MOS管耗散功率的计算

在条件相同的情况下,降低开关频率一定可以降低MOS的功耗。

MOS管的功耗主要有开关损耗和通态损耗。

首先要计算通态损耗的影响。Pcond=Idsrms*Idsrms*RDSon*Dmax,

例如：Idsrms=11A时，Dmax接近100%，RDSon取8豪欧，Pcond约1W。

再估算开关损耗。PSW=VDSoff*Idsrms*(tr+tf)*f/2。

例如：tr+tf=600ns,f=15625,VDSoff取24V，PSW=1.24W

Pmos=Pcond+PSW=2.24w。

如果MOS采用单个IRF3205 ,不加散热片时的热阻是62度/W。此时的温升是62*2.24=138度。

所以不管其他的条件，在这应用里必须加装良好的散热器。

由开关损耗的公式可以看出，反电动势的抑制的确是重要的，必须采用足够容量的低ESR的电解电容安装在MOS附件吸收反电动势，由于流过该电容的电流波纹很大，电容容易发热。

如果反电动势吸收不好，还会造成MOS关断不良的情况，需要用示波器实际观察。