第七章 刻蚀

第七章刻

王怡飞

集成电路与系统实验室

Laboratory of Integrated Circuits & Systems, USTC

大规模集成电路工艺学

VLSI Technology

基本的光刻流程

2009-3-27

V L S I T e c h n o l o g y : E t c h i n g

8对刻蚀的要求

获得期望得到的轮廓 最小的底切或偏差

对其它裸露薄膜或光刻胶的选择性 一致性和可重复性

对表面和电路最小的破坏

洁净、经济和安全

桶形等离子体刻蚀

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