薄膜电容器基本构造和分类教学文案
薄膜电容器

标准号 (No.)
标 准 (Standards)
GB/T 2693 (IEC 60384-1)
GB/T 7332 (IEC 60384-2)
GB/T 7333 (IEC 60384-2-1)
第 1 部分:总规范 Part 1: Generic specification
第 2 部分:分规范:金属化聚酯膜介质直流固定电容器 Part 2:Sectional specification: Fixed metallized polyester film D.C.capacitor
第 14 部分:分规范:抑制电源电磁干扰用固定电容器 Part 14: Sectional specification: Fixed capacitors for electromagnetic interference suppression and connection to the supply mains
4.Rate Voltage (U R) The maximum D.C. voltage or peak value of pulse voltage that can be applied continuously to capacitor at any temperature between lower category temperature and rated temperature.
GB 10191
第 16 部分:空白详细规范:金属化聚丙烯膜介质直流固定电容器
(IEC 60384-16-1) Part 16:Blank detail specification: Fixed metallized polypropylene film D.C. capacitor
薄膜电容基础

滤波
尖峰吸收
在各种电源电路或者DC-DC转换器中,对输入或输出噪声进行过 滤,保持线路纯净。
半导体元件在切换操作时引起较高的电压峰值,电容器与之并联 可以进行吸收,如IGBT吸收,要求电容在较高频率下有高的 dV/dt值 在电力线中用做跨线(L-N)的X电容和接地的(L-E)Y电全性。需要安规认证 在整流电路后用做DC-link,即兼具滤波与储能之用,如开关电源、 变频器等
•额定温度:能连续施加额定电压的最高环境温度 •额定电压:在下限类别温度与额定温度之间的任一温度下, 所能加载的最高直流或交流电压 •类别电压:在上限类别温度所能加载的最高电压
•温度降额电压:在额定温度与上限类别之间的温度下,所能
加载的最高电压 7
3、薄膜电容术语解释
•tanδ:损耗正切角,表示电容器消耗的有功功率因子
薄膜电容器基础
北京为华新业电子技术有限公司
谈 斌
目 录
1、薄膜电容的基本构造与特点
2、薄膜电容器的分类
3、薄膜电容术语解释
4、薄膜电容的安全认证
5、薄膜电容器的典型应用 6、薄膜电容的市场状况 7、公司现有产品 8、薄膜电容器的主要生产厂家 9、Q &A 2
1、薄膜电容的基本构造与特点
1)薄膜电容的基本构造
由铝箔与薄膜介质(或者是金属化薄膜)交叠卷绕或 者是堆叠构成。
基本示意图如下:
3
1、薄膜电容器简介
2)薄膜电容器的特点
无极性 绝缘电阻高 频率特性优异(频率响应宽广) 介质损失很小
抗脉冲能力强
工作电压高
稳定性好,寿命长
4
2、薄膜电容器分类
按介质材料分
聚酯PET 聚丙烯PP 聚2,6 奈乙酯PEN (高温、片式用,较贵)
薄膜电容结构

薄膜电容结构
薄膜电容结构指的是电容器的一种结构形式,主要是利用金属薄膜和绝缘薄膜之间的
反面结合,形成一个定量的电容器结构。
1.构造
薄膜电容结构由两个点制电极组成。
在两个电极之间绝缘薄膜是一个必不可少的部分,他能够起到防止不必要的电荷泄漏和阻挡卷积电抗的作用。
薄膜电容结构中还有一些关键部位:
(1) 绝缘层:这是一个位于电极和内部电介质之间的层。
它可以起到防止电介质泄漏
的作用。
绝缘层的厚度越大,电容值越小。
(3) 封装:这是一个保护整个薄膜电容结构的正常运行的外部包装。
通常,封装材料
是一种绝缘材料,如塑料。
2.材料
薄膜电容器通常使用的金属材料主要有铝、钽和锌,因为铝、钽、锌这三种金属在氧气、二氧化硫、盐水等介质中具有良好的耐腐蚀性能。
而绝缘材料则通常是硅氧烷、硅酸锂、半导体等材料。
3.优势和不足
薄膜电容结构由于具有体积小、重量轻、电容值稳定等特点,在电子设备中被广泛应用。
相比于其他电容器结构,他还具有以下优势:
(1) 体积小:薄膜电容结构可以在极小的体积内放置许多电容器,从而使电路板变得
更加紧凑。
(2) 重量轻:与其它结构相比,薄膜电容器大大减轻了电路板的重量。
(3) 电容值稳定:薄膜电容器的电容值可根据工艺控制在较小的范围内变化,因此它
能够提供极高的稳定性和可靠性。
然而,薄膜电容结构也存在一些不足。
例如,它们的最高工作电压和最高工作温度有限,因此在一些高电压和高温环境下需要使用其他类型的电容器。
此外,由于薄膜电容成
本较高,它们在一些应用场景下可能不太适合。
薄膜电容讲解

聚丙烯电容的应用
CBB21II和MKP21将是未来通用类聚丙烯 电容器的主力。照明/彩电/电源 典型应用:高频脉冲场合。 选用依据: 电压电流波形; 频率; 爬升速率:dv/dt。
电容器表示方法:
电容量的常用单位 pF , nF , uF 1uF=103 nF=106pF 薄膜电容器重要参数
1.容量 2.损耗角正切 3.耐压 4.额定电压
薄膜电容器
指以(电工级)塑料薄膜为电介质的 电容器。与陶瓷和电解电容器相比具 有频率特性好,介电损耗小,可靠性 高的优点,但容量小,耐热能力差, 价格高。主要以聚酯膜介质和聚丙烯 膜介质应用最广。
聚酯和聚丙烯薄膜的特点
1、聚酯(PET)
1)机械强度高、成膜容易(最薄可达0.6μm)、薄膜的抗张 强度好、弹性大、柔韧性好。 2)耐热性好,最高工作温度可达125℃,高温时,薄膜仍具 有柔顺性,在- 60℃时不发脆。 3)介电常数大。 4)易于金属化,容积比高。 5)但与其他塑料薄膜相比,聚酯膜的体积电阻率较低,损 耗角正切也较大;当使用温度高于100 ℃时,其体积电阻 率直线下降,损耗角正切值也迅速增大,所以使用温度要 求较高时,可以选用PEN材料。
安规电容
安规电容是指用于这样的场合,即电容器失效后, 不会导致电击,不危及人身安全. 它包括了X电容和 Y电容。 Y电容—抑制共模信号干扰 X电容—抑制差模信号干扰
X电容
X电容接在相线和零线之间,主要受电压峰 值的影响。为了避免击穿短路,重点关注 的参数是耐压等级 X1 >2.5kV ≤4.0kV X2 ≤2.5kV X3 ≤1.2kV 注:不能用普通电容代替同样额定电压的安 规电容
薄膜电容原理

薄膜电容原理一、引言薄膜电容是一种常见的电子元件,广泛应用于电子设备和电路中。
在电子领域中,薄膜电容的原理和应用非常重要。
本文将介绍薄膜电容的原理、结构和特性,以及其在电子领域中的应用。
二、薄膜电容的原理薄膜电容是利用薄膜材料的两个电极之间的介电常数来存储电荷的一种电子元件。
薄膜电容的工作原理基于电容器的基本原理,即电容器的电容值与两个电极之间的距离和介电常数有关。
在薄膜电容中,薄膜材料起到了介电层的作用,两个电极之间的距离非常接近,因此电容值较小。
三、薄膜电容的结构薄膜电容通常由两个金属薄膜电极之间的薄膜材料组成。
这两个电极可以是金属箔、金属化合物或者金属薄膜。
薄膜电容的结构紧凑,占用空间小,适合于集成电路和微型电子设备中的应用。
四、薄膜电容的特性薄膜电容具有许多优良的特性,使其在电子领域中得到广泛应用。
首先,薄膜电容的电容值稳定性高,能够在广泛的温度范围内保持相对稳定的电容值。
其次,薄膜电容的频率响应特性良好,能够在高频率下保持较低的阻抗。
此外,薄膜电容的耐压能力较强,能够承受较高的工作电压。
五、薄膜电容的应用薄膜电容在电子领域中有广泛的应用。
首先,薄膜电容常用于电子设备中的滤波电路,用于滤除信号中的杂散噪声和高频噪声。
其次,薄膜电容可以用于存储电荷,常用于数字电路中的存储器元件。
此外,薄膜电容还可以用于电子设备中的稳压电路和振荡电路,起到稳定电压和产生振荡信号的作用。
六、总结薄膜电容是一种重要的电子元件,其原理基于电容器的基本原理,利用薄膜材料的介电常数来存储电荷。
薄膜电容具有结构紧凑、电容值稳定、频率响应特性良好等优良特性,因此在电子设备和电路中得到广泛应用。
薄膜电容常用于滤波电路、存储器元件、稳压电路和振荡电路中,起到滤波、存储、稳定电压和产生振荡信号的作用。
通过本文的介绍,我们了解了薄膜电容的原理、结构和特性,以及其在电子领域中的应用。
薄膜电容的发展将为电子技术的进步和创新提供更多可能性,为我们的生活带来更多便利和效益。
薄膜电容器介绍

主要用途
直流脉动电容 低压交流电容
交流电容 高频脉冲电容
高温高频高性 能电容 片式电容
高温电容 片式电容
直流脉动电容 高精度高稳定 电容
缺点
介质损耗大 比重大
不能很薄 介电常数小
耐热差
太贵
较贵
成膜性差
机械强度差 耐热差 分解有毒
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四、薄膜电容所用的极板材料 1. 箔式电容:厚度 4-6 微米 1.1 普通电容器:铝箔 1.2 精密电容器:锡箔 2. 金属化电容:Zn, Ag, Sn, Al 及其合金 2.1 通用电容器:Al,厚度 10-50nm 2.2 交流电容器:Zn, Ag, Al 合金,厚度 20-60nm 2.3 金属化电极形式:单面,双面,加厚边,安全膜等
3920 260
2352-4410 165
3920 285
5978 260
1960 240
147-735 240
使用温度范围℃ <125
<105
<160
<140
<120
<85
可燃性
慢燃
可燃
自熄
慢燃
慢燃
可燃
吸水率(24h)% 0.3-0.4
<0.05
0.05-0.1
0.4
0.2-0.3
0.03-0.01
C4 Smoothing CL21
C5 Smoothing CL21, CL20
C6, Snubber CBB21, MKP21, MMKP82
C7
MKP23
8
2.3 无感金属化卷绕式:
卷绕 热压定型 喷金
焊接
包封
还有其他辅助工序,如辅助编带、涂硅、配料、径向编带、成型、包装等
薄膜电容器知识

5 技术中心
概念
电容量的单位:F、μF、nF、pF。 1F=106μF=109nF=1012pF 1μF=103nF=106pF 1nF=103pF
三位数表示法:ABC=AB×10CpF。 如:104、223 符号法:4p7、3n3、15n、6μ8
用于要求电容量精确、稳定、温度系数小的场 合。如:定时、振荡、积分。
交流
工作于交流电源。 如:电机起动、功率因数补偿....
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技术中心
薄膜电容器的结构(电极)
铝箔
工艺流程短,成本低,耐电流冲击。
金属箔
(5、6、6.5μm)
锡箔
(7 、14μm )
没有自愈性,击穿后短路,可靠性
差,工作场强低,体积大,不适合 做高压。
铝金属化
金属化
高/低方阻,加厚边,安全膜, 波浪边,双面
有自愈性,可靠性高,工作场强高,
体积小,开路失效模式,适合做高 压产品。
锌铝金属化
耐电流差,成本高,工艺流程长
加厚边,安全膜,波浪边
膜箔式
金属箔作外电极 金属化作内电极
兼顾金属箔和金属化的优点,适合 做高压大电流产品。
主要为内串式结构。
14 技术中心
任何绝缘材料都可能成为电容器的电介质, 如纸、玻璃、云母、油、空气等等,目前主 要产品有陶瓷电容器、塑料薄膜电容器、电 解电容器三大类。
薄膜电容器:指以(电工级)塑料薄膜为电 介质的电容器。与陶瓷和电解电容器相比具 有产品性能好、可靠性高的优点,但容量/体 积比小,价格高。
4 技术中心
概念
电容器的符号
(塑料)薄膜电容器的分类
薄膜电容器

电子元器件薄膜电容器薄膜电容器简介:薄膜电容器又称塑料薄膜电容其以塑料薄膜为电介质。
按介质分类可以分为有机介质电容器,无机介质电容器,电解电容器有机介质电容器主要有:塑料薄膜、纸介、漆膜、复合介质PET、OPP、PEN、PPS、PS、PC。
无机介质电容器有:瓷介、云母、玻璃膜及玻璃釉高频瓷、铁电瓷、半导体瓷。
电解电容器主要有铝电解、钽电解、铌电解、液体铝电解、固体铝电解、无极性电解。
目前主要产品有陶瓷电容器、塑料薄膜电容器、电解电容器三大类。
薄膜电容器是以金属箔当电极,将其和聚乙酯,聚丙烯,聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,从两端重叠后,卷绕成圆筒状的构造之电容器。
而依塑料薄膜的种类又被分别称为聚乙酯电容(又称Mylar电容),聚丙烯电容(又称PP电容),聚苯乙烯电容(又称PS电容)和聚碳酸电容。
薄膜分类依塑料薄膜的种类又被分为:聚乙酯电容(又称Mylar电容),聚丙烯电容(又称PP电容),聚苯乙烯电容(又称PS 电容)和聚碳酸电容。
其结构和纸介电容相同,介质是涤纶或者聚苯乙烯等。
涤纶薄膜电容,介电常数较高,体积小,容量大,稳定性比较好,适宜做旁路电容。
聚苯乙烯薄膜电容,介质损耗小,绝缘电阻高,但是温度系数大,可用于高频电路。
薄膜电容器分类:薄膜电容器是以金属箔当电极,将其和聚乙酯,聚丙烯,聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,从两端重叠后,卷绕成圆筒状的构造成电容器。
而依塑料薄膜的种类又被分别称为聚乙酯电容(又称Mylar电容),聚丙烯电容(又称PP电容),聚苯乙烯电容(又称PS电容)和聚碳酸电容。
薄膜电容器可分为直流薄膜电容器和交流薄膜电容器两大类:直流薄膜电容器是指工作在以直流电源供电的电路中的薄膜电容器,可分为通用类、抑制电源电磁干扰类、脉冲类和精密类四类;交流薄膜电容器是指工作在以交流电源供电的电路中的薄膜电容器,按功能分电动机启动运行、功率因素补偿等。
目前大量生产的塑料薄膜电容器有聚苯乙烯,聚乙烯,聚丙烯,聚四氟乙烯,聚酯(涤纶),聚碳酸酯,复合膜等。
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薄膜电容器基本构造
和分类
塑料薄膜电容( Plastic Film Capacitor )往往被简称为薄膜电容( Film Capacitor )或 FK 电容。
其以塑料薄膜为电介质。
在应用上薄膜电容具有的一些的主要特性:无极性,绝缘阻抗高,频率特性优异 ( 频率响应宽广 ) ,介质损失小。
基於以上的优点,薄膜电容器被大量使用在模拟电路上。
尤其是在信号交连的部份,必须使用频率特性良好,介质损失极低的电容器,方能确保信号在传送时,不致有太大的失真情形发生。
在所有的塑胶薄膜电容当中,又以聚丙烯 (PP) 电容和聚苯乙烯 (PS) 电容的特性最为显着。
1 基本构造:
薄膜电容内部构成方式主要是:以金属箔片(或者是在塑料上进行金属化处理而得的箔片)作为电极板,以塑料作为电介质。
通过绕卷或层叠工艺而得。
箔片和薄膜的不同排列方式又衍生出多种构造方式。
图 1 是薄膜电容得典型示意图。
2 基本分类:
薄膜电容主要分类法有:按电介质分类;按薄膜(介质)和箔片(电极板)的排列方式分类;按结构分类;按线端方式分类。
从电介材质上分类:
从应用特性角度看,关键特性的表现还是缘于其电介质的不同。
按电介质的不同 DIN 41379 对薄膜电容作了如下划分:
T 型:即 PE T - Polyethylene terephthalate (聚乙烯对苯二酸盐( 或酯 ) )
P 型:即 P P - Polypropylene (聚丙烯)
N 型:即 PE N - Polyethylene naphthalate (聚乙烯石脑油)
以 M 作前缀表示为金属化薄膜的电容。
MFP 及 MFT 电容由金属箔片和金属化塑料薄膜构成,并不在 DIN 41379 阐述的范围内。
关于金属化:
金属化薄膜 (Metallized Film) ,其制法是在塑胶薄膜上以真空蒸镀上一层很薄的金属以做为电极。
如此可以省去电极箔的厚度,缩小电容器单位容量
的体积,所以金属化薄膜电容器较容易做成小型,容量大的电容器。
金属化薄
膜电容器所使用的薄膜有聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸窬等。
例如常见的 MKP 电容,就是金属化聚丙烯膜电容器 (Metailized Polypropylene Film Capacitor) 的简称,而 MKT 则是金属化聚酯电容 (Metailized Polyester) 的简称。
除了卷绕型之外,也有叠层型。
金属化薄膜电容器具有一种自我复原作用 (Self Healing Action) 的特点,即假设电极的微小部份因为电界质脆弱而引起短路时,引起短路部份周围的电极金属,会因当时电容器所带的静电能量或短路电流,而引发更大面积的溶融和蒸发而恢复绝缘,使电容器再度回复电容器的作用。
从结构上分:
从线端方式上分:
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