分离SEL CMOS图像传感器像素[发明专利]

专利名称：分离SEL CMOS图像传感器像素
专利类型：发明专利
发明人：高云飞,宇鑫·德斯蒙德·张,吴泰锡,萧锦文申请号：CN202210213738.0
申请日：20220304
公开号：CN114567737A
公开日：
20220531
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：描述了用于实现分离选择块(分离SEL)互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)像素物理架构的技术，例如，用于降低低光应用环境中的噪声。

分离SELCIS像素物理架构可包括具有一个或多个光电二极管的像素块。

在光电二极管上方，可以有：第一氧化物扩散区，其上设置有复位块和增益块；以及其上设置有选择块的第二氧化物扩散区。

在光电二极管下方，可以有第三氧化物扩散区，其上设置有源极跟随器(SF)块(例如，方栅SF晶体管)。

可以通过一组光电二极管布线迹线，以将SF块的源与选择块耦合。

该架构允许物理栅极长度和/或其他特征的显著增加。

申请人：深圳市汇顶科技股份有限公司
地址：518045 广东省深圳市福田保税区腾飞工业大厦B座13层
国籍：CN
代理机构：北京龙双利达知识产权代理有限公司
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