集成器件脉冲电路

如何看懂电路图及元件符号汇总

如何看懂电路图及元件符号 有关电阻器、电容器、电感线圈、晶体管等元器件的用途、类别、使用方法等内容可以点击本文相关文章下的各个链接,本文只把电路图中常出现的各种符号重述一遍,希望初学者熟悉它们,并记住不忘。 电路图有两种,一种是说明模拟电子电路工作原理的。它用各种图形符号表示电阻器、电容器、开关、晶体管等实物,用线条把元器件和单元电路按工作原理的关系连接起来。这种图长期以来就一直被叫做电路图。 另一种是说明数字电子电路工作原理的。它用各种图形符号表示门、触发器和各种逻辑部件,用线条把它们按逻辑关系连接起来,它是用来说明各个逻辑单元之间的逻辑关系和整机的逻辑功能的。为了和模拟电路的电路图区别开来,就把这种图叫做逻辑电路图,简称逻辑图。 除了这两种图外,常用的还有方框图。它用一个框表示电路的一部分,它能简洁明了地说明电路各部分的关系和整机的工作原理。 电阻器与电位器 符号详见图 1 所示,其中( a )表示一般的阻值固定的电阻器,( b )表示半可调或微调电阻器;( c )表示电位器;( d )表示带开关的电位器。电阻器的文字符号是“ R ”,电位器是“ RP ”,即在 R 的后面再加一个说明它有调节功能的字符“ P ”。

在某些电路中,对电阻器的功率有一定要求,可分别用图 1 中( e )、( f )、( g )、( h )所示符号来表示。 几种特殊电阻器的符号: 第 1 种是热敏电阻符号,热敏电阻器的电阻值是随外界温度而变化的。有的是负温度系数的,用NTC 来表示;有的是正温度系数的,用 PTC 来表示。它的符号见图( i ),用θ或t° 来表示温度。它的文字符号是“ RT ”。 第 2 种是光敏电阻器符号,见图 1 ( j ),有两个斜向的箭头表示光线。它的文字符号是“ RL”。 第 3 种是压敏电阻器的符号。压敏电阻阻值是随电阻器两端所加的电压而变化的。符号见图 1 ( k ),用字符 U 表示电压。它的文字符号是“RV”。这三种电阻器实际上都是半导体器件,但习惯上我们仍把它们当作电阻器。 第 4 种特殊电阻器符号是表示新近出现的保险电阻,它兼有电阻器和熔丝的作用。当温度超过500℃ 时,电阻层迅速剥落熔断,把电路切断,能起到保护电路的作用。它的电阻值很小,目前在彩电中用得很多。它的图形符号见图 1 ( 1 ),文字符号是“ RF”。 电容器的符号 详见图2 所示,其中( a )表示容量固定的电容器,( b )表示有极性电容器,例如各种电解电容器,( c )表示容量可调的可变电容器。( d )表示微调电容器,( e )表示一个双连可变电容器。电容器的文字符号是 C 。

FPGA_可编程单脉冲发生器设计

8.3 可编程单脉冲发生器 可编程单脉冲发生器是一种脉冲宽度可编程的信号发生器,其输出为TTL 电平。在输入按键的控制下,产生单次的脉冲,脉冲的宽度由8位的输入数据控制(以下称之为脉宽参数)。由于是8位的脉宽参数,故可以产生255种宽度的单次脉冲。 在目标板上,I0~I7用作脉宽参数输入,PULSE_OUT用做可编程单脉冲输出,而KEY和/RB作为启动键和复位键。图3示出了可编程单脉冲发生器的电路图。 图3 可编程单脉冲发生器的电路图 8.3.1 由系统功能描述时序关系 可编程单脉冲发生器的操作过程是: (1) 预置脉宽参数。 (2) 按下复位键,初始化系统。 (3) 按下启动键,发出单脉冲。 以上三步可用三个按键来完成。但是,由于目标板已确定,故考虑在复位键按下后,经过延时自动产生预置脉宽参数的动作。这一过程可用图4的时序来描述。

图4 可编程单脉冲发生器的时序图 图中的/RB为系统复位脉冲,在其之后自动产生LOAD脉冲,装载脉宽参数N。之后,等待按下/KEY键。/KEY键按下后,单脉冲P_PULSE便输出。在此,应注意到:/KEY的按下是与系统时钟CLK不同步的,不加处理将会影响单脉冲P_PULSE的精度。为此,在/KEY按下期间,产生脉冲P1,它的上跳沿与时钟取得同步。之后,在脉宽参数的控制下,使计数单元开始计数。当达到预定时间后,再产生一个与时钟同步的脉冲P2。由P1和P2就可以算出单脉冲的宽度Tw。 8.3.2 流程图的设计 根据时序关系,可以做出图5所示的流程图。 在系统复位后,经一定的延时产生一个预置脉冲LOAD,用来预置脉宽参数。应该注意:复位脉冲不能用来同时预置,要在其之后再次产生一个脉冲来预置脉宽参数。 为了产生单次的脉冲,必须考虑到在按键KEY有效后,可能会保持较长的时间,也可能会产生多个尖脉冲。因此,需要设计一种功能,使得当检测到KE Y有效后就封锁KEY的再次输入,直到系统复位。这是本设计的一个关键所在。

集成电路材料、结构与理论

分类材料电导率 导体铝、金、钨、铜等105S ·cm -1 第二章IC 制造材料、结构与理论 2.1 集成电路材料 1 半导体硅、锗、砷化镓、 磷化铟等10-9~102S ·cm -1 绝缘体SiO 2、SiON 、Si 3N 4等10-22~10-14S ·cm -1IC 的衬底材料----构建复杂的材料系统、固态器件、集成电路 IC 的基本元件是依据半导体特性构成的

半导体特性: 掺入杂质可改变电导率---制造不同的半导体材料 热敏效应---热敏器件、热稳定性下降 光电效应---光敏电阻、光电晶体管、光电耦合器 注入电流----发光,可制造发光二极管和激光二极管。 2

2.1.1 硅(Si) ?基于硅的多种工艺技术: 双极型晶体管(BJT ) 结型场效应管(J-FET )3P 型、N 型MOS 场效应管 双极CMOS (BiCMOS ) ?来源丰富、技术成熟、集成度高、晶圆尺寸大、芯片速度快、价格低廉?占领了90%的IC 市场

2.1.2 砷化镓(GaAs) ?具有更高的载流子迁移率, 和近乎半绝缘的电阻率 能工作在超高速超高频 4 ?GaAs 的优点: 电子迁移率高,f T 达150GHz ,毫米波、超高速电路 导带价带位置—电子空穴直接复合--可制作发光器件LED\LD\OEIC—光纤数字传输禁带宽度—载流子密度低--更高的温度/更好的抗辐射性能 兼顾速度与功耗,在微米毫米波范围内GaAs IC 处于主导地位 ?GaAs IC 的三种有源器件: MESFET, HEMT 和HBT

2.1.3磷化铟(InP) ?能工作在超高速超高频 ?三种有源器件: MESFET, HEMT和HBT ?电子空穴直接复合—发光器件、OEIC ?GaInAsP/InP系统发出激光波长0.92-1.65um 覆盖了玻璃光纤的最小色散(1.3um)和最小衰减 (1.55um)的两个窗口,广泛应用于光纤通信系统中。 ?技术不够成熟 5

电路图及元件符号大全

二极管 表示符号:D 变容二极管 表示符号:D 双向触发二极管 表示符号:D 稳压二极管 表示符号:ZD,D 桥式整流二极管 表示符号:D 肖特基二极管隧道二极管 光敏二极管或光电接收二 极管 发光二极管 表示符号:LED

光敏三极管或光电接收三 极管 表示符号:Q,VT 单结晶体管(双基极二极 管) 表示符号:Q,VT 复合三极管 表示符号:Q,VT PNP型三极管 表示符号:Q,VT PNP型三极管 表示符号:Q,VT NPN型三极管 表示符号:Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN 型三极管 表示符号:Q,VT IGBT 场效应管 表示符号:Q,VT 带阻尼二极管IGBT 场效应 管 表示符号:Q,VT 稳压二极管 表示符号:ZD,D 隧道二极管 双色发光二极管 表示符号:LED

NPN型三极管 表示符号:Q,VT 带阻尼二极管NPN型三极 管 表示符号:Q,VT 接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS 电阻电阻器或固定电阻 表示符号:R 电位器 表示符号:VR,RP,W 可调电阻 表示符号:VR,RP,W

电位器 表示符号:VR,RP,W 三脚消磁电阻 表示符号:RT 二脚消磁电阻 表示符号:RT 压敏电阻 表示符号:RZ,VAR 光敏电阻 CDS 电容(有极性电容) 表示符号: 电容(有极性电容) 表示符号:C 电容(无极性电容) 表示符号:C 四端光电光电耦合器 表示符号:IC,N 六端光电光电耦合器 表示符号:IC,N

场效应管增强型N-MOS 电阻电阻器或固定电阻 表示符号:R 可调电阻 表示符号:VR,RP,W 热敏电阻 表示符号:RT 可调电容 表示符号:C 单向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 石英晶体滤波器

集成电路工艺流程

集成电路中双极性和CMOS工艺流程 摘要:本文首先介绍了集成电路的发展,对集成电路制作过程中的主要操作进行了简要 讲述。双极性电路和MOS电路时集成电路发展的基础,双极型集成电路器件具有速度高、驱动能力强、模拟精度高的特点,但是随着集成电路发展到系统级的集成,其规模越来越大,却要求电路的功耗减少,而双极型器件在功耗和集成度方面无法满足这些方面的要求。CMOS电路具有功耗低、集成度高和抗干扰能力强的特点。文章主要介绍了双极性电路和CMOS电路的主要工艺流程,最后对集成电路发展过程中出现的新技术新工艺以及一些阻 碍集成电路发展的因素做了阐述。 关键词:集成电路,双极性工艺,CMOS工艺 ABSTRACT This paper first introduces the development of integrated circuits, mainly operating in the process of production for integrated circuits were briefly reviewed. Bipolar and MOS circuit Sas the basis for the development of integrated circuit. Bipolar integrated circuits with high speed, driving ability, simulated the characteristics of high precision, but with the development of integrated circuit to the system level integration, its scale is more and more big.So, reducing the power consumption of the circuit is in need, but bipolar devices in power consumption and integration can't meet these requirements. CMOS circuit with low power consumption, high integration and the characteristics of strong anti-interference ability. This paper mainly introduces the bipolar circuit and CMOS circuit the main technological process.finally, the integrated circuit appeared in the process of development of new technology and new technology as well as some factors hindering the development of the integrated circuit are done in this paper. KEY WORDS integrated circuit, Bipolar process, CMOS process

FPGA实现可编程单脉冲发生器设计

可编程单脉冲发生器设计 可编程单脉冲发生器是一种脉冲宽度可编程的信号发生器,其输出为TTL 电平。在输入按键的控制下,产生单次的脉冲,脉冲的宽度由8位的输入数据控制(以下称之为脉宽参数)。由于是8位的脉宽参数,故可以产生255种宽度的单次脉冲。 在目标板上,I0~I7用作脉宽参数输入,PULSE_OUT用做可编程单脉冲输出,而KEY和/RB作为启动键和复位键。图3示出了可编程单脉冲发生器的电路图。 图3 可编程单脉冲发生器的电路图 8.3.1 由系统功能描述时序关系 可编程单脉冲发生器的操作过程是: (1) 预置脉宽参数。 (2) 按下复位键,初始化系统。 (3) 按下启动键,发出单脉冲。 以上三步可用三个按键来完成。但是,由于目标板已确定,故考虑在复位键按下后,经过延时自动产生预置脉宽参数的动作。这一过程可用图4的时序来描述。

图4 可编程单脉冲发生器的时序图 图中的/RB为系统复位脉冲,在其之后自动产生LOAD脉冲,装载脉宽参数N。之后,等待按下/KEY键。/KEY键按下后,单脉冲P_PULSE便输出。在此,应注意到:/KEY的按下是与系统时钟CLK不同步的,不加处理将会影响单脉冲P_PULSE的精度。为此,在/KEY按下期间,产生脉冲P1,它的上跳沿与时钟取得同步。之后,在脉宽参数的控制下,使计数单元开始计数。当达到预定时间后,再产生一个与时钟同步的脉冲P2。由P1和P2就可以算出单脉冲的宽度Tw。 8.3.2 流程图的设计 根据时序关系,可以做出图5所示的流程图。 在系统复位后,经一定的延时产生一个预置脉冲LOAD,用来预置脉宽参数。应该注意:复位脉冲不能用来同时预置,要在其之后再次产生一个脉冲来预置脉宽参数。 为了产生单次的脉冲,必须考虑到在按键KEY有效后,可能会保持较长的时间,也可能会产生多个尖脉冲。因此,需要设计一种功能,使得当检测到KE Y有效后就封锁KEY的再次输入,直到系统复位。这是本设计的一个关键所在。

集成电路中的器件结构

第3章集成电路中的器件结构 3.1 电学隔离的必要性和方法 第2章中给出了二极管、双极型晶体管和MOS场效应晶体管的截面剖图(见图2—14、图2—19和图2—31)。图中显示了这些器件的主要特征,但这种结构不能直接用于集成电路之中,在集成电路中它们的结构要复杂得多。 一块集成电路中含有百万以至千万个二极管、晶体管以及电阻、电容等元件,而且它们都是做在一个硅芯片上,即共有同一个硅片衬底。因此,如果不把它们在电学上一一隔离起来,那么各个元器件就会通过半导体衬底相互影响和干扰,以至整个芯片无法正常工作,这是集成电路设计和制造时首先要考虑的问题。为此要引入隔离技术,然后在隔离的基础上根据电路要求把相关的各元器件端口连接起来,以实现电路的功能。 在现代集成电路技术中,通常采用以下两种电学隔离方法:①通过反向PN结进行隔离;②采用氧化物(二氧化硅)加以隔离。这两种方法能较好地实现直流隔离,其缺点是都会增加芯片面积并引入附加的电容。 现以MOS管为例说明反向PN结的隔离作用。如在一个硅片衬底上有两个N沟 MOS管,其结构与PN结的隔离作用见图3~1。 图3一l PN结隔离作用 在每个N沟MOS管的源与衬底之间加一负偏压或将两者直接短路后接地,就可防止电流流向衬底。同时由于两管的漏端总是处于正电压,漏与衬底结处于反向,沟道与衬底之间也形成一反向结,因此两个MOS管之间在电学上也就被隔离。 这是MOS场效应晶体管在结构上的一个固有优点,即可以利用MOS管本身的PN结实现隔离而不需增加新的PN结。 对于双极型晶体管常采用氧化物隔离方法,即在形成三极管区域的四周构筑一隔离环,该隔离环为二氧化硅绝缘体,因而集成电路中的各个三极管之间,以及各三极管与其他元件(如电阻、电容等)之间是完全电隔离的。氧化物隔离的示意图见图3—2。图中有两个三极管,每个三极管四周被二氧化硅所包围,因而这两个三极管在电学上完全被隔离,其横截面图将示于3.3节中

CMOS集成电路的物理结构CMOS集成电路的物理结构

2018-9-5第3章CMOS集成电路的物理结构1 §3.1 集成电路工艺层 硅集成电路(IC)分层的一个主要特点: 形成图形的导体层在绝缘体的上面。

叠放过程完成后的各层情形 2018-9-5第3章CMOS集成电路的物理结构3 §3.1 集成电路工艺层 加上另一层绝缘层和第二层金属层 侧视图显示叠放顺序 绝缘层将两金属层分隔开,所以它们在电气上不同 每层的图形由顶视图表示

2018-9-5第3章CMOS 集成电路的物理结构5互连线的电阻和电容 1 互连线电阻 w l R R S line ×=R S :薄层电阻,方块电阻 t R S σ1=§3.1 集成电路工艺层 互连线电阻计算 R line =R S ×n (n =l / w 方块数)

2018-9-5第3章CMOS 集成电路的物理结构72 互连线电容 设满足平行板电容条件ox ox line T wl C ε=F/cm )SiO 2介电常数,单位::绝缘层(ox ε§3.1 集成电路工艺层 互连线上的寄生电阻和寄生电容,引起时间延迟 时间常数: line line C R =τ

互连线电阻和电容 ?互连线电阻和电容使传播延时增加,相应于性能的下降 ?互连线电阻会消耗功率 ?互连线电容会引起额外的噪声,影响电路的可靠性 2018-9-5第3章CMOS集成电路的物理结构9 §3.1 集成电路工艺层 Intel 0.18μm 工艺互连线

NMOS电路符号与相应的工艺层 NMOS的简化工作图 栅信号G决定了在漏区与源区之间是否存在导电区2018-9-5第3章CMOS集成电路的物理结构11 §3.2 MOSFET 形成MOSFET的各工艺层 MOSFET的宽长比定义为(W/L),它是VLSI 设计者考虑的最重要参数!

电子元件基础认识第三章:各种集成电路简介

电子元件基础认识第三章:各种集成电路简介 电子元件基础认识(三) [作者:华益转贴自:本站原创点击数:7832 更新时间:2005-3-27 文章录入:华益] 第三章:各种集成电路简介 第一节三端稳压IC ? ? 电子产品中常见到的三端稳压集成电路有正电压输出的78××系列和负电压输出的79××系列。故名思义,三端IC是指这种稳压用的集成电路只有三条引脚输出,分别是输入端、接地端和输出端。它的样子象是普通的三极管,TO-220的标准封装,也有9013样子的TO-92封装。 ? ? 用78/79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少,电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路,使用起来可靠、方便,而且价格便宜。该系列集成稳压IC型号中的78或79后面的数字代表该三端集成稳压电路的输出电压,如7806表示输出电压为正6V,790 9表示输出电压为负9V。 ? ? 78/79系列三端稳压IC有很多电子厂家生产,80年代就有了,通常前缀为生产厂家的代号,如TA7805是东芝的产品,AN7909是松下的产品。(点击这里,查看有关看前缀识别集成电路的知识) ? ? 有时在数字78或79后面还有一个M或L,如78M12或79L24,用来区别输出电流和封装形式等,其中78L调系列的最大输出电流为10 0mA, 78M系列最大输出电流为1A,78系列最大输出电流为1.5A。它的封装也有多种,详见图。塑料封装的稳压电路具有安装容易、价格低廉等优点,因此用得比较多。 79系列除了输出电压为负。引出脚排列不同以外,命名方法、外形等均与78系列的相同。 ? ? 因为三端固定集成稳压电路的使用方便,电子制作中经常采用,可以用来改装分立元件的稳压电源,也经常用作电子设备的工作电源。电路图如图所示。 ? ? 注意三端集成稳压电路的输入、输出和接地端绝不能接错,不然容易烧坏。一般三端集成稳压电路的最小输入、输出电压差约为2V,否则不能输出稳定的电压,一般应使电压差保持在4-5V,即经变压器变压,二极管整流,电容器滤波后的电压应比稳压值高一些。 ? ? 在实际应用中,应在三端集成稳压电路上安装足够大的散热器(当然小功率的条件下不用)。当稳压管温度过高时,稳压性能将变差,

4 脉冲信号产生电路共23页文档

4 脉冲信号产生电路 4.1 实验目的 1.了解集成单稳态触发器的基本功能及主要应用。 2.掌握555定时器的基本工作原理及其性能。 3.掌握用555定时器构成多谐振荡器、单稳态触发器的工作原理、设计及调试方法。 4.2 实验原理 1.集成单稳态触发器及其应用 在数字电路的时序组合工作中,有时需要定时、延时电路产生定时、展宽延时等脉冲,专门用于完成这种功能的IC,就是“单稳延时多谐振荡器”,也称“单稳触发器”。其基本原理是利用电阻、电容的充放电延时特性以及电平比较器对充放电电压检测的功能,实现定时或延时,只需按需要灵活改变电阻、电容值大小,就可以取得在一定时间范围的延时或振荡脉冲输出。常用的器件有LS121/122、LS/HC123、LS/HC221、LS/HC423、HC/C4538及CC4528B等。 集成单稳态触发器在没有触发信号输入时,电路输出Q=0,电路处于稳态;当输入端输入触发信号时,电路由稳态转入暂稳态,使输出Q=1;待电路暂稳态结束,电路又自动返回到稳态Q=0。在这一过程中,电路输 出一个具有一定宽度的脉冲,其宽度与电路的外接定时元件C ext 和R ext 的数 值有关。 图4-1

集成单稳态触发器有非重触发和可重触发两种,74LS123是一种双可重触发的单稳态触发器。它的逻辑符号及功能表如图4-1、表4-1所示。 在表4-1中“正”为正脉冲,“负”为负脉冲。 LS/HC123的特点是,复位端CLR也具有上跳触发单稳态过程发生的功能。 在C ext >1000pF时,输出脉冲宽度t w ≈0.45R ext C ext 。 器件的可重触发功能是指在电路一旦被触发(即Q=1)后,只要Q还未恢复到0,电路可以被输入脉冲重复触发,Q=1将继续延长,直至重复触发的最后一个触发脉冲的到来后,再经过一个t w (该电路定时的脉冲宽度)时间,Q才变为0,如图4-2所示: 图4-2 74LS123的使用方法: (1)有A和B两个输入端,A为下降沿触发,B为上升沿触发,只有AB=1时电路才被触发。 (2)连接Q和A或Q与B,可使器件变为非重触发单稳态触发器。 (3)CLR=0时,使输出Q立即变为0,可用来控制脉冲宽度。 (4)按图4-3、3-5-4连接电路,可组成一个矩形波信号发生器,利用开关S瞬时接地,使电路起振。 图4-3 图4-4 2.555时基电路及其应用 555时基电路是一种将模拟功能和数字逻辑功能巧妙地结合在同一硅片上的新型集成电路,又称集成定时器,它的内部电路框图如图4-5所示。 图4-5 电路主要由两个高精度比较器C 1、C 2 以及一个RS触发器组成。比较器 的参考电压分别是2/3V CC 和1/3V CC ,利用触发器输入端TR输入一个小于 1/3V CC 信号,或者阈值输入端TH输入一个大于2/3V CC 的信号,可以使触发 器状态发生变换。CT是控制输入端,可以外接输入电压,以改变比较器的参考电压值。在不接外加电压时,通常接0.01μF电容到地,DISC是放电输入端,当输出端的F=0时,DISC对地短路,当F=1时,DISC对地开路。 R D 是复位输入端,当R D =0时,输出端有F=0。 器件的电源电压V CC 可以是+5V~+15V,输出的最大电流可达200mA,当 电源电压为+5V时,电路输出与TTL电路兼容。555电路能够输出从微秒级到小时级时间范围很广的信号。 (1)组成单稳态触发器 555电路按图4-6连接,即构成一个单稳态触发器,其中R、C是外接定时元件。单稳态触发器的输出脉冲宽度t w ≈1.1RC。 图4-6 (2)组成自激多谐振荡器 图4-7 自激多谐振荡器电路 按图4-7连接,即连成一个自激多谐振荡器电路,此电路的工作过程

常用原理图元件符号

常用原理图元件符号、PCB封装及所在库 序 号 元件名称封装名称原理图符号及库PCB封装形式及库 1 Battery 直流电源 BAT-2 Battery BT? Miscellaneous Devices.IntLib Miscellaneous Devices PCB.PcbLib 2 Bell 铃 PIN2 Bell LS? Miscellaneous Devices.IntLib Miscellaneous Connector PCB.PcbLib 3 Bridge1 二极管整流 桥 E-BIP-P4/D Bridge1 D? Miscellaneous Devices.IntLib Bridge Rectifier.PcbLib 4 Bridge2 集成块整流 桥 E-BIP-P4/x AC 2 V+ 1 AC 4 V- 3 Bridge2 D? Miscellaneous Devices.IntLib Bridge Rectifier.PcbLib 5 Buzzer 蜂鸣器 PIN2 Buzzer LS? Miscellaneous Devices.IntLib Miscellaneous Connector PCB.PcbLib 6 Cap 无极性电容 RAD-0.3 Cap C? Miscellaneous Devices.IntLib Miscellaneous Devices PCB.PcbLib 7 Cap 极性电容100pF Cap Pol1 C?

号 8 Electro 1 电解电容 RB-.2/.4 (99) Miscellaneous Devices.Lib(99)Miscellaneous.ddb 9 Cap Semi 贴片电容 C3216-1206 Cap C? Miscellaneous Devices.IntLib Miscellaneous Devices PCB.PcbLib 10 D Zener 稳压二极管 DIODE-0.7 D Zener D? Miscellaneous Devices PCB.PcbLib 11 Diode 二极管 DSO0C2/X Diode D? Miscellaneous Devices.IntLib Small Outline Diode - 2 C-Bend Leads.PcbLib 12 Dpy RED-CA 数码管 DIP10 a b f c g d e VCC 1 2 3 4 5 6 7 a b c d e f g 8dp dp 9 10 NC Dpy Red-CA DS? Miscellaneous Devices.IntLib Miscellaneous Devices PCB.PcbLib 13 Fuse 2 熔断器 PIN-W2/E Fuse 2 F? Miscellaneous Devices.IntLib Miscellaneous Devices PCB.PcbLib 14 Inductor 电感 C1005-0402 10mH Inductor L? Miscellaneous Devices.IntLib Miscellaneous Devices PCB.PcbLib 15 JFET-P 场效应管 CAN-3/D 3 2 1 JFET-P Q?

基于FPGA的单脉冲发生器

西安邮电大学FPGA课程设计报告 题目:可编程单脉冲发生器 院系:通信与信息工程学院专业班级:电子信息科学与技术学生姓名:韩萌 导师姓名:张丽果 起止时间:2012-9-10至2012-9-22 2012年09月20日

FPGA课程设计报告提纲 1.任务 根据输入的8位的脉宽参数,输出255种宽度的单次脉冲。 可编程单脉冲发生器是一种脉冲宽度可编程的信号发生器,在输入按键的控制下,产生单次的脉冲,脉冲的宽度由8位的输入数据控制。由于是8位的脉宽参数,故可以产生255 种宽度的单次脉冲。 2.目的 产生一个脉冲宽度可根据8位输入数据(data)可变的脉冲发生器。 可变的脉冲信号可以通过把输入的data赋值给一个count,通过对count信号做减1操作控制输出的脉冲宽度。把data赋给count后,在key键启动的情况下,输出脉冲pulse信号开 始输出低电平,count同时在每来一个时钟信号的时候做减1操作,而且pulse信号一直保持高 电平,当count减为0时,把pulse信号拉低。这样就输出了一个脉冲宽度可以根据data输入信 号可变的脉冲信号。 3.使用环境(软件/硬件环境,设备等) 布局布线使用的环境是Quartus II。 仿真测试使用的环境是ModelSim SE。 4.FPGA课程设计详细内容 4.1 技术规范 (一)、功能定义如下: 本设计实现一个可编程单脉冲发生器,具体功能如下: 1.异步信号复位,复位后信号输出可以重新开始。 2.把8为脉冲宽度data赋给计数信号count。 3.当有key按键使能时,输出脉冲信号,并做count减1操作,重复再按使能键无效。 4.使能按键后产生的单脉冲的上升沿与时钟取得同步。 5.当count减为0时,脉冲信号拉低。高电平持续的宽度,即所需的脉冲宽度。 6.产生的脉冲信号的最大宽度为255。 (二)、引脚定义

脉冲分频信号产生器

沈阳航空航天大学 课程设计 (说明书) 脉冲分频信号产生器设计 班级24020103 学号2012040201131 学生姓名郁健 指导教师关庆阳

沈阳航空航天大学 课程设计任务书 课程名称电子技术综合课程设计____ 课程设计题目脉冲分频信号产生器 课程设计的内容及要求: 一、设计说明与技术指标 设计一个脉冲分频信号产生器,技术指标如下: ①能够输出1KHz脉冲信号; ②能够输出10KHz脉冲信号; ③能够输出100Hz脉冲信号; 二、设计要求 1.在选择器件时,应考虑成本。 2.根据技术指标,通过分析计算确定电路和元器件参数。 3.画出电路原理图(元器件标准化,电路图规范化)。 三、实验要求 1.根据技术指标制定实验方案;验证所设计的电路,用软件仿真。 2.进行实验数据处理和分析。 四、推荐参考资料 1. 童诗白,华成英主编.模拟电子技术基础.[M]北京:高等教育出版社,2006年 五、按照要求撰写课程设计报告

成绩评定表: 序号评定项目评分成绩 1 设计方案正确,具有可行性,创新性(15分) 2 设计结果可信(例如:系统分析、仿真结果)(15分) 3 态度认真,遵守纪律(15分) 4 设计报告的规范化、参考文献充分(不少于5篇)(25分) 5 答辩(30分) 总分 最终评定成绩(以优、良、中、及格、不及格评定) 指导教师签字: 2015 年01 月14日

一、概述 该脉冲分频信号产生器可以实现10KHZ 、1KHZ 、100HZ 三路频率输出,电路结构相对简单,输出频率相对稳定,且能够有效的实现频率间的转变,具有节能,经济,功能具备的特点。 二、方案论证 设计一个脉冲分频信号产生器,技术指标如下: ①能够输出1KHz 脉冲信号; ②能够输出10KHz 脉冲信号; ③能够输出100Hz 脉冲信号; 方案一: 方案一原理框图如图1所示。 降频 降频 图1 方案一脉冲分频电路的原理框图 方案二: 方案二原理框图如图2所示。 升频 降频 图2 方案二脉冲分频电路的原理框图 由555定时器组成的多谐振荡器产生频率为10KHZ 的脉冲信号 由74LS160组成的十分频电 路 由74LS160组成的十分频电路 输出 1KHZ 输出 100HZ 输出 10KHZ 由555定时器组成的多谐振 荡器产生频率 为1KHZ 的脉冲信号 锁相环升频 74LS160降频 输出10KHZ 输出100HZ 输出1KHZ

集成电路中的器件结构

第3章 集成电路中的器件结构 3.1 电学隔离的必要性和方法 第2章中给出了二极管、双极型晶体管和MOS场效应晶体管的截面剖图(见图2—14、图2—19和图2—31)。图中显示了这些器件的主要特征,但这种结构不能直接用于集成电路之中,在集成电路中它们的结构要复杂得多。 一块集成电路中含有百万以至千万个二极管、晶体管以及电阻、电容等元件,而且它们都是做在一个硅芯片上,即共有同一个硅片衬底。因此,如果不把它们在电学上一一隔离起来,那么各个元器件就会通过半导体衬底相互影响和干扰,以至整个芯片无法正常工作,这是集成电路设计和制造时首先要考虑的问题。为此要引入隔离技术,然后在隔离的基础上根据电路要求把相关的各元器件端口连接起来,以实现电路的功能。 在现代集成电路技术中,通常采用以下两种电学隔离方法:①通过反向PN结进行隔离;②采用氧化物(二氧化硅)加以隔离。这两种方法能较好地实现直流隔离,其缺点是都会增加芯片面积并引入附加的电容。 现以MOS管为例说明反向PN结的隔离作用。如在一个硅片衬底上有两个N沟 MOS管,其结构与PN结的隔离作用见图3~1。 图3一l PN结隔离作用 在每个N沟MOS管的源与衬底之间加一负偏压或将两者直接短路后接地,就可防止电流流向衬底。同时由于两管的漏端总是处于正电压,漏与衬底结处于反向,沟道与衬底之间也形成一反向结,因此两个MOS管之间在电学上也就被隔离。 这是MOS场效应晶体管在结构上的一个固有优点,即可以利用MOS管本身的PN结实现隔离而不需增加新的PN结。 对于双极型晶体管常采用氧化物隔离方法,即在形成三极管区域的四周构筑一隔离环,该隔离环为二氧化硅绝缘体,因而集成电路中的各个三极管之间,以及各三极管与其他元件(如电阻、电容等)之间是完全电隔离的。氧化物隔离的示意图见图3—2。图中有两个三极管,每个三极管四周被二氧化硅所包围,因而这两个三极管在电学上完全被隔离,其横截面图将示于3.3节中的图3—5。 3.2二极管的结构 用于集成电路中的二极管,其制作步骤和实际结构示于图3—3。

脉冲发生器工作原理

脉冲发生器工作原理 泥浆流动引起叶轮在其外部旋转。叶轮和脉冲发生器内部的主轴含有强力磁铁。叶轮与主轴之间的磁耦合运动产生两者间的磁力吸引。当叶轮在脉冲发生器外部旋转时,主轴则由于磁耦合作用在脉冲发生器内部旋转。 这是叶轮,这是主轴。把主轴伸入到叶轮里,来讲述这种磁耦合的强度。当试图转动主轴时,而主轴依然粘附在叶轮上。想转到主轴是非常困难的,磁耦合作用是相当强的。 脉冲发生器是一个充满油的密封单元。任何外部压力,象静水压力,可以通过这种活动的橡胶皮囊传递到脉冲发生器内部,或者对于没有橡胶皮囊的脉冲发生器,它是通过这个壳体里的活塞传递的。脉冲发生器内部与外部的压力是平衡的。由于脉冲发生器总与它周围的环境处于压力相等的状态,这样它不易损坏。压力平衡是由脉冲发生器的小直径促成的。脉冲发生器的壁较薄,能够承受足够的机械载荷,由于内外压力平衡,不必承受外部压力。 脉冲发生器内含有一个液压泵,液压泵是由六个柱塞和液缸组成。这六个柱塞随着其下端旋转斜盘的转动,在液缸内交替上下运动。通过六个柱塞的交替运动,把泵下端腔里的油,通过一组单流阀泵入到提升阀活塞液缸里。 这是活塞。在产生脉冲过程中,活塞被向上推入液缸里,使提升阀轴伸出。当活塞向上运动时,打开了液缸壁上的一组小孔,使液流回到液缸里,因此起到限制活塞继续运动和降低内部压力。 在主轴的下端是电磁发电机。它是由六个固定的线圈和八个磁极构成,当主轴旋转时,带动其下端的磁极相对线圈转动,线圈内磁场的变化从而产生电流。 主轴的旋转速度控制液压和产生电量的大小。主轴转动越快,产生电量越大。通常主轴的转速为2800rpm~3500rpm。 现在讲解更复杂的部件。我们怎样控制提升阀轴的运动? 首先,当提升阀轴向下回缩时,让我们描述其液压油流的流动方向。(驱动活塞向上运动时)油从泵下面的腔中直接进入泵里,并通过泵和其出孔进入到活塞缸里。然而回缩活塞时(提升阀向下运动),油顺着中心管向下流入到主阀里。 主阀内部有一个带小孔的活塞,允许一部分油直接流过主阀。流过主阀的油通过中心管向下继续流动,最终流过一个电磁控制阀,然后进入到电磁控制阀下

集成电路的种类与用途

集成电路的种类与用途 作者:陈建新 在电子行业,集成电路的应用非常广泛,每年都有许许多多通用或专用的集成电路被研发与生产出来,本文将对集成电路的知识作一全面的阐述。 一、集成电路的种类 集成电路的种类很多,按其功能不同可分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。前者用来产生、放大和处理各种模拟电信号;后者则用来产生、放大和处理各种数字电信号。所谓模拟信号,是指幅度随时间连续变化的信号。例如,人对着话筒讲话,话筒输出的音频电信号就是模拟信号,收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号,也是模拟信号。所谓数字信号,是指在时间上和幅度上离散取值的信号,例如,电报电码信号,按一下电键,产生一个电信号,而产生的电信号是不连续的。这种不连续的电信号,一般叫做电脉冲或脉冲信号,计算机中运行的信号是脉冲信号,但这些脉冲信号均代表着确切的数字,因而又叫做数字信号。在电子技术中,通常又把模拟信号以外的非连续变化的信号,统称为数字信号。目前,在家电维修中或一般性电子制作中,所遇到的主要是模拟信号;那么,接触最多的将是模拟集成电路。 集成电路按其制作工艺不同,可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。半导体集成电路是采用半导体工艺技术,在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元器件并具有某种电路功能的集成电路;膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上,以“膜”的形式制作电阻、电容等无源器件。无源元件的数值范围可以作得很宽,精度可以作得很高。但目前的技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件,因而使膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中,多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二极管、三极管等有源器件,使之构成一个整体,这便是混合集成电路。根据膜的厚薄不同,膜集成电路又分为厚膜集成电路(膜厚为1μm~10μm)和薄膜集成电路(膜厚为1μm以下)两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。 按集成度高低不同,可分为小规模、中规模、大规模及超大规模集成电路四类。对模拟集成电路,由于工艺要求较高、电路又较复杂,所以一般认为集成50个以下元器件为小规模集成电路,集成50-100个元器件为中规模集成电路,集成100个以上的元器件为大规模集成电路;对数字集成电路,一般认为集成1~10等效门/片或10~100个元件/片为小规模集成电路,集成10~100个等效门/片或100~1000元件/片为中规模集成电路,集成100~10,000个等效门/片或1000~100,000个元件/片为大规模集成电路,集成10,000以上个等效门/片或100,000以上个元件/片为超大规模集成电路。 按导电类型不同,分为双极型集成电路和单极型集成电路两类。前者频率特性好,但功耗较大,而且制作工艺复杂,绝大多数模拟集成电路以及数字集成电路中的TTL、ECL、HTL、LSTTL、STTL型属于这一类。后者工作速度低,但输人阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于大规模集成,其主要产品为MOS型集成电路。MOS电路又分为NMOS、PMOS、CMOS型。 NMOS集成电路是在半导体硅片上,以N型沟道MOS器件构成的集成电路;参加导电的是电子。PMOS型是在半导体硅片上,以P型沟道MOS器件构成的集成电路;参加导电的是空穴。CMOS型是由NMOS晶体管和PMOS晶体管互补构成的集成电路称为互补型MOS 集成电路,简写成CMOS集成电路。 除上面介绍的各类集成电路之外,现在又有许多专门用途的集成电路,称为专用集成电 路。

电路图常见电器元件标识符号

电气元件图形符号介绍_常用电气元件图形符号大全 电气图形符号是指用于各种设备上,作为操作指示或用来显示设备的功能或工作状态的图形符号,例如:电气设备用图形符号、纺织设备用图形符号等。网站数据库中收录现行的含有设备用图形符号的国家标准共26项,所含设备用图形符号共2902个。 图形符号的种类和组成: 图表符号一般分为:限定符号、一般符号、方框符号、以及标记或字符。 限定符号不能单独使用,必须同其他符号组合使用,构成完整的图形符号。 如交流电动机的图表符号,由文字符号、交流的限定符号以及轮廓要素组成。 延时过流继电器图形符号,由测量继电器方框符号要素,特性量值大于整定值时动作和延时动作的限定符号以及电流符号组成。 方框符号一般用在使用单线表示法的图中,如系统图和框图中,由方框符号内带有限定符号以表示对象的功能和系统的组成,如整流器图表符号,由方框符号内带有交流和直流的限定符号以及可变性限定符号组成。 常用电气元件图形符号: 1、基本文字符号

2、辅助文字符号 图形符号大全:

开关 多级开关一般符号单线表示 多级开关一般符号多线表示 接触器 KM 接触器 负荷开关 具有自动释放功能的负荷开关 熔断器式断路器 断路器 QF 隔离开关 QS 熔断器一般符号 FU 跌落式熔断器 FF

熔断器式开关 熔断器式隔离开关 熔断器式负荷开关 当操作器件被吸合时延时闭合的动合触点 当操作器件被释放时延时闭合的动合触点 当操作器件被释放时延时闭合的动断触点电气图用图形符号 当操作器件被吸合时延时闭合的动断触点 当操作器件被吸合时延时闭合和释放时延时断开的动合触点 按钮开关 SB

电路图常见电器元件标识及符号

电路图常见电器元件标识及符号

电流表 PA 电压表 PV 有功电度表 PJ 无功电度表 PJR 频率表 PF 相位表 PPA 最大需量表(负荷监控仪) PM 功率因数表 PPF 有功功率表 PW 无功功率表 PR 无功电流表 PAR 声信号 HA 光信号 HS 指示灯 HL 红色灯 HR 绿色灯 HG 黄色灯 HY 蓝色灯 HB

白色灯 HW 连接片 XB 插头 XP 插座 XS 端子板 XT 电线,电缆,母线 W 直流母线 WB 插接式(馈电)母线 WIB 电力分支线 WP 照明分支线 WL 应急照明分支线 WE 电力干线 WPM 照明干线 WLM 应急照明干线 WEM 滑触线 WT 合闸小母线 WCL 控制小母线 WC 信号小母线 WS 闪光小母线 WF 事故音响小母线 WFS 预告音响小母线 WPS 电压小母线 WV 事故照明小母线 WELM 避雷器 F 熔断器 FU 快速熔断器 FTF 跌落式熔断器 FF 限压保护器件 FV 电容器 C 电力电容器 CE 正转按钮 SBF 反转按钮 SBR 停止按钮 SBS 紧急按钮 SBE 试验按钮 SBT 复位按钮 SR 限位开关 SQ 接近开关 SQP 手动控制开关 SH 时间控制开关 SK 液位控制开关 SL 湿度控制开关 SM 压力控制开关 SP

速度控制开关 SS 温度控制开关,辅助开关 ST 电压表切换开关 SV 电流表切换开关 SA 整流器 U 可控硅整流器 UR 控制电路有电源的整流器 VC 变频器 UF 变流器 UC 逆变器 UI 电动机 M 异步电动机 MA 同步电动机 MS 直流电动机 MD 绕线转子感应电动机 MW 鼠笼型电动机 MC 电动阀 YM 电磁阀 YV 防火阀 YF 排烟阀 YS 电磁锁 YL 跳闸线圈 YT 合闸线圈 YC 气动执行器 YPA,YA 电动执行器 YE 发热器件(电加热) FH 照明灯(发光器件) EL 空气调节器 EV 电加热器加热元件 EE 感应线圈,电抗器 L 励磁线圈 LF 消弧线圈 LA 滤波电容器 LL 电阻器,变阻器 R 电位器 RP 热敏电阻 RT 光敏电阻 RL 压敏电阻 RPS 接地电阻 RG 放电电阻 RD

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