清华大学 集成电路制造工艺 王水弟 课件第2章洁净技术-2

集成电路制造工艺流程之详细解答

集成电路制造工艺流程之详细解答 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达0.99999999999。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅,加入少量的电活性“掺杂剂”,如砷、硼、磷或锑,一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后,用一根长晶线缆作为籽晶,插入到融化的多晶硅中直至底部。然后,旋转线缆并慢慢拉出,最后,再将其冷却结晶,就形成圆柱状的单晶硅晶棒,即硅棒。 此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺,直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后,即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片,将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后,对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗,将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形,去除粗糙的划痕和杂质,就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后,还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放,并提高生产力。 2.沉积 外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中,外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成,是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。 过去一般是双极工艺需要使用外延层,CMOS技术不使用。 由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用,所以今后可能会在300mm晶圆上更多

清华大学电路原理第三次仿真实验报

清华大学电路原理第三次仿真实验报

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[文档标题] 班级:电13 姓名:苗键强 学号:2011010645 日期:2013年1月11日

实验名称: 一、利用运算放大器的正反馈设计占空比可调的脉冲序列发生器; 二、利用运算放大器构成的脉冲序列发生器和积分器构成三角波发生器。 实验任务: 一、设计占空比可调的脉冲序列发生器 要求: (1)给出电路原理图,分析占空比可调的原因。 (2)给出仿真电路图。 (3)给出示波器 Expand 方式下整个示波器界面,分别给出占空比为 20%和70%时的脉冲序列波形和对应的电容电压波形。 二、利用运算放大器构成的脉冲序列发生器和积分器构成三角波发生器 要求: (1)给出电路原理图,分析三角波产生的原因。 (2)给出仿真电路图。 (3)给出示波器 Expand 方式下整个示波器界面,要求同时显示脉冲序列和三角波的波形。 理论分析及仿真电路: 一、设计占空比可调的脉冲序列发生器 通过Multisim仿真,设计电路图如下: 在此电路图中,通过计算可知,脉冲序列周期为:

T=2 U 滞 U 输出 CR5up+2 U 滞 U 输出 CR5down=2 U 滞 U 输出 CR5(1) 因而,占空比为: η=R5up R5 (2) 得到示波器示数如下: 当R5up R5 =0.2时,得到示波器示数如下: 其占空比为 η=46.154 223.932 =20.6% 当R5up R5 =0.7时,得到示波器示数如下:

清华考研 电路原理课件 第2章 简单电阻电路的分析方法

清华大学电路原理电子课件 江辑光版 参考教材: 《电路原理》(第2版)清华大学出版社,2007年3月江辑光刘秀成《电路原理》清华大学出版社,2007年3月于歆杰朱桂萍陆文娟《电路》(第5版)高等教育出版社,2006年5月邱关源罗先觉

简单电阻电路的分析方法简单电阻电路的分析方法 第2章 简单电阻电路的分析方法 2.1 串联电阻电路 2.1 串联电阻电路 2. 4 理想电源的串联和并联 2. 4 理想电源的串联和并联 2.5 电压源与电流源的等效转换 2.5 电压源与电流源的等效转换 2. 3 星形联接与三角形联接的电阻的等效变换 2. 3 星形联接与三角形联接的电阻的等效变换 2.6 两个电阻电路的例子 2.6 两个电阻电路的例子 本章重点 本章重点 2.2 并联电阻电路 2.2 并联电阻电路

? 本章本章重点重点重点 ? 电阻的串联、并联和串并联 返回目录

2.1 串联电阻电路 (Series Connection)

R eq =( R 1+ R 2…+R n ) =∑ R k R eq =( R 1+ R 2 + +……+R n ) =∑ R k u R R u k k eq =等效电阻等于串联的各电阻之和

例 两个电阻分压(voltage division ), 如下图所示 例 两个电阻分压(voltage division ), 如下图所示 u R R R u 2 11 1+= u R R R u 2 12 2+?=i 2 , p 2 = R 2i 2 ,? : p n = R 1 : R 2 : ?= (R 1+ R 2+ ? +R + R i 2 + ? + R i 2 返回目录

集成电路制造工艺流程

集成电路制造工艺流程 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达0.。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅,加入少量的电活性“掺杂剂”,如砷、硼、磷或锑,一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后,用一根长晶线缆作为籽晶,插入到融化的多晶硅中直至底部。然后,旋转线缆并慢慢拉出,最后,再将其冷却结晶,就形成圆柱状的单晶硅晶棒,即硅棒。 此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺,直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后,即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片,将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后,对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗,将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形,去除粗糙的划痕和杂质,就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后,还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放,并提高生产力。 2.沉积 外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中,外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成,是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。 过去一般是双极工艺需要使用外延层,CMOS技术不使用。 由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用,所以今后可能会在300mm晶圆上更多

清华大学出版社四年级信息技术试卷附答案

四年级信息技术 满分:100分 题号一二三四总分 得分 一、填空题(40分) 1、演示文稿有多种视图方式,分别是、、、 。 2、幻灯片上用来输入文字的虚线框称为。 3、在开始选项卡上的“”组中,可以对所选中的字体进行编辑。 4、在“”选项卡的“幻灯片”组中,单击“”按钮,可以插入新幻灯片。 5、若想在SmartArt图形中添加形状,可以在“SmartArt工具”下的“”选项卡上的“”组中单击“添加形状”的下拉箭头。 二、选择题(20分) 1、PowerPoint窗口中,下列图标中,一般不属于工具栏的是() A.打开 B.粘贴 C.复制 D.插入 2、PowerPoint是下列哪个公司的产品() A.IBM B.Microsoft C.金山 D.联想 第一页共一页

3、运行PowerPoint时,在程序菜单中选择() A.Microsofr Outlook B.Microsoft PowerPoint C.Microsoft Word D.Microsoft Office工具 4、创建新的PowerPoint一般使用下列哪一项() A.内容提示向导 B.设计模版 C.空演示文稿 D.打开已有的演示文稿 5、PowerPoint中,选择幻灯片中的文本时,点击文本区,会出现下列哪种结果() A.文本框变成黑色 B.文本框会闪烁 C.会显示出文本区控制点 D.windows发出响声 三、判断题,正确的打“√”,错误的打“X”(20分) 1、PowerPoint中,选择PowerPoint中的文本时,如果文本选择成功之后,下次就无法再选择该段文本() 2、在PowerPoint的窗口中,无法改变各个区域的大小() 3、要想打开PowerPoint只能从开始菜单选择程序,然后点击Microsoft PowerPoint() 4、PowerPoint中除了用内容提示赂导来创建新的幻灯片,就没有其它的方法了() 5、PowerPoint中,当本次复制文本的操作成功之后,上一次复制的内容不会自动丢失() 四、设计一个简单的演示文稿(20分) 第二页共二页

2013年清华大学电路原理考研真题

2013年清华大学电路原理考研真题 1、(1)理想变压器+并联谐振:理想变压器的副边借有并联的电感与电容,告诉了电感与电容支路的电流表读数相等,由这个条件可求出电路工作的频率值,再代入原边的电感值计算得到原边电路的阻抗,最后求出原边电流;(2)卷积:是一个指数函数和一个延时正比例函数的卷积,直接用公式计算即可,可以把指数函数选作先对称后平移的项,这样只需分三个时间段进行讨论即可; 2、三相电路:(1)电源和负载均为星形连接,且三相对称,直接抽单相计算线电流;(2)共B接法的二表法测电路的三相有功功率,要画图和计算两块功率表的读数,注意的读数为负数;(3)当A相负载对中性点短路后求各相电源的有功,先用节点法求出各相电流,再计算各相电源的有功功率; 3、理想运放的问题:共有2级理想运放,其中第一级为负反馈,第二级为正反馈,解答时先要判断出这一信息,然后(1)求第一级的输出,因为第一级运放是负反馈,故可以用“虚断”和“虚短”,得到输出(实为一个反向比例放大器);(2)求第二级的输出,因为是正反馈,所以“虚断”仍成立,但“虚短”不成立,不过,由正反馈的性质,运放要么工作在正向饱和区,要么工作在反向饱和区,即输出始终为,故可以假设输出为其中一个饱和电压,比较反相输入端和非反相输入端的电压值即可确定第二级的输出(实为一个滞回比较器); 4、一阶电路的方框图问题:动态元件是电容,它接在方框左端,首先告诉了方框右端支路上的电流的零输入响应,由此可得从电容两端看入的入端电阻,即为从方框左端看入的Thevenin等效电阻,其次可得到时刻的电量,画出这个等效电路图;然后改变电容值,改变电容的初始电压值,并在方框右端的支路上接上一个冲激电压源,求电容电压的响应:可以利用叠加定理,分解为零输入响应和零状态响应分别求解,零输入响应可根据前述Thevenin等效电阻直接写出,零状态响应可以先用互易定理(因为方框内的元件全是线性电阻,满足互易定理)结合前述“时刻的电量,画出这个等效电路图”得到左端的短路电流,再由Thevenin等效电阻进而得到从电容两端向右看入的Thevenin等效电路,然后先求阶跃响应,再求导得到冲激源作用下的冲激响应;最后叠加得到全响应; 5、列写状态方程:含有一个压控电流源的受控源,有2个电容和1个电感,用直接法,最后消去非状态变量即可得解答; 6、含有互感的非正弦周期电路(15分):(1)求电感电流,互感没有公共节点,无法去耦等效,只能用一般方法解,该题的电源有2种频率,有3个网孔,2个电感和1个电容,最关键的是左下角网孔的电源是电流源,因此可以设出电感电流的值,再由KCL表示出剩余支路的电流,最后对某一个网孔列写KVL,解方程即可得到要求的电感电流的值,只需列写一个方程,但要注意正确地写出互感电压的表达式;(2)求电流源发出的功率,由第一问的解求出电流源两端的电压,即可得到解答; 7、含有理想二极管的二阶电路:需要判断理想二极管何时关断、何时导通,这是解题的关键。从0时刻开始,二极管关断,电路是一个二阶电路,求出电感电流的响应,直到二极管的端电压一直由增大到零,这就是所求临界点,即电感电流达到最大值的时间节点,此后二极管导通,左右两部分电路是2个独立的一阶电路。因此(1)电路可以分为2个工作时间段,分别画出前述的二阶等效电路

计算机操作系统作业汇总清华大学出版社

思考与练习题(第一章) 1.什么是操作系统?它的主要功能是什么? 答:操作系统是控制和管理计算机的软、硬件资源,合理地组织计算机的工作流程,以方便用户使用的程序集合。其主要功能包括进程管理功能、存储管理功能、设备管理功能和文件管理功能。 2.什么是多道程序设计技术?多道程序设计技术的主要特点是什么? 答:把多个独立的程序同时放入内存,使它们共享系统中的资源。??????? (1)多道,即计算机内存中同时放多道相互独立的程序。? (2)宏观上并行,是指同时进入系统的多道程序都处于运行过程中。? (3)微观上串行,是指在单道处理机环境下,内存中的多道程序轮流占用CPU,交替执行。 3.批处理操作系统是怎样的一种操作系统?它的特点是什么? 答:批处理操作系统是一种基本的操作系统类型。在该系统中,用户的作业(包括程序、数据及程序的处理步骤)被成批地输入到计算机中,然后在操作系统的控制下,用户的作业自动的执行。? 特点:单道:(1)自动性。(2)顺序性。(3)单道性。 多道:(1)多道性。(2)无序性。(3)调度性。

4.什么是分时操作系统?什么是实时操作系统?试从交互性、及时性、独立性、多路性和 可靠性几个方面比较分时操作系统和实时操作系统。 答:分时操作系统:计算机能够同时为多个终端用户服务,而且能在很短的时间内响应用户的要求。实时操作系统:对外部输入的信息,实时系统能够在规定的时间内处理完毕并做出反应。 (1)多路性:分时系统是为多个终端用户提供服务,实时系统的多路性主要表现在经常对多路的现场信息进行采集以及多个对象或多个执行机构进行控制。 (2)独立性:每个终端向实时系统提出服务请求时,是彼此独立的工作、互不干扰。 (3)及时性:实时信息处理系统与分时系统对及时性的要求类似,都以人们能够接受的等待时间来确定。实时控制系统对一时性的要求更高,是以控制对象所要求的开始截止时间或完成截止时间来确定的。 5.实时操作系统分为哪两种类型? 答:(1)实时控制系统?(2)实时信息处理系统。 6.操作系统的主要特征是什么? 答:(1)并发性?(2)共享性?(3)虚拟性?(4)不确定性。 7.操作系统与用户的接口有几种?它们各自用在什么场合? 答:两种,命令接口和程序接口。

CMOS集成电路制造工艺流程

C M O S集成电路制造工艺 流程 Company number:【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】

陕西国防工业职业技术学院课程报告 课程微电子产品开发与应用 论文题目CMOS集成电路制造工艺流程 班级电子3141 姓名及学号王京(24#) 任课教师张喜凤 目录

CMOS集成电路制造工艺流程 摘要:本文介绍了CMOS集成电路的制造工艺流程,主要制造工艺及各工艺步骤中的核心要素,及CMOS器件的应用。 引言:集成电路的设计与测试是当代计算机技术研究的主要问题之一。硅双极工艺面世后约3年时间,于1962年又开发出硅平面MOS工艺技术,并制成了MOS集成电路。与双极集成电路相比,MOS集成电路的功耗低、结构简单、集成度和成品率高,但工作速度较慢。由于它们各具优劣势,且各自有适合的应用场合,双极集成工艺和MOS集成工艺便齐头平行发展。 关键词:工艺技术,CMOS制造工艺流程 1.CMOS器件 CMOS器件,是NMOS和PMOS晶体管形成的互补结构,电流小,功耗低,早期的CMOS电路速度较慢,后来不断得到改进,现已大大提高了速度。 分类 CMOS器件也有不同的结构,如铝栅和硅栅CMOS、以及p阱、n阱和双阱CMOS。铝栅CMOS和硅栅CMOS的主要差别,是器件的栅极结构所用材料的不同。P阱CMOS,则是在n型硅衬底上制造p沟管,在p阱中制造n沟管,其阱可采用外延法、扩散法或离子注入方法形成。该工艺应用得最早,也是应用得最广的工艺,适用于标准CMOS电路及CMOS与双极npn兼容的电路。N阱CMOS,是在p型硅衬底上制造n沟晶体管,在n阱中制造p沟晶体管,其阱一般采用离子注入方法形成。该工艺可使NMOS晶体管的性能最优化,适用于制造以NMOS为主的CMOS以及E/D-NMOS和p沟MOS兼容的CMOS电路。双阱CMOS,是在低阻n+衬底上再外延一层中高阻n――硅层,然后在外延层中制造n 阱和p阱,并分别在n、p阱中制造p沟和n沟晶体管,从而使PMOS和NMOS晶体管都在高阻、低浓度的阱中形成,有利于降低寄生电容,增加跨导,增强p沟和n沟晶体管的平衡性,适用于高性能电路的制造。

超大规模集成电路及其生产工艺流程

超大规模集成电路及其生产工艺流程 现今世界上超大规模集成电路厂(Integrated Circuit, 简称IC,台湾称之为晶圆厂)主要集中分布于美国、日本、西欧、新加坡及台湾等少数发达国家和地区,其中台湾地区占有举足轻重的地位。但由于近年来台湾地区历经地震、金融危机、政府更迭等一系列事件影响,使得本来就存在资源匮乏、市场狭小、人心浮动的台湾岛更加动荡不安,于是就引发了一场晶圆厂外迁的风潮。而具有幅员辽阔、资源充足、巨大潜在市场、充沛的人力资源供给等方面优势的祖国大陆当然顺理成章地成为了其首选的迁往地。 晶圆厂所生产的产品实际上包括两大部分:晶圆切片(也简称为晶圆)和超大规模集成电路芯片(可简称为芯片)。前者只是一片像镜子一样的光滑圆形薄片,从严格的意义上来讲,并没有什么实际应用价值,只不过是供其后芯片生产工序深加工的原材料。而后者才是直接应用在应在计算机、电子、通讯等许多行业上的最终产品,它可以包括CPU、内存单元和其它各种专业应用芯片。 一、晶圆 所谓晶圆实际上就是我国以往习惯上所称的单晶硅,在六、七十年代我国就已研制出了单晶硅,并被列为当年的十天新闻之一。但由于其后续的集成电路制造工序繁多(从原料开始融炼到最终产品包装大约需400多道工序)、工艺复杂且技术难度非常高,以后多年我国一直末能完全掌握其一系列关键技术。所以至今仅能很小规模地生产其部分产品,不能形成规模经济生产,在质量和数量上与一些已形成完整晶圆制造业的发达国家和地区相比存在着巨大的差距。 二、晶圆的生产工艺流程: 从大的方面来讲,晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两面大步骤,它又可细分为以下几道主要工序(其中晶棒制造只包括下面的第一道工序,其余的全部属晶片制造,所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序): 多晶硅——单晶硅——晶棒成长——晶棒裁切与检测——外径研磨——切片——圆边——表层研磨——蚀刻——去疵——抛光—(外延——蚀刻——去疵)—清洗——检验——包装 1、晶棒成长工序:它又可细分为: 1)、融化(Melt Down):将块状的高纯度多晶硅置石英坩锅内,加热到其熔点1420℃以上,使其完全融化。2)、颈部成长(Neck Growth):待硅融浆的温度稳定之后,将,〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中,接着将晶种慢慢往上提升,使其直径缩小到一定尺寸(一般约6mm左右),维持此真径并拉长100---200mm,以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3)、晶冠成长(Crown Growth):颈部成长完成后,慢慢降低提升速度和温度,使颈直径逐渐加响应到所需尺寸(如5、6、8、12时等)。 4)、晶体成长(Body Growth):不断调整提升速度和融炼温度,维持固定的晶棒直径,只到晶棒长度达到预定值。 5、)尾部成长(Tail Growth):当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度,使晶棒直径逐渐变小,以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生,最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2、晶棒裁切与检测(Cutting & Inspection):将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分,并对尺寸进行检测,以决定下步加工的工艺参数。 3、外径研磨(Surface Grinding & Shaping):由于在晶棒成长过程中,其外径尺寸和圆度均有一定偏差,其外园柱面也凹凸不平,所以必须对外径进行修整、研磨,使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 4、切片(Wire Saw Slicing):由于硅的硬度非常大,所以在本序里,采用环状、其内径边缘嵌有钻石颗粒的薄锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5、圆边(Edge profiling):由于刚切下来的晶片外边缘很锋利,单晶硅又是脆性材料,为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒,必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 6、研磨(Lapping):研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损,使晶片表面达到所要求的光洁度。

清华大学信息技术五年级上册教案课件

信息技术(五年级) 课题一、春的气息——播放动画并初识Flash MX 目标1、观看Flash动画 2、了解Flash MX的操作界面 3、了解Flash MX的工具 重、难点重点:如何播放Flash动画难点:Flash MX的工具 教学过程 一、打开动画片 1、打开FLASH MX 单击“开始”——“程序”——“FLASH MX” 2、学生操作 3、打开FLASH界面 (1)文件—打开—选择“文件”—打开(2)学生观看 二、初识FLASH MX 工作环境 1、认识FLASH界面 (1)标题栏 (2)菜单栏 (3)时间轴 (4)工具箱 (5)属性面板 2、认识FLASH MX 工作界面 三、退出FLASH MX 方法1、执行“文件”——“退出” 方法2:单击关闭按钮 四、学生操作,教师巡视

信息技术(五年级)课题二、新春快乐——制作逐帧动画 目标1、了解Flash MX的工作界面 2、了解什么是逐帧动画 3、制作逐帧动画 重、难点重点:时间轴 难点:制作逐帧动画 教学过程一、层的概念 对于FLASH MX而言,层是一个很重要的概念,因为所做的图形,动画都必须在不同的层完成。 二、关键帧 在时间轴上,每一小方格就是一帧,只有关键帧是可编辑的。 三、对舞台进行设置 1、对舞台进行设置 步骤1:执行“修改”——“文档‘ 步骤2:弹出“文档属性”对话框,进行舞台设置 2、学生操作 3、制作第一帧动画 步骤1:选择工具箱中的“文本”工具,在舞台上输入文字“新春快乐”; 步骤2:单击“箭头”工具,结束文字输入 步骤3:在“属性”面板中设置文字效果及颜色 4、学生操作 5、制作第二、三帧动画 方法同上,将二、三帧插入关键帧,把背景色的背景更改。 四、观看动画效果 执行“控制”——“测试影片”即可 五、学生练习,教师巡视

八年级下册信息技术教案清华版83052

八年级信息技术工作计划 一.本学期学生现状分析: 本计划针对八年级全体学生,通过上学期的学习,学生对计算机的基础知识有了一定的了解,但是由于每一学期信息技术课时比较少,学生的遗忘性大,大多数学生学后没有注意巩固,学生掌握的情况不是很理想,参差不齐。有条件的学生家中有电脑或父母单位有电脑,上机时间相对多一些,操作较熟练,有大部分学生纯粹是上课时间听课,课后就没有练习巩固的机会,所以,这一部分学生对所学知识遗忘较大,操作生疏;所以这学期要多提供给学生动手实践的机会,让学生多动的操作,让学生在操作中学到知识。 二.教材分析 本学期教材是清华大学出版社会出版的《初中信息技术》八年级下册,。内容包括:第一单元:新手入门,轻松上路,开篇之作,星光闪烁,第二单元:统一风格,事半功倍,第三单元:驾轻就熟,按图索伊,图形整合,自由穿梭,第四单元:一触即发,影音视听,分享成果。难点知识:是第二单元的统一风格和事半功倍,重点三四单元驾轻就熟,按图索伊,图形整合,自由穿梭,一触即发,影音视听三.本学期学生能力要求: 培养学生对信息技术的兴趣和意识,让学生了解和掌握信息技术基本知识和技能,了解信息技术的发展及期应用对人类日常生活和科学技术的深刻影响。通过信息技术课程使学生具有获取信息、传输信息、处理信息和应用信息的能力,教育学生正确认识和理解与信息技

术相关的文化、伦理和社会等问题,负责任地使用信息技术;培养学生良好的信息素养,把信息技术作为支持终身学习和合作学习手手段,为适应信息社会的学习、工作和生活打下必要的基础。 四.本学期改进课堂教学,提高教学质量的措施: 总体原则采取“任务驱动”教学方式、学生自学方式和动手操作三种方式进行学习,适当进行一些小竞赛及课堂评价的方式进行教学。明确教学重点、难点关键,探索、研究疑难问题及有关微机实践。分析学生情况,统一教学要求,尽力做到超前1—2周,做到每课必备,写好教案。领会大纲精神,钻研教材内容,从学生实际出发做到十备:一备渗透德育;二备重点突出,突破难点方法得当;三备信息技术基本概念;四备信息技术基本操作用语、基本术语;五备信息技术教学中的薄弱环节;六备疑难问题的解决思路;七备信息技术实验操作的增补及成败关键;八备学生自学提纲;九备操作练习作业精选;十备课堂教学的总设计。 五.本学期工作目标: 组织有意义的信息活动,让学生从中体会乐趣,激发学生学习动力。活动中,互相学习,共同进步,培养集体荣誉感。 适时开展比赛,在比中学,学中比,促进提高,培养学生创新能力,注重学生动手、动脑的锻炼、培养 采取基本技能学习与德育想渗透的教学方式,注重培养学生健康向上的人格品质,做到教书育人,使他们成为思想素质高尚的人才

集成电路制造工艺

摘要 集成电路广泛应用于生活生产中,对其深入了解很有必要,在此完论文中整的阐述集成电路原理及其制造工艺本报告从集成电路的最初设计制造开始讲起全面讲述了集成电路的整个发展过程制造工艺以及集成电路未来的发展前途。集成电路广泛应用于生活的各个领域,特别是超大规模集成电路应用之后,使我们的生活方式有了翻天覆地的变化。各种电器小型化智能化给我们生活带来了各种方便。所以对于电子专业了解集成电路的是发展及其制造非常有必要的。关键词集成电路半导体晶体管激光蚀刻 集成电路的前世今生 说起集成电路就必须要提到它的组成最小单位晶体管。1947 年在美国的贝尔实验室威廉·邵克雷、约翰·巴顿和沃特·布拉顿成功地制造出第一个晶体管。晶体管的出现使电子元件由原来的电子管慢慢地向晶体管转变,是电器小型化低功耗化成为了可能。20 世纪最初的10 年,通信系统已开始应用半导体材料。开始出现了由半导体材料进行检波的矿石收音机。1945 年贝尔实验室布拉顿、巴丁等人组成的半导体研究小组经过一系列的实验和观察,逐步认识到半导体中电流放大效应产生的原因。布拉顿发现,在锗片的底面接上电极,在另一面插上细针并通上电流,然后让另一根细针尽量靠近它,并通上微弱的电流,这样就会使原来的电流产生很大的变化。微弱电流少量的变化,会对另外的电流产生很大的影响,这就是“放大”作用。第一次在实验室实际验证的半导体的电流放大作用。不久之后他们制造出了能把音频信号放大100 倍的晶体管。晶体管最终被用到了集成电路上面。晶体管相对于电子管着它本身固有的优点: 1.构件没有消耗:无论多么优良的电子管,都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐老化。由于技术上的原因,晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善,晶体管的寿命一般比电子管长100 到1000 倍。2.消耗电能极少:耗电量仅为电子管的几十分之一。它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子。一台晶体管的收音机只要几节干电池就可以半年。 3.不需预热:一开机就工作。用晶体管做的收音机一开就响,晶体管电视机一开就很快出现画面。电子管设备就做不到这一点。4.结实可靠:比电子管可靠100 倍,耐冲击、耐振动,这都是电子管所无法比拟的。晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一,放热很少,可用于设计小型、复杂、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密,但工序简便,有利于提高元器件的安装密度。光有了晶体管还是不够,因为要把晶体管集成到一片半导体硅片上才能便于把电路集成把电子产品小型化。那怎么把晶体管集成呢,这便是后来出现的集成芯片。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性化。集成电路经过30 多年的发展由开始的小规模集成电路到到大规模集成电路再到现在的超大规模乃至巨大规模的集成电路,集成电路有了飞跃式的发展集成度也越来越高,从微米级别到现在的纳米级别。模拟集成电路主要是指由电容、电阻、晶体管等组成的模拟电路集成在一起用来处理模拟信号的集成电路。有许多的模拟集成电路,如运算放大器、模拟乘法器、锁相环、电源管理芯片等。模拟集成电路的主要构成电路有:放大器、滤波器、反馈 电路、基准源电路、开关电容电路等。数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。用来产生、放大和处理各种数字信号(指在时间上和幅度上离散取值的信号)。而集成电路的普及离不开因特尔公司。1968 年:罗伯特·诺

清华大学信息技术四年级上册课程教案

第一课即刻行动——用IE浏览网页 教学目标 1、知识与技能:知道网络与生活密切相关。 2、过程与方法:运用直观教学法,让学生最大可能地了解网络上有什么。 3、情感态度与价值观:通过本课学习,了解网络对人们日常生活的作用,教学学生健康上网。 教学重点、难点 重点:登陆因特网 难点:浏览网页 教具准备 PowerPoint 课件、多媒体电脑 课时安排 两课时 第一课时 教学过程 一、谈话引入: 电脑网络与现代生活密切相关,它们已成为现代生活的标志,随着信息技术日新月异的发展,电脑网络在我们的日常生活、工作、学习、娱乐等方面日益重要,可以说,网络就象一个大宝库,里面有取之不尽的宝藏,可神奇了, 二、认识网络 1、师:通过网络,我们可以做什么呢?(指名回答,教师再操作示范) 2、师:网络的通讯方法有哪些?(E-mail、BBS、QQ、IP电话、聊天室) (学生回答,教师再操作示范) 3、师:小调查,你们上过这些网站吗?(在线游戏、新闻放送、在线电影、在线听音乐、旅游天地) 4、教师板书以上各个网址,学生操作观看。 三、练一练: 1、到各网站浏览一下,了解网络广博的天地。 https://www.360docs.net/doc/d85820257.html, https://www.360docs.net/doc/d85820257.html, https://www.360docs.net/doc/d85820257.html, 2、输入网址进入迪士尼网站,观看各种网页。 3、用IE浏览器观看迪士尼网站动画制作,激发学生学习兴趣。 四、交流心得: 你还发现网络上还有什么好玩的东西,把它介绍给其他同学。 五、小结、质疑: 这节课你有什么收获?最喜欢上什么网站?

第二课时 教学目标 1、知识与技能: 知道网络与生活密切相关。 2、过程与方法: 运用直观教学法,让学生最大可能地了解网络上有什么。 3、情感态度与价值观: 通过本课学习,了解网络对人们日常生活的作用,教学学生健康上网。 教学重点、难点 重点:登陆因特网 难点:浏览网页 教具准备 PowerPoint 课件、多媒体电脑 教学过程 一、谈话引入: 上节课,我们了解了什么叫网络,什么叫IE浏览器,这节课,我们就来实际操作一下,看看网络是那个都有什么,了解一下网络对人们日常生活的作用。 二、学生自主练习,老师巡回指导。 你还发现网络上还有什么好玩的东西,把它介绍给其他同学。 三、小结、质疑: 这节课你有什么收获?最喜欢上什么网站?

(完整版)三年级下册信息技术教案(清华大学出版社)

第1单元妈妈的目光 一、单元概述 Microsoft Word软件具有强大的编辑处理文字的功能,为了使学生初步了解Word,本单元安排了3课内容,围绕《妈妈的目光》这首诗歌,初步介绍了利用Word软件进行输入文本、编辑文本的过程。 第1课“初识Word”介绍了启动和退出Word的方法,Word的窗口结构,如何在Word中输入中文,将Word文档保存到自己建立的文件夹中。第2课“字斟句酌”打开已保存的Word文档,巧妙利用Enter键和空格键对文本的位置进行编排,利用“剪切”和“粘贴”操作移动被选取的文本。第3课“妙笔生花”介绍了快速选取文本的方法,利用“格式”菜单设置文字的字体格式和段落格式。 二、学习目标 1.学会在磁盘上创建文件夹;掌握Word软件的启动和退出,了解Word软件的窗口结构;掌握在Word中输入汉字的方法,学会将自己建立的Word文档保存在指定的文件夹中。 2.掌握打开已有的Word文档的多种方法;能灵活运用Enter键、空格键、Backspace键、Delete键、Shift键编辑修改文本;掌握多种选取文本的方法,会利用常用工具栏中的“剪切”和“粘贴”操作移动被选取的文本。 3.了解多种快速选取文本的方法;灵活运用“格式”菜单设置文字的字体格式和段落格式;认识“格式”工具栏,学会利用“格式”工具

栏设置文字的格式。 三、重点难点 教学重点: 1.在磁盘上创建文件夹,并将Word文档保存在指定的文件夹中。 2.Word软件的启动和退出,了解Word软件的窗口结构,快速找到所需要的操作命令。 3.在Word中输入汉字,并利用Enter键、空格键、Backspace键、Delete键编辑修改文本。 4.对选取的文本进行移动、设置文字格式、段落格式等操作。 教学难点: 1.利用Enter键、空格键移动文本。 2.对选取的文本进行移动、设置文字格式、段落格式等操作。 四、学时安排 本单元共3课,计划3学时完成,每课占用1学时。

清华大学电路原理考研真题

2013年清华大学电路原理考研真题 以上内容由凯程集训营保录班学员回忆整理,供考研的同学们参考。更多考研辅导班的详细内容,请咨询凯程老师。 1、(1)理想变压器+并联谐振:理想变压器的副边借有并联的电感与电容,告诉了电感与电容支路的电流表读数相等,由这个条件可求出电路工作的频率值,再代入原边的电感值计算得到原边电路的阻抗,最后求出原边电流; (2)卷积:是一个指数函数和一个延时正比例函数的卷积,直接用公式计算即可,可以把指数函数选作先对称后平移的项,这样只需分三个时间段进行讨论即可; 2、三相电路: (1)电源和负载均为星形连接,且三相对称,直接抽单相计算线电流; (2)共B接法的二表法测电路的三相有功功率,要画图和计算两块功率表的读数,注意的读数为负数; (3)当A相负载对中性点短路后求各相电源的有功,先用节点法求出各相电流,再计算各相电源的有功功率; 3、理想运放的问题:共有2级理想运放,其中第一级为负反馈,第二级为正反馈,解答时先要判断出这一信息,然后(1)求第一级的输出,因为第一级运放是负反馈,故可以用“虚断”和“虚短”,得到输出(实为一个反向比例放大器);(2)求第二级的输出,因为是正反馈,所以“虚断”仍成立,但“虚短”不成立,不过,由正反馈的性质,运放要么工作在正向饱和区,要么工作在反向饱和区,即输出始终为,故可以假设输出为其中一个饱和电压,比较反相输入端和非反相输入端的电压值即可确定第二级的输出(实为一个滞回比较器); 4、一阶电路的方框图问题:动态元件是电容,它接在方框左端,首先告诉了方框右端支路上的电流的零输入响应,由此可得从电容两端看入的入端电阻,即为从方框左端看入的Thevenin等效电阻,其次可得到时刻的电量,画出这个等效电路图;然后改变电容值,改变电容的初始电压值,并在方框右端的支路上接上一个冲激电压源,求电容电压的响应:可以利用叠加定理,分解为零输入响应和零状态响应分别求解,零输入响应可根据前述Thevenin等效电阻直接写出,零状态响应可以先用互易定理(因为方框内的元件全是线性电阻,满足互易定理)结合前述“时刻的电量,画出这个等效电路图”得到左端的短路电流,再由Thevenin等效电阻进而得到从电容两端向右看入的Thevenin等效电路,然后先求阶跃响应,再求导得到冲激源作用下的冲激响应;最后叠加得到全响应; 5、列写状态方程:含有一个压控电流源的受控源,有2个电容和1个电感,用直接法,最后消去非状态变量即可得解答; 6、含有互感的非正弦周期电路(15分): (1)求电感电流,互感没有公共节点,无法去耦等效,只能用一般方法解,该题的电源有2种频率,有3个网孔,2个电感和1个电容,最关键的是左下角网孔的电源是电流源,因此可以设出电感电流的值,再由KCL表示出剩余支路的电流,最后对某一个网孔列写KVL,解方程即可得到要求的电感电流的值,只需列写一个方程,但要注意正确地写出互感电压的表达式; (2)求电流源发出的功率,由第一问的解求出电流源两端的电压,即可得到解答;

清华大学信息技术三年级下册教案

第1课认识word——文字的输入 教学目标: 1.掌握在磁盘上创建文件夹的操作,学会将自己建立的文件保存在指定的文件夹中,培养集中保存、管理自己文件的好习惯。 2.掌握Word软件的启动和退出,了解Word软件的窗口结构,能快速找到所需要的操作命令。 3.掌握在Word中输入汉字的方法和将Word文档保存到指定文件夹的操作。 4.掌握Enter键在Word中的功能。 教学重点: 1.在磁盘上创建文件夹,并将Word文档保存在指定的文件夹中。 2.Word软件的启动和退出,了解Word软件的窗口结构,快速找到所需要的操作命令。 教学过程: 一、导入: 请一位学生说一说:如果你的一篇作文写得非常好,语文老师想把它发布到学校上,请问你应该怎么做?(生:把作文用word打好,保存到U盘中,然后把U盘交给老师。) 今天,聪聪收到了同学的第一篇手稿——《妈妈的目光》,他觉得这首诗写的非常好,感同身受。“三八妇女节快要到了,聪聪要把它作为礼物发布到校园网上,献给全校师生的母亲。聪聪创建了自己的文件夹,在word软件中输入了文稿《妈妈的目光》,并把它保存在自己的文件夹中。 二、新授: 1、任务一:创建文件夹 在d盘上创建以“聪聪”为名的文件夹。 让学生自己参考课本,完成任务。教师辅导。 2、任务二:给文件夹改名——重命名 学生先自学课本,完成任务,汇报,教师总结。 3、任务三:认识word软件 让学生尝试打开word软件,对有问题学生可以参考课本。 4、任务四:输入文字 在学生完成任务之前和学生探讨输入法的选取、文本修改的问题。在学生了解之后再按照课本上的容输入。 5、任务五:保存文本 1、让学生参考课本保存的方法操作。 2、让操作完成的学生上台演示操作方法 3、引导学生总结保存文件的方法及注意事项。 6、任务六:完成课本创作天地任务。 三、教师小结。 第2课字斟句酌——文本的编排 教学目标: 1. 掌握打开已有的Word文档的多种方法。 2.掌握Enter键和空格键的用法。 3. 掌握选取文本的两种基本方法。 4. 会利用“常用”工具栏中的“剪切”和“粘贴”命令移动选取的文本。 教学重点:

集成电路制造工艺概述

集成电路制造工艺概述

目录 集成电路制造工艺概述 (1) 一、集成电路制造工艺的概念 (1) 二、集成电路制造的发展历程 (1) 三、集成电路制造工艺的流程 (2) 1.晶圆制造 (2) 1.1晶体生长(Crystal Growth) (2) 1.2切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) (2) 1.3包裹(Wrapping)/运输(Shipping) (2) 2.沉积 (3) 2.1外延沉积 (Epitaxial Deposition) (3) 2、2化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition) (3) 2、3物理气相沉积 (Physical Vapor Deposition) (3) 3.光刻(Photolithography) (3) 4.刻蚀(Etching) (4) 5.离子注入 (Ion Implantation) (4) 6.热处理(Thermal Processing) (4) 7.化学机械研磨(CMP) (4) 8.晶圆检测(Wafer Metrology) (5) 9.晶圆检查Wafer Inspection (Particles) (5) 10.晶圆探针测试(Wafer Probe Test) (5) 11.封装(Assembly & Packaging) (6) 12.成品检测(Final Test) (6) 四、集成电路制造工艺的前景 (6) 五、小结 (6) 参考文献 (7)

集成电路制造工艺概述 电子信息学院电子3121班 摘要:集成电路对于我们工科学生来说并不陌生,我们与它打交道的机会数不胜数。计算机、电视机、手机、网站、取款机等等。集成电路在体积、重量、耗电、寿命、可靠性及电性能方面远远优于晶体管元件组成的电路,在当今这信息化的社会中集成电路已成为各行各业实现信息化、智能化的基础,目前为止已广泛应用于电子设备、仪器仪表及电视机、录像机等电子设备中。关键词:集成电路、制造工艺 一、集成电路制造工艺的概念 集成电路制造工艺是把电路所需要的晶体管、二极管、电阻器和电容器等元件用一定工艺方式制作在一小块硅片、玻璃或陶瓷衬底上,再用适当的工艺进行互连,然后封装在一个管壳内,使整个电路的体积大大缩小,引出线和焊接点的数目也大为减少。 二、集成电路制造的发展历程 早在1952年,英国的杜默(Geoffrey W. A. Dummer) 就提出集成电路的构想。1906年,第一个电子管诞生;1912年前后,电子管的制作日趋成熟引发了无线电技术的发展;1918年前后,逐步发现了半导体材料;1920年,发现半导体材料所具有的光敏特性;1932年前后,运用量子学说建立了能带理论研究半导体现象;1956年,硅台面晶体管问世;1960年12月,世界上第一块硅集成电路制造成功;1966年,美国贝尔实验室使用比较完善的硅外延平面工艺制造成第一块公认的大规模集成电路。1988年,16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路阶段的更高阶段。1997年,300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺,奔腾系列芯片的推出让计算机的发展如虎添翼,发展速度让人惊叹。2009年,intel酷睿i系列全新推出,创纪录采用了领先的32纳米工艺,并且下一代22纳米工艺正在研发。集成电路制作工艺的日益成熟和各集成电路厂商的不断竞争,使集成电路发挥了它更大的功能,更好的服务于社会。由此集成电路从产生到成熟大致经历了“电子管——晶

2016年清华大学电路原理考研,复试真题,考研大纲,考研流程,考研笔记,真题解析

清华考研详解与指导 清华大学2015年国际法考研试题 一、名词解释(50分)(忘了一个,顺序不是这样子的) 1.反致 2.属人法 3.分配性链接 4.法人设立准据法主义 5.反倾销 6.提单 7.税收管辖权 8.浮动汇率 9.许可协议10. 清华大学《827电路原理》考研真题 一、综述 827电路原理试题较之往年覆盖面广,综合性强,重基础,重计算,重速度。其中,对正弦稳态电路的考察有所加强,而动态电路部分相对削弱,现在对各题分述如下。 二、分述 1、(1)理想变压器+并联谐振:理想变压器的副边借有并联的电感与电容,告诉了电感与电容支路的电流表读数相等,由这个条件可求出电路工作的频率值,再代入原边的电感值计算得到原边电路的阻抗,最后求出原边电流;(2)卷积:是一个指数函数和一个延时正比例函数的卷积,直接用公式计算即可,可以把指数函数选作先对称后平移的项,这样只需分三个时间段进行讨论即可; 2、三相电路:(1)电源和负载均为星形连接,且三相对称,直接抽单相计算线电流;(2)共B接法的二表法测电路的三相有功功率,要画图和计算两块功率表的读数,注意的读数为负数;(3)当A相负载对中性点短路后求各相电源的有功,先用节点法求出各相电流,再计算各相电源的有功功率; 3、理想运放的问题:共有2级理想运放,其中第一级为负反馈,第二级为正反馈,解答时先要判断出这一信息,然后(1)求第一级的输出,因为第一级运放是负反馈,故可以用“虚断”和“虚短”,得到输出(实为一个反向比例放大器);(2)求第二级的输出,因为是正反馈,所以“虚断”仍成立,但“虚短”不成立,不过,由正反馈的性质,运放要么工作在正向饱和区,要么工作在反向饱和区,即输出始终

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