液固分离法近净成形SiCp-Al电子封装壳体的组织和性能

Trans. Nonferrous Met. Soc. China 24(2014) 1039?

1045

Microstructure and properties of SiC p /Al electronic packaging shell

produced by liquid ?solid separation

Ming-hai GUO 1

, Jun-you LIU 1, Yan-xia LI 2

1. School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China;

2. Department of Materials, North China Institute of Aerospace Engineering, Langfang 065000, China

Received 27 May 2013; accepted 10 September 2013

Abstract: The electronic packaging shell of high silicon carbide (54%SiC, volume fraction) aluminum-based composites was produced by liquid ?solid separation technique. The characteristics of distribution and morphology of SiC as well as the shell’s fracture surface were examined by optical microscopy and scanning electron microscopy, and the thermo-physical and mechanical properties of the shell were also tested. The results show that Al matrix has a net-like structure while SiC is uniformly distributed in the Al matrix. The SiC p /Al composites have a low density of 2.93 g/cm 3, and its relative density is 98.7%. Thermal conductivity of the composites is 175 W/(m·K), coefficient of thermal expansion (CTE) is 10.3×10?6 K ?1 (25?400 °C), compressive strength is 496 MPa, bending strength is 404.5 MPa, and the main fracture mode is brittle fracture of SiC particles accompanied by ductile fracture of Al matrix .Its thermal conductivity is higher than that of Si/Al alloy, and its CTE matches with that of the chip material. Key words: liquid ?solid separation; near-net thixoforming; SiC p /Al electronic packaging shell; thermal conductivity; coefficient of thermal expansion

1 Introduction

Electronic packaging shell is an important component in integrated circuit chip packaging. The

failure rate of a single component in the chip is exponentially related to its working temperature, while its function is inversely proportional to it. The maximum heat dissipation is a requirement for today’s microelectronic systems [1]. As a component providing connection and protection in a chip, the electronic packaging shell should meet the following basic requirements [2]. First, coefficient of thermal expansion (CTE) is low. CTE of the material must match with that of the Si or GaAs chip and so on, to avoid cracking induced by thermal stress. Second, thermal performance is excellent. The chips heat generated during the operation must be dissipated in time. Third, density is low and strength and stiffness are sufficient to support and protect the chip. Fourth, the cost should be as low as possible. The traditional electronic packaging materials, such as Kovar alloy (Fe ?Ni ?Co alloy), Inva alloy (Fe ?Ni alloy), W ?Cu alloy, cannot meet the requirements of the

development due to their high cost and high density [3]. Thus, various new electronic packaging materials appeared, such as Al/Si composites [4] and Al/SiC

composites [5,6]. As the third generation material of electronic packaging, the SiC p /Al composites are widely used in microwave integrated circuit, power module, microprocessor cover and heat radiating plate, etc [7?12]. The method used to produce SiC p /Al composites includes powder metallurgy (PM), infiltration without pressure or squeezing infiltration, spray deposition, mixing casting technique and so on. But all of these methods have some disadvantages, such as high porosity and high raw material loss rate. So the volume fraction of the SiC particle is limited, and SiC content is usually unable to exceed 20% in the mixing casting technique. The SiC p /Al shell is produced firstly by semi-solid thixoforming technique in this study, utilizing the characteristics of liquid ?solid separation. Under the action of external force, the SiC particle flows with the liquid together, but liquid flows prior to solid and is

firstly extruded into the filtrate tank from the gap of the die. Hence, most SiC particle will stay in the mold of

Corresponding author: Jun-you LIU; Tel: +86-10-82381979; E-mail: ljy@https://www.360docs.net/doc/bd8061129.html,, qifeng_guo@https://www.360docs.net/doc/bd8061129.html,

DOI: 10.1016/S1003-6326(14)63159-9

网络综合实验设计

模块四综合模块设计(网络互联)班级14信管本学号141201120姓名李显明 实验时间2017年5月11日 实验地点综合实验楼608 分组及同组人双人组,同组人:付卫 实验项目网络互联 实验总结与讨论综合设计实验: 1、二层交换机的工作原理:二层交换机属数据链路层设备,可以识别数据包中的 MAC地址信息,根据MAC地址进行转发,并将这些MAC地址与对应的端口记录在自己 内部的一个地址表中。具体的工作流程如下: (1)当交换机从某个端口收到一个数据包,它先读取包头中的源MAC地址,这样它 就知道源MAC地址的机器是连在哪个端口上的; (2)再去读取包头中的目的MAC地址,并在地址表中查找相应的端口; (3)如表中有与这目的MAC地址对应的端口,把数据包直接复制到这端口上; (4)如表中找不到相应的端口则把数据包广播到所有端口上,当目的机器对源机器 回应时,交换机又可以学习目的MAC地址与哪个端口对应,在下次传送数据时就不再 需要对所有端口进行广播了。 不断的循环这个过程,对于全网的MAC地址信息都可以学习到,二层交换机就是这样建立和维护它自己的地址表。 2、三层交换机的工作原理:三层交换机就是具有部分路由器功能的交换机,三层 交换机的最重要目的是加快大型局域网内部的数据交换,能够做到一次路由,多次转 发。三层交换技术就是二层交换技术+三层转发技术。传统交换技术是在OSI网络标 准模型第二层——数据链路层进行操作的,而三层交换技术是在网络模型中的第三层 实现了数据包的高速转发,既可实现网络路由功能,又可根据不同网络状况做到最优 网络性能。使用IP的设备A----三层交换机----使用IP的设备B,比如A要给B发 送数据,已知目的IP,那么A就用子网掩码取得网络地址,判断目的IP是否与自己 在同一网段。如果在同一网段,但不知道转发数据所需的MAC地址,A就发送一个ARP

电子元件封装大全及封装常识

电子元件封装大全及封装常识 2010-04-12 19:33 一、什么叫封装 封装,就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接,从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离,以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面,封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造,因此它是至关重要的。 衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好。封装时主要考虑的因素: 1、芯片面积与封装面积之比为提高封装效率,尽量接近1:1; 2、引脚要尽量短以减少延迟,引脚间的距离尽量远,以保证互不干扰,提高性能; 3、基于散热的要求,封装越薄越好。 封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。从结构方面,封装经历了最早期的晶体管TO(如TO-89、TO92)封装发展到了双列直插封装,随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装,以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装)、TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管)、SOIC (小外形集成电路)等。从材料介质方面,包括金属、陶瓷、塑料、塑料,目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:TO->DIP->PLCC->QFP->BGA ->CSP; 材料方面:金属、陶瓷->陶瓷、塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装 二、具体的封装形式 1、 SOP/SOIC封装 SOP是英文Small Outline Package 的缩写,即小外形封装。SOP封装技术由1968~1969年菲利浦公司开发成功,以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装)、TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管)、SOIC(小外形集成电路)等。 2、 DIP封装 DIP是英文 Double In-line Package的缩写,即双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。 < 1 > 3、 PLCC封装 PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier 的缩写,即塑封J引线芯片封装。PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多。PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小、可靠性高的优点。 4、 TQFP封装 TQFP是英文thin quad flat package的缩写,即薄塑封四角扁平封装。四边扁平封装(TQFP)

电子电路综合实验

电子电路综合实验 总结报告 题目:红外遥控器信号接收和显示的 设计实现 班级:20100412 学号:2010041227 姓名:涂前 日期:2013.04.17 成绩:

摘要: 我国经济的高速发展,给电子技术的发展,带来了新的契机.其中,红外遥控器越来越多的应用到电器设备中,但各种型号遥控器的大量使用带来的遥控器大批量多品种的生产,使得检测成为难题,因此智能的红外遥控器检测装置成为一种迫切的需要。在该红外遥控器信号的接收和显示电路以单片机和一体化红外接收器为核心技术,但是,分立元件搭建的电路也可以实现,具体74HC123单稳态触发器、74HC595、STC89C51单片机红外接收器HS0038组成。在本系统的设计中,利用红外接收器接收遥控器发出的控制信号,并通过单稳态触发器、移位寄存器等将接收信号存储、处理、比较,并将数据处理送至数码管显示模块。总之,通过对电路的设计和实际调试,可以实现红外遥控器信号的接收与显示功能。根据比较接收信号的不同,在数码管显示电路及流水灯电路上显示相应的按键数字. 关键词:74HC123单稳态触发器、74HC595、单片机、红外接收器HS0038

设计选题及设计任务要求 1设计选题 基于单片机的红外遥控器信号接收和转发的设计实现. 2设计任务要求 ⑴结合数字分立元件电路和红外接收接口电路共同设计的一个红外遥控信号接收系统,用普通电视机遥控器控制该系统,使用数码管显示信号的接收结果。 ⑵当遥控器按下任意数值键时,在数码管上显示其值。例如按下“0”时,在数码管上应显示“00”。

目录 第一章系统概述 1.1 方案对比及论证 1.2 总体方案对比 1.3方案对比论证 1.4可行性分析 第二章主要器件介绍 2.1 HS0038塑封一体化红外线接收器 2.2 74HC123单稳态触发器 2.3 74HC595 2.4 MC14495 2.5数码管显示 第三章硬件单元电路设计及原理分析 第四章调试及测试数据分析 4.1 调试的步骤 4.2 调试出现的问题及原因分析 4.3数据测量 4.4 测量仪器介绍及误差分析

光电子器件考试(DOC)

光电器件设计与制作 科目:光电器件设计与制造 任教老师: 姓名: 学号: 学院:

1、光电导摄像管是如何将一幅光图像变为电信号传递出去的? 答:可以把这个过程简单的分成三个步骤: 下面是我画的简易的一个光电摄像管: 步骤一:光学图形转化为电荷: 由透明导电膜和光电导层组成了摄像管的靶面,光电导层一般都是通过工艺比如沉积法沉淀在透明导电膜上的。电源的工作电压VT 加在靶光电导体和电子束扫描枪,右端接地,即使没有光照也会在靶光电导体上面产生偏置电压。由于是半导体,所以 电源 光电导层 透明导电膜 电子枪 R R C 图二 图一 VT 偏转线圈

我们将靶面看做是无数个单位小光电导体(也称像素单位)组成的如图二,当光照很强的时候,发生跃迁,导电的电子就会越多。传输到靶面的光学图形中各个地方的光照度是不相同的,所以不同部位参与导电的电子数目就不一样。这样就把图形转换成了电荷的分布。 步骤二:电荷储存 如图二,当R(小光电导)受到光照产生了步骤一里面的电荷,每个小的光电导体就会把自己产生的电荷储存在电容里面。步骤三:扫描提取 存储的电荷越多,其相应的像素点的电位就会越高。电子枪发射电子束对靶面进行扫描,电子束在靠近靶面的时候受到偏转线圈的作用,强烈的减速,最后很缓慢的降落在靶面上,由于电子束带负电,使得靶面的电位近似稳定在0V,这时相当于使得各个像素点里面存储的电荷依次接地,就会得到各个相应的像素电位的时序电信号。最后把电信号传出去就行了。 注:上面三个步骤是最基本的步骤,但是通常很多时候光电导摄像管会对电信号进行增强放大,放大的方式也有很多种,常常采用在电子枪上面加一个电子增益器,利用二次电子发射效应,将电流逐级倍增,这样就增加了我们所需要的信号的强度。 综上,就完全完成了把光图像变为电信号了。 2、简述混合式红外成像器件与单片式红外成像器件的异同点和

电子元器件封装全解析

CDIP --- Ceramic Dual In-Line Package CLCC --- Ceramic Leaded Chip Carrier CQFP --- Ceramic Quad Flat Pack DIP -- Dual In-Line Package LQFP --- Low-Profile Quad Flat Pack MAPBGA ---- Mold Array Process Ball Grid Array PBGA --- Plastic Ball Grid Array PLCC --- Plastic Leaded Chip Carrier PQFP --- Plastic Quad Flat Pack QFP -- Quad Flat Pack SDIP --- Shrink Dual In-Line Package SOIC --- Small Outline Integrated Package SSOP --- Shrink Small Outline Package DIP -- Dual In-Line Package - 双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出, 封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC ,存贮器 LSI ,微机电路等。 PLCC --- Plastic Leaded Chip Carrier PLCC 封装方式,外形呈正方形,32 脚封装,四 周都有管脚,外形尺寸比DIP 封装小得多。PLCC 封装适合用SMT 表面安装技术在PCB 上安装布线,具有外形尺寸小、可靠性高的优点。 PQFP --- Plastic Quad Flat Package -- PQFP 封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细, 一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100 以上。 SOP-----Small Outline Package——佃68?佃69年菲为浦公司就开发出小外形封装(SOP)。以后逐渐派生出SOJ(J 型引脚小外形封装)、TSOP (薄小外形封装)、VSOP (甚小外形封装)、SSOP (缩小型SOP)、TSSOP (薄的缩小型SOP)及SOT (小外形晶体管)、SOIC (小外形集成电路)等。 常见的封装材料有:塑料、陶瓷、玻璃、金属等,现在基本采用塑料封装。 按封装形式分:普通双列直插式,普通单列直插式,小型双列扁平,小型 四列扁平,圆形金属,体积较大的厚膜电路等。 按封装体积大小排列分:最大为厚膜电路,其次分别为双列直插式,单列 直插式,金属封装、双列扁平、四列扁平为最小。 两引脚之间的间距分:普通标准型塑料封装,双列、单列直插式一般多为 2.54 ± 0.25 mm其次有2mm(多见于单列直插式)、1.778 ± 0.25mm(多见于缩型双列直插式)、1.5 ± 0.25mm或1.27 ± 0.25mm多见于单列附散热片或单列V 型)、1.27 ± 0.25mm多见于双列扁平封装)、1± 0.15mm多见于双列或四列扁平封装)、0.8 ± 0.05?0.15mm侈见于四列扁平封装)、0.6 5± 0.03mm多见于四列扁平封装)。 双列直插式两列引脚之间的宽度分:一般有7.4?7.62mm、10.16mm、 12.7mm、 15.24mm等数种。

SMT常见贴片元器件封装类型和尺寸

1、SMT 表面封装元器件图示索引(完善) 名称 图示 常用于 备注 Chip 电阻,电容,电感 片式元件 MLD : Molded Body 钽电容,二极 管 模制本体元件 CAE : Aluminum Electrolytic Capacitor 铝电解电容 有极性 Melf : Metal Electrode Face 圆柱形玻璃二极管, 电阻(少见) 二个金属电极 SOT : Small Outline Transistor 三极管,效应管 小型晶体管 JEDEC(TO) EIAJ(SC) TO : Transistor Outline 电源模块 晶体管外形的贴片元件 JEDEC(TO) OSC : Oscillator 晶振 晶体振荡器 Xtal :Crystal 晶振 二引脚晶振

SOD: Small Outline Diode 二极管 小型二极管(相 比插件元件) JEDEC SOIC: Small Outline IC 芯片,座子小型集成芯片 SOP: Small Outline Package 芯片 小型封装,也称 SO,SOIC 引脚从封装 两侧引出呈 海鸥翼状(L 字形) 前缀: S:Shrink T:Thin SOJ: Small Outline J-Lead 芯片 J型引脚的小芯 片【也成丁字形】 LCC: Leadless Chip carrier 芯片 无引脚芯片载 体: 指陶瓷基板的四 个侧面只有电极 接触而无引脚的 表面贴装型封 装。也称为陶瓷 QFN 或QFN-C PLCC: plastic leaded Chip carrier 芯片 引脚从封装的四 个侧面引出,呈 丁字形或J型, 是塑料制品。DIP: Dual In-line Package 变压器,开关, 芯片 双列直插式封 装:引脚从封装 两侧引出QFP: Quad Flat Package 芯片 四方扁平封装: 引脚从四个侧面 引出呈海鸥翼 (L)型。基材有陶

北航电子电路设计数字部分实验报告

电子电路设计数字部分实验报告 学院: 姓名:

实验一简单组合逻辑设计 实验内容 描述一个可综合的数据比较器,比较数据a 、b的大小,若相同,则给出结果1,否则给出结果0。 实验仿真结果 实验代码 主程序 module compare(equal,a,b); input[7:0] a,b; output equal; assign equal=(a>b)1:0; endmodule 测试程序

module t; reg[7:0] a,b; reg clock,k; wire equal; initial begin a=0; b=0; clock=0; k=0; end always #50 clock = ~clock; always @ (posedge clock) begin a[0]={$random}%2; a[1]={$random}%2; a[2]={$random}%2; a[3]={$random}%2; a[4]={$random}%2; a[5]={$random}%2; a[6]={$random}%2; a[7]={$random}%2; b[0]={$random}%2; b[1]={$random}%2; b[2]={$random}%2; b[3]={$random}%2; b[4]={$random}%2;

b[5]={$random}%2; b[6]={$random}%2; b[7]={$random}%2; end initial begin #100000 $stop;end compare m(.equal(equal),.a(a),.b(b)); endmodule 实验二简单分频时序逻辑电路的设计 实验内容 用always块和@(posedge clk)或@(negedge clk)的结构表述一个1/2分频器的可综合模型,观察时序仿真结果。 实验仿真结果

常见电子元器件封装

常见电子元器件封装 元件封装是指实际元件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一元件封装,同种元件也可有不同的元件封装。像电阻,有传统的针插式,这种元件体积较大,电路板必须钻孔才能安置元件,完成钻孔后,插入元件,再过锡炉或喷锡(也可手焊),成本较高,较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件(SMD)这种元件不必钻孔,用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板,再把SMD元件放上,即可焊接在电路板上了。 电源稳压块78和79系列TO-126H和TO-126V 场效应管和三极管一样 整流桥D-44D-37D-46 单排多针插座CON SIPn(n为针脚个数) 双列直插元件(集成块):DIP8-DIP40,其中8-40指有多少脚,8脚的就是DIP8 石英晶体振荡器XTAL1 运放OP07 电阻:RES1,RES2,RES3,RES4封装属性为axial系列AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度,一般用AXIAL0.4/0.3 添片的有0603080510051206 无极性电容:cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电位器:VR pot1,pot2;封装属性为vr-1到vr-5 发光二极管:led RB.1/.2 二极管:DIODE封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率)其中0.4-0.7指二极管长短,一般用DIODE0.4 三极管:TO IGBT NPN常见的封装属性为to-18(普通三极管)to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管) 电源稳压块有78和79系列;78系列如7805,7812,7820等79系列有7905,7912,7920等常见的封装属性有to126h和to126v

最全贴片元件的封装

常用贴片元件封装 1 电阻: 最为常见的有0201、0402、0805、0603、1206、1210、1812、2010、2512几类1)贴片电阻的封装与尺寸如下表: 英制(mil) 公制(mm) 长(L)(mm) 宽(W)(mm) 高(t)(mm) 0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.05 0.23±0.05 0402 1005 1.00±0.10 0.50±0.10 0.30±0.10 0603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50±0.10 1206 3216 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55±0.10 1210 3225 3.20±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 1812 4832 4.50±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2010 5025 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 2512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2)贴片电阻的封装、功率与电压关系如下表: 英制(mil)公制(mm)额定功率@ 70°C 最大工作电压(V) 0201 0603 1/20W 25 0402 1005 1/16W 50 0603 1608 1/10W 50 0805 2012 1/8W 150 1206 3216 1/4W 200 1210 3225 1/3W 200 1812 4832 1/2W 200 2010 5025 3/4W 200 2512 6432 1W 200 3)贴片电阻的精度与阻值 贴片电阻阻值误差精度有±1%、±2%、±5%、±10%精度, J -表示精度为5%、 F-表示精度为1%。 T -表示编带包装 阻值范围从0R-100M 4)贴片电阻的特性 ·体积小,重量轻; ·适应再流焊与波峰焊; ·电性能稳定,可靠性高; ·装配成本低,并与自动装贴设备匹配; ·机械强度高、高频特性优越。 2电容: 1)贴片电容可分为无极性和有极性两种,容值范围从0.22pF-100uF 无极性电容下述两类封装最为常见,即0805、0603; 英制尺寸公制尺寸长度宽度厚度 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20

金属基电子封装材料进展

金属基电子封装材料进展 刘正春 王志法 姜国圣 (中南大学) 摘 要:对照几种传统的金属基电子封装材料,较详细地阐述了W Cu、M o Cu、SiC/Al等新型封装材料的性能特点、制造方法、应用背景以及存在的问题。介绍了金属基电子封装材料的最新发展动态,指出国际上近年来的研究与开发主要集中在净成型技术、新材料体系探索以及材料的集成化应用等方面。最后,文章对金属基电子封装材料的发展趋势进行了展望,作者认为,未来的金属基电子封装材料将朝着高性能、低成本、轻量化和集成化的方向发展。 关键词:电子封装;复合材料;膨胀系数;热导率 中图分类号:T F125.7,T G139 文献标识码:A 文章编号:1004—244X(2001)02—0049—06 金属基电子封装材料具有强度高、导电导热性能好等优点。因此,它们与陶瓷基、树脂基封装材料一样,一直是电子工程师所青睐的热沉和支承材料,广泛地应用于功率电子器件(如整流管、晶闸管、功率模块、激光二极管、微波管等)和微电子器件(如计算机C PU、DSP芯片)中,在微波通讯、自动控制、电源转换、航空航天等领域发挥着重要作用[1-6][9][13]。 作为一种理想的电子封装材料,必须满足这么几个基本要求[4]:一是材料的导热性能要好,能够将半导体芯片在工作时所产生的热量及时地散发出去;二是材料的热膨胀系数(C TE)要与Si或Ga As 等芯片相匹配,以避免芯片的热应力损坏;三是材料要有足够的强度和刚度,对芯片起到支承和保护的作用;四是材料的成本要尽可能低,以满足大规模商业化应用的要求。在某些特殊的场合,还要求材料的密度尽可能地小(主要是指航空航天设备和移动计算/通信设备),或者要求材料具有电磁屏蔽和射频屏蔽的特性。 1 传统的电子封装材料 传统的金属基电子封装材料,包括因瓦合金(Inv ar)、可伐合金(Kova r)、W、Mo、Al、Cu等,这些材料可以部分的满足上面所提到的要求,然而,它们仍然存在许多不尽人意之处。表1列出了几种常规电子材料的性能。 表1 Si、GaAs及几种传统封装材料的性能[4][7]材 料 C TE ppm/K 热导率 W/(m·K) 密度 /(g·cm-3) Si 4.1135 2.3 Ga As 5.839 5.3 Invar0.4118.1 Kovar 5.9178.3 W 4.417419.3 M o 5.014010.2 Cu17.74008.9 Al23221 2.7环氧树脂600.3 1.2 Inva r、Kov ar的加工性能良好,具有较低的热膨胀系数,但导热性能很差;M o和W的热膨胀系数较低,导热性能远高于Inva r和Kov ar,而且强度和硬度很高,所以,Mo和W在电力半导体行业得到了普遍的应用。但是,Mo和W价格昂贵,加工困难,可焊性差,密度大,况且导热性能比纯Cu要低得多,这就阻碍了其进一步应用。Cu和Al的导热导电性能很好,可是热膨胀系数过大,容易产生热应力问题。 2 新型电子封装材料 现代电子技术的飞速发展,使得电子元器件能够具有更高的集成度、更快的运行速度和更大的容 第24卷 第2期 2001年 3月 兵器材料科学与工程 ORDNANCE M ATERIAL SC IEN CE AND EN GIN EERING V o l.24 No.2  M ar. 2001 收稿日期:2000-06-02  资助项目:国家高新工程重点资助项目  作者简介:刘正春,中南大学材料科学与工程系,长沙,410083

光器件封装详解有源光器件的结构和封装

有源光器件的结构和封装

目录 1有源光器件的分类 ........................................................................................错误!未指定书签。2有源光器件的封装结构 .................................................................................错误!未指定书签。 2.1光发送器件的封装结构 ...........................................................................错误!未指定书签。 2.1.1同轴型光发送器件的封装结构 ..........................................................错误!未指定书签。 2.1.2蝶形光发送器件的封装结构..............................................................错误!未指定书签。 2.2光接收器件的封装结构 ...........................................................................错误!未指定书签。 2.2.1同轴型光接收器件的封装结构 ..........................................................错误!未指定书签。 2.2.2蝶形光接收器件的封装结构..............................................................错误!未指定书签。 2.3光收发一体模块的封装结构....................................................................错误!未指定书签。 2.3.11×9和2×9大封装光收发一体模块 .....................................................错误!未指定书签。 2.3.2GBIC(GigabitInterfaceConverter)光收发一体模块 ......................错误!未指定书签。 2.3.3SFF(SmallFormFactor)小封装光收发一体模块 ...........................错误!未指定书签。 2.3.4SFP(SmallFormFactorPluggable)小型可插拔式光收发一体模块错误!未指定书签。 2.3.5光收发模块的子部件.........................................................................错误!未指定书签。3有源光器件的外壳 ........................................................................................错误!未指定书签。 3.1机械及环境保护 ......................................................................................错误!未指定书签。 3.2热传递.....................................................................................................错误!未指定书签。 3.3电通路.....................................................................................................错误!未指定书签。 3.3.1玻璃密封引脚....................................................................................错误!未指定书签。 3.3.2单层陶瓷 ...........................................................................................错误!未指定书签。 3.3.3多层陶瓷 ...........................................................................................错误!未指定书签。 3.3.4同轴连接器........................................................................................错误!未指定书签。 3.4光通路.....................................................................................................错误!未指定书签。 3.5几种封装外壳的制作工艺和电特性实例..................................................错误!未指定书签。 3.5.1小型双列直插封装(MiniDIL).........................................................错误!未指定书签。 3.5.2多层陶瓷蝶形封装(Multilayerceramicbutterflytypepackages)......错误!未指定书签。 3.5.3射频连接器型封装.............................................................................错误!未指定书签。4有源光器件的耦合和对准..............................................................................错误!未指定书签。 4.1耦合方式 .................................................................................................错误!未指定书签。 4.1.1直接耦合 ...........................................................................................错误!未指定书签。 4.1.2透镜耦合 ...........................................................................................错误!未指定书签。 4.2对准技术 .................................................................................................错误!未指定书签。 4.2.1同轴型器件的对准.............................................................................错误!未指定书签。 4.2.2双透镜系统的对准.............................................................................错误!未指定书签。 4.2.3直接耦合的对准 ................................................................................错误!未指定书签。5有源光器件的其它组件/子装配 .....................................................................错误!未指定书签。 5.1透镜 ........................................................................................................错误!未指定书签。 5.2热电制冷器(TEC)...............................................................................错误!未指定书签。 5.3底座 ........................................................................................................错误!未指定书签。 5.4激光器管芯和背光管组件........................................................................错误!未指定书签。

protel99se常用元件封装总结大全

protel99se常用元件封装总结 1. 标准电阻:RES1、RES2;封装:AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 两端口可变电阻:RES3、RES4;封装:AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 三端口可变电阻:RESISTOR TAPPED,POT1,POT2;封装:VR1-VR5 2.电容:CAP(无极性电容)、ELECTRO1或ELECTRO2(极性电容)、可变电容CAPVAR 封装:无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4,有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0. 3.二极管:DIODE(普通二极管)、DIODE SCHOTTKY(肖特基二极管)、DUIDE TUNNEL(隧道二极管)DIODE VARCTOR (变容二极管)ZENER1~3(稳压二极管) 封装:DIODE0.4和DIODE 0.7;(上面已经说了,注意做PCB时别忘了将封装DIODE的端口改为A、K) 4.三极管:NPN,NPN1和PNP,PNP1;引脚封装:TO18、TO92A(普通三极管)TO220H(大功率三极管)TO3(大功率达林顿管) 以上的封装为三角形结构。T0-226为直线形,我们常用的9013、9014管脚排列是直线型的,所以一般三极管都采用TO-126啦! 5、效应管:JFETN(N沟道结型场效应管),JFETP(P沟道结型场效应管)MOSFETN(N沟道增强型管)MOSFETP(P 沟道增强型管) 引脚封装形式与三极管同。 6、电感:INDUCTOR、INDUCTOR1、INDUCTOR2(普通电感),INDUCTOR VAR、INDUCTOR3、INDUCTOR4(可变电感) 8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2,引脚封装形式为D系列,如D-44,D-37,D-46等。 9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列,从CON1到CON60,引脚封装形式为SIP系列,从SIP-2到SIP-20。 10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同,引脚封装形式DIP系列, 不如40管脚的单片机封装为DIP40。 11.串并口类原理图中常用的名称为DB系列,引脚封装形式为DB和MD系列。 12、晶体振荡器:CRYSTAL;封装:XTAL1 13、发光二极管:LED;封装可以才用电容的封装。(RAD0.1-0.4) 14、发光数码管:DPY;至于封装嘛,建议自己做! 15、拨动开关:SW DIP;封装就需要自己量一下管脚距离来做! 16、按键开关:SW-PB:封装同上,也需要自己做。 17、变压器:TRANS1——TRANS5;封装不用说了吧?自己量,然后加两个螺丝上去。 最后在说说PROTEL 99 的原理图库吧! 常用元器件都在protel DOS schematic Libraries.ddb里 此外还有protel DOS schematic 4000 CMOS (4000序列元件) protel DOS schematic Analog digital (A/D,D/A转换元件) protel DOS schematic Comparator (比较器,如LM139之类) protel DOS schematic intel (Intel 的处理器和接口芯片之类) 电阻:RES1,RES2,RES3,RES4;封装属性为axial系列 无极性电容:cap; 封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容:electroi; 封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0

常用电子元件封装

常用电子元件封装 电阻:RES1, RES2, RES3, RES4;封装属性为axial系列 无极性电容:cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容:electroi;封装属性为rb.2/.4至到rb.5/1.0 电位器:pot1,pot2 ;封装属性为vr-1到vr-5 二极管:封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率) 三极管:常见的封装属性为to-18 (普通三极管)to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管)电源稳压块有78和79系列;78系列如7805 , 7812 , 7820等 79 系列有7905 , 7912 , 7920 等 常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥:BRIDGE1,BRIDGE2:封装属性为 D 系列(D-44 , D-37 , D-46 )电阻:AXIAL0.3- AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度,一般用AXIAL0.4 瓷片电容:RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小,一般用RAD0.1 电解电容:RB.1/.2- RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8 指电容大小。一般<100uF用 RB.1/.2,100uF-470uF 用RB.2/.4,>470uF 用RB.3/.6 二极管:DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7 指二极管长短,一般用DIODE0.4 发光二极管:RB.1/.2 集成块:DIP8-DIP40,其中8 —4 0指有多少脚,8脚的就是DIP8 贴片电阻 0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系,但封装尺寸与功率有关通常来说如下: 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0mmx0.5mm 0603=1.6mmx0.8mm 0805=2.0mmx1.2mm 1206=3.2mmx1.6mm 1210=3.2mmx2.5mm 1812=4.5mmx3.2mm 2225=5.6mmx6.5mm 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念 因此不同的元件可共用同一零件封装,同种元件也可有不同的零件封装。像电阻,有传统的 针插式,这种元件体积较大,电路板必须钻孔才能安置元件,完成钻孔后,插入元件,再过锡炉或喷锡(也可手焊),成本较高,较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件(SMD)这种元件不必钻孔,用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板,再把SMD元件放上,即可焊接在电 路板上了。 关于零件封装我们在前面说过,除了DEVICE。LIB库中的元件外,其它库的元件都已 经有了固定的元件封装,这是因为这个库中的元件都有多种形式:以晶体管为例说明一下:晶体管是我们常用的的元件之一,在DEVICE。LIB库中,简简单单的只有NPN与PNP 之分,但实际上,如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3,如果它是NPN 的2N3054,则有可能是铁壳的TO-66或T0-5,而学用的CS9013,有TO-92A , TO-92B ,

常用光电子器件介绍

主要光电子器件介绍 【内容摘要】 光自身固有的优点注定了它在人类历史上充当不可忽略的角色,本文从几种常见的光电子器件的介绍来展示光纤通信技术的发展。 【关键词】 光纤通信光电子器件 【正文】 光自身固有的优点注定了它在人类历史上充当不可忽略的角色,随着人类技术的发展,其应用越来越广泛,优点也越来越突出。 将优点突出的光纤通信真正应用到人类生活中去,和很多技术一样,都需要一个发展的过程。从宏观上来看,光纤通信主要包括光纤光缆、光电子器件及光通信系统设备等三个部分,本文主要介绍几种常见的光电子器件。 1、光有源器件 1)光检测器 常见的光检测器包括:PN光电二极管、PIN光电二极管和雪崩光电二极管(APD)。目前的光检测器基本能满足了光纤传输的要求,在实际的光接收机中,光纤传来的信号及其微弱,有时只有1mW左右。为了得到较大的信号电流,人们希望灵敏度尽可能的高。 光电检测器工作时,电信号完全不延迟是不可能的,但是必须限制在一个范围之内,否则光电检测器将不能工作。随着光纤通信系统的传输速率不断提高,超高速的传输对光电检测器的响应速度的要求越来越高,对其制造技术提出了更高的要求。 由于光电检测器是在极其微弱的信号条件下工作的,而且它又处于光接收机的最前端,如果在光电变换过程中引入的噪声过大,则会使信噪比降低,影响重现原来的信号。因此,光电检测器的噪声要求很小。 另外,要求检测器的主要性能尽可能不受或者少受外界温度变化和环境变化的影响。 2)光放大器 光放大器的出现使得我们可以省去传统的长途光纤传输系统中不可缺少的光-电-光的转换过程,使得电路变得比较简单,可靠性也变高。 早在1960年激光器发明不久,人们就开始了对光放大器的研究,但是真正开始实用化的研究是在1980年以后。随着半导体激光器特性的改善,首先出现了法布里-泊罗型半导体激光放大器,接着开始了对行波式半导体激光放大器的研究。另一方面,随着光纤技术的发展,出现了光纤拉曼放大器。80年代后期,掺稀土元素的光纤放大器脱颖而出,并很快达到实用水平,应用于越洋的长途光通信系统中。 目前能用于光纤通信的光放大器主要是半导体激光放大器和掺稀土金属光纤放大器,特别是掺饵光纤放大器(EDFA)倍受青睐。1985年英国南安普顿大学首次研制成掺饵光纤,1989年以后掺饵光纤放大器的研究工作不断取得重大

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