电力电子技术试题及答案(分章节的)
电力电子技术试卷及答案(2)

电力电子技术》试题(G)一、填空题 (每空 1 分,34分)1、实现有源逆变的条件为和2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。
3、在有环流反并联可逆系统中,环流指的是只流经而不流经的电流。
为了减小环流,一般采用α β 状态。
4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。
5、给晶闸管阳极加上一定的电压;在门极加上电压,并形成足够的电流,晶闸管才能导通。
6、当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丢失时与电路会出现失控现象。
7、三相半波可控整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z ;而三相全控桥整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z ;这说明电路的纹波系数比电路要小。
8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。
9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。
10 、晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于电流之前,如去掉脉冲,晶闸管又会关断。
、判断题:(每题 2 分,20 分)对√,错×。
1、有源逆变指的是把直流能量转变成交流能量送给用电器。
()2、给晶闸管加上正向门极电压它就会导通。
()3、在半控桥整流带大电感负载,不加续流二极管电路中,电路不正常时可能会出现失控现象。
()4、三相半波可控整流电路中,如果三个晶闸管采用同一组触发装置,则 120o。
α的移相范围只有5、设置补偿电容可以提高变流装置的功率因数。
()6、三相半波可控整流电路也要采用双窄脉冲触发。
()7、KP2—5表示的是额定电压 200V,额定电流 500A 的普通型晶闸管。
()8、在单结晶体管触发电路中,稳压管削波的作用是为了扩大脉冲移相范围。
()9、在单相全控桥整流电路中,晶闸管的额定工作电压应取电源相电压U2。
()10、在三相桥式全控整流电路中,采用双窄脉冲触发晶闸管元件时,电源相序还要满足触发电路相序要求时才能正常工作。
(完整版)电力电子技术试卷及答案..

、填空题(每空 1 分, 34 分)1、实现有源逆变的条件为和。
2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。
3、在有环流反并联可逆系统中,环流指的是只流经而不流经的电流。
为了减小环流,一般采用α β状态。
4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。
5、给晶闸管阳极加上一定的电压;在门极加上电压,并形成足够的电流,晶闸管才能导通。
6、当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丢失时与电路会出现失控现象。
7、三相半波可控整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z;而三相全控桥整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z;这说明电路的纹波系数比电路要小。
8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。
9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。
10、晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于电流之前,如去掉脉冲,晶闸管又会关断。
三、选择题( 10 分)1、在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲,应依次相差度。
A 、180度; B、 60度; C、 360度; D、120 度;2、α = 度时,三相半波可控整流电路,在电阻性负载时,输出电压波形处于连续和断续的临界状态。
A、0度;B、60 度; C 、30度; D、120度;3、通常在晶闸管触发电路中,若改变的大小时,输出脉冲相位产生移动,达到移相控制的目的。
A 、同步电压;B、控制电压;C、脉冲变压器变比; 4、可实现有源逆变的电路为C、单相全控桥接续流二极管电路 D 、单相半控桥整流电路5、由晶闸管构成的可逆调速系统中,逆变角βmin 选时系统工作才可靠。
A、300~350B、100~150C、00~100D、 00四、问答题(每题 9分,18 分)1、什么是逆变失败?形成的原因是什么?2、为使晶闸管变流装置正常工作,触发电路必须满足什么要求?五、分析、计算题:(每题 9 分, 18分)1、三相半波可控整流电路,整流变压器的联接组别是D/Y —5,锯齿波同步触发电路中的信号综合管是NPN 型三极管。
电力电子技术试题及答案

一、填空题(29分)1、双向晶闸管的触发方式有:I+ 触发:第一阳极T1接 正 电压,第二阳极T 2接 负 电压;门极G 接正 电压,T2接 负 电压。
I- 触发:第一阳极T1接 正 电压,第二阳极T2接 负 电压;门极G 接 负 电压,T2接 正 电压。
Ⅲ+触发:第一阳极T1接 负电压,第二阳极T2接正 电压;门极G 接正电压,T2接 负 电压。
Ⅲ-触发:第一阳极T1接 负电压,第二阳极T2接 正电压;门极G 接 负电压,T2接 正 电压。
2、由晶闸管构成的逆变器换流方式有 负载 换流和 强迫(脉冲)换流。
3、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为 有源 逆变器与 无源 逆变器两大类。
4、有一晶闸管的型号为KK200-9,请说明KK 快速晶闸管 ; 200表示表示 200A ,9表示 900V 。
5、单结晶体管产生的触发脉冲是 尖脉冲 脉冲;主要用于驱动 小 功率的晶闸管;锯齿波同步触发电路产生的脉冲为 强触发脉冲 脉冲;可以触发 大 功率的晶闸管。
6、一个单相全控桥式整流电路,交流电压有效值为220V ,流过晶闸管的大电流有效值为15A ,则这个电路中晶闸管的额定电压可选为V 2202)25.1(倍-;晶闸管的额定电流可选为A 57.115)35.1(倍-。
1、普通晶闸管的图形符号是 电极分别是 阳极A , 阴极K 和 门极G 晶闸管的导通条件是 阳极加正电压, 阴极接负电压,门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通 ;关断条件是 当晶闸管阳极电流小于维持电流I H 时,导通的晶闸管关断 。
2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号是 。
3、单相交流调压在电阻性负载电路的移相范围在 0º—180º 变化,在阻感性负载时移相范围在 φ—180º 变化。
5、提高变流置的功率因数的常用方法有 减小触发角 、 增加整流相数 、 采用多组变流装置串联供电 、 设置补偿电容 。
电力电子技术试卷(含答案)

电力电子技术试卷(含答案)一.填空(共15分,1分/空)1.电力电子技术通常可分为()技术和()技术两个分支。
2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为()型器件和()型器件两类,晶闸管属于其中的()型器件。
3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时(变压器二次侧电压有效值为U2,忽略主电路各部分的电感),与电阻负载时相比,晶闸管提前了电角度δ停止导电,δ称为()角,数量关系为δ=()。
4.三相桥式全控整流电路的触发方式有()触发和()触发两种,常用的是()触发。
5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为()组和()组两种。
6.在特定场合下,同一套整流电路即可工作在()状态,又可工作在()状态,故简称变流电路。
7.控制角α与逆变角β之间的关系为()。
二.单选(共10分,2分/题)1.采用()是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。
A.直流断路器B. 快速熔断器C.过电流继电器2.晶闸管属于()。
A.不可控器件B. 全控器件C.半控器件3.单相全控桥式整流电路,带阻感负载(L足够大)时的移相范围是()。
A.180OB.90OC.120O4.对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说,正常工作时触发脉冲相位应依次差()度。
A.60B. 180C. 1205.把交流电变成直流电的是()。
A. 逆变电路B.整流电路C.斩波电路三.多选(共10分,2分/题)1.电力电子器件一般具有的特征有。
A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数B.一般工作在开关状态C.一般需要信息电子电路来控制D.不仅讲究散热设计,工作时一般还需接散热器2.下列电路中,不存在变压器直流磁化问题的有。
A.单相全控桥整流电路B.单相全波可控整流电路C.三相全控桥整流电路D.三相半波可控整流电路3.使晶闸管关断的方法有。
A.给门极施加反压B.去掉阳极的正向电压C.增大回路阻抗D.给阳极施加反压4.逆变失败的原因有。
A.触发电路不可靠B.晶闸管发生故障C.交流电源发生故障D.换相裕量角不足5.变压器漏抗对整流电路的影响有。
电力电子技术试题及答案

德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择(每题1.5分,共60分) 1、晶闸管内部有( )个PN 结。
A 、1B 、2C 、3D 、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压( )越好。
A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定3、晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的( )来表示的。
A 、有效值B 、最大值C 、平均值D 、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有( )个电极。
A 、一个B 、两个C 、三个D 、四个、下列电力半导体器件电路符号中,表示IGBT 器件电路)、比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是( ) 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO7、比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO8、比较而言,下列半导体器件中性能最好的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO9、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是( )A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用()A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在()条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通,应()A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率()电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压为()A、700V B、750V C、800V D、850V 16、下列电力电子器件中,()的驱动功率小,驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时()A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V 才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中,表示GTO器件电路符号的是()19、下列电力半导体器件电路符号中,表示GTR器件电路符号的是()20、下列电力半导体器件电路符号中,表示MOSFET器件电路符号的是()21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的()工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中,改变()就能改变直流电动机的转速。
电力电子技术试题+答案

( 5
Ld1
~B
A C
LA LB LC
T1
D5
Cd
α>90°
M ~
D2
Ld2
2、交交变频电路主要应用在什么场合?其最高输出频率(输出频率上限)一般取多少?为 什么要限制最高输出频率? (5 分)
3、说出五种带隔离变压器的开关电源常用电路的名称,下图所示电路属于哪一种?(5 分)
④ 桥臂上下两个开关器件换相时,在控制上应的控制需遵循“先断后开”的原则 ( )
2、在带有大电感负载且触发角相同的情况下,单相全控桥电路与单相半控桥电路相比: ① 全控桥的输出电压平均值低于半控桥 ② 全控桥的功率因数低于半控桥 ③ 全控桥负载电流连续而半控桥负载电流不连续 ④ 都会存在失控现象 3、Boost DC—DC 变换器: ① 工作状态(连续或断续)是根据负载电流的情况定义的 ② 在连续工作状态下,输入电流是连续的 ③ 电感的作用是储能和滤波 ④ 又可称降压斩波器 4、在谐振变换器中,下列哪些说法是正确的? ① 零电压开关、零电流开关都属于软开关 ② 软开关的开关损耗比硬开关大 ③ 软开关的开关频率可以比硬开关高 ④ 软开关的电压、电流应力与硬开关相同 ( ( ( ( ) ) ) ) ( ( ( ( ) ) ) ) ( ( ( ( ) ) ) )
j N LN I N 1 uN u s1 uN jN LN I N 1 us1
(2 分) (1 分) (1 分) (2+2 分)
I N1 I N1
电力电子技术试题二
一、 填空题 1 、普通晶闸管内部有 极。 1、两个、阳极 A、阴极 K、门极 G。 2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上 电压的同时,门极上加上 电压,晶闸 管就导通。 2、正向、触发。 3 、、晶闸管的工作状态有正向 状态,正向 状态和反向 状态。 3、 阻断、导通、阻断。 4、某半导体器件的型号为 KP50 —7 的,其中 KP 表示该器件的名称为 ,50 表 7 示 , 表示 。 4、普通晶闸管、额定电流 50A、额定电压 100V。 5、只有当阳极电流小于 电流时,晶闸管才会由导通转为截止。 5、维持电流。 6、当增大晶闸管可控整流的控制角α ,负载上得到的直流电压平均值 会 。 PN 结, ,外部有三个电极,分别是
电力电子技术试题及答案(分章节的)

电力电子技术试题(第一章)一、填空题1、普通晶闸管内部有PN结,,外部有三个电极,分别是极极和极。
1、两个、阳极A、阴极K、门极G。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时,门极上加上电压,晶闸管就导通。
2、正向、触发。
3、、晶闸管的工作状态有正向状态,正向状态和反向状态。
3、阻断、导通、阻断。
4、某半导体器件的型号为KP50—7的,其中KP表示该器件的名称为,50表示,7表示。
4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。
5、只有当阳极电流小于电流时,晶闸管才会由导通转为截止。
5、维持电流。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α,负载上得到的直流电压平均值会。
6、减小。
7、按负载的性质不同,晶闸管可控整流电路的负载分为性负载,性负载和负载三大类。
7、电阻、电感、反电动势。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时,负载两端的直流电压平均值会,解决的办法就是在负载的两端接一个。
8、减小、并接、续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。
要求管子的额定电流值要些。
9、小、脉冲、小、大。
10、单结晶体管的内部一共有个PN结,外部一共有3个电极,它们分别是极、极和极。
10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。
11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通;低于电压时就截止。
11、峰点、谷点。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压,保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发,才能得到稳定的直流电压。
12、同步、时刻。
13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。
13、正弦波、锯齿波。
14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加,利用改变的大小,来实现移相控制。
14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。
15、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止损坏晶闸管的。
15、关断过电压。
16、为了防止雷电对晶闸管的损坏,可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。
《电力电子技术》测试题及其答案

《电力电子技术》测试题及其答案一、判断题1、表示各种电力半导体器件的额定电流,都是以平均电流表示的。
(错)2、对于门极可关断晶闸管,当门极上加正触发脉冲时可使晶闸管导通,当门极加上足够的负触发脉冲时又可使导通着的晶闸管关断。
(对)3、晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门极电流,称为该管的维持电流。
(错)4、在规定条件下,不论流过晶闸管的电流波形如何,也不论晶闸管的导通角是多大,只要通过管子的电流的有效值不超过该管额定电流的有效值,管子的发热就是允许的。
(错)5、三相半波可控整流电路的最大移相范围是0°~180°。
(错)6、无源逆变是将直流电变换为某一频率或可变频率的交流电供给负载使用。
(错)7、正弦波脉宽调制(SPWM)是指参考信号为正弦波的脉冲宽度调制方式。
(对)8、直流斩波器可以把直流电源的固定电压变为可调的直流电压输出。
(错)9、斩波器的定频调宽工作方式,是指保持斩波器通端频率不变,通过改变电压脉冲的宽度来使输出电压平均值改变。
(对)10、电流型逆变器抑制过电流能力比电压型逆变器强,适用于经常要求起动、制动与反转拖动装置。
(对)11、三相桥式全控整流大电感负载电路工作于整流状态时,其触发延迟角的最大移相范围为0°~90°。
(对)12、额定电流为100A的双向晶闸管与额定电流为50A两只反并联的普通晶闸管,两者的电流容量是相同的。
(错)13、晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门极断开和正向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。
(对)14、在SPWM调制方式的逆变器中,只要改变参考信号正弦波的幅值,就可以调节逆变器输出交流电压的大小。
(错)15、在SPWM调制方式的逆变器中,只要改变载波信号的频率,就可以改变逆变器输出交流电压的频率16、若加到晶闸管两端电压的上升率过大,就可能造成晶闸管误导通。
(对)17、晶闸管整流电路中的续流二极管只是起到了及时关断晶闸管的作用,而不影响整流输出电压值及电流值。
(完整版)电力电子技术试题20套及答案

1.考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
4、面积等效原理指的是,_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_________,单管输出功率最大的是_____________,应用最为广泛的是___________。
6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。
8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内,电流的通路为________;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为_______;(3) t2~t3时间段内,电流的通路为_______;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为_______;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为_______;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是()A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是()A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有()晶闸管导通。
电力电子技术试题及答案一

电力电子技术试题(第一章)一、填空题1、普通晶闸管内部有PN结,,外部有三个电极,分别就是极极与极。
1、两个、阳极A、阴极K、门极G。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时,门极上加上电压,晶闸管就导通。
2、正向、触发。
3、、晶闸管的工作状态有正向状态,正向状态与反向状态。
3、阻断、导通、阻断。
4、某半导体器件的型号为KP50—7的,其中KP表示该器件的名称为,50表示,7表示。
4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。
5、只有当阳极电流小于电流时,晶闸管才会由导通转为截止。
5、维持电流。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α,负载上得到的直流电压平均值会。
6、减小。
7、按负载的性质不同,晶闸管可控整流电路的负载分为性负载, 性负载与负载三大类。
7、电阻、电感、反电动势。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时,负载两端的直流电压平均值会,解决的办法就就是在负载的两端接一个。
8、减小、并接、续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。
要求管子的额定电流值要些。
9、小、脉冲、小、大。
10、单结晶体管的内部一共有个PN结,外部一共有3个电极,它们分别就是极、极与极。
10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。
11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通;低于电压时就截止。
11、峰点、谷点。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压,保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发,才能得到稳定的直流电压。
12、同步、时刻。
13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压与电压。
13、正弦波、锯齿波。
14、正弦波触发电路的同步移相一般都就是采用与一个或几个的叠加,利用改变的大小,来实现移相控制。
14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。
15、在晶闸管两端并联的RC回路就是用来防止损坏晶闸管的。
15、关断过电压。
16、为了防止雷电对晶闸管的损坏,可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题第1章电力电子器件1.1.电力电子器件一般工作在电力电子器件一般工作在电力电子器件一般工作在______开关开关开关______状态。
状态。
2.2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为______通态损耗通态损耗通态损耗______,而当器件开关频率较高时,,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为功率损耗主要为______开关损耗开关损耗开关损耗______。
3.3.电力电子器件组成的系统,电力电子器件组成的系统,电力电子器件组成的系统,一般由一般由一般由______控制电路控制电路控制电路______、、_驱动电路驱动电路__、 _ _主电路主电路主电路__三部分组成,三部分组成,由由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加__保护电路保护电路______。
4.4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件单极型器件_ _ _ 、、 _双极型器件双极型器件_ _ _ 、、_复合型器件复合型器件__三类。
5.5.电力二极管的工作特性可概括为电力二极管的工作特性可概括为电力二极管的工作特性可概括为__承受正向电压导通,承受反相电压截止承受正向电压导通,承受反相电压截止__。
6.6.电力二极管的主要类型有电力二极管的主要类型有电力二极管的主要类型有__普通二极管普通二极管__、_快恢复二极管快恢复二极管__、 _ _肖特基二极管肖特基二极管肖特基二极管__。
7.7.肖特基二肖特基二极管的开关损耗极管的开关损耗__小于小于__快恢复二极管的开关损耗。
8.8.晶闸管的基本工作特性可概括为晶闸管的基本工作特性可概括为晶闸管的基本工作特性可概括为 __ __ __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ __ __ 。
电力电子技术试题库(附答案)

电力电子技术试题库(附答案)一、判断题(共100题,每题1分,共100分)1.触发脉冲具有一定的脉宽,前沿要陡。
()A、正确B、错误正确答案:A2.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。
()A、正确B、错误正确答案:A3.在DC/DC变换电路中,可以采用电网换流方法。
()A、正确B、错误正确答案:B4.单结晶体管触发电路结构简单、抗干扰能力强和运行可靠。
()A、正确B、错误正确答案:A5.双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样,双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。
()A、正确B、错误正确答案:A6.电流的波形系数是电流的有效值与平均值之比。
()A、正确B、错误正确答案:A7.快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。
()A、正确B、错误正确答案:A8.单相半波可控整流电路带电阻负载时的移相范围为0.5π。
()A、正确B、错误正确答案:B9.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。
()A、正确B、错误正确答案:B10.单相半波可控整流电路带电阻负载时输出电压平均值的最大值为U2。
()A、正确B、错误正确答案:B11.有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电网的逆变电路。
()A、正确B、错误正确答案:A12.两个以上晶闸管串联使用,是为了解决自身额定电压偏低,不能胜用电路电压要求,而采取的一种解决方法,但必须采取均压措施。
()A、正确B、错误正确答案:A13.在GTO、GTR、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是MOSFET,单管输出功率最大的是GTO,应用最为广泛的是IGBT。
()A、正确B、错误正确答案:A14.触发脉冲必须具有足够的功率。
()A、正确B、错误正确答案:A15.在三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反压为2倍相电压U2。
()A、正确B、错误正确答案:B16.三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。
()A、正确B、错误正确答案:B17.降压斩波电路斩波开关关断时,电感充电。
电力电子技术习题+参考答案

电力电子技术习题+参考答案一、单选题(共20题,每题1分,共20分)1、为了防止逆变失败,最小逆变角限制为( )。
A、100~150B、200~250C、300~350D、400~450正确答案:C2、三相半波可控整流电路的自然换相点是()A、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°B、本相相电压与相邻电压正半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°D、交流相电压的过零点正确答案:B3、逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成()A、逆阻型晶闸管B、大功率三极管C、可关断晶闸管D、双向晶闸管正确答案:A4、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率,可采用控制方法是()A、增大三角波幅度B、增大正弦调制波频率C、增大正弦调制波幅度D、增大三角波频率正确答案:B5、可实现有源逆变的电路为()。
A、三相半波可控整流电路B、单相半控桥整流电路C、三相半控桥整流桥电路D、单相全控桥接续流二极管电路正确答案:A6、目前,在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是()。
A、SCRB、GTOC、MOSFETD、IGBT正确答案:D7、电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是()A、30°~150B、0°~150°C、15°~125°D、0°~120°正确答案:B8、具有自关断能力的电力半导体器件称为( )A、触发型器件B、全控型器件C、不控型器件D、半控型器件正确答案:B9、晶闸管稳定导通的条件()A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流C、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流正确答案:A10、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是( )A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变器正确答案:D11、在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲,应依次相差()度。
电力电子技术试题及答案

德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择(每题1.5分,共60分)1、晶闸管内部有()个PN结。
A、1B、2C、3D、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压()越好。
A、越大B、越小C、不变D、越稳定3、晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的()来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有()个电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个5、下列电力半导体器件电路符号中,表示IGBT器件电路符号的是()6、比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO 7、比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是()A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO8、比较而言,下列半导体器件中性能最好的是()A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO9、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的的是()A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用()A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在()条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通,应()A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率()电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压为()A、700VB、750VC、800VD、850V16、下列电力电子器件中,()的驱动功率小,驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时()A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中,表示GTO器件电路符号的是()19、下列电力半导体器件电路符号中,表示GTR器件电路符号的是()20、下列电力半导体器件电路符号中,表示MOSFET器件电路符号的是()21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的()工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中,改变()就能改变直流电动机的转速。
电力电子技术试题20套及答案

考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大的是__GTO_,应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。
8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内,电流的通路为___VD1_____;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为___V1____;(3) t2~t3时间段内,电流的通路为__VD2_____;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为__V2_____;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为___VD1____;二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是(B )A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是( C )A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有()晶闸管导通。
电力电子技术题库含参考答案

电力电子技术题库含参考答案一、单选题(共30题,每题1分,共30分)1、下面选项中属于晶闸管派生器件的是()。
A、电力场效应晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、门极可关断晶闸管D、电力晶体管正确答案:C2、带中心抽头变压器的逆变电路,变压器匝比为( )时,uo和io波形及幅值与全桥逆变电路完全相同。
A、1:2:1B、1:1:2C、3:1:1D、1:1:1正确答案:D3、单相半波可控制整流电路阻感负载需要()续流。
A、晶闸管B、二极管C、GTRD、IGBT正确答案:B4、()不属于换流技术。
A、整流B、电力电子器件制造C、逆变D、斩波正确答案:B5、单相桥式全控整流阻感性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( )。
A、0º-180°B、0º-150°C、0º-120°D、0º-90°正确答案:D6、电压型逆变电路输出的电流波形为()。
A、因负载不同而不同B、锯齿波C、正弦波D、矩形波正确答案:A7、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( )A、0º-150°B、0º-180°C、0º-120°D、0º-90°正确答案:B8、目前所用的电力电子器件均由()制成,故也称电力半导体器件。
A、绝缘体B、金属C、半导体D、导体正确答案:C9、采用调制法得到PWM波形,把希望输出的波形作为()。
A、载波B、锯齿波C、调制信号D、正玄波正确答案:C10、斩波电路中,输出电压高于输入电压的电路称为()。
A、降压斩波B、升压斩波C、升降压斩波D、CUK斩波正确答案:B11、晶闸管额定电压一般取正常工作时晶闸管所承受峰电压的( )。
A、3~4倍B、4~5倍C、2~3倍D、1~2倍正确答案:C12、与单相全波可控整流电路功能相同的电路是()。
A、斩波电路B、单相半波可控整流电路C、三相桥式整流电路D、单相桥式整流电路正确答案:D13、逆导晶闸管是将()反并联在同一管芯上的功率集成器件。
电力电子技术测试题(含参考答案)

电力电子技术测试题(含参考答案)一、单选题(共30题,每题1分,共30分)1、相半波可控整流电路阻性负载,触发角大于30°,晶闸管各自导通不可能为()。
A、60°B、180°C、30°D、90°正确答案:B2、选用晶闸管的额定电流时,根据实际最大电流计算后至少还要乘以()。
A、2.5~3倍B、1.5~2倍C、3~3.5倍D、2~2.5倍正确答案:B3、三相半波可控整流电路阻感负载,触发角移动范围为()。
A、0º-180°B、0º-90°C、0º-120°D、0º-150°正确答案:B4、下面选项中属于晶闸管派生器件的是()。
A、绝缘栅双极晶体管B、门极可关断晶闸管C、电力晶体管D、电力场效应晶体管正确答案:B5、不带二极管续流的单相全控桥式整流电路阻感负载最大触发角度是()。
A、360°B、0°C、180°D、90°正确答案:D6、通过控制触发脉冲的相位来控制直流输出电压大小的方式称为相位控制方式称为()。
A、频率控制B、电力控制C、相位控制D、斩波控制正确答案:C7、三相桥式全控整流电路,共阳极组的晶闸管是()。
A、VT1,VT3,VT4B、VT2,VT4,VT6C、VT1,VT3,VT5D、VT1,VT2,VT5正确答案:B8、逆导晶闸管是将()反并联在同一管芯上的功率集成器件。
A、晶闸管与MOSFETB、二极管与晶闸管C、GTR与GTOD、GTR与MOSFET正确答案:B9、升降压斩波电路,当导通比a()时,可以实现升压。
A、0<a<1/2B、1<a<2C、2<a<3D、1/2<a<1正确答案:D10、()不属于换流技术。
A、逆变B、电力电子器件制造C、整流D、斩波正确答案:B11、α大于 ( ) 度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于断续状态。
电力电子技术试题及答案

电力电子技术试题及答案# 电力电子技术试题及答案## 一、选择题1. 电力电子技术主要应用于哪些领域?- A. 工业控制- B. 电力系统- C. 家用电器- D. 所有以上答案:D2. 以下哪个不是电力电子器件?- A. 晶闸管- B. 绝缘栅双极晶体管(IGBT)- C. 继电器- D. 功率模块答案:C3. 电力电子变换器的基本功能是什么?- A. 电能的产生- B. 电能的转换- C. 电能的储存- D. 电能的传输答案:B## 二、填空题1. 电力电子技术中的PWM控制方式是指______脉冲宽度调制。
答案:脉宽2. 电力电子变换器的输出波形可以通过______来改善。
答案:滤波器3. 在电力电子系统中,软开关技术可以减少______损耗。
答案:开关## 三、简答题1. 简述电力电子技术在新能源领域的应用。
答案:电力电子技术在新能源领域的应用主要包括太阳能光伏发电、风力发电等。
在这些系统中,电力电子变换器用于将不稳定的直流电转换为稳定的交流电,以满足电网的要求。
此外,电力电子技术还用于能量存储系统,如电池管理系统,以提高能源的利用效率。
2. 解释什么是电力电子变换器的效率,并说明影响其效率的因素。
答案:电力电子变换器的效率是指输入功率与输出功率的比值。
它反映了变换器在转换过程中能量损失的程度。
影响电力电子变换器效率的因素包括器件本身的导通损耗和开关损耗、电路设计、控制策略、散热条件等。
## 四、计算题1. 假设有一个单相全桥整流电路,输入电压为220V(有效值),负载为纯电阻性,求输出直流电压的平均值。
答案:单相全桥整流电路的输出直流电压平均值可以通过以下公式计算: \[ V_{DC} = \frac{2V_m}{\pi} \]其中 \( V_m \) 是输入电压的最大值,对于有效值为220V的交流电,其最大值为 \( V_m = \sqrt{2} \times 220V \)。
\[ V_{DC} = \frac{2 \times \sqrt{2} \times 220V}{\pi}\approx 309V \]2. 如果上述电路的负载不是纯电阻性的,而是一个感性负载,其电感L为10mH,求电路在负载短路时的短路电流。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
电力电子技术试题(第一章)一、填空题1、普通晶闸管内部有PN结,,外部有三个电极,分别是极极和极。
1、两个、阳极A、阴极K、门极G。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时,门极上加上电压,晶闸管就导通。
2、正向、触发。
3、、晶闸管的工作状态有正向状态,正向状态和反向状态。
3、阻断、导通、阻断。
4、某半导体器件的型号为KP50—7的,其中KP表示该器件的名称为,50表示,7表示。
4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。
5、只有当阳极电流小于电流时,晶闸管才会由导通转为截止。
5、维持电流。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α,负载上得到的直流电压平均值会。
6、减小。
7、按负载的性质不同,晶闸管可控整流电路的负载分为性负载,性负载和负载三大类。
7、电阻、电感、反电动势。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时,负载两端的直流电压平均值会,解决的办法就是在负载的两端接一个。
8、减小、并接、续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。
要求管子的额定电流值要些。
9、小、脉冲、小、大。
10、单结晶体管的内部一共有个PN结,外部一共有3个电极,它们分别是极、极和极。
10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。
11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通;低于电压时就截止。
11、峰点、谷点。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压,保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发,才能得到稳定的直流电压。
12、同步、时刻。
13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。
13、正弦波、锯齿波。
14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加,利用改变的大小,来实现移相控制。
14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。
15、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止损坏晶闸管的。
15、关断过电压。
16、为了防止雷电对晶闸管的损坏,可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。
16、硒堆、压敏电阻。
16、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫。
16、快速熔断器。
二、判断题对的用√表示、错的用×表示(每小题1分、共10分)1、普通晶闸管内部有两个PN结。
(×)2、普通晶闸管外部有三个电极,分别是基极、发射极和集电极。
(×)3、型号为KP50—7的半导体器件,是一个额定电流为50A的普通晶闸管。
()4、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零,晶闸管就会关断。
(×)5、只要给门极加上触发电压,晶闸管就导通。
(×)6、晶闸管加上阳极电压后,不给门极加触发电压,晶闸管也会导通。
(√)7、加在晶闸管门极上的触发电压,最高不得超过100V。
(×)8、单向半控桥可控整流电路中,两只晶闸管采用的是“共阳”接法。
(×)9、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。
(×)10、增大晶闸管整流装置的控制角α,输出直流电压的平均值会增大。
(×)11、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。
(√)12、为防止“关断过电压”损坏晶闸管,可在管子两端并接压敏电阻。
(×)13、雷击过电压可以用RC吸收回路来抑制。
(×)14、硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。
(×)15、晶闸管串联使用须采取“均压措施”。
(√)16、为防止过电流,只须在晶闸管电路中接入快速熔断器即可。
(×)17、快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。
(√)18、晶闸管并联使用须采取“均压措施”。
(×)22、在电路中接入单结晶体管时,若把b1、b2接反了,就会烧坏管子。
(×)23、单结晶体管组成的触发电路也可以用在双向晶闸管电路中。
(√)24、单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。
(√)25、单结晶体管组成的触发电路不能很好地满足电感性或反电动势负载的要求。
(√)三、单项选择题把正确答案的番号填在括号内(每小题1分,共10分)1、晶闸管内部有(C)PN结。
A 一个,B 二个,C 三个,D 四个2、单结晶体管内部有(A)个PN结。
A 一个,B 二个,C 三个,D 四个3、晶闸管可控整流电路中的控制角α减小,则输出的电压平均值会(B)。
A 不变,B 增大,C 减小。
4、单相半波可控整流电路输出直流电压的平均值等于整流前交流电压的()倍。
A 1,B 0.5,C 0.45,D 0.9.5、单相桥式可控整流电路输出直流电压的平均值等于整流前交流电压的()倍。
A 1,B 0.5,C 0.45,D 0.9.7、为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作,应在电路中接入(B)。
A 三极管,B 续流二极管,C 保险丝。
8、晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于(C)负载。
A 电阻性,B 电感性,C 反电动势。
9、直流电动机由晶闸管供电与由直流发电机供电相比较,其机械特性(C)。
A 一样,B 要硬一些,C 要软一些。
10、带平衡电抗器的双反星型可控整流电路适用于(A)负载。
A 大电流,B 高电压,C 电动机。
11、晶闸管在电路中的门极正向偏压(B)愈好。
A 愈大,B 愈小,C 不变12、晶闸管两端并联一个RC电路的作用是(C)。
A 分流,B 降压,C 过电压保护,D 过电流保护。
13、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来(C)。
A 分流,B 降压,C 过电压保护,D 过电流保护。
14、变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止(C)对晶闸管的损坏。
A 关断过电压,B 交流侧操作过电压,C 交流侧浪涌。
15、晶闸管变流装置的功率因数比较(B)。
A 高,B 低,C 好。
16、晶闸管变流器接直流电动机的拖动系统中,当电动机在轻载状况下,电枢电流较小时,变流器输出电流是(B)的。
A 连续,B 断续,C 不变。
18、普通晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的(C)来表示的。
A 有效值B 最大赛值C 平均值20、普通的单相半控桥可整流装置中一共用了(A)晶闸管。
A 一只,B 二只,C 三只,D 四只。
四、问答题(每小题6分,共计24分)答:电力电子变流技术现在一般都应用在可控整流、有源逆变、交流调压、逆变器(变频器)、直流斩波和无触点功率静态开关等几个方面。
1、晶闸管的正常导通条件是什么?晶闸管的关断条件是什么?如何实现?答:当晶闸管阳极上加有正向电压的同时,在门极上施加适当的触发电压,晶闸管就正常导通;当晶闸管的阳极电流小于维持电流时,就关断。
只要让加在晶闸管两端的阳极电压减小到零或让其反向,就可以让晶闸管关断。
2、对晶闸管的触发电路有哪些要求?答:为了让晶闸管变流器准确无误地工作要求触发电路送出的触发信号应有足够大的电压和功率;门极正向偏压愈小愈好;触发脉冲的前沿要陡、宽度应满足要求;要能满足主电路移相范围的要求;触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压取得同步。
3、正确使用晶闸管应该注意哪些事项?答:由于晶闸管的过电流、过电压承受能力比一般电机电器产品要小的多,使用中除了要采取必要的过电流、过电压等保护措施外,在选择晶闸管额定电压、电流时还应留有足够的安全余量。
另外,使用中的晶闸管时还应严格遵守规定要求。
此外,还要定期对设备进行维护,如清除灰尘、拧紧接触螺钉等。
严禁用兆欧表检查晶闸管的绝缘情况。
4、晶闸管整流电路中的脉冲变压器有什么作用?答:在晶闸管的触发电路采用脉冲变压器输出,可降低脉冲电压,增大输出的触发电流,还可以使触发电路与主电路在电气上隔离,既安全又可防止干扰,而且还可以通过脉冲变压器多个二次绕组进行脉冲分配,达到同时触发多个晶闸管的目地。
5、一般在电路中采用哪些措施来防止晶闸管产生误触发?答:为了防止晶闸管误导通,①晶闸管门极回路的导线应采用金属屏蔽线,而且金属屏蔽层应接“地”;②控制电路的走线应远离主电路,同时尽可能避开会产生干扰的器件;③触发电路的电源应采用静电屏蔽变压器。
同步变压器也应采用有静电屏蔽的,必要时在同步电压输入端加阻容滤波移相环节,以消除电网高频干扰;④应选用触发电流稍大的晶闸管;⑤在晶闸管的门极与阴极之间并接0.01μF ~0.1μF 的小电容,可以有效地吸收高频干扰;⑥采用触发电流大的晶闸管。
7、晶闸管的过电流保护常用哪几种保护方式?其中哪一种保护通常是用来作为“最后一道保护”用?答:晶闸管的过电流保护常用快速熔断器保护;过电流继电器保护;限流与脉冲移相保护和直流快速开关过电流保护等措施进行。
其中快速熔断器过电流保护通常是用来作为“最后一道保护”用的。
8、对晶闸管的触发电路有哪些要求?计算题 (每小题10分,共计20分)1、 单相半波可控整流电路,电阻性负载。
要求输出的直流平均电压为50~92V 之间连续可调,最大输出直流电流为30A ,由交流220V 供电,求①晶闸管控制角应有的调整范围为多少?②选择晶闸管的型号规格(安全余量取2倍,dT I I=1.66)。
解:① 单向半波可控整流电路的U L =0.45U 221αCOS +当U L =50V 时COS α=20452U U L —1=220045502⨯⨯—1≈0 则α=90° 当U L =92V 时 COS α=20452U U L —1=220045922⨯⨯—1=0.87 则α=30°∴控制角α的调整范围应为0~90° ②由dTI I =1.66知 I=1.66I d =1.66×30=50A 为最大值∴ I T(A V)=2×57.1TM I =2×57.150=64A 取100A又 U yn =2U TM =2×2×220=624V 取700V晶闸管的型号为:KP100-7。
2、 一台由220V 供电的自动恒温功率为1kW 的电炉,采用单相半控桥整流电路。
通过计算选择晶闸管和续流二极管的型号。
解:电炉电阻丝的电阻R d =dP U 22=1000220220⨯≈48Ω当α=0°时晶闸管与整流管的电流有效值才最大为 I Tm =I Dm =RdU 2παπαπ2241-+SIn =48220πππ200241-+⨯=3.2A 选择晶闸管和整流管的型号I T(A V)=(1.5~2)57.1Tm I =(1.5~2)57.12.3=34A取5A(电流系列值)U Tn =(2~3)U TM =(2~3)2×220=625~936V所以,晶闸管的型号为KP5-8 同理,整流管的型号为ZP5-83、 单相半波可控整流电路中,已知变压器次级U 2=220V ,晶闸管控制角α=45°,负载R L =10Ω。
计算负载两端的直流电压平均值、负载中电流平均值和每只晶闸管流过的电流平均值。