FC封装基板简介

年产xx吨显示屏封装基板项目实施方案

年产xx吨显示屏封装基板项目实施方案参考模板

年产xx吨显示屏封装基板项目实施方案封装基板已经成为封装材料细分领域销售占比最大的原材料，占封装材料比重超过50%，全球市场规模接近百亿美金。有机封装基板主要用于消费电子领域，目前是封装基板的主流产品，根据数据统计，有机封装基板的产值占整个IC封装基板的80%。该显示屏封装基板项目计划总投资18446.40万元，其中：固定资产投资13216.87万元，占项目总投资的71.65%；流动资金5229.53万元，占项目总投资的28.35%。达产年营业收入41436.00万元，总成本费用31471.17万元，税金及附加381.34万元，利润总额9964.83万元，利税总额11720.63万元，税后净利润7473.62万元，达产年纳税总额4247.01万元；达产年投资利润率54.02%，投资利税率63.54%，投资回报率40.52%，全部投资回收期 3.97年，提供就业职位634个。报告目的是对项目进行技术可靠性、经济合理性及实施可能性的方案分析和论证，在此基础上选用科学合理、技术先进、投资费用省、运行成本低的建设方案，最终使得项目承办单位建设项目所产生的经济效益和社会效益达到协调、和谐统一。 ......

封装基板是芯片封装体的重要组成材料，主要起承载保护芯片与连接上层芯片和下层电路板作用。封装基板作为芯片封装的核心材料，一方面能够保护、固定、支撑芯片，增强芯片导热散热性能，保证芯片不受物理损坏，另一方面封装基板的上层与芯片相连，下层和印刷电路板相连，以实现电气和物理连接、功率分配、信号分配，以及沟通芯片内部与外部电路等功能。随着封装技术向多引脚、窄间距、小型化的趋势发展，封装基板已经逐渐成为主流封装材料。

关于成立显示屏封装基板公司可行性分析报告

报告摘要说明封装基板是芯片封装体的重要组成材料，主要起承载保护芯片与连接上层芯片和下层电路板作用。封装基板作为芯片封装的核心材料，一方面能够保护、固定、支撑芯片，增强芯片导热散热性能，保证芯片不受物理损坏，另一方面封装基板的上层与芯片相连，下层和印刷电路板相连，以实现电气和物理连接、功率分配、信号分配，以及沟通芯片内部与外部电路等功能。随着封装技术向多引脚、窄间距、小型化的趋势发展，封装基板已经逐渐成为主流封装材料。 xxx实业发展公司由xxx集团（以下简称“A公司”）与xxx科技公司（以下简称“B公司”）共同出资成立，其中：A公司出资1000.0万元，占公司股份62%；B公司出资620.0万元，占公司股份38%。 xxx实业发展公司以显示屏封装基板产业为核心，依托A公司的渠道资源和B公司的行业经验，xxx实业发展公司将快速形成行业竞争力，通过3-5年的发展，成为区域内行业龙头，带动并促进全行业的发展。 xxx实业发展公司计划总投资18738.37万元，其中：固定资产投资13847.08万元，占总投资的73.90%；流动资金4891.29万元，占总投资的26.10%。根据规划，xxx实业发展公司正常经营年份可实现营业收入43589.00万元，总成本费用33777.80万元，税金及附加391.79万元，

利润总额9811.20万元，利税总额11556.26万元，税后净利润7358.40万元，纳税总额4197.86万元，投资利润率52.36%，投资利税率61.67%，投资回报率39.27%，全部投资回收期4.05年，提供就业职位795个。集成电路产业链大致可以分为三个环节：芯片设计、晶圆制造和封装测试。封装基板属于封装材料，是集成电路产业链封测环节的关键载体，不仅为芯片提供支撑、散热和保护作用，同时为芯片与PCB之间提供电子连接，甚至可埋入无源、有源器件以实现一定系统功能。封装材料中封装基板占比46%左右，是集成电路产业链中的关键配套材料。

LED封装基板

高功率LED的封装基板发展趋势相关专题：电子资讯时间：2011-09-21 11:01 来源：华强电子网长久以来显示应用一直是led发光元件主要诉求，并不要求LED高散热性，因此LED大多直接封装于一般树脂系基板，然而2000年以后随著LED高辉度化与高效率化发展，尤其是蓝光LED元件的发光效率获得大幅改善，液晶、家电、汽车等业者也开始积极检讨LED的适用性。现今数码家电与平面显示器急速普及化，加上LED单体成本持续下降，使得LED 应用范围，以及有意愿采用LED的产业范围不断扩大，其中又以液晶面板厂商面临欧盟颁布的危害性物质限制指导(RoHS: Restriction of Hazardous Substances Directive)规范，而陆续提出未来必须将水银系冷阴极灯管(CCFL: Cold Cathode Fluorescent Lamp)全面无水银化的发展方针，其结果造成高功率LED的需求更加急迫。技术上高功率LED封装后的商品，使用时散热对策实为非常棘手，而此背景下具备高成本效率，且类似金属系基板等高散热封装基板的产品发展动向，成为LED 高效率化之后另1个备受嘱目的焦点。环氧树脂已不符合高功率需求以往LED的输出功率较小，可以使用传统FR4等玻璃环氧树脂封装基板，然而照明用高功率LED的发光效率只有20%~30%，且芯片面积非常小，虽然整体消费电力非常低，不过单位面积的发热量却很大。汽车、照明与一般民生业者已经开始积极检讨LED的适用性，业者对高功率LED 期待的特性分别是省电、高辉度、长使用寿命、高色彩再现性，这意味著散热性佳是高功率LED封装基板不可欠缺的条件。树脂基板的散热极限多半只支持0.5W以下的LED，超过0.5W以上的LED封装大多改用金属系与陶瓷系高散热基板，主要原因是基板的散热性对LED的寿命与性能有直接影响，因此封装基板成为设计高辉度LED商品应用时非常重要的元件。金属系高散热基板又分成硬质(rigid)与可挠曲(flexible)系基板两种，硬质系基板属于传统金属基板，金属基材的厚度通常大于1mm，广泛应用在LED灯具模块与照明模块，技术上它与铝质基板相同等级高热传导化的延伸，未来可望应用在高功率LED封装。可挠曲系基板的出现是为了满足汽车导航仪等中型LCD背光模块薄形化，以及高功率LED三次元封装要求的前提下，透过铝质基板薄板化赋予封装基板可挠曲特性，进而形成兼具高热传导性与可挠曲性的高功率LED封装基板。

封装基板技术的发展

封装基板技术的发展芯片封装基板是印刷电路板中一个特殊的类别。它提供给先进芯片封装，例如BGA，CSP和倒装芯片使用．它的尺寸较小。通常在3、4厘米或更小。它要求在较小的区域具有较高的布线密度，以便将芯片上的所有引线脚通过金线键合或倒装芯片技术连接到封装基板上的焊盘上。制成封装体，再通过封装体上焊点连接到系统组装基板上。对用倒装芯片互连的封装体，在芯片正下方封装基板局部地区往往要求极高的布线密度。芯片封装基板都采用层积技术制造。集成电路正在发生巨大变革。它对电子封装和印刷电路板正在产生重大影响。近几年来，集成电路芯片制造技术已进入纳米范围，并正在向物理”极限”挑战。集成电路的集成度越来越高。功能越来越强，所需引线脚数越来越多。集成电路的这种快步发展使得集成电路芯片封装基板面临着巨大的挑战。相对于半导体集成电路技术的发展，印刷电路板技术的发展却显得相对落后。两者的差距甚至在扩大。二十年来刻线能力的进展。印刷电路板工业没能跟上半导体工业的步伐。集成电路功能增强，使得管脚引线增多。在八十中叶，IBM(美国)就展示了具有10，000个焊盘的芯片。传统的周边引线封装型式已变得不可能。解决办法则是从周边引线封装型式转变为面阵列分布型封装型式。球栅阵列封装，芯片规模封装和倒装芯片等面阵列型芯片封装型式的采用和发展使得电子系统高性能化和微型化。特别是

倒装芯片技术将是下一代新型高性能电子系统内，芯片至次一级封装内连的最关键的技术。然而在设计和制造安装这些芯片的基板方面却遇到了巨大的困难。常规的印刷电路板技术包括单层板和多层板都不能满足这些新型封装的布线要求。在这种先进封装需求驱动下而发展起来的高密度互连封装基板技术已经成为了所有高端电子产品和移动电子产品，包括移动手机，笔记本电脑，游戏机，工作站，直至航天航空仪器所必需的基本技术。多年来INEMI，SIA，ITRS，IPC等学会组织了大量的学者和专家进行了长期调研，预测了今后十数年内半导体集成电路技术发展趋势和半导体工业的需求。表一展示了由ITRS发布的2005至2010年间微电子技术发展和对高端产品对倒装芯片技术的需求。可以看到在今后四至五年内，倒装芯片的引线脚将增加到4600至4800个，引线脚中心间距将减小到100微米。假设焊盘尺寸为中心间距的一半(50微米)，为在此间距内布入二至三根金属导线，则线宽和线距必需在10微米或更细．即使布入一根线，线宽和线距也必需小于16、17微米。目前最先进的印刷电路板技术约在20、30微米，与这要求还有相当大的差距。印刷电路技术今后将继续提高布线密度，制造更薄更小的

封装基板及其基材的新发展(下)

ＡＩｎＨ是叠层构造，部品安装用焊盘下方可以赋予内层互连用的ＶＬ～，ＡＩｎＨ是全层ⅣＨ构造和全层均一规格。ＡＩⅣＨ有效利用了自动设计，正在开发包容ＡＩⅣＨ功能的自动布线设计系统，提高ＡＩ风Ｈ的设计容易性。自动布线设计系统是根据网表的连接情报，满足端子之间设定的线宽、间距和ⅣＨ数量等条件，实现１００％连接的系统。检验结果表明，安装０．＆１１ＩＩｌ间距的ＣＳＰ３封装用途的９００对针的ＡＩⅣＨ［６层基板，采用过去的设计系统连线率为８０％左右，而采用新的自动设计布线系统在ｌ１１ｒ左右就可以完成１００％的布线（图４）。，ＡＬＪＶ咿段针待徵奇活批Ｌ自勤化１００％遵成！图４ＡＬ｜ＶＨ自动设计系统６今后的ＰＣＢ设计课题今后关于ＶＣＣＩ、ＦＣＣ等的ＥＭＩ管制更严，携带电话和ＰＤＡ等电子设备的小型轻量化要求更高，因此Ｐ｜（强要求更细的图形，更高的密度，更薄型轻量化的基板，Ｐ（强设计对Ｑ气Ｄ系统的依赖性更高。通过Ｑｍ可以实行自动设计，但是人必须掌握主动权，Ｑ气Ｄ是由人开发的，还要靠人去利用、去改进，才能促进Ｐ（强设计的进步。电路设计者和布图（Ｌａｖｏｕｔ）设计者只具备某一方面的知识是不够的，而是要具备广泛的知识，应该拆除相互之间的篱笆，协同进行开发设计。今后人们期望着高精度自动化的Ｑ∞ｌ系统与人共存。参考文献［１］乾尚弘，电子安装技术，Ｖ０１．１５Ｎｏ．１ｌ，１９９９．１１．林金堵校上接第１０页参考文献［１］祝大同，ＰＣＢ基板材料走向高性能、系列化（九），《印制电路信息》，Ｎｏ．５，２０００［２］铃木铁秋（日），半导体／≮、ｙ穸一≯关连基板材料，《电子材料》，Ｎｏ．５，２０００［３］高野希等（日），半导体实装用低热膨胀、高弹性率基板材料，《工ｐ夕卜口二夕灭实装技术学会志》，Ｎｏ．３，２０００［４］人野哲朗（日），匕，ｐ卜、丁、、／７。配线板用绝缘材料，《工Ｌ／夕｝、口二夕叉实装学会志》，Ｎｏ．６．１９９９［５］羽崎拓奇（日），ＣＯ。沙一吵一汇土弓加工力｛可能万、表面平滑性允优札允新夕／ｆ７。屯登场——７。ｌＪ７Ｌ／少（ＢＴ），《电子技术》，№．６．２０００［６］日诘雅博（日），疗乡灭ＢＴ铜张积层板，《电子技术》Ｎｏ．６，１９９９［７］神田正昭（日），力、、乡灭ＢＴ铜张积层板，《电子技术》Ｎｏ．６，２０００［８］《电子材料》编辑部（日），１ＰＣＡ趼ＩＯｗ２０００，《电子材料》Ｎｏ．７，２０００［９］樱井弘之（日），７。ｌＪ工卜基板④高密度化艺今后④展开，《工Ｌ／夕卜口二夕叉实装技术》Ｎｏ．６，２０００［１０］大桥嘉隆（日），７Ｌ／专夕７、、，ｐ铜张积层板（工术音夕），《电子技术》№．６，１９９９［１１］石丸修（日），７ｐ等三／７，Ｌ，铜张积层板（工水专夕），《电子技术》，Ｎｏ．６，２０００［１２］田中善喜（日），／弋、、／夕一≯７夕、’用廿７、、叉卜沙一卜材料汇招Ｃ于为现状匕动向，《工Ｌ／夕卜口二夕灭实装技术》，№．２，２０００［１３］田中善喜、小野寺稔（日），ＩＪｓＩ实装用液晶水ｌＪ７材料，《工ｐ夕卜口二夕灭实装学会志》，Ｎｏ．２，１９９９

PCB封装术语

1、BGA(ball grid array) 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为，引脚数为225。现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见OMPAC 和GPAC)。 2、BQFP(quad flat package with bumper) 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。引脚中心距，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。 3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。 4、C－(ceramic) 表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 5、Cerdip 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心

IC封装基板技术简介

IC封装基板技术随着电子产品微小型化、多功能化和信号传输高频高速数字化，要求PCB迅速走向高密度化、高性能化和高可靠性发展。为了适应这个要求，不仅PCB迅速走向HDIBUM板、嵌入（集成）元件PCB等，而且IC封装基板已经迅速由无机基板（陶瓷基板）走向有机基板（PCB板）。有机IC封装基板是在HDI/BUM板的基础上继续‘深化（高密度化）’而发展起来的，或者说IC封装基板是具更高密度化的HDI/BUM板。 1 封装基板的提出及其类型 1.1 有机封装基板的提出封装基板是用于把多个一级（可用二级）封装IC组件再封（组）装形成更大密度与容量的一种基板。由于这类基板的封装密度很高，因此，其尺寸都不大，大多数为≤50*70mm2。过去主要是采用陶瓷基板，现在迅速走向高密度PCB封装基板。（1）陶瓷封装基板。陶瓷封装基板的应用已有几十年的历史了，基优点是CTE较小，导热率较高。但是，随着高密度化、特别是信号传输高频高速数字化的发展，陶瓷封装基板遇到了严厉的挑战。 ①介电常数εr大（6∽8）。信号传输速度V是由来介电常数εr决定的，如下式可得知。 V=k·C/(εr)1/2 其中：k——为常数；C——光速。这就是说，采用较小的介电常数εr，就可以得到较高的信号传输速度。还有特性阻抗值等问题。 ②密度低。L/S≥O.1mm，加上厚度厚、孔径大，不能满足IC高集成度的要求。 ③电阻大。大多采用钼形成的导线，其电阻率（烧结后）比铜大三倍多或更大，发热量大和影响电气性能。 ④基板尺寸不能大，影响密度和容量提高。由于陶瓷基板的脆性大，不仅尺寸不能大，而且生产、组装和应用等都要格外小心。 ⑤薄型化困难。厚度较厚，大多数为1mm以上。 ⑥成本高。（2）有机（PCB）基板。有机（PCB）基板，刚好与陶瓷封装基板相反。 ①介电常数εr小（可选择性大，大多用3∽4的材料）。 ②高密度化好。L/S可达到20∽50μm，介质层薄，孔径小。 ③电阻小。发热低，电气性能好。 ④基板尺寸可扩大。大多数为≤70*100mm2。 ⑤可薄型化，目前，双面/四层板，可达到100∽300μm。 ⑥成本低。在1991年，由日本野洲研究所开发的用于树脂密封的倒芯片安装和倒芯片键合（连接）的PCB和HDI/BUM板，这些有机封装基板和HDI/BUM板等比陶瓷基板有更优越的的有利因素和条件，使它作为IC的裸芯片封装用基板是非常合适的，特别是用于倒芯片（FC）的金属丝的封装上，既解决了封装的CTE匹配问题，又解决了高密度芯片的安装的可行性问题。关于PCB基板的CTE较大和导热差方面，可以通过改进和选择CCL基材得到较好的解决。 1.2 IC封装基板的类型

什么是基板

什么是基板现今，印制电路板已成为绝大多数电子产品不可缺少的主要组件。单、双面印制板在制造中是在基板材料-覆铜箔层压板(Copper-(2lad I。aminates，CCI。)上，有选择地进行孔加工、化学镀铜、电镀铜、蚀刻等加工，得到所需电路图形。另一类多层印制板的制造，也是以内芯薄型覆铜箔板为底基，将导电图形层与半固化片(Pregpr’eg)交替地经一次性层压黏合在一起，形成3层以上导电图形层间互连。因此可以看出，作为印制板制造中的基板材料，无论是覆铜箔板还是半固化片在印制板中都起着十分重要的作用。它具有导电、绝缘和支撑三个方面的功能。印制板的性能、质量、制造中的加工性、制造成本、制造水平等，在很大程度上取决于基板材料。二、基板的发展历史基板材料技术与生产，已历经半世纪的发展，全世界年产量已达2．9亿平方米，这一发展时刻被电子整机产品、半导体制造技术、电子安装技术、印制电路板技术的革新发展所驱动。自1943年用酚醛树脂基材制作的覆铜箔板开始进入实用化以来，基板材料的发展非常迅速。1959年，美国得克萨斯仪器公司制作出第一块集成电路，对印制板提出了更高的高密度组装要求，进而促进了多层板的产生。1961年，美国Hazeltine Corpot ation公司开发成功用金属化通孔工艺法的多层板技术。1977年，BT树脂实现了工业化生产，给世界多层板发展又提供了一种高低Tg的新型基板材料。 1990年日本IBM公司公布了用感光树脂作绝缘层的积层法多层板新技术，1997年，包括积层多层板在内的高密度互连的多层板技术走向发展成熟期。与此同时，以BGA、CSP为典型代表的塑料封装基板有了迅猛的发展。20世纪90年代后期，一些不含溴、锑的绿色阻燃等新型基板迅速兴起，走向市场。我国基板材料业经40多年的发展，目前已形成年产值约90亿元的生产规模。2000年，我国大陆覆铜板总产量已达到6400万平方米，创产值55亿元。其中纸基覆铜板的产量已跻身世界第三位。但是在技术水平、产品品种、特别是新型基板的发展上，与国外先进国家还存在相当大的差距。三、基板的分类

各封装的区别

1、BGA(ball grid array)球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。 2、BQFP(quad flat package with bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见QFP)。 3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)表面贴装型PGA的别

称(见表面贴装型PGA)。 4、C－(ceramic)表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。 6、Cerquad表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。 7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。 8、COB(chip on board)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。

PCB基板及基本介绍

基板和FR4的介绍字体大小：大| 中| 小2008-04-25 10:15 - 阅读：228 - 评论：0 什么是基板什么是基板,基板就是制造P CB的基本材料,我们一般时说什么是基板的情况下,指的基板就是覆铜箔层压板,本文介绍什么是基板,基板的发展历史,以及基板的分类方法以及执行标准。一、什么是基板现今，印制电路板已成为绝大多数电子产品不可缺少的主要组件。单、双面印制板在制造中是在基板材料-覆铜箔层压板(Copper-(2lad I。aminates，CCI。)上，有选择地进行孔加工、化学镀铜、电镀铜、蚀刻等加工，得到所需电路图形。另一类多层印制板的制造，也是以内芯薄型覆铜箔板为底基，将导电图形层与半固化片(P regpr’eg)交替地经一次性层压黏合在一起，形成3层以上导电图形层间互连。因此可以看出，作为印制板制造中的基板材料，无论是覆铜箔板还是半固化片在印制板中都起着十分重要的作用。它具有导电、绝缘和支撑三个方面的功能。印制板的性能、质量、制造中的加工性、制造成本、制造水平等，在很大程度上取决于基板材料。二、基板的发展历史基板材料技术与生产，已历经半世纪的发展，全世界年产量已达2．9亿平方米，这一发展时刻被电子整机产品、半导体制造技术、电子安装技术、印制电路板技术的革新发展所驱动。自1943年用酚醛树脂基材制作的覆铜箔板开始进入实用化以来，基板材料的发展非常迅速。1959年，美国得克萨斯仪器公司制作出第一块集成电路，对印制板提出了更高的高密度组装要求，进而促进了多层板的产生。1961年，美国Hazeltine Corpot ation公司开发成功用金属化通孔工艺法的多层板技术。1977年，BT树脂实现了工业化生产，给世界多层板发展又提供了一种高低Tg的新型基板材料。