DA8110A中文资料

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)Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case

Anschlu?dr?hte in 3 mm Abstand von Geh?use auf Umgebungstemperatur gehalten

368

28.02.2002

Rectifier Arrays

Gleichrichter S?tze

Nominal power dissipation 1.2 W Nenn-Verlustleistung

Repetitive peak reverse voltage 100...1000 V

Periodische Spitzensperrspannung 9 Pin-Plastic case

23 x 2.6 x 4.5 [mm]

9 Pin-Kunststoffgeh?use Weight approx. – Gewicht ca.0.6 g

Standard packaging: bulk

see page 22Standard Lieferform: lose im Karton

s. Seite 22

"DA 811 A...8110 A": com. anodes / gem. Anoden "DA 811 K...8110 K" : com. cathodes / gem. Kathoden

Maximum ratings Grenzwerte

Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung

V RRM [V]

Surge peak reverse voltage Sto?spitzensperrspannung

V RSM [V]

DA 811 A/K 100120DA 814 A/K 400480DA 8110 A/K

1000

1200

Max. average forward rectified current, R-load,

T A = 25/C

for one diode operation only

I FAV 600 mA 1)per diode for simultaneous operation I FAV 150 mA 1)Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last,

T U = 25/C

für eine einzelne Diode

I FAV 600 mA 1)pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb I FAV 150 mA 1)

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave T A = 25/C

I FSM

30 A

Sto?strom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

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)Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case

Anschlu?dr?hte in 3 mm Abstand von Geh?use auf Umgebungstemperatur gehalten 369

28.02.2002

Max. power dissipation – Verlustleistung

T A = 25/C

P tot 1.2 W 1)Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T j – 50…+150/C Storage temperature – Lagerungstemperatur

T S

– 50…+150/C

Characteristics Kennwerte

Forward voltage T j = 25/C I F = 1 A V F < 1.1 V Durchla?spannung Leakage current T j = 25/C V R = V RRM I R < 10 :A Sperrstrom

T j =100/C

V R = V RRM

I R < 90 :A Thermal resistance junction to ambient air

R thA

< 85 K/W 1)

W?rmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

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