单元，利用锁存器的双稳态结构，数据一旦被写
第七章 半导体存储器
第七章 半导体存储器 数字信息在运算或处理过程中，需要使用专门的存储器进行较长时间的存储，正是因为有了存储器，计算机才有了对信息的记忆功能。存储器的种类很多，本章主要讨论半导体存储器。半导体存储器以其品种多、容量大、速度快、耗电省、体积小、操作方便、维护容易等优点，在数字设备中得到广泛应用。目前，微型计算机的内存普遍采用了大容量的半导体存储器。 存储器——用以存储一系列二进制数码的器件。 半导体存储器的分类 根据使用功能的不同，半导体存储器可分为随机存取存储器（RAM —Random Access Memory ）和只读存储器（ROM —Read-Only memory ）。 按照存储机理的不同，RAM 又可分为静态RAM 和动态RAM 。 存储器的容量 存储器的容量=字长（n ）×字数（m ） 7.1随机存取存储器（RAM ） 随机存取存储器简称RAM ，也叫做读/写存储器，既能方便地读出所存数据，又能随时写入新的数据。RAM 的缺点是数据的易失性，即一旦掉电，所存的数据全部丢失。 一． RAM 的基本结构 由存储矩阵、地址译码器、读写控制器、输入/输出控制、片选控制等几部分组成。 存储矩阵 读/写控制器 地址译码器 地 址码输片选读/写控制输入/输出 入 图7.1—1 RAM 的结构示意框图
2 1. 存储矩阵 RAM 的核心部分是一个寄存器矩阵，用来存储信息，称为存储矩阵。 图7.1—5所示是1024×1位的存储矩阵和地址译码器。属多字1位结构，1024个字排列成32×32的矩阵，中间的每一个小方块代表一个存储单元。为了存取方便，给它们编上号，32行编号为X 0、X 1、…、X 31，32列编号为Y 0、Y 1、…、Y 31。这样每一个存储单元都有了一个固定的编号（X i 行、Y j 列），称为地址。 1 1 1 1 31 31 131******** 列 译 码 器 行译码器 .. .........位线 位线 位线 位线 位线 位线 . .. . . . . X X X Y Y Y 0 1 31 131 A A A A A A A A A A 地 址 输 入 地址 输入 012 34 5 67 89 D D 数据线 . .. . 图7.1－5 1024×1位RAM 的存储矩阵 2． 址译码器 址译码器的作用，是将寄存器地址所对应的二进制数译成有效的行选信号和列选信号，从而选中该存储单元。 存储器中的地址译码器常用双译码结构。上例中，行地址译码器用5输入32输出的译码器，地址线（译码器的输入）为A 0、A 1 、…、A 4，输出为X 0、X 1、…、X 31；列地址译码器也用5输入32输出的译码器，地址线（译码器的输入）为A 5、A 6 、…、A 9，输出为Y 0、Y 1、…、Y 31，这样共有10条地址线。例如，输入地址码A 9A 8A 7A 6A 5A 4A 3A 2A 1A 0=0000000001，则行选线X 1＝1、列选线Y 0＝1，选中第X 1行第
(整理)常用存储器总结
目次 1 存储器分类 (2) 1.1 按存储介质分类 (2) 1.2 按存取方式分类 (2) 1.3 按应用可分类 (3) 2 存储器概述 (4) 2.1 主储存器结构 (4) 2.2 主存中存储单元地址的分配 (4) 2.3 主存的技术指标 (5) 3 半导体存储芯片的基本结构 (6) 3.1 随机存取存储器（RAM） (7) 3.3.1 静态RAM（SRAM） (7) 3.3.2 动态RAM(DRAM) (9) 3.2 只读存储器（ROM） (16) 3.2.1 掩膜ROM (16) 3.2.2 PROM (17) 3.2.3 EPROM (17) 3.2.4 EEPROM (18) 3.2.5 闪速存储器(Flash Memory) (18) 3.3 内存卡 (19) 3.4 存储器与CPU的连接 (21) 3.3.1 存储容量的扩展 (21) 3.3.2 存储器与CPU的连接 (23)
1 存储器分类 1.1 按存储介质分类 （1）半导体存储器。存储元件由半导体器件组成的叫半导体存储器。其优点是体积小、功耗低、存取时间短。其缺点是当电源消失时，所存信息也随即丢失，是一种易失性存储器。 半导体存储器又可按其材料的不同，分为双极型（TTL）半导体存储器和MOS半导体存储器两种。前者具有高速的特点，而后者具有高集成度的特点，并且制造简单、成本低廉，功耗小、故MOS半导体存储器被广泛应用。 （2）磁表面存储器。磁表面存储器是在金属或塑料基体的表面上涂一层磁性材料作为记录介质，工作时磁层随载磁体高速运转，用磁头在磁层上进行读写操作，故称为磁表面存储器。 由于用具有矩形磁滞回线特性的材料作磁表面物质，它们按其剩磁状态的不同而区分“0”或“1”，而且剩磁状态不会轻易丢失，故这类存储器具有非易失性的特点。 （3）光盘存储器。光盘存储器是应用激光在记录介质(磁光材料)上进行读写的存储器，具有非易失性的特点。光盘记录密度高、耐用性好、可靠性高和可互换性强等。 1.2 按存取方式分类 按存取方式可把存储器分为随机存储器、只读存储器、顺序存储器和直接存取存储器四类。 （1）随机存储器RAM(Random Access Memory)。RAM是一种可读写存储器，其特点是存储器的任何一个存储单元的内容都可以随机存取，而且存取时间与存储单元的物理位置无关。计算机系统中的主存都采用这种随机存储器。由于存储信息原理的不同， RAM又分为静态RAM (以触发器原理寄存信息)和动态RAM(以电容充放电原理寄存信息)。 DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM 是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 （2）只读存储器ROM(Read only Memory)。只读存储器是能对其存储的内容读出，而不能对其重新写入的存储器。这种存储器一旦存入了原始信息后，在程序执行过程中，只能将内部信息读出，而不能随意重新写入新的信息去改变原始信息。因此，通常用它存放固定不变的程序、常数以及汉字字库，甚至用于操作系统的固化。它与随机存储器可共同作为主存的一部分，统一构成主存的地址域。 只读存储器分为掩膜型只读存储器MROM（Masked ROM）、可编程只读存储器PROM(Programmable ROM)、可擦除可编程只读存储器EPROM(Erasable Programmable ROM)、用电可擦除可编程的只读存储器EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)。以及近年来出现了的快擦型存储器Flash Memory，它具有EEPROM的特点，而速度比EEPROM 快得多。
有机浮栅存储器的工作原理
有机浮栅存储器的工作原理 1.1 有机场效应晶体管(OFET)的基本结构和工作原理 1.1.1 有机场效应晶体管的基本结构 有机场效应晶体管的具有很多的优点：材料来源广、可以大量生产和能够实现低成本、可与柔性衬底兼容。应用前景十分广泛，如有机集成电路、存储器件、柔性显示屏等。自20世纪80年代有机场效应晶体管诞生，有机场效应晶体管得到迅速发展，到目前为止，一些有机场效应晶体管已经得到实用化的程度，在载流子迁移率、开关电流比方面已经可与非晶硅相媲美。 有机场效应晶体管按照源漏极和有机半导体的相对位置有两种结构(图2-1)底接触和顶接触，按照沟道中起传输作用的载流子的种类的不同，可以分为两种：n沟道场效应晶体管和p沟道场效应晶体管[8,9]。 图2-1 两种OFET结构：顶接触(左) 底接触(右) 1.1.2 有机场效应晶体管的工作原理 有机场效应晶体管的工作原理与无机场效应晶体管的工作原理类似。下面通过对一个顶接触的p-沟的OFET进行分析，如图2-2所示:
图2-2 有机场效应管的原理示意图 我们在栅极上施加一个相对于源极的负偏压时（源极是接地的），栅极表面出现负电荷，相应的在沟道表面感应出正电荷。当增大栅极电压时，在沟道表面形成积累层并进而形成含有可动载流子-空穴-的薄层，源漏之间的电流主要是由空穴贡献，这是与无机场效应晶体管最大的不同，通过控制栅极电压来改变沟道中空穴的数量，进而控制漏极电流[10]。 由于我们使用的是有机材料作为有源区，我们在引用传统的EEPROM的模型时必须要进行修改。在本文中，我们考虑了Pool-Frenkel效应[11]，在半导体和绝缘层接触面的电荷，接触势垒，陷阱效应，采用修正以后的漂移-扩散模型（DDM）[12]，借助TCAD求解泊松方程和连续性方程(2-1)，(2-2)，(2-3)[13]，来模拟有机场效应晶体管的电学特性。 其中为静电势，为有机材料的介电常数，G为产生率， 和分别为捕获的电子和空穴的密度，和分别为电子和空穴的 电流密度。R是电子和空穴的复合率。[14,15]，
第6章 半导体存储器
6 习题参考答案 6.1 ROM 有哪些种类？各有何特点？ 6.2 指出下列的ROM 存储系统各具有多少个存储单元，应有地址线、数据线、字线和位线各多少根？ 6.3 一个有16384个存储单元的ROM ，它的每个字是8位。试问它应有多少个字？有多少根地址线和数据线？ 6.4 已知 ROM 如图6.21所示，试列表说明ROM 存储的内容。 A 1 A 图6.21 题6.4的图 解： 存储的数据为01、11、00、10 6.5 ROM 点阵图及地址线上的波形图如图6.22所示，试画出数据线D 3～D 0上的波形图。 A 1 A 0 图6.22 题6.5的图
解： 10A A 3210D D D D 0 00 11 01 10 0 1 11 1 1 00 1 0 0 1 0 1 1 A 1A 0 D 0 D 1D 2 D 3 6.6 试用ROM 设计一个组合逻辑电路，用来产生下列一组逻辑函数。画出存储矩阵的 点阵图。 D B D B Y D B D A C D C B B A Y D C A D B A D C B A Y D ABC D C AB D C B A D C B A Y +=+++=++=+++=4321 解： 1234(5,10,13,14)(9,10,11,13) (1,3,4,5,6,7,9,10,11,13,14)(1,3,4,6,9,11,12,14) Y ABCD ABCD ABCD ABCD m Y ABCD ABD ACD m Y AB BCD ACD BD m Y BD BD m =+++=∑=++=∑=+++=∑=+=∑ A B C D Y 4 Y 3 Y 2 Y 1 输出 6.7 试用ROM 设计一个实现8421BCD 码到余3码转换的逻辑电路，要求选择EPROM 的容量，画出简化阵列图。 解：列写真值表，作电路图，选用16×4的EPROM 。
半导体存储器件及其操作方法与相关技术
图片简介: 一种半导体存储器件，包括：熔丝部分，包括：第一熔丝组，具有针对第一模式分配的多个第一熔丝；以及第二熔丝组，具有针对第二模式分配的多个第二熔丝；以及编程部分，适于在所述第二模式下响应于修复控制信号而编程包括在所述第一熔丝组中的所述第一熔丝之中的可用熔丝或编程包括在所述第二熔丝组中的所述第二熔丝。 技术要求 1.一种半导体存储器件，包括： 熔丝部分，包括：第一熔丝组，具有针对第一模式分配的多个第一熔丝；以及第二熔丝组，具有针对第二模式分配的多个第二熔丝；以及 编程部分，适于在所述第二模式下响应于修复控制信号而编程包括在所述第一熔丝组中 的所述第一熔丝之中的可用熔丝或编程包括在所述第二熔丝组中的所述第二熔丝。 2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述编程部分包括：
第一熔丝信息储存块，适于：储存对应于所述第一熔丝组的第一熔丝信息，且通过确定所述第一熔丝组是否具有所述第一熔丝之中的未使用的熔丝来产生过流信号； 第二熔丝信息储存块，适于储存对应于所述第二熔丝组的第二熔丝信息；以及 选择输出块，适于在所述第二模式下响应于所述过流信号而输出所述第一熔丝信息或所述第二熔丝信息。 3.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述编程部分还包括： 启动控制块，适于：在启动操作中确定所述第一熔丝组和所述第二熔丝组是否被使用且更新所述第一熔丝信息和所述第二熔丝信息。 4.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述编程部分还包括： 地址锁存块，适于锁存从外部器件接收的缺陷地址信息。 5.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述编程部分还包括： 断裂控制块，适于使与自所述选择输出块输出的所述第一熔丝信息或所述第二熔丝信息相对应的熔丝断裂。 6.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述第一熔丝信息储存块输出当所述第一熔丝组具有所述可用熔丝时被禁用且当所述第一熔丝组无可用熔丝时被使能的所述过流信号。 7.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述选择输出块包括： 选择控制信号发生单元，适于：接收在所述第二模式下被使能的封装后修复PPR模式使能信号、扩展模式信号和所述过流信号，且产生选择控制信号；以及 选择单元，适于响应于所述选择控制信号而选择性地输出所述第一熔丝信息或所述第二熔丝信息。 8.一种半导体存储器件，包括：
计算机组成原理存储器.docx
1.存储器 一、单选题（题数54，共7 ） 1 在下述存储器中，允许随机访问的存储器是（）。（1.2分） A、磁带 B 、磁盘 C 、磁鼓 D 、半导体存储器 正确答案D 2 若存储周期250ns，每次读出16位，则该存储器的数据传送率为（）。（1.2分） A、4×10^6字节/秒 B、4M字节/秒 C、8×10^6字节/秒 D、8M字节/秒 正确答案C 3 下列有关RAM和ROM得叙述中正确的是()。 IRAM是易失性存储器，ROM是非易失性存储器 IIRAM和ROM都是采用随机存取方式进行信息访问 IIIRAM和ROM都可用做Cache IVRAM和ROM都需要进行刷新 （1.2分） A、仅I和II B、仅I和III C、仅I，II，III D、仅II，III，IV 正确答案A 4 静态RAM利用（）。（1.2分） A、电容存储信息 B、触发器存储信息 C、门电路存储信息 D、读电流存储信息 正确答案B 5 关于计算机中存储容量单位的叙述，其中错误的是（）。（1.2分） A、最小的计量单位为位（bit），表示一位“0”或“1” B、最基本的计量单位是字节（Byte），一个字节等于8b C、一台计算机的编址单位、指令字长和数据字长都一样，且是字节的整数倍 D、主存容量为1KB，其含义是主存中能存放1024个字节的二进制信息 正确答案C 6 若CPU的地址线为16根，则能够直接访问的存储区最大容量为（）。（1.2分）A、1M
B、640K C、64K D、384K 正确答案C 7 由2K×4的芯片组成容量为4KB的存储器需要()片这样的存储芯片。（1.2分） A、2 B、4 C、8 D、16 正确答案B 8 下面什么存储器是目前已被淘汰的存储器。（1.2分） A、半导体存储器 B、磁表面存储器 C、磁芯存储器 D、光盘存储器 正确答案C 9 下列几种存储器中，（）是易失性存储器。（1.2分） A、cache B、EPROM C、FlashMemory D 、 C D-ROM 正确答案A 10 下面关于半导体存储器组织叙述中，错误的是什么。 （1.2分） A、存储器的核心部分是存储体，由若干存储单元构成 B、存储单元由若干存放0和1的存储元件构成 C、一个存储单元有一个编号，就是存储单元地址 D、同一个存储器中，每个存储单元的宽度可以不同 正确答案D 11 在主存和CPU之间增加Cache的目的是什么。（1.2分） A、扩大主存的容量 B、增加CPU中通用寄存器的数量 C、解决CPU和主存之间的速度匹配 D、代替CPU中的寄存器工作 正确答案C 12 下列关于闪存(FlashMemory)的叙述中，错误的是()。（1.2分） A、信息可读可写，并且读、写速度一样快 B、存储元由MOS管组成，是一种半导体存储器
计算机组成原理-半导体存储器原理
南通大学计算机科学与技术学院上机实验报告 课程名称：计算机组成原理实验年级： 2010级上机日期：2010,5,22 姓名：严军墙学号:1013072025 班级：网络工程101 实验名称：半导体存储器原理实验教师：王杰华成绩： 一：目的及要求 目的： 1.熟悉静态随机存储器RAM和只读存储器ROM的工作特性和使用方法； 2.熟悉半导体存储器存储和读出数据的过程； 3.了解使用半导体存储器电路时的定时要求。 要求： （1）做好实验预习，了解ROM和RAM存储器的功能特性和使用方法。 （2）写出实验报告，内容是： ①实验目的。 ②4个实验任务所用的实验电路图。 ③4个实验任务的仿真波形，仿真结果的分析方法、分析过程和分析结果。 ④实验体会与小结 二:环境（软硬件平台） 软件：Quartus II2.0 硬件：i3 cpu 2g 内存windows操作系统 三：内容及步骤（包括程序流程及说明） （1）.利用Quartus Ⅱ器件库提供的参数化存储单元lpm_rom设计一个由128╳8位的ROM （地址空间：00H~7FH）构成的只读存储器系统。
电路图如下： (2).利用Quartus Ⅱ器件库提供的参数化存储单元lpm_ram_dq，设计一个由128╳8位的RAM （地址空间：80H~FFH）构成的随机存储器系统。 电路图：
（3）.利用Quartus Ⅱ器件库提供的参数化存储单元lpm_ram_io，设计一个由128╳8位的RAM （地址空间：80H~FFH）构成的随机存储器系统。 电路图： (4).利用Quartus Ⅱ器件库提供的参数化存储单元lpm_rom、lpm_ram_dq或lpm_ram_io设计一个由128╳8位的ROM（地址空间：00H~7FH）和一个由128╳8位的RAM（地址空间：80H~FFH）构成的存储器系统。 在图中添加了74244b，作为缓冲器来缓冲数据，便于数据的输入输出。
存储器的发展与技术现状.
存储器的发展史及技术现状 20122352 蔡文杰计科3班 1.存储器发展历史 1.1存储器简介 存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。自世界上第一台计算机问世以来，计算机的存储器件也在不断的发展更新，从一开始的汞延迟线，磁带，磁鼓，磁芯，到现在的半导体存储器，磁盘，光盘，纳米存储等，无不体现着科学技术的快速发展。 1.2存储器的传统分类 从使用角度看,半导体存储器可以分成两大类:断电后数据会丢失的易失性存储器和断电后数据不会丢失的非易失性存储器。过去都可以随机读写信息的易失性存储器称为RAM(Randoo Aeeess Memory),根据工作原理和条件不同,RAM又有静态和动态之分,分别称为静态读写存储器SR AM(St ate RAM)和动态读写存储器DRAM(Dynamie RAM);而过去的非易失控存储器都是只读存储RoM(Readon一y Memo-ry),这种存储器只能脱机写人信息,在使用中只能读出信息而不能写人或改变信息.非易失性存储器包含各种不同原理、技术和结构的存储器.传统的非易失性存储器根据写人方法和可写人的次数的不同,又可分成掩模只读存储器MROM(Mask ROM)、一次性编程的OTPROM(one Time Programmable ROM)和可用萦外线擦除可多次编程的Uv EPROM(Utravio-let ErasableProgrammable ROM).过去的OT PROM都是采用双极性熔丝式,这种芯片只能被编程一次,因此在测试阶段不能对产品进行编程性检侧,所以产品交付用户后,经常在编程时才会发现其缺陷而失效,有的芯片虽然能被编程,但由于其交流性不能满足要求,却不能正常运行.故双极性熔丝式PROM产品的可信度不高. 2.半导体存储器 由于对运行速度的要求，现代计算机的内存储器多采用半导体存储器。半导体存储器包括只读存储器（ROM）和随机读写存储器（RAM）两大类。 2.1只读存储器 ROM是线路最简单的半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，在元件正常工作的情况下，其中的代码与数据将永久保存，并且不能够进行修改。一般地，只读
光盘存储器全解
多媒体技术基础(第3版)第14章光盘存储器
第14章光盘存储器目录 14.1 CD光盘 14.1.1 CD工业史上的大事 14.1.2 CD系列产品 14.1.3 CD盘的结构 14.1.4 数据是怎样写入到CD盘上 的 14.1.5 数据是怎样从CD盘读出的 14.1.6 CD激光唱盘标准摘要14.2 CD-Audio 14.2.1 采样频率和样本大小 14.2.2 声道数 14.2.3 声音数据的通道编码 14.2.4 CD盘如何批量生产14.3 DVD光盘 14.3.1 DVD光盘是什么 14.3.2 DVD的规格 14.3.3 DVD的存储容量是怎样 提高的 14.4 VCD与DVD播放机 14.4.1 VCD简介 14.4.2 VCD播放机的基本结构 14.4.3 DVD播放机的基本结构14.5 HD DVD与BD光盘 14.5.1 HD DVD与BD光盘是什 么 14.5.2 HD DVD与BD技术规范
14.1 CD光盘 ?14.1.1 CD工业史上的大事 模拟光盘系统的诞生 ?20世纪70年代初期，荷兰飞利浦(Philips)公司的 研究人员开始研究利用激光来记录和重放信息 ?1972年9月向全世界展示了长时间播放电视节目 的光盘系统，这就是1978年正式投放市场并命名 为LV(L aser V ision)的光盘播放机 ?利用激光来记录信息的革命便拉开了序幕。它的 诞生对人类文明进步的影响，不亚于纸张的发明 对人类的贡献。
数字激光唱盘的诞生 ?大约从1978年开始，研究人员把声音信号变成用 “1”和“0”表示的二进制数字，然后记录到以塑 料为基片的金属圆盘上 ?1982年Philips公司和Sony公司成功地把记录数字 声音的盘推向了市场 ?这种塑料金属圆盘很小巧，故用Compact Disc命 名，而且还为这种光盘制定了标准，这就是世界著名的“红皮书(Red Book)标准”。这种盘又称 为数字激光唱盘(Compact Disc-Digital Audio， CD-DA)盘
第11章 只读光盘存储器
参考文献和站点 1.http://ee.mokwon.ac.kr/～music/tutorials/mmbook/node31.html (浏览日期：1998年11 月) 2.https://www.360docs.net/doc/b47579568.html,/jfm/avi.html (浏览日期：1998年11月) 3.http://wwwam.hhi.de/mpeg-video/standards/ (浏览日期：1998年11月) 4.https://www.360docs.net/doc/b47579568.html,/technology/mpeg.html (浏览日期：1998年11月) 5.http://fas.sfu.ca/cs/undergrad/CourseMaterials/CMPT365/material/notes/contents.html (浏 览日期1998年3月) 6.ISO/IEC JTC1/SC29/WG11 N2459. MPEG-4 Overview - (Atlantic City Version). October 1998/Atlantic City 7.Ming Liou. Overview of the p×64 Kbps Video Coding Standard. Communication of the ACM，Vol.34，No.4，Apr.1991 8.ISO/IEC. CD 11172，Coding of Moving Pictures and Associated Audio For Digital Storage Media at up to about 1.5 M b/s. 12/6/1991 9.Didier Le Gall. MPEG: A Video Compression Standard for Multimedia Applications. Communications of the ACM，V ol.34，No.4，Apr.1991 https://www.360docs.net/doc/b47579568.html,ITT Recommendation. H.261，Video Codec for Audiovisual Service at p×64 Kb/s. Aug.1990 第11章只读光盘存储器 如何记录“0”和“1”，如何提高单位面积上的记录密度是计算机工业中的一个非常重要的技术研究和开发课题。在半个世纪中，科学家和工程技术人员开发了许多的记录技术，从电子管到半导体存储器，从磁记录到光记录都取得了辉煌的成就。光记录是20世纪70年代的重大发明，是80年代世界上的重大技术开发项目，是90年代得到广泛应用的技术。本章将从CD到DVD的发展过程中所采用的一些技术作一个介绍。 11.1 CD简历 11.1.1 CD工业史上的几件大事 20世纪70年代初期，荷兰飞利浦(Philips)公司的研究人员开始研究利用激光来记录和重放信息，并于1972年9月向全世界展示了长时间播放电视节目的光盘系统，这就是1978 年正式投放市场并命名为LV(L aser V ision)的光盘播放机。从此，利用激光来记录信息的革命便拉开了序幕。它的诞生对人类文明进步的影响，不亚于纸张的发明对人类的贡献。 大约从1978年开始，把声音信号变成用“1”和“0”表示的二进制数字，然后记录到以塑料为基片的金属圆盘上，历时4年，Philips公司和Sony公司终于在1982年成功地把这种记录有数字声音的盘推向了市场。由于这种塑料金属圆盘很小巧，所以用了英文Compact