DA8110A中文资料
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)Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Anschlu?dr?hte in 3 mm Abstand von Geh?use auf Umgebungstemperatur gehalten
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28.02.2002
Rectifier Arrays
Gleichrichter S?tze
Nominal power dissipation 1.2 W Nenn-Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage 100...1000 V
Periodische Spitzensperrspannung 9 Pin-Plastic case
23 x 2.6 x 4.5 [mm]
9 Pin-Kunststoffgeh?use Weight approx. – Gewicht ca.0.6 g
Standard packaging: bulk
see page 22Standard Lieferform: lose im Karton
s. Seite 22
"DA 811 A...8110 A": com. anodes / gem. Anoden "DA 811 K...8110 K" : com. cathodes / gem. Kathoden
Maximum ratings Grenzwerte
Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung
V RRM [V]
Surge peak reverse voltage Sto?spitzensperrspannung
V RSM [V]
DA 811 A/K 100120DA 814 A/K 400480DA 8110 A/K
1000
1200
Max. average forward rectified current, R-load,
T A = 25/C
for one diode operation only
I FAV 600 mA 1)per diode for simultaneous operation I FAV 150 mA 1)Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last,
T U = 25/C
für eine einzelne Diode
I FAV 600 mA 1)pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb I FAV 150 mA 1)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave T A = 25/C
I FSM
30 A
Sto?strom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
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)Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Anschlu?dr?hte in 3 mm Abstand von Geh?use auf Umgebungstemperatur gehalten 369
28.02.2002
Max. power dissipation – Verlustleistung
T A = 25/C
P tot 1.2 W 1)Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T j – 50…+150/C Storage temperature – Lagerungstemperatur
T S
– 50…+150/C
Characteristics Kennwerte
Forward voltage T j = 25/C I F = 1 A V F < 1.1 V Durchla?spannung Leakage current T j = 25/C V R = V RRM I R < 10 :A Sperrstrom
T j =100/C
V R = V RRM
I R < 90 :A Thermal resistance junction to ambient air
R thA
< 85 K/W 1)
W?rmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft