稳压管及其应用

稳压管及其应用
稳压管及其应用

稳压管及其应用

稳压管是一种由特殊工艺制成的面接触型硅二极管,其表示符号与伏安特性如图2-8 所示。稳压管工作时是在反向击穿区,并且在一定电流范围内(△IZ),稳压管不会损坏。由于稳压管的击穿是齐纳击穿,故稳压管也称为齐纳二极管。由图2-8b 可以看出,稳压管加一定的反向电压击穿后,反向电流在很大范围内变化,管子两端的电压基本保持不变,这就是稳压管之所以稳压的原因。

稳压管的主要参数如下

1. 稳定电压UZ: 稳定电压是稳压管正常工作时的反向击穿电压。

2. 稳定电流IZ: 稳定电流是指稳压管工作在稳定电压时的参考电流。

3. 最大稳定电流IZM: 稳压管在反向工作时稳压电流的最大稳定电流。

4. 最大允许耗散功率PZM:是指稳压管的PN 结不至于由于结温过高而损坏的最大功率。

受温度影响的参数。

在负载变化不大的场合,稳压管常用来做稳压电源,由于负载和稳压管并联,又称为并联稳压电源。稳压管在实际工作时要和电阻相配合使用,其电路如图2-9 所示。其中R 为限流电阻,使得稳压管的稳定电

流在一定范围内,另外也起到电压的调节作用。

选择稳压管一般取

稳压管及其稳压特性

齐纳二极管又称稳压管,它是一种用特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管,其代表符号如图(a)所示。前已提及,这种管子的杂质浓度比较大,空间电荷区内的电荷密度也大,因而该区域很窄,容易形成强电场。当反向电压加到某一定值时,反向电流急增,产生反向击穿,其特性如图(b)的所示。图中的V Z表示反向击穿电压,即稳压管的稳定电压。稳压管的稳压作用原理在于,电流有很大增量时,只引起很小的电压变化。反向击穿曲线愈陡,动态电阻愈小,稳压管的稳压性能愈好。

在稳压管稳压电路中一般都加限流电阻R,使稳压管电流工作在IZmax和IZmix的稳压范围。另外,在应用中还要采取适当的措施限制通过管子的电流,以保证管子不会因过热而烧坏。

稳压管的伏安特性和动态电阻

稳压管也是一种晶体二极管,它是利用PN结的击穿区具有稳定电压的特性来工作的。稳压管在稳压设备和一些电子电路中获得广泛的应用。我们把这种类型的二极管称为稳压管,以区别用在整流、检波和其他单向导电场合的二极管。如图画出了稳压管的伏安特性及其符号

稳压管的主要参数如下:

稳定电压Uz Uz就是PN结的击穿电压,它随工作电流和温度的不同而略有变化。对于同一型号的稳压管来说,稳压值有一定的离散性。

稳定电流Iz 稳压管工作时的参考电流值。它通常有一定的范围,即Izmin--动态电阻rz 它是稳压管两端电压变化与电流变化的比值,如上图所示,即这个数值随工作电流的不同而改变。通常工作电流越大,动态电阻越小,稳压性能越好。

下图示出了稳压管工作时的动态等效电路,图中二极管为理想二极管。

电压温度系数它是用来说明稳定电压值受温度变化影响的系数。不同型号的稳压管有不同的稳定电压的温度系数,且有正负之分。稳压值低于4v的稳压管,稳定电压的温度系数为负值;稳压值高于6v的稳压管,其稳定电压的温度系数为正值;介于4V和6V之间的,可能为正,也可能为负。在要求高的场合,可以用两个温度系数相反的管子串联进行补偿(如2DW7)。

额定功耗Pz 前已指出,工作电流越大,动态电阻越小,稳压性能越好,但是最大工作电流受到额定功耗Pz的限制,超过P2将会使稳压管损坏。

选择稳压管时应注意:流过稳压管的电流Iz不能过大,应使Iz≤Izmax,否则会超过稳压管的允许功耗,Iz也不能太小,应使Iz≥Izmin,否则不能稳定输出电压,这样使输入电压和负载电流的变化范围都受到一定限制。

常用稳压二极管大全,

常用稳压管型号对照——(朋友发的) 美标稳压二极管型号 1N4727 3V0 1N4728 3V3 1N4729 3V6 1N4730 3V9 1N4731 4V3 1N4732 4V7 1N4733 5V1 1N4734 5V6 1N4735 6V2 1N4736 6V8 1N4737 7V5 1N4738 8V2 1N4739 9V1 1N4740 10V 1N4741 11V 1N4742 12V 1N4743 13V 1N4744 15V 1N4745 16V 1N4746 18V 1N4747 20V 1N4748 22V 1N4749 24V 1N4750 27V 1N4751 30V 1N4752 33V 1N4753 36V 1N4754 39V 1N4755 43V 1N4756 47V 1N4757 51V 需要规格书请到以下地址下载, 经常看到很多板子上有M记的铁壳封装的稳压管,都是以美标的1N系列型号标识的,没有具体的电压值,刚才翻手册查了以下3V至51V的型号与电压的对 照值,希望对大家有用 1N4727 3V0 1N4728 3V3 1N4729 3V6 1N4730 3V9

1N4733 5V1 1N4734 5V6 1N4735 6V2 1N4736 6V8 1N4737 7V5 1N4738 8V2 1N4739 9V1 1N4740 10V 1N4741 11V 1N4742 12V 1N4743 13V 1N4744 15V 1N4745 16V 1N4746 18V 1N4747 20V 1N4748 22V 1N4749 24V 1N4750 27V 1N4751 30V 1N4752 33V 1N4753 36V 1N4754 39V 1N4755 43V 1N4756 47V 1N4757 51V DZ是稳压管的电器编号,是和1N4148和相近的,其实1N4148就是一个0.6V的稳压管,下面是稳压管上的编号对应的稳压值,有些小的稳压管也会在管体 上直接标稳压电压,如5V6就是5.6V的稳压管。 1N4728A 3.3 1N4729A 3.6 1N4730A 3.9 1N4731A 4.3 1N4732A 4.7 1N4733A 5.1 1N4734A 5.6 1N4735A 6.2 1N4736A 6.8 1N4737A 7.5 1N4738A 8.2 1N4739A 9.1 1N4740A 10 1N4741A 11 1N4742A 12 1N4743A 13

齐纳二极管

齐纳二极管 齐纳二极管(又叫稳压二极管),此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。 齐纳二极管不同于锗二极管的是:如果反向电压,有时简称为“偏压”增加到某个特殊值,对于一个微小偏压的变化,就会使电流产生一个可观的增加。引起这种效应的电压称为“击穿”电压或“齐纳”电压。2DW7型管的击穿电压在5.8-6.5V之间,极大电流是30mA。 肖特基二极管 肖特基(Schottky)二极管又称肖特基势垒二极管(简称SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等肖特基(Schottky)二极管又称肖特基势垒二极管(简称SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电

路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通讯电源、变频器等中比较常见。供参考。电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通讯电源、变频器等中比较常见。供参考。 我知道的一个应用是在BJT的开关电路里面, 通过在BJT上连接Shockley二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截至状态.从而提高晶体管的开关速度.这种方法是74LS,74ALS, 74AS等典型数字IC TTL内部电路中使用的技术. 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊的面接触型硅晶体二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样,稳压二极管伏安特性曲线的反向区、符号和典型应用电路如图1所示。稳压二极管的特性曲线与普通二极管基本相似,只是稳压二极管的反向特性曲线比较陡。稳压二极管的正常工作范围,是在伏安特性曲线上的反向电流开始突然上升的部分。这一段的电流,对于常用的小功率稳压管来讲,一般为几毫安至几十毫安。 (a)符号(b)伏安特性(c)应用电路图1 稳压二极管的伏安特性

(完整word版)1N系列稳压二极管参数及应用

1N系列稳压二极管参数

常用1N系列稳压二极管参数与代换 型号功率(W) 稳压(V) 最大电流(mA) 可代换型号 1N5236/A/B 0。5 7。5 61 2CW105-7。5V,2CW5236 1N5237/A/B 0。5 8。2 55 2CW106-8。2V,2CW5237 1N5238/A/B 0。5 8。7 52 2CW106-8。7V,2CW5238 1N5239/A/B 0。5 9。1 50 2CW107-9。1V,2CW5239 1N5240/A/B 0。5 10 45 2CW108-10V,2CW5240 1N5241/A/B 0。5 11 41 2CW109-11V,2CW5241 1N5242/A/B 0。5 12 38 2CW11O-12V,2CW5242 1N5243/A/B 0。5 13 35 2CW111-13V,2CW5243 1N5244/A/B 0。5 14 32 2CW111-14V,2CW5244 1N5245/A/B 0。5 15 30 2CW112-15V,2CW5245 1N5246/A/B 0。5 16 28 2CW112-16V,2CW5246 1N5247/A/B 0。5 17 27 2CW113-17V,2CW5247 1N5248/A/B 0。5 18 25 2CW113-l8V,2CW5248 1N5249/A/B 0。5 19 24 2CW114-19V,2CW5249 1N5250/A/B 0。5 20 23 2CW114-20V,2CW5250 1N5251/A/B 0。5 22 21 2CW115-22V,2CW5251 1N5252/A/B 0。5 24 19。1 2CW115-24V,2CW5252 1N5253/A/B 0。5 25 18。2 2CW116-25V,2CW5253 1N5254/A/B 0。5 27 16。8 2CW1l7-27V,2CW5254 1N5255/A/B 0。5 28 16。2 2CW118-28V,2CW5255 1N5256/A/B 0。5 30 15。1 2CW119-30V,2CW5256 1N5257/A/B 0。5 33 13。8 2CW120-33V,2CW5257 1N5730 0。4 5。6 65 2CW752 1N5731 0。4 6。2 62 2CW753,RD6。2EB 1N5732 0。4 6。8 58 2CW754,2CW957 1N5733 0。4 7。5 52 2CW755,2CW958

稳压二极管原理及应用

什么是稳压二极管稳压二极管(又叫齐纳二极管)它的电路符号是:,稳压二极管是一种用于稳定电压的单PN结二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。 稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。 稳压管的应用: 1、浪涌保护电路(如图2):稳压管在准确的电压下击穿,这就使得它可作为限制或保护之元件来使用,因为各种电压的稳压二极管都可以得到,故对于这种应用特别适宜。图中的稳压二极管D是作为过压保护器件。只要电源电压VS超过二极管的稳压值D就导通。使继电器J吸合负载RL就与电源分开。 2、电视机里的过压保护电路(如图3):EC是电视机主供电压,当EC电压过高时,D导通,三极管BG导通,其集电极电位将由原来的高电平(5V)变为低电平,通过待机控制线的控制使电视机进入待机保护状态。 3、电弧抑制电路如图4:在电感线圈上并联接入一只合适的稳压二极管(也可接入一只普通二极管原理一样)的话,当线圈在导通状态切断时,由于其电磁能释放所产生的高压就被二极管所吸收,所以当开关断开时,开关的电弧也就被消除了。这个应用电路在工业上用得比较多,如一些较大功率的电磁吸控制电路就用到 它。

4、串联型稳压电路(如图5):在此电路中。串联稳压管BG的基极被稳压二极管D钳定在13V,那么其发 射极就输出恒定的12V电压了。这个电路在很多场合下都有应用 国产稳压二极管产品的分类 二极管的击穿通常有三种情况,即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。 (1)雪崩击穿 对于掺杂浓度较低的PN结,结较厚,当外加反向电压高到一定数值时,因外电场过强,使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞,将原子电离,产生新的电子空穴对,由于链锁反应的结果,使少数载流子数目急剧增多,反向电流雪崩式地迅速增大,这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。 (2)齐纳击穿 对于采用高掺杂(即杂质浓度很大)形成的PN结,由于结很薄(如0.04μm)即使外加电压并不高(如4V),就可产生很强的电场(如)将结内共价键中的价电子拉出来,产生大量的电子一空穴对,使反向电流剧增,这种现象叫齐纳击穿(因齐纳研究而得名)。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。(3)热击穿 在使用二极管的过程中,如由于PN结功耗(反向电流与反向电压之积)过大,使结温升高,电流变大,循环反复的结果,超过PN结的允许功耗,使PN结击穿的现象叫热击穿。热击穿后二极管将发生永久性损坏。

稳压二极管的分类

稳压二极管 稳压二极管(又叫齐纳二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性见图1, 稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压. 稳压管的应用: 1、浪涌保护电路(如图2):稳压管在准确的电压下击穿,这就使得它可作为限制或保护之元件来使用,因为各种电压的稳压二极管都可以得到,故对于这种应用特别适宜.图中的稳压二极管D是作为过压保护器件.只要电源电压VS超过二极管的稳压值D就导通,使继电器J吸合负载RL就与电源分开. 2、电视机里的过压保护电路(如图3):EC是电视机主供电压,当EC电压过高时,D导通,三极管BG 导通,其集电极电位将由原来的高电平(5V)变为低电平,通过待机控制线的控制使电视机进入待机保护状态. 3、电弧抑制电路如图4:在电感线圈上并联接入一只合适的稳压二极管(也可接入一只普通二极管原理一样)的话,当线圈在导通状态切断时,由于其电磁能释放所产生的高压就被二极管所吸收,所以当开关断开时,开关的电弧也就被消除了.这个应用电路在工业上用得比较多,如一些较大功率的电磁吸控制电路就用到它.

4、串联型稳压电路(如图5):在此电路中,串联稳压管BG的基极被稳压二极管D钳定在13V, 那么其发射极就输出恒定的12V电压了.这个电路在很多场合下都有应用 Transient Voltage Suppressors(TVS)瞬态电压抑制二极管 概述 电压及电流的瞬态干扰是造成电子电路及设备损坏的主要原因,常给人们带来无法估量的损失。这些干扰通常来自于电力设备的起停操作、交流电网的不稳定、雷击干扰及静电放电等,瞬态干扰几乎无处不在、无时不有,使人感到防不胜防。幸好,一种高效能的电路保护器件TVS的出现使瞬态干扰得到了有效抑制TVS(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR)或称瞬变电压抑制二极管是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品,其电路符号和普通稳压二极管相同,外形也与普通二极管无异,当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时,它能以极高的速度(昀高达1*10-12秒)使其阻抗骤然降低,同时吸收一个大电流,将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上,从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。 TVS的特性及其参数(参数表见附表) https://www.360docs.net/doc/ce17483244.html,S的特性如果用图示仪观察TVS的特性,就可得到图1中左图所示的波形。如果单就这个曲线来看,TVS管和普通稳压管的击穿特性没有什么区别,为典型的PN结雪崩器件。但这条曲线只反映了TVS特性的一个部分,还必须补充右图所示的特性曲线,才能反映TVS的全部特性。这是在双踪示波器上观察到的TVS管承受大电流冲击时的电流及电压波形。图中曲线 1是TVS 管中的电流波形,它表示流过TVS管的电流由1mA突然上升到峰值,然后按指数规律下降,造成这种电流冲击的原因可能是雷击、过压等。曲线 2是TVS管两端电压的波形,它表示TVS中的电流突然上升时,TVS两端电压也随之上升,但昀大只上升到VC值,这个值比击穿电压VBR 略大,从而对后面的电路元件起到保护作用。

稳压二极管参数大全

稳压二极管参数大全 稳压二极管的主要参数 (1)稳定电压Vz:稳定电压就是稳压二极管在正常工作时,管子两端的电压值。这个数值随工作电流和温度的不同略有改变,既是同一型号的稳压二极管,稳定电压值也有一定的分散性,例如2CW14硅稳压二极管的稳定电压为6~7.5V。 (2)耗散功率PM:反向电流通过稳压二极管的PN结时,要产生一定的功率损耗,PN结的温度也将升高。根据允许的PN结工作温度决定出管子的耗散功率。通常小功率管约为几百毫瓦至几瓦。 最大耗散功率PZM:是稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时,PN结的功率损耗为:PZ=VZ*IZ,由PZM和VZ可以决定IZmax。 (3)稳定电流IZ、最小稳定电流IZmin、大稳定电流IZmax 稳定电流:工作电压等于稳定电压时的反向电流;最小稳定电流:稳压二极管工作于稳定电压时所需的最小反向电流;最大稳定电流:稳压二极管允许通过的最大反向电流。 (4)动态电阻rZ:其概念与一般二极管的动态电阻相同,只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。rZ愈小,反映稳压管的击穿特性愈陡。

rz=△VZ/△IZ (5)稳定电压温度系数:温度的变化将使VZ改变,在稳压管中,当|VZ| >7 V时,VZ具有正温度系数,反向击穿是雪崩击穿。 当|VZ|<4V时,VZ具有负温度系数,反向击穿是齐纳击穿。 当4V<|VZ|<7V时,稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。 稳压二极管1N992B 齐纳电压--Vz(Nom):200Vz取值为每一项时的齐纳电流--Iz:650μ最大功率--Pdmax:400m基准电压的容限率--Tol:5每 10KΩ的温度系数--TempC11 齐纳电压--Vz(Nom):200 Vz取值为每一项时的齐纳电流--Iz:650μ 最大功率--Pdmax:400m 基准电压的容限率--Tol:5 每10KΩ的温度系数--TempC11 稳压二极管1N992A 齐纳电压--Vz(Nom):200Vz取值为每一项时的齐纳电流--Iz:650μ最大功率--Pdmax:400m基准电压的容限率--Tol:10每10KΩ的温度系数--TempC 齐纳电压--Vz(Nom):200

稳压二极管工作原理

稳压二极管工作原理 一、稳压二极管原理及特性 一般三极管都是正向导通,反向截止;加在二极管上的反向电压如果超过二极管的承受能力,二极管就要击穿损毁。但是有一种二极管,它的正向特性与普通二极管相同,而反向特性却比较特殊:当反向电压加到一定程度时,虽然管子呈现击穿状态,通过较大电流,却不损毁,并且这种现象的重复性很好;只要管子处在击穿状态,尽管流过管子的电在变化很大,而管子两端的电压却变化极小起到稳压作用。这种特殊的二极管叫稳压管。 稳压管的型号有2CW、2DW 等系列,它的电路符号如图5-17所示。 稳压管的稳压特性,可用图5一18所示伏安特性曲线很清楚地表示出来。 稳压管是利用反向击多区的稳压特性进行工作的,因此,稳压管在电路中要反向连接。稳压管的反向击穿电压称为稳定电压,不同类型稳压管的稳定电压也不一

样,某一型号的稳压管的稳压值固定在口定范围。例如:2CW11的稳压值是3.2伏到4.5伏,其中某一只管子的稳压值可能是3.5伏,另一只管子则可能是4,2伏。 在实际应用中,如果选择不到稳压值符合需要的稳压管,可以选用稳压值较低的稳压管,然后串联几只硅二极管“枕垫”,把稳定电压提高到所需数值。这是利用硅二极管的正向压降为0.6~0.7伏的特点来进行稳压的。因此,二极管在电路中必须正向连接,这是与稳压管不同的。 稳压管稳压性能的好坏,可以用它的动态电阻r来表示: 显然,对于同样的电流变化量ΔI,稳压管两端的电压变化量ΔU越小,动态电阻越小,稳压管性能就越好。 稳压管的动态电阻是随工作电流变化的,工作电流越大,动态电阻越小。因此,为使稳压效果好,工作电流要选得合适。工作电流选得大些,可以减小动态电阻,但不能超过管子的最大允许电流(或最大耗散功率)。各种型号管子的工作电流和最大允许电流,可以从手册中查到。 稳压管的稳定性能受温度影响,当温度变化时,它的稳定电压也要发生变化,常用稳定电压的温度系数来表示,这种性能例如2CW19型稳压管的稳定电压Uw= 12伏,温度系数为0.095%℃,说明温度每升高1℃,其稳定电压升高11.4毫伏。为提高电路的稳定性能,往往采用适当的温度补偿措施。在稳定性能要求很高时,需使用具有温度补偿的稳压,如2DW7A、2DW7W、2DW7C 等。 二、稳压二极管稳压电路图 由硅稳压管组成的简单稳压电路如图5- l9(a)所示。硅稳压管DW与负载Rfz,并联,R1为限流电阻。

常用稳压管型号参数大全

常用稳压管型号 2009-12-06 22:56 美标稳压二极管型号 TLV4732运算放大器,可饱和输出。当单电源供电时,可作为0V和5V的稳压器。 其他的如LM358等放大器,输出均不能达到0V或者5V,一般为4V。 1N4727 3V0 1N4728 3V3 1N4729 3V6 1N4730 3V9 1N4731 4V3 1N4732 4V7 1N4733 5V1 1N4734 5V6 1N4735 6V2 1N4736 6V8 1N4737 7V5 1N4738 8V2 1N4739 9V1 1N4740 10V 1N4741 11V 1N4742 12V 1N4743 13V 1N4744 15V

1N4746 18V 1N4747 20V 1N4748 22V 1N4749 24V 1N4750 27V 1N4751 30V 1N4752 33V 1N4753 36V 1N4754 39V 1N4755 43V 1N4756 47V 1N4757 51V 需要规格书请到以下地址下载, https://www.360docs.net/doc/ce17483244.html,/products/Rectifiers/Diode/Zener/ 经常看到很多板子上有M记的铁壳封装的稳压管,都是以美标的1N系列型号标识的,没有具体的电压值,刚才翻手册查了以下3V至51V的型号与电压的对照值,希望对大家有用 1N4727 3V0 1N4728 3V3 1N4729 3V6 1N4730 3V9 1N4731 4V3 1N4732 4V7

1N4734 5V6 1N4735 6V2 1N4736 6V8 1N4737 7V5 1N4738 8V2 1N4739 9V1 1N4740 10V 1N4741 11V 1N4742 12V 1N4743 13V 1N4744 15V 1N4745 16V 1N4746 18V 1N4747 20V 1N4748 22V 1N4749 24V 1N4750 27V 1N4751 30V 1N4752 33V 1N4753 36V 1N4754 39V 1N4755 43V

双向稳压管的原理及应用

双向稳压管的原理及应用 如果电压是正向的,二极管都会导通,只不过是导通的压降会有差异。而稳压管是利用反向的特性,在两端加一定的反向电压之后,二极管反向导通,从而达到“稳压”的作用。普通的二极管如果反向导通,称为“反向击穿”,一般来说是不可恢复的。 稳压二极管(又叫齐纳二极管)它的此二极管是一种直惠临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是凭据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.稳压二极管能够串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压 在电感线圈上并连接入一只适宜的稳压二极管(也可接入一只普通二极管原理一样)的话,当线圈在导通状态切断时,由于其电磁能释放所发生的高压就被二极管所吸收,所以当开关断开时,开关的电弧也就被消除了.这个应用电路在工业上用得比力多,如一些较大功率的电磁吸控制电路就用到它. 稳压管的应用: 稳压管是利用反向的特性,在两端加一定的反向电压之后,二极管反向导通,从而到达“稳压”的作用。普通的二极管假如反向导通,称为“反向击穿”,一般来说是不成恢复的,而稳压管则差别,在反向电压值下降之后,仍然保持反向截止的特性。 电视机里的过压呵护电路EC是电视机主供电压,当EC电压过高时,D导通,三极管BG 导通,其集电极电位将由原来的高电平(5V)变为低电平,通过待机控制线的控制使电视机进入待机呵护状态. 浪涌呵护电路稳压管在准确的电压下击穿,这就使得它可作为限制或呵护之元件来使用,因为种种电压的稳压二极管都能够获得,故对于这种应用特别适宜.图中的稳压二极管D是作为过压呵护器件.只要电源电压VS凌驾二极管的稳压值D就导通,使继电器J吸合负载RL 就与电源离开.

稳压二极管检测

稳压二极管的检测 (1)正、负电极的判别从外形上看,金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形,负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极,另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管,也可以用万用表判别其极性,测量的方法与普通二极管相同,即用万用表R×1k档,将两表笔分别接稳压二极管的两个电极,测出一个结果后,再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中,阻值较小那一次,黑表笔接的是稳压二极管的正极,红表笔接的是稳压二极管的负极。 若测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无穷大,则说明该二极管已击穿或开路损坏。 (2)稳压值的测量用0~30V连续可调直流电源,对于13V以下的稳压二极管,可将稳压电源的输出电压调至15V,将电源正极串接1只1.5kΩ限流电阻后与被测稳压二极管的负极相连接,电源负极与稳压二极管的正极相接,再用万用表测量稳压二极管两端的电压值,所测的读数即为稳压二极管的稳压值。若稳压二极管的稳压值高于15V,则应将稳压电源调至20V以上。 也可用低于1000V的兆欧表为稳压二极管提供测试电源。其方法是:将兆欧表正端与稳压二极管的负极相接,兆欧表的负端与稳压二极管的正极相接后,按规定匀速摇动兆欧表手柄,同时用万用表监测稳压二极管两端电压值(万用表的电压档应视稳定电压值的大小而定),待万用表的指示电压指示稳定时,此电 压值便是稳压二极管的稳定电压值。 若测量稳压二极管的稳定电压值忽高忽低,则说明该二极管的性不稳定。 稳压管常用在整流滤波电路之后,用于稳定直流输出电压的小功率电源设备中。 如图2所示,由R、Dz组成的就是稳压电路,稳压管在电路中稳定电压的原理如下: 只要R参数选得适当,就可以基本上抵消Vi的升高值,因而使Vo基本保持不变。 可见,在这种稳压电路中,起自动调节作用的主要是稳压二极管Dz,当输出电压有较小的变化时,将引起稳压二极管电流Iz的较大变化,通过限流电阻R的补偿作用,保持输出电压Vo基本不变。

稳压二极管的使用方法《别下》

稳压二极管工作在反向击穿状态时,其两端的电压是基本不变的。利用这一性质,在电路里常用于构成稳压电路。 稳压二极管构成的稳压电路,虽然稳定度不很高,但却具有简单、经济实用的优点,因而应用非常广泛。 在实际电路中,要使用好稳压二极管,应注意如下几个问题。 1、要注意一般二极管与稳压二极管的区别方法。不少的一般二极管,特别是玻璃封装的管,外形颜色等与稳压二极管较相似,如不细心区别,就会使用错误。区别方法是:看外形,不少稳压二极管为园柱形,较短粗,而一般二极管若为园柱形的则较细长;看标志,稳压二极管的外表面上都标有稳压值,如5V6,表示稳压值为 5.6V;用万用表进行测量,根据单向导电性,用X1K挡先把被测二极管的正负极性判断出来,然后用X10K挡,黑表笔接二极管负极,红表笔接二极管正极,测的阻值与X1K挡时相比,若出现的反向阻值很大,为一般二极管的可能性很大,若出现的反向阻值变得很小,则为稳压二极管。 2、注意稳压二极管正向使用与反向使用的区别。稳压二极管正向导通使用时,与一般二极管正向导通使用时基本相同,正向导通后两端电压也是基本不变的,都约为0.7V。从理论上讲,稳压二极管也可正向使用做稳压管用,但其稳压值将低于1V,且稳压性能也不好,一般不单独用稳压管的正向导通特性来稳压,而是用反向击穿特性来稳压。反向击穿电压值即为稳压值。有时将两个稳压管串联使用,一个利用它的正向特性,另一个利用它的反向特性,则既能稳压又可起温度补偿作用,以提高稳压效果。 3、要注意限流电阻的作用及阻值大小的影响。在稳压二极管稳压电路中,一般都要串接一个电阻R,如图1或2示。该电阻在电路中起限流和提高稳压效果的作用。若不加该电阻即当R=0时,容易烧坏稳压管,稳压效果也会极差。限流电阻的阻值越大,电路稳压性能越好,但输入与输出压差也会过大,耗电也就越多。 4、要注意输入与输出的压差。正常使用时,稳压二极管稳压电路的输出电压等于稳压管反向击穿后两端的稳压值,若输入到稳压电路中的电压值小于稳压管的稳压值,则电路将失去稳压作用,只有是大于关系时,才有稳压作用,

半导体二极管及其应用习题解答

半导体二极管及其应用 习题解答 Document number:NOCG-YUNOO-BUYTT-UU986-1986UT

第1章半导体二极管及其基本电路 教学内容与要求 本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内容与教学要求如表所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。主要掌握半导体二极管在电路中的应用。 表第1章教学内容与要求 内容提要 1.2.1半导体的基础知识 1.本征半导体 高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。本征半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。自由电子和空穴是成对出现的,称为电子空穴对,它们的浓度相等。 本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大,随着温度的升高,载流子的浓度基本按指数规律增加。但本征半导体中载流子的浓度很低,导电能力仍然很差, 2.杂质半导体

(1) N 型半导体 本征半导体中,掺入微量的五价元素构成N 型半导体,N 型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴。N 型半导体呈电中性。 (2) P 型半导体 本征半导体中,掺入微量的三价元素构成P 型半导体。P 型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。P 型半导体呈电中性。 在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度,掺入杂质越多,多子浓度就越大。而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。 1.2.2 PN 结及其特性 1.PN 结的形成 在一块本征半导体上,通过一定的工艺使其一边形成N 型半导体,另一边形成P 型半导体,在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层,称为PN 结。PN 结是构成其它半导体器件的基础。 2.PN 结的单向导电性 PN 结具有单向导电性。外加正向电压时,电阻很小,正向电流是多子的扩散电流,数值很大,PN 结导通;外加反向电压时,电阻很大,反向电流是少子的漂移电流,数值很小,PN 结几乎截止。 3. PN 结的伏安特性 PN 结的伏安特性: )1(T S -=U U e I I 式中,U 的参考方向为P 区正,N 区负,I 的参考方向为从P 区指向N 区;I S 在数值上等于反向饱和电流;U T =KT /q ,为温度电压当量,在常温下,U T ≈26mV 。

稳压二极管并联型稳压电路

河北经济管理学校教案 序号:1编号:JL/JW/7.5.1.03 4.18授课主题稳压二极管并联型稳压电路 教学目的1.掌握稳压二极管并联型稳压电源电路的组成及各部分作用 2.能按工艺流程安装与测试稳压二极管并联型稳压电源电路 教学 重点、难点重点:稳压电源的组成及各部分作用 难点:稳压电源安装完成后,各部分参数的测量及故障的解决 教学准备教案,板书,教材 教学过程设计与时间分配 一、课堂导入与提问(10min) 二、讲授新课(55min) 1.直流稳压电源的概念 2.稳压电源中的稳压电路按电压调整元件与负载RL连接方式之不同可分为两种稳压类型 3.简单的直流稳压电源及其结构 4.并联型直流稳压电路的优缺点 5.串联型稳压电路简介 三、课堂小结(15min) 四、布置作业(10min)

河北经济管理学校教案 教案内容 一、导入与提问(10min) 举例手机充电器 二、讲授新课(55min) 1.直流稳压电源的概念 直流稳压电源是一种当电网电压变化时,或者负载发生变化时,输出电压能基本保持不变的直流电源 2.稳压电源中的稳压电路按电压调整元件与负载RL连接方式之不同可分为两种稳压类型(1)并联型稳压电路(2)串联型稳压电路 调整元件与负载RL并联,如上图所示 3.简单的直流稳压电源及其结构 (1)第一部分为变压器 它的作用是改变电压 我们接入的市电是交流电,电压有效值是220V,而我们平时用的直流电压较小,并且稳压

就是把原来交流电的负半周整流到正半周,而原正半周仍保持不变 (3)第三部分是一个电容器,为滤波电路 它的作用是对整流后的电流进行滤波,利用电容器的充放电功能,把原来起伏变化较大电压转换成起伏变化较小的电压 (4)第四部分为调整元件部分 它的作用是对输出电压进行稳定,使输出电压为一个稳定的值 它是利用稳压二极管的反向击穿特性,如下图所示为二极管的伏安特性曲线 二极管在反向电压击穿的时候其两端电压能其本保持稳定,即使在通过它的电流发生一些变化时也能基本保持稳定。 在这里我们把稳压二极管与负载并联后,反偏接入电路,调整电压,使其呈反向电击穿状

稳压二极管在电路中的作用及工作原理

稳压二极管在电路中的作用及工作原理 稳压二极管工作原理一种用于稳定电压的单结二极管。它的伏安特性,稳压二极管符号如图1所示。结构 同整流二极管。加在稳压二极管的反向电压增加到一定数值时,将可能有大量载流子隧穿伪结的位垒,形 成大的反向电流,此时电压基本不变,称为隧道击穿。当反向电压比较高时,在位垒区内将可能产生大量 载流子,受强电场作用形成大的反向电流,而电压亦基本不变,为雪崩击穿。因此,反向电压临近击穿电 压时,反向电流迅速增加,而反向电压几乎不变。这个近似不变的电压称为齐纳电压(隧道击穿)或雪崩 电压(雪崩击穿)。 图1稳压二极管伏安特性曲线 图2等效电路理想模式

图3理想模式导通状态常见的两种稳压电路接法 图4实际模式导通状态 图5实际模式导通状态常见的两种稳压接线电路

稳压二极管的主要参数 1.Vz—稳定电压。 指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别,同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。例如,2CW51型稳压管的Vzmin为3.0V,Vzmax则为3.6V。 2.Iz—稳定电流。 指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时,稳压管虽并非不能稳压,但稳压效果会变差;高于此值时,只要不超过额定功率损耗,也是允许的,而且稳压性能会好一些,但要多消耗电能。 3.Rz—动态电阻。 指稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变,一般胜作电流愈大,动态电阻则愈小。例如,2CW7C稳压管的工作电流为5mA时,Rz为18Ω;工作电流为1OmA时,Rz为8Ω;为20mA时,Rz为2Ω;>20mA则基本维持此数值。 4.Pz—额定功耗。 由芯片允许温升决定,其数值为稳定电压Vz和允许最大电流Izm的乘积。例如2CW51稳压管的Vz为3V,Izm为20mA,则该管的Pz为60mWo 5.Ctv—电压温度系数。 是说明稳定电压值受温度影响的参数。例如2CW58稳压管的Ctv是+0.07%/°C,即温度每升高1°C,其稳压值将升高0.07%。6.IR—反向漏电流。 指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。例如2CW58稳压管的VR=1V时,IR=O.1uA;在VR=6V时,IR=10uA。 (三)选择二极管的基本原则 1.要求导通电压低时选锗管;要求反向电流小时选硅管。 2.要求导通电流大时选面结合型;要求工作频率高时选点接触型。 3.要求反向击穿电压高时选硅管。 4.要求耐高温时选硅管。

稳压二极管工作原理及故障特点

稳压二极管工作原理及故障特点

稳压二极管工作原理及故障特点 稳压二极管的稳压原理: 稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示,如:ZD5表示编号为5的稳压管。 故障特点: 稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中,前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表: 型号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761 稳压 值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V 稳压管也是一种晶体二极管,它是利用PN结的击穿区具有稳定电压的特性来工作的。稳压管在稳压设备和一些电子电路中获得广泛的应用。我们把这种类型的二极管称为稳压管,以区别用在整流、检波和其他单向导电场合的二极管。如图画出了稳压管的伏安特性及其符号。

(1)稳定电压Uz Uz就是PN结的击穿电压,它随工作电流和温度的不同而略有变化。对于同一型号的稳压管来说,稳压值有一定的离散性。 (2)稳定电流Iz 稳压管工作时的参考电流值。它通常有一定的范围,即Izmin——Izmax。 (3)动态电阻rz 它是稳压管两端电压变化与电流变化的比值,如上图所示,即这个数值随工作电流的不同而改变。通常工作电流越大,动态电阻越小,稳压性能越好。 (4)电压温度系数它是用来说明稳定电压值受温度变化影响的系数。不同型号的稳压管有不同的稳定电压的温度系数,且有正负之分。稳压值低于4v的稳压管,稳定电压的温度系数为负值;稳压值高于6v的稳压管,其稳定电压的温度系数为正值;介于4V和6V之间的,可能为正,也可能为负。在要求高的场合,可以用两个温度系数相反的管子串联进行补偿(如2DW7)。 (5)额定功耗Pz 前已指出,工作电流越大,动态电阻越小,稳压性能越好,但是最大工作电流受到额定功耗Pz的限制,超过P2将会使稳压管损坏。 选择稳压管时应注意:流过稳压管的电流Iz不能过大,应使Iz≤Izmax,否则会超过稳压管的允许功耗,Iz也不能太小,应使Iz≥Izmin,否则不能稳定输出电压,这样使输入电压和负载电流的变化范围都受到一定限制。下图示出了稳压管工作时的动态等效电路,图中二极管为理想二极管。

LL稳压管

Description Features n 5 & 10% VOLT AGE TOLERANCES AVAILABLE Mechanical Dimensions n WIDE VOL TAGE RANGE n MEETS UL SPECIFICA TION 94V-0Maximum Ratings LL4728...4764 Series Data Sheet 1 Watt ZENER DIODES (3.3V to 100V) L L 4728...4764 S e r i e s Units DC Power Dissipation with T L = > = 75 ...P D Lead Length = .375 Inches Derate Above 50Operating & Storage Temperature Range...T J , T STRG °C °C ............................................. 1 ............................................... .............................................6.67...............................................Watt mW / °C °C .........................................-65 to 100.......................................... Steady State Power Derating S t e a d y S t a t e P o w e r (W ) Lead Temperature (°C) Temperature Coefficients vs. Voltage T e m p e r a t u r e C o e f f i c i e n t (m V /o C ) Zener Voltage (V) Typical Junction Capacitance J u n c t i o n C a p a c i t a n c e (p F ) Zener Voltage (V) 50% Vz Bias 0 V Bias 1 V Bias Zener Current vs. Zener Voltage Zener Voltage (V) Z e n e r C u r r e n t (m A ) DO-213AB (MELF) Page 10-50

半导体二极管及其应用习题解答

第1章半导体二极管及其基本电路 1.1教学内容与要求 本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内 容与教学要求如表1.1所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温 度的关系以及PN 结的形成过程。主要掌握半导体二极管在电路中的应用。 表 第章教学内容与要求 1.2内容提要 1.2.1半导体的基础知识 1 ?本征半导体 高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。常用的半导体材料是硅 (Si)和锗 (Ge)。本征半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。自由电子和空穴是成对出现的,称为 电子空穴 对,它们的浓度相等。 本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大,随着温度的升高,载流子的浓度基本按指 数规律增加。但本征半导体中载流子的浓度很低,导电能力仍然很差, 2 ?杂质半导体 (1) N 型半导体 本征半导体中,掺入微量的五价元素构成 的多子是自由电子,少子是空穴。 N 型半导体呈电中性。 (2) P 型半导体 本征半导体中,掺入微量的三价元素构成 多子是空穴,少子是自由电子。 P 型半导体呈电中性。 在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度, 大。而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。 N 型半导体,N 型半导体中 P 型半导体。P 型半导体中的 掺入杂质越多,多子浓度就越

1.2.2 PN结及其特性 1.PN结的形成 在一块本征半导体上,通过一定的工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半

导体,在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层,称为 构成其它半导体器件的基础。 2. PN 结的单向导电性 PN 结具有单向导电性。外加正向电压时,电阻很小,正向电流是多子的扩散电流,数 值很大,PN 结导通;外加反向电压时,电阻很大,反向电流是少子的漂移电流,数值很小, PN 结几乎截止。 3. PN 结的伏安特性 PN 结的伏安特性: I =ls(e UUT _1) 式中,U 的参考方向为P 区正,N 区负,I 的参考方向为从 P 区指向N 区;I s 在数值上等于 反向饱和电流; 5=KT /q ,为温度电压当量,在常温下, U T ~ 26mV 。 与反向电压的大小基本无关。 (3) 击穿特性 当加到PN 结上的反向电压超过一定数值后,反向电流急剧增加,这种 现象称为PN 结反向击穿,击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。 4. PN 结的电容效应 PN 结的结电容 C j 由势垒电容C B 和扩散电容C D 组成。C B 和C D 都很小,只有在信号频 率较高时才 考虑结电容的作用。当 PN 结正向偏置时,扩散电容 C D 起主要作用,当 PN 结 反向偏置时,势垒电容 C B 起主要作用。 1.2.3半导体二极管 1. 半导体二极管的结构和类型 半导体二极管是由PN 结加上电极引线和管壳组成。 二极管种类很多,按材料来分,有硅管和锗管两种;按结构形式来分,有点接触型、 面接触型和硅平面型几种。 2. 半导体二极管的伏安特性 半导体二极管的伏安特性是指二极管两端的电压 U D 和流过二极管的电流 i D 之间的关 系。它的伏安特性与 PN 结的伏安特性基本相同,但又有一定的差别。在近似分析时,可采 用PN 结的 伏安特性来描述二极管的伏安特性。 3. 温度对二极管伏安特性的影响 温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,温度每升高 10 C , PN 结的正向压降约减 小(2~2.5) mV 。 二极管的反向特性曲线随温度的升高将向下移动。当温度每升高 10 o C 左右时,反向饱 和电流将加倍。 4. 半导体二极管的主要参数 二极管的主要参数有:最大整流电流 I F ;最高反向工作电压 U R ;反向电流I R ;最高工 作频率f M 等。由于制造工艺所限,即使同一型号的管子,参数也存在一定的分散性,因此 手册上往往 给出的是参数的上限值、下限值或范围。 5. 半导体二极管的模型 常用的二极管模型有以下几种: PN 结。PN 结是 (1)正向特性 U 0的部分称为正向特性,如满足 U U T ,则 I : - I S e U U T , PN 结的 正向电流I 随正向电压 U 按指数规律变化。 (2)反向特性 U 0的部分称为反向特性,如满足 U R U T ,则 I 「I s ,反向电流

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