ESEC2007 fs Plus Base 操作培训手册

ESEC2007 fs Plus Base 操作培训手册

适合初学者!!!

1 培训介绍

培训进程/目标描述

这个Base Operation培训提供一定的知识和必要的技能以保证初次接触ESEC DB 2007 SSI/fs plus 的操作员和技术员有足够的知识和信心去操作使用机器以达到正式生产的目的。

培训内容

- 机器的主要结构

- 最主要的菜单介绍

- 学会PR图像识别系统的操作（Chip Alignment）

- 学会下锡和压模的控制（Dispense & MPPM）

- 使机器最优化生产

- 简单故障的处理

培训对象

初次接触ESEC DB 2007 SSI/fs plus的操作员和技术员

2 培训内容及时间进度表 Base Operation Training

ESEC DB 2007 SSI/fS培训时间内容及进度表决定于机器的配置。以下的时间表覆盖了DB 2007 SSI/fS plus可能安装到的选项的配置。如果有其他机器的配置，时间表将可能有所改变。

S1.0 S1.1

机器名称、型号及出产厂家的介绍

机器的性能、生产条件要求及安全

S1.2 S1.3

机器主要机械结构的介绍机器菜单结构的介绍

S1.4 S1.5

开机和关机圆片框工作台(Cassette positions)

S1.6 S1.7

圆片工作台(Wafer table) 晶片识别设定(Chip setting)

S1.8 S1.9

晶片图像识别(Chip alignment) 墨点识别(Inkdot)

S1.10 S1.11

轨道进料装置(Input & push-in) 轨道控制及传感器(Indexer)

S1.12 S1.13

出料装置(Output) 粘片位置设定(Multichip)

S1.14 S1.15

点锡装置(Dispenser) 压模装置(Prepress)

S1.16 S1.17

温度设定(Heating) 抓片控制(Pichup process)

S1.18 S1.19

更换顶针(Pick & place tools) 吸嘴方向设定(Pickup orientation)

S1.20 S1.21

粘片控制(Bond process) 晶片感应器(Chip sensor)

S1.22 S1.23

附加功能(Additional functions) 参考线调整

S1.24 S1.25

辅助换圆片辅助调整框架

S1.26 S1.27

优化处理菜单(Optimize process) 粘片位置修正(Correction)

S1.28 S1.29

存储文件(Recipe) Lot的统计数据(Statistics)

S1.30 S1.31

三点一线的校准下锡、压模位置的调整

S1.32 S1.33

换产品(Converting) 常见故障分析

S1.34

常见缺陷分析

3 培训资料ESEC DB 2007 SSI/fS plus Base Operation Training

S1.0 机器名称、型号及出产厂家的介绍

机器名称: Die Bonder 2007 SSI plus / Die Bonder 2007 fs plus

机器型号：D350 / D360

生产厂家：ESEC

机器产地：瑞士

S1.1 机器的性能、生产条件要求及安全

机器的性能：

ESEC Die Bonder 2007 SSI/fs plus 是一台高精度、高稳定性及高产能的软焊料粘片机。

生产条件要求：

压缩空气： 4.0bar – 6.0bar 流量42.5 l/min

真空： < - 0.7bar 流量28.3 l/min

氢氮混合气： 1.0bar – 2.0bar 流量15.0 l/min

电源： 3相380V 或单相220V 功率2.5kW (最大8kW)

安全:

- 注意不要靠近机器所有移动部件，特别是贴有注意标志的地方。如 Bondarm, Wafer table, Input gripper, Output handler, Indexer shuttle

- 轨道温度最高可达520℃，不可以直接接触以防高温烫伤

- 轨道加热部分是220V交流供电，注意不要直接用手接触加热控制部分以及机器的配电箱

- 机器前端配有紧急按钮，当机器出现异常情况如有烧焦异味、冒烟、异常响声及人身安全时按下按钮，并及时通知相关人员

S1.2. 机器主要机械结构的介绍

机器模块（根据不同的材料、工艺和机器类型，机器会选用不同的模块）：

缩写模块

PLL Power Leadframe Loader

SP Stack Power

SSI Soft Solder Indexer

fs Fast Soft Solder Indexer

BH Buffered Handler

WD Wire Dispenser

DWD Dual Wire Dispenser

SSD Soft Solder Dispenser

MPPM Motorized Pre Press Module

AWL2 Automatic Wafer Loader 2

ADP Automatic Die Positioner

NANOS Nanoscan

PBH4 Precision Bondhead 4

DBH4 Digital Bondhead Hot

SCR Scrub

DE Die Ejector

MH Magazine Handler

DINP Dual Input Handler

BH2-IN Input Buffered Handler

TOS Top Stack Loader

DPLL Dual Power Leadframe Loader

MH-OUT Output Magazine Handler

MB Magazine Back-Handler

RPS Rejected Pad Sensor

LFI Leadframe Identification

PMU Power Marking Unit

DSDE Dual Stage Die Ejector

XYS XY-Shuttle

QCTV2 Quality Control Television

GSF Gas Supply Feature

EST1/EST2 Emergency Stop

FRO Fine Adjust Rotation

WMP Wafer Mapping Package

SOCK Solder Checker

POCK Post Bond Checker

PHPP Programmable Heated Pepper Pot

ITDP Integrated Thin Die Pick Up

S1.3 机器菜单结构的介绍

ESEC 2007 SSI/fs plus 机器菜单主要分为三个部分：

- Wafer 圆片控制

- Leadframe 框架控制

- Pick & place 抓片和粘片控制

S1.4 开机和关机

开机：

1. 开机之前必须先检查以下各项：

- 没有其他人员正在维修机器

- 机器所有的安全保护装置都在正确的位置

- 机器所有的盖板都恢复原状

- 机器上没有多余的并可能影响正常运行的备件或材料

- 电源和供气正常

- 与关机时间间隔30秒以上

2．打开机器总开关

3．等待机器启动后出现复位菜单时，按Init复位机器所有运动部件

关机：

1．正常关机时必须检查以下各项：

- 轨道中无剩余框架

- 卸载并清理机器上的所有生产材料如Wafer, Magazine

2．在主菜单ESEC中点击Shutdown然后按Enter

S1.5 圆片盒工作台(Cassette positions)

Cassette positions 圆片盒位置设定

Number of slots : 13 圆片盒里wafer的容量 (片数) Select cassette position : top slot 圆片盒顶部 (最上一片) bottom slot 圆片盒底部 (最下一片)

Slot position value : 46.64 mm 坐标值设定

Missing slot : 1~~ 3 再推一~~三次没进到圆片时停机

Load unload difference : 0.7 mm 出园片时圆片盒下降0.7

Actual slot number = 1 当前的位置号码

Actual lift position = 46.64 mm 当前的高度位置

Load wafer 装圆片

Dummy load 虚拟装片

Cassette top / bottom slot 移动到料盒顶部 / 底部位置

Cassette step up / down 料盒向上一步 / 向下一步

Define bot. Slot 定义料盒的底部位置

Define top slot 定义料盒的顶部位置

S1.6 圆片工作台(Wafer table)

Wafer 圆片

Wafer diameter : 132 mm 圆片直径

1st chip start-x-pos. : 第一个芯片X坐标

1st chip start-y-pos. : 第一个芯片Y坐标

Process direction : x bidirectional 工作台 X方向蛇形步进

x unbidirectional 工作台X方向直线步进

y bidirectional 工作台Y方向蛇形步进

y unbidirectional 工作台Y方向直线步进

Wafer load blow time : 3 s 进圆片吹热风时间

Wafer unload blow time : 5 s 出圆片吹热风时间

Expansion value : 12 mm 工作台升降高度 (圆片张紧程度)

Table movement delay : 0 ms 工作台移动的延迟时间

Define wafer 定义圆片的直径

Define 1st chip 定义第一个晶片的位置

Align chip 晶片定位

Next chip 下一个晶片

Load /Unload wafer 装/卸圆片

Dummy load 虚拟装片

Search 1st chip 搜索1st晶片

Toggle expansion 转换张片

[提示] 在生产50X50mil以下的小晶片时，设置Table movement delay到60~100ms, 将有助于晶片识别的精准度。

S1.7 晶片识别设定(Chip setting)

Chip settings 晶片识别功能设定

Alignment method : one point PR模式1个框

two point PR模式 2 个框

street PR模式边框

mixed PR模式1个框 + 边框(混合式)

Inkdot mode : on /off / inverse墨点模式:不抓墨点/晶片全抓/只抓墨点

Pattern / inverse pattern 图案/只抓图案

Corner mode : off / on 边角模式

Chip surface test : off / on 晶片表面测试

Alternate pattern mode : off / on 交替图形模式

Broken wafer check : off / on 不完整圆片检查

Alter x step mode : off / on 改变x 步进模式

Alter y step mode : off / on 改变y 步进模式

Border mode : off / on 边缘模式

Local mapping : off / on 晶片预识别

Last line mode : off / on 最后路线模式

S1.8 晶片图像识别(Chip alignment)

Chip alignment 晶片识别

Camera sensitivity : standard 镜头感光标准模式

Medium 中等的

high 镜头感光高亮模式

manual 手动的

Direct illumination : 0~~255 主灯光

Ring light illumination : 0~~255 环形荧光灯灯光

Learn chip size illum : 100 识别晶片尺寸时的灯光Optimize index step : off 优化晶片步进

square 1~6 步进个数

Learn status = define 已做好PR了

undefine 未做PR的

chip size learned /no index step PR没做好/没有步进需重做

chip size x = 芯片X尺寸

chip size y = 芯片Y尺寸

opt index step size x = 步进X尺寸

opt index step size y = 步进Y尺寸

Learn illumin 识别灯光值

Learn chip size 识别晶片尺寸

Learn template 识别特殊图形

Learn chip 识别晶片

Auto learn 自动学习（包括上叙所有）Default windows 窗口恢复到默认值

Set index step man. 手动设定晶片步进

Increase illumin. 增大灯光值

Decrease illumin. 减少灯光值

[提示] 在编辑PR晶片图像识别程序时，此界面中可将鼠标指针向左移动到左显示器中，并直接点击PR框设定其尺寸和位置。

[指引] 怎样做PR

A. 装入晶圆

B. 设定镜头合适的放大率和清晰度 (通常屏幕范围内有9个以上得完整晶片)

C. 根据晶圆的图案和反光情况以及晶片尺寸来挑选模式：alignment method: one point / two point/ street/ mixed

D. 根据晶圆的图案和反光情况来挑选camera sensitivity: standard/middle/high, 并调节合适灯光参数（建议ring light illumination设定范围在200~~255以延长其使用寿命）建议：如果在晶圆上有无墨点的光片（通常是黑色的硅片，没有任何图案），需要把主光灯调暗一些

E. 检查Ejector高度是否对PR有影响, 如有则调整

F. 设定恰当的晶片尺寸框(point为黄色,其余为绿色) 以及特征框(绿色), 监视器右侧的橙色柱越高越好, 红色表示失败

G. 按键Learn chip学习晶片. 如果失败重新调整灯光重做F.步骤

H. 学习墨点模式Inkdot mode，移动wafer至最小的墨点晶片，Align chip，然后设定红色框位置大小，按键Learn inkdot。注意：如果墨点位置不稳定则红色框要设定大一些

I. 如果必须，学习边角模式corners，移动wafer至一个正常晶片，选取左上角蓝色框移动至合适没有黑色图案的位置，按键Copy corner 1然后确定其他3个角落的蓝色框位置合适，按键Learn corner

J. Align chip 和Next chip多次测试PR准确度. 经验: 通常同一个晶片Align chip后监视

器有下角显示的angle= XXX变化越小越好

K. 移动wafer至边缘设定wafer的尺寸大小Define wafer和起始晶片位置Define 1st chip

S1.9 墨点识别(Inkdot)

Inkdot & quality tests 墨点 & 品质测试Inkdot threshold : 36 墨点识别的起点值Inkdot pixel limit : 30.00% 墨点识别的像素值极限Corner check: : low sensitive 边角检查 : 低敏感度

normal sensitive 正常敏感度

high sensitive 高敏感度

manual 手动

Upper brightness limit : 20 亮度上限

Lower brightness limit : - 20 亮度下限

Inkdot status = not learned 墨点识别的状态Inkdot pixels found = 7.92 % 找到的墨点的像素值Corners status = Learned 边角识别的状态Learn inkdot 学习识别墨点

Learn corners 学习识别边角Default windows 窗口恢复到默认值Copy corner 1 拷贝左上角1 边角到其他3个边角Increase threshold 增大起点值

Decrease threshold 减少起点值

S1.10 轨道进料装置(Input & push-in)

Leadframe input (TOS) 框架进料台 (顶部式)

Page 界面页:

positioning 位置

leadframe data 框架数据

sensors 感应器

Position selection 位置选择:

place position 放置的位置

inspect position 检查的位置

pick leadframe 1/2/3 抓框架的位置1/2/3

trashbag pos. 坏品盒的位置

Position function : on / off 当前位置功能: 开/关Y-position : -1.42 mm Y位置

Z-position : -4.67 mm Z位置

Speed selection : standard 速度选择: 正常

/ std. slow / /慢

/extra fast / slow /特别的快/较慢Actual y-position : -1.42 mm 当前的Y位置

Actual z-position : 0.00 mm 当前的Z位置

Paper separation 隔层纸的分离:

pick both / off/ 两者都抓/关闭功能/

alternate / paper sensor 交替/隔层纸感应器

leadframe thickness : 0.55 mm 框架的厚度

Paper thinkness : 0.05 mm 隔层纸的厚度

Pick count : 3 3次重抓, 仍没抓起就停下

Gripper shaking : off / 1/3/5 cycles 夹子的抖动次数: 关/1/3/5 次Shaking amplitude : 2.00 mm 抖动的幅度

LF identification : off / sensor 1..1~8 框架的定向识别: 关/1~8个感应器Inspection accuracy : standard / extended 定向识别的精确度: 正常/较高的LF identification code = not defined 框架的识别码Act.LF identif. State : 0011-1110 当前的框架的识别情况Next / Previous page 下一 / 上一页Learn Z 学习Z 高度(定义最低位置)

Define position 定义位置

Next / Previous position 下一 / 上一位置

Pick / Place leadframe 抓 / 放框架

Teach LF-ID 学习定义框架的识别码

Push in & push out setting 框架推进和推出装置设定

Wait position : -66.26 mm 等待位置Pushin position : -0.70 mm 推进位置Pushin depth : 2 pad 推进深度 (以计数感应器位置为基准) Pushin startoffset : on / off 推进开始时校准开/关Pushin speed : standard / slow / fast 推进速度: 正常/慢/快Actual pushin position : -66.64 mm 当前的推进位置

Define wait pos 定义等待位置Define push pos 定义推进位置Move wait pos 移动到等待位置Move push pos 移动到推进位置Pushin cycle 一个推进动作

Clear indexer 清去轨道中的所有框架Load leadframe 进一条框架

[指引] 装载框架的方法

框架Leadframe装在两个可以移走的架子中。将框架按正确方向装进架子，然后从左侧按方向(1)推进，顶到位后按方向(2)往下压

取走空架子时，按上叙相反步骤

[注意] - 当机器正在生产时，必须注意移

动中的或在等待状态中的夹具(LF gripper)，确保安全的情况下才可以推入框架架子

- 不要装卸正在工作状态的架子

- 当机器正在生产时不要从右侧

拿走架子

- 必要时先停机再装卸框架架子

S1.11 轨道控制及传感器(Indexer)

Leadframe indexer 轨道参数设定

Gap between leadframe : 1 pad 两条之间间隔一粒

No. of pads on leadframe : 30 pad 一条三十粒

Leadframe pitch : 8.0 mm 步进距离

Input load position : -81 pad 框架进入的开始位置

Input frame sensor pos. : -80 pad 进料Sensor位置

Output frame sensor pos. : 62 / 66 pad 出料Sensor位置

Indexer step velocity : 16~~20 轨道步进速度

Mat. sensor selection : 1 特殊的感应器的选择： 1 (计数感应器) Sensor position : -80 pad 感应器的位置： -80 步

Sensor function: 感应器的状态：

static signal 静态信号 off 关

dynamic signal 动态信号

Sensor mode : not covered / covered 感应器的模式：无信号/有信号

Pitch number : 1 特殊步进,每1个步进就粘片

[注意] 此菜单中的参数都是有对应的机械位置，因此在没有改变感应器机械位置的情况下不要更改此菜单中的参数

S1.12 出料装置(Output)

[注意] 此菜单中的所有参数都是根据料盒的实际尺寸所设，在没有改变料盒尺寸的前提下不需要改变此菜单中的任何参数。

S1.13 粘片位置设定(Multichip)

Multichip 一个步进单元内粘多个晶片

Axis selection : y-axis / x-axis 轨道x y轴的选择

Position number : 1 当前晶片位置排列号码(1~X)

Bond x-position : 10.35 mm x轴粘片位置

Bond y-position : -0.25 mm y轴粘片位置

Chip orientation : 0.00 degree 当前晶片的角度补偿

Alter process direction : off / on 轨道运动方向off为123123 on为123321 Actual bond x-position : 10.35 mm 当前x轴粘片位置

Actual bond y-position : -0.25 mm 当前y轴粘片位置

Define xy position 定义一个粘片位置

Append position 增加一个粘片位置

Next / Previous position 下一个/上一个粘片位置Immediate correct. 直接修正

Load / Unload leadframe 加载/卸载框架

Bondarm to bond /park 粘片臂移动到粘片/准备位置

Insert position 插入一个粘片位置

Delete position 删除一个粘片位置

Delete all positions 删除所有粘片位置(第一个除外)

[提示] 当Output frame sensor出料感应器在感应有框架状态时，轨道是不可以有Y方向的任何移动，但是可以在当前位置直接更改位置参数，然后按Immediate correct.。

[注意] 如果没有改变框架的结构类型，禁止按以下四个功能键：

Append position 增加一个粘片位置

Insert position 插入一个粘片位置

Delete position 删除一个粘片位置

Delete all positions 删除所有粘片位置(第一个除外)

S1.14 点锡装置(Dispenser)

Dispenser 下锡

Dispenser mode 焊锡丝模式

single / dual :单一的/双焊锡丝

Touch down difference 双焊锡丝接触感应不同时:

warning / stop 报警/停止

Dispensing melt mode : touch 焊锡丝溶解模式 :

Distance 接触到后再下固定的长度

Touch Sensor : on / off 接触感应器 : 开/关Dispenser position : -12 pitch 下锡的位置(相对粘片位置)

Touch sensor =not covered / covered 接触感应器的状态

Wire sensor 1 / 2 焊锡丝感应器1/2

=empty/material =空的/有焊锡丝

Dispense cycle 一次下锡过程

Next pad 下一个下锡位置

Indexer cycle 一次轨道步进

Load / Unload leadframe 加载/卸载框架

Proc. To next LF 运行(下锡)到下一条框架的第一粒

Clear indexer 清除轨道中的所有框架

Dispenser pattern process 下锡参数

Wire distance selection 焊锡丝进程选择

: home position : 静止位置

solder height 焊锡丝高度

feed after touch 接触框架后的下锡量

amount of wire 溶解时的下锡量

Wire distance value : 2.00 /0 / 0/ /0.80 mm 焊锡丝进程值(与上叙进程对应) Speed selection : melt / back and forth 速度选择: 溶解/接触框架之前和溶解后Velocity : 30.0 / 60.0 mm/s 速度值 : 与所选择的速度对应Premelt time : 30 ms 接触框架后溶解之前的等待时间

Start delay : 0 ms 下锡前的延时

Stop delay : 0 ms 下锡后的延时

Touch sensor =not covered / covered 接触感应器的状态

[提示] - 如果机器选用的是单焊锡模块(WD)，菜单中Wire sensor 1状态始终是empty - Wire distance selection四个选项是同时作用的

- 点锡位置是机械调整，非必要时无需调整

[注意] - 换焊锡过程中禁止用手直接接触

- 焊锡卷固定螺帽必须锁紧，否则在生产过程中焊锡丝将会变得蓬松

S1.15 压模装置(Prepress)

Prepress 压模成型Prepress position : -6 pitch 压模位置(相对粘片位置) Production mode : on / off 压模功能在运行时打开或关闭Touch Sensor : on / off 接触感应器打开或关闭Leadframe thickness : 0.50 mm 框架的厚度

Leadframe tolerance : 0.20 mm 压模头测框架厚度时的误差范围

Tool preload production : 0.60 mm 压模头继续往下压的高度

Tool temperature : 380.0 C 压模头的温度

Lower stop limit : -15.0 C 温度的下限

Upper stop limit : 15.0 C 温度的上限

Temp. limit check : on / off 温度的极限检查

Standby temperature : 200.0 C 预备状态的温度

Act. Leadframe thickness : 0.46 mm 当前压模头测得的框架厚度

Actual head temperature : 380.5 C 当前压模头的温度

Learn LF height 压模头测框架厚度

Prepr cycle 一个压模动作

Next pad 下一个压模位置

Proc. To next LF 运行到框架在粘片位置的最后一粒Indexer cycle 一次轨道步进

Prepress park pos / standby 压模装置运动到停留/准备位置

[注意] 压模头高温，注意避免烫伤

Prepress process 压模处理（以下高度都以框架位为基准）

Phase selection : down Z 过程选择：下降过程，接触到框架之前Standby position : 2.50 mm 从框架高度往上升的预备（停留）位置

td11 : 0 ms Z轴下降前的等待时间

D11 : 0.00 mm Z轴下降过程中的停顿高度

vD11 : 0.050 m/s Z轴下降到D11 过程时的初始速度

aD11 : 5.00 m/s2 Z轴下降到D11 过程时的加速度

tD12 : 0 ms Z轴下降到D11后停顿的时间

vD12 : 0.050 m/s Z轴从D11下降到框架过程中的速度

Start delay : 0 ms 压模之前的延迟时间（td11之前）

Stop delay : 0 ms 压模之后的延迟时间（Z轴回到预备位置之后）

Phase selection : spank Z 过程选择：接触到框架的过程

t down : 60 ms 压模头接触到框架后停顿的时间

U11 : 1.00 mm 第二次压模前Z轴上升的高度

vU11 : 0.050 m/s Z轴上升到U11高度过程中的速度

tD21 : 0 ms Z轴上升到U11高度后停顿的时间

vD21 : 0.050 ms Z轴从U11下降到框架过程中的速度

Phase selection : up Z 过程选择：上升过程：压模之后

tU21 : 0 ms Z轴上升前、第二次压模后的停顿时间

U21 : 0.00 mm Z轴上升过程中的停顿高度

vU21 : 0.050 m/s Z轴上升到U21高度过程中的速度

tU12 : 0 ms Z轴上升到U21高度后停顿的时间

vU12 : 0.050 m/s Z轴从U21上升到预备位置的初始速度

aU12 : 5.00 m/s2 Z轴从U21上升到预备位置过程的加速度

tUp : 0 ms Z轴上升到U21高度过程中的时间

[提示] 此菜单中Phase selection三个状态dowm Z, spank Z, up Z同时工作

[指引] 装卸及清洁Cavity tool压模头的方法

工具： 1 专用夹具

4 专用纤维刷

装载方法：用夹具夹住压模头，从加热棒下方往上把压模头放入(1)，顶到位然后转动90°(2),松开并移走夹具。检查压模头是否到位，如果不水平，用夹具平整面轻轻把压模头往上顶一顶，直到压模头水平。

卸载方法：与装载方法相反

清洁压模头方法：

压模头卸载后，可用专用纤维刷轻轻清洁其表面，禁止用坚硬物体接触其表面，冷却后放入清水里在超声波中清洁10~20分钟，禁止用酸碱溶液清洗。

[注意] 刚卸载的压模头高温，避免烫伤

S1.16 温度设定(Heating)

Heating temperatures 加热棒温度设定

Temperature zone1（~8） : 300 C 温度区域1（~8）的温度设定 300 C

Heat zone selection : 1 温度区域 1

Zone Standby temperature : 200 C 区域等待状态温度： 200 C

Calculated process temp. : 298.5 C 校准后的温度: 298.5 C

heater state = heating 加热棒状态：正在加热

off / standby 停止加热 /等待温度

Previous zone 上一个温度区域

Next zone 下一个温度区域

Heater standby/ on 加热棒等待 / 开

[提示] 实时的温度显示在Actual heating temperatures菜单中

S1.17 抓片控制(Pichup process)

Pickup process 抓晶片的过程

Pickup z-height : -5.04 mm 抓DIE 的高度

Pickup time : 20~~100 ms 抓DIE的时长

Foil touch time : -40 ms 接触到兰膜的时间

Needle top height : 0.8~~1.2 mm 顶针高度

Ejector height offset : 0.5mm 顶针座补偿高度

Needle velocity : 30 m/s 顶针速度

Bondarm state 粘片手臂的位置

= parkpos. / pickpos. =等待位置/抓片位置

Ejector state 顶针座的位置

= teach height =定义的高度

bottom position 底部位置

= bottom pos =底部位置

Needle state 顶针的位置

teach height 定义的高度

Bondarm Z-position = 8.49 mm 粘片手臂Z轴的位置

Learn pick z-height 定义抓晶片的高度

Bondarm to pick/park 粘片手臂到抓片/等待的位置

Bondhead to pick/park 粘片头到抓片/等待的位置

Toggle needle 转换顶针高度

Toggle ejector 转换顶针座高度

Bondhead up 粘片头向上移动

Bondhead down 粘片头向下移动

Align / Next chip 识别 / 下一个晶片

Pick chip 抓起一个晶片

Release chip vac. 释放吸晶片的真空

Toggle vacuum 转换真空（顶针座）

S1.18 更换顶针、吸嘴(Pick & place tools)

Assist: Pick & place tools 辅助菜单：抓片粘片工具

Needle state 顶针状态

= bottom pos = 底部位置

Calib height 校准高度

Needle z-position = 0.00 mm 顶针z位置

Define needle 定义顶针校准高度

Needle down / up 顶针微调

Toggle needle 转换顶针高度

Bondhead ccw 粘片头逆时钟方向转动

Bondhead clockwise 粘片头顺时钟方向转动

Bondarm to pick 粘片臂移动到抓片位置

Bondhead to pick 粘片头移动到抓片位置

Toggle ejector 转换顶针帽高度

Learn pick z-height 学习抓片高度

[指引] 装上新的顶针和顶针帽后, 需要校准calibrate高度。用显微镜检查顶针针尖位置，要求针尖稍低于顶针帽上表面，按Needle up / Needle down调整顶针高度，然后按Define needle

[提示] 更换新的顶针、吸嘴时必须分别校准高度和学习抓片高度

[注意] 针尖锋利易断，禁止用手直接接触

S1.19 吸嘴方向设定(Pickup orientation)

Pickup orientation 抓晶片的角度补偿

bondhead pickup orient : 64.08 degree 设定的粘片头所处角度

chip oriention : 0.00 degree 补偿角度

bondhead position = 64.08 degree 粘片头实际角度位置

Bondarm state 粘片手臂的位置

= parkpos. / pickpos. =等待位置/抓片位置

Bondhead clockwise 粘片头顺时针转

Bondhead ccw 粘片头逆时针转

Move to init pos 粘片头移动到复位位置

Define BH zero 定义粘片头零位

Bondarm to pick / park 粘片手臂移动到抓片/预备位置

Bondhead to pick / park 粘片头移动到抓片/预备位置

[指引] 粘片头的实际最大转动角度为270度，并且有±5°的自动校准，因此在设定粘片头方向时要注意：

- 当晶片角度为0°和180°时，bondhead pickup orient 应当定义在45°±40°范围内

- 当晶片角度为-90°和+90°时，bondhead pickup orient 应当定义在135°±40°范围内

S1.20 粘片控制(Bond process)

Bond process 粘晶片的过程

Bond height to LF : 0.000 mm 粘片补偿高度

Bond z-height : -5.50 mm 贴片时高度

Bond time : 20 ms 粘片时间

Pre scrub time : 50 ms 磨片之前的时间

Post scrub time : 50 ms 磨片之后的时间

Bond vacuum off time : -10 ms 真空关闭时的时间

Bond blow start time : 0 ms 吹气开始时的时间

Bond blow time : 0 ms 吹气时长

Tool clean blow time : 0 ms 清洁吸咀的时长

Bondarm state = parkpos. 当前粘片手臂的位置

Bondarm Z-position = 8.49 mm 当前粘片手臂Z轴的位置

Actual offset to LF = 13.98 mm 当前粘片手臂Z轴到框架的高度

Bond height to platform = 1.28 mm 当前粘片高度到轨道表面的厚度

Touch down sensor = not touching 接触感应器的状态

Learn bond Z-height 定义粘晶片的高度

Bondarm to bond / park 粘片手臂移动到抓片/预备位置

Bondhead down / up 粘片头向下 / 向上移动

Align / next chip 识别 / 下一个晶片

Bondhead to bond / park 粘片头移动到抓片/预备位置

Load / Unload leadframe 装载 / 卸载一条框架

Indexer cycle 轨道一个步进周期

Pick chip 抓起一个晶片

Place chip 粘一个晶片

Release chip vac. 释放吸晶片的真空

[提示] 更换新的device时必须重新学习粘片高度

S1.21 晶片感应器(Chip sensor)

Chip sensor 晶片感应器

Chip sensor threshold : 130 设定的起点值(反光)

Pickup retries same chip : 2 同一个晶片重抓两次

Unsucc. picked chips : 2 两个晶片抓不起则报警Sensor val. without chip = 68 没有晶片时的最小反光值Sensor val. with chip = 200 有晶片时的最大反光值

Chip sensor value = 59 感应器的当前值

Learn sensor 定义没有晶片时的反光值

Pick and learn 抓起晶片并定义晶片的反光值

Set threshold 自动设定起点值

Align / Next chip 识别 / 下一个晶片

Cursor y backward 往后移动粘片手臂

Cursor y forward 往前移动粘片手臂

Clearn chip sens. 清除当前的反光值到最小

Release chip vac. 释放吸晶片的真空

S1.22 附加功能(Additional functions)

Additional functions 附加功能

Clean chip time : 0 ms 清洁吸咀开始时的时间

Bond soft stop : on / off 粘片前Z开始下降时的停顿

Bond soft delay : 80 ms 贴DIE前稳定(停顿)时间

Pick soft stop : on / off 抓片前Z开始下降时的停顿

Pick sfot delay : 80 ms 抓DIE前稳定(停顿)时间

Pick vacuum on time : off / on 真空准时打开

Dual stage needle : off / manual / auto顶针分两段顶起

DE move down when idle : off / on 空闲时顶针座下降到底部位置

[提示] Bond soft delay和Pick soft delay都会影响到UPH，通常只有在生产大晶片多焊锡量时才会用到这些功能

S1.23 参考线调整

Manual quality control 红色参考线

Line selection : line 1 左和上

: line 2 右和下

Pos. horizontal line 1 : 225 水平线1 的位置

Pos. vertical line 1 : 232 垂直线1 的位置

Pos. horizontal line 2 : 355 水平线2 的位置

Pos. vertical line 2 : 339 垂直线2 的位置

Act. Pos. horiz. line 1 = 225 当前水平线1 的位置

Act. Pos. vertic. line 1 = 232 当前垂直线1 的位置

Act. Pos. horiz. line 2 = 355 当前水平线2 的位置

Act. Pos. vertic. line 2 = 339 当前垂直线2 的位置

Define pos. 锁定位置

[指引] 用键盘上的上下左右键来调整参考线的位置，并且一个界面只能调整一组

S1.24 辅助换圆片

Assist: Wafer 辅助：圆片

Inkdot mode : on / off / inverse 墨点模式：开 / 关 / 只抓墨点Enable critical region : off / on 运行临界区域：关 / 开Actual step size x = 1.52 mm 当前的步进尺寸x

Actual step size y = 1.52 mm 当前的步进尺寸x

Actual slot number = 8 当前的圆片盒格数

Unload / Load wafer 装卸圆片

Dummy load 虚拟装载

Serch 1st chip 搜寻第一个晶片

Align / Next chip 定位 / 下一个晶片

Reset indexstep 重新定义步进

Toggle cursor / step 转换手动移动方式

Cassette top slot 圆片盒顶部位置

Cassette bot. slot 圆片盒底部位置

Cassette step up / down 圆片盒步进上 / 下

[注意] 当没有圆片盒而需要装卸圆片时，必须手动按下圆片盒感应器(1)

S1.25 辅助调整框架

Assist: Leadframe 辅助：框架

Supply valve state = standby (no mat) 供气阀状态Dispensing melt mode = touch 下锡熔化模式

Premelt time = 30 ms 预熔时间

Amount of wire = 0.88 mm 下锡量

Supply valve stop delay = 30 s 供气阀停止时延时

Supply valve run delay = 0 s 供气阀运行时延时

Supply v. standby delay = 60 s 供气阀预备状态时延时

Actual slot number outp. = 1 当前出料料盒的位置格数Heat controller state = heating 温度控制器的状态

Indexer stop sensor = covered 轨道停止感应器状态

Clear indexer 清除轨道中所有框架

Downhold up / down 压爪上 / 下

Centering up / down 中心压板上 / 下

Gas off / on 混合关 / 开

Next pad 下一个晶片

Indexer cycle 轨道步进一个周期

Heater standby / on 加热棒预备状态 / 开

Out. mag. Step down / up 出料料盒一格下 / 上

Upload / load out. mag. 装卸出料料盒

S1.26 优化处理菜单(Optimize process)

Optimize process 最优化处理

Bond process 粘片处理

Wafer & Pick&place mode : on / off 圆片台和抓片粘片模式 : 开 / 关

Pre scrub time : 0 ms 磨片前的时间

Post scrub time : 20 ms 磨片后的时间

Bond z-height : -5.27 mm 粘片高度

Bond cycle 一个抓片粘片周期

Next pad 下一个粘片位

Align / Next chip 定位 / 下一个晶片

Indexer cycle 轨道步进一个周期

Pick chip blind 胡乱抓起一个晶片

Place chip 粘一个晶片

S1.27 粘片位置修正(Correction)

Convert: Correction 转换：修正

Chip and solder x-pos. : 0.00 mm 晶片和焊锡x位置Chip and solder y-pos. : 0.00 mm 晶片和焊锡y位置Last x correction = 0.00 mm 最后x修正值

Last y correction = 0.00 mm 最后y修正值

Actual bond x- position = 0.15mm 当前粘片x位置Actual bond y- position = -34.20mm 当前粘片y位置Immediate correct. 立即修正

[提示] 此菜单中的修正将会同时修正所有的粘片位置

S1.28 存储文件(Recipe)

Teach: Recipe: Hard disk recipe 硬盘上的存储文件

Select recipe name : P70N02LD 挑选的存储文件名

Recipe comment : 73.7X57.6mil 存储文件注释

Sort by name (a..z)/(z..a) 存储文件分类名称 comment (a..z)/(z..a) 注解

date (a..z(/(z..a) 日期

Notes handling selection : current recipe 纪录处理选择当前文件 selected recipe 选择的文件

Recipe date : 28.02.06 at 11.35.01 文件存储日期

Current recipe name =P70N02LD 当前的存储文件名

Current recipe comment =73.7X57.6mil 当前的存储文件注释

Current recipe date =28.02.06 at 11.35.01 当前的文件存储日期

Current recipe source =hard disk 当前的存储文件来源

Load chip recipe 装载存储文件晶片部分

Load LF recipe 装载存储文件框架部分

Load recipe 装载存储文件全部

Save recipe 存储文件

Hard disk directory 硬盘上的文件目录

Display cur.notes 显示文件的说明纪录

Edit cur.notes 编辑文件的说明纪录

Clear cur.notes 清除文件的说明纪录

[提示] Recipe中不包含Install中的所有内容

S1.29 Lot的统计数据(Statistics)

Messages: Statistics: Current lot 统计数据：当前批次料

Lot ID : 0000001 批次号

Lot define by 批次定义被

=operator =操作员

Lot start time =01.03.06 at 09:33:43 批次开始时间

Chips bonded =16128

chips 已粘晶片

Wafer processed =2 wafers 生产完成的圆片数量

Unsuccessful pickups =0 chips 抓片不成功个数

Production time =3:17:45 h:m:s 生产时间

Idle time =4:19:40 h:m:s 停机时间

Gross uph =2115 总的UPH

Net uph =5099 实时的UPH

Bonded chips of wafer =4599 chips 此圆片已抓晶片

Bonded chips of last wafer =5755 chips 上一个圆片已抓晶片Clear chip of wafer 清除当前圆片上的晶片数

S1.30 三点一线的校准

1． PICK三点一线 (顶针,吸咀,镜头的中心) –方法一：（大晶片合适）

A. 调整界面：Teach/New material/ Pickplace/Pickup process

B. Align chip(镜头对准晶片)

C. 移动吸嘴到pick位置- 按键“Bondhead to pick pos”

D. 用随机显微镜观察芯片偏向吸咀哪个方向，然后按上下左右按键移动Wafer table直到吸嘴在晶片的中央

E. 移动吸嘴到pack位置-按键“Bondhead to pack pos.”

F. 移动镜头支架调节螺丝直到晶片与PR框重合

G. Pick一个die,观察顶针痕迹,移动顶针至晶片位置的中央

2． PICK三点一线 (顶针,吸咀,镜头的中心) –方法二：（小晶片合适）

A. 调整界面：Teach/New material/ Pickplace/Pickup process

B. Align chip(镜头对准晶片)

C. 移动吸嘴到pick位置- 按键“Bondhead to pick pos”

D. 取下粘片头（bondhead）顶部的真空气管连接帽，从镜头中找到圆形亮点（如果不够亮可以试着把轨道灯移过来，或者把吸嘴稍微抬高一点），然后移动镜头支架调节螺丝直到圆形亮点在PR框中心

E. 移动Wafer table到边缘无晶片处，按Toggle Needle 使顶针顶起，从镜头中寻找针尖，然后按Toggle Needle 使顶针复位，移动Ejector重复上叙动作直至针尖在PR框中心。

3． P ICK三点一线 (顶针,吸咀,镜头的中心) –方法二：（大小晶片合适）

A. 调整界面：Teach/New material/ Pickplace/Pickup process

B. 用一小块白色水胶布粘在Wafer无晶片处

C. 移动吸嘴到pick位置并使用Bondhead up/down按键，使吸嘴在胶布上留下明显的痕迹（如果光线不够亮可以把轨道灯移过来）

D. 移动镜头支架调节螺丝直到吸嘴痕迹在PR框中心

E. 重复C.步骤直到无需做D. 步骤

F. 按Toggle Needle 使顶针顶起，从镜头中寻找针尖，然后按Toggle Needle 使顶针复位，移动Ejector重复上叙动作直至针尖在PR框中心

S1.31 下锡、压模位置的调整

A 准备工具：专用尖头实心钢吸嘴；专用尖头压模头；在粘片、压模和点锡位置划有交叉对角线的标准框架

B Load 一条框架到粘片位置。换上专用尖头实心钢吸嘴，在框架上测高，打出一个痕迹来；将红色参考线一组十字中心对准框架上打出的痕迹；移动轨道（有XY-Shuttle的在Tech/Multichip中），使交叉对角线的中心对准红色参考线十字中心

C MPPM换上专用尖头压模头，在框架上测高，打出一个痕迹来；抬高MPPM到Park position, 检查痕迹是否和交叉对角线的中心重合，如果否，移动MPPM+WD平台X(1)、Y(2)位置，然后再次测高，重新检查并重复上叙步骤直至痕迹和交叉对角线的中心重合

D 装上焊锡丝，降下点锡装置，在Tech/Dispenser菜单中按Dispense cycle，抬高点锡装置，检查锡点是否和交叉对角线的中心重合，如果否，移动点锡装置X(3)、Y(4)位置，重复上叙步骤直至锡点和交叉对角线的中心重合

E 点锡高度的调整：在点锡位置有框架且导线管口没有锡丝伸出时，调整微调旋钮(5)往下，直到Touch sensor感应到，然后往上调整，若Home position设为2mm, 则调整高度为4圈（每圈0.5mm）

F 换下专用尖头实心钢吸嘴和专用尖头压模头，试运行机器检查焊锡位置与压模位置并作精准微调

S1.32 换产品(Converting)

A. 根据随工单检查产品信息表（BSA）

B. 根据产品信息表检查wafer是否正确,die的方向是否正确及框架品种是否正确

C. 根据产品信息表确定顶针数量及吸咀大小

D. 更换顶针并校准calibrate高度; 检查顶针帽高度

E. load wafer并调节镜头大小; 做PR(四步); 做Inkdot和Corner

F. 换吸咀,测抓的高度; 做三点(顶针,吸咀,镜头的中心)一线

G. 检查压模头的大小, 检查下锡量, 空跑框架直到有好的焊锡成型

H. 粘一粒晶片,测粘片高度, 检查顶针高度和晶片背面有无针迹

I. 调整参考线, 检查晶片的位置和角度

J. 粘一条框架, 显微镜下检查有无任何质量缺陷, 否则再调机

K. 检查空洞(Void); 检查焊锡厚度(BLT)和倾斜度(Tilt)

L. 跑机

S1.33 常见故障分析

1．抓不起DIE，抓起又掉DIE，同一DIE抓几次

A: 真空堵塞主要指pick真空，通常需要检查以下部分（最好按次序）：吸嘴；吸嘴支架；L型连接头(bondhead顶部); 真空管接头(bondarm中部); 过滤器.

B: 真空泄漏 pick方面：吸咀破损; 气管破损