AlGaN GaN HEMTs on Epitaxies Grown on Composite Substrate

AlGaN GaN HEMTs on Epitaxies Grown on Composite Substrate
AlGaN GaN HEMTs on Epitaxies Grown on Composite Substrate

AlGaN/GaN HEMTs on Epitaxies Grown on

Composite Substrate

V. Hoel, S. Boulay, H. Gerard, V. Rabaland, E. Delos, J.C. De Jaeger #1,

M.A.Di-Forte-Poisson, C. Brylinski #2 H. Lahreche, R. Langer, P. Bove #3

# 1

IEMN/TIGER, UMR-CNRS 8520, USTL, Avenue Poincaré,59652 Villeneuve d’Ascq cedex-FRANCE

jean-claude.dejaeger@iemn.univ-lille1.fr # 2

III-V Lab/TIGER, Route de Nozay, 91461 Marcoussis CEDEX-FRANCE

# 3

PICOGIGA INTERNATIONAL, Place Marcel Rebuffat, Parc de Villejust, 91971 Courtaboeuf cédex7-FRANCE

Abstract —In this paper, are presented the first results obtained from AlGaN/GaN HEMTs devices processed on both MBE and MOCVD epitaxial structures grown on “composite” substrates. These substrates are based on innovative structures in which a thin Si or SiC single crystal layer is transferred on top of a thick polycrystalline iC wafer with a thin iO 2 intermediary insulating layer. The fabrication of the transistors is based on the process flow developed by “TIGER” for HEMT epitaxy on SiC bulk substrates. The obtained results show the capabilities of such composite devices, providing HEMT device electrical and small signal microwave performance similar to those obtained currently on bulk single crystal S iC substrates. The composite substrate approach appears as very promising for applications requiring low cost microwave power devices, such as mobile communications.

I. I NTRODUCTION

AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) prototypes for microwave power amplification are usually fabricated from epitaxial stacks on sapphire, silicon carbide or

silicon substrate. Today, single crystal semi-insulating silicon

carbide (4H or 6H) is the most suitable substrate material

owing to its lower mismatch with GaN and very good thermal

conductivity (450W/K.m), although it is still very expensive.

Therefore, many intense research programs, world wide, aim

at using lower cost substrates, such as silicon, together with

good enough performance for low cost applications such as

wireless communication systems [1-2]. Recently, progress on

substrate engineering has provided new alternative

technological approaches based on composite substrates. This

paper reports on the fabrication and characterisation results of

AlGaN / GaN HEMT device fabricated on two types of composite substrates, both made of a thin single crystal layer transferred onto a thick polycrystalline silicon carbide base,

using a variant of the SOITEC “Smart Cut TM ” process.

F or ”SopSic” composite substrates the top layer crystal is

<111> silicon, while for “SiCopSiC”, it is <0001> silicon

carbide.

II. C OMPOSITE SUBSTRATES S ingle crystal S iC on polycrystalline S iC (S iCopS iC). This structure combines the unique seeding properties of semi-insulating <0001> Si-face 4H or 6H on-axis SiC single crystal surface with the high thermal conductivity (300W/K.m) of inexpensive polycrystalline SiC, therefore providing a significant improvement of the global material cost while keeping the same level of HEMT device electrical performance for similar channel temperature.

Single crystal Si on polycrystalline SiC ( SopSiC ).

The silicon seeding layer is available with large diameter, and almost perfect crystal ordering, from low cost highly reproducible wafers allowing the manufacturing of GaN HEMT devices on large diameter wafers, while the polycrystalline SiC provides significantly improved thermal conductivity as compared to bulk silicon (x2). This approach can be dedicated to large volume applications.

III. E PITAXY The AlGaN/GaN epitaxial stack can be grown onto the

composite substrates using any of the two main techniques

available for III-N HEMT epitaxy : MBE (Molecular Beam

Epitaxy) [3] and MOCVD (Metal Organic Chemical Vapour

Deposition) [4]. The usual stack used for growth on bulk

single crystal substrates consists in: (1) a complex seeding

layer, (2) a thick GaN buffer layer (>500nm) followed by (3) a

thin AlGaN layer (typically 25-30 nm).

The same kind of stacking has been used for growing our

HEMT epitaxial stacks on composite substrates.

IV. D EVICE PROCESSING The device processing is based on optical lithography. The gate length is 1, 2 or 3 μm. The source-gate distance is 1.5μm

and the gate to drain distance is 2 μm. The masks set includes

transistors with width of 2x50μm, 2x100μm, 2x150μm and

2x200μm. Specific patterns are also available for the characterisation of the substrate.

The transistor fabrication process flow is derived from the one developed at “TIGER” for the fabrication of transistors on

Proceedings of the 2nd European Microwave Integrated Circuits Conference

bulk single crystal SiC or Si substrates [5]. The main device processing steps are the following:

?Wafer cleaning using Nitric and Hydrochloric Acid;

?Ohmic contacts. The metallization used is Ti/Al/Ni/Au (12nm/200nm/40nm/100nm) followed by 30s annealing at 900°C under nitrogen atmosphere;

?Isolation of transistors, performed by He + Implantation, ?Rectangular Mo/Au gates metallisation and patterning, ?SiO 2/ SiN passivation (100nm/50nm) stack is deposited by PECVD,

?

After passivation opening, the thick interconnection Ti/Au metallisation is evaporated and patterns by lift-off.

F irst initial results were obtained on a prototype MBE / SopSiC structure, yielding a maximum drain source courant of 250mA/mm. This rather low value mainly originates from poor ohmic contacts coming from material specificities. An improvement of the ohmic contacts was obtained by adding an etching step, performed either by in-situ Ar + ion beam in the evaporator, or by CH 4/H 2/Ar plasma etching. The DC I-V measurements after ohmic contacts improvements, presented figure 1, demonstrate encouraging results. The drain current curves are measured on devices before passivation. The gate bias starts with V GS =0V and varies by 1V step to the pinch-off. Furthermore, the device demonstrates good pinch-off voltage characteristics.

01002003004005000

20

40

60

Ids (mA/mm)

Vds (V)

Fig.1 DC current voltage characteristics for a MBE / SopSiC transistor

(gate bias ranging from -4V to 0V).

MBE standard epitaxial wafer on SiCopSiC substrate was

also processed. For ohmic contacts, in-situ argon etching (2mn, 300eV) was performed in the evaporator before metallization, giving a good behaviour.DC I-V characteristics were measured under probes before passivation (F ig.2). The drain current density, measured at V GS =0V before device passivation, is 470mA/mm for a 2x50μm transistor, which is a good value for Lg=1μm gate length. It may be even improved after device passivation. The good pinch-off behaviour shows the quality of the epitaxial buffer and underlying substrate.

Two MOCVD epitaxial AlGaN/GaN HEMT wafers on

SiCopSiC substrate were also processed. 010203040

500

5

10

15

VDS (V)

D r a i n c u r r e n t (m A )

Fig.2 DC current voltage characteristics for a MBE / SiCopSiC transistor.

The growth conditions were identical to those used on bulk

single crystal SiC substrates. The DC, microwave and power characterisation are presented in the following paragraphs. V.C HARACTERISATION

Hall measurements were carried out at room temperature, at different locations on the wafer (table 1). The values of R ,Ns, and P are identical to those routinely obtained on bulk SiC substrate. Measurements were also performed on TLM patterns, processed with standard ohmic contacts process flow (table 2). The average resistance R c is 0.11:.mm with a contact resistivity U c of 2.65 10-7:.cm 2. Those results are at the state-of-art level and identical to those usually obtained on bulk SiC substrate. The I-V characteristics exhibit symmetrical saturation, good linearity, and they are uniform over the whole epilayer. The sheet resistance R values deduced from the TLM method are in good agreement with those obtained from eddy current measurements.

Table.1 Hall measurements on MOCVD epitaxy on SiCopSiC

Table.2 Ohmic contact results on MOCVD epitaxy on SiCopSiC Isolation voltage handling was also evaluated. F or a 5μm

spacing, the current is around 30μA/mm at 150V. This result

0V

-1V

-2V

-3V

demonstrates the good isolation between devices provided by straight He + implantation

.1,E-111,E-091,E-071,E-051,E-031,E-01

00,511,522,5VGS (V)I G (A )

0,0E+00

1,0E-03

2,0E-03

3,0E-03

4,0E-03

5,0E-03

I G (A )

Fig.3 Schottky forward I-V characteristic

Figures 3 and 4 represent the current-voltage characteristics of Schottky contacts under forward and reverse conditions, typical of a good behaviour of the Schottky barrier, with particularly low reverse leakage current.The reverse current is close to 30nA/mm at 30V, the barrier heigh ?B and the ideality factor ? are respectively ?B =1.06 eV and ?

= 1.4.

-20

-15

-10

-5

-10

-8

-6

-4

-2

0VGS (V)

I G (n A )

Fig.4 Schottky contact reverse I-V characteristics

As an illustration, figure 5 shows the current-voltage

characteristics for a 2x50μm 2 transistor with L g =2 μm. The

maximum current I DS at V GS = 0V is high: 410 mA/mm, and the maximum transconductance is 135 mS/mm. Again, the device exhibits excellent pinch-off behaviour and very smooth

dependence of the transconductance with V GS .

100

200300

400

0510

VDS (V)

I D S (m A /m m )

VGS = 0V

VGS = -1V

VGS = -2V

VGS = -3V

Fig.5 Drain source current-voltage characteristics for a MOCVD/SiCopSiC device

For a 2x100μm transistor with L g = 1 μm, the maximum current I DS at V GS = 0V reaches 565 mA/mm for -3.5V pinch-off voltage, and the maximum transconductance is 163

(mS/mm) (Fig.6).

Vgs(V)

Fig.6 Transconductance for a MOCVD/SiCopSiC device

S parameters were also measured versus frequency for a 2x100μm transistor with L g = 1 μm. The current gain H 21 is 13dB at 2.5 GHz (Fig.7). The current gain cut-off frequency F t is 12GHz associated to F max = 38GHz (extrinsic values). These first results are encouraging and F max value is close to those currently obtained on transistors with similar structure processed on bulk single crystal SiC substrate. A good F t /F max ratio over 2 and a good scaling for different gate lengths are observed.

Fig.7 Extrinsic cutoff frequency Ft of a 200*1 μm2 at V DS = 10V. Pulse measurements were carried out in order to study the trapping effects. The DC pulsed characteristics are presented

figure 8 for transistor based on SiCopSiC MOCVD substrate and figure 9 for transistor based on SiCopSiC MBE substrate. All quiescent bias points are chosen to simultaneously

eliminate the thermal effect and to reveal the gate and drain lag effects. The pulse I DS -V DS characteristics determined at the

quiescent point (V DS0=0V, V GS0=pinch-off voltage) are

compared to the I DS -V DS reference in order to analyze the gate

lag effect. On the same figure, the pulse I DS -V DS characteristics determined at the quiescent point (V DS0=10V,

V GS0=-4V) for MOCVD SiCopSiC and (V DS0=15V, V GS0=-4V)

for MBE SiCopSiC are presented in order to point up the drain lag effect. In these both conditions and for the two types of structures MOCVD and MBE SiCopSiC substrates, a

decrease of the maximum drain current density is observed.

The too high lag effects observed on this first result must be improved from the device passivation or the device epilayer.

Fig.8 DC pulsed I-V characteristics of a 2*100*1 μm2 MOCVD on SiCopSiC

with three quiescent bias points. V gs swept from -4V to 0V by step of 1V

Fig.9 DC pulsed I-V characteristics of a 2*150*1 μm2 MBE on SiCopSiC with three quiescent bias points. V GS swept from -4V to 0V by step of 1V

https://www.360docs.net/doc/b515059149.html,RGE SIGNAL CHARACTERIZATION

Large signal power measurements were performed in continuous wave (CW) under probes at 4 GHz, using an automatic active load pull system developed in our laboratory. Figure 10 presents the power gain, the power added efficiency (PAE), and the output power versus the device absorbed input power. The results are plotted for a 200-μm HEMT with L g = 1μm for the MOCVD on SiCopSiC substrate. At the bias point V DS =10V and V GS =-1.5V, under class A operation, an output power density of 0,4W/mm, a maximum PAE of 29% and a linear gain of about 15dB are achieved by the selected device at the maximum output power. These results can be predicted from the pulse I-V characteristics determined at device operating conditions. The large signal power measurement was also performed at the bias point V DS =20V and V GS =-1.5V, under class A operation. An output power density of 0,6W/mm, a maximum PAE of 21% and a linear gain of about 14dB are achieved. This small power increasing versus V DS is correlated to the drain lag effect. F urthermore some transistors instabilities are observed when V DS = 20V. If these performances are far from the power density commonly obtained on the usual substrates by TIGER laboratory [1;5], the results are promising and will be improved in the future.

Fig.10 Power characteristics at F=4GHz for a 2x100x1 μm 2 transistor

(V DS =10V, V GS =-1.5V).

VII.C ONCLUSIONS

This paper shows the first results obtained on AlGaN/GaN HEMTs devices processed on epitaxy grown on SopSiC and SiCopSiC composite substrates.The process of epitaxies on composite substrates needs practically the same know-how than those on standard substrates. The transistors behaviours in DC and RF small signals are identical to those observed on similar devices processed on bulk SiC substrates, demonstrating the usability of composite substrates for AlGaN/GaN HEMT fabrication.The process will be improved to avoid lag effects and to get high microwave power. The results are very promising for the fabrication of low cost high power microwave transistors for wireless communication systems.

A CKNOWLEDGMENT

The authors would like to thank the European Commission for its support under the HYPHEN project. (IST contract n°027455).

R EFERENCES

[1] D. DUCATTEAU, A. MINKO, V. HOEL, E. MORVAN, E. DELOS, B. GRIMBERT, H. LARECHE, P. BOVE, C. GAQUIERE, J.C. DE JAEGER and S.L. DELAGE, “Output power density of 5.1W/mm at 18 GHZ with an AlGaN/GaN HEMT on Si substrate,” IEEE Electron Device Lett., vol. 27, pp. 7-9, Jan. 2006.

[2] D.C. DUMKA, C. LEE, H.Q. TSERNG, P. SAUNIER and M.KUMAR, “AlGaN/GaN HEMT’s on Si SUBSTRATE with 7W/mm output power density at 10 GHz,” Electron. Lett., vol.40, n° 16, pp.1023-1024, Aug. 2004.

[3]H. LAHRECHE, B. F ORE, C. RICHTARCH, F . LETERTRE, R. LANGER and P. BOVE, “Progress in wicrowave GaN HEMT grown by MBE on Silicon and smart cut/spl trade/engineered substrates for high power applications,” European EGAAS 2005, pp.369-371, Oct. 2005.

[4]M.A. DI F ORTE POISSON, M. MAGIS, M. TORDJMAN, R. AUBRY, M. PESCHANG, S.L. DELAGE, J. DI PERSIO, B. GRIMBERT, V. HOEL, E. DELOS, D. DUCATTEAU and C. GAQUIERE, “LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on Silicon Carbide. Application to HEMT’s devices” Proceedings of MRS Fall Meeting, Boston, 2003.

[5] E. MORVAN, B. GRIMBERT, V. HOEL, N. CAILLAS, M.A. DI F ORTE POISSON, C. DUA, R. AUBRY, D. DUCATTEAU, E. DELOS, J.C. DE JAEGER and S.L. DELAGE, “TIGER AlGaN/GaN HEMT technology” GAAS 2004, Amsterdam, Oct. 2004.

魔方七步复原公式

魔方7步复原法 第一步:底部十字(复原底层四个棱块) 我们以白色中心块做底层,第一步我们在复原白蓝、白红、白绿、白橙这四个棱块的时候,我们可以先把白色面旋转到顶层,和黄色中心块同一个平面,然后再把他对应的另一个颜色(蓝或红或绿或橙)经过旋转最上层,使之和对应的中心块的颜色同色,这样我们再旋转180度,对应的棱块就正确复原到底部了。 第二步:底角归位(复原魔方第一层四个角块) 复原基本思想:先将目标角块调至顶层侧面,再转动能与之相连形成顺色整体的面,使目标角与底棱连成一个(1×1×2)的归位整体,再转至正确的位置。 公式2-1:(RUR') 公式2-2:(F'U'F) 第三步:中棱归位(复原魔方中层四个棱块) 魔方中间层共有四个棱块,也只是四个棱块需要复原,下面是两个比较常见的情形,我们主要介绍的就是这两种情况的复原方法。

公式3-1:(U'F'UF)(URU'R') 第四步:顶棱面位(顶层四个棱块的顶面颜色和顶层中心块颜色一样) 魔方底下两层复原以后,我们接着要来复原最上面的顶层了。首先我们要在顶层架一个十字也就是让顶层的四个棱块先面位(先不考虑顺序是否正确)。 这一步我们只用一个公式就可以完成顶部十字,如果你现在的状况正好是图4-1的情况,你只需要用一个公式4-1就可完成顶部十字,如果是图4-2的情况,你只需要用公式4-2即可完成。 相对顶棱面位 第五步:顶角面位(四个顶角的顶面色全部调至顶面) 当我们完成了顶层十字以后,我们来完成顶角的面位(即顶层角块的翻色)。 公式5-1:R'U2RUR'UR 公式3-2:(URU'R')

公式5-2:LU2L'U'LU'L' 第六步:顶角归位(面位的四个顶角的其它两面颜色和对应面的中心块颜色同色) 这一步我们在复原顶层角块的时候,先观察有无两个侧面颜色一样的情况,如图所示,如果有,同色的侧面面向自己的位置,即F 面,用公式6即可完成。如果不是这种情况,可随便用一次公式6,就一定会出现有两个角块的侧面颜色一样的情况,我们再用一次公式6即可完成。 公式6:(RB'RF2)(R'BRF2)R2 第七步:顶棱归位(已经面位的四个顶棱的另一面的颜色和所在的另四个面的中心块颜色同色) 魔方顶层的四个角块正确归位以后,我们来观察顶层的四个棱块。只需用逆时针公式转化即可。 公式:(RU'R )(URUR )(U'R'U'R'2) 注:F 代表前面顺时针转90度 B 代表背面顺时针转90度 U 代表顶面顺时针转90度 L 代表左面顺时针转90度 R 代表右面顺时针转90度 D 代表底面顺时针转90度 以上字母加一撇代表对应面逆时针转90度,字母后面的数字代表该字母对应面转动180度

初中数学知识点总结汇总结构图

有理数数轴:数轴是规定了原点、正方向、单位长度的一条直线。 有理数 概念:凡能写成形式的数,都是有理数。(正整数、0、负整数统称整数;正分数、负分数统称分数;整数和分数统称有理数.注意:0即不是正数, 也不是负数;-a不一定是负数,+a也不一定是正数;π不是有理数。) 有理数的分类:①有理数 正有理数 零 负有理数 正整数 正分数 负整数 负分数 ②有理数 整数 分数 正整数 零 负整数 正分数 负分数 相反数 (1)只有符号不同的两个数,我们说其中一个是另一个的相反数;0的相反数还是0; (2)相反数的和为0 ? a+b=0 ? a、b互为相反数。 绝对值:正数的绝对值是其本身,0的绝对值是0,负数的绝对值是它的相反数;注意:绝对值的意义是数轴上表示某数的点离开原点的距离; 有理数比大小 (1)正数的绝对值越大,这个数越大; (2)正数永远比0大,负数永远比0小; (3)正数大于一切负数; (4)两个负数比大小,绝对值大的反而小; (5)数轴上的两个数,右边的数总比左边的数大; (6)大数-小数>0,小数-大数<0。 互为倒数:乘积为1的两个数互为倒数;注意:0没有倒数;若a≠0,那么的倒数是; 若ab=1? a、b互为倒数;若ab=-1? a、b互为负倒数。 有理数乘方的法则 (1)正数的任何次幂都是正数; (2)负数的奇次幂是负数;负数的偶次幂是正数;注意:当n为正奇数时: (-a)n=-a n 或(a -b)n=-(b-a)n , 当n为正偶数时: (-a)n =a n 或(a-b)n=(b-a)n . 科学记数法:把一个大于10的数记成a×10n的形式,其中a是整数数位只有一位的数,这种记数法叫科学记数法. 近似数的精确位:一个近似数,四舍五入到那一位,就说这个近似数的精确到那一位。 有效数字:从左边第一个不为零的数字起,到精确的位数止,所有数字,都叫这个近似数的有效数字。 举几个例子:3一共有1个有效数字,0.0003有一个有效数字,0.1500有4个有效数字, 1.9*10^3有两个有效数字(不要被10^3迷惑,只需要看1.9的有效数字就可以了,10^n 看作是一个单位)。 整式的加单项式:在代数式中,若只含有乘法(包括乘方)运算。或虽含有除法运算,但除式中不含字母的一类代数式叫单项式。 单项式的系数与次数:单项式中不为零的数字因数,叫单项式的数字系数,简称单项式的系 数;系数不为零时,单项式中所有字母指数的和,叫单项式的次数。 多项式:几个单项式的和叫多项式。

数据中心机房建设概述

数据中心机房建设概述 发布时间:2012-03-06 14:33 浏览量: 2076 一、数据中心的概念 数据中心(DataCenter)通常是指在一个物理空间内实现信息的集中处理、存储、传输、交换、管理,而计算机设备、服务器设备、网络设备、存储设备等通常认为是网络核心机房的关键设备。 关键设备运行所需要的环境因素,如供电系统、制冷系统、机柜系统、消防系统、监控系统等通常被认为是关键物理基础设施。 二、机房工程(数据中心)的类型及特点 电子机房主要有计算机机房、电信机房、控制机房、屏蔽机房等。这些机房既有电子机房的共性,也有各自的特点,其所涵盖的内容不同,功能也各异。 (一)计算机机房 计算机机房内放置重要的数据处理设备、存储设备、网络传输设备及机房保障设备。计算机机房的建设应考虑以上设备的正常运行,确保信息数据的安全性以及工作人员身心健康的需要。 大型计算机机房一般由无人区机房、有人区机房组成。无人区机房一般包括小型机机房、服务器机房、存储机房、网络机房、介质存储间、空调设备间、UPS设备间、配电间等;有人区机房一般包括总控中心机房、研发机房、测试机房、设备测试间、设备维修存储间、缓冲间、更衣室、休息室等。 中、小型计算机机房可将小型机机房、服务器机房、存储机房等合并为一个主机房。 (二)电信机房 电信机房是每个电信运营商的宝贵资源,合理、有效、充分地利用电信机房,对于设备的运行维护、快速处理设备故障、降低成本、提高企业的核心竞争力等具有十分重要的意义。 电信机房一般是按不同的功能和专业来区分和布局的,通常分为设备机房、配套机房和辅助机房。 设备机房是用于安装某一类通信设备,实现某一种特定通信功能的建筑空间,便于完成相应专业内的操作、维护和生产,一般由传输机房、交换机房、网络机房等组成。配套机房是用于安装保证通信设施正常、安全和稳定运行设备的建筑空间,一般由计费中心、网管监控室、电力电池室、变配电室和油机室等组成。 辅助机房是除通信设施机房以外,保障生产、办公、生活需要的用房,一般由运维办公室、运维值班室、资料室、备品备件库、消防保安室、新风机房、钢瓶间和卫生间等组成。在一般智能建筑中通信机房经常与计算机网络机房合建。 (三)控制机房 随着智能化建筑的发展,为实现对建筑中智能化楼宇设备的控制,必需设立控制机房。控制机房相对于数据机房、电信机房而言,机房面积较小,功能比较单一,对环境要求稍低。但却关系到智能化建筑的安全运行及设备、设施的正常便用。

(完整版)七年级下册数学知识结构图

第五章知识结构如下图所示: 第六章知识结构 第七章知识结构框图如下:

(二)开展好课题学习 可以如下展开课题学习: (1)背景了解多边形覆盖平面问题来自实际. (2)实验发现有些多边形能覆盖平面,有些则不能. (3)分析讨论多边形能覆盖平面的基本条件,发现问题与多边形的内角大小有密切关系,运用多边形内角和公式对实验结果进行分析. (4)运用进行简单的镶嵌设计. 首先引入用地砖铺地,用瓷砖贴墙等问题情境,并把这些实际问题转化为数学问题:用一些不重叠摆放的多边形把平面的一部分完全覆盖.然后让学生通过实验探究一些多边形能否镶嵌成平面图案,并记下实验结果:

(1)用正三角形、正方形或正六边形可以镶嵌成一个平面图案(图1).用正五边形不能镶嵌成一个平面图案. (2)用正三角形与正方形可以镶嵌成一个平面图案.用正三角形与正六边形也可以镶嵌成一个平面图案. (3)用任意三角形可以镶嵌成一个平面图案, 用任意四边形可以镶嵌成一个平面图案(图2).

观察上述实验结果,得出多边形能镶嵌成一个平面图案需要满足的两个条件: (1)拼接在同一个点(例如图2中的点O)的各个角的和恰好等于360°(周角); (2)相邻的多边形有公共边(例如图2中的OA两侧的多边形有公共边OA). 运用上述结论解释实验结果,例如,三角形的内角和等于180°,在图2中,∠1+∠2+∠3=180°.因此,把6个全等的三角形适当地拼接在同一个点(如图2), 一定能使以这点为顶点的6个角的和恰好等于360°,并且使边长相等的两条边贴在一起.于是, 用三角形能镶嵌成一个平面图案.又如,由多边形内角和公式,可以得到五边形的内角和等于 (5-2)×180°=540°. 因此,正五边形的每个内角等于 540°÷5=108°, 360°不是108°的整数倍,也就是说用一些108°的角拼不成360°的角.因此,用正五边形不能镶嵌成一个平面图案. 最后,让学生进行简单的镶嵌设计,使所学内容得到巩固与运用.1.利用二(三)元一次方程组解决问题的基本过程 2.本章知识安排的前后顺序

数据中心建设架构设计

数据中心架构建设计方案建议书 1、数据中心网络功能区分区说明 功能区说明 图1:数据中心网络拓扑图 数据中心网络通过防火墙和交换机等网络安全设备分隔为个功能区:互联网区、应用服务器区、核心数据区、存储数据区、管理区和测试区。可通过在防火墙上设置策略来灵活控制各功能区之间的访问。各功能区拓扑结构应保持基本一致,并可根据需要新增功能区。 在安全级别的设定上,互联网区最低,应用区次之,测试区等,核心数据区和存储数据区最高。 数据中心网络采用冗余设计,实现网络设备、线路的冗余备份以保证较高的可靠性。 互联网区网络 外联区位于第一道防火墙之外,是数据中心网络的Internet接口,提供与Internet高速、可靠的连接,保证客户通过Internet访问支付中心。 根据中国南电信、北联通的网络分割现状,数据中心同时申请中国电信、中国联通各1条Internet线路。实现自动为来访用户选择最优的网络线路,保证优质的网络访问服务。当1条线路出现故障时,所有访问自动切换到另1条线路,即实现线路的冗余备份。

但随着移动互联网的迅猛发展,将来一定会有中国移动接入的需求,互联区网络为未来增加中国移动(铁通)链路接入提供了硬件准备,无需增加硬件便可以接入更多互联网接入链路。 外联区网络设备主要有:2台高性能链路负载均衡设备F5 LC1600,此交换机不断能够支持链路负载,通过DNS智能选择最佳线路给接入用户,同时确保其中一条链路发生故障后,另外一条链路能够迅速接管。互联网区使用交换机可以利用现有二层交换机,也可以通过VLAN方式从核心交换机上借用端口。 交换机具有端口镜像功能,并且每台交换机至少保留4个未使用端口,以便未来网络入侵检测器、网络流量分析仪等设备等接入。 建议未来在此处部署应用防火墙产品,以防止黑客在应用层上对应用系统的攻击。 应用服务器区网络 应用服务器区位于防火墙内,主要用于放置WEB服务器、应用服务器等。所有应用服务器和web服务器可以通过F5 BigIP1600实现服务器负载均衡。 外网防火墙均应采用千兆高性能防火墙。防火墙采用模块式设计,具有端口扩展能力,以满足未来扩展功能区的需要。 在此区部署服务器负载均衡交换机,实现服务器的负载均衡。也可以采用F5虚拟化版本,即无需硬件,只需要使用软件就可以象一台虚拟服务器一样,运行在vmware ESXi上。 数据库区

七步还原任何魔方及新手教程

七步还原任何魔方方法 首先,破解魔方,我们就要先了解它的结构,魔方共6色6面,每面又分为中央块(最中间的块6个)、角块(4角的块8个)和边块(4条边中间的块12个)。其中中央块只有1个面,他们是固定的结构,所以中央是红色的块,那么其他的红色都要向这个面集中。而且红色的中央块对面永远是橙色中央块(国际标准是这么规定的)。而边块有2个面2个颜色,角块则有3个面3个颜色。 接下来我们将每个面都用字母代表: 然后破解功略里会用字母来说明要转动的1层或1面,以及方向:例如:R(代表右面顺时针转90度),R`(代表右面逆时针转90度),R2(代表右面顺时针转2次90度) 下面是图示:

最后要说明的是:每面的名称是相对的,例如F是前面,就是手拿魔方时面向自己的一面,若把模仿旋转到另一面,那么就有新的一面成为前面。 好了 下面就让我们尝试下7步将魔方还原吧! 1.先将中间是白色块的一面(有个rubiks logo的那块)对着上面,然后在顶部做出白十字,就是其他颜色的块都到相应的位置(小复杂,见图示,注意上面标的口诀哦,照做无误) 2、然后是将白色的角块归位(秘籍说的很复杂,还是看图比较容易理解啦

2.然后让中层边块归位。 把白色面转向下,找出红绿边块,若红绿边块在顶层则按顺时针方向转动顶层,直到边块与图上的1个情况相同,在按照口诀转动魔方,使边块归位。若红绿边块在中间某层,但位置错误或颜色错误,则先使红绿边块在右前方的位置,再重新按照下面其中一个次序旋 转1次。

3.然后将顶层(应该是黄色)边块调整向上,做出黄十字。若按照口诀转动1次后,顶层仍未出现黄色十字,可重复按口诀转动,直到黄色十字出现为止。 5.然后将黄色角块调整到十字周围,有点难度,看口诀提示吧。

电子厂元器件基础认知

电子厂电子元器件基础认知 一、电阻器:(单位换算、功率大小辨别、色标法计算阻值与误差。) 1.碳膜电阻器 2.金属膜电阻器 3.线绕电阻器 4.氧化膜电阻器 5.压敏电阻器 6.热敏电阻器 7.湿敏电阻器 8.水泥电阻器 a.电阻器: 在电路图中用字母R表示,单位为欧姆,单位符号用Ω表示。欧姆是德国物理学家,电阻的国际单位制“欧姆”以他的名字命名。 b.电阻单位换算: 常用的电阻单位有毫欧(mΩ)、欧姆(Ω)、千欧(KΩ)、兆欧(MΩ),换算进率为1000。 1000毫欧(mΩ)=1欧姆(Ω)=0.001千欧(KΩ)=0.000001兆欧(MΩ) c.额定功率: 规定环境温度下,常见允许消耗功率有1/16W 、 1/8W 、 1/4W 、 1/2W 、 1W 、 2W 、 5W 、10W。 d.色环电阻器电阻值色标法识别:

a.国内贴片电阻的命名方法: 1、5%精度的命名:RS-05K102JT 2、1%精度的命名:RS-05K1002FT R -表示电阻 S -表示功率: 05 -表示尺寸(英寸):02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、 1812表示1812、10表示2010、12表示2512。 K -表示温度系数为100PPM。 102-5%精度阻值表示法:前两位为有效数字,第三位表示有多少零,单位Ω,102=1000Ω=1KΩ。1002-1%精度阻值表示法:前三位为有效数字,第四位表示有多少零,单位Ω,1002=10000Ω=10KΩ。J -表示精度为5% F -表示精度为1% T -表示编带包装 b.误差精度: 贴片电阻阻值误差精度有±1%、±2%、±5%、±10%精度,常规用的最多的是±1%和±5%,±5%精度的常规是用三位数来表示,例512,前面两位是有效数字,第三位数2表示有多少个零,单位Ω,这样就是5100Ω=5.1KΩ。为了区分±5%,±1%的电阻,于是±1%的电阻常规多数用4位数来表示,这样前三位是表示有效数字,第四位表示有多少个零,例如:3901,即3900Ω=3.9KΩ。 c.三种阻值标称法: 1.数字索位标称法(电阻本体上用几位数字来标明其阻值,一般矩形片状电阻采用这种标称法。) 三位表示法:第一位和第二位为有效数字,第三位表示在有效数字后面所加“0”的个数.这一位不会出现字母。 例如:“472’表示“4700Ω=4.7 KΩ”;“151”表示“150Ω”。 四位表示法:前三位表示有效数字,第4位表示倍率。例如: 2702=27000Ω=27kΩ

魔方公式口诀

魔方分级教材 ★魔方公式基础知识★ F,B,L,R,U,D分别代表魔方的前,后,左,右,上,下六个面,(上黄下白前红后橙左蓝右绿)如图所示: 一个字母代表顺时针转90度,字母加“ ' ”表示逆时针转90度,加“2”表示转180度 单层转:F、B、L、R、U、D,F'、B'、L'、R'、U'、D',F2、B2、L2、R2、U2、D2 两层转(单层转的同时中间层一起转):f、b、l、r、u、d,f '、b'、l'、r'、u'、d',f2、b2、l2、r2、u2、d2 整体转(三层转):x、y、z,x'、y'、z',x2、y2、z2【方向对应为x-R,y-U,z-F】 转中层:M、M'、M2 (M的方向同R) 图示:

F B r y' M 三叶虫老师的教程) 开始学习之前,请大家先自行查阅资料了解下列概念:棱块、角块、中心块、面、层、十字、T字形、顶视图等概念,因本教程是黑白打印教程,不好标注,就不再讲解了。好在很简单,大家稍微想想或看看其它资料就能理解。好了,不再废话,让我们开始神奇的魔方之旅吧。 第一级最简单好记的方法 本方法只强调简单好记,预计1——2小时就能学会。 【第一步】完成单面十字架(建议用白色面,本文用白色面作为底部。如果不理解什么是标准十字架,请先自行查阅下相关资料。) 要点:正规的方法是完成单面十字的同时,要对好红橙蓝绿四个面第二层中心块颜色。本方法为了方便新手,将这一步拆解为两个步骤。 步骤一:先在单面架出一个白色的十字。注意点一:只要单面的中心块和四个棱块是白色的就行,其它四个角块是不是白色不必理会。注意点二:为了方便新手,这时十字架先不去对应红橙蓝绿四个面第二层中心块颜色,也就是说,只在白色单面翻出一个十字就可以了。 步骤二:单面十字架完成后再运用下面两个公式来对应中心块颜色,(注意,这时十字架需摆放在上面)。如果还想简单,只用图2公式也行,遇到图1情况,用图2公式就可转化为图2情况。 图1 顶视图相对棱对调:R U2 R′U2 R或者M2 U2 M2 图2 顶视图相邻棱对调: R U′R ′UR或者R′U′R U R′ 【第二步】还原第一层,和第二层中心块颜色形成T字形

初中数学知识结构图1

初中数学知识结构图 两点说明: 一、初中数学知识总共包括代数、几何、统计概率三部分。本资料亦按照这一架构汇总。 二、背诵本资料请一定把握以下三点: 1、背诵定义,不仅要背诵定义内容,而且一定要牢记定义中的条件要素; (注:大部分定义等同于公式,同样可以用于解题。比如定义的条件就是选择、填空甚至大题必考的考点。) 2、背诵公式,不仅要背诵公式内容,而且一定要熟记书上的标记例题,掌握公式的运用; 3、不管是背诵定义还是公式,头脑中务必要时刻与平时所做的练习题尤其是错题结合起来,加深对有关公式 定义的理解。 (注:以上三条同样适用于其他各学科。) 1 / 16

2 / 16 1、代数(这部分主要包括实数、代数式、方程式、不等式、函数五个内容。) 1.1 实数 有理数和无理数统称为实数。(实数包括有理数和无理数。) 有理数:整数与分数统称为有理数。它是有限小数或无限循环小数(带循环节符号,如5.? 36?4)。 1.1.1概念 无理数:无限不循环小数叫无理数。(无限不循环小数:①带省略号......;②与π 有关;③带根号且开不尽。如5.63……;3π;3;33) 正整数:如1,2,3...... 整数 零: 0 (0既不是正数也不是负数) 负整数:如 -1,-2....... ① 正分数:如21,34,5.2 ...... 分数 负分数:如-3.5,-65...... 有理数 (通常有 正整数(正数“+”可省略不写,“-”不行。但具体生活题最好写正号,如往东100米写作“+100”) 两种分 正有理数 (我们常常用正数和负数表示一些具有相反意义的量。如往东计正,往西就计负) 类方法) 正分数 ② 零:0 ① 负整数 负有理数 1.1.2 负分数 实数 正无理数 分类 无理数 (通常 负无理数 两种) 正实数(包括正有理数和正无理数)

三阶魔方还原公式-图文教程

三阶魔方还原公式图文教程(希望对新手有用) 魔方还原法Rubic's Cube Solution ————先看理论“ 魔方的还原方法很多 在这里向大家介绍一种比较简单的魔方六面还原方法。这种方法熟练之后可以在大约30秒之内将魔方的六面还原。 在介绍还原法之前,首先说明一下魔方移动的记法。魔方状态图中标有字母“F”的为前面,图后所记载的操作都以这个前面为基准。各个面用以下字母表示: F:前面 U:上面 D:下面 L:左面 R:右面 H:水平方向的中间层 V:垂直方向的中间层 魔方操作步骤中,单独写一个字母表示将该面顺时针旋转90度,字母后加一个减号表示将该面逆时针旋转90度,字母后加一个数字2表示将该面旋转180度。H的情况下,由上向下看来决定顺逆时针方向;V的情况下,由右向左看来决定顺逆时针方向。例如 U:将上层顺时针旋转90度 L-:将左面逆时针旋转90度 H2:将水平中间层旋转180度 目录 上层四角还原 下层四角还原 上下层八角还原 上下层边块还原 中层边块还原 上层四角还原 首先我们用最简单的几步使得上层的三个角块归位,暂不必考虑四周的色向位置)。还有一个角块存在五种情况,归位方法如下。 L D L- F- D- F D L2 D- L2 F L D- L- L- F- D F

下层四角还原 上层四角归位后,将上层放在下面位置上,作为下层。然后看上层和四周的颜色和图案排列,按照以下的操作使上层四个角块一次归位。共存在七种情况。 R2 U2 R- U2 R2 R- U- F- U F U- F- U F R R U R- U R U2 R- L- U- L U- L- U2 L R- U- F- U F R R U R- U- F- U- F R U- R- U- F- U F 上下层八角还原 要是上层和下层八个角块色向位置全部相同,存在下面五种情况: 当上下二层八个角块色向位置都不对时:按照(1)旋转。 当下层四个角块色向位置不对,上层相邻两个角块色相位置对时:将上层色向位置相同的两个角块放在后面位置上,按照(2)旋转。 当下层四个角块色向位置对,上层相邻两个角块色相位置也对时:将上层色向位置相同的两个角块放在前面位置上,按照(2)旋转后即变成第一种情况。 当下层四个角块色向位置对,上层四个角块色向位置不对时:按照(2)旋转后即变成第二种情况。 当下层相邻两个角块色向位置对,上层相邻两个角块色向位置也对时:将下层色向位置相同的两个角块放在右面位置上,上层色相位置相同的两个角块放在前面位置上,按照(2)旋转之后即变成第二种情况。(1) R2 F2 R2 (2) R- D F- D2 F D- R 上下层边块还原 按照下图所示操作方法将上下层的边块归位。在上层边块归位时,要注意四周的色向位置。留下一个边块不必马上归位,留作下层边块归位时调整使用。 上层三个边块归位之后,将该层放在下面位置上作为下层,然后将上层的四个边块归位。操作时,为了不破坏下层已经归位的边块,必须将下层留下的一个未归位的边块垂直对着上层要归位的边块的位置。 R- H- R R H R-

著名元器件厂商

著名元器件厂商 Actel 反熔丝PLD/FPGA AIC (沛亨)电源管理,模拟器件 Allegro 模拟元件 Agilent (安捷伦)射频元件,测试仪器 ALi (扬智科技)PC主板及外设芯片等 Altera CPLD/FPGA ALPHA 电源IC,模拟器件,已被SIPEX收购 ALPS 无源元件 AMCC SDH,PCI等专用芯片 AMD x86 CPU 通信IC,flash Analog Devices (AD)模拟器件,DSP Atmel 存储器,单片机,PLD A VX 高品质电容器 Benchmarq Technology 电源管理,被TI收购 BitBlitz 高速背板接口器件 Burr-Brown (BB)A/D,D/A,小信号处理,被TI收购 California Micro Device 模拟器件 Catylst 串行EEPROM C-Cube Microsystems VCD/DVD 视频芯片 Centillium ADSL方案 Cherry Semiconductor Cirrus Logic (凌云逻辑)与Crystal合并,混合信号器件,AD/DA,视频音频器件 CKcorp COSEL 电源模块 Conexant (科胜讯)通讯半导体 Crystal 混合信号器件,AD/DA,视频音频器件 Cypress Semiconductor SRAM,FIFO,DPRAM,FCT,PLD Cyrix x86 CPU,被威盛收购 Dallas Semiconductor 时钟IC,T1/E1接口,RAM,通讯IC,电源管理,被MAIXIM收购Elantec 运放,电源等模拟器件 EPSON (爱普生)晶振,时钟芯片,液晶显示器,ASIC Exar 通讯芯片 Fairchild (仙童)分立元件,MOSFET等 Fujitsu (富士通)存储器,单片机等 Galileo (伽俐略)以太网交换, 系统控制器,被Marvell收购 G.E.C. Plessy 电源 Halo 变压器 Harris Semiconductor 通用IC,通讯IC,军品很多,分立元件,已改名Intersil Hitachi (日立)分立元件,存储器,单片机,通用IC Hyundai (现代)存储器,单片机等 IBM Microelectronics CPU,专用芯片

三阶魔方高级还原CROSS七步法详解

三阶魔方高级还原CFOP教程之CROSS七步法详解 迅速有效的解决cross问题是一个比较难的问题,没有公式,只能根据实践和经验,初学者很难看到解决cross的最少步骤,更不要说执行的最佳途径了,在此,想为大家讲下建十字的一些技术,后面有三个例子,讲解的很详细,但是不要期望一天就能全部熟练掌握。 分析表明,所有的cross都可以在八步完成,而且99.95%的都是在五、六、七步就完成了,所以如果你每次都能看到最短路径或者接近最短路径的方法,并且能较快的转动,那么在一两秒完成CROSS就是一件可能的事情。 首先,cross应该在底面完成,如果你是顶面完成的话,赶紧改过来,因为在底面完成的优点有,一,顶层视角宽阔,便于首组F2L观察,二,F2L时不需要翻转魔方,节省时间,有的人为了转动顺手在左面完成cross,这不在本文的考虑方面。 其次,要知道你的魔方的配色,尤其是对立色,我用的是上黄,下白,前红,后橙,左蓝,右绿,也就是你起码要知道红对橙,蓝对绿,最好顺序也记住。比如下面四个图,你应该很快知道通过D转,这四个图都是一样的cross完成状态。 我们把棱块分为两类(我定义的不准确,只是为了下面解释方便而已) 一,“直接块”,通过一次转动(或者不需转动)就可以把白色转到底面,这样的棱块叫“直接块” 直接块共有四种,一是棱块在顶层且白色朝上,二是棱块在中层白色朝左,三是棱块在中层白色朝右,四是棱块在底层且白色朝下。如下面四个图中的蓝白棱块,都是一步(或者不需要)就可以下底,所以是直接块。 二,“间接块”,通过两次转动才可以把白色转到底面,这样的棱块叫“间接块” 间接块共有两种,一是棱块在顶层且白色朝侧面,二是棱块在底层且白色朝侧面,如下面两个图中的蓝白块,都最少需要两步才可以下底,所以是间接块。 下面介绍一个最重要的定律,三色定律,此定律在CROSS的过程中应用十分普遍,必须熟练掌握,下面通过几个问题来一步步引导三色定律的容。 第一个问题(看下图)如果我转一个R',那么底棱的相对位置正确吗?

初中数学知识点及结构图(修改版)

七年级数学(上)知识点 人教版七年级数学上册主要包含了有理数、整式的加减、一元一次方程、图形的认识初步四个章节的内容. 第一章 有理数 一. 知识框架 二.知识概念 1.有理数: (1)凡能写成)0p q ,p (p q ≠为整数且形式的数,都是有理数.正整数、0、负整数统称整数;正 分数、负分数统称分数;整数和分数统称有理数.注意:0即不是正数,也不是负数;-a 不一定是负数,+a 也不一定是正数;π不是有理数; (2)有理数的分类: ① ??? ? ????? ????负分数负整数负有理数零正分数正整数 正有理数有理数 ② ???????????????负分数正分数分数负整数零正整数整数有理数 2.数轴:数轴是规定了原点、正方向、单位长度的一条直线. 3.相反数: (1)只有符号不同的两个数,我们说其中一个是另一个的相反数;0的相反数还是0; (2)相反数的和为0 ? a+b=0 ? a 、b 互为相反数. 4.绝对值: (1)正数的绝对值是其本身,0的绝对值是0,负数的绝对值是它的相反数;注意:绝对值的意义是数轴上表示某数的点离开原点的距离; (2) 绝对值可表示为:?????<-=>=) 0a (a )0a (0) 0a (a a 或???<-≥=)0a (a )0a (a a ;绝对值的问题经常分类讨论;

5.有理数比大小:(1)正数的绝对值越大,这个数越大;(2)正数永远比0大,负数永远比0小;(3)正数大于一切负数;(4)两个负数比大小,绝对值大的反而小;(5)数轴上的两个数,右边的数总比左边的数大;(6)大数-小数 > 0,小数-大数 < 0. 6.互为倒数:乘积为1的两个数互为倒数;注意:0没有倒数;若 a ≠0,那么a 的倒数是 a 1 ;若ab=1? a 、b 互为倒数;若ab=-1? a 、b 互为负倒数. 7. 有理数加法法则: (1)同号两数相加,取相同的符号,并把绝对值相加; (2)异号两数相加,取绝对值较大的符号,并用较大的绝对值减去较小的绝对值; (3)一个数与0相加,仍得这个数. 8.有理数加法的运算律: (1)加法的交换律:a+b=b+a ;(2)加法的结合律:(a+b )+c=a+(b+c ). 9.有理数减法法则:减去一个数,等于加上这个数的相反数;即a-b=a+(-b ). 10 有理数乘法法则: (1)两数相乘,同号为正,异号为负,并把绝对值相乘; (2)任何数同零相乘都得零; (3)几个数相乘,有一个因式为零,积为零;各个因式都不为零,积的符号由负因式的个数决定. 11 有理数乘法的运算律: (1)乘法的交换律:ab=ba ;(2)乘法的结合律:(ab )c=a (bc ); (3)乘法的分配律:a (b+c )=ab+ac . 12.有理数除法法则:除以一个数等于乘以这个数的倒数;注意:零不能做除数, 无意义即0 a . 13.有理数乘方的法则: (1)正数的任何次幂都是正数; (2)负数的奇次幂是负数;负数的偶次幂是正数;注意:当n 为正奇数时: (-a)n =-a n 或(a -b)n =-(b-a)n , 当n 为正偶数时: (-a)n =a n 或 (a-b)n =(b-a)n . 14.乘方的定义: (1)求相同因式积的运算,叫做乘方; (2)乘方中,相同的因式叫做底数,相同因式的个数叫做指数,乘方的结果叫做幂; 15.科学记数法:把一个大于10的数记成a ×10n 的形式,其中a 是整数数位只有一位的数,这种记数法叫科学记数法. 16.近似数的精确位:一个近似数,四舍五入到那一位,就说这个近似数的精确到那一位. 17.有效数字:从左边第一个不为零的数字起,到精确的位数止,所有数字,都叫这个近似数的有效数字. 18.混合运算法则:先乘方,后乘除,最后加减. 本章内容要求学生正确认识有理数的概念,在实际生活和学习数轴的基础上,理解正

数据中心网络的体系结构

软件学报 ISSN 1000-9825, CODEN RUXUEW Journal of Software,2013,24(2):295?316 [doi: 10.3724/SP.J.1001.2013.04336] ?中国科学院软件研究所版权所有 .
E-mail: jos@https://www.360docs.net/doc/b515059149.html, https://www.360docs.net/doc/b515059149.html, Tel/Fax: +86-10-62562563
数据中心网络的体系结构
?
魏祥麟 1,2, 陈 鸣 2, 范建华 1, 张国敏 2, 卢紫毅 1
1 2
(南京电讯技术研究所,江苏 南京
210007) 210007)
(解放军理工大学 指挥信息系统学院,江苏 南京
通讯作者 : 魏祥麟 , E-mail: wei_xianglin@https://www.360docs.net/doc/b515059149.html,

要:
在新的应用模式下,传统层次结构数据中心网络在规模、带宽、扩展性和成本方面存在诸多不足.为了适
应新型应用的需求,数据中心网络需要在低成本的前提下,满足高扩展性、低配置开销、健壮性和节能的要求.首先, 概述了传统数据中心网络体系结构及其不足,并指出了新的需求;其次,将现有方案划分为两类,即以网络为中心和 以服务器为中心的方案;然后,对两类方案中的代表性结构进行了详细的综述和对比分析;最后指出了数据中心网络 未来的发展方向. 关键词: 数据中心;网络;体系结构;拓扑;路由 中图法分类号: TP393 文献标识码: A
中文引用格式 : 魏祥麟 ,陈鸣 ,范建华 ,张国敏 ,卢紫毅 .数据中心网络的体系结构 .软件学报 ,2013,24(2):295?316. http://www.jos. https://www.360docs.net/doc/b515059149.html,/1000-9825/4336.htm 英文引用格式 : Wei XL, Chen M, Fan JH, Zhang GM, Lu ZY. Architecture of the data center network. Ruanjian Xuebao/Journal of Software, 2013,24(2):295?316 (in Chinese). https://www.360docs.net/doc/b515059149.html,/1000-9825/4336.htm
Architecture of the Data Center Network
WEI Xiang-Lin1,2,
1 2
CHEN Ming2,
FAN Jian-Hua1,
ZHANG Guo-Min2,
LU Zi-Yi1
(Nanjing Telecommunication Technology Research Institute, Nanjing 210007, China) (College of Command Information Systems, PLA University of Science and Technology, Nanjing 210007, China)
Corresponding author: WEI Xiang-Lin, E-mail: wei_xianglin@https://www.360docs.net/doc/b515059149.html, Abstract: Under the new application mode, the traditional hierarchy data centers face several limitations in size, bandwidth, scalability,
and cost. In order to meet the needs of new applications, data center network should fulfill the requirements with low-cost, such as high scalability, low configuration overhead, robustness and energy-saving. First, the shortcomings of the traditional data center network architecture are summarized, and new requirements are pointed out. Secondly, the existing proposals are divided into two categories, i.e. server-centric and network-centric. Then, several representative architectures of these two categories are overviewed and compared in detail. Finally, the future directions of data center network are discussed. Key words: data center; network; architecture; topology; route
信息服务的集约化、社会化和专业化发展使得因特网上的应用、计算和存储资源向数据中心迁移.商业化 的发展促使了承载上万甚至超过 10 万台服务器的大型数据中心的出现.截至 2006 年,Google 在其 30 个数据中 心拥有超过 45 万台服务器,微软和雅虎在其数据中心的服务器数量也达到数万台[1].随着规模的扩大,数据中心 不仅承载了传统的客户机/服务器应用,而且承载了包括 GFS 和 MapReduce 在内的新应用[2].这种趋势一方面突
?
基金项目 : 国家自然科学基金 (61070173, 61103225, 61201216); 国家重点基础研究发展计划 (973)(2012CB315806); 中国博士 收稿时间 : 2012-08-09; 定稿时间 : 2012-10-19; jos 在线出版时间 : 2012-11-23 CNKI 网络优先出版 : 2012-11-23 12:17, https://www.360docs.net/doc/b515059149.html,/kcms/detail/11.2560.TP.20121123.1217.006.htm
后科学基金 (201150M1512); 江苏省自然科学基金 (BK2010133); 国防科技重点实验室基金 (9140C020302110C0206)

2014全球十大电子元器件分销商排行榜

2014全球十大电子元器件分销商排榜 阅读数 72015-03-13 14:41 电子分销商是电子产业不可或缺的一环,推动着电子产业高速发展。其灵活、无孔不入的特点使得电子分销商能够渗透整个电子产业及供应链的方方面面,从全球电子分销商排名中我们可以看到,电子分销业正处于稳定发展期。下面小编带大家了解2014全球十大电子分销商。 NO.1、安富利集团(Avnet) 安富利集团(Avnet),财富500强公司,是全球最大的电子元件、计算机产品和嵌入技术分销商之一,服务于全球70多个国家的客户。安富利连接世界领先的技术提供商和超过10万的涵盖广泛领域的客户,并通过提供高性价比的增值服务和解决方案助力其合作伙伴取得成功。截止于今年7月3日的2010财年,安富利集团的财政收入达到191.6亿美元。 在全球增长最快的电子市场--亚太地区,安富利电子元件部的地位举足轻重。公司亚太区总部位于新加坡,在亚洲10个国家设有40多家销售机构,分销半导体、互连、无源和机电元件,为原始设备制造商(OEMs)、电子制造服务(EMS)供应商及中小企业等不同客户服务,提供相关的设计链和供应链支持。 基于对IT服务发展趋势的正确理解、对客户需求的准确把握和渠道共赢的发展思维,安富利(中国)科技有限公司入华刚刚满两年,就已经交上了一份华丽的成绩单,包括IB M、SUN、甲骨文、华为等在内的数百家合作伙伴已经与安富利科技中国区建立了密切的业务关系。安富利科技中国区不仅将国际上一流的产品提供商引进了中国市场,还带来了各种众多先进的IT解决方案。目前安富利(中国)科技有限公司在北京、上海、广州和成都建设了四个展示和移植中心,今后安富利科技中国区将进一步展开从东到西、从中心城市到二三级城市的覆盖,为解决日益复杂的中国市场IT需求而不断努力。 NO.2、艾睿电子(ArrowElectronics)

七步玩转三阶魔方还原公式及步骤图解教程

七步玩转三阶魔方还原公式及步骤图解教程 魔方Rubik's Cube又叫魔术方块,也称鲁比克方块,是匈牙利布达佩斯建筑学院厄尔诺鲁比克教授在1974年发明的。三阶魔方系由富有弹性的硬塑料制成6面正方体,共有26块小立方体。魔方与中国人发明的华容道”法国人发明的独立钻石”一块被称为智力游戏界的三大不可思议。 接下来是教程,字比图重要的多,一定要认真看字,图只是辅助。 关于魔方,你需要知道: 无论怎么转,每一个面的最中间的块[图:1-面中心块]是固定不动的。所以每一面的中心块颜色决定了该面的颜色。 无论怎么转,位于顶角的有三种颜色的块[图:2-顶角块]永远会在某一个顶角;位于棱中间的有两种颜色的块[图:2-棱中间块]永远会在某一个棱的中间。 所谓的公式,就是用一定的套路告诉你每个面该怎么转。所用到的字母U D L R F B 分别代表魔方的上下左右前后6个面。如上图(后方那面(B)—般不用,所以没有展示)。在字母后加一个撇('),表示把该面逆时针旋转,不加撇的就是顺时针转。如R表示右侧面逆时针转。 第一步首面十字 这里以白色面为例。想要转出一个面,最先要转出一个十字形。但是十字也不是随意哪个白色块都可以的。在转出十字的同时,必须保证上层的棱中间块的颜色与该面相同。这个步骤需要自己稍微摸索。如下图:

.第一步果然很重要,很多同学还是不懂。我前几天也尝试把第一步详细写出来,可是分布情况实在太多,写着写着自己都绕晕了。而且第一步一旦你上手之后就会发现非常的简单。所以请原谅我这根懒惰的神经,这一步就不详细图解了,大家请根据下面那张图和文字摸索一下吧: 1.要先定位你要复原的棱中心块。比如说,面朝你的一面是蓝色的, 最上层是白色的,于是你就要先找到[白-蓝]块到底跑哪去了,然后把它复原到原位,即下图中标有黄色阴影的1号位置。 2.下一步,打个比方吧,你想要复原[白-红]块。从面中心块可以了 解到,完成后的红色面会在蓝色面的右边,在白色面的下面的2号位置。(好吧这里实在忍不住了吐个也進图的时候貌似把红蓝色搞反了,大家… 将就自动脑补一下吧??…(—▽—"))于是当你找到迷失的[白-红]块后,先不要在意第二层的面中心块的颜色,只要保证把它转到下图中的2号位置,然后转一下最上层,你会发现蓝色与蓝色,红色与红色都会对齐的.…… (TTTTf表示这个解释真的很模糊… 但是这一步实在是… 等你把这一步摸索会了之后你就会知道为什么我写不出来详细图解了…… 另外,强烈建议最开始的时候先反复练习这一步。反复反复练习,会让你加深对魔方的认知的。) 第二步首面顶角归位&完成第一层 这一步会让零散的白色顶角块归位。 首先要确认颜色与相邻三边都相同的白色顶角块的位置。如下图,最靠近

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