广达部分常见信号名称
广达部分常见信号名称
信号名称解释电压VIN 公共点电压
ACIN、ACOK 适配器检测
3V_AL、5V_AL、VL 3V、5V线性供电
+3VPCU、+5VPCU EC的待机供电
3V_S5 S5状态下的电压，南桥待机供电，触发开关后，由EC开启
+3VSUS、+5VSUS S3状态下的电压，内存供电，由EC发出SUSON开启
NBSWON# 电源开机触发信号，按下电源开关键产生高－低－高的信号至EC DNBSWON# EC发出的高－低－高有效触发信号至南桥的PWRBTN#
SLP_S4#、SLP_S3# 南桥发出的ACPI控制器信号，开机时用于电压开启，关机时用于电压关闭
S5_ON EC发出的南桥待机电压开启信号，其作用是将PCU转换S5电压
SUSON EC接收到南桥发来的SLP_S5#后产生的S3电压开启信号
MAINON EC接收到南桥发来的SLP_S3#后产生的S0电压开启信号
VR_ON EC发出的CPU核心电压开启信号
HWPG 由除CPU核心供电以外的所有供电的PG逻辑相与而来
PWROK_EC EC收到高电平HWPG信号，延时产生PWROK_EC信号
DELAY_VR_PWG CPU核心电压电源好信号
VR_PWRGD_CK410# CPU核心电压电源管理芯片发出的时钟开启信号，低电平有效CK_PWRGD 南桥收到VRMPWRGD后，发出CK_PWRGD开启时钟芯片
CPUPWRGD 在南桥内部PWROK脚位及VRMPWRGD
PLTRST# PCI复位，用于上电时复位PCI总线上的设备，合设备从初始状态开始工作CPURST# CPU复位信号，北桥接收PLTRST#后发出CPURST#给CPU
BL/C# 高电平表示电池电量低（公用于电池模式）
D/C# 与ACIN成相反的关系（适用于公有D/C#，没有BL/C#的主板）D:电池，高电平有效 C#:适配器，低电平有效
维修菜鸟摘录关于仁宝的信号,请大师们多多指点
本节内容所依据的笔记本为联想G430，对应版号/图号为_LA-4211P。其中最典型的，就是仁宝的“点火回路”与“隔离保护”电路。这两个电路的逻辑过程复杂，信号众多，难度较大，请读者特别注意。
4.5.1板载逻辑
下图为仁宝笔记本主板中各项供电的命名及时态（参考本书ACPI部分的内容）。
1. VIN：从交流适配器电源接口输入的19V直流供电（经二极管/电感隔离后）。
2. B+：交流适配器供电或电池供电——公共点
3. +CPU_CORE：CPU主供电。
4. +0.9VS：后缀中的S表示系统（System）供电，下同。系统供电是S0-S1时态的供电。用于为DDR3内存提供终结供电。
5. +1.05VS：1.05V系统供电。这是一个总线供电，几乎全部由开关电源产生。
6. +1.5VS：1.5V系统供电。这是桥的核心供电，几乎全部由开关电源产生。
7. +1.8V：从S3态开始即有1.8V DDR3内存供电内存。
8. +1.8VS：1.8V系统供电。它是+1.8V的电能来源，几乎全部由开关电源产生。
9. +2.5VS：2.5V系统供电。几乎全部由开关电源产生。
10. +3VALW（ALWays一直存在）：源自+3VALWP。+3VALWP几乎全部由开关电源产生。即3V/5V 供电中的前者。
11. +3VS：3.3V系统供电。几乎全部由开关电源产生。
12. +5VALW：源自+5VALWP。+5VALWP几乎全部由开关电源产生。即3V/5V供电中的后者。
13. +5VS：5V系统供电。几乎全部由开关电源产生。
14. +VSB：源自+VSBP。这是一个用于驱动场管获得S0时态供电的驱动电压。因此，它是由B+转换后得到的。
15. +RTCVCC：南桥RTC模块的供电。它其实也是一个“一直存在”的供电，它同时也是一个Dual双路供电。参考图“仁宝点火回路与隔离保护图-LA-4211P”
16. VS: 产生VS供电的电路如下图所示（经过重新编排）。它是一个“一直存在”的供电。参考图“仁宝点火回路与隔离保护图-LA-4211P”。
图示电路有两个电能来源：BATT+和VIN。输出两路供电：+CHGRTC和VS。既然有两个电能来源，就说明当既有主电池又有适配器时，+CHGRTC和VS可能都是Dual双路供电。
当只有主电池时：
BATT+通过PR75和PR74在PR74的1脚作为“信号”输出为51_ON#（未触发前为12V左右的高电平）。PR75的2脚也为12V左右，P沟道场管PQ6截止，VS电压为0V。
当按下开机键后，51_ON#变为持续低电平，PQ6导通，VS电压为12V左右。即VS是由51_ON#使能的。
当既有主电池也有交流适配器时：
VIN+通过二极管PD2及两等值并联电阻PR67、PR63后输出VS，电压为19V。
当按下开机键后，51_ON#变为持续低电平，PQ6导通，但PQ6的导通对VS无影响，电压仍为19V。
当只有交流适配器时：
17. VL：它与+3VALW、+5VALW、+RTCVCC相同，也是一个“一直存在”的供电。它通常都是由供电芯片内部集成的LDO产生的5V或3.3V供电。VL是由VS使能的。VL有两个用途：1）为PWM提供所需两路供电中的一路（另一路来自公共点）。2）转换后使能PWM的开关模块。
18. +CHGRTC（CHarGe RTC）：参考图“仁宝点火回路与隔离保护图-LA-4211P”。
当只有主电池时：
BATT+通过PR65和PR66为PU7（LDO）供电，经PR112、PR113后得到+CHGRTC。
当既有主电池也有交流适配器时：
VIN+先通过二极管PD2，再通过PQ6的体二极管加至PR65的2脚（此时PD1实际上是截止的），为PU7（LDO）供电，电压为19V。
当既只有交流适配器时：
综合条目17、条目18条目，PQ6主要是在只安装有主电池时，在触发后导通提供VS供电。在插入适配器时，PQ6导通与否的意义不大。
19. 51_ON#：这是仁宝笔记本主板独有的一个信号。其中的阿拉伯数字“51”，是“8051”的缩写。提起8051，就会让人想起单片机，而在笔记本主板中，单片机首先就是指EC；其中的“ON“就是打开的意思。二者结合起来，就是使能EC。
所以，51_ON#首先是一个使能信号，其低电平由开机按键按下后产生。其逻辑是“由开机按钮按下后产生的“两级触发逻辑”中的一部分。51_ON#是通过使能EC所需的待机供电
（+3VALW）来使能EC的。
下面，我们拓展一下仁宝独有的“两级触发逻辑” （请读者务必首先在主板只有主电池的条件下分析）。
要理解其独特性，就需要首先知道普通笔记本主板的触发时序。对于一般的主板而言，在按下开机按钮之前，其EC大多数已经工作。由开机按钮输入的触发信号首先由EC接收，EC 延时中转之后再送南桥，以便唤醒南桥。换句话说，一般主板的EC在没有按下开机按钮时，EC已经工作了。
但是仁宝独特就独特在这里：在按下开机按钮之前，EC并没有像其他主板那样已经工作（即仁宝的EC没有待机供电，为了在只有主电池时尽可能的省电）。
既然在按下开机按钮之前，EC并没用工作，那么为什么按下开机按钮之后，机器确又能够正常触发呢？唯一合理的解释就是：在按下开机按钮之后，从开机按钮输出的触发跳变不仅会用于唤醒南桥，还会更早地用于唤醒EC，令EC首先工作。只有这样，才能够满足EC要早于南桥工作的“触发条件”。
为了实现这个目的，仁宝独创了51_ON#这个信号。为了将51_ON#起作用的整个过程介绍清楚，笔者提出了“两级触发逻辑”（具体内容参考本节的“时序”部分）的概念。
“两级触发逻辑”中的“第一级触发”是针对EC的，触发信号是51_ON#。此时ON/OFF#信号无效。
“两级触发逻辑”中的“第二级触发”是针对南桥的。“第二级触发”是一个条件（EC必须发出EC_ON）触发。
20. EC_ON：这是标志着EC已经正常工作的状态信号。按下开机按钮后若为高，表明EC已经工作；按下开机按钮后若为低，表明EC未顺利进入工作状态。EC_ON与51_ON#是互为反相关系（从51_ON#到EC_ON的非门）的成对信号。这个信号，更进一步的明确了51_ON#就是使能EC的信号。在条目19中，笔者明确了EC_ON正常是唤醒南桥的必要条件，这里再次予以强调，换句话说EC_ON表明EC已经获得了待机供电，也可推定南桥应该同时获得待机供电。
21. PRECHG（PRECHarGe预先充电）：实际上理解为“预先供电”更为合理。此信号是“点火回路”的输出。仁宝设计点火回路的根本用意是为了在打开“市电隔离管”或“电池放电管”之前，就预先为B+供电，接受点火回路的检测，检测的结果由PRECHG输出。若PRECHG为高，表明B+无短路，可以进一步打开“市电隔离管”或“电池放电管”。若PRECHG为低，表明B+无短路，主板进入被“点火回路”保护的状态。被保护后的第一个直接结果就是立刻关闭“第二个电池放电管”。第二个直接结果就是拉低MAINPWON和ACON。实际上，仁宝使用此信号直接去控制第二个“电池放电管”的导通。
22. MAINPWON（MAIN PoWer ON主要供电开启）：首先，MAINPWON所指的“主要供电”具体是什么供电呢？其次，这个信号看起来像是一个使能信号，如果是使能信号，就意味着先有高电平的MAINPWON，才会有“主要供电”。事实上，MAINPWON并不是一个使能信号，它是一个单纯PG信号，它为高，表明“主要供电”已经正常，它为低，表明“主要供电”不正常。最后，还是要通过它的产生过程来分析（参考4.5.2“时序逻辑”中的第4个时序中的第二路内容）。从MAINPWON产生过程来看，不难得出MAINPWON实际上就是供电VL经过电阻直接隔离后变换成的标志着VL正常的PG信号。在此主板中VL直接使能“3V/5V”供电。因此，仁宝所指的主供电，就是指“3V/5V”供电。
23. ACON（AC ON交流适配器开启）：单单从信号名称看，这个信号与交流适配器有关。那么这个信号发生作用的时间应该是在插入交流适配器之后，换句话说，在只有主电池的情况下，此信号是无意义的。笔记本主板中与适配器有关的逻辑无非有以下几类：1）是否插入适配器。2）是否允许从适配器输入的市电电能进入公共点。3）适配器是否欠压/过压。ON
是开启之意，它既可以表示状态逻辑，也可以表示动作逻辑。考虑到信号ACIN是更为明确适配器插入检测信号（可通过其产生的电路来推定），不难得ACON一定不是表示“是否插入适配器”的逻辑。ACON也不太可能是表示“适配器是否欠压/过压”的含义。因此，ACON就只能是表示“是否允许从适配器输入的市电电能进入公共点”的含义。这意味着ACON要么直接、要么间接的去控制“市电隔离管”的导通和截止。
通过对图纸的分析，我们发现ACON与三个地方有关：1）点火回路的输出。2）第一个“市电隔离管”和第二个“市电隔离管”的导通控制（两个场管的栅极是并联的，是同步导通和截止的）。3）电池充电使能。
这个三个地方，其中的一个一定是ACON的产生点/电路。最后一个地方显然是使用ACON 使能“供电切换及充电芯片”的充电模块，它一定不是ACON的产生电路。而点火回路只能通过PD15（3、1脚之间）拉低ACON，既然是拉低它，就不可能是产生它，因为你只能对一个已经存在的信号进行操作（拉低或升高）。通过排除法，我们明确出这个信号只能是在第一个“市电隔离管”和第二个“市电隔离管”的导通控制处产生，那它究竟怎么产生的？
就ACON的产生方式而言，它与ACIN完全相同,也是经电阻隔离后输出，如下图所示（经过重新编排）。通过这个例子，也说明图纸的排列也会影响到我们对图纸的理解。
“交流适配器插入检测”电路中的比较器的输出PACIN分两路：1）经PR87隔离后输出为ACIN，这路用于表征状态。2）经PR132隔离后输出为ACON，这路用于执行实际的动作（直接同步驱动PQ7、PQ11以打开两个“市电供电管”，令市电电能进入公共点）。
24. ACIN(AC IN交流适配器插入):这是仁宝的交流适配器是否插入的“第一个”检测信号。由“交流适配器插入检测”电路中的比较器经PR87隔离后后输出。参考条目23 ACON。
25. PACIN：这是仁宝的交流适配器是否插入的“第二个”检测信号。由“交流适配器插入检测”电路中的比较器直接输出。参考条目23 ACON。
26. ACOFF（AC OFF 交流适配器关闭）：这个信号与“是否允许从适配器输入的市电电能进入公共点”的逻辑有关。顾名思义，它一定是用于关闭市电电能进入笔记本的通道的，顺理成章地，它还应该同时打开（连锁动作）电池电能进入笔记本的通道。通过在图纸中搜索这个信号，不难发现它是由EC发出的。这意味着仁宝的隔离保护除了受点火回路的保护之外，还受EC控制的（而不是“供电切换及充电管理芯片”）。
笔记本维修总结
进入笔记本维修行业已经半年了，这其中的辛酸不言而喻！当时的一时兴趣，成就了我现在的生活。好了不多说了，今天主要是跟大家讨论技术，把我这半年来累计到的小小经验分享给大家，希望能够对大家有所帮助！也请大神们鉴定一下我的观点的正确性，一起探讨学习，才能在维修行业走得更远！当然有些是借鉴别人的经验到的，若有雷同，纯属巧合！
笔记本维修总结
李志强
1、插电大短，要分接口短路，还是公共点短路，公共点对地值为O的一般都是电容，如果电容排除完，在拆上管，对地为10左右直接打公共点和哪个电感相通。一般用此法维修较好，用电源限定电流设置0.3A,通电带电拆，拆到木个零件电流不在0.3A说明此零件坏
2、没待机电流主要是查公共点有无电压和EC的待机:
3、有待机电流0.02左右不触发，查EC待机条件，ACIN,BIOS程序，BIOS和EC之间的线路。
4、有待机电流0.02左右按开关后轻微跳变0.04，说明南桥没有得道所需条件不发出SLP_S,南桥的RSMRST.PWBTN
5、待机正常触发到0.2-0.4之间停止或断电，主要是缺供电，一个一个测看哪个电不出来，包含二级转换电压。
6、0.6左右不动了，测CPU供电时钟复位是否有信号
7、0.7-0.9不动，这个是代码维修了，像不过内存啊显卡啊等等
8、0.9-1.2屏幕不显，过了内存还没到显卡排查PCI设备
9、补充内容PSOT自检流程，先内存，在PCI设备，然后显卡，最后显示器，外设，如果PCIE的一般先检测PCIE设备，在内存，在PCI外设，在读显卡BIOS,显示，其它外设，USB硬盘等（内存不过查内存主供电SPD供电）VREF负载供电排阻.
10、先出独显电压，再出VCORE
读完内存出VGFCORE
11、内存的辅助供电i系列是203，204脚
12、硬盘有坏道会导致进不了PE
13、X240 5声报警通病，刷BIOS
14. 查到有电压短路的话先查有隔离点的
15.DELL N4050开机挡LOGO,通病，断开独显电感就可进系统，加焊或换显卡
16.sn060809待机芯片可参考ISL6237、ISL6236、RT8206
17.在找一个供电的来源时，有电容的一端为输出脚
18.cpu供电芯片的3条件:供电，VID, EN.
19.HM6X以上的板跑码过内存后才出集显电压，所以BIOS也会影响不出集显。
20.有的图纸在【迅维】搜不到的在百度上面搜
21.无铅的温度高些，有铅的温度低些
22.外接正常，内屏暗屏白屏，硬盘灯闪，缺显示供电; 外接正常，内屏不显，显卡问题
23.EC的复位名称:ECRST#,WRST#,VCC_POR#,SMSC H8S的复位是WES*
24.广达的机器触发后才有南桥待机电压，EC的待机是电感3.3和5V
25.索尼的机器外接是不显的。HP G4的要进系统后外接才显，有些机器要拔掉屏线外接才显
26.公共点-EC待机电压-时钟-复位-程序-开启南桥待机电压
27.广达掉电必查HWPG
28.不触发和不跑码的机器先换CMOS电池
29.不跑码的测CPU复位，抓ADS波形，刷BIOS,量SYS_PWROK。
30.换CPU,内存，CMOS电池，刷BIOS
31.看上与不上内存的电流，来判断过没过内存
32.以后加焊或做BGA之前先量本体电容。
33.时钟在mini PCI 11/13 复位22
34.广达的15V转换电压是出发前就有的。
35.如果下管的控制级一直有5V,说明PWM过压保护了，处在一直放电状态。
36.CPU在得到VTT总线供电后，CPU发出VID给电源管理芯片，电源芯片在供电，驱动芯片供电，EN，VID都正常的情况下,产生VCORE。
37.公共电压的第一个MOS管可直连。
38.EC的待机供电满足，时钟复位满足，正常读取程序后，识别到适配器会发出SLP_S5_EN。
39.B460系列的铁壳MOS管通病
40.KB926QFC0可以用KB926QF D3代换
41.EC关于键盘的针脚对地值是502欧，要拿掉键盘量
42.暗屏查一下LID信号
43.戴尔两声，八声报警显卡: 七声RTC ，北桥; 九声屏;五声CMOS无法保存
44.D95280和95831芯片易坏
45.116蓝屏多半是显卡问题！
46.公共点阻值为零一般都是电容，十几欧、几十欧一般为PWM的供电上管
47.华硕的机器待机芯片发烫是由于EC坏
48.Y450掉电小板通病
49.联想V460待机0.26A, 待机芯片发烫，无明显短路，把3/5V电感翘起还是一样，问题出在线性电压上面，经查5V的线性滤波电容漏电导致!
50.DELL 1310、1320系列机器由于屏线走线设计屏幕经常开合，容易导致左下角处屏线折断。还有显卡门。
51.系统问题也会引起缺色
52.TPS51125后继短路芯片会发烫
53.量到一个电压没出，先量芯片的VDD,VDDP, BOOT, EN, 再量上管主供电，上下管G级，反馈，用示波器测电感后波形。
54.电感前端是公共点电压波形，适配器是19V,电池模式是11V
54.如果EC没发出S5_ON开启南桥待机电压，首先检查EC的工作条件:供电，时钟，复位，LID ，适配器检测，程序，如果正常就查BIOS到EC之间线路。
55.-LCD_PRESENCE: IBM主板上屏的检测信号，低电平有效，不接屏3.3，接屏为0V。
56. X201暗屏通病,LID信号不正常，是屏线旁边的休眠芯片和49脚断线导致。
57.DELL的机器，在关机之前按住“D”不松，再开机，屏幕显示红、绿、蓝、黑、白，循环，，，如果机器是显卡有问题导致屏幕不显示，，D加开机可以跳过显卡，显示这几种颜色，，可以用来判断是屏问题还是显卡问题，或者屏线问题
58.插电0.02 ，先量SLP_S3/4有无电压。
施工图常用符号及图例大全(收藏备查)
施工图常用符号及图例大全（收藏备查） 一、识图 1、先读首页图：从首页图中的图纸目录中，可以了解到该套房屋施工图由那几类专业图纸组成、各专业图纸有多少张，每张图纸的图名及图号。 2、阅读设计总说明：从中可了解设计的依据、设计标准以及施工中的基本要求，也可了解到图中没有绘出而设计人员认为应该说明的内容。 3、建筑施工图——结构施工图——设备施工图顺序逐张阅读。 4、在各类专业图纸阅读中，基本图和详图要对照阅读，看清楚各专业图纸表示的主要内容。 5、如果建筑施工图和结构施工图发生矛盾，应以结构施工图为准（构件尺寸），以保证建筑物的强度和施工质量。 二、建筑符号 1、定位轴线 （1）作用 定位轴线是施工中墙身砌筑、柱梁浇筑、构件安装等定位、放线的依据。 规定：主要承重构件，应绘制水平和竖向定位轴线，并编注轴线号；对非承重墙或次要承重构件，编写附加定位轴线。 （2）定位轴线的编号 横向定位轴线编号用阿拉伯数字，自左向右顺序编写； 纵向轴线编号用拉丁字母（除I、O、Z），自下而上顺序编写；
平面图上定位轴线的编号，宜标注在图样的下方与左侧，在两轴线之间，有的需要用附加轴线表示，附加轴线用分数编号； 对于详图上的轴线编号，若该详图同时适用多根定位轴线，则应同时注明各有关轴线的编号，如下图所示:
2、索引符号与详图符号 详细表示某些重要局部，需要另绘制其详图进行表达。 对需用详图表达部分应标注索引符号，并在所绘详图处标注详图符号。 3、标高符号 标高是标注建筑物高度方向的一种尺寸形式，以米为单位。 绝对标高：以青岛附近黄海平均海平面为零点测出的高度尺寸，它仅使用在建筑总平面图中。 相对标高：以建筑物底层室内地面为零点测出的高度尺寸。 建筑标高：指楼地面、屋面等装修完成后构件的表面的标高。如楼面、台阶顶面等标高。
常用药品名称缩写简表
常用药品名称缩写简表： 英文缩写药品名称英文缩写药品名称 5Fu 5- 氟脲嘧啶6MP 6- 巯基嘌呤 ACV 无环鸟苷ADR 阿霉素 APC 复方阿斯匹林Aza 硫唑嘌呤 BTX-A A 型肉毒毒素CBZ 卡马西平 Cef 头孢呋辛钠CEL 赛利洛尔 CIP 环丙沙星CLX 头孢氨苄 CO SMZ 复方磺胺甲基异恶唑CO VB 复方维生素 B CPZ 头孢哌酮CsA 环孢素 A CZP 氯硝西泮DMPPC 甲氧西林 DOC 多西紫杉醇Dox 阿霉素 DRL 屈洛昔芬EE 炔雌醇 EM 红霉素EPO 促红细胞生长素 重组人粒细胞集落刺激因FOM 磷霉素G-CSF 子 GL 格列齐特Gli 格列吡嗪 单唾液酸四己糖神经节苷GM 庆大霉素GM1 脂 GNS 葡萄糖钠盐GS 葡萄糖 GTW 雷公藤多苷HCL 盐酸黄酮哌酯
Ils LD LM 白细胞介素 左旋多巴 盐酸左旋咪唑 IN LFX LMWH 肌醇烟酸酯 洛非西定 低分子肝素 LNG 左炔诺孕酮LTB4 白三烯B4 LTG 拉莫三嗪LVFX 左氧氟沙星 MEBO 美宝湿润烧伤膏MINO 米诺环素 MMC 丝裂霉素MMF 霉酚酸酯 MP 甲泼尼龙MZR 咪唑立宾 NK-104 伊它伐他汀NM 硫酸新霉素 NS 生理盐水NTL 奈替米星 OFLX 氧氟沙星OTC 盐酸土霉素 PASNa 对氨基水杨酸钠PB 苯巴比妥 PPA 盐酸苯丙醇胺Pred 泼尼松 PSS 藻酸双酯钠rhEGF 重组人表皮生长因子 rhG-CSF 重组人粒细胞集落刺激因 RSG 罗格列酮子 Ru486 米非司酮SB 碳酸氢钠 SBT 舒巴坦SD 磺胺嘧啶 SDM 磺胺邻二甲氧嘧啶SFZSIZ 磺胺二甲异恶唑SG 磺胺脒SM2 磺胺二甲嘧啶SMD 磺胺对甲氧嘧啶SMM 磺胺间甲氧嘧啶
临床常用药的英文缩写
aa各 a.c. 饭前 ad 至 https://www.360docs.net/doc/0c4917533.html,.ext. 外用 a.m. 上午 A.s.t.！皮试 aq.dest. 蒸馏水 alt.2h. 每隔2小时一次 b.I.d. 每日二次 Cito! 急速地! D.S. 给予标记 g. 克 h.s. 睡时 I.d 皮内注射 I.h 皮下注射 I.m 肌肉注射 I.v 静脉注射 I.v.derp 静脉滴注I.v.drip 静脉滴注I.v.gtt 静脉滴注 I.u 国际单位 Lent! 慢慢地! m.d. 用法口授,遵照医嘱 M.D.S. 混合,给予,标记 M.f.pulv. 混合制成散剂 mg. 毫克ml. 毫升m.s. 用法口授,遵照医嘱p.a.a. 用于患处 p 单位 p.c 饭后 pg. 微克 p.m 下午 p.o. 口服 pr.aur. 耳用 prim.vic.No2 首剂倍量p.r.n 必要时 pr.nar. 鼻用 pr.ocul. 眼用 p.t.c. 皮试后 q.6h. 每6小时 q.2d. 每二天一次 q.d. 每天一次 q.h. 每小时 q.I.d. 每日四次 q.m. 每晨 q.n. 每晚 q.o.d. 隔日 q.s. 适量 q.w.d. 每周 Rp. 取 S. 标记,用法 Sig. 标记,用法
s.I.d. 每日一次 s.o.s. 需要时 St! 立即! Staim! 立即! stat.! 立即! T! 皮试 t.I.d. 每天三次 t.c.s. 皮试 常用药品名称缩写简表：英文缩写药品名称英文缩写药品名称 ADR 阿霉素 APC 复方阿斯匹林 CBZ 卡马西平 Cef 头孢呋辛钠 CIP 环丙沙星 CLX 头孢氨苄 CO SMZ 复方磺胺甲基异恶唑 CO VB 复方维生素B CPZ 头孢哌酮 CsA 环孢素A EM 红霉素 GL 格列齐特 Gli 格列吡嗪 GM 庆大霉素 GS 葡萄糖 LVFX 左氧氟沙星MEBO 美宝湿润烧伤膏 MP 甲泼尼龙 OFLX 氧氟沙星 OTC 盐酸土霉素 PASNa 对氨基水杨酸钠PB 苯巴比妥 Pred 泼尼松 PSS 藻酸双酯钠 rhEGF 重组人表皮生长因子RSG 罗格列酮 Ru486 米非司酮 SB 碳酸氢钠 SBT 舒巴坦 SD 磺胺嘧啶 TC 盐酸四环素 TNZ 替硝唑 VA 维生素A VAD 维生素AD VB1 维生素B1 VB12 维生素B12 VB2 维生素B2 VB6 维生素B6 VC 维生素C VD 维生素D VE 维生素E VPA 丙戊酸钠
常见元素符号记忆口诀
常见元素符号记忆口诀 Company Document number：WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998
常见元素符号记忆口诀 （口诀一） H氢、S硫、氧O、钾K、铜Cu； C是碳、磷是P，钠是Na、铅Pb、铁的符号Fe； Al铝、Au金、氯Cl、Ag银； N是氮、Ca钙，Mg是镁、碘是I； Zn锌、Ba钡、Mn是锰、锡Sn； Ar氩，氦He，氟是F、氖Ne、钨的符号W （口诀二） 碳是C，磷是P，铅的符号是Pb。 Cu铜，Ca钙，硅的符号Si。 H氢，S硫，钨的符号W。 金Au，银Ag，镁的符号Mg。钠Na，氖Ne，汞的符号Hg。 硼是B，钡Ba，铁的符号Fe。锌Zn，锰Mn，锡的符号Sn。 钾是K，碘是I，氟的符号是F。氧是O，氮是N，溴的符号是Br。Al铝，Cl氯，锑的符号Sb。 常见元素符号名称歌 C H O N Cl S P，（读）碳氢氧氮氯硫磷。 K Ca Na Mg Al Fe Zn，（读）钾钙钠镁铝铁锌。 Br I Mn Ba Cu Hg Ag，（读）溴碘锰钡铜汞银。 Sb Si Sn Pb W和Au，（读）锑硅锡铅钨和金 常见元素的化合价 一价：钾、钠、氯、氢、银；二价：氧、钙、钡、镁、锌；
三铝、四硅、五价磷； 谈变价也不难 二、三铁二、四碳，二、四、六硫都齐全；铜、汞二价最常见。氢氧根负一价；铵根正一价；硝酸根负一价；硫酸根负二价；碳酸根负二价。 实验室制氧气原理1：加热高锰酸钾生成锰酸钾、二氧化锰和氧气2KMnO4＝ K2MnO4＋MnO2＋O2↑ 实验室制氧气原理2：过氧化氢在二氧化锰作催化剂条件下分解反应： 2H2O2＝ 2H2O+ O2↑ 实验室制二氧化碳：大理石与稀盐酸反应 CaCO3 + 2HCl ＝ CaCl2 + H2O + CO2↑
建筑工程常用符号
建筑工程常用符号
1 施工常用数据 1-1 常用符号和代号 1-1-1 常用字母常用字母见表1-1。 常用字母表1-1 注：读音均系近似读音。
1-1-2 常用符号1-1-2-1 数学符号 数学符号见表1-2。 数学符号表1-2
1-1-2-2 法定计量单位符号 我国法定计量单位（以下简称法定单位）包括： 1．国际单位制（SI ）的基本单位（见表1-3）
国际单位制（SI）的基本单位表1-3 量的名称单位名称单位符号 长度米m 质量千克（公斤）kg 时间秒s 电流安[培] A 热力学温度开[尔文] K 物质的量摩[尔] mol 发光强度坎[德拉] cd 注：1．圆括号中的名称，是它前面的名称的同义词。 2．无方括号的量的名称与单位名称均为全称。方括号中的字，在不致引起混淆、误解的情况下，可以省略。去掉方括号中的字即为其名称的简称。下同。 3．人民生活和贸易中，质量习惯称为重量。 2．国际单位制（SI）的辅助单位（见表1-4） 国际单位制（SI）的辅助单位表1-4 量的名称单位名称单位符号 平面角弧度rad 立体角球面度sr 3．国际单位制（SI）中具有专门名称的导出单位（见表1-5） 国际单位制（SI）中的导出单位表1-5 量的名称单位名称单位符号其他表示 式例
频率赫[兹] Hz s-1 力；重力牛[顿] N kg·m/s2 帕[斯卡] Pa N/m2压力；压强； 应力 能量；功；热焦[耳] J N·m 瓦[特] W J/s 功率；辐射通 量 电荷量库[仑] C A·s 伏[特] V W/A 电位；电压； 电动势 电容法[拉] F C/V 电阻欧[姆] ΩV/A 电导西[门子] S A/V 磁通量韦[伯] Wb V·s 特[斯拉] T Wb/m2磁通量密度； 磁感应强度 电感亨[利] H Wb/A 摄氏温度摄氏度℃ 光通量流[明] lm cd·sr 光照度勒[克斯] lx 1m/m2放射性活度贝可[勒尔] Bq s-1 吸收剂量戈[瑞] Gy J/kg
初中化学常见的元素符号5.
化学用语一、记住27种元素的名称和符号。 二、记住并正确书写18个离子符号。 三、记住下列物质的化学式,且能将它正确分类。
四、记住下列反应的化学方程式。 1. 木炭在空气中充分燃烧
C+O 2 CO 2 2. 硫在空气中燃烧 S+O 2 SO 2 3. 红磷在空气中燃烧 4P+5O 2 2P 2O 5 4. 铁在氧气中燃烧 3Fe +2O 2 Fe 3O 4 5. 镁带在空气中燃烧 2 Mg +O 2 2MgO 6. 铝在空气中被氧化 4Al +3O 2 =2Al 2O 3 7. 铜在空气中加热(现象:红色固体变黑 2Cu+O 2 2CuO 8. 氢气在空气里燃烧 2H 2 +O 2 2H 2O 9. 碳在空气中不充分燃烧2C+O 2 2CO 10. 一氧化碳燃烧 2CO+O 2 2CO 2 11. 甲烷燃烧 CH 4 +2O 2 CO 2 +2H 2O 12. 乙醇燃烧 C 2H 5OH +3O 2 2CO 2 +3H 2O
13. 实验室用过氧化氢和二氧化锰的混合物制氧气 2 H 2O 2 2H 2O +O 2 ↑ 14. 实验室用加热氯酸钾和二氧化锰的混合物制氧气 2 KClO 3 2 KCl +3O 2 ↑ 15. 实验室用加热高锰酸钾的方法制氧气 2KMnO 4 K 2MnO 4 +MnO 2+O 2 ↑ 16. 实验室用大理石(或石灰石与稀盐酸反应制二氧化碳气体 CaCO 3 +2HCl =CaCl 2 +H 2O +CO 2 ↑ 17. 实验室用锌粒与稀硫酸反应来制氢气 Zn +H 2SO 4 =ZnSO 4 +H 2 ↑ 18. 水通电分解 2H 2O 2H 2↑+O 2 ↑ 19. 氢气还原氧化铜 H 2+CuO Cu +H 2O 点燃 点燃点燃点燃 MnO 2 MnO 2 △通电点燃 点燃点燃点燃点燃点燃
弱电工程符号大全
弱电工程符号大全
弱电工程符号大全 SR：沿钢线槽敷设 BE：沿屋架或跨屋架敷设CLE：沿柱或跨柱敷设 WE：沿墙面敷设 CE：沿天棚面或顶棚面敷设ACE：在能进入人的吊顶内敷设BC：暗敷设在梁内 CLC：暗敷设在柱内 WC：暗敷设在墙内 CC：暗敷设在顶棚内 ACC：暗敷设在不能进入的顶棚内FC：暗敷设在地面内 SCE：吊顶内敷设,要穿金属管 一、导线穿管表示 SC-焊接钢管 MT-电线管 PC-PVC塑料硬管 FPC-阻燃塑料硬管 CT-桥架
MR-金属线槽 M-钢索 CP-金属软管 PR-塑料线槽 RC-镀锌钢管 二、导线敷设方式的表示DB-直埋 TC-电缆沟 BC-暗敷在梁内 CLC-暗敷在柱内 WC-暗敷在墙内 CE-沿天棚顶敷设 CC-暗敷在天棚顶内SCE-吊顶内敷设 F-地板及地坪下 SR-沿钢索 BE-沿屋架，梁 WE-沿墙明敷 三、灯具安装方式的表示CS-链吊
沿或跨梁（屋架）敷设：AB 暗敷在梁内：BC 沿或跨柱敷设：AC 暗敷设在柱内：CLC 沿墙面敷设：WS 暗敷设在墙内：WC 沿天棚或顶板面敷设：CE 暗敷设在屋面或顶板内：CC 吊顶内敷设：SCE 地板或地面下敷设：FC 矿用铠装控制电缆； MKVV22,MKVV32 2*0.5,3*0.75,4*4,------37*1.5mm 铠装控制电缆； KVV22,KVV32,KVVR22 2*0.5,3*0.75,4* 4,------37*1.5mm 铠装屏蔽控制电缆 KVVP-22,RVVP-22,KVVRP-22,KVVP2-22, KVVRP2-22 2*0.5,3*0.75,4*4,------37*1.5mm
电气符号大全
字符电路图符号大全： AAT 电源自动投入装置 AC 交流电 DC 直流电 FU 熔断器 G 发电机 M 电动机 HG 绿灯 HR 红灯 HW 白灯 HP 光字牌 K 继电器 KA(NZ) 电流继电器(负序零序) KD 差动继电器 KF 闪光继电器 KH 热继电器 KM 中间继电器 KOF 出口中间继电器 KS 信号继电器 KT 时间继电器 KV(NZ) 电压继电器(负序零序) KP 极化继电器 KR 干簧继电器 KI 阻抗继电器 KW(NZ) 功率方向继电器(负序零序) KM 接触器 KA 瞬时继电器；瞬时有或无继电器；交流继电器KV电压继电器 L 线路 QF 断路器 QS 隔离开关 T 变压器 TA 电流互感器 TV 电压互感器 W 直流母线 YC 合闸线圈 YT 跳闸线圈 PQS 有功无功视在功率 EUI 电动势电压电流 SE 实验按钮 SR 复归按钮
f 频率 Q——电路的开关器件 FU——熔断器 FR——热继电器 KM——接触器 KA——1、瞬时接触继电器2、瞬时有或无继电器3、交流继电器KT——延时有或无继电器 SB——按钮开关Q——电路的开关器件 FU——熔断器 KM——接触器 KA——1、瞬时接触继电器2、瞬时有或无继电器3、交流继电器KT——延时有或无继电器 SB——按钮开关 SA 转换开关 电流表PA 电压表PV 有功电度表PJ 无功电度表PJR 频率表PF 相位表PPA 最大需量表(负荷监控仪) PM 功率因数表PPF 有功功率表PW 无功功率表PR 无功电流表PAR 声信号HA 光信号HS 指示灯HL 红色灯HR 绿色灯HG 黄色灯HY 蓝色灯HB 白色灯HW 连接片XB 插头XP 插座XS 端子板XT 电线电缆母线W 直流母线WB 插接式(馈电)母线WIB 电力分支线WP 照明分支线WL
施工图常用符号、图例大全
施工图常用符号、图例大全 一、定位轴线 1、作用 定位轴线是施工中墙身砌筑、柱梁浇筑、构件安装等定位、放线的依据。 规定：主要承重构件，应绘制水平和竖向定位轴线，并编注轴线号；对非承重墙或次要承重构件，编写附加定位轴线。 2、定位轴线的编号 1）横向定位轴线编号用阿拉伯数字，自左向右顺序编写； 2）纵向轴线编号用拉丁字母（除I、O、Z），自下而上顺序编写。 平面图上定位轴线的编号，宜标注在图样的下方与左侧。在两轴线之间，有的需要用附加轴线表示，附加轴线用分数编号。 3）对于详图上的轴线编号，若该详图同时适用多根定位轴线，则应同时注明各有关轴线的编号，如下图所示。
二、索引符号与详图符号 1）详细表示某些重要局部，需要另绘制其详图进行表达。 2）对需用详图表达部分应标注索引符号，并在所绘详图处标注详图符号。 三、标高符号 标高是标注建筑物高度方向的一种尺寸形式，以米为单位。 绝对标高：以青岛附近黄海平均海平面为零点测出的高度尺寸，它仅使用在建筑总平面图中。相对标高: 以建筑物底层室内地面为零点测出的高度尺寸。 建筑标高: 指楼地面、屋面等装修完成后构件的表面的标高。如楼面、台阶顶面等标高。 结构标高: 指结构构件未经装修的表面的标高。如圈梁底面、梁顶面等标高。
四、引出线
五、其他符号 1、连接符号： 对于较长的构件，当其长度方向的形状相同或按一定规律变化时，可断开绘制，断开处应用连接符号表示。 连接符号为折断线(细实线)，并用大写拉丁字母表示连接编号。 2、折断符号 1）直线折断：当图形采用直线折断时，其折断符号为折断线，它经过被折断的图面。 2）曲线折断：对圆形构件的图形折断，其折断符号为曲线。
各种电子元件符号大全
各种电子元件符号 普通的二极管 表示符号:D 变容二极管 表示符号:D 双向触发二极管 表示符号:D 稳压二极管 表示符号:ZD,D 稳压二极管注：单向型 TVS瞬态电压抑制二极 管也是这个符号表示符 号:ZD,D 桥式整流二极管 表示符号:D 肖特基二极管隧道二极管 隧道二极管 光敏二极管或光电接 收二极管 发光二极管 表示符号：LED 双色发光二极管 表示符号：LED 光敏三极管或光电接收 三极管 表示符号：Q,VT 单结晶体管（双基极二 极管） 表示符号：Q,VT 复合三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT PNP型三极管 表示符号：Q,VT PNP型三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管NPN型 三极管 表示符号：Q,VT
带阻 尼二极管及电阻 NPN型三极管 表示符号：Q,VT IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管IGBT 场 效应管 表示符号：Q,VT 双向型 TVS瞬态电压 抑制二极管 接面型场效应管 P-JFET 接面型场效应管 N-JFET 场效应管增强型 P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型 P-MOS 场效应管耗尽型 N-MOS 电阻电阻器或固定电 阻表示符号：R 电阻电阻器或固定电阻 表示符号：R 电位器 表示符号:VR，RP,W 可调电阻或微调电阻 表示符号:VR，RP,W 可调电阻或微调电阻 表示符号:VR，RP,W 电位器 表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻 表示符号：RT 二脚消磁电阻 表示符号：RT 压敏电阻 表示符号：RZ,VAR 热敏电阻 表示符号：RT
最全数学特殊符号大全
常用数学符号大全 [标签：数学] 1 几何符号 ?ⅷⅶ????△ 2 代数符号 ⅴⅸⅹ～????? ⅵ? 3运算符号 ×÷ⅳ± 4集合符号 ??ⅰ 5特殊符号 ⅲπ（圆周率） 6推理符号 |a| ??△ⅶ?? ??±??ⅰ?
???↖↗↘↙ ⅷⅸⅹ &; § ??←↑→↓??↖↗ΓΔΘΛΞΟΠ ΣΦΧΨΩ αβγδεδε ζηθικλ μνπξζηυ θχψω Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ Ⅶ Ⅷ Ⅸ Ⅹ Ⅺ Ⅻ ⅰ ⅱ ⅲ ⅳ ⅴ ⅵ ⅶ ⅷ ⅸ ⅹ ⅰⅱⅲ?ⅳⅴⅵ? ⅶ ?ⅷⅸⅹ???? ????????? ???????⊕????℃
指数0123：o123 上述符号所表示的意义和读法（中英文参照）＋ plus 加号；正号 － minus 减号；负号 ± plus or minus 正负号 × is multiplied by 乘号 ÷ is divided by 除号 ＝ is equal to 等于号 ? is not equal to 不等于号 ? is equivalent to 全等于号 ? is approximately equal to 约等于 ? is approximately equal to 约等于号＜ is less than 小于号 ＞ is more than 大于号 ? is less than or equal to 小于或等于
? is more than or equal to 大于或等于％ per cent 百分之… ⅵ infinity 无限大号 ⅳ (square) root 平方根 X squared X的平方 X cubed X的立方 ? since; because 因为 ? hence 所以 ⅶ angle 角 ? semicircle 半圆 ? circle 圆 ○ circumference 圆周 △ triangle 三角形 ? perpendicular to 垂直于 ? intersection of 并，合集
常见元素符号记忆口诀
常见元素符号记忆口诀 （口诀一） H氢、S硫、氧O、钾K、铜Cu； C是碳、磷是P，钠是Na、铅Pb、铁的符号Fe； Al铝、Au金、氯Cl、Ag银； N是氮、Ca钙，Mg是镁、碘是I； Zn锌、Ba钡、Mn是锰、锡Sn； Ar氩，氦He，氟是F、氖Ne、钨的符号W （口诀二） 碳是C，磷是P，铅的符号是Pb。 Cu铜，Ca钙，硅的符号Si。H氢，S硫，钨的符号W。 金Au，银Ag，镁的符号Mg。钠Na，氖Ne，汞的符号Hg。 硼是B，钡Ba，铁的符号Fe。锌Zn，锰Mn，锡的符号Sn。 钾是K，碘是I，氟的符号是F。氧是O，氮是N，溴的符号是Br。Al铝，Cl氯，锑的符号Sb。 常见元素符号名称歌 C H O N Cl S P，（读）碳氢氧氮氯硫磷。 K Ca Na Mg Al Fe Zn，（读）钾钙钠镁铝铁锌。 Br I Mn Ba Cu Hg Ag，（读）溴碘锰钡铜汞银。 Sb Si Sn Pb W和Au，（读）锑硅锡铅钨和金
常见元素的化合价 一价：钾、钠、氯、氢、银；二价：氧、钙、钡、镁、锌； 三铝、四硅、五价磷； 谈变价也不难 二、三铁二、四碳，二、四、六硫都齐全；铜、汞二价最常见。氢氧根负一价；铵根正一价；硝酸根负一价；硫酸根负二价；碳酸根负二价。 实验室制氧气原理1：加热高锰酸钾生成锰酸钾、二氧化锰和氧气2KMnO4＝K2MnO4＋MnO2＋O2↑ 实验室制氧气原理2：过氧化氢在二氧化锰作催化剂条件下分解反应：2H2O2＝2H2O+ O2↑ 实验室制二氧化碳：大理石与稀盐酸反应 CaCO3 + 2HCl ＝CaCl2 + H2O + CO2↑
常用电器符号大全
有用的常用电器符号 序号元件名称新符号旧符号 1 继电器 K J 2 电流继电器 KA LJ 3 负序电流继电器 KAN FLJ 4 零序电流继电器 KAZ LLJ 5 电压继电器 KV YJ 6 正序电压继电器 KVP ZYJ 7 负序电压继电器 KVN FYJ 8 零序电压继电器 KVZ LYJ 9 时间继电器 KT SJ 10 功率继电器 KP GJ 11 差动继电器 KD CJ 12 信号继电器 KS XJ 13 信号冲击继电器 KAI XMJ 14 继电器 KC ZJ 15 热继电器 KR RJ 16 阻抗继电器 KI ZKJ 17 温度继电器 KTP WJ 18 瓦斯继电器 KG WSJ 19 合闸继电器 KCR或KON HJ 20 跳闸继电器 KTR TJ 21 合闸继电器 KCP HWJ 22 跳闸继电器 KTP TWJ 23 电源监视继电器 KVS JJ 24 压力监视继电器 KVP YJJ 25 电压继电器 KVM YZJ 26 事故信号继电器 KCA SXJ 27 继电保护跳闸出口继电器 KOU BCJ 28 手动合闸继电器 KCRM SHJ 29 手动跳闸继电器 KTPM STJ 30 加速继电器 KAC或KCL JSJ 31 复归继电器 KPE FJ 32 闭锁继电器 KLA或KCB BSJ 33 同期检查继电器 KSY TJJ 34 自动准同期装置 ASA ZZQ 35 自动重合闸装置 ARE ZCJ 36 自动励磁调节装置 AVR或AAVR ZTL 37 备用电源自动投入装置 AATS或RSAD BZT 38 按扭 SB AN 39 合闸按扭 SBC HA 40 跳闸按扭 SBT TA 85 热电阻 RT 86 电位器 RP
施工图上常用符号大全
施工图纸常用的符号集锦 2018-03-08广联达造价圈广联达造价圈 一、钢筋平法图集常用符号解释 la :非抗震构件的钢筋锚固长度。 laE :抗震构件的钢筋锚固长度。 bw :剪力墙的厚度。 bf :转角处的暗柱的厚度。 In :梁的净跨度。 IIE :钢筋的搭接长度。 he :支座的净宽度。 Av:为约束边缘构件的配筋特征值，计算配筋率时箍筋或拉筋抗拉强度设计值超过360N/mm2 ，应按360N/mm2 计算；箍筋或拉筋沿竖 向间距：一级不宜大于100mm ,二级不宜大于150mm 。 bf :剪力墙厚度。 be :端柱端头的宽度。 bw :剪力墙厚度。
1c :为约束边缘构件沿墙肢的长度，不应小于图集中表内的数值、 1.5bw 和450mm 三者的最大值，有翼墙或端柱时尚不应小于翼墙厚度或端柱沿墙肢方向截面高度；加300mm 。 In :梁跨度值。 lae :纵向受拉钢筋抗震锚固长度。 la :受拉钢筋最小锚固长度。 lie :纵向受拉钢筋抗震（绑扎）搭接长度。 II :纵向受拉钢筋非抗震绑扎搭接长度。 Ini :梁本跨的净跨值。 hac :暗柱长度。 Hn :所在楼层的柱净高。 hc :柱截面长边尺寸（圆柱为截面直径），也表示为端柱的宽度。 hw :抗震剪力墙墙肢的长度（也表示梁净高）。 hb :梁截面高度。
Ac :为计算边缘构件纵向构造钢筋的暗柱或端柱的截面面积。
、各类结构构件名称代码1、柱 KZ——-框架柱 KZZ —-框支柱 XZ——芯柱 LZ -梁上柱 —— QZ - 剪力墙上柱 2、剪力墙 (1 ) 墙柱 YDZ —-约束边缘端柱YAZ —-约束边缘暗柱YYZ ——约束边缘翼墙柱YJZ —约束边缘转角柱
常用缩写
缩写原文（拉丁文/文）中文译意备注 12N ——/12 clock at noon 中午12点 Am ante meridiem/before noon 上午 AC ante cibum/before meals 饭前 PC表示饭后，HS表示临睡前 BID bis in die/twice day 每日两次 DC ——/discontinue 停止 MN ——/mid night 午夜零点 Pm post meridiem/after noon 下午 PRN pro re nata/as necessary 需要时（长期医嘱） QD quaque die/every day 每日一次 QID quarter in die/four times a day 每日四次 Qh quaque hora/every hour 每小时一次 Q.2h quaque 2 hora/every 2 hous 每2小时一次 Q.4h，Q.6h等表示每4小时一次、每6小时一次 QOD quaque omni die/every other day 隔日一次 QM，QN分别表示每早一次、每晚一次 ST statim/immediately 立即 SOS si opus sit/one dose if necessary 需要时（限用一次，12小时内有效） TID ter in die/three times a day 每日三次 常用的基本就这些了，还有ID表示皮内注射，IM表示肌肉注射，IH表示皮下注射，IVgtt 表示静脉输液，PO表示口服。这些常用缩写在医嘱单上都可以看到（长期医嘱单和临时医嘱单）。 以上的所有缩写大小写均可以互换，没有影响。 aa 各a.c. 饭前 ad 至https://www.360docs.net/doc/0c4917533.html,.ext. 外用 a.m. 上午A.s.t.！皮试 aq.dest. 蒸馏水alt.2h. 每隔2小时一次 b.I.d. 每日二次 Cito! 急速地! D.S. 给予标记 g. 克 h.s. 睡时 I.d 皮内注射I.h 皮下注射 I.m 肌肉注射I.v 静脉注射 I.v.derp 静脉滴注I.v.drip 静脉滴注 I.v.gtt 静脉滴注I.u 国际单位 Lent! 慢慢地! m.d. 用法口授,遵照医嘱
初中化学常见的元素符号
常见的元素符号： 氢氦锂铍硼，碳氮氧氟氖，钠镁铝硅磷，硫氯氩钾钙。锰钡碘H He Li Be B , C N O F Ne , Na Mg Al Si P , S Cl Ar K Ca 。Mn Ba I 金属活动性顺序：钾钙钠镁铝，锌铁锡铅氢铜汞银铂金 K Ca Na Mg Al， Zn Fe Sn Pb（H），Cu Hg Ag Pt Au 常见元素的化合价：金正，非负，单质零，氢+1，氧-2，正负总价和为零。 钾钠银氢+1价，钙镁钡锌+2价；氟氯溴碘-1价，通常氧是-2价； 铜+1，+2铝+3；铁有+2，+3 硅+4； 2，4，6硫 2，4碳； 氮磷-3，+5最常见；2，4，6，7锰变价；单质中元素零价要记清。化学式： 单质：氢气H2氧气O2氮气N2氯气Cl2氖气Ne碳 C 铜Cu铁Fe 化合物：氧化物：一氧化碳CO二氧化碳CO2五氧化二磷P2O5二氧化硫SO2二氧化锰MnO2三氧化二铁Fe2O3四氧化三铁Fe3O4 氧化亚铁FeO氧化镁MgO氧化钙CaO三氧化二铝Al2O3 氧化汞HgO氧化铜CuO 酸：盐酸HCl硫酸H2SO4硝酸HNO3碳酸H2CO3磷酸H3PO4碱：氢氧化钠NaOH氢氧化钙Ca(OH)2氢氧化钡Ba(OH)2氢氧化钾KOH 氢氧化铁（红褐色）Fe(OH)3氢氧化铜（蓝色）Cu(OH)2 盐：氯化钠NaCl氯化镁MgCl2氯化铝AlCl3 氯化钾 KCl氯化铁FeCl3氯化亚铁FeCl2氯化锌ZnCl2 氯化钡BaCl2氯化铜CuCl2氯化银AgCl（盐酸盐） 碳酸钙CaCO3碳酸钠Na2CO3碳酸钾K2CO3碳酸钡BaCO3 硫酸亚铁FeSO4硫酸铁Fe2(SO4)3硫酸钠Na2SO4硫酸镁MgSO4 硫酸铝Al2(SO4)3硫酸铜CuSO4硫酸锌ZnSO4硫酸钡BaSO4 硝酸银AgNO3硝酸汞Hg(NO3)2硝酸锌Zn(NO3)2硝酸钡Ba(NO3)2 -1硝酸、氢氧根，-2碳酸、硫酸根，-3记住磷酸根，+1价的是铵根。
各种常用电子元件符号及其名称
各种常用电子元件符号 二极管变容二极管 表示符号:D 表示符号:D 双向触发二极管稳压二极管 表示符号:D 表示符号:ZD,D 稳压二极管桥式整流二极管 表示符号:ZD,D 表示符号:D 肖特基二极管隧道二极管 隧道二极管光敏二极管或光电接收二极管发光二极管双色发光二极管 表示符号：LED 表示符号：LED 光敏三极管或光电接收三极管单结晶体管（双基极二极管）表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT 复合三极管NPN型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT PNP型三极管PNP型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT NPN型三极管带阻尼二极管NPN型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT
电子元器件符号图形 接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS 电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电位器可调电阻 表示符号:VR，RP,W 表示符号:VR，RP,W 电位器可调电阻 表示符号:VR，RP,W 表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻二脚消磁电阻 表示符号：RT 表示符号：RT 压敏电阻表示符号：RZ,VAR 热敏电阻表示符号：RT 光敏电阻电容（有极性电容） CDS 表示符号： 电容（有极性电容）可调电容 表示符号：C 表示符号：C 电容（无极性电容）四端光电光电耦合器 表示符号：C 表示符号：IC，N 六端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 电子元器件符号图形 单向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 晶振石英晶体振荡器表示符号：X 晶振石英晶体振荡器石英晶体滤波器
常用医学英文缩写对照表
常用医学英文缩写对照 表 Company Document number：WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998
缩写字拉丁文中文 aa. . . . . . . . Ac.;acid. Ad.;add Adlid . ..) Amp. . Aq. . . . . . Cap . . . . Catapl. . Cit. Collum. Collut. Collyr. Co. Ana Antecibos Antedecubitum Alternishoris Antejentaculum Antemeridiem Anteparndium Anteusumagitetur Absentefebri Acidum Ad Adlibitum Adusumexternum Adusuminternum Alternisdiebus (alternodie) Ampulla Antecoenam Aqua Aquabulliens Aquacalida Aquacommunis Aquadestillata Aquafervens AquaFontana Aquasterilisata Bisindie Cape,capiat Capsulaamylacea Capsulagelatinosa Capsuladura Capsulamollis Cataplasma Centimetrumcubicum Centigramma Cito Collunarium Collutorium Collyrium Compcitus 各 饭前 睡前 每2小时，隔1小时 早饭前 上午，午前 午饭前 使用前振荡 不发烧时 酸 到、为、加至 随意、任意量 外用 内服 隔日 安瓶（瓿） 晚饭前 水 开水，沸水 热水 普通水 蒸馏水 热水 泉水 无菌水 1日2次 应服用 淀粉襄 胶襄 硬胶襄 软胶襄 泥济 西西，公撮，立方公分 厘克，百分之一公分 快 洗鼻剂 漱口济
常用化疗药物中英文药物名称和缩写对照表
肿瘤化疗药物中英文药物名称和缩写对照表 A Aclacinomycin ACLA 阿克拉霉素 Alemtuznmab 阿来组单抗, 抗CD52嵌合抗体 All-trans retinoic acid， ATRA, RA 全反式维甲酸, 维A酸 Aminoglutethimide AG 氨基导眠能, 氨鲁米特, 氨苯哌酮 Anastrozole, Arimidex 瑞宁得, 阿纳托唑, 阿那曲唑 Arsenic trioxide AS2O3 三氧化二砷 Asparaginase L-ASP 门冬酰胺酶 B Bevacizumab, Avastin BEV 抗血管内皮生长因子单克隆嵌合抗体 Bicalutamide, Casodex 比卡鲁胺 Bleomycin BLM 博来霉素 Busulfan, Myleran BUS, BSF 白消安, 马利兰 C Calichcamicin 人源化抗CD33单克隆抗体 Camptothecin CPT 喜树碱 Carboplatin, Paraplatin CBP 卡铂 Carmofur HCFU 卡莫氟, 嘧福禄 Carmustine BCNU 卡莫司汀,卡氮芥 Chlorambucil, Leukeran CLB 苯丁酸氮芥, 痛可宁 Cisplatin PDD, CDDP 顺铂
Cladribine, 2-chlorooxyadenosine CDA, 2-Cd A 2-氯脱氧腺苷, 克拉屈滨 Colchicine COL 秋水仙碱 Colchicine amide COLM 秋水仙酰胺 Compound Diphenoxylate Tablets 苯乙哌啶 Cyclocytidine CCY 环胞苷, 安西他滨 Cyclophosphamide CTX 环磷酰胺（烷化剂类抗肿瘤药） Cytarabine, Cytosine arabinoside Ara-C 阿糖胞苷 Dacarbazine DTIC 达卡巴嗪, 氮烯咪胺 D Dactinomycin, Actinomycin D ACD 放线菌素D, 更生霉素 Daunorubicin DNR 柔红霉素, 正定霉素 Dexamethasone DXM 地塞米松 Dexrazoxane 右雷佐生 Diphenhy dramine 苯海拉明 Doxorubicin, Adriamycin ADM 阿霉素, 多柔比星 E Elemene Emulsion 榄香烯乳 Epirubicin, Epidoxorubicin EPI 表阿霉素, 表柔比星（阿霉素类） Estramustine EM 癌腺治, 雌二醇氮芥, 雌莫司汀 Etoposide VP-16 足叶乙苷, 鬼臼乙叉甙, 依托泊苷, 足叶已甙 Exemestane EXE 依西美坦, 艾罗美新 F Femara, Letrozole LTZ 来曲唑：是新一代抑制剂，为人工合成的苄三唑类衍生物，
常用化学元素符号表
常用化学元素符号 元素名称符号元素名称符号元素名称符号铬Cr铌Nb铅Pb 镍Ni钽Ta铋Bi 硅Si氢H锕Ac 锰Mn碳C铈Ce 铝Al氧O铍Be 磷P钠Na铯Se 钨W镁Mg锆Zr 钼Mo硫S镧La 钒V氯Cl钡Ba 钛T钾K汞Hg 铜Cu锌Zn钙Ca 铁Fe银Ag碘I 硼B锡Sn溴Br 钴Co锑Sb氟F 氮N金Au烯土Re 常用分子式 氮气：N2氢气：H2甲烷：CH4氧气：O2 氨：NH3水：H2O 一氧化碳：CO 二氧化碳：CO2 硫：S 二氧化硫：SO2硫代硫酸钠：Na2S2O3 铁：Fe 二价铁离子：Fe2＋三价铁离子：Fe3＋硫酸钠：Na2SO4 磷酸三钠：Na3PO4碳酸钠：Na2CO3 碳酸钙：CaCO3碳酸氢钠：NaHCO3氢氧化钠：NaOH 盐酸：HCL 碳酸氢铵：NH4HCO3硝酸：HNO3 硫酸：H2SO4尿素：CO(NH2) 碳酸：H2CO3 化学需氧量：COD 高锰酸钾：KMnO4锰酸钾：K2MnO4 缩二尿：NH2CONHCONH2硝酸银：AgNO3硫酸铜：CuSO4 碳酸丙稀脂（碳丙液）：C3H6CO3甲醇：CH3OH 乙醇：CH3CH2OH 甲醛：HCHO 一甲氨：NH2CH3二甲氨：NH（CH3）2 三甲氨：N（CH3）3 三氧化二铝：AL2O3三氧化二铁：Fe2O3 氧化铜：CuO 氯化钠：NaCL 一、初中化学常见混合物的重要成分 1、空气：氮气（N2）和氧气（O2）
2、水煤气：一氧化碳（CO）和氢气（H2） 3、煤气：一氧化碳（CO） 4、天然气：甲烷（CH4） 5、石灰石/大理石：（CaCO3） 6、生铁/钢：（Fe） 7、木炭/焦炭/炭黑/活性炭：（C） 8、铁锈：（Fe2O3） 二、初中化学常见物质俗称 1、氯化钠（NaCl）：食盐 2、碳酸钠(Na2CO3) ：纯碱，苏打，口碱 3、氢氧化钠(NaOH)：火碱，烧碱，苛性钠 4、氧化钙(CaO)：生石灰 5、氢氧化钙(Ca(OH)2)：熟石灰，消石灰 6、二氧化碳固体(CO2)：干冰 7、氢氯酸(HCl)：盐酸 8、碱式碳酸铜(Cu2(OH)2CO3)：铜绿 9、硫酸铜晶体(CuSO4 .5H2O)：蓝矾，胆矾 10、甲烷(CH4)：沼气 11、乙醇(C2H5OH)：酒精 12、乙酸(CH3COOH)：醋酸 13、过氧化氢(H2O2)：双氧水 14、汞(Hg)：水银 15、碳酸氢钠（NaHCO3）：小苏打 三、物质的除杂 1、CO2（CO）：把气体通过灼热的氧化铜， 2、CO（CO2）：通过足量的氢氧化钠溶液 3、H2（水蒸气）：通过浓硫酸/通过氢氧化钠固体 4、CuO(C):在空气中（在氧气流中）灼烧混合物 5、Cu(Fe) :加入足量的稀硫酸 6、Cu(CuO):加入足量的稀硫酸 7、FeSO4(CuSO4): 加入足量的铁粉 8、NaCl(Na2CO3):加入足量的盐酸 9、NaCl(Na2SO4):加入足量的氯化钡溶液 10、NaCl(NaOH):加入足量的盐酸 11、NaOH（Na2CO3）：加入足量的氢氧化钙溶液 12、NaCl（CuSO4）：加入足量的氢氧化钡溶液 13、NaNO3(NaCl):加入足量的硝酸银溶液 14、NaCl(KNO3):蒸发溶剂 15、KNO3（NaCl）：冷却热饱和溶液。 16、CO2（水蒸气）：通过浓硫酸
电子电路符号大全
常用电子元器件参考大全第一节部分电气图形符号 一．电阻器、电容器、电感器和变压器
第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器 1．电阻器和电位器的型号命名方法 (1)精密金属膜电阻器 R J7 3 第四部分：序号 第三部分：类别（精密） 第二部分：材料（金属膜） 第一部分：主称（电阻器） (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分：序号 第三部分：类别（多圈） 第二部分：材料（线绕） 第一部分：主称（电位器） 2．电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率
电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3．电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ， RJ71－0.125－5k1－II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号 1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误
常用医学英文缩写对照表
缩写字拉丁文中文 aa. . . . . . . . Ac.;acid. Ad.;add Ad lid Ad Ad . ..) Amp. . Aq. . . . . . Cap . . . . Catapl. . Cit. Collum. Collut. Collyr. Co. Ana Ante cibos Ante decubitum Alternis horis Ante jentaculum Ante meridiem Ante parndium Ante usum agitetur Absente febri Acidum Ad Ad libitum Ad usum externum Ad usum internum Alternis diebus (alterno die) Ampulla Ante coenam Aqua Aqua bulliens Aqua calida Aqua communis Aqua destillata Aqua fervens Aqua Fontana Aqua sterilisata Bis in die Cape,capiat Capsula amylacea Capsula gelatinosa Capsula dura Capsula mollis Cataplasma Centimetrum cubicum Centigramma Cito Collunarium Collutorium Collyrium Compcitus 各 饭前 睡前 每2小时，隔1小时 早饭前 上午，午前 午饭前 使用前振荡 不发烧时 酸 到、为、加至 随意、任意量 外用 内服 隔日 安瓶（瓿） 晚饭前 水 开水，沸水 热水 普通水 蒸馏水 热水 泉水 无菌水 1日2次 应服用 淀粉襄 胶襄 硬胶襄 软胶襄 泥济 西西，公撮，立方公分 厘克，百分之一公分 快 洗鼻剂 漱口济 洗眼剂 复方的