8205A 双MOS管

8205A 双MOS管
8205A 双MOS管

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UT8205A Power MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

DESCRIPTION

The UT8205A uses advanced technology to provide fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. This device is suitable for all commercial-industrial surface mount applications.

FEATURES

* R DS(ON) ≤28m ? @V GS = 4.5 V

* Ultra low gate charge ( typical 23 nC )

* Low reverse transfer Capacitance ( C RSS = typical 150 pF ) * Fast switching capability * Avalanche energy Specified

* Improved dv/dt capability, high ruggedness

SYMBOL

G1S1S2

D

ORDERING INFORMATION

Ordering Number Pin Assignment

Lead Free Halogen-Free Package

12345678 Packing

UT8205AL-AG6-R UT8205AG-AG6-R SOT-26 S1D S2G2D G1-- Tape Reel UT8205AL-S08-R UT8205AG-S08-R SOP-8 D S1S1G1G2S2S2D2 Tape Reel UT8205AL-P08-R UT8205AG-P08-R TSSOP-8 D S1S1G1G2S2

S2D2 Tape Reel

MARKING FOR SOT-26

UT8205A Power MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT Drain-Source Voltage V DSS 20 V Gate-Source Voltage V GSS ±12 V

Continuous I D 6 A

Drain Current (Note 2)

Pulsed I DM 20

A SOT-26 1.14 W

Power Dissipation (Ta=25°C) (Note 3) SOP-8/TSSOP-8P D

1 W

Junction Temperature T J +150 °C Storage Temperature T STG -55 ~ +150 °C Notes: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. 2. Pulse Test : Pulse width ≤300μs, Duty cycle ≤2% 3. Pulse width limited by T J(MAX)

THERMAL DATA

PARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNIT

SOT-26 110 °C/W

SOP-8 78 °C/W

Junction to Ambient (Note) TSSOP-8 θJA 125 °C/W

Note: Pulse Test : Pulse width ≤300μs, Duty cycle ≤2%

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J =25°C, unless otherwise specified)

=

UT8205A Power MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

Drain Current vs. Drain-Source

Breakdown Voltage

0D r a i n C u r r e n t , I D (μA )Drain-Source Breakdown Voltage, BV DSS (V)

1020300

51525501001502002503000.200

Drain Current vs. Gate Threshold

Voltage

D r a i n C u r r e n t , I D (μA )Gate Threshold Voltage, V TH (V)0.6 1.010********.40.8 1.2

50250

3000

Source to Drain Voltage, V SD (V)

0D r

a i n C u r r e n t ,I D (A )

0.20.60.40.8

0.40.81.21.62.00

Drain-Source On-State Resistance

Characteristics D r a i n C u r r e n t ,I D (A )

Drain to Source Voltage,V DS (mV)

5010015020002501234567300Drain Current vs. Source to Drain

Voltage

1.00.20.61.01.41.8

MOS管参数解释

MOS管参数解释 MOS管介绍 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,一般都要考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等因素。 MOSFET管是FET的一种,可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管,所以通常提到的就是这两种。这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。 在MOS管内部,漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要,并且只在单个的MOS管中存在此二极管,在集成电路芯片内部通常是没有的。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免。 MOS管导通特性 导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了。 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。 MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,因而在DS间流过电流的同时,两端还会有电压,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧,几十毫欧左右 MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。降低开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 MOS管驱动 MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。但是,我们还需要速度。在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS 管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大(4V或10V其他电压,看手册)。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。

双电源切换应用电路

双电源切换应用电路 Company Document number:WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998

功率P-FET控制器LTC4414 LTC4414是一种功率P-EFT控制器,主要用于控制电源的通、断及自动切换,也可用作高端功率开关。该器件主要特点:工作电压范围宽,为~36V;电路简单,外围元器件少;静态电流小,典型值为30μA;能驱动大电流P沟道功率MOSFET;有电池反极性保护及外接P-MOSFET的栅极箝位保护;可采用微制器进行控制或采用手动控制;节省空间的8引脚MSOP封装;工作温-40℃+125℃。 图1 LTC4414的引脚排列引脚排列及功能 LTC4414的引脚排列如图1所示,各引脚功能如表1所示。 图2 LTC4414结构及外围器件框图 基本工作原理 这里通过内部结构框图及外接元器件组成的电源自动切换电路来说明其工作原理。内部结构框图及外围元器件组成的电路如图2所示。其内部结构是由放大器A1、电压/电流转换电路、电源选择器(可由VIN端或SENSE端给内部电路供电)、模拟控制器、比较器C1、基准电压源()、线性栅极驱动器和栅极电压箝位保护电路、开漏输出FET及在CTL内部有μA的下拉电流源等组成。外围元器件有P沟道功率MOSFET、肖特基二极管D1、上拉电阻RPU、输入电容CIN及输出电容COUT。 图2中有两个可向负载供电的电源(主电源及辅电源),可以由主电源单独供电,也可以接上辅电源,根据主、辅电源的电压由LTC4414控制实现自动切换。这两种供电情况分别如下。 1 主电源单独供电

主电源单独供电时,电流从LTC4414的VIN端输入到电源选择器,给内部供电。放大器A1将VIN和VSENSE的差值电压放大,并经过电压/电流转换,输出与VIN-VSESNSE之值成比例的电流输入到模拟控制器。当VIN-VSESNE>20mV时,模拟控制器通过线性栅极驱动器及箝位保护电路将GATE 端的电压降到地电平或到栅极箝位电压(保证-VGS≤),使外接P-MOSFET 导通。与此同时,VSESNE被调节到VSESNE=VIN-20mV,即外接P-MOSFET的VDS=20mV。P-MOSFET的损耗为ILOAD×20mV。在P-MOSFET 导通时,模拟控制器给内部FET的栅极送低电平,FET截止,STAT端呈高电平(表示P-MOSFET导通)。 2 加上辅电源 当加上辅电源(如交流适配器)后,如果VSESNE> VIN+20mV,则内部电源选择器由SENSE端向内部电路供电。模拟控制器使GATE端电压升高到VSENSE,则P-MOSFET截止,辅电源通过肖特基二极管D1向负载供电。这种电源切换是自动完成的。 在辅电源向负载供电时,模拟控制器给内部FET的栅极送高电平,FET导通,STAT端呈低电平(表示辅电源供电)。上拉电阻RPU的阻值要足够大,使流过FET的电流小于5mA。 在上述两种供电方式时,CTL端是接地或悬空的。CTL的控制功能将在下面的应用电路介绍。 典型应用电路 1主、辅电源自动切换电路

MOS管主要参数

MOS管主要参数 1.开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压; ·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V; ·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。 2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3. 漏源击穿电压BVDS ·在VGS=0(增强型)的条件下,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS ·ID剧增的原因有下列两个方面: (1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿 (2)漏源极间的穿通击穿 ·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后 ,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID 4. 栅源击穿电压BVGS ·在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。 5. 低频跨导gm ·在VDS为某一固定数值的条件下,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导 ·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一个重要参数 ·一般在十分之几至几mA/V的范围内 6. 导通电阻RON ·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数 ·在饱和区,ID几乎不随VDS改变,RON的数值很大,一般在几十千欧到几百千欧之间 ·由于在数字电路中,MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下,所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似 ·对一般的MOS管而言,RON的数值在几百欧以内 7. 极间电容 ·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS ·CGS和CGD约为1~3pF ·CDS约在0.1~1pF之间 8. 低频噪声系数NF ·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的 ·由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输出端也出现不规则的电压或电流变化 ·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示,它的单位为分贝(dB)

双电源切换开关的应用和维护

双电源切换开关的应用和维护 安全是民航工作永恒的主题,空管工作亦是如此,而保障空管业务正常安全的进行,最基础的一环就是供配电系统。供配电系统中的双电源自动切换开关是一种能在两路电源之间进行可靠切换双电源的装置,能为负载设备提供稳定、可靠的电力保障。文章结合广州区域管制中心供配电系统配置,从工作原理及应用、切换开关的合理化配置等几个方面阐述了如何使利用双电源切换开关为负载设备提供更加稳定、可靠的电力保障。 标签:双电源切换开关;可靠;合理化配置 1 双电源切换开关原理及应用 1.1 ATS自动切换开关原理及应用 ATS自动转换开关主要用在紧急供电系统,将负载电路从一个电源自动换接至另一个(备用)电源的开关电器,以确保重要负荷连续、可靠运行。ATS为机械结构,转换时间相对比较长,为100毫秒以上,会造成负载断电。ATS主要应用:市电与发电机之间60%-70%;市电与市电之间20%-30%。以ATS最主要的应用在市电和发电机之间为例。电源柜接两路电源,一路是常用电,另一路是备用电,正常时使用市电作为主用电,油机用为备用电,当市电出现中断或波动时(达到ATS内的设置值),ATS会发启动指令给油机,油机启动,当油机工作稳定,输出电源符合ATS切换标准时,ATS会自动切换到油机电供电,当市电恢复正常,并符合切换要求时,ATS自动切换回市电供电,并在N分钟后(ATS 内部设定值)向油机发出停机信号,令油机停机。 1.2 STS静态切换开关原理及应用 STS静态转换开关主要用于两路电源供电切换,为电源二选一自动切换系统。顾名思义,STS静态切换开关使用静态开关作为其切换开关,静态开关是一种无触点开关,是用两个可控硅(SCR)反向并联组成的一种交流开关,其闭合和断开由逻辑控制器控制。其标准切换时间≤8ms,不会造成IT类负载断电。既对负载可靠供电,同时又能保证STS在不同相切换时的安全性。STS静态转换开关正常工作状态下,在主电源处于正常的电压范围内,负载一直连接于主电源。在主电源发生故障时,负载自动切换到备用电源,主电源恢复正常后,负载自动切换到主电源。 1.3 IT-SWITCH切换开关原理及应用 IT-SWITCH可看做小型的STS,工作原理与STS相同,IT-SWITCH专门设计用于方便地安装在最有效的地方,即接近关键任务负载。IT-SWITCH有两种型号:B型和E型。E型包括主机和底座,底座包含旁路切换、电源输入输出接线排、监控信号接线排及固定用的机架。B型只有主机无底座,所有的用户接线

MOS管参数解释

MOS管介绍 在使用MOS,一般都要考虑MOS,,最大电流等因素。 MOSFET管是FET,可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4,一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS,所以通常提到的就是这两种。 这两种增强型MOS,比较常用的是NMOS。。所以开关电源,一般都用NMOS。 在MOS,漏极和源极之间会寄生一个二极管。,在驱动感性负载(如马达)这个二极管很重要,并且只在单个的MOS,在集成电路芯片内部通常。 MOS,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。 ,但没有办法避免。 MOS管导通特性 ,相当于开关闭合。 NMOS,Vgs,适合用于源极接地时的情况(低端驱动)只要栅(如4V或10V,,看手册)就可以了。 PMOS的特性,Vgs,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但,虽然PMOS,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。 MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS导通后都有导通电阻存在,因而在DS,两端还,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS。现在的小功率MOS,几十毫欧左右 MOS,一定不是在瞬间完成的。MOS,流 ,在这段时间内,MOS,叫做开关损。,而且开关频率越快,导通瞬间电压和电流的乘积很大,。,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小 。。 MOS管驱动 MOS,只要GS,就可以了。,我们还需要速。 在MOS,在GS,GD,而MOS,实际上就。,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,

。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大。 普遍用于高端驱动的NMOS导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC),所以这时栅极电压要比VCC大(4V或10V,看手册)。,要得到比VCC,就要专门的升压电路。很多马达 ,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS。 M os f et参数含义说明 Feat ur es: V ds: D S击穿电压.当V gs=0V时,M O S的D S所能承受的最大电压 R ds(on):D S的导通电阻.当V gs=10V时,M O S的D S之间的电阻 I d:最大D S电流.会随温度的升高而降低 V gs:最大G S电压.一般为:-20V~+20V I dm:最大脉冲D S电流.会随温度的升高而降低,体现一个抗冲击能力,跟脉冲时间也有关系Pd:最大耗散功率 Tj:最大工作结温,通常为150度和175度 Ts t g:最大存储温度 I ar:雪崩电流 Ear:重复雪崩击穿能量 Eas:单次脉冲雪崩击穿能量 B V ds s: D S击穿电压 I ds s:饱和D S电流,uA级的电流 I gs s: G S驱动电流,nA级的电流. gf s:跨导 Q g: G总充电电量 Q gs: G S充电电量 Q gd: G D充电电量 Td(on):导通延迟时间,从有输入电压上升到10%开始到V ds下降到其幅值90%的时间 Tr:上升时间,输出电压 V D S从 90%下降到其幅值 10%的时间 Td(of f):关断延迟时间,输入电压下降到 90%开始到 V D S上升到其关断电压时 10%的时间Tf:下降时间,输出电压 V D S从 10%上升到其幅值 90%的时间 (参考图 4)。 C i s s:输入电容,C i s s=C gd + C gs. C os s:输出电容,C os s=C ds +C gd. C r s s:反向传输电容,C r s s=C gc.

常见mos管的型号参数

电调常见的烧毁问题,可通过更换烧坏的MOS管来解决,如相应电流的,可用更多大额定电流的代替。注意,焊接MOS止静电。 TO-220 TO-252 TO-3

附SO-8(贴片8脚)封装MOS管IRF7805Z的引脚图。 上图中有小圆点的为1脚 注:下表按电流降序排列(如有未列出的,可回帖,我尽量补 封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ) SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304

SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330 SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330 SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230 SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558

智能型双电源自动切换开关应用

智能型双电源自动切换开关应用 来源:工控商务网 随着科学技术的进步,各行业对供电可靠性的要求越来越高。很多场合必须采用两路电源来保证供电的可靠性。过去的两路电源用户,在低压侧采用手动操作的双向隔离开关进行倒闸操作,因此常出现误操作而引起事故。随着供电可靠性要求的提高,反事故措施的日趋完善,越来越多的先进设备投入应用到供电系统中。 一、高可靠性双电源切换装置 一种能在两路电源之间进行可靠切换双电源的装置,不会出现误操作而引起事故的全系列智能化双电源自动切换开关,就是为了满足高可靠性要求。目前投入使用的专用智能化设备,具有自投自复、自投不自复和电网发电机三种切换功能,对两路供电电源的三相电压有效值及相位进行实时检测,当任一相发生过压、欠压、缺相,能自动从异常电源切换到正常电源,这是一种性能完善、安全可靠、操作方便、智能化程度高、使用范围广泛的双电源控制系统的设备。 全系列智能型双电源自动切换开关的紧急供电系统,可实现当一路电源发生故障时,可以自动完成常用与备用电源间切换,而无需人工操作,以保证重要用户供电的可靠性。其主要用于医院、商场、银行等不允许断电的重要场所。 二、智能型双电源自动切换开关 智能型双电源自动切换开关特点 智能型双电源自动切换开关是由两台三极或四极的塑壳断路器及其附件(辅助、报警触头)、机械联锁传动机构、智能控制器等组成。分为整体式与分体式两种结构。整体式是控制器和执行机构同装在一个底座上;分体式是控制器装在柜体面板上,执行机构装在底座上,由用户安装在柜体内,控制器与执行机构用约2m长的电缆连接。其特点是: 两台断路器之间具有可靠的机构联锁装置和电气联锁保护,彻底杜绝了两台断路器同时合闸的可能性; 智能化控制器采用以MOTOROLA单片机为控制核心,硬件简洁,功能强大,扩展方便,可靠性高; 具有短路、过载保护功能,过压、欠压、缺相自动切换功能与智能报警功能; 自动切换参数可在外部自由设定; 具有操作电机智能保护功能; 装置带有消防控制电路,当消防控制中心给一控制信号进入智能控制器,两台断路器都进入分闸状态; 留有计算机联网接口,以备实现遥控、遥调、遥信、遥测等四遥功能。

MOS管i-v特性

一、实验目的 分析mos晶体管i-v特性分析 二、实验要求 了解结型场效应管和MOS管的工作原理、特性曲线及主要参数 三、实验内容 1、MOS器件的结构介绍 2、MOS的工作原理 3、i-v特性曲线 图1 原理图

1.特性曲线和电流方程 输出特性曲线 与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止 区和击穿区几部分。 转移特性曲线 转移特性曲线如图1(b)所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和 区(恒流区),此时i D 几乎不随v DS 而变化,即不同的v DS 所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用v DS 大于某一数值(v DS >v GS -V T )后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线. i D 与v GS 的近似关系 与结型场效应管相类似。在饱和区内,i D 与v GS 的近似关系式为 ( v GS > V T ) 式中I DO 是v GS =2V T 时的漏极电流i D 。 2.参数 2 GS DO D )1(-=T V v I i

MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同,只是增强型MOS管中不用夹断电压V P,而用开启电压V T表征管子的特性。 MOS管 1. 基本结构 原因:制造N沟道耗尽型MOS管时,在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子),如图1(a)所示,因此即使v GS=0时,在这些正离子产生的电场作用下,漏-源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道),只要加上正向电压v DS,就有电流i D。 如果加上正的v GS,栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子,沟道加宽,沟道电阻变小,i D增大。反之v GS为负时,沟道中感应的电子减少,沟道变窄,沟道电阻变大,i D减小。当v GS负向增加到某一数值时,导电沟道消失,i D趋于零,管子截止,故称为耗尽型。沟道消失时的栅-源电压称为夹断电压,仍用V P表示。与N沟道结型场效应管相同,N沟道耗尽型MOS管的夹断电压V P也为负值,但是,前者只能在v GS<0的情况下工作。而后者在v GS=0,v GS>0,V P

MOS管参数解释

M O S管参数解释Prepared on 21 November 2021

MOS管参数解释 MOS管介绍 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,一般都要考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等因素。MOSFET管是FET的一种,可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管,所以通常提到的就是这两种。 这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。在MOS管内部,漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要,并且只在单个的MOS管中存在此二极管,在集成电路芯片内部通常是没有的。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免。 MOS管导通特性 导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V,其他电压,看手册)就可以了。 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。 MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,因而在DS间流过电流的同时,两端还会有电压,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧,几十毫欧左右 MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。降低开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 MOS管驱动 MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。但是,我们还需要速度。 在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大(4V或10V其他电压,看手册)。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。 Mosfet参数含义说明Features:Vds:DS击穿电压.当Vgs=0V时,MOS的DS所能承受的最大电压Rds(on):DS的导通电阻.当Vgs =10V时,MOS的DS之间的电阻Id:最大DS电流.会随温度的升高而降低Vgs:最大GS电压.一般为:-20V~+20VIdm:最大脉冲DS 电流.会随温度的升高而降低,体现一个抗冲击能力,跟脉冲时间也有关系Pd:最大耗散功率Tj:最大工作结温,通常为150度和175度Tstg:最大存储温度Iar:雪崩电流Ear:重复雪崩击穿能量Eas:单次脉冲雪崩击穿能量BVdss:DS击穿电压Idss:饱和DS电流,uA级的电流Igss:GS驱动电流,nA级的电流.gfs:跨导Qg:G总充电电量Qgs:GS充电电量Qgd:GD充电电量Td(on):导通延迟时间,从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间Tr:上升时间,输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间T d(off):关断延迟时间,输入电压下降到90%开始到VDS上升到其关断电压时10%的时间Tf:下降时间,输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时间(参考图4)。Ciss:输入电容,Ciss=Cgd+Cgs.Coss:输出电容,Coss=Cds+Cgd.Crss:反向传输电容,Crss=Cgc. 其实MOS主要是通过栅控制器件的开启和导通,所以以NMOS管为例,只需要将栅得足够低,让它在中无法形成,也就没有了沟道,没有低阻通路,自然就变成高阻态,从漏源两端看上去,它便是关断的 追问

双电源切换应用电路(行业一类)

功率P-FET控制器LTC4414 LTC4414是一种功率P-EFT控制器,主要用于控制电源的通、断及自动切换,也可用作高端功率开关。该器件主要特点:工作电压范围宽,为3.5~36V;电路简单,外围元器件少;静态电流小,典型值为30μA;能驱动大电流P沟道功率MOSFET;有电池反极性保护及外接P-MOSFET的栅极箝位保护;可采用微制器进行控制或采用手动控制;节省空间的8引脚MSOP封装;工作温-40℃+125℃。 图1 LTC4414的引脚排列引脚排列及功能 LTC4414的引脚排列如图1所示,各引脚功能如表1所示。

图2 LTC4414结构及外围器件框图 基本工作原理 这里通过内部结构框图及外接元器件组成的电源自动切换电路来说明其工作原理。内部结构框图及外围元器件组成的电路如图2所示。其内部结构是由放大器A1、电压/电流转换电路、电源选择器(可由VIN端或SENSE端给内部电路供电)、模拟控制器、比较器C1、基准电压源(0.5V)、线性栅极驱动器和栅极电压箝位保护电路、开漏输出FET及在CTL 内部有3.5μA的下拉电流源等组成。外围元器件有P沟道功率MOSFET、肖特基二极管D1、上拉电阻RPU、输入电容CIN及输出电容COUT。 图2中有两个可向负载供电的电源(主电源及辅电源),可以由主电源单独供电,也可以接上辅电源,根据主、辅电源的电压由LTC4414控制实现自动切换。这两种供电情况分别如下。 1 主电源单独供电 主电源单独供电时,电流从LTC4414的VIN端输入到电源选择器,给内部供电。放大器A1将VIN和VSENSE的差值电压放大,并经过电压/电流转换,输出与VIN-VSESNSE 之值成比例的电流输入到模拟控制器。当VIN-VSESNE>20mV时,模拟控制器通过线性栅极驱动器及箝位保护电路将GA TE端的电压降到地电平或到栅极箝位电压(保证-VGS≤8.5V),使外接P-MOSFET导通。与此同时,VSESNE被调节到VSESNE=VIN-20mV,即外接P-MOSFET的VDS=20mV。P-MOSFET的损耗为ILOAD×20mV。在P-MOSFET导通时,模拟控制器给内部FET的栅极送低电平,FET截止,STAT端呈高电平(表示P-MOSFET 导通)。 2 加上辅电源 当加上辅电源(如交流适配器)后,如果VSESNE> VIN+20mV,则内部电源选择器由SENSE端向内部电路供电。模拟控制器使GA TE端电压升高到VSENSE,则P-MOSFET截止,辅电源通过肖特基二极管D1向负载供电。这种电源切换是自动完成的。 在辅电源向负载供电时,模拟控制器给内部FET的栅极送高电平,FET导通,STAT端呈低电平(表示辅电源供电)。上拉电阻RPU的阻值要足够大,使流过FET的电流小于5mA。

MOS管全参数代换大全

型号参数国内外相似替换型号资料 2SC1885 150V,0.05A 0.75,200MHZ BF297,BF422,BF391,3DG18 0K NPN 2SC2336 180V,1.5A,25W,95MHZ 2SC2238A,2SC2238B,2SC2660, NPN 2SD478,2SD608A,2SD760,2SD1138, 3DA25F 2SC3306 500V,10A,100W BUV48A,BUV48B,BUV48C,BUW13 NPN 2SC2740,2SC3042,2SC3277,2SC3365 2SC3842,2DK308C 2SC3461 1100V,8A,140W BU902,2SC3643,2SC3847,2SC3982, NPN 2SD1433 2SC3746 80V,5A,20W 2SC3253,2SC3258,2SC3540,2SC3691 NPN 2SC4549,2SD1270,2SC1832 2SC3866 900V,3A,40W 2SC2979,2SC3178,2SC3559,2SC3979 NPN 2SC4303 2SC3953 2SC3886 1400V,8A,50W BU508AF,2SC3847,2SC3896,2SD1850 NPN 2SD1886 2SC3997 1500V,20A,250W - NPN 2SC4111 1500V,10A,150W 2SC3307,2SC3897,2SC3995 NPN 2SC4159 180V,1.5A,15W 2SC3298A,2SC3298B,2SD1763A,2SD1772 NPN 2SC4288 1400V,12A,200W 2SC3910,2SC3995 NPN 2SC4538 2SC4633 1500V,0.03A,7W 2SC4451,2SC4576 NPN 2SC4686A 1500V,0.05A,10W 2SC4578 NPN 2SC4833 500V,5A,35W BUT11AF,2SC3310,2SC3570,2SC4026 NPN 2SC4054,2SC4160,2SC4073,2SC4371 2SC4834 500V,8A,45W BU306F,BUT12AF,2SC3626,2SC4130, NPN 2SC4161,2SC4559 2SC4890 1500V,12A,75W BU2525AF,BU2527AF,2SC5105 NPN 2SC4897 1500V,20A,150W 2SC3997,2SC4290A,2SD2356 NPN

双电源自动切换开关

双电源自动切换开关 双电源自动切换开关就是因故停电自动切换到另外一个电源的开关,双电源自动切换开关可以咨询厦门日华机电成套有限公司购买,各种档次各种价位应有尽有。一般双电源切换开关是广泛应用于高层建筑、小区、医院、机场、码头、消防、冶金、化工、纺织等不允许停电的重要场所。双电源切换开关包含STS(静态转换开关),为电源二选一自动切换系统,第一路出现故障后STS自动切换到第二路给负载供电,第二路故障的话STS自动切换到第一路给负载供电。ATS(自动转换开关),主要用在紧急供电系统,将负载电路从一个电源自动换接至另一个(备用)电源的开关电器,以确保重要负荷连续、可靠运行。双电源切换开关采用双列复合式触头、横接式机构、微电机预储能及微电子控制技术,基本实现零飞弧,双电源切换开关还采用可靠的机械联锁和电气联锁技术,过零位技术。双电源切换开关两台断路器之间具有可靠的机械联锁装置和电气联锁保护,彻底社绝了两台断路器同时合闸的可能性。 随着科学技术的进步,各行业对供电可靠性的要求越来越高。很多场合必须采用两路电源来保证供电的可靠性。过去的两路电源用户,在低压侧采用手动操作的双向隔离开关进行倒闸操作,因此常出现误操作而引起事故。随着供电可靠性要求的提高,反事故措施的日趋完善,越来越多的先进设备投入应用到供电系统中。 双电源自动切换开关是一种能在两路电源之间进行可靠切换双电源的装置,不会出现误操作而引起事故的全系列智能化双电源自动切换开关,就是为了满足高可靠性要求。目前投入使用的专用智能化设备,具有自投自复、自投不自复和电网发电机三种切换功能,对两路供电电源的三相电压有效值及相位进行实时检测,当任一相发生过压、欠压、缺相,能自动从异常电源切换到正常电源,这是一种性能完善、安全可靠、操作方便、智能化程度高、使用范围广泛的双电源控制系统的设备。

浅谈双电源自动切换开关的应用

山西电子技术2010年第3期 应用实践 收稿日期:2010-05-13 作者简介:魏爱成(1963-),男,山西定襄人,工程师,主要从事广播电视微波传输工作。 文章编号:1674- 4578(2010)03-0053-02浅谈双电源自动切换开关的应用 魏爱成 (山西广播电视无线管理中心,山西太原030001) 摘 要:随着科学技术的进步,各台站对供电可靠性的要求越来越高,而目前各台站在双电源供电的低压侧仍 然采用手动操作的双向隔离开关进行倒闸操作,常常会因误操作而引发事故。所以,先进的双电源自动切换开关设备很有必要应用到各个台站的供电系统中。这里主要阐述了双电源自动切换开关的原理及其应用。 关键词:电源供电;双电源自动切换开关;可靠性中图分类号:TM564 文献标识码:A 0引言 山西广播电视无线管理中心下设二十一个台(站),主 要任务是传输和发射中央电视台和山西省广播电台的多套电视和广播节目任务,在维护工作中,必须坚持“高质量、不间断、既经济、又安全”的维护工作总方针,而在具体的维护工作中电源是关键,现在每个台(站)都是两路电源,在低压侧仍然采用手动操作的双向隔离开关进行倒闸操作,每次停电都得人工切换,稍有不慎就会造成停播,为了保证信号的安全播出,我认为电源须采用高可靠性的双电源切换开关,以确保两路供电电源不间断地正常供电。下面浅谈一下双电源自动切换开关的应用: 1双电源自动切换开关概述 双电源自动切换开关是一种能在两路电源之间进行可 靠切换双电源的装置,不会出现误操作而引起事故的智能化双电源自动切换开关,就是为了满足高可靠性要求。目前投入使用的专用智能化设备,具有自投自复、自投不自复和电网发电机三种切换功能,对两路供电电源的三相电压有效值及相位进行实时检测,当任一相发生过压、欠压、缺相,能自动从异常电源切换到正常电源, 这是一种性能完善、安全可靠、操作方便、智能化程度高、使用范围广泛的双电源控制系统的设备。 双电源自动切换开关的紧急供电系统,可实现当一路电源发生故障时,可以自动完成常用与备用电源间切换,而无需人工操作,以保证重要用户供电的可靠性。 2双电源自动切换开关特点 双电源自动切换开关是由两台三极或四极的塑壳断路 器及其附件(辅助、报警触头)、机械联锁传动机构、智能控制器等组成。分为整体式与分体式两种结构。整体式是控制器和执行机构同装在一个底座上;分体式是控制器装在柜体面板上,执行机构装在底座上,由用户安装在柜体内,控制器与执行机构用约2m 长的电缆连接。其特点是: (1)两台断路器之间具有可靠的机构联锁装置和电气联锁保护, 彻底杜绝了两台断路器同时合闸的可能性;(2)智能化控制器采用以MOTOROLA 单片机为控制核心, 硬件简洁,功能强大,扩展方便,可靠性高;(3)具有短路、过载保护功能,过压、欠压、缺相自动切换功能与智能报警功能; (4)自动切换参数可在外部自由设定;(5)具有操作电机智能保护功能; (6)装置带有消防控制电路,当消防控制中心给一控制信号进入智能控制器,两台断路器都进入分闸状态; (7)留有计算机联网接口,以备实现遥控、遥调、遥信、遥测等四遥功能。 3双电源自动切换开关的工作模式 双电源自动切换开关有两种工作模式:自动工作模式和 手动工作模式。 (1)自动工作模式:双电源自动切换开关在自动模式下控制功能可分为自投自复(R )、 自投不自复(S )和电网一发电机(R )三种。前两种适用于电网-电网的供电系统,后一种适用于电网-发电机系统。(2)手动工作模式:手动工作模式有常用电源、备用电源断电再扣三种工作方式。手动工作模式下系统将有自动切换功能。 常用电源方式:强制断开备用电源,接通常用电源。备用电源方式:强制断开常用电源,接通备用电源。断电再扣方式:即可将两路电源全部断开,也可使因故障脱扣的断路器再合闸。 4智能控制器的模式 (1)自投自复式的智能控制器(R 型) 智能控制器对常用与备用电源进行监测,并进行自动切 换。当两路电源都正常时由常用电源供电。常用电源发生异常(任一相电压过压、 欠压、缺相)时,经设定的延时t 1后,

实验三-MOS管参数仿真及Spice学习

实验三MOS管参数仿真及Spice学习 刘翔 10214070 一、实验内容和要求。 实验内容: (1)使用S-Edit绘制电路图,将其转换成Spice文件。 (2)利用T-Spice的对话框添加仿真命令。 (3)利用W-Edit观察波形。 实验要求: (1)利用Tanner软件中的S-Edit、T-Spice和W-Edit,对NMOS管的参数进行仿真。NMOS器件的T-Spice参数仿真内容如下: a. MOS管转移特性曲线(给定VDS、W、L,扫描VGS)。 b. MOS管输出特性曲线(给定VGS、W、L,扫描VDS)。 c. 温度对MOS管输入/输出特性的影响(给定VGS、VDS、W、L,扫描Temp)。 d. MOS管W对输入/输出特性的影响(给定VGS、VDS、W/L,扫描W)。 e. MOS管L对输入/输出特性的影响(给定VGS、VDS、W/L,扫描L)。 f. MOS管W/L对输入/输出特性的影响(给定VGS、VDS、L,扫描W)。 g. MOS管开关电路输入/输出波形(输入一定频率的方波)。 h. 在MOS管开关电路输入/输出波形中找出传输时间、上升时间和下降时间。

i. MOS管开关电路传输特性曲线。 j. MOS管W/L对传输特性的影响(给定L、扫描W)。 k. 在MOS管传输特性曲线上找出测量输入、输出电压门限,计算噪声裕度。 (2)记录操作步骤,截取相应图片,完成实验报告。 二、实验环境、Tanner软件简介及SPICE命令。 实验环境: Tanner(S-Edit、T-Spice、W-Edit) SPICE命令的插入: Edit —Insert Command命令或工具栏中的,打开T-Spice Command Tool(T-Spice命令工具)对话框,可以在活动输入文件中插入命令。 三、实验流程框图。 四、实验步骤。 1.在S-Edit中绘制电路原理图,导出SPICE文件。 (1)新建一个文件file-new,新建一个模块,module-new,添加所需要的工艺库。

MOS管参数代换大全

MOS管参数代换大全 型号参数国内外相似替换型号资料 2SC1885 150V,0.05A 0.75,200MHZ BF297,BF422,BF391,3DG180K NPN 2SC2336 180V,1.5A,25W,95MHZ 2SC2238A,2SC2238B,2SC2660, NPN 2SD478,2SD608A,2SD760,2SD1138, 3DA25F 2SC3306 500V,10A,100W BUV48A,BUV48B,BUV48C,BUW13 NPN 2SC2740,2SC3042,2SC3277,2SC3365 2SC3842,2DK308C 2SC3461 1100V,8A,140W BU902,2SC3643,2SC3847,2SC3982, NPN 2SD1433 2SC3746 80V,5A,20W 2SC3253,2SC3258,2SC3540,2SC3691 NPN 2SC4549,2SD1270,2SC1832 2SC3866 900V,3A,40W 2SC2979,2SC3178,2SC3559,2SC3979 NPN 2SC4303 2SC3953 2SC3886 1400V,8A,50W BU508AF,2SC3847,2SC3896,2SD1850 NPN 2SD1886 2SC3997 1500V,20A,250W - NPN 2SC4111 1500V,10A,150W 2SC3307,2SC3897,2SC3995 NPN 2SC4159 180V,1.5A,15W 2SC3298A,2SC3298B,2SD1763A,2SD1772 NPN 2SC4288 1400V,12A,200W 2SC3910,2SC3995 NPN 2SC4538

双电源自动切换开关的原理说明

双电源自动切换开关的原理说明 双电源自动切换开关电器主要用在紧急供电系统,将负载电路从一个电源自动换接至另一个(备用)电源的开关电器,以确保重要负荷连续、可靠运行。因此,常常应用在重要用电场所,其产品可靠性尤为重要。转换一旦失败将可能造成以下二种危害之一,其电源间的短路或重要负荷断电(甚至短暂停电),其后果都是严重的,这不仅仅会带来经济损失(使生产停顿、金融瘫痪),也可能造成社会问题(使生命及安全处于危险之中)。因此,工业发达国家都把自动转换开关电器的生产、使用列为重点产品加以限制与规范。 工作原理及结构

双电源自动切换开关一般由两部分组成:开关本体(ats)+控制器。而开关本体(ats)又有pc级(整体式)与cb级(断路器)之分,双电源自动转换开关电器(atse)质量的好坏关键取决于开关本体(ats)。 1.pc级ats:一体式结构(三点式)。它是双电源切换的专用开关,具有结构简单、体积小、自身连锁、转换速度快(0.2s内)、安全、可靠等优点,但需要配备短路保护电器。 2.cb级ats:配备过电流脱扣器的ats,它的主触头能够接通并用于分断短路电流。它是由两台断路器加机械连锁组成,具有短路保护功能 控制器的工作状况 控制器主要用来检测被监测电源(两路)工作状况,当被监测的电源发生故障(如任意一相断相、欠压、失压或频率出现偏差)时,控制器发出动作指令,开关本体则带着负载从一个电源自动转换至另一个电源,备用电源其容量一般仅是常用电源容量的20%~30%。图1是典型ats应用电路。控制器与开关本体进线端相连。 控制器的优点 控制器一般应有非重要负荷选择功能。控制器也有两种形式:一种由传统的电磁式继电器构成;另一种是数字电子型智能化产品。它具有性能好,参数可调及精度高,可靠性高,使用方便等优点。 一、分类及定义 双电源主要分为PC级双电源(整体式)和CB级双电源(双断路器式) PC级双电源:能够接通、承载、但不用于分断短路电流的双电源 双电源若选择不具有过电流脱扣器的负荷开关作为执行器则属于PC级自动转换开关。不具备保护功能,但其具备较高的耐受和接通能力,能够确保开关自身的安全,不因过载或短路等故障而损坏,在此情况下保证可靠的接通回路。CB级双电源:配备过电流脱扣器的双电源,它的主触头能够接通并用于分断短路电流 双电源若选择具有过电流脱扣器的断路器作为执行器则属于CB级自动转换开关。具备选择性的保护功能,能对下端的负荷和电缆提供短路和过载保护;其接通和分断能力远大于使用接触器和继电器等其他元器件。 二、操作规范 1、当因故停电,且在较短时间内无法恢复供电时,必须启用备用电源。步骤: ①切除市电供电各断路器(包括配电室控制柜各断路器,双电源切换箱市供电断电器),拉开双投防倒送开关至自备电源一侧,保持双电源切换箱内自备电供电断路器处于断开状态。 ②启动备用电源(柴油发电机组),待机组运转正常时,顺序闭合发电机空气开关、自备电源控制柜内各断路器。 ③逐个闭合电源切换箱内各备用电源断路器,向各负载送电。④备用电源运行期间,操作值班人员不得离开发电机组,并根据负荷的变化及时调整电压、厂频率等,发现异常及时处理。 2、市电恢复供电时,应及时做好电源转换工作,切断备用电源,恢复市电供电。 步骤: ①按顺序逐个断开自备电源各断路器,顺序是:双电源切换箱自备电源断路器→自备电源配电柜各断路器→发电机总开关→将双投开关拨至市电供电一侧。 ②按柴油机停机步骤停机。 ③按顺序,从市电供电总开关至各分路开关逐个闭合各断路器,将双电源切换箱自市电供电断路器置于闭合位置。 3、检查各仪表及指示灯指示是否正常,启动变压器内冷却风扇。 三、正常工作条件 周围空气温度 1.周围空气温度上限+40℃;○周围空气温度下限-5℃;○周围空气温度24h的平均值不超过+35℃。 2.海拔:安装地点的海拔不超过2000m。 3.大气条件: 大气相对湿度在周围空气温度为+40℃时不超过50%;在较底温度下可以有较高的相对湿度;最湿月的月平均最大相对湿度为90%,同时该月的月平均最低温度+25℃,并考虑到因温度变化发生在产品表面上的凝露。 4.污染等级:污染等级为3级。

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