第七章 刻蚀
第七章刻
蚀
王怡飞
集成电路与系统实验室
Laboratory of Integrated Circuits & Systems, USTC
大规模集成电路工艺学
VLSI Technology
基本的光刻流程
2009-3-27
V L S I T e c h n o l o g y : E t c h i n g
8对刻蚀的要求
获得期望得到的轮廓 最小的底切或偏差
对其它裸露薄膜或光刻胶的选择性 一致性和可重复性
对表面和电路最小的破坏
洁净、经济和安全
桶形等离子体刻蚀
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