单晶培养的方法及技巧

单晶培养的方法及技巧
单晶培养的方法及技巧

单晶培养的方法

一、挥发法

原理:依靠溶液的不断挥发,使溶液由不饱和达到饱和过饱和状态。

条件:固体能溶解于较易挥发的有机溶剂理论上,所有溶剂都可以,但一般选择 60~120℃。

注意:不同溶剂可能培养出的单晶结构不同方法:将固体溶解于所选有机溶剂,有时可采用加热的办法使固体完全溶解,冷却至室温或者再加溶剂使之不饱和,过滤,封口,静置培养。

经验: 1.掌握好溶解度,一般 100mL 可溶解 0.2g~2g, 50mL 的烧杯,0.5g~0.8g.

2.纯度大的易长出晶体。

3. 可选用混合溶剂,但必须遵循高沸点的难溶低沸点易容的原则。混合溶剂必须选用完全互溶的二种或多种溶剂。υ

※怎么看是否形成单晶:如果析出的固体有发亮的颗粒或者在显微镜下可观察到凹凸的多面体形状。

怎么挑选单晶:

不要等溶剂挥发完再挑,一定要在有母液存在下挑单晶,用毛细管将晶体吸出,滴到滤纸上,用针将单晶挑到密封管中,3~5 颗即可。

二、扩散法

原理:利用二种完全互溶的沸点相差较大的有机溶剂。固体易溶于高沸点的溶剂,难溶或不溶于低沸点溶剂。在密封容器中,使低沸点溶剂挥发进入高沸点溶剂中,降低固体的溶解度,从而析出晶核,生长成单晶。液体等。一般选难挥发的溶剂,如 DMF,DMSO,甘油甚至离子

条件:固体在难挥发的溶剂中溶解度较大或者很大,在易挥发溶剂中不溶或难溶。经验:固体在难挥发溶剂中溶解度越大越好。培养时,固体在高沸点溶剂中必须达到饱和或接近过饱和。

方法:将固体加热溶解于高沸点溶剂,接近饱和,放置于密封容器中,密封容器中放入易挥发溶剂,密封好,静置培养。

三、温差法原理:利用固体在某一有机溶剂中的溶解度,随温度的变化,有很大的变化,使其在高温下达到饱和或接近饱和,然后缓慢冷却,析出晶核,生长成单晶。一般,水,DMF, DMSO,尤其是离子液体适用此方法。条件:溶解度随温度变化比较大。经验:高温中溶解度越大越好,完全溶解。推广:建议大家考虑使用离子液体做溶剂,尤其是对多核或者难溶性的配合物。

四、接触法

原理:如果配合物极易由二种或二种以上的物种合成,选择性高且所形成的配合物很难找到溶剂溶解,则可使原料缓慢接触,在接触处形成晶核,再长大形成单晶。一般无机合成,快反应使用此方法。 * ? ? ? ? ?

方法: 1.用 U 形管,可采用琼脂降低离子扩散速度。 2.用直管,可做成两头粗中间细。 3.用缓慢滴加法或稀释溶液法(对反应不很快的体系可采用)4.缓慢升温度(对温度有要求的体系适用)经验:原料的浓度尽可能的降低,可以人为的设定浓度或比例。

0.1g~0.5g 的溶质量即可。

五、高压釜法

原理:利用水热或溶剂热,在高温高压下,是体系经过一个析出晶核,生长成单晶的过程,因高温高压条件下,可发生许多不可预料的反应。方法:将原料按组合比例放入高压釜中,选择好溶剂,利用溶剂的沸点选择体系的温度,高压釜密封好后放入烘箱中,调好温度,反应 1~4 小时均可。然后,关闭烘箱,冷至室温,打开反应釜,观察情况按如下过程处理: 1. 没有反应——重新组合比例,调节条件,包括换溶剂,调 pH 值,加入新组分等。

2.

反应但全是粉末,且粉末什么都不溶解,首先从粉末中挑选单

晶或晶体,若不成, A:改变条件,换配体或加入新的盐,如季铵盐,羧酸盐等; B:破坏性实验,设法使其反应变成新物质。 3.部分固体,部分在溶液中:首先通过颜色或条件变化推断两部分的大致组分,是否相同组成,固体挑单晶,溶液挥发培养单晶,若组成不同固体按 1 或 2 的方法处理。 4.全部为溶液——旋蒸得到固体,将固体提纯,将主要组成纯化,再根据特点接上述四种单晶培养方法培养单晶

1 实验前

知己知彼,百战不殆。通过查阅文献或咨询师兄师姐知道他们在做类似结构化合物所使用的方法,做到心中有数。首先要了解溶解性:在什么溶剂中溶解性很好,在什么溶剂中溶解性一般,在什么溶剂中溶解性较差等等。其次要了解稳定性:对空气和水是否敏感将决定你选择一个合适的环境。最后,最重要的一点,要坚信,任何可以溶解的纯粹的固体,都可以长成单晶。单晶是鉴定化合物结构最直接也是最有说服力的表征方法。

2 实验中

(1长单晶使用的瓶子要刷干净,不一定要使用新瓶子,但是一定要干净。

(2)长单晶的过程中千万不要受到干扰:任何的触碰、晃动都可能让单晶生长过程失败。可以设定一个观察期限,我的期限是两天。在两天之内要让它绝对的静止,两天之后再检查。

(3)在你检查期限之外,要及时去检查并做好记录,这一次的现象是什么,析出固体,析出多晶还是什么。然后再改变条件,避免下次重复使用相同的失败方法。这样就可以进行下一轮的周期。当然如果你的量够多的话,可以平行开几个不同条件的方法以提高效率。

(4)如果是使用溶剂,一定要保证你的化合物完全溶解,如果有丝毫的不溶物或者其它杂质,要把它们过滤除去,使用滤纸、砂芯甚至餐巾纸都可以很好地做到这一点。

(5)如果能提纯的话,尽量提得非常纯,我都是把化合物通过了核磁、元素表征之后再来长单晶的,这样做的好处可以是,长出来的单晶肯定是你的目标产物,避免测了一个你不想要的,要知道,单晶测试费可是很高的。

(6)选择合适的溶剂是关键,有时需要选择混合溶剂,这都需要你对你的物质充分地熟悉。

(7)不要轻易放弃!试遍所有的方法你最终将得到你智慧的结晶——单晶。

3 实验方法

(1)冷冻法。这是最简单的也是很成功的方法,将你的物质溶解在合适的溶剂中,可以加热让其完全溶解,然后放入冰箱冷冻,或者直接让其在室温中静置,单晶也许就会像花开无声一样长出来。

(2)挥发溶剂法。让溶液敞口自然挥发溶剂以让单晶析出(对水氧敏感的话可以用氮气吹),但是这样长出的单晶可能晶型不太好,因为溶剂的不断挥发可能会导致晶型变差,这就需要你及时去检查,一旦晶体析出要停止挥发溶剂。

(3)挥发扩散。需要一大一小两个瓶子,小瓶子中放你的样品,用少量挥发性不太好的溶剂将其溶解,如THF, benzene, chloroform, toluene, acetonitrile, methanol, 然后在较大的瓶子中放入挥发性较好的、同时也是对你的样品溶解性差的溶剂,如 diethyl ether, hexane.好了,现在把小瓶子放入大瓶子中,注意不要让小瓶子被大瓶子中的溶剂漫过。然后把大瓶子盖上。现在挥发性好的溶剂就会慢慢挥发至挥发性不好的溶剂中,这样单晶就会充满希望地长出。

(4)液液扩散与挥发扩散类似,不过这是将第二种不良溶剂直接滴在第一种溶剂上,不过要小心操作,要让两种液面之间有明显的分层,然后静置。最好能选择细长一点的瓶子来操作。当然你可以选择在低温下来降低扩散速率。

(5)其实还有别的方法,这里就不列举了,但是上面几种方法是最常见的也是最有效的。

4 长出单晶后

恭喜你!但是没有测出来之前还剩下最后一步——送样!这个过程之所以单独列出来是因为我觉得这一步也很重要,也容易被忽视,也会出现失误。因为有部分晶体会风化,如果是对水氧敏感的化合物就更需要小心了,可以用毛细管封管。提前与测试部门取得联系,多挑几颗出来及时送样很关键。留着你的母液,一旦出现失误可以立即重新挑单晶。即使成功了你也可以回收你的样品。

5 个人体会。不是每一个化合物都可以很容易地长成单晶,或者在短时间内很容易地拿到单晶,但是你只有多做,做很多种类似结构的物质才有可能得到一个单晶结构,而且这种长出来的过程不是你刻意的,往往在你重结晶的过程中单晶就悄无声息地出现了!

1、制备结晶的溶液,需要成为过饱和的溶液。一般是应用适量的溶剂在加温的

情况下,将柱分离得到的化合物溶解再放置冷处。如果在室温中可以析出结晶,就不一定放置于冰箱中,以免伴随结晶析出更多的杂质。

2、“新生态”的物质即新游离的物质或无定形的粉未状物质,远较晶体物质

的溶解度大,易于形成过饱和溶液。一般经过精制的化合物,在蒸去溶剂抽松为无定形粉未时就是如此,有时只要加入少量溶剂,往往立即可以溶解,稍稍放置即能析出结晶。

3、制备结晶溶液,除选用单一溶剂外,也常采用混合溶剂。一般是先将化合

物溶于易溶的溶剂中,再在室温下滴加适量的难溶的溶剂,直至溶液微呈浑浊,并将此溶液微微加温,使溶液完全澄清后放置

4、结晶过程中,一般是溶液浓度高,降温诀,析出结晶的速度也快些。但是

其结晶的颗粒较小,杂质也可能多些。有时自溶液中析出的速度太快,超过化合物晶核的形成劝分子定向排列的速度,往往只能得到无定形粉未。有时溶液太浓,粘度大反而不易结晶化。如果溶液浓度适当,温度慢慢降低,有可能析出结晶较大而纯度较高的结晶。有的化合物其结晶的形成需要较长的时间。

5、制备结晶除应注意以上各点外,在放置过程中,最好先塞紧瓶塞,避免液

面先出现结晶,而致结晶纯度较低。如果放置一段时间后没有结晶析出,可

以加入极微量的种晶,即同种化合物结晶的微小颗粒。加种晶是诱导晶核形成常用而有效的手段。一般他说,结晶化过程是有高度选择性的,当加入同种分子或离子,结晶多会立即长大。而且溶液中如果是光学异构体的混合物,还可依种晶性质优先析出其同种光学异构体。没有种晶时,可用玻璃棒蘸过饱和溶液一滴,在空气中任溶剂挥散,再用以磨擦容器内壁溶液边缘处,以诱导结晶的形成。如仍无结晶析出,可打开瓶塞任溶液逐步挥散,慢慢析晶。

或另选适当溶剂处理,或再精制一次,尽可能除尽杂质后进行结晶操作。

6、重结晶及分步结晶:在制备结晶时,最好在形成一批结晶后,立即倾出上

层溶液,然后再放置以得到第二批结晶。晶态物质可以用溶剂溶解再次结晶精制。这种方法称为重结晶法。结晶经重结晶后所得各部分母液,再经处理又可分别得到第二批、第三批结晶。这种方法则称为分步结晶法或分级结晶法。晶态物质在一再结晶过程中,结晶的析出总是越来越快,纯度也越来越高。分步结晶法各部分所得结晶,其纯度往往有较大的差异,但常可获得一种以上的结晶成分,在未加检查前不要贸然混在一起

7、结晶纯度的判定:化合物的结晶都有一定的结晶形状、色泽、熔点和熔距,

一可以作为鉴定的初步依据。这是非结晶物质所没有的物理性质。化合物结晶的形状和熔点往往因所用溶剂不同而有差异。原托品碱在氯仿中形成棱往状结晶,熔点207℃;在丙酮中则形成半球状结晶,熔点203℃;在氯仿和丙酮混合溶剂中则形成以上两种晶形的结晶。又如N一氧化苦参碱,在无水丙酮中得到的结晶熔点208℃,在稀丙酮(含水)析出的结晶为77~80℃。所以文献中常在化合物的晶形、熔点之后注明所用溶剂。一般单体纯化合物结晶的熔距较窄,有时要求在0.5℃左右,如果熔距较长则表示化合物不纯。

8、但有些例外情况,特别是有些化合物的分解点不易看得清楚。也有的化合

物熔点一致,熔距较窄,但不是单体。一些立体异构体和结构非常类似的混合物,常有这样的现象。还有些化合物具有双熔点的特性,即在某一温度已经全部融熔,当温度继续上升时又固化,再升温至一定温度又熔化或分解。

如防己诺林碱在1760C时熔化,至200℃时又固化,再在2420C时分解。中草药成分经过同一溶剂进行三次重结晶,其晶形及熔点一致,同时在薄层层析或纸层层析法经数种不同展开剂系统检定,也为一个斑点者,一般可以认为是一个单体化合物。但应注意,有的化合物在一般层析条件下,虽然只呈现一个斑点,但并不一定是单体成分。例如鹿含草中主成分为高熊果砍,异高熊果甙极难用一般方法分离,经反复结晶后,在纸层及聚酞胺薄层上都只有一个斑点,易误认为单一成分,但测其熔点在115~125℃,熔距很长。经制备其甲醚后,再经纸层层析检定,可以出现两个斑点,异高熊果甙的比移值大于高熊果甙。又如水菖蒲根茎挥发油中的α一细辛醚和β一细辛醚,在一般薄层上均为一个斑点,前者为结晶,熔点63℃,后者为液体沸点296℃,用硝酸银薄层或气相层忻很容易区分。有时个别化合物(如氨基酸)可能部分地与层析纸或薄层上的微量金属离子(如Cu)、酸或碱形成络合物、盐或分解而产生复斑。因此,判定结晶纯度时,要依据具体情况加以分析。此外,高压液谱、气相层析、紫外光谱等,均有助于检识结晶样品的纯度。

单晶培养1.单晶培养的方法多种多样,我们没必要掌握那些难以操作的,如升华法、共结晶法等。最简单的最实用。常用的有 1.溶剂缓慢挥发法;2.液相扩散法;3.气相扩散法。99%的单晶是用以上三种方法培养出来的。

2.单晶培养所需样品用量

一般以10-25mg为佳,如果你只有2mg左右样品,也没关系,但这时就要选择液相扩散法和气相扩散法,不能使用溶剂缓慢挥发法。

3.单晶培养的样品的预处理

样品溶解后一定要过滤,不能用滤纸,而是用一小团棉花轻轻的塞在滴管的中下部或下部,不要塞太紧,否则流的太慢。样品当然是越纯越好,不过如果实在没办法弄纯也没关系,培养一次就相当于提纯了一次,我经常用一些TLC显示有杂点的东西长单晶,但得多养几次。

4.一定要做好记录

一次就得到单晶的可能性比较小。因此最好的方法就是在第一次培养单晶的时候,采取少量多溶剂体系的办法。如果你有50mg样品,建议你以5mg为一单位,这样你可以同时实验10种溶剂体系,而不是选两种溶剂体系,每个体系25mg。这是做好记录就特别重要,以免下次又采用已经失败的溶剂体系,而且单晶解析时必须知道所用的溶剂。

5.培养单晶时,最好放到没人碰的地方,这点大家都知道。我想说的是你不能一天去看几次也不能放在那里5,6天不管。也许有的溶剂体系一天就析出了晶体,结果5天后,溶剂全干了。一般一天看一次合适,看的时候不要动它。明显不行的体系

(如析出絮状固体)就要重新用别的溶剂体系再重新培养。

6.液相扩散法中良溶剂与不良溶剂的比例最好为1:2-1:4。

7.烷基链超过4个碳的很难培养单晶。

8.分子中最好不要有叔丁基,因为容易无序,影响单晶解析的质量。

9.含氯的取代基一般容易长单晶,如4-氯苯基取代化合物比苯基取代化合物容易长单

晶体培养步骤:

一支管法:在单晶制备时,经常会发现配位一发生,产生大量的微晶,再去挥发母液,怎

么都长不大,以前听人说可用扩散法,但受到文献启示,可以找一根长玻璃管,底下注入盐

的溶液,上面加一个纯溶剂缓冲层(可长可短),最上面注入(先慢后快)配体溶液,两三

个小时或两三天就搞定了。原理是:玻璃管越细,两层间的接触面越小,扩散速度降低,有

效避免新手一扩散就出沉淀的尴尬!

试管法:

反应发生就产生大量的微晶,再去挥发母液,怎么都长不大。可以找一根长15 厘米直径为

1-1.5 厘米的试管,底下直接放入盐的固体,加大量溶剂(先慢后快)最上面注入(先慢后

快)配体溶液(上下溶剂可以相同,但为了保险,可在配体溶液中加入密度小的溶解性差的

溶剂,如石油醚或乙酸乙酯;如果不同,一定要注意上面的密度要小!!),两三个小时或两

三天就搞定了。新手两三次就搞定了!原理:文献上都说上下两层均溶液,但是操作起来很

困难,如果直接放入盐或者配体的固体,就增加了溶解的平衡,先慢是为了固体或溶液被猛

烈撞击,后快是为了让刚溶解的部分死心塌地的呆在他应处的地方(好像违反动力学,但是

是真的)如果有专用的石英管(一端粗、一端细),可将晶体吸入到管中,除去大部分溶剂,

但是一定要有溶剂,用打火机迅速封烧较细端,用较细滴管(或针管)吸少量母液,将该管

放入离心机的塑料管中,低速离心,使得晶体既保持在母液中,又能完全卡在合适的位置而

不乱动。如没有专用的石英管,可用废核磁管自己拉一根。

大多数的合成化学家认为培养出满足质量的单晶更是一门艺术而非科学。为支持这个说法,他们会提出很多事情,要得到这样的晶体似乎是机遇而且事实上有些人有很好的养单晶的能力。这个论点有一定道理但是实验已经表明完整的理解晶体生长和溶剂的性质、认真分析过去的成败可以得到一致的积极结果。事实上,蛋白质晶体化学家已经在这个领域取得了非常大的的成功,我们合成化学家应从中学到很多有用的东西。

1.晶体生长的速率

热力学的定律告诉我们,较慢的晶体生长速率及小的熵易引起完美晶体得晶体缺陷,这个证据可以在接近完善的晶体表面经常可以被观察到如经过了数个周期几年到一千年的结晶时间的矿物。在实验室条件下,实验已经表明生长单晶的最佳时间是数个若干天的周期(over periods of days)偶尔当溶液快速干燥时,所需的单晶会被发现,这种事实非常幸福的但很少见。典型地当一个人完成一个结晶过程,最好的结晶将在一天或一周后形成。从我的经验来看,结晶成功的可能性最初的几周之后开始急剧下降,尽管幸运的话也有例外。

2.晶体生长的一般条件

在实验室进行的结晶过程大多数温度保持相对恒定,震动级别最小,样品保存在黑暗处。这常常放在一个小碗橱,密闭、背阴的房间。记住对流一般来说是你的敌人应试图保持温度相对恒定。另外对于在狭窄的容器中高粘度溶剂其与温度梯度无关对流相对的低。.因为结晶总是需要时间,化学家常常不耐烦以至于经常去检查样品。应避免剧烈的动作,因为这种操作会对优化晶体生长有害。因此,我推荐不要还没超过一天就去检查他们的样品。

3.溶剂性质和饱和溶液

晶体生长必须在饱和溶液中。为优化结晶生长,化合物在结晶条件下应当适当溶解。假如饱和时溶解度太大,倾向于得到在一起的丛生晶体。假如溶解的太少,没有足够的溶质供应晶体表面的生长,会倾向于得到小晶体。为得到正确的溶解性,应正确的匹配溶质和溶剂。人们在开始的时候应从文献上查询溶剂的参数如溶剂的极性和介电常数或凭个人的经验。无论如何最好的程序是通过系统的试验不同的溶剂或溶剂组合直到找到6种左右的能适当溶解样品的溶剂。从我的经历来看,中心或离子的金属有机、无机、有机化合物随着化合物的种类不同,溶剂非常不一样。有时,典型的培养单晶最成功的例子是使用了三种的混合溶剂,分别是二氯甲烷、甲苯、正己烷。其他的一些不常用如三氯甲烷、乙腈、丙酮、乙醇、甲醇、四氢呋喃、和乙醚。通过经验和认真实验,你会找到适合你的体系的溶剂组合。

4.掌握几种通用方法

为了真正精通培养单晶必须有对掌握方法足够的实践。当这一切完成后,人们可以非常协调的找到线索极大的增加成功的几率。因为这些现象,熟练的晶体花园的园丁将倾向于掌握两到三种可以取得几乎所有成功的技术。

已被证实的培养单晶的方法

在下面的部分我将列出一些最通用或最有前途的培养单晶的方法,这些是我用过或在未来的研究中要用的办法。

(安全提示:大多数结晶过程包含一种或多个组分是适度或非常易燃的,尽管结晶过程往往是非常少的溶剂量,结晶过程必须采用安全的溶剂和设备,尤其是,易燃的组分必须小心处理。)

1.缓慢蒸发溶剂长单晶

这是一个广泛使用生长单晶的办法,就是将目标分子的不完全饱和溶液慢慢地蒸发除去其中的溶剂。一旦达到饱和,晶体开始形成不断的蒸发使溶质分子不断在晶体的生长面上添加。

典型的实验方法如下:

·在一个地方溶液放在一个小瓶或管里,塞子上留有一个小的针孔以便让溶剂分子慢慢的扩散出去。

·在一个地方溶液放在一个小瓶或管里,塞子由可以透过溶剂蒸气的材料制成

·对空气敏感的化合物,人们可以把这些程序应用在惰气条件下(例如,手套箱,手套袋或大的容器像广口瓶及干燥器。

2.冷却结晶

几乎所有的情况溶解度随温度而减少,利用这个特点可以使溶质在一定温度下溶解在溶剂中接近饱和,然后让系统降温。理想的是让水浴或晶体生长的柜子的温度梯度下降,冷却时间典型的可以选择从一天到一周或更多。令人惊奇的是,冷却时间几个小时或超过一夜常常可以得到所需要的热力学梯度因而经常取得成功。

典型的实验方法如下:

·把样品在较高的温度下溶解放入一个隔热的容器中(例如用棉毛金属箔,一个大的热缓冲器)让样品的温度缓缓降至常温。

·把样品在室温溶解置于一个隔热容器中再放入冰箱或冰柜中。

3.用混合溶剂或气相溶剂培养单晶

用这种方法,有两种溶剂人们应该逐渐调整混合溶剂的比例.溶质在一种溶剂应能适当溶解,大部分不溶于难溶溶剂。

典型实验方法包括:

·一种情况,你首先溶解溶质在溶解性较好的溶剂中,然后添加难溶的溶剂。

·有时可以滴加难溶的溶剂

·有时你可以用注射泵以非常低的流速的流速添加难溶溶剂

·另一种情形,你除去易溶的溶剂

·可以这样做使易溶的溶剂从体系中挥发出来因其蒸汽压较大

·容器与样品瓶相连,添加选择性的吸附剂到容器这个做将有帮助

·第三种情形,易溶的溶剂除去同时添加难溶的溶剂。人们完成了一种设备以便让难溶溶剂转移到混合溶剂系统(易溶溶剂同时扩散出来)通过气相扩散.

·在第一种该设备中人们把一些含有溶质和良溶剂的小瓶放入一个稍大点的容器,在该容器底部或第二个样品瓶中有难溶溶剂。

·第二种设备两个管桥联在一起,溶剂可以扩散(这种设备的形状有点像H 管)

4.溶剂分层培养单晶

与前边所用技术的一个重要差别该技术依据的的是在不搅拌的情况下密度差比较大的溶剂其混合相当慢。人们可以利用这个优势溶解溶质在易溶溶剂中然后添加一层难溶溶剂(底层宁愿是上层)。假如这个体系不搅拌、摇动、振动太多

两层需要数天才能混合。结果溶剂缓慢的通过分界层进行扩散,经常在那里可以长出非常好的单晶。

典型试验方法:

·我一般的是溶解化合物在密度大的氯化的溶剂如二氯甲烷对应的上层添加极性小的、密度小的溶剂(如正己烷、乙醚、甲苯)

·如果你的化合物是水溶的,你可以改变两个水层的密度和溶剂性质通过使用两种非常不同的浓度盐。蛋白质晶体化学家经常使用此技术。

5.通过毛细管和凝胶扩散培养单晶

因为他们内在的粘度和缺乏对流,溶剂一般的通过狭窄毛细管扩散非常慢。

典型试验方法:

·一般的程序可以用H管来完成,毛细管垂直或横着将两个管自从中间连接起来。第二种仪器比较容易制造和填充。

·我一般溶解溶质在良溶剂中添加至管子底部的一半,这样溶液就可以到达收敛管道中间。然后,在上面添加难溶溶剂。

·这项技术主要的不同就是桥联两种溶液用的小管充满了凝胶。这样扩散非常慢,可以长出大单晶,但是长得特别慢。

6.熔化培养单晶

假如化合物足够对热稳定,你可以从均相甚至非均相的熔化来培养单晶,小心控制冷却速率是非常必要的。该方法广泛用于高温固体的单晶例如金属和金属氧化物最近通过低温熔盐培养一般离子化合物已变成一个很流行的方法。

7 .升华培养单晶

足够挥发的化合物在接近真空时可以结晶,经常从粗混合产物通过升华给出单晶。从我的经验,我仅仅看到此工作在相对易挥发的固体如萘、二茂铁(M(CO)6, and (n5-C5H5)M(CO)2(NO) (where M = Cr, Mo, and W),当然我明白这对一些非极性化合物也非常实用。

8.综合法培养单晶

当这些单独的办法无效,试着组合他们。我尤其喜欢使用混合溶剂的方法和冷却合用,多种方法合用一般能取得比较好的效果。

9.原位合成

在两个溶液的界面的反应(例如不同层或毛细管的连接处)可被用来产生新的产物,该产物不溶于任何一种开始原料因此沉淀出来成为单晶。假如反应足够慢,这有时甚至发生在单相系统。我已经知道该方法成功的用于成键反应和还原反应。人们经常用该法的还原反应制备在室温下的溶液中几乎立刻分解的化合物的单晶。

10.有魔力的核磁管

假如你有时搜索晶体结构数据库,你会惊奇的发现有大量的晶体结构用氘代试剂报导,这并不是人们有意让他们在里面结晶而是晶体易在核磁管里出现。[注意:很多人一直到没有干净的核磁管才去清洗之,他们大量的放在实验室,这个锥形的小或非废弃管,如果老板看不到,没人感到内疚。这给了溶液大量时间去长晶体而不受外界干扰]大多数情况下,这个发生因为溶剂缓慢从塑料帽里蒸发出来。(如氘代氯仿)

11.其他方法

假如所有的都失败,不要气馁。因为单晶有时经常被发现在晶体纯化,要洗的杯子还有其他想不到的地方。

假如以上方法都失败,你应该考虑如下问题:

1.提纯你的原料

很多次原料是分析纯的,但对于成功长出单晶来说仍然纯度不够,试着再次纯化可能会提高成功的几率。

2.晶种

因为长单晶的模式是从基础层开始的,同样或相似材料的晶种经常可以诱导长出希望尺寸的单晶。这晶种常常有洒在器壁上的要结晶溶液形成。然而,他们可以有目的的被添加。人们经常用的是用前述方法培养出来很好的的但本身长得太小晶体。有时候,也可以用异构体的晶种。

3.不太重要的材料

晶体生长需要成核剂。有时是晶种,经常是无关的材料,如灰尘、器壁等。要得到好的单晶必须有合适数量的成核剂。

a)除非按清洁房间程序,每一个结晶过程都受灰尘、头皮屑、油脂等其他自由粒子的影响。一个小的正常的尘埃有时可能是晶种。我曾经看到在长颈瓶的璧上的晶体其晶种显然是痕量的油脂。

b)器壁的刮痕和缺陷

器壁的少许刮痕和缺陷往往是晶体生长的成核位置。有时,你在一个新容器无法得到单晶,可以交替地在上面刮几下;假如有很多的小单晶长成,你应当用一个刮痕少的容器。

c)器壁的表面处理

我看到报道的一个改进晶体生长的窍门就是处理容器表面改变.

单晶结构解析步骤

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mpla n(atom number) atom1 atom 2..... mpla n(atom number) atom1 atom 2..... mpla n(atom number) atom1 atom 2..... enter fmol kill link matr pbox pack undo c**? C**? telp cell xl 计算方法 在ins中任何地方插入 mpla 虚拟平面的原子个数(例如六个原子只有四个可能共平面,即输入4),后面连续输入可能共平面的4个原子,后面在输入其他两个平面外的原子。 例如c1 c2 c3 c4 c5 n1中,c1 c2 c4 c5 共平面 mpla 4 c1 c2 c4 c5 c3 n1 txt 运行xcif 选择t 两次回车 输入文件名.txt 选择def 回车直到选择q 理论加氢 在ins中输入 HFIX 要加氢的原子 保存ins 运行XL 打开RES 拷贝相应的数据到ins中即可。 CHEMICAL DRAW 选中画笔 点出两个点 按ESC 点选择键 选中画笔 鼠标移动至出现小手

单晶培养.单晶生长原理及其常规方法

单晶的培养 物质的结构决定物质的物理化学性质和性能,同时物理化学性质和性能是物质结构的反映。只有充分了解物质结构,才能深入认识和理解物质的性能,才能更好地改进化合物和材料的性质与功能,设计出性能良好的新化合物和新材料。单晶结构分析可以提供一个化合物在固态中所有原子的精确空间位置、原子的连接形式、分子构象、准确的键长和键角等数据,从而为化学、材料科学和生命科学等研究提供广泛而重要的信息。X射线晶体结构分析的过程,从单晶培养开始,到晶体的挑选与安置,继而使用衍射仪测量衍射数据,再利用各种结构分析与数据拟合方法,进行晶体结构解析与结构精修,最后得到各种晶体结构的几何数据与结构图形等结果。要获得比较理想的衍射数据,首先必须获得质量好的单晶。衍射实验所需要单晶的培养,需要采用合适的方法,以获得质量好、尺寸合适的晶体。晶体的生长和质量主要依赖于晶核形成和生长的速率。如果晶核形成速率大于生长速率,就会形成大量的微晶,并容易出现晶体团聚。相反,太快的生长速率会引起晶体出现缺陷。以下是几种常用的有效的方法和一些实用的建议。 1.溶液中晶体的生长 从溶液中将化合物结晶出来,是单晶体生长的最常用的形式。它是通过冷却或蒸发化合物的饱和溶液,让化合物从溶液中结晶出来。这时最好采取各种必要的措施,使其缓慢冷却或蒸发,以期获得比较完美的晶体。因为晶体的生长和质量主要依赖于晶核形成和生长的速率。如果晶核形成速率大于生长速率,就会形成大量的微晶,并容易出现晶体团聚。相反,太快的生长速率会引起晶体出现缺陷。在实验中,通常注意以下几个方面: ①为了减少晶核成长位置的数目,最好使用干净、光滑的玻璃杯等容器。 ②应在非震动环境中,较高温度下进行结晶,因为较高温度条件下结晶可以减少化合物与不必要溶剂共结晶的几率,同时,必须注意,尽量不要让溶剂完全挥发。因为溶剂完全挥发后,容易导致晶体相互团聚或者沾染杂质,不利于获得纯相、质量优良的晶体。 ③可以尝试不同的溶剂,但应尽量避免使用氯仿和四氯化碳等含有重原子并且通常会在晶体中形成无序结构的溶剂。 2.界面扩散法 如果化合物有两种反应物反应生成,而两种反应物可以分别溶于不同(尤其是不太互溶的)溶剂中,可以用溶液界面扩散法(liuuiddi恤sion)。将A溶液小心的加到B溶液上,化学反应将在这两种溶液的接触面开始,晶体就可能在溶液界面附近产生。通常溶液慢慢扩散进另一种溶液时,会在界面附近产生好的晶体。如果结晶速率太快,可以利用凝胶体等方法,进一步降低扩散速率,以求结晶完美。 3.蒸汽扩散法 蒸汽扩散法(vapordi恤sion)的操作也很简单。选择两种对目标化合物溶解度不同的溶剂A和B,且A和B有一定的互溶性。把要结晶的化合物溶解在盛于

很好的培养单晶的经验,可以借鉴一下

很好的培养单晶的经验,可以借鉴一下。 单晶培养技巧 1.单晶培养的方法多种多样,我们没必要把握那些难以操作的,如升华法、共结晶法等。最简单的最实用。常用的有1.溶剂缓慢挥发法; 2.液相扩散法; 3.气相扩散法。99%的单晶是用以上三种方法培养出来的。 2.单晶培养所需样品用量 一般以10-25mg为佳,假如你只有2mg左右样品,也没关系,但这时就要选择液相扩散法和气相扩散法,不能使用溶剂缓慢挥发法。 3.单晶培养的样品的预处理 样品溶解后一定要过滤,不能用滤纸,而是用一小团棉花轻轻的塞在滴管的中下部或下部,不要塞太紧,否则流的太慢。样品当然是越纯越好,不过假如实在没办法弄纯也没关系,培养一次就相当于提纯了一次,我经常用一些TLC显示有杂点的东西长单晶,但得多养几次。 4.一定要做好记录 一次就得到单晶的可能性比较小。因此最好的方法就是在第一次培养单晶的时候,采取少量多溶剂体系的办法。假如你有50mg样品,建议你以5mg为一单位,这样你可以同时实验10种溶剂体系,而不是选两种溶剂体系,每个体系25mg。这是做好记录就非凡重要,以免下次又采用已经失败的溶剂体系,而且单晶解析时必须知道所用的溶剂。 5.培养单晶时,最好放到没人碰的地方,这点大家都知道。我想说的是你不能一天去看几次也不能放在那里5,6天不管。也许有的溶剂体系一天就析出了晶体,结果5天后,溶剂全干了。一般一天看一次合适,看的时候不要动它。明显不行的体系 (如析出絮状固体)就要重新用别的溶剂体系再重新培养。 6.液相扩散法中良溶剂与不良溶剂的比例最好为1:2-1:4。 7.烷基链超过4个碳的很难培养单晶。 8.分子中最好不要有叔丁基,因为轻易无序,影响单晶解析的质量。 9.含氯的取代基一般轻易长单晶,如4-氯苯基取代化合物比苯基取代化合物轻易长单晶。 10.单晶培养-无水无氧条件下的单晶培养,麻烦的方法我就不说了,

单晶结构解析常见问题问答

1.为什么要提高空间群的对称性? 有时候在对称性较高的空间群内不容易解得初结构,在这种情况下可以降低对称性来解,但是解完以后还要把空间群转换回去。 1.1 先安装Platon 从其主页上下载https://www.360docs.net/doc/d88837378.html,/~louis/software/platon/ https://www.360docs.net/doc/d88837378.html,/~louis/software/platon/pwt_setup.zip https://www.360docs.net/doc/d88837378.html,/~louis/software/platon/platon.zip Download the PLA TON for Windows Taskbar 和Download the PLA TON executable. 然后解压安装,首先安装pwt,安装时需设定系统环境变量,安装后再将platon解压后复制到pwt的安装目录内即可。 1.2 运行pwt.exe 点击File--Select Data File,选择要升高对称性的结构文件*.res或者*.ins。 再点击Publish-addsym 系统显示检查画面,如提示有更高对称性的空间群,则原先空间群有误,需要进行转化。 再点击Publish-addsym shelx,可以生成一个新的同名*.res文件,此res文件会将原先的res文件覆盖,在此文件的基础上继续精修即可。 应该没有任何问题,已经试过很多次了! 最好用xp打开此res文件,然后再file一次,再作经修 2. 在xp中, 用mpln定义平面,仔细看那个方程(大家用xp操作时不要太快,因为那个方程第一个出来,一块就找不到了),方程的等号右边有一个常数,你算第一个平面时将它记下,不过最好将望着的方程记下,然后再算第二个平面,又有一个方程,记下常数项,然后二者一减就是二者的距离,不过平面越是完全平行这个值越接近他俩的真实距离,平行与否可以看大家都能看到的那个夹角,另外也可以看刚才的方程的系数,系数相同或者成线形比例,就平行. 3.我的CIF文件里的对称代码2_556 1_545 请问这些对称代码是如何算出来的?? 在考虑对称单元的时候,在ShelxTl里面考虑x,y,z均为9个单胞的范围,并且把N_555规定为最初的单胞,即此单胞内的原子坐标均小于1,如果一个对称单元出现的下(x+1,y,z)的那个那个单胞内,则相应的堆成码就变成了N_655,其他的如此类推,比如在(x-2,y+1,z+2)的单胞内,对称码就为N_367,总之都是以N_555为最中心做相应的加减,这应该比较好理解。在那么大的范围内,我们希望长出来的对称单元应该都可以长出来了。我们常见的对称码都在N_555附近,很少有大于N_777的和小于N_333的。 下面再来说前面的N_555中的“N”的含义,它表示对称操作(symmetry operators)的类型,它可以在XP界面下由SYMM命令得到,第几个对称操作,N就相应是几了。N在不同空间群内代表的对称操作是不一样的。 欢迎大家继续讨论。

培养单晶

单晶培养的方法 一、挥发法 原理:依靠溶液的不断挥发,使溶液由不饱和达到饱和过饱和状态。 条件:固体能溶解于较易挥发的有机溶剂理论上,所有溶剂都可以,但一般选择60~120℃。 注意:不同溶剂可能培养出的单晶结构不同方法:将固体溶解于所选有机溶剂,有时可采用加热的办法使固体完全溶解,冷却至室温或者再加溶剂使之不饱和,过滤,封口,静置培养。 经验:1.掌握好溶解度,一般100mL 可溶解0.2g~2g, 50mL 的烧杯,0.5g~0.8g. 2.纯度大的易长出晶体。 3. 可选用混合溶剂,但必须遵循高沸点的难溶低沸点易容的原则。混合溶剂必须选用完全互溶的二种或多种溶剂。υ ※怎么看是否形成单晶:如果析出的固体有发亮的颗粒或者在显微镜下可观察到凹凸的多面体形状。 ※ 怎么挑选单晶: 不要等溶剂挥发完再挑,一定要在有母液存在下挑单晶,用毛细管将晶体吸出,滴到滤纸上,用针将单晶挑到密封管中,3~5 颗即可。 二、扩散法 原理:利用二种完全互溶的沸点相差较大的有机溶剂。固体易溶于高沸点的溶剂,

难溶或不溶于低沸点溶剂。在密封容器中,使低沸点溶剂挥发进入高沸点溶剂中,降低固体的溶解度,从而析出晶核,生长成单晶。液体等。一般选难挥发的溶剂,如DMF,DMSO,甘油甚至离子 条件:固体在难挥发的溶剂中溶解度较大或者很大,在易挥发溶剂中不溶或难溶。经验:固体在难挥发溶剂中溶解度越大越好。培养时,固体 在高沸点溶剂中必须达到饱和或接近过饱和。 方法:将固体加热溶解于高沸点溶剂,接近饱和,放置于密封容器中,密封容器中放入易挥发溶剂,密封好,静置培养。 三、温差法原理:利用固体在某一有机溶剂中的溶解度,随温度的变化,有很大的变化,使其在高温下达到饱和或接近饱和,然后缓慢冷却,析出晶核,生长成单晶。一般,水,DMF, DMSO,尤其是离子液体适用此方法。条件:溶解度随温度变化比较大。经验:高温中溶解度越大越好,完全溶解。推广:建议大家考虑使用离子液体做溶剂,尤其是对多核或者难溶性的配合物。 四、接触法 原理:如果配合物极易由二种或二种以上的物种合成,选择性高且所形成的配合物很难找到溶剂溶解,则可使原料缓慢接触,在接触处形成晶核,再长大形成单晶。一般无机合成,快反应使用此方法。* ? ? ? ? ? 方法:1.用U 形管,可采用琼脂降低离子扩散速度。2.用直管,可做成两头粗中间细。3.用缓慢滴加法或稀释溶液法(对反应不很快的体系可采用)4.缓慢升温度(对温度有要求的体系适用)经验:原料的浓度尽可能的降低,可以人为的设定浓度或比例。 0.1g~0.5g 的溶质量即可。 五、高压釜法

配位聚合物的单晶培养

配位聚合物的单晶培养 摘要:配位聚合物(MOFs)因在磁性、催化、给药、传感、气体吸附、分子与离子交换、手性识别与分离、分子磁性质、发光与非线性光学性质,以及电学性质等功能材料领域具有良好的应用价值而成为目前最活跃的前沿研究课题之一。本文主要介绍配位聚合物及其单晶培养方法。 关键词:配位聚合物、单晶培养方法 1 前言 配位化学是一门在无机化学基础上发展起来的交叉学科,现代配位化学不仅和化学学科中的物理化学、有机化学、材料化学和高分子化学有着密切的关系,而且与物理学和生物学等一级学科相互渗透和交叉[1]。自1893年瑞士化学家A.Werner创立配位理论以来,对配合物的研究就成为无机化学中最活跃的领域之一。配位化学的早期研究集中在以金属阳离子M为中心和以含N、O、S、P 等给体原子的配体L而形成的“Werner配合物”。中心原子M是指过渡金属元素的原子或离子,具有空的价轨道,而配体L则有一对或一对以上的孤对电子,M和L间通过配位键结合为带电荷的配位离子或中性的配位分子。而随着社会的发展和科学技术的进步,交叉学科、新兴学科不断涌现,配位化学也与其他的相关学科交叉并产生新的生长点,互相渗透,互相发展,特别是价键理论、晶体场理论、分子轨道理论和配位场理论的提出丰富了配位化学的内容,同时也促进了与其他相关学科的交叉发展[2]。近年来,科学工作者对配位化学深入的研究,其中涉及到超分子化学、晶体工程学、配位聚合物、大环配合物、功能性配合物等领域。超分子化学是超越分子的化学,是分子间键的化学,与两种或两种以上的化学物种依靠分子间力结合在一起而形成的具有更高复杂性的有组织的实体有关,分子间力主要包括范德华力(静电力、诱导力、色散力和交换力)、氢键、堆积作用(∏-∏堆积、n-∏堆积和疏水相互作用等)和金属离子的配位键等等[3]。晶体工程学则是根据分子堆积和分子间的相互租用,将超分子化学的原理方法用于晶体的设计和制备,以期得到具有特定的物理性质和化学性质的新晶体,寻求分子识别和分子组装的规律,获得具有预期功能品质的分子材料,并对分子之间的相互作用进行表征,是实现从分子到材料的重要途径。溶液中的超分子结构较复杂难以精确地表征和测试,而分子晶体可以通过X-射线单晶衍射得到其精确的结构。[2]根据晶体的结构和性质来寻求分子识别和分子组装的规律,进而研究其潜在的应用[4]。配位聚合物是有机配体L和金属离子M间通过配位键形成的具有高度规整的无限网络结构的配合物。设计合成配合物的过程中需要考虑很多影响因素,除了金属离子的配位性质(离子价数、半径、配位能力等)和配体的性质(配位原子的电负性,配体分子半径等)外,还包括阴离子,有机或无机模板分子、溶剂、反应物的物质的量比及反应体系的pH值、反应温度等影响因素,其中配体和金属离子的性质是主要的影响因素。[5]有机桥联配体在金属离子中间起到连接作用,可提供各种各样的桥联方式和配位点以单齿、多齿或桥联方式进行配位。有机桥联配体根据所带电荷可分为中性、负电性和正电性,同时根据有机配体的空间结构可以分为直线型、角形、平面三角形、四面体型等。[6]最常用的有机连接配体为含有N、O等能提供孤对电子的原子的刚性配体,如多羧酸、

金属配合物单晶的培养

金属配合物单晶的培养 方法一:挥发 用金属配合物的良溶剂将其溶解在小烧杯中,小烧杯的内表面越光滑单晶性越好,否则晶体形状不好缺陷多就会给后面的收单晶衍射数据带来麻烦,甚至会造成无法解晶体结构,那将是非常可惜的;烧杯用滤纸或塑料薄膜封口防止灰尘落入,同时减慢挥发速度,长出较好晶形的单晶,一般挥发性稍差的溶剂用滤纸,如,水等。静置至发现满意的晶体出现。 方法二:扩散 用金属配合物的良溶剂将其溶解在小烧杯或广口瓶中,塑料薄膜封口(用针戳3-5个小孔),放于盛有该金属配合物的挥发性不良溶剂(一般用乙醚)的大瓶子中。静置至发现满意的晶体出现。方法三:分层 将金属的水溶液放于试管下层,配体的有机溶剂溶液放于试管上层,中间是水和有机溶剂的混合溶剂,封口。操作要小心,最好是用滴管伸进试管靠近液面缓慢滴加。静置至发现满意的晶体出现。 方法三:混合溶剂法 用两种溶剂混合来挥发培养单晶,方法与挥发法象似,适用于化合物在高沸点溶剂中溶解度小,低沸点中溶解度大。注意该法的两种溶剂必须混溶。 方法四:接触法

将金属的水溶液放于试管下层,配体的有机溶剂溶液放于试管上层,中间是水和有机溶剂的混合溶剂,封口。操作要小心,最好是用滴管伸进试管靠近液面缓慢滴加。静置至发现满意的晶体出现。 方法五:水热法 用高压 以上是我在培养配合物单晶常用的方法,一般是几种方法同时做,不是每种方法都能或总能培养出单晶,更多的是取决于配合物的结晶性好坏。总之就是多试:不同的温度、溶剂、混合溶剂的比例…… 1.制备结晶,要注意选择合宜的溶剂和应用适量的溶剂。合宜的溶剂,最好是在冷时对所需要的成分溶解度较小,而热时溶解度较大。溶剂的沸点亦不宜太高。一般常用甲醇、丙酮、氯仿、乙醇、乙酸乙醋等。但有些化合物在一般溶剂中不易形成结晶,而在某些溶剂中则易于形成结晶。 2.制备结晶的溶液,需要成为过饱和的溶液。一般是应用适量的溶剂在加温的情况下,将化合物溶解再放置冷处。如果在室温中可以析出结晶,就不一定放置于冰箱中,以免伴随结晶析出更多的杂质。“新生态”的物质即新游离的物质或无定形的粉未状物质,远较晶体物质的溶解度大,易于形成过饱和溶液。一般经过精制的化合物,在蒸去溶剂抽松为无定形粉未时就是如此,有时只要加入少量溶剂,往往立即可以溶解,稍稍放置即能析出结晶。

单晶结构解析加氢,绘图问题解答

1.通常,H原子的处理方法作者要给出 (1)一般通过理论加H,其温度因子为固定值,可通过INS等文件查看 (2) 水分子上H原子可通过Fourier syntheses得到 (3)检查理论加上的H原子是否正确,主要看H原子的方向。若不正确则删去再通过Fourier syntheses 合成得到 (4) 检查H原子的键长、键角、温度因子等参数是否正常。通过检查分子间或分子内的H键是否合理 最易看出H键的合理性 (5) 技巧:有时通过Fourier syntheses得到的H原子是正确的,可一计算其温度因子等参就变得不正常, 则可以固定其参数后再精修(如在INS中的该H原子前用afix 1,其后加afix 0) (6)各位来说说方法与心得? 2.胡老师,下面的问题怎么解决啊?谢谢您。 220_ALERT_2_B Large Non-Solvent C Ueq(max)/Ueq(min) ... 3.70 Ratio 222_ALERT_3_B Large Non-Solvent H Ueq(max)/Ueq(min) ... 4.97 Ratio 342_ALERT_3_B Low Bond Precision on C-C bonds (x 1000) Ang (49) B 级提示当然得重视了。建议你先把H撤消,精修到C的热椭球不太变形和键长趋正常。如做不到就要看空间群?衍射点变量比太小?以至追查到原始数据的录取参数和处理等。这些粗略意见仅供参考,如何? 3.在XP中画图时,只有一部分,想长出另外的对称部分。我是envi完了,然后sgen长出 来的,可是和symm显示的对称信息不一样。比如:我根据envi的结果用sgen O1 4555得到的是O1A而不是O1D,这跟文献中标注的不一样啊,怎么统一呢?很困扰,忘达人指教。 xp里是按顺序编号的,第一个sgen出的的统一为A,依次标号。你如果想一开始就统一D的话,重新name一下 4.高氯酸根怎么精修呀?我用的SHETXL6.1版的,最好告诉我怎么用其中的XSHELL来做,我觉得他 好用! Method 1 DFIX Dfix 1.42 0.02 Cl1 O1 Cl1 O2 Cl1 O3 Cl1 O4 Dfix 1.42 0.02 O1 O2 O1 O3 O1 O4 O2 O3O2 O4O3 O4 Method 2 SADI Sadi 0.01 Cl1 O1 Cl1 O2 Cl1 O3 Cl1 O4 Sadi 0.01 O1 O2 O1 O3 O1 O4 O2 O3 O2 O4 O3 O4 5. 晶体的无序是怎么造成的呀,是晶体培养的问题吗? 如果无序太多,在解单晶的时候怎么办?我指的是很多的点,没有结构,他们的峰值都大于了0.5 大于0.5没什么的,解完后都在1以下就可以了。特殊的比较大的在重原子附近也没有关系5.比较确切的定义是单胞中你测定的或你设想的“化学式”的数目。 在分子晶体中,Z是分子数,在其它各类晶体中则为化学式个数。 例如有机物一般是分子数目,离子晶体像NaCL只好说化学式为4。 晶体结构常有无序和缺位等,但给出非化学计量式后Z都是确定的。 Z 的数字决定于你的化学式。三斜晶系的P-1空间群的Z多为2。由于双聚等原因如将双聚体写成你的化学式,那么Z就变为1了。但是就拿这个三斜晶系来说,出现Z为4或6的情况也是可能的。 这时分子形成双聚或者三聚,而你指定的分子式只是个单体罢了。测定结构初期得到单胞以后,往往希望知道单胞中有几个"分子",如你知道了或提出了化学式,从我们介绍的范氏半径或原字体积即可毛

单晶培养的经验总结

单晶培养的经验总结 1.单晶培养的方法多种多样,我们没必要掌握那些难以操作的,如升华法、共结晶法等。最简单的最实用。常用的有1.溶剂缓慢挥发法; 2.液相扩散法; 3.气相扩散法。99%的单晶是用以上三种方法培养出来的。 2.单晶培养所需样品用量 一般以10-25mg为佳,如果你只有2mg左右样品,也没关系,但这时就要选择液相扩散法和气相扩散法,不能使用溶剂缓慢挥发法。 3.单晶培养的样品的预处理 样品溶解后一定要过滤,不能用滤纸,而是用一小团棉花轻轻的塞在滴管的中下部或下部,不要塞太紧,否则流的太慢。样品当然是越纯越好,不过如果实在没办法弄纯也没关系,培养一次就相当于提纯了一次,我经常用一些TLC显示有杂点的东西长单晶,但得多养几次。 4.一定要做好记录 一次就得到单晶的可能性比较小。因此最好的方法就是在第一次培养单晶的时候,采取少量多溶剂体系的办法。如果你有50mg样品,建议你以5mg为一单位,这样你可以同时实验10种溶剂体系,而不是选两种溶剂体系,每个体系25mg。这是做好记录就特别重要,以免下次又采用已经失败的溶剂体系,而且单晶解析时必须知道所用的溶剂。 5.培养单晶时,最好放到没人碰的地方,这点大家都知道。我想说的是你不能一天去看几次也不能放在那里5,6天不管。也许有的溶剂体系一天就析出了晶体,结果5天后,溶剂全干了。一般一天看一次合适,看的时候不要动它。明显不行的体系(如析出絮状固体)就要重新用别的溶剂体系再重新培养。 6.液相扩散法中良溶剂与不良溶剂的比例最好为1:2-1:4。 7.烷基链超过4个碳的很难培养单晶。 8.分子中最好不要有叔丁基,因为容易无序,影响单晶解析的质量。 9.含氯的取代基一般容易长单晶,如4-氯苯基取代化合物比苯基取代化合物容易长单晶。 有些东西,TLC显示只有一个点,但做出来的谱图却不漂亮。 有些大分子量的化合物,如卟啉,富勒烯用柱色谱很难分得特别干净。下面说说我的经验。 我的经验是用培养单晶的方法纯化,即非经典的重结晶(尤其适用于卟啉、杯芳烃,富勒烯等大分子量的化合物)。这种方法可以除掉柱分离都不能分离的杂质。即将你的产物在试管中溶于1份中等溶解性的溶剂,溶解性太好的溶剂是不行的,一般为二氯甲烷,三氯甲烷,乙酸乙酯,甲苯,最好不用THF和二氧六环,除非前面的溶剂都溶解不了。

培养适合衍射单晶的原理

培养适合衍射的单晶原理 大多数的合成化学家认为培养出满足质量的单晶更是一门艺术而非科学。为支持这个说法,他们会提出很多事情,要得到这样的晶体似乎是机遇而且事实上有些人有很好的养单晶的能力。这个论点有一定道理但是实验已经表明完整的理解晶体生长和溶剂的性质、认真分析过去的成败可以得到一致的积极结果。事实上,蛋白质晶体化学家已经在这个领域取得了非常大的的成功,我们合成化学家应从中学到很多有用的东西。 1.晶体生长的速率 热力学的定律告诉我们,较慢的晶体生长速率及小的熵易引起完美晶体得晶体缺陷,这个证据可以在接近完善的晶体表面经常可以被观察到如经过了数个周期几年到一千年的结晶时间的矿物。在实验室条件下,实验已经表明生长单晶的最佳时间是数个若干天的周期(over periods of days)偶尔当溶液快速干燥时,所需的单晶会被发现,这种事实非常幸福的但很少见。典型地当一个人完成一个结晶过程,最好的结晶将在一天或一周后形成。从我的经验来看,结晶成功的可能性最初的几周之后开始急剧下降,尽管幸运的话也有例外。 2.晶体生长的一般条件 在实验室进行的结晶过程大多数温度保持相对恒定,震动级别最小,样品保存在黑暗处。这常常放在一个小碗橱,密闭、背阴的房间。记住对流一般来说是你的敌人应试图保持温度相对恒定。另外对于在狭窄的容器中高粘度溶剂其与温度梯度无关对流相对的低。.因为结晶总是需要时间,化学家常常不耐烦以至于经常去检查样品。应避免剧烈的动作,因为这种操作会对优化晶体生长有害。因此,我推荐不要还没超过一天就去检查他们的样品。3.溶剂性质和饱和溶液 晶体生长必须在饱和溶液中。为优化结晶生长,化合物在结晶条件下应当适当溶解。假如饱和时溶解度太大,倾向于得到在一起的丛生晶体。假如溶解的太少,没有足够的溶质供应晶体表面的生长,会倾向于得到小晶体。为得到正确的溶解性,应正确的匹配溶质和溶剂。人们在开始的时候应从文

怎样高效培养单晶

安阳工学院学报 Journal of Anyang Institute of Technology 2009年 单晶培养的方法和注意事项 靳梅芳 (安阳工学院,河南安阳 455000) 摘 要:近年来,随着X-光晶体结构解析技术的日益成熟,以及同步幅射光源的使用逐渐普遍,解析X-光晶体结构所 需的时间已大幅缩短,加上此技术一般说来没有分子量的上限,因此研究物质的晶体结构越来越便利。所以单晶的培养越来越受到人们的关注。 关键词:单晶;单晶培养;培养方法;注意事项中图分类号:O65 文献标识码:A 文章编号:1673-2928(2009)06-0040-02 收稿日期:2009-04-03 作者简介:靳梅芳(),女,山东德州人,安阳工学院教师,硕士。研究方向:金属有机框架物的合成。 单晶结构分析可以提供一个化合物在固态中所有原子的精确空间位置,包括原子的连接形式、分子构象、准确的键长和键角等数据,从而为化学、材料科学和生命科学等研究提供广泛而重要的信息。到目前为止,已经有多位科学家借助X 射线单晶结构分析方法开展研究,取得十分重要成果并获得诺贝尔化学奖。单晶的培养方法很多,本文介绍了几种简单实用的单晶培养的方法和注意事项。 1单晶的培养方法 单晶培养的方法多种多样,如溶剂缓慢挥发法、溶剂热法、扩散法、共结晶法等。其中最简单的最实用的是溶剂缓慢挥发法、溶剂热法、扩散法, 99%的单晶是用以上三种方法培养出来的。1.1 挥发溶剂法 用金属配合物的良溶剂将金属盐和配体溶解在小烧杯中,小烧杯的内表面越光滑单晶性越好,否则晶体形状不好缺陷多就会给后面的收单晶衍射数据带来麻烦,甚至会造成无法解晶体结构;烧杯用滤纸或塑料薄膜封口防止灰尘落入,同时减慢挥发速度,长出较好晶形的单晶,一般挥发性稍差的溶剂有:水,DMF ,DMA ,DMSO 等。静置至发现满意的晶体出现。 1.2溶剂热法 溶剂热法与原来的水热法原理是一样的,只 是溶剂不再局限于水。反应容器一般用反应釜或玻璃管。 1.2.1反应釜法 一般是将金属盐、配体与溶剂混合,放入有聚 四氟衬里的不锈钢反应釜里,将反应釜封好后放入 烘箱中加热,设置烘箱温度慢慢上升至80~200摄氏度,随着温度的升高反应物就会逐渐溶解,在自生压力下反应。保持恒温一段时间,然后慢慢降温使晶体析出。这种方法反应时间短,而且解决了反应物在室温下不能溶解的问题,并且剧烈的极端反应条件下,可以得到常温反应不能得到的结构,从而可以大大地增加合成路线和合成产物结构的多样性。 1.2.2真空封管法 将金属盐、配体、溶剂加入一端封好的玻璃管 中,用超声使混合物溶解。将玻璃管放入液氮中冷凝,用真空泵将内部抽真空,再把另一端用酒精喷灯烧结封好。最后将其放入烘箱中加热,方法同烧反应釜。但要注意温度不能超过180摄氏度,否则管子会爆掉。若观察到有晶体,则将管子用锉锉一下,用手掰开将晶体取出。此方法创造了真空无氧的条件,以保证结构更好。 1.3扩散法 1.3.1气象扩散法 此方法的原理是:利用两种完全互溶的沸点相差较大的有机溶剂,固体易溶于高沸点的溶剂(如 DMF ,DMSO 等),难溶或不溶于低沸点溶剂(如乙 醚等)。在密封容器中,使低沸点溶剂挥发进入高沸点溶剂中,降低固体的溶解度,从而析出晶核,生长成单晶。反应容器一般用大瓶套小瓶或H 管。大瓶套小瓶法:将配体和金属离子溶解在高沸点溶剂中,装入小瓶中,将小瓶放在盛有易挥发溶剂的大瓶中,然后将大瓶的口封好,静置待晶体慢慢析出。 H 管法:将金属盐和配体的良性溶剂放于H 管的一 40

单晶培养技巧

单晶培养技巧 大多数的合成化学家认为培养出满足质量的单晶更是一门艺术而非科学。为支持这个说法,他们会提出很多事情,要得到这样的晶体似乎是机遇而且事实上有些人有很好的养单晶的能力。这个论点有一定道理但是实验已经表明完整的理解晶体生长和溶剂的性质、认真分析过去的成败可以得到一致的积极结果。事实上,蛋白质晶体化学家已经在这个领域取得了非常大的的成功,我们合成化学家应从中学到很多有用的东西。 1.晶体生长的速率 热力学的定律告诉我们,较慢的晶体生长速率及小的熵易引起完美晶体得晶体缺陷,这个证据可以在接近完善的晶体表面经常可以被观察到如经过了数个周期几年到一千年的结晶时间的矿物。在实验室条件下,实验已经表明生长单晶的最佳时间是数个若干天的周期(over periods of days)偶尔当溶液快速干燥时,

所需的单晶会被发现,这种事实非常幸福的但很少见。典型地当一个人完成一个结晶过程,最好的结晶将在一天或一周后形成。从我的经验来看,结晶成功的可能性最初的几周之后开始急剧下降,尽管幸运的话也有例外。 2.晶体生长的一般条件 在实验室进行的结晶过程大多数温度保持相对恒定,震动级别最小,样品保存在黑暗处。这常常放在一个小碗橱,密闭、背阴的房间。记住对流一般来说是你的敌人应试图保持温度相对恒定。另外对于在狭窄的容器中高粘度溶剂其与温度梯度无关对流相对的低。.因为结晶总是需要时间,化学家常常不耐烦以至于经常去检查样品。应避免剧烈的动作,因为这种操作会对优化晶体生长有害。因此,我推荐不要还没超过一天就去检查他们的样品。 3.溶剂性质和饱和溶液 晶体生长必须在饱和溶液中。为优化结晶生长,化合物在结晶条件下应当适当溶解。假如饱和时溶解度太大,倾向于得到在一起的丛生晶体。假如溶解的太少,没有足够的溶质供应晶体表面的生长,会倾向于得到小晶体。为得到正确的溶解性,应正确的匹配溶质和溶剂。人们在开始的时候应从文献上查询溶剂的参数如溶剂的极性和介电常数或凭个人的经验。无论如何最好的程序是通过系统的试验不同的溶剂或溶剂组合直到找到6种左右的能适当溶解样品的溶剂。从我的经历来看,中心或离子的金属有机、无机、有机化合物随着化合物的种类不同,溶剂非常不一样。有时,典型的培养单晶最成功的例子是使用了三种的混合溶剂,分别是二氯甲烷、甲苯、正己烷。其他的一些不常用如三氯甲烷、乙腈、丙酮、乙醇、甲醇、四氢呋喃、和乙醚。通过经验和认真实验,你会找到适合你的体系的溶剂组合。 4.掌握几种通用方法 为了真正精通培养单晶必须有对掌握方法足够的实践。当这一切完成后,人们可以非常协调的找到线索极大的增加成功的几率。因为这些现象,熟练的晶体花园的园丁将倾向于掌握两到三种可以取得几乎所有成功的技术。 已被证实的培养单晶的方法 在下面的部分我将列出一些最通用或最有前途的培养单晶的方法,这些是我用过或在未来的研究中要用的办法。 (安全提示:大多数结晶过程包含一种或多个组分是适度或非常易燃的,尽管结晶过程往往是非常少的溶剂量,结晶过程必须采用安全的溶剂和设备,尤其是,易燃的组分必须小心处理。) 1.缓慢蒸发溶剂长单晶 这是一个广泛使用生长单晶的办法,就是将目标分子的不完全饱和溶液慢慢

单晶的培养

单晶的培养 在合成化学实验中,往往采用结晶和重结晶的方法来提纯化合物。这时,我们可以用快速沉淀的方法。由于沉淀速度太快,所形成的晶体一般都很小,呈粉末状, 不能满足单晶衍射实验的要求。衍射实验所需要单晶的培养(crystal growth),需要 采用合适的方法,以获得质量好、尺寸合适的晶体。晶体的生长和质量主要依赖于 晶核形成和生长的速率。如果晶核形成速率大于生长速率,就会形成大量的微晶,并容易出现晶体团聚。相反,太快的生长速率会引起晶体出现缺陷。为避免这两种 问题常常需要摸索和‘运气’ ,因为在开始研究一个新化合物时,我们往往不知道这 种新化合物的结晶规律,通常不容易预测并避免微晶或团聚问题的发生。当然,也 不是完全没有基本规律可以依循。这里介绍几个常用的有效方法和一些实用的建议。 溶液中晶体的生长 从溶液中将化合物结晶出来,是单晶体生长的最常用形式。最为普通的程序是通过冷却或蒸发化合物饱和溶液,让化合物结晶出来。这时,最好采取各种必要的 措施,使其缓慢冷却或蒸发,以求获得比较完美的晶体。实践证明,缓慢结晶过程 往往是成功之路。为了减少晶核生长位置的数目,最好使用干净、光滑的玻璃杯等 容器。旧容器会有各种刮痕,表面不平整,容易产生过多的成核中心,甚至容易引 起孪晶。相反,如果容器的内壁过于平滑,则会抑制结晶。因此,如果某种化合物 结晶过慢,可以通过轻微刮花容器内壁来提高结晶的速度。同时,结晶装备应放在 非震动环境中。由于较高温条件下结晶可以减少了化合物与不必要溶剂共结晶的几 率,因此在高温下结晶通常效果更好。必须注意,尽量不要让溶剂完全挥发,因为 溶剂完全挥发后,容易导致晶体相互团聚、或者沾染杂质,不利于获得纯相、质量 优良的晶体。 如果化合物的结晶比较困难,可以尝试不同的溶剂,但应尽量避免使用氯仿和四氯 化碳之类含有重原子并且通常会在晶体中形成无序结构的溶剂,因为无序结构会增 加结构精化的难度并降低结构的精确性。同理,在选择阴离子时,也应尽量避免

单晶结构解析技巧

单晶结构解析技巧 1. 通常,H原子的处理方法作者要给出: (1)一般通过理论加H,其温度因子为固定值,可通过INS等文件查看 (2) 水分子上H原子可通过Fourier syntheses得到 (3)检查理论加上的H原子是否正确,主要看H原子的方向。若不正确则删去再通过Fourier syntheses合成得到 (4) 检查H原子的键长、键角、温度因子等参数是否正常。通过检查分子间或分子内的H键是否合理最易看出H键 的合理性 (5) 技巧:有时通过Fourier syntheses得到的H原子是正确的,可一计算其温度因子等参就变得不正常,则可以固定 其参数后再精修(如在INS中的该H原子前用afix 1,其后加afix 0) (6) 各位来说说方法与心得? 2. 胡老师,下面的问题怎么解决啊?谢谢您。 220_ALERT_2_B Large Non-Solvent C Ueq(max)/Ueq(min) ... 3.70 Ratio 222_ALERT_3_B Large Non-Solvent H Ueq(max)/Ueq(min) ... 4.97 Ratio 342_ALERT_3_B Low Bond Precision on C-C bonds (x 1000) Ang (49) B 级提示当然得重视了。建议你先把H撤消,精修到C的热椭球不太变形和键长趋正常。 如做不到就要看空间群?衍射点变量比太小?以至追查到原始数据的录取参数和处理等。 这些粗略意见仅供参考,如何? 3. 在XP中画图时,只有一部分,想长出另外的对称部分。我是envi完了,然后sgen长出来的,可是和symm显示的对称信息不一样。比如:我根据envi的结果用sgen O1 4555得到的是O1A而不是O1D,这跟文献中标注的不一样啊,怎么统一呢?很困扰,忘达人指教。 xp里是按顺序编号的,第一个sgen出的的统一为A,依次标号。你如果想一开始就统一D的话,重新name一下 4. 高氯酸根怎么精修呀?我用的SHETXL6.1版的,最好告诉我怎么用其中的XSHELL来做,我觉得他好用!Method 1DFIX Dfix 1.42 0.02 Cl1 O1 Cl1 O2 Cl1 O3 Cl1 O4 Dfix 1.42 0.02 O1 O2 O1 O3 O1 O4 O2 O3O2 O4O3 O4 Method 2SADI Sadi 0.01 Cl1 O1 Cl1 O2 Cl1 O3 Cl1 O4 Sadi 0.01 O1 O2 O1 O3 O1 O4 O2 O3 O2 O4 O3 O4 5. 晶体的无序是怎么造成的呀,是晶体培养的问题吗? 如果无序太多,在解单晶的时候怎么办?我指的是很多的点,没有结构,他们的峰值都大于了0.5 大于0.5没什么的,解完后都在1以下就可以了。特殊的比较大的在重原子附近也没有关系 5. 比较确切的定义是单胞中你测定的或你设想的“化学式”的数目。 在分子晶体中,Z 是分子数,在其它各类晶体中则为化学式个数。 例如有机物一般是分子数目,离子晶体像NaCL只好说化学式为4。

单晶培养的一些问题

单晶培养的一些问题 1.单晶培养的方法多种多样,我们没必要掌握那些难以操作的,如升华法、共结晶法等。最简单的最实用。常用的有1.溶剂缓慢挥发法; 2.液相扩散法; 3.气相扩散法。99%的单晶是用以上三种方法培养出来的。 2.单晶培养所需样品用量。一般以10-25mg为佳,如果你只有2mg左右样品,也没关系,但这时就要选择液相扩散法和气相扩散法,不能使用溶剂缓慢挥发法。 3.单晶培养的样品的预处理。样品溶解后一定要过滤,不能用滤纸,而是用一小团棉花轻轻的塞在滴管的中下部或下部,不要塞太紧,否则流的太慢。样品当然是越纯越好,不过如果实在没办法弄纯也没关系,培养一次就相当于提纯了一次,我经常用一些TLC显示有杂点的东西长单晶,但得多养几次。 4.一定要做好记录。一次就得到单晶的可能性比较小。因此最好的方法就是在第一次培养单晶的时候,采取少量多溶剂体系的办法。如果你有50mg样品,建议你以5mg为一单位,这样你可以同时实验10种溶剂体系,而不是选两种溶剂体系,每个体系25mg。这是做好记录就特别重要,以免下次又采用已经失败的溶剂体系,而且单晶解析时必须知道所用的溶剂。 5.培养单晶时,最好放到没人碰的地方,这点大家都知道。我想说的是你不能一天去看几次也不能放在那里5,6天不管。也许有的溶剂体系一天就析出了晶体,结果5天后,溶剂全干了。一般一天看一次合适,看的时候不要动它。明显不行的体系(如析出絮状固体)就要重新用别的溶剂体系再重新培养。 6.液相扩散法中良溶剂与不良溶剂的比例最好为1:2-1:4。 7.烷基链超过4个碳的很难培养单晶。 8.分子中最好不要有叔丁基,因为容易无序,影响单晶解析的质量。 9.含氯的取代基一般容易长单晶,如4-氯苯基取代化合物比苯基取代化合物容易长单 晶体培养步骤: 一支管法:在单晶制备时,经常会发现配位一发生,产生大量的微晶,再去挥发母液,怎么都长不大,以前听人说可用扩散法,但受到文献启示,可以找一根长玻璃管,底下注入盐的溶液,上面加一个纯溶剂缓冲层(可长可短),最上面注入(先慢后快)配体溶液,两三个小时或两三天就搞定了。原理是:玻璃管越细,两层间的接触面越小,扩散速度降低,有效避免新手一扩散就出沉淀的尴尬! 试管法: 反应发生就产生大量的微晶,再去挥发母液,怎么都长不大。可以找一根长15 厘米直径为1-1.5 厘米的试管,底下直接放入盐的固体,加大量溶剂(先慢后快)最上面注入(先慢后快)配体溶液(上下溶剂可以相同,但为了保险,可在配体溶液中加入密度小的溶解性差的溶剂,如石油醚或乙酸乙酯;如果不同,一定要注意上面的密度要小!!),两三个小时或两三天就搞定了。新手两三次就搞定了!原理:文献上都说上下两层均溶液,但是操作起来很困难,如果直接放入盐或者配体的固体,就增加了溶解的平衡,先慢是为了固体或溶液被猛烈撞击,后快是为了让刚溶解的部分死心塌

常用的二种培养单晶方法

有以下两种方法较常用: 1) 挥发溶剂法: 将纯的化合物溶于适当溶剂或混和溶剂。(理想的溶剂是一个易挥发的良溶剂 和一个不易挥发的不良溶剂的混和物。)此溶液最好稀一些。用氮/氩鼓泡除氧。容器可用橡胶塞(可缓慢透过溶剂)。为了让晶体长得致密,要挥发得慢一些,溶剂挥发性大的可置入冰箱。大约要长个几天到几星期吧。 2) 扩散法: 在一个大容器内置入易挥发的不良溶剂(如戊烷、已烷),其中加一个内管,置入 化合物的良溶剂溶液。将大容器密闭,也可放入冰箱。经易挥发溶剂向内管扩散 可得较好的晶体。时间可能比挥发法要长。 另外如果这一化合物是室温反应得到,且产物比较单一,溶解度较小,可将反应物 溶液分两层放置,不加搅拌,令其缓慢反应沉淀出晶体。 容易结晶的东西放在那里自己就出单晶,不容易结晶的怎么弄也是不出。好 象不是想做就能做出来的。 --- 首先看一下产物的溶解度,将产物抽干后用良性溶剂溶解成饱和溶液(如用二氯甲烷),然后加入相同体积的不良性溶剂,若产物不稳定应在惰性气体的保护下进行操作,完成后置于冰箱中冷冻至单晶析出,或直接用惰性气体鼓泡直至单晶析出 是的,首先所用的仪器要干净,其次挥发溶剂不能太快,仪器上面盖一层保鲜膜,用针刺上几个小孔,慢慢挥发。还有好多方面要注意的。祝你成功! 单晶培养的经验 1.单晶培养的方法多种多样,我们没必要掌握那些难以操作的,如升华法、共结晶 法等。最简单的最实用。常用的有1.溶剂缓慢挥发法;2.液相扩散法;3.气相扩散 法。99%的单晶是用以上三种方法培养出来的。 2.单晶培养所需样品用量 一般以10-25mg为佳,如果你只有2mg左右样品,也没关系,但这时就要选择液相 扩散法和气相扩散法,不能使用溶剂缓慢挥发法。 3.单晶培养的样品的预处理 样品溶解后一定要过滤,不能用滤纸,而是用一小团棉花轻轻的塞在滴管的中下部 或下部,不要塞太紧,否则流的太慢。样品当然是越纯越好,不过如果实在没办

单晶培养经验之谈

单晶的培养 常用的有1.溶剂缓慢挥发法;2.液相扩散法;3.气相扩散法。 方法一:挥发 用金属配合物的良溶剂将其溶解在小烧杯中,小烧杯的内表面越光滑单晶性越好,否则晶体形状不好缺陷多就会给后面的收单晶衍射数据带来麻烦,甚至会造成无法解晶体结构,那将是非常可惜的;烧杯用滤纸或塑料薄膜封口防止灰尘落入,同时减慢挥发速度,长出较好晶形的单晶,一般挥发性稍差的溶剂用滤纸。静置至发现满意的晶体出现。 方法二:扩散 用金属配合物的良溶剂将其溶解在小烧杯或广口瓶中,塑料薄膜封口(用针戳3-5个小孔),放于盛有该金属配合物的挥发性不良溶剂(一般用乙醚)的大瓶子中。静置至发现满意的晶体出现。 单晶培养所需样品用量 一般以10-25mg为佳,如果你只有2mg左右样品,也没关系,但这时就要选择液相扩散法和气相扩散法,不能使用溶剂缓慢挥发法。 一定要做好记录 一次就得到单晶的可能性比较小。因此最好的方法就是在第一次培养单晶的时候,采取少量多溶剂体系的办法。如果你有50mg样品,建议你以5mg为一单位,这样你可以同时实验10种溶剂体系,而不是选两种溶剂体系,每个体系25mg。这是做好记录就特别重要,以免下次又采用已经失败的溶剂体系,而且单晶解析时必须知道所用的溶剂。 培养单晶时,最好放到没人碰的地方,这点大家都知道。我想说的是你不能一天去看几次也不能放在那里5,6天不管。也许有的溶剂体系一天就析出了晶体,结果5天后,溶剂全干了。一般一天看一次合适,看的时候不要动它。明显不行的体系(如析出絮状固体)就要重新用别的溶剂体系再重新培养。 液相扩散法中良溶剂与不良溶剂的比例最好为1:2-1:4。 烷基链超过4个碳的很难培养单晶。 分子中最好不要有叔丁基,因为容易无序,影响单晶解析的质量。 含氯的取代基一般容易长单晶,如4-氯苯基取代化合物比苯基取代化合物容易长单晶。 1.溶剂的沸点不宜太低,也不宜过高。溶剂沸点过低时制成溶液和冷却结晶两步操作温差小,团体物溶解度改变不大,影响收率,而且低沸点溶剂操作也不方便。溶剂沸点过高,附着于晶体表面的溶剂不易除去。一般常用甲醇、丙酮、氯仿、乙醇、乙酸乙醋等。 选择时可用少量各种不同溶剂试验其溶解度,包裹冷时和热时。在几种溶剂都适用时,则应根据结晶的回收率、操作的难易、溶剂的毒性大小及是否易燃、价格高低等择优选用。一般首选乙醇。混合溶剂一般会有更好效果。 2.制备结晶的溶液,需要成为过饱和的溶液。一般是应用适量的溶剂在加温的情况下,将化

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