晶闸管测试 参数含义
晶闸管、二极管简易测试方法
晶闸管、二极管广泛应用于各类电力电子装置中，许多情况下，现场服务人员和维修人员需要对器件进行检测，判断其性能好坏。对器件制造企业而言，器件的检测要用到高压阻断测试仪、通态特性、动态特性测试仪等专业设备。一般来说，器件用户或使用现场是没有这些价格昂贵的测试设备的。本文就此向现场服务人员和维修人员推荐一种简易器件检测方法，用以粗略判断器件的好坏。
1．采用万用表的粗略判断法
通常用户现场最常用的检测工具是万用表，许多用户也习惯用万用表判断器件好坏。在某些情况下用万用表也确实能检测出损坏的器件。如晶闸管门极开路，用万用表可检测出门极至阴极电阻R GK无穷大；门极短路可检测出门极至阴极电阻R GK为零（或小于5W）。器件完全击穿时，用万用表检测A、K两极电阻值可以判断出来。但在器件阻断电压受损，尚未完全击穿时，万用表无法检测出来。另外，好的器件因参数分散性，用万用表检测出的A、K电阻值会有较大差别，这也会让使用者产生错误判断。因此，我们建议用户可以用万用表对器件进行一些粗略的检测，一般不建议用户采用万用表判断器件好坏。
2．推荐的简易检测方案
通常情况下，现场服务人员和维修人员最需要了解的是器件的阻断电压能力以及晶闸管的门极触发性能。根据设备现场具有的条件，我们推荐图一电路所示的简易检测方案。
图一简易检测电路
DUT为被测器件，在DUT阻断电压为1000V左右时（须大于800V），可采用交流380V电源进行测试；在一些具有660V交流电源的场合，DUT阻断电压为2000V左右（须大于1200V）时，可采用交流660V电源进行测试。D1可采用1-5A，耐压1000V以上二极管3只串联。LAMP为检测指示灯，注意灯的额定电压要与进线交流电压配合，若用220V的灯泡，可根据进线电压高低采用多只串联。被测器件为二极管时，将两只器件如虚线所示接入电路，不需要接电阻R和开关SW2。
对晶闸管，测试时，先合上开关SW1，若指示灯亮，说明该器件已被击穿或阻断电压已不够。若指示灯不亮，说明器件阻断电压正常，此时若按下按钮SW2，指示灯亮，松开按钮，指示灯熄灭，说明该器件门极触发性能正常。若按下按钮SW2，指示灯不亮，说明该器件门极已被损坏。
对二极管，测试时，合上开关SW1，若指示灯不亮，说明两只器件反向电压正常。若指示灯亮，说明两只被测器件中，有一只或两只反向电压已损坏，可更换器件做进一步判断。
3．注意
a．本文推荐的检测方法基本思路是让器件在实际使用电压环境下考核，用户在检测时须确保被测器件阻断电压高于进线电压峰值，以免在测试中损坏器件。
b. 对台基公司的平板式器件，用户在检测时须采用适当夹具，对器件A、K两极施加一定压力。否则可能会因为器件内部未能良好接触而造成错误判断。
c.采用较高的进线电压检测器件时，操作人员须采取安全措施，防止出现触电事故，保证人身安全。
晶闸管、二极管主要参数及其含义
IEC标准中用来表征晶闸管、二极管性能、特点的参数有数十项，但用户经常用到的有十项左右，本文就晶闸管、二极管的主要参数做一简单介绍。
1．正向平均电流I F(AV)( 整流管)
通态平均电流I T(AV)( 晶闸管)
是指在规定的散热器温度T HS或管壳温度T C时,允许流过器件的最大正弦半波电流平均值。此时，器件的结温已达到其最高允许温度T jm。台基公司产品手册中均给出了相应通态电流对应的散热器温度T HS或管壳温度T C值，用户使用中应根据实际通态电流和散热条件来选择合适型号的器件。
2．正向方均根电流I F（RMS）( 整流管)
通态方均根电流I T（RMS）( 晶闸管)
是指在规定的散热器温度T HS或管壳温度T C时,允许流过器件的最大有效电流值。用户在使用中，须保证在任何条件下，流过器件的电流有效值不超过对应壳温下的方均根电流值。
3．浪涌电流I FSM(整流管)、I TSM(晶闸管)
表示工作在异常情况下，器件能承受的瞬时最大过载电流值。用10ms底宽正弦半波峰值表示，台基公司在产品手册中给出的浪涌电流值是在器件处于最高允许结温下，施加80% V RRM条件下的测试值。器件在寿命期内能承受浪涌电流的次数是有限的，用户在使用中应尽量避免出现过载现象。
4．断态不重复峰值电压V DSM
反向不重复峰值电压V RSM
指晶闸管或整流二极管处于阻断状态时能承受的最大转折电压，一般用单脉冲测试防止器件损坏。用户在测试或使用中，应禁止给器件施加该电压值，以免损坏器件。
5．断态重复峰值电压V DRM
反向重复峰值电压V RRM
是指器件处于阻断状态时，断态和反向所能承受的最大重复峰值电压。一般取器件不重复电压的90%标注（高压器件取不重复电压减100V标注）。用户在使用中须保证在任何情况下，均不应让器件承受的实际电压超过其断态和反向重复峰值电压。
6．断态重复峰值（漏）电流I DRM
反向重复峰值（漏）电流I RRM
为晶闸管在阻断状态下，承受断态重复峰值电压V DRM和反向重复峰值电压V RRM时，流过元件的正反向峰值漏电流。该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出。
7．通态峰值电压V TM(晶闸管)
正向峰值电压V FM(整流管)
指器件通过规定正向峰值电流I FM(整流管)或通态峰值电流I TM(晶闸管)时的峰值电压，也称峰值压降。该参数直接反映了器件的通态损耗特性，影响着器件的通态电流额定能力。
器件在不同电流值下的的通态（正向）峰值电压可近似用门槛电压和斜率电阻来表示：
V TM=V TO+r T*I TM V FM=V FO+r F*I FM
台基公司在产品手册中给出了各型号器件的最大通态（正向）峰值电压及门槛电压和斜率电阻，用户需要时，可以提供该器件的实测门槛电压和斜率电阻值。
8．电路换向关断时间t q（晶闸管）
在规定条件下，在晶闸管正向主电流下降过零后，从过零点到元件能承受规定的重加电压而不至导通的最小时间间隔。晶闸管的关断时间值决定于测试条件，台基公司对所制造的快速、高频晶闸管均提供了每只器件的关断时间实测值，在未作特别说明时，其对应的测试条件如下：
l 通态峰值电流I TM等于器件I TAV；
l 通态电流下降率di/dt=-20A/μs；
l 重加电压上升率dv/dt=30A/μs；
l 反向电压V R=50V；
l 结温Tj=115°C。
如果用户需要在某一特定应用条件下的关断时间测试值，可以向我们提出要求。
9．通态电流临界上升率di/dt（晶闸管）
是指晶闸管从阻断状态转换到导通状态时，晶闸管所能承受的通态电流上升率最大值。器件所能承受的通态电流临界上升率di/dt受门极触发条件影响很大，因此我们建议用户应用中采用强触发方式，触发脉冲电流幅值：I G≥10I GT；脉冲上升时间：t r≤1μs。
10．断态电压临界上升率dv/dt
在规定条件下，不会导致晶闸管从断态转换到通态所允许的最大正向电压上升速度。台基公司产品手册中给出了所有品种晶闸管的最小dv/dt值，当用户对dv/dt有特殊要求时，可在订货时提出。
11．门极触发电压V GT
门极触发电流I GT
在规定条件下，能使晶闸管由断态转入通态所需的最小门极电压和门极电流。晶闸管开通过程中的开通时间、开通损耗等动态性能受施加在其门极上的触发信号强弱影响很大。如果在应用中采用较临界的I GT 去触发晶闸管，将不能让晶闸管得到良好的开通特性，某些情况下甚至会引起器件提前失效或损坏。因此我们建议用户应用中采用强触发方式，触发脉冲电流幅值：I G≥10I GT；脉冲上升时间：t r≤1μs。为了保证器件可靠工作，I G必须远大于I GT。
12．结壳热阻R jc
指器件在规定条件下，器件由结至壳流过单位功耗所产生的温升。结壳热阻反映了器件的散热能力，该参数也直接影响着器件的通态额定性能。台基公司产品手册中对平板式器件给出了双面冷却下的稳态热阻值，对半导体功率模块，给出了单面散热时的热阻值。用户须注意，平板式器件的结壳热阻直接受安装条件的影响，只有按手册中推荐的安装力安装，才能保证器件的结壳热阻值满足要求。
如何用万用表测试单向可控硅
如何用万用表测试单向可控硅 2008-05-10 02:45 可控硅又叫晶体闸流管，在强电和弱电领域都有极为广泛的应用。其中在弱电领域中应用的可控硅功率比较小，外形像三极管，是电子爱好者常遇到的元件之一。 正确测试可控硅是电子爱好者必须具备的基本技能。如何来测试可控硅呢? 由于万用表是电子爱好者必配工具，这里介绍如何用万用表来测试单向可控硅。 单向可控硅的测试包括两个方面：一是极性的判定；二是触发特性的测试。 一、可控硅极性的判定 单向可控硅是由三个PN结的半导体材料构成，其基本结构、符号及等效电路如图1所示。 可控硅有三个电极：阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。从等效电路上看，阳极(A)与控制极(G)之间是两个反极性串联的PN结，控制极(G)与阴极(K)之间是一个PN结。 根据PN结的单向导电特性，将指针式万用表选择适当的电阻档，测试极间正反向电阻(相同两极，将表笔交换测出的两个电阻值)，对于正常的可控硅，G、K之间的正反向电阻相差很大；G、K分别与A之间的正反向电阻相差很小，其阻值都很大。这种测试结果是唯一的，根据这种唯一性就可判定出可控硅的极性。用万用表R×1K档测量可控硅极间的正反向电阻，选出正反向电阻相差很大的两个极，其中在所测阻值较小的那次测量中，黑表笔所接为控制极(G)，红表笔所接的为阴极(K)，剩下的一极就为阳极(A)。 通过判定可控硅的极性同时也可定性判定出可控硅的好坏。如果在测试中任何两极间的正反向电阻都相差很小，其阻值都很大，说明G、K之间存在开路故障；如果有两极间的正反向电阻都很小，并且趋近于零，则可控硅内部存在极间短路故障。 二、单向可控硅触发特性测试 单向可控硅与二极管的相同之处在于都具有单向导电性，不同之处是可控硅的导通还要受控制极电压控制。 也就是说使可控硅导通必须具备两个条件：阳极(A)与阴极(K)之间应加正向电压，控制极(G)与阴极(K)之间也应加正向电压。当可控硅导通以后，控制极就失去作用。单向可控硅的导通过程可用图2所示的等效电路来说明：PNP管的发射极相当可控硅的阳极(A)，NPN管的发射极相当可控硅的阴极(K)，PNP管的集电极与NPN管的基极相联后相当于可控硅的控制极(G)。 当在A、K之间加上允许的正向电压时，两只管子均不导通，此时当在G、K之间加上正向电压便形成控制电流流入V2的基极，如此循环直至两管完全导通。当导通后，即使 Ig=O，由于V2有基极电流，且远大于Ig，因此两管仍然导通。要使导通的可控硅截止，必须把A、K正向电压降低到一定值，或反向，或断开。 根据可控硅的导电特性，可用万用表的电阻档进行测试。对小功率可控硅可按图3(a)所示联接电路，在可控硅A、G之间联接一只轻触开关(以便于操作)，用万用表的R×1Ω档，
浅谈验收测试驱动开发
浅谈验收测试驱动开发 【摘要】软件行业已经发展了很多年，尽管新技术不断涌现，但是软件质量问题依然存在，最突出的两点就是较高的缺陷率和较差的可维护性。为了应对此类问题，驱动测试开发技术（ADD）应运而生，但是随着ADD技术的普及，它所隐藏的问题也浮出水面，最为人诟病的就是“不能满足客户需求”，因为测试人员只注重代码缺陷率而忽视了系统具体功能。本文阐述如何在ADD开发模式的基础上，结合验收测试驱动开发（ATDD）探讨如何开发适应于用户的系统。 【关键词】敏捷开发；验收测试驱动开发；软件工程 一、引言 极限编程方法理论中“测试驱动开发”是其一个重要组成部分，最早是由Kent Beck提出，并积极推广的一种软件开发方法。Kent Beck在他所著的《测试驱动开发》一书中指出“测试驱动开发”遵循“为明天编码，为今天设计”的观点。相比传统遵循“需求-设计-开发-测试”的软件开发流程而言，更强调测试优先，再通过编码和重构反复迭代最终构筑一个完整的软件系统。“测试驱动开发”在相当程度上了的确提高了开发人员的代码质量，而且在应对系统的可靠性也教之传统软件开发有着更大的优势，主要体现在客户需求变更时能灵活应对。然而软件问题中另一项“是否满足客户需求”确没有很好地解决。验收测试驱动开发（ATDD）针对这个问题，提出让客户参与到测试标准的制定，让软件满足客户需求。用ATDD 方法开发软件，开发人员更注重的是系统行为测试，而不是软件中每个模块，甚至每行代码的测试。构筑一个满足客户需求的软件系统，不仅仅是软件设计开发人员和测试人员靠个人能力能解决的，在此过程中需要客户参与进来，为打造可靠的软件提供有力的保障。 二、什么是ATDD 测试驱动开发（ADD）能够帮助开发人员开发出高质量的代码，保证开发人员所开发出的代码执行正确，但是这些执行正确的代码在很大程度上是针对的具体模块而不是整体的系统功能。在一定程度上不一定能够满足客户的需求。验收测试驱动开发（ATDD）是建立在TDD的基础上，TDD和ATDD既可以分开使用也可以配合使用，在帮助开发人员在提高软件质量的同时，也帮助开发人员开发出用户真正需要的软件系统。软件测试是软件工程的重要组成部分，在传统的软件开发当中，软件测试大概包括软件执行过程中是否存在BUG、系统中是否还存在其它缺陷以及系统是否与系统设计书保持一致几项内容，ATDD则在此基础上赋予了软件软件测试新的任务，即利用验收测试从系统功能的角度上驱动软件开发，解决软件不能满足客户需求或者是与客户设想相背离的问题。 总体而言验收测试驱动开发是包括客户在内的一个团体组织的活动，围绕着客户需求引入“用户故事”（user story）这种灵活的客户需求管理方式。客户和技术人员（包括设计、开发和测试）通过紧密的写作、有效的交流和沟通构筑可靠
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双向可控硅好坏检测方法 双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。 1.双向可控硅的检测 方法一： 测量极间电阻法。将万用表置于皮R×1k档，如果测得T2－T1、T2－G之间的正反向电阻接近∞，而万用表置于R×10档测得T1－G之间的正反向电阻在几十欧姆时，就说明双向可控硅是好的，可以使用；反之，若测得T2－T1，、T2－G之间的正反向电阻较小甚或等于零．而Tl－G之间的正反向电阻很小或接近于零时．就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用；如果测得T1－G之间的正反向电阻很大(接近∞)时，说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏，也不能使用。 方法二： 检查触发导通能力。万用表置于R×10档：①如图,1(a)所示，用黑表笔接主电极T2，红表笔接T1，即给T2加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置，说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的，如图1(b)所示，改黑表笔接主电极T1，红表笔接T2，即给T1加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果结果同上，也证明双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的，即在两个方向(在不同极性的触发电压证）均能触发导通。 图1判断双向可控硅的触发导通能力 方法三： 检查触发导通能力。如图2所示．取一只10uF左右的电解电容器，将万用表置于R×10k档(V电压)，对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线，即利用电容器上所充的电压作为触发信号，然后再将万用表置于R×10档，照图2(b)连接好后进行测试。测试时，电容C的极性可任意连接，同样是碰触
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第九章使用万用表检测晶闸管本章主要介绍数字万用表的检测晶闸管，通过图形带你认识万用表来检测晶闸管。 9.1晶闸管的特点与分类 9.1.1晶闸管的特点 晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又称做可控硅。晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制。被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 9.1.2晶闸管的分类 晶闸管有多种分类方法。 （一）按关断、导通及控制方式分类 晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。如图9.1所示。 图9-1 双向晶闸管 （二）按引脚和极性分类 晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。 （三）按封装形式分类 晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。 其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。如图9.2所示。 图9-2 金属封装晶闸管（螺旋形）
（四）按电流容量分类 晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。如图9.3所示。 图9-3 大功率晶闸管 （五）按关断速度分类 晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管。如图9.4所示。 图9-4 高频（快速）晶闸管 9.2 单向晶闸管的检测 9.2.1检测单向晶闸管的操作方法 方法一 (1)将数字万用表置于电阻20kΩ挡,红表笔接阳极A,黑表笔接阴极K,把控制极G悬空,此时晶闸管截止,万用表显示溢出符号“1”,如图9.5所示。 图9-5欧姆档 (2)然后在红表笔与阳极A保持接触的同时,用它的笔尖接触一下控制极G(将A极与G 极短接一下),给晶闸管加上正触发电压,晶闸管立即导通,显示值减小到几百欧至几千欧,若显示值不变,说明晶闸管已损坏。 方法二
大功率晶闸管引脚极性的判断及GK间的结构
网上有很多关于如何判断单向晶闸管引脚的文章，几乎众口一词：使用指针式万用表的两个表笔分别正反测试3个引脚两两间的电阻，如果有一组电阻较小的，说明此组引脚是G/K，且黑表笔所接的引脚为G引脚，红表笔所接引脚为K； 但真的是如此么？对于小功率晶闸管这样测试能得出正确结果，但对于大功率晶闸管就不适用了，我曾测试过我们公司的多款大功率晶闸管，其GK间电阻与KG间电阻大小相同，几乎都为20多欧姆，这是因为大功率晶闸管的结构与小功率晶闸管有所不同，大功率晶闸管一般会在GK间并联一个电阻，如下图 GK间并联电阻后，再使用万用表去测量，就不会呈现出PN结的特性了（小功率晶闸管的判断在于利用GK间PN结的特性），所以无论你用欧姆档测，还是用二极管档测，都无法根据测试情况区分出G，K。 那么GK间并联电阻有什么作用呢？GK间并联电阻是为了防止误导通的，主要是为了给电流型的噪声提供一个泄放通路。 那如何判断大功率晶闸管的GK呢？首先还是先使用万用表(使用指针式的或是使用数字式的都可以)的欧姆档测试三个引脚两两间的电阻，其中有两个引脚间的电阻较小，那么此组引脚便是G或K了，然后使用如下电路来具体判断G，K。
使用电池或是直流稳压源都可以，只要是直流的就行，电压最好在5V以上（包括5V），因为一般的晶闸管是有一个门极开启电压限制的；电阻一般取30-100欧姆。 使用上面的电路，把A极接着R2后，R1后随便接GK组中的一个引脚，使用万用表测量A极对地电压，如果电压为5V则接至R1后的引脚为K，如果电压为0.7-2V，则接至R1后的引脚为G。 我曾使用CLA50E1200HB验证过以上电路。 但具体电压，及R1、R2的阻值选取可以根据实际情况自行选择。 曾经搜索资料的时候找到过一篇四川乐山职业学院老师写个的一个文章，截图如下 ，他叙述他所测试的晶闸管的GK间电阻与KG间电阻相差不大，分析原因的时候说是因为晶闸管的G极与K极间反并联了一个二极管，为了防止晶闸管G 极与K结间的PN结反向击穿，我本人不同意他的这种说法，仅凭GK和KG间的电阻相差不大是不能得出这样的结论的，不知道他有没有进行过进一步的验证。我验证过CLA50E1200HB型晶闸管，证明CLA50E1200HB型晶闸管GK间并联的是电阻。 还是使用此图
晶闸管二极管主要参数及其含义
晶闸管二极管主要参数及其含义 IEC标准中用来表征晶闸管二极管性能特点的参数有数十项但用户经常用到的有十项左右本文就晶闸管二极管的主要参数做一简单介绍 1、正向平均电流I F(AV) (整流 管) 通态平均电流I T(AV) (晶闸管) 是指在规定的散热器温度T HS 或管壳温度 T C 时,允许流过器件的最大正弦半 波电流平均值此时器件的结温已达到其最高允许温度T jm 仪元公司产品手册中均 给出了相应通态电流对应的散热器温度T HS 或管壳温度 T C 值用户使用中应根据实 际通态电流和散热条件来选择合适型号的器件 2、正向方均根电流I FRMS (整流管) 通态方均根电流I TRMS (晶闸管) 是指在规定的散热器温度T HS 或管壳温度 T C 时,允许流过器件的最大有效电 流值用户在使用中须保证在任何条件下流过器件的电流有效值不超过对应壳温下的方均根电流值 3、浪涌电流I FSM (整流管)I TSM (晶闸管) 表示工作在异常情况下器件能承受的瞬时最大过载电流值用10ms底宽正弦半波峰值表示仪元公司在产品手册中给出的浪涌电流值是在器件处于最高允许 结温下施加80% V RRM 条件下的测试值器件在寿命期内能承受浪涌电流的次数是有限的用户在使用中应尽量避免出现过载现象
4、断态不重复峰值电压V DSM 反向不重复峰值电压V RSM 指晶闸管或整流二极管处于阻断状态时能承受的最大转折电压一般用单脉冲测试防止器件损坏用户在测试或使用中应禁止给器件施加该电压值以免损坏器件 5、断态重复峰值电压V DRM 反向重复峰值电压V RRM 是指器件处于阻断状态时断态和反向所能承受的最大重复峰值电压一般取器件不重复电压的90%标注高压器件取不重复电压减100V标注用户在使用中须保证在任何情况下均不应让器件承受的实际电压超过其断态和反向重复峰值电压 6、断态重复峰值漏电流I DRM 反向重复峰值漏电流I RRM 为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压V DRM 和反向重复峰值电压V RRM 时流过 元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出 7、通态峰值电压V TM (晶闸管) 正向峰值电压V FM (整流管)
晶闸管的主要参数
晶闸管的主要参数 作者：jesse 文章来源：本站原创点击数：273 更新时间：2007-12-6 ★★★【字体：小大】 晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压V DRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。 （一）正向转折电压VBO 晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极（G）开路的条件下，在其阳极（A）与阴极（K）之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。 （二）断态重复峰值电压VDRM 断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K（或T1、T2）极间最大的峰值电压。此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。 （三）通态平均电流IT 通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K（或T1、T2）极间所允许通过电流的平均值。（四）反向击穿电压VBR 反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。 （五）反向重复峰值电压VRRM 反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的最大反向峰值电压。此
电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。 （六）正向平均电压降VF 正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为额定电流时，其阳极A与阴极K之间电压降的平均值，通常为0.4~1.2V。 （七）门极触发电压VGT 门极触发VGT，是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电压，一般为1.5V左右。 (八)门极触发电流IGT 门极触发电流IGT，是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电流。 （九）门极反向电压 门极反向电压是指晶闸管门极上所加的额定电压，一般不超过10V。 （十）维持电流IH 维持电流IH是指维持晶闸管导通的最小电流。当正向电流小于IH时，导通的晶闸管会自动关断。（十一）断态重复峰值电流IDR 断态重复峰值电流IDR，是指晶闸管在断态下的正向最大平均漏电电流值，一般小于100μA （十二）反向重复峰值电流IRRM 反向重复峰值电流IRRM，是指晶闸管在关断状态下的反向最大漏电电流值，一般小于100μA。
可控硅好坏如何测量修订稿
可控硅好坏如何测量 WEIHUA system office room 【WEIHUA 16H-WEIHUA WEIHUA8Q8-
一、可控硅的特性 可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。 只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极 A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G 和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。 双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极 A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。 二、可控硅的管脚判别 晶闸管管脚的判别可用下述方法：先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。再将万用表置于
(整理)用万用表检测双向可控硅
精品文档 精品文档用万用表检测双向可控硅 双向可控硅是一种使用较广泛的硅晶体闸流管。利用双向可控硅可以实现交流无触点控制，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高等优点，较多的使用在电机调速、调光、调温、调压及各种电器过载自动保护电路中。 双向可控硅由五层半导体材料、三个电极构成，三个电极分别为第一阳极（又称主电极）T1、第二阳极（又称主端子）T2和门极G，其特点是触发后可双向导通。目前双向可控硅的型号、规格繁多，其外型及引脚排列随生产厂家的不同而不同，一般情况下不易直接判断出其管脚及好坏，我们可用万用表对双向可控硅进行简单检测。 一、 二、电极的确定 首先，把万用表置于R×10Ω档，测双向可控硅能相互导通的两个电极，这两个电极对第三个电极都不导通，则第三个电极为第一阳极T1。 其次，把万用表置于R×1Ω档，测余下两个电极的正反向电阻，取其中电阻小的一次，黑表笔所接的是第二阳极T2，红表笔所接的是门极G。 三、触发性能的检测 双向可控硅有四种触发方式，即T1+G+、T1+G-、T1-G+、T1-G-，其中T1-G+触发方式灵敏度较低，所需门极触发功率较大，实际使用时只选其余三种组合。而T1+G+、T1-G-触发形式的可靠性较高，较常使用，检测触发性能时可只检测这两种形式。 用万用表检测双向可控硅的触发性能，可按下列步骤进行： 把万用表置于R×1Ω档，先检查T1+G+形式的触发能力。用万用表黑表棒与T1极接触，红表棒与T2极接触，万用表指针应停在无穷大处。保持黑表棒与T1极接触、红表棒与T2极接触，用万用表黑表棒同时接触门极，则指针应有较大幅度的偏转；再松开黑表棒与门极的接触，指针读数不变，说明T1+G+触发性能良好。然后检查T1-G-形式的触发能力：黑表棒与T2极接触，红表棒与T1极接触，万用表指针应停在无穷大处。保持黑表棒与T2极接触、红表棒与T1极接触，用红表棒接触门极，指针应有较大幅度的偏转，再松开红表棒与门极的接触，指针读数不变，说明T1-G-触发性能良好。 由于万用表R×1Ω档的电池只有1.5V，对于维持电流较大的大功率双向可控硅不能可靠的触发、维持，可在万用表的外部串入1~2节干电池后再用上述方法检测。 四、单向、双向可控硅的判别 有的单向可控硅阳极与阴极正反向也都相互导通，初学者判断时可能误判断为双向可控硅，而检测它的T1-G-触发性能不好导致误判断。那么，如何区别单向、双向可控硅呢？ 把万用表打到R×10Ω档，测出相互导通的两个电极。然后测量这两个电极的正反向电阻。若正向、反向电阻差不多，则为双向可控硅（见附图1）；若正向、反向电阻差别较大，则为单向可控硅（见附图2）。
大功率可控硅技术理论资料 KP700A5600-6500V Y50KPR
FEATURES TYPICAL APPLICATIONS 1). Center amplifying gate 2). Metal case with ceramic insulator 3). Low on-state and switching losses 1). AC controllers 2). DC and AC motor control 3). Controlled recti ?ers I T(AV) V DRM /V RRM I TSM I 2t 872 A 5600-6500V 11.8 KA 696 103A 2S Liujing rectifier co., Ltd. THE MAIN PARAMETERS KP700A5600~6500V Y50KPR 国标型-普通晶闸管(平板式) Chinese Type Phase Control Thyristors (Capsule Version)
Fig.7Fig.8
OUTLINE E-mail: recti ?er@https://www.360docs.net/doc/0717541840.html, thyristors@https://www.360docs.net/doc/0717541840.html, 打造最具竞争力的电力半导体产品 LIUJING reserves the right to change limits, test conditions and dimensions. ??? ? ???? ?? ???, ??? ??, ?????? ?? ?? ???? ??? ????. YUEQING LIUJING RECTIFIER CO., LTD Sale Departmant: Liujing Building, Yueqing City, Zhejiang Province Add: Wanao Industrial Zone, Yueqing city, Zhejiang Province Tel: 0086-577-62519692 0089-577-62519693Fax: 0086-577-62518692 International Export: 0086-577-62571902Technical Support: 0086-158********After Service: 400-6606-086https://www.360docs.net/doc/0717541840.html, https://www.360docs.net/doc/0717541840.html, https://www.360docs.net/doc/0717541840.html,recti ?https://www.360docs.net/doc/0717541840.html, https://www.360docs.net/doc/0717541840.html, MSN: thristors@https://www.360docs.net/doc/0717541840.html, To be the most competitive Power Semiconductor Devices manufactory. Fig.9Fig.10
Jbehave 学习
Jbehave 学习 JBehave行为驱动开发（BDD）是一个框架。 BDD是测试驱动开发（TDD）和验收测试驱动开发（ATDD）的一种演进，目的是使新手和专家开发实践起来更加方便和直观。它改变了从被测试为基础到以行为为基础的词汇，将自己定位为一个设计理念。 一、BDD课题研究之测试思想和方法总结 此次研究的课题是BDD，主要涉及两个方面：测试的思想和方法、技术框架。这里做测试思想和方法的总结。 BDD是什么 全称： Behaviour Driven Development（行为驱动开发）。 BDD改变了我们对软件测试的认识。先前我对测试的认识是：从大的角度来讲，软件测试就是对一个软件系统从功能上进行确认测试和验证测试，从性能上进行压力测试和负载测试，以及对系统的配置测试和兼容性测试等，从类别上又有单元测试，集成测试，回归测试，所有的这些测试工作都有一个目的：交付一套高质量的软件系统。我们软件测试人员的工作就是：尽可能早的找出软件缺陷，并确保其得以修复。顺理成章的，在我们的思维中是：我们先拿到系统的既成品，然后开展测试工作，而BDD恰好颠覆了我们的思维。 回到BDD正题，BDD中有两个大的概念：测试先行和系统设计。 测试先行：BDD提倡我们在开发者的编码工作开展之前，先写测试用例，然后由测试来推动着开发的工作，具体解释为：在设计如何实现一个功能前，先考虑如何测试这个功能，测试的代码完成后，再编写功能实现代码，并且使得该测试用例通过，即完成了系统的一个功能模块。 系统设计：在系统功能实现代码编写之前，我们需要先编写测试代码，在我们的测试代码中实现对系统行为的描述，这个描述其实就是用一种接近自然语言的方式对系统进行详细的设计，并且使项目相关人员，即使是非技术人员也能很容易看懂。关于系统行为，举例说明：用户在一个特定的条件下对系统做请求，系统在该条件下做什么样的处理，这就是系统的一个行为。 总结一下BDD的概念：在项目之初，由客户、开发人员、测试人员一起通过充分的沟通对系统的行为进行设计，由测试人员以接近自然语言的方式编写可以描述系统行为的测试用例，然后由开发人员编写相关的实现代码，并确保该测试用例通过。循环这个过程实现整个系统的功能。
可控硅资料及工作原理和测试方法
可控硅資料/及工作原理和測試方法BTA06-400BW 6A 400V 50mA TO-220AB BTA06-400C 6A 400V 25mA TO-220AB BTA06-400CW 6A 400V 35mA TO-220AB BTA06-400TW 6A 400V 5mA TO-220AB BTA06-400E 6A 400V 5~10mA TO-220AB BTA06-400D 6A 400V 1~5mA TO-220AB BTA06-400SAP 6A 400V 5~10mA TO-220 BTA06-600B 6A 600V 35~50mA TO-220AB BTA06-600BW 6A 600V 50mA TO-220AB BTA06-600C 6A 600V 25mA TO-220AB BTA06-600CW 6A 600V 35mA TO-220A BTA06-600SW 6A 600V 10mA TO-220AB BTA06-600TW 6A 600V 5mA TO-220AB BTA06-600E 6A 600V 5~10mA TO-220AB BTA06-600D 6A 600V 1~5mA TO-220AB BTA06-600SAP 6A 600V 5~10mA TO-220AB BTA06-700B 6A 700V 35~50mA TO-220AB BTA06-700BW 6A 700V 50mA TO-220AB
BTA06-700C 6A 700V 25mA TO-220AB BTA06-700CW 6A 700V 35mA TO-220AB BTA06-700SW 6A 700V 10mA TO-220AB BTA06-700TW 6A 700V 5mA TO-220AB BTA06-700E 6A 700V 5~10mA TO-220AB BTA06-700D 6A 700V 1~5mA TO-220AB BTA06-700SAP 6A 700V 5~10mA TO-220AB BTA06-800B 6A 800V 35~50mA TO-220AB BTA06-800BW 6A 800V 50mA TO-220AB BTA06-800C 6A 800V 25mA TO-220AB BTA06-800CW 6A 800V 35mA TO-220AB BTA06-800SW 6A 800V 10mA TO-220AB BTA06-800TW 6A 800V 5mA TO-220AB BTA06-800E 6A 800V 5~10mA TO-220AB BTA06-800D 6A 800V 1~5mA TO-220AB BTA06-800SAP 6A 800V 5~10mA TO-220AB BTB06-400B 6A 400V 35~50mA TO-220A BTB06-400BW 6A 400V 50mA TO-220AB BTB06-400C 6A 400V 25mA TO-220AB
用万用表检测单向可控硅
用万用表检测单向可控硅 江苏省泗阳县李口中学沈正中 可控硅又叫晶体闸管、晶体闸流管，在电子电路中有着广泛的应用，外形像三极管，如图1所示。 使用可控硅前必需要 进行测试，如何用万用表来 测试单向可控硅，单向可控 硅的检测包括两个方面：一 是极性判定；二是触发特性 检测。 1、可控硅极性的判定 单向可控硅是由三个PN结的半导体材料构成，其基本结构、符号及等效电路如图2所示。 可控硅有三个电极：阳极A、 阴极K和控制极G。从等效电路上 看，阳极A与控制极G之间是两 个反极性串联的PN结，控制极G 与阴极K之间是一个PN结。根据 PN结的单向导电特性，将指针式万用表选择适当的电阻档，测试极间正反向电阻(相同两极，将表笔交换测出的两个电阻值)，对于正常的可控硅，G、K之间的正反向电阻相差很大；G、K分别与A之间的正反向电阻相差很小，其阻值都很大。这种测试结果是唯一的，根据这种唯一性就可判定出可控硅的极性。用万用表R×1K档测量可
控硅极间的正反向电阻，选出正反向电阻相差很大的两个极，其中在所测阻值较小的那次测量中，黑表笔所接为控制极G，红表笔所接的为阴极K，剩下的一极就为阳极A。通过判定可控硅的极性同时也可定性判定出可控硅的好坏。如果在测试中任何两极间的正反向电阻都相差很小，其阻值都很大，说明G、K之间存在开路故障；如果有两极间的正反向电阻都很小，并且趋近于零，则可控硅内部存在极间短路故障。 2、单向可控硅触发特性测试 单向可控硅与二极管的相同之处在于都具有单向导电性，不同之处是可控硅的导通还要受控制极电压控制。也就是说使可控硅导通必须具备两个条件：阳极A与阴极K之间应加正向电压，控制极G与阴极K之间也应加正向电压。当可控硅导通以后，控制极就失去作用。单向可控硅的导通过程可用图3所 示的等效电路来说明：PNP管的发射极 相当可控硅的阳极A，NPN管的发射极 相当可控硅的阴极K，PNP管的集电极 与NPN管的基极相联后相当于可控硅的 控制极G。当在A、K之间加上允许的 正向电压时，两只管子均不导通，此时 当在G、K之间加上正向电压便形成控 制电流流入V2的基极，如此循环直至两管完全导通。当导通后，即使Ig=O，由于V2有基极电流，且远大于Ig，因此两管仍然导通。要使导通的可控硅截止，必须把A、K正向电压降低到一定值，或反向，或断开。
基于测试驱动开发的高校突发事件辅助决策系统.doc
基于测试驱动开发的高校突发事件辅助决策系统 基于测试驱动开发的高校突发事件辅助决策系统 摘耍：由于高校的特殊性，导致突发事件的机会更多、危害更大，因此如何利用历史数据对高校突发事件进行预警和辅助决策显得十分重要。在探讨高校突发事件辅助决策系统的基础上，将测试驱动开发的方法应用于系统开发，实验证明可以明确高校突发事件辅助决策系统的开发需求，加速开发进程，改进软件的质量。 关键词：高校突发事件；辅助决策系统；测试驱动开发 目前，对于高校突发事件危机管理方面的应用研究比较欠缺，很多研究只是基于初步调查的经验总结和感性判断。因此将相关的前沿理论应用到突发事件管理的研究中，建立完善的突发事件辅助决策系统，为高校的管理者提供理论和实践依据是众多专家探讨的关键问题。将测试驱动开发TDD (Test-Dri VenDevel opment)的方法应用于系统开发，实验证明可以明确高校突发事件辅助决策系统的开发需求，加速幵发进程，改进软件的质量。 一、系统功能分析 高校突发事件辅助决策系统主耍具有突发事件预警和突发事件辅助处理两大功能。突发事件预警是指从根本上防止突发事件的形成、爆发，是一种超前的管理。预警系统是对预警对象、预警指标进行分析，从而获取预警信息，以便评佔信息、评价突发事件严重程度、决定是否发出突发事件警报。突发事件辅助处理是根据预警系统对突发事件的早期预测结果作决策，实施处理计划，把已经发生和未发生而将耍发生的事件的影响，控制在最小范围。 二、系统模块设计
根据上述分析，高校突发事件辅助决策系统可以划分为以下模块: 1、预警指标体系设定子模块。由于传统的事件跟踪的预警方法有着诸多弊端，高校突发事件辅助决策系统采用预警指标的方法。预警指标是依据对预警对象（事件、个人）的情况建立一套有监测功能的预警指标体系，通过预警指标收集信息，分析判断突发事件的成因、规模、类型、发生频率、强度、影响后果及发展和变化规律，进行突发事件的预测。 2、预警信息分析子模块。突发事件预警分析子模块主要工作是收集预警征兆信息，进行分析，根据分析结果，发布警报信息和对策信息。通过对学生所在的外部环境的分析研究，掌握客观环境的发展趋势和动态，了解与突发事件发纶有关的微观动向，从而敏锐地察觉环境的各种变化，保证当环境出现不利的因素时，能及吋有效地采取措施，趋利避害。 3、突发事件辅助处理子模块。突发事件管理既强调突发事件出现和发生之后的及时干预，乂重视对突发事件的处理，突发事件管理的偶然和突发性使得处理突发事件的应急计划的制定显得十分重要。在突发事件的应急计划屮，包括应对突发事件的策略、干预突发事件的规则、解决突发事件的程度和方法等。 4、数据查询功能子模块。系统具备全面简便的查询功能，可以按照所填的信息进行查询，快速生成处理报告。系统自带统计分析功能，可以为部分大量表的结果提供描述性统计量，能够实现对不同年份、性质、程度等基本统计量进行比较，大大方便了辅助决策及报告工作。 5、数据导出功能。系统具备全面轻松的数据导出功能，方便深入的科学研究。可以将全部量表的数据导出，从而很方便地实现深入的研究及完成辅助决策功能。 三、TDD在高校突发事件辅助决策系统的应用 1、TDD的概念 测试驱动开发TDD是敏捷开发中的一项核心实践和技术，也是一种设计方法论。TDD的原理是在开发功能代码之前，先编写单元测试用例代码。测试代码确定要编写产品的具体需求。TDD的基本思想是通过测试来推动整个开发的进行，但是测试驭动开发不是单纯的测试工作，而是把需求分析、设计、质量控制量化的过程。
可控硅的主要参数
可控硅 可控硅是硅可控整流元件的简称，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。按其工作特性，可控硅（THYRISTOR)可分为普通可控硅（SCR）即单向可控硅、双向可控硅（TRIAC)和其它特殊可控硅。 可控硅的主要参数 非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过可控硅的主要参数 1、额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。 2、正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。 3、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。 4、控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
5、维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。 近年来，许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。 可控硅的触发 过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。 非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。 可控硅的主要参数 可控硅的主要参数: 1 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 2 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。 3 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。可控硅的常用封装形式
单向可控硅的原理及测试
单向可控硅的原理及测试 可控硅的意思：可控的硅整流器，其整流输出电压是受控的，常与移相或过零触发电路配合，应用于交、直流调压电路。可控硅是在晶体管基础上发展起来的一种集成式半导体器件。单向可控硅的等效原理及测量电路见下图1： A K G P N P N K G G K G A 图1 可控硅器件等效及测量电路 单向可控硅为具有三个PN 结的四层结构，由最外层的P 层、N 层引出两个电极——阳极A 和阴极K ，由中间的P 层引出控制极G 。电路符号好像为一只二极管，但好多一个引出电极——控制极或触发极G 。SCR 或MCR 为英文缩写名称。 从控制原理上可等效为一只PNP 三极管与一只NPN 三极管的连接电路，两管的基极电流和集电极电流互为通路，具有强烈的正反反馈作用。一旦从G 、K 回路输入NPN 管子的基极电流，由于正反馈作用，两管将迅即进入饱合导通状态。可控硅导通之后，它的导通状态完全依靠管子本身的正反馈作用来维持，即使控制电流（电压）消失，可控硅仍处于导通状态。控制信号U GK 的作用仅仅是触发可控硅使其导通，导通之后，控制信号便失去控制作用。 单向可控硅的导通需要两个条件： 1）、A 、K 之间加正向电压； 2）、G 、K 之间输入一个正向触发电流信号，无论是直流或脉冲信号。 若欲使可控硅关断，也有两个关断条件： 1）、使正向导通电流值小于其工作维持电流值； 2）、使A 、K 之间电压反向。 可见，可控硅器件若用于直流电路，一旦为触发信号开通，并保持一定幅度的流通电流的话，则可控硅会一直保持开通状态。除非将电源开断一次，才能使其关断。若用于交流电路，则在其承受正向电压期间，若接受一个触发信号，则一直保持导通，直到电压过零点到来，因无流通电流而自行关断。在承受反向电压期间，即使送入触发信号，可控硅也因A 、K 间电压反向，而保持于截止状态。
怎样用万用表测量可控硅的各电极
怎样用万用表测量可控硅的各电极 1.单向可控硅的检测 万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G，红笔接的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短接线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。 2.双向可控硅的检测 用万用表电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A、G极后，再仔细测量A1、G极间正反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定了的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约为10欧姆左右。随后断开A2、G极短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负向的触发电压，A1、A2间阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。 检测较大功率可控硅管，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。
浅谈测试驱动开发(TDD)
浅谈测试驱动开发（TDD） 李群https://www.360docs.net/doc/0717541840.html, 测试驱动开发(TDD)是极限编程的重要特点，它以不断的测试推动代码的开发，既简化了 代码，又保证了软件质量。本文从开发人员使用的角度，介绍了TDD 优势、原理、过程、 原则、测试技术、Tips 等方面。 背景 一个高效的软件开发过程对软件开发人员来说是至关重要的，决定着开发是痛苦的挣扎，还是不断进步的喜悦。国人对软件蓝领的不屑，对繁琐冗长的传统开发过程的不耐，使大多数开发人员无所适从。最近兴起的一些软件开发过程相关的技术，提供一些比较高效、实用的软件过程开发方法。其中比较基础、关键的一个技术就是测试驱动开发（Test-Driven Development）。虽然TDD光大于极限编程，但测试驱动开发完全可以单独应用。下面就从开发人员使用的角度进行介绍，使开发人员用最少的代价尽快理解、掌握、应用这种技术。下面分优势，原理，过程，原则，测试技术，Tips等方面进行讨论。 1. 优势 TDD的基本思路就是通过测试来推动整个开发的进行。而测试驱动开发技术并不只是单纯的测试工作。 需求向来就是软件开发过程中感觉最不好明确描述、易变的东西。这里说的需求不只是指用户的需求，还包括对代码的使用需求。很多开发人员最害怕的就是后期还要修改某个类或者函数的接口进行修改或者扩展，为什么会发生这样的事情就是因为这部分代码的使用需求没有很好的描述。测试驱动开发就是通过编写测试用例，先考虑代码的使用需求（包括功能、过程、接口等），而且这个描述是无二义的，可执行验证的。 通过编写这部分代码的测试用例，对其功能的分解、使用过程、接口都进行了设计。而且这种从使用角度对代码的设计通常更符合后期开发的需求。可测试的要求，对代码的内聚性的提高和复用都非常有益。因此测试驱动开发也是一种代码设计的过程。 开发人员通常对编写文档非常厌烦，但要使用、理解别人的代码时通常又希望能有文档进行指导。而测试驱动开发过程中产生的测试用例代码就是对代码的最好的解释。 快乐工作的基础就是对自己有信心，对自己的工作成果有信心。当前很多开发人员却经常在担心：“代码是否正确？”“辛苦编写的代码还有没有严重bug？”“修改的新代码对其他部分有没有影响？”。这种担心甚至导致某些代码应该修改却不敢修改的地步。测试驱动开发提供的测试集就可以作为你信心的来源。 当然测试驱动开发最重要的功能还在于保障代码的正确性，能够迅速发现、定位bug。而迅速发现、定位bug是很多开发人员的梦想。针对关键代码的测试集，以及不断完善的测试用例，为迅速发现、定位bug提供了条件。 我的一段功能非常复杂的代码使用TDD开发完成，真实环境应用中只发现几个bug，而且很