电子技术基础试题及答案

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电子技术基础试题及答案

电子技术基础考试试题及答案

一.填空题:(每题3分,共30分)

1、N型半导体又称电子型半导体,它主要靠自由电子导电。

2、NPN型晶体三极管工作在放大状态时,三个极中电位最高的是c极。

PNP型晶体三极管工作在放大状态时,三个极中电位最高的是

e 极

3、单级共射放大器对信号有放大和反相两个作用。

4、串联负反馈能提高放大器的输入电阻,并联负反馈能降低放大器的

输入电阻。

5、差分放大器可以放大差模信号,抑制共模信号。

6、(25)10=(11001)2

7、逻辑函数F=ABC+A+B+C的逻辑值为 1 。

8、时序逻辑电路的特点是电路任何时刻的输出状态不仅取决于该时刻

的输入状态,而且还取决于电路的原有状态。9、与非门构成的基本RS触发器中,设S=0,R=1时,其输出状态是 1 。

10、能够暂时存放二进制数据的电路称为寄存器。

二.选择题(每题3分,共30分)

1.将交流电变换为脉动直流电的电路称为:( A )

A.整流电路

B.滤波电路

C.稳压电路

D.放

大电路

2.固定偏置共发射极放大电路中,三极管工作在放大区,如果将Rc 增大,此时三极管为放大状态,则集电极电流Ic将:(B)

A.显著减小

B.不变

C.显著增加

D.无

法确定

3.放大器若要提高输入电阻,降低输出电阻,应引入的反馈类型是:

(B )

A.电压并联负反馈

B.电压串联负反馈

C.电流并联负反馈

D.电流串联负反馈

4.单管功率放大器,在阻抗匹配时,输出的不失真交流功率达到最大,此时功率放大器的效率为:(C)

A.100%

B.75%

C.50%

D.25%

5.已知某差动放大电路的差模放大倍数为100,共模放大倍数为2,则共模抑制比K CMR为(C )

A .100 B. 50 C .1/50 D.1/100

6.正弦波振荡器的振荡频率f取决于(B)

A.放大电路的放大倍数

B.反馈网络元件的参数

C.正反馈的强弱

D.电源电压的高低

Y 信号,2,3端悬空,则Y=(B )

A. 0

B. 1

C .A D. A

A

8.要表示十进制数的十个数码需二进制数码的位数至少为(C ) A .2位 B .3位 C. 4 位 D. 5位 9.已知某逻辑门的真值表如图所示,则对应的门的逻辑符号是( C ) A. B. C. D.

10.将JK 触发器J K 两端短接,就可以接成 ( C )

A.RS 触发器

B.D 触发器

C.T 触发器

D.T ’触发器 三、分析计算题:(每题10分,共40分)

1.分析下面组合逻辑电路的逻辑功能(要求写出函数表达式,列出真值表)。

1、解:

Y=A+ A+B +B+A+B=(A+A B )(B+A B )= (A+A )(B+A ) =AB+A B A

B

Y

A A B

Y

A B

Y

A A B

Y

A B Y 011010110101B Y

2.已知下图异步二进制计数器,各触发器的初态均为0,根据输入的波形画出各输出端Q 0Q 1Q 2的波形,并说明它是加法计数器还是减法计数器。

CP CP Q Q Q 0

12

2、解:

CP

Q Q Q 012

异步二进制加法记数器 3、

分压式偏置电路如图所示,已知硅管V 的β=40,Vcc=12V ,

Rc=3K Ω,Re=500Ω,

R b1=50K Ω,R b2=10K Ω。

⑴ 分别画出直流通路和交流通路; ⑵ 估算静态工作点;

⑶ 求放大电路的输入电阻,输出电阻和 电压放大倍数。

3、解:

(1)

直流电路 (2)交流电路

(3)U BC e=R b2U Q /(R b1+R b2)=10×12/(50+10)=2V

U EQ =U BQ -U BEQ =1.3V

I CQ =I EQ =U EQ /Re=1.3/0.5=2.6mA

U CEQ =U Q -I CQ R C -I EQ Re=12-2.6×(3+0.5)=2.9V I BQ =I CQ /β=2.6/40=0.065Ma

r i =R b1//R b2//r be =r be =300+(1+β)26mV/I E mA=300+(1+40)26/2.6=0.7KΩ r c =R C =3k Ω

Av=-βR C /r bc =-40×3/0.7=-171

4.如图所示电路,已知V Z =8V ,R 1=20K Ω,R 2=10K Ω,R=10K Ω, 求:⑴当V I =12V 时,V O 为多少?

⑵当V I =6V 时,V O 为多少?

4、解;(1)当U I=12V时,U O=-R2U Z/R1=-10×8/20=-4V (2) 当U I=6V时,U O=-R2U I/(R+R1)=-10×6/(20+10)=-2V

电子技术基础试题(七)

参考答案

一 填空题:

1、电子 、自由电子;

2、c 、e ;

3、放大、反相;

4、串联 并联;

5、差模 共模;

6、11001;

7、1;

8、输入状态、电路的原有状态;

9、1;10、寄存器 二 选择题:

1 A

2 B

3 B

4 C

5 C

6 B

7 B

8 C

9 C 10 C 三、分析计算题: 1、解:

Y=A+ A+B +B+A+B=(A+A B )(B+A B )= (A+A )(B+A ) =AB+A B

2CP

Q Q Q 012

异步二进制加法记数器 3、解:

(2)

直流电路

交流电路

(3)U BC e=R b2U Q/(R b1+R b2)=10×12/(50+10)=2V

U EQ=U BQ-U BEQ=1.3V

I CQ=I EQ=U EQ/Re=1.3/0.5=2.6mA

U CEQ=U Q-I CQ R C-I EQ Re=12-2.6×(3+0.5)=2.9V

I BQ=I CQ/β=2.6/40=0.065Ma

(3)

r i=R b1//R b2//r be=r be=300+(1+β)26mV/I E mA=300+(1+40)26/2.6=0.7KΩ

r c=R C=3kΩ

Av=-βR C/r bc=-40×3/0.7=-171

4、解;(1)当U I=12V时,U O=-R2U Z/R1=-10×8/20=-4V

(2) 当U I=6V时,U O=-R2U I/(R+R1)=-10×6/(20+10)=-2V

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。解:在20℃时的反向电流约为:3 2 10 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为:321080A A μμ?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好? 答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。 一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。

100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.993 3.22 安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA , β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。解:20℃时,()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时,8C BO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==

电子技术基础离线作业

浙江大学远程教育学院 《电子技术基础》课程作业 模拟电子技术基础部分 题1 在图1电路中,设V t v i ωsin 12=,试分析二极管的导电情况(假定D 均为理想二极管)。 解:题中的电路就是二极限幅电路,对电路(a), 当输入电压幅度6+≥i v V 时, 二极管导电,输出电压电压6+≤i v 时D 截止,为+6V,当输入输入电压i o v v =;对电输出电压等于电压幅度6+≤i v V 时 路(b),当输入 二极管导电,输出电压为i o v v =,输入电压6+≥i v V 时,二极管截止,输出电压为+6V ;对电路(c),就是一个双向限幅电路,当输入电压6-≤i v V 时,D 1导电、D 2截止,输出为—6V ,当输入电压8+≥i v V 时,D 2导电、D 1截止,输出电压为+8V 。 题2 电路如图2所示,分析在下述条件下各二极管的通断情况。设二极管D 的导通压降V D =0、7 V,并求出D 导通时电流I D 的大小。 (1)V CC1= 6 V,V CC2= 6 V,R 1= 2 k Ω,R 2= 3 k Ω; (2)V CC1= 6 V,V CC2= 6 V,R 1=R 2= 3 k Ω; (3)V CC1= 6 V,V CC2= 6 V,R 1= 3 k Ω,R 2= 2 k Ω。 图2 解:(1)求出二极管两端 的开路电压,如开路电压使二极管正偏,则二极 管导电,然后再求出流过二极管 的电流。二极管开路后流过R1与R2的电流:mA R R V V I CC CC 4.25 12 2121==++= ,则二极 管两端的开路电压V IR V V IR V CC CC 2.11122=-=-=,由于二极管两端开路电压大于0、7V ,所以二极管导电,导电后,二极管二端压降为0、7V 。此时流过二极管的 图1

电工电子技术基础-在线作业-

电工电子技术基础_在线作业_5 交卷时间:2017-01-16 13:54:47 考试成绩100分 一、单选题 1. (5分)555集成定时器内部属于()电路。 ? A. 模拟 ? B. 模拟和数字 ? C. 数字 ? D. 分立元件 纠错 得分:5 知识点:电工电子技术基础 展开解析 答案B 解析 2. (5分)74290的控制信号R9(1)、R9(2)均为高电平时,计数器的输出为()。

? A. 0 0 0 0 ? B. 1 0 0 1 ? C. 1 1 1 1 ? D. 1 0 0 0 纠错 得分:5 知识点:电工电子技术基础展开解析 答案B 解析 3. (5分) ? A. 串联电 压负反馈 ? B. 并联电流负反馈 ? C. 串联电流负反馈 纠错 得分:5 知识点:电工电子技术基础 展开解析 某测量放大电路,欲提高输入电阻、稳定输出电流,应引入()。

答案C 解析 4. (5分)为了提高电感性负载的功率因数,可以采用与电感性负载串联电容的办法。() ? A. 对 ? B. 错 纠错 得分:5 知识点:电工电子技术基础 展开解析 答案B 解析 5. (5分)恒流源的端口电压不会随负载的变化而变化,但恒流源的端口电流却会随负载的变化而变化。() ? A. 对 ? B. 错 纠错 得分:5

知识点:电工电子技术基础 展开解析 答案B 解析 6. (5分)可以表示为()。 ? A. ? B. ? C. ? D. 纠错 得分:5 知识点:电工电子技术基础 展开解析 答案D 解析 7. (5分)555集成定时器内部3个电阻的作用是()。 ? A. 加压 ? B. 充电

2016秋新版 浙大远程 电子技术基础 离线作业答案 第一篇 第4章习题

第一篇 第4章习题 题1.4.1 在图题1.4.1所示电路中,设BJT 的100=β,Ω=k r be 1,0=s R 。 (1)求电路的下限频率L f ; (2)当信号源频率下降到下限频率L f 时,电压放大倍数为多少?输出电压与信号源电压的相位差为多少? 图题1.4.1 图题1.4.2 答:(1)考虚了耦合电容和输入回路电阻后,可求得时间,然后计算Hz f L 159=;(2)141=vL A ,相位差-225o ; 题1.4.2 电路如图题1.4.2所示,设BJT 的50=β,Ω=k r be 1。 (1)求电路的下限频率L f ; (2)当信号源频率下降到下限频率L f 时,电压放大倍数为多少? 答:(1)它的下限频率由输出回路决定,考虚了耦合电容和回路电阻后,可求得时间,然后计算Hz f L 8.39=;(2)36.1=vL A ; 题1.4.5 某放大电路电压放大倍数的频率特性表达式为 ()() kHz 50/1Hz 10/1)Hz 10/(100jf jf jf A v ++-= 画出波特图,求其下限截止频率L f 和上限截止频率H f 。 答:波特图如下。f L =10Hz , f H =50kHz 。

题1.4.6 某放大电路电压放大倍数高频段的频率特性表达式为 ()() MHz 1/1kHz 100/1100jf jf A v ++-= 画出波特图,求其上限截止频率H f 的近似值。 答:波特图为: 图3.1.20 上限截止频率 f H ≈100kHz 。 题1.4.7 已知某反相放大电路电压放大倍数的对数幅频特性曲线如图题1.4.7所示: (1) 写出该放大电路电压放大倍数的频率特性表达式; (2) 写出该放大电路电压放大倍数的相频特性表达式,画出对数相频特性曲线。 图题1.4.7 答:(1)频率特性表达式为: (2)对数相频特性表达式为: )100/arctan()10arctan()1.0/arctan(180z f z f z f o MH -MH -MH --=? )100/1)(10/1)(1.0/1(104 . z jf z jf z jf A V MH +MH +MH +-=

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β=100、I CBO =10μA 的管子,其温度稳定性好。 1.14

西南交《数字电子技术基础A》离线作业

西南交《数字电子技术基础A》离线作业 1. 已知输入信号A、B、C的波形,试画出图2所示各电路输出(L1、L2、L3)的波形。设触发器的初态为0。(10分) 图2 2. 如图3所示,为检测水箱的液位,在A、B、C、三个地方安置了三个水位检测元件,当水面低于检测元件时,检测元件输出低电平,水面高于检测元件时,检测元件输出高电平。试用与非门设计一个水位状态显示电路,要求:当水面在A、B之间的正常状态时,仅绿灯G亮;水面在B、C 间或A以上的异常状态时,仅黄Y灯亮;水面在C以下的危险状态时,仅红灯R亮。(10分)

3. 逻辑电路如图4所示,试画出Q0、Q1、Q2的波形。设各触发器初态为0。(10分) 4. 已知某同步时序逻辑电路的时序图如图5所示。(10分) 1.列出电路的状态转换真值表,写出每个触发器的驱动方程和状态方程 2.试用D触发器和与非门实现该时序逻辑电路,要求电路最简。画出逻辑电路图。

电路具自启动能力 5. 用移位寄存器74194和逻辑门组成的电路如图6所示。设74194的初始状态Q3Q2Q1Q0 =0001,试画出各输出端Q3、Q2、Q1、Q0和L的波形。(10分) 解:

6. 电路如图7所示,图中74HC153为4选1数据选择器。试问当MN为各种不同输入时,电路分别是那几种不同进制的计数器。(10分) 7. 由555定时器组成的脉冲电路及参数如图8 a所示。已知vI的电压波形如图b所示。试对应vI画出图中vO1、vO2的波形;(10分) 解: 8.逻辑电路如图2 a、b、c所示。试对应图d所示输入波形,分别画出输出端

L1、、L2 和L3的波形。(设触发器的初态为0) (10分) 图 2 9.发由全加器FA、2-4线译码器和门电路组成的逻辑电路如图3 a所示。试在图b中填写输出逻辑函数L的卡诺图(不用化简)。(10分)

电工电子技术基础-在线作业_C

电工电子技术基础-在线作业_C最终成绩:100.0 一单项选择题 1. 字符“A”的ASCII码为()。 1000100 1000001 0001100 1001000 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答: 1000001 知识点: 2. 逻辑变量的取值,1比0大。()。 错 对 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:对 知识点: 3. 异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数。() 对 错 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:对 知识点: 4. 的逻辑表达式为()。

本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答: 知识点: 5. 上图电路的逻辑表达式为()。 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答: 知识点: 6. 若两个函数具有相同的真值表,则两个逻辑函数必然相等。() 错 对 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:对 知识点: 7. 若两个函数具有不同的逻辑函数式,则两个逻辑函数必然不相等。() 错

本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:错 知识点: 8. 上图是一位()电路符号。 全加器 译码器 半加器 编码器 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:全加器 知识点: 9. “竞争-冒险”现象是由于门电路出现互补输入信号的缘故。() 错 对 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:对 知识点: 10. 时序逻辑电路的输出()。 与电路的上一个状态无关 只与输入信号有关 与电路的上一个状态有关 与输入信号无关 本题分值: 5.0 用户得分: 5.0 用户解答:与电路的上一个状态有关

电工电子技术基础在线作业Abcdef

1. 若规定一个电路元件的电压与电流参考方向相关联,并计算得出其功率大于0,则该电路元件是吸收功率。() 对 错 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:对 知识点: 2. 对于电路中的一个线性电阻元件,若规定其电压u和电流i的参考方向一致,则。() 对 错 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:对 知识点: 3. 对于电路中的一个线性电感元件,若规定其电压u和电流i的参考方向一致,则。() 错 对 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:对 知识点:

4. 对于电路中的一个线性电容元件,若规定其电压u和电流i的参考方向一致,则。() 错 对 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:对 知识点: 5. 恒压源和恒流源可以等效互换。() 错 对 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:错 知识点: 6. 恒压源的端口电压不会随负载的变化而变化,但恒压源的端口电流却会随负载的变化而变化。() 错 对 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:对 知识点:

7. 恒流源的端口电压不会随负载的变化而变化,但恒流源的端口电流却会随负载的变化而变化。() 错 对 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:错 知识点: 8. 当电路发生换路时,对电容元件来说,应有。() 对 错 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:对 知识点: 9. 当电路发生换路时,对电感元件来说,应有。() 错 对 本题分值: 用户得分: 教师评语: 用户解答:错 知识点: 10. 若购得一个耐压为300V的电器,则可以用在220V的交流电源上。() 对

2016秋新版 浙大远程 电子技术基础 离线作业答案 第二篇 第5章习题

第二篇 第5章习题 题2.5.1 一双电源互补对称电路如图题2.5.1所示,设已知V CC =12V ,R L =16Ω,v I 为正弦波。求: (1)在三极管的饱和压降V CES 可以忽略不计的条件下,负载上可能得到的最大输出功率P om =? (2)每个管子允许的管耗P CM 至少应为多少? (3)每个管子的耐压|V (BR)CEO |应大于多少? 图题2.5.1 解:(1) 负载上可能得到的最大输出电压幅度V om =12V (W 5.41621222 2=?== L om om R V P ) (2) (W)9.02.0(max)==om CM p P ∴CM P ≥0.9W (3) CEO BR V )(≥24V 题2.5.2 在图题2.5.2 所示的OTL 功放电路中,设R L =8Ω,管子的饱和压降|VCES |可以忽略不计。若要求最大不失真输出功率(不考虑交越失真)为9W ,则电源电压V CC 至少应为多大?(已知v i 为正弦电压。) 图题2.5.2

解:W 982)21 (2)21(2 2(max)=?==CC L CC om V R V P V CC =24(V) ∴电源电压V CC 至少24V 题2.5.3 OTL 放大电路如图题2.5.3所示,设T 1、T 2特性完全对称,v i 为正弦电压,V CC =10V ,R L =16Ω。试回答下列问题: (1)静态时,电容C 2两端的电压应是多少?调整哪个电阻能满足这一要求? (2)动态时,若输出电压波形出现交越失真,应调整哪个电阻?如何调整? (3)若R 1=R 3=1.2k Ω,T 1、T 2管的β=50,|V BE |=0.7V ,P CM =200mW ,假设D 1、D 2、R 2中任意一个开路,将会产生什么后果? 图题2.5.3 解:(1) 静态时,电容C 2两端的电压应为5V 。调整R 1、R 3,可调整上、下两部分电路的对称性,从而使C 2两端电压为5V 。 (2) 若出现交越失真,应调大R 2,使b 1b 2间电压增大,提供较大的静态电流。 (3) 若D 1、D 2、R 2中任意一个开路,则(m A)58.3221 21=-==R V V I I BE CC B B I C1=I C2=βI B1=179(mA) P C =I C1·V CE =I C1·5V=895(mW)>Pcm,∴功率管会烧坏。 题2.5.4 在图题2.5.3电路中,已知V CC =35V ,R L =35Ω,流过负载的电流i L =0.45cos ωt (A )。求: (1)负载R L 所能得到的信号功率P o ; (2)电源供给的功率P E ; (3)两个管子的总管耗P T 。 解:(1) (W)54.3)2 ( 2≈=L Lm o R i P

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的: 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数,掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法;使学生具有一定的实践技能和应用能力;培养学生分析问题和解决问题的能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求: 1.掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2.掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析,熟悉改进放大电路,理解多级放大电路的耦合方式及分析方法,理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法,理解放大电路的频率特性概念及分析。 3.掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法,理解负反馈对放大电路性能的影响,熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算,了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4.了解集成运算放大器的组成和典型电路,理解理想运放的概念,熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路;掌握一般直流电源的组成,理解整流、滤波、稳压的工作原理,了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材: 杨栓科编,《模拟电子技术基础》,高教出版社 主要参考书目: 康华光编,《电子技术基础》(模拟部分)第四版,高教出版社 童诗白编,《模拟电子技术基础》,高等教育出版社, 张凤言编,《电子电路基础》第二版,高教出版社, 谢嘉奎编,《电子线路》(线性部分)第四版,高教出版社,

陈大钦编,《模拟电子技术基础问答、例题、试题》,华中理工大学出版社,唐竞新编,《模拟电子技术基础解题指南》,清华大学出版社, 孙肖子编,《电子线路辅导》,西安电子科技大学出版社, 谢自美编,《电子线路设计、实验、测试》(二),华中理工大学出版社, 绪论 本章的教学目标和要求: 要求学生了解放大电路的基本知识;要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排:(采用多媒体教学) §1-1 电子系统与信号0.5 §1-2 放大电路的基本知识0.5 本章重点: 放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式:课堂讲授 本章课时安排: 1 本章的具体内容: 1节 介绍本课程目的,教学参考书,本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法; 介绍放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

“模拟电子技术基础”课程教学大纲

“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称:模拟电子技术基础 教材信息:《模拟电子电路及技术基础(第三版)》,孙肖子主编 主讲教师:孙肖子(西安电子科技大学电子工程学院副教授) 学时:64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上,进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路,掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术,获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力,为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容,以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 (一)、电子技术的发展与模电课的学习MAP图(2学时) 介绍模拟信号特点和模拟电路用途,电子技术发展简史,本课程主要教学内容,四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标,频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 (1)了解电子技术的发展,本课程主要教学内容,模拟信号特点和模拟电路用途。 (2)熟悉放大器模型和主要性能指标。

(3)了解反馈基本概念和反馈分类。 (二)、集成运算放大器的线性应用基础(8学时) 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算,包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算,简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 (1)了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 (2)熟悉在理想集成运放条件下,对电路引入深反馈对电路性能的影响,掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 (3)掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 (4)了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布,能正确判断电路的滤波特性。 (5)熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义,了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点:各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点:有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响,。 (三)、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关(4学时) 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算,简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。

电工电子技术基础在线作业

电工电子技术基础_在线作业_2 交卷时间:2016-10-30 12:37:53 一、单选题 1. (5分)要使JK触发器的输出Q处于反转的状态,它的输入信号JK应为()。 A. 0 0 B. 1 0 C. 0 1 D. 1 1 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 D 解析 2. (5分)由555集成定时器组成单稳态触发器时,需要外加的元件是()。 A. 两个电阻、一个电容 B. 两个电容

C. 一个电阻、一个电容 D. 两个电阻 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 C 解析 3. (5分)要使JK触发器的输出Q=0的状态,它的输入信号JK应为()。 A. 不变 B. 0 1 C. 1 0 D. 翻转 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析

4. (5分)上图是()电路符号。 A. 逻辑与 B. 逻辑非 C. 逻辑或 D. 逻辑加 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析 5. (5分)计数器电路由触发器组成。() A. 对 B. 错 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础

收起解析 答案 A 解析 6. (5分)在交流电路中,电动势、电压及电流的有效值分别表示为()。 A. B. C. D. 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 C 解析 7. (5分)字符“A”的ASCII码为()。 A. 0001100 B. 1001000 C. 1000100

D. 1000001 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 D 解析 8. (5分)在交流电路中,容抗随频率的增大而增大。() A. 对 B. 错 纠错 得分: 5 知识点:电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析 9. (5分)逻辑变量的取值,1比0大。()。

学习《电子技术基础》的一些心得体会

学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层,最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习,你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好,可以肯定,其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础,就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂,你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图?如果你对数字电路一窍不通,你怎么去学习计算机硬件和软件知识?你怎么能成为出色的电气工程师? 二.培养对电子技术的兴趣,使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道,如果你想要学习某个方面的知识和技能,就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手,除了其本身有好的嗓子外,他(她)们肯定对唱歌有浓厚的兴趣,他(她)们才能如此刻苦去学习,才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手,如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样,学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣,不是老师要我学,而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习,才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年,其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术,对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业,而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂,当时正是文化革命时期,到了工厂就接受工人阶级再教育,六、七年的时间,和其它工人师傅一样,一直在车间生产第一线。三班倒,干的是高温作业,又热又累的工作。尽管干的别的工种的活,但我热爱电子技术。到工厂之后,对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代,本人又从研究所调回学校,从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。

2016秋新版浙大远程电子技术基础离线作业答案第二篇第5章习题详解word文档良心出品

第二篇第5章习题 题2.5.1 一双电源互补对称电路如图题2.5.1所示,设已知V=12V,R=16Ω,v为正弦波。求:ILCC (1)在三极管的饱和压降V可以忽略不计的条件下,负载上可能得到的最大输出功率CES P=?om (2)每个管子允许的管耗P至少应为多少?CM(3)每个管子的耐压|V|应大于多少?(BR)CEO 图题2.5.1 解:(1) 负载上可能得到的最大输出电压幅度V=12V om22V12om??4.5(WP?) om2R2?16L P?0.2p?0.9(W) (2) ∴≥0.9W P om(max)CMCM(3) ≥24V V CEO(BR)V|可以忽略Ω,管子的饱和压降|OTL功放电路中,设R=82.5.2 题2.5.2 在图题 所示的CESL不计。若要求最大不失真输出功率(不考虑交越失真)为9W,则电源电压V至少应 为多大?CC(已知v为正弦电压。)i 图题2.5.2 335 1122)((V)V CCCC22 解:W9P???(max)om8?R22L=24(V) V CC24V 至少∴电源电压V CC ,V=10V2.5.3所示,设T、T特性完全对称,v为正弦电压,题2.5.3 OTL放大电路如图题CC2i1Ω。试回答下列问题:R=16L C两端的电压应是多少?调整哪个电阻能满足这一要求?(1)静 态时,电容2)动态时,若输出电压波形出现交越失真,应调整哪个电阻?如何调整?(2、=200mW,P,假设D、D,R=1.2kΩT、T管的β=50,|V|=0.7V)若(3R=23BE2CM111 R中任意一个开路,

将会产生什么后果?2 2.5.3 图题,可调整上、下两部分电路的对称5V。调整R、R解:(1) 静态时,电容C两端的电压应为321性,从而使。C两端电压为5V2间电压增大,提供较大的静态电流。,使bb (2) 若出现交越失真,应调大R221V2V?CCBE中任意一个开路,则R (3) 若D、D、??I.58(mA)I?321221BB R21 II=I=β=179(mA) B1C2C1·5V=895(mW)>∴功率管会烧坏。Pcm,·P=IV=I CEC1C (流过负载的电流i=0.45cosωtA)。Ω,已知2.5.4 题在图题2.5.3电路中,V=35VR=35,C1求: LLCC)负载(1R所能得到的信号功率P;oL;2)电源供给的功率P(E P。3()两个管子的总管耗T i2Lm解:(1) (W)??P()R543.Lo2336 ??22 (2) t?cos?tdVV?d?i?t?0P?.45CCELCC???2?2??221 ??11 =(W)?545?0.?2?V CC?2 (3) (W).46P?P?1P?oTE题2.5.6 图题2.5.6功放电路中,设运放A 的最大输出电压幅度为±10 V,最大输出电流为±10mA,晶体管T、T的|V|=0.7V。问:BE12(1)该电路的电压放大倍数A=?vf(2)为了得到尽可能大的不失真输出功率,T、T管的β值至少应取多少?21(3)该电路的最大不失真输出功率P=?om(4)当达到上述功率时,输出级的效率是多少?每个管子的管耗多大?

模拟电子技术基础知识讲解

常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(×) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(×) (5)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。(√) 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(4)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 (5)在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体,加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 (6)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 (7)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图T1.4

《模拟电子技术基础》教学大纲

《模拟电子技术基础》教学大纲 二、课程内容 (一)课程教学目标 本课程是电类各专业在电子技术方面入门性质的技术基础课,是一门实践性极强的课程。 本课程以分立元件的基本放大电路为基础,以集成电路为主体,通过课堂讲授使学生理解各种基本电路的组成、基本工作原理和基本分析方法及应用;通过课程实验、课程设计等实践环节使学生加深对基本概念的理解,掌握基本电路的设计与调试方法,便学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能,培养学生分析和解决问题的能力。(二)基本教学内容 第一章、绪论 教学目的与要求: 了解课程性质、特点、学习方法。了解电子技术的发展及应用。掌握放大电路的模型和 主要性能指标。 教学重点:

放大电路的模型,放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学难点: 放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学内容: 简单介绍本课程的性质、课程特点、课程学习方法等。对电子技术的发展状况作简要介绍,引发学生对本课程学习的积极性。 对放大电路的模型、性能指标及应用做概要介绍。 对教材中第一章内容可不作详细讲解,待讲到相关内容时再作简要讲解。 第二章、集成电路运算放大器 教学目的与要求: 了解集成运放的主要结构,掌握理想运放的模型、特点及利用“虚短”和“虚断”分析理想放大器构成的应用电路。熟练掌握集成运放构成的典型应用电路,包括同相放大、反相放大、加法、减法、微分、积分运算电路和仪用放大器。通过自学和上机环节掌握模拟电路计算机仿真软件-PSPICE。 教学重点: 理想运算放大器的模型、特性。运算放大器构成的典型应用电路。 教学难点: 对理想放大器的理解,“虚短”和“虚断”的理解和正确运用。 教学内容: (1)集成电路运算放大器 了解集成动算放大器的内部构成、集成运算放大器的传输特性。 (2)理想运算放大器 正确理解理想放大器条件下,放大器的电路参数及其物理意义。

2016秋新版 浙大远程 电子技术基础 离线作业答案 第二篇 第4章习题

第二篇 第4章习题 题2.4.1 一个负反馈放大器产生自激振荡的相位条件为π?)12(+=n AF ,而正弦振荡器中的相位平衡条件是π?n AF 2=,这里有无矛盾? 答:负反馈反馈回来的信号与原信号应该是-180o 的正数倍,才能形成负反馈; 而振荡电路必须是正反馈,即反馈回来的信号应该是原信号360o 的正数倍。 题2.4.2 振荡器的幅度平衡条件为1=。 。F A ,而起振时,则要求1>。 。F A ,这是为什么? 答:平衡条件是稳定振荡时的幅度要求,而起振必须要求正反馈量不断地大于原信号,才能振起来。振起来后,如一直还大于,则放大器会进入饱和,使信号失真,所以应该进入稳定振荡,即要求振幅自动维持在1的水平。 题2.4.3 RC 桥式正弦振荡器如图题2.4.3 所示,其中二极管在负反馈支路内起稳幅作用。 图题2.4.3 (1)试在放大器框图A 内填上同相输入端(+)和反相输入端(-)的符号,若A 为μA741型运放,试注明这两个输入端子的管脚号码。 (2)如果不用二极管,而改用下列热敏元件来实现稳幅:(a )具有负温度系数的热敏电阻器;(b )具有正温度系数的钨丝灯泡。试挑选元件(a )或(b )来替代图中的负反馈支路电阻(R 1或R 3),并画出相应的电路图。 答:(1) RC 桥式正弦振荡器中,由于RC 串并联网络在f=f o 时,其相移φAF =0,为满足相位条件:φAF =φA +φF =0,放大器必须接成同相放大器,因此与RC 串并联网络连接的输入端为(+),与负反馈支路连接的输入端为(-),若A 为A741,其管脚号为:反相输入端为2,同相输入端为3。 (2) (a)负温度系数的热敏电阻取代R 3;

天大2018年6月考试《数字电子技术基础》离线作业考核试题

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 数字电子技术基础 要求: 一、独立完成,下面五组题目中,请任选其中一组题目作答,满分100分; 二、答题步骤: 1.使用A4纸打印学院指定答题纸(答题纸请详见附件); 2.在答题纸上使用黑色水笔 ..作答;答题纸上全部信息要求手 ....按题目要求手写 写,包括学号、姓名等基本信息和答题内容,请写明题型、题号;答题页数不要超过2页; 三、提交方式:请将作答完成后的整页答题纸以图片形式依次 .... ..Word ...一个 ..粘贴在 文档中 ...上传(只粘贴部分内容的图片不给分),图片请保持正向、清晰; 1.上传文件命名为“中心-学号-姓名-科目.doc” 2.文件容量大小:不得超过20MB。 提示:未按要求作答题目 ....0.分记 ..! ...及雷同作业 .....,成绩以 ........的作业 题目如下: 第一组: 计算题 一、(本题20分) 逻辑电路如图所示,写出逻辑式并化简成最简与或表达式,画出逻辑电路图。 二、(本题25分) 试用与非门设计一个三人表决组合逻辑电路(输入为A、B、C,输出为F),要求在A有一票否决权的前提下遵照少数服从多数原则,即满足:1、A=0时,F一定等于0,2、A、B 、C中有2个以上等于1,则输出F=1。 试:(1)写出表决电路的真值表;(2)写出表决电路的逻辑表达式;(3)画出用与非门设计的逻辑电路图。 三、(本题30分) 已知逻辑电路图及C脉冲波形,试:(1)写出各触发器的驱动方程;(2)列出逻辑状态表;(3)画出输出Q0,Q1的波形(设Q0,Q1的初始状态均为“0”)。 四、(本题25分) 由555 集成定时器组成的电路如图1 所示。已知电容C=10μ u的波形如图2 所示。 F,电阻R=100KΩ,输入 1

模拟电子技术基础_知识点总结

第一章半导体二极管 1.本征半导体 ?单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。 ?导电能力介于导体和绝缘体之间。 ?特性:光敏、热敏和掺杂特性。 ?本征半导体:纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下,本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发(又称热激发),产生两种带电性质相反的载流子(空穴和自由电子对),温度越高,本征激发越强。 ◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位, 使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。 ◆在一定的温度下,自由电子和空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消失的现象称为 复合。当热激发和复合相等时,称为载流子处于动态平衡状态。 2.杂质半导体 ?在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 ◆P型半导体:在本征半导体中掺入微量的3价元素(多子是空穴,少子是电子)。 ◆N型半导体:在本征半导体中掺入微量的5价元素(多子是电子,少子是空穴)。 ?杂质半导体的特性 ◆载流子的浓度:多子浓度决定于杂质浓度,几乎与温度无关;少子浓度是温度的敏感函数。 ◆体电阻:通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 ◆在半导体中,存在因电场作用产生的载流子漂移电流(与金属导电一致),还才能在因载流子 浓度差而产生的扩散电流。 3.PN结 ?在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近,形成一个特殊的薄层(PN结)。 ?PN结中存在由N区指向P区的内建电场,阻止结外两区的多子的扩散,有利于少子的漂移。 ?PN结具有单向导电性:正偏导通,反偏截止,是构成半导体器件的核心元件。 ◆正偏PN结(P+,N-):具有随电压指数增大的电流,硅材料约为0.6-0.8V,锗材料约为0.2-0.3V。 ◆反偏PN结(P-,N+):在击穿前,只有很小的反向饱和电流Is。 ◆PN结的伏安(曲线)方程: 4.半导体二极管

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