cc2590 芯片手册

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FEATURES APPLICATIONS

DESCRIPTION CC2590BLOCK DIAGRAM

RF_P

RXTX

RF_N

PAEN

EN

CC2590

https://www.360docs.net/doc/0d3635541.html,........................................................................................................................................................................................SWRS080–SEPTEMBER2008

2.4-GHz RF Front End,14-dBm output power

?All2.4-GHz ISM Band Systems

?Seamless Interface to2.4-GHz Low Power RF

Devices from Texas Instruments?Wireless Sensor Networks

?Wireless Industrial Systems

?Up to+14-dBm(25mW)Output Power

?IEEE802.15.4and ZigBee Systems

?6-dB Typical Improved Sensitivity on CC24xx

?Wireless Consumer Systems and CC2500,CC2510,and CC2511

?Wireless Audio Systems

?Few External Components

–Integrated Switches

–Integrated Matching Network

CC2590is a cost-effective and high performance RF –Integrated Balun

Front End for low-power and low-voltage 2.4-GHz –Integrated Inductors wireless applications.

–Integrated PA

CC2590is a range extender for all existing and future –Integrated LNA 2.4-GHz low-power RF transceivers,transmitters and ?Digital Control of LNA Gain by HGM Pin System-on-Chip products from Texas Instruments.?100-nA in Power Down(EN=PAEN=0)CC2590increases the link budget by providing a

power amplifier for increased output power,and an ?Low Transmit Current Consumption

LNA with low noise figure for improved receiver –22-mA at3-V for+12-dBm,PAE=23%

sensitivity.

?Low Receive Current Consumption

CC2590provides a small size,high output power RF – 3.4-mA for High Gain Mode

design with its4x4-mm QFN-16package.

– 1.8-mA for Low Gain Mode

CC2590contains PA,LNA,switches,RF-matching,? 4.6-dB LNA Noise Figure,including T/R Switch and balun for simple design of high performance

and external antenna match wireless applications.

?RoHS Compliant4×4-mm QFN-16Package

? 2.0-V to3.6-V Operation

Please be aware that an important notice concerning availability,standard warranty,and use in critical applications of Texas

Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS

ELECTRICAL CHARACTERISTICS CC2590SWRS080–SEPTEMBER https://www.360docs.net/doc/0d3635541.html,

These devices have limited built-in ESD protection.The leads should be shorted together or the device placed in conductive foam

during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.

Under no circumstances must the absolute maximum ratings be violated.Stress exceeding one or more of the limiting values may cause permanent damage to the device.

PARAMETER

VALUE UNIT Supply voltage

All supply pins must have the same voltage –0.3to 3.6V Voltage on any digital pin

–0.3to V DD +0.3,max 3.6V Input RF level

+10dBm Storage temperature range

–50to 150°C Reflow soldering temperature

According to IPC/JEDEC J-STD-020260°C Human Body Model,all pins except pin 102000V ESD Human Body Model,pin 10

1900V Charged Device Model 1000V

The operating conditions for CC2590are listed below.

PARAMETER

MIN MAX UNIT Ambient temperature range

–4085°C Operating supply voltage

2.0

3.6V Operating frequency range 24002483.5MHz T C =25°C,V DD =3.0V ,f RF =2440MHz (unless otherwise noted).Measured on CC2590EM reference design including

external matching components.

PARAMETER

TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT Receive current,High Gain Mode

HGM =1 3.4 4.0mA Receive current,Low Gain Mode

HGM =0 1.8 2.0mA P IN =0.5dBm,P OUT =12.2dBm 22.1mA Transmit current

P IN =–3.5dBm,P OUT =10.0dBm 16.8mA Transmit current

No input signal 8.010.0mA Power down current

EN =PAEN =00.10.3μA High input level (control pins)

EN,PAEN,HGM,RXTX 1.3V DD V Low input level (control pins)

EN,PAEN,HGM,RXTX 0.3V Power down -Receive mode switching

1.4μs time

Power down -Transmit mode switching

0.8μs time

RF Receive

Gain,High Gain Mode

HGM =111.4dB Gain,Low Gain Mode

HGM =00dB Gain variation,2400–2483.5MHz,High

HGM =1 1.2dB Gain Mode

Gain variation,2.0V –3.6V,High Gain

HGM =1 1.7dB Mode

HGM =1,including internal T/R switch and external Noise figure,High Gain Mode

4.6dB antenna match Input 1dB compression,High Gain Mode

HGM =1–21dBm

CC2590 https://www.360docs.net/doc/0d3635541.html,........................................................................................................................................................................................SWRS080–SEPTEMBER2008

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(continued)

T C=25°C,V DD=3.0V,f RF=2440MHz(unless otherwise noted).Measured on CC2590EM reference design including external matching components.

PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT Input IP3,High Gain Mode HGM=1–9dBm Input reflection coefficient,S11HGM=1,measured at antenna port–19dB

RF Transmit

Gain14.1dB

P IN=4.5dBm13.8dBm Output power,P OUT P IN=0.5dBm12.2dBm

P IN=-3.5dBm10.0dBm Power Added Efficiency,PAE P IN=0.5dBm23.5% Output1dB compression10.4dBm Output IP323dBm Output power variation over frequency2400–2483.5MHz,P IN=0.5dBm0.3dB Output power variation over power supply 2.0V–3.6V,P IN=0.5dBm 3.2dB Output power variation over temperature-40°C–85°C,P IN=0.5dBm 1.1dB

The2nd harmonic can be reduced to below regulatory

2nd harmonic power limits by using an external LC filter and antenna.See–14dBm

application note AN032for regulatory requirements.

The3rd harmonic can be reduced to below regulatory

3rd harmonic power limits by using an external LC filter and antenna.See–28dBm

application note AN032for regulatory requirements.

DEVICE

INFORMATION

GND ANT AVDD_PA2GND G N D H G M

E N

P A E N NC

RF_N

RXTX

RF_P A V D D _B I A S

P A B I A S G N D A V D D _L N A CC2590SWRS080–SEPTEMBER https://www.360docs.net/doc/0d3635541.html,

The CC2590pinout and description are shown in Figure 1and Table 1,respectively.

PIN AND I/O CONFIGURATION

(TOP VIEW)

Figure 1.

NOTE:

The exposed die attach pad must be connected to a solid ground plane as this is the

primary ground connection for the chip.Inductance in vias to the pad should be

minimized.It is highly recommended to follow the reference layout.Changes will alter

the performance.Also see the PCB landpattern information in this data sheet.

For best performance,minimize the length of the ground vias,by using a 4-layer PCB

with ground plane as layer 2when CC2590is mounted onto layer 1.

CC2590 https://www.360docs.net/doc/0d3635541.html,........................................................................................................................................................................................SWRS080–SEPTEMBER2008

Table1.PIN FUNCTIONS

CC2590EM Evaluation Module

CC2590SWRS080–SEPTEMBER https://www.360docs.net/doc/0d3635541.html, Figure https://www.360docs.net/doc/0d3635541.html,2590EM Evaluation Module

Table 2.List of Materials (See CC2590EM Reference Design)

DEVICE

FUNCTION VALUE L112

Part of antenna match. 1.5nH:LQW15AN1N5B00from Murata C111

Part of antenna match.0.5pF,GRM1555C1HR50BZ01from Murata C112

DC block.47pF,GRM1555C1H470JZ01from Murata C161

Decoupling capacitor.1nF:GRM1555C1H102JA01from Murata 27pF ||1nF.The smallest cap closest to CC2590.Decoupling.Will affect PA resonance.See CC2590EM reference

C101/C10227pF:GRM1555C1H270JZ01from Murata design for placement.

1nF:GRM1555C1H102JA01from Murata 18pF ||1nF.The smallest cap closest to CC2590.Decoupling.Will affect LNA resonance.See CC2590EM reference

C131/C13218pF:GRM1555C1H180JZ01from Murata design for placement.

1nF:GRM1555C1H102JA01from Murata C2Decoupling of external balun

1nF:LWQ15AN1N5B00from Murata TL101(1)

Transmission line.Will affect PA resonance.(simulated inductance:

See CC2590EM reference design.0.87nH)Transmission line:Length ≈40mil,Width =8mil TL131

Transmission line.Will affect LNA resonance.(simulated inductance:See CC2590EM reference design.1.64nH)Transmission line:Length ≈100mil,Width =8mil R151

Bias resistor 4.3k ?:RK73H1ETTP4301F from Koa (1)Transmission lines are measured from edge of pad of the CC2590footprint to edge of pad of DC coupling capacitor.The length of the

transmission lines depend on the distance to the ground plane.If another PCB stack up is chosen the length of the transmission lines

needs to be adjusted.

PCB description:4layer PCB 1.6mm

Copper 1:35μm

Dielectric 1-2:0.35mm (e.g.2x Prepreg 7628AT0547%Resin)

Copper 2:18μm

Dielectric 2-3:0.76mm (4x 7628M 43%Resin)

Copper 3:18μm

Dielectric 3-4:0.35mm (e.g.2x Prepreg 7628AT0547%Resin)

Copper 4:35μm

DE104iML or equivalent substrate (Resin contents around 45%,which gives Er=4.42at 2.4GHz,TanD=0.016)

TYPICAL CHARACTERISTICS

G a i n ?d B

f Frequency MHz ??N o i s e F i

g u r e ?d

B 3.944.14.24.34.44.54.64.74.84.9

5

5.15.25.35.4G a i n ?d B T Temperature ??C o -40-20

020

4060

80-3-202345678910121314G a i n ?d B Power Supply ?V

freq (2.400GHz to 2.485GHz)

S (1,1)CC2590

https://www.360docs.net/doc/0d3635541.html, ........................................................................................................................................................................................SWRS080–SEPTEMBER 2008

LNA GAIN AND NOISE FIGURE LNA GAIN vs vs FREQUENCY

TEMPERATURE Figure 3.

Figure 4.LNA GAIN vs POWER SUPPLY

Figure 5.Figure 6.Input Impedance of LNA Measured from Antenna Port on CC2590EM

O u t p u t P o w e r (d B m ) a n d P A E %?f Frequency ??MHz

C u r r e n t C o n s u m p t i o n m A

?240024102420243024402450246024702480

1818.51919.52020.52121.52222.52323.52424.525O u t p u t P o w e r (d B m ) a n d P A E %?Input Power ?dBm C u r r e n t C o n s u m p t i o n m A ?-20-18-16-14-12-10-8-6-4-2

0246

46810121416182022242628303234363840O u t p u t P o w e r (d B m ) a n d P A E %

?T ?Temperature ?C

o C u r r e n t C o n s u m p t i o n m A ?8

10

12

1416182022242628

O u t p u t P o w e r (d B m ) a n d P A E %?Power Supply ?V C u r r e n t C o n s u m p t i o n m A ?

CC2590

SWRS080–SEPTEMBER https://www.360docs.net/doc/0d3635541.html,

TYPICAL CHARACTERISTICS (continued)

OUTPUT POWER,PAE AND OUTPUT POWER,PAE AND CURRENT CONSUMPTION CURRENT CONSUMPTION vs vs INPUT POWER

FREQUENCY Figure 7.

Figure 8.OUTPUT POWER,PAE AND OUTPUT POWER,PAE AND CURRENT CONSUMPTION CURRENT CONSUMPTION vs vs TEMPERATURE

POWER SUPPLY Figure 9.Figure 10.

CC2590 https://www.360docs.net/doc/0d3635541.html,........................................................................................................................................................................................SWRS080–SEPTEMBER2008

Controlling the Output Power from CC2590

The output power of CC2590is controlled by controlling the input power.The CC2590PA is designed to work in compression(class AB),and the best efficiency is reached when a strong input signal is applied.

Input Levels on Control Pins

The four digital control pins(PAEN,EN,HGM,RXTX)have built-in level-shifting functionality,meaning that if the CC2590is operating from a3.6-V supply voltage,the control pins will still sense1.6-V-1.8-V signals as logical ‘1’.

An example of the above would be that RXTX is connected directly to the RXTX pin on CC24xx,but the global supply voltage is3.6-V.The RXTX pin on CC24xx will switch between0-V(RX)and1.8-V(TX),which is still a high enough voltage to control the mode of CC2590.

The input voltages should however not have logical‘1’level that is higher than the supply.

Connecting CC2590to a CC24xx Device

Table3.Control Logic for Connecting CC2590to a CC24xx Device

PAEN=EN RXTX HGM MODE OF OPERATION

0X X Power Down

100RX Low Gain Mode

101RX High Gain Mode

11X TX

https://www.360docs.net/doc/0d3635541.html,2590+CC24xx Application Circuit

CC2590

SWRS080–https://www.360docs.net/doc/0d3635541.html, Connecting CC2590to the CC2500,CC2510,or CC2511Device

Table4.Control Logic for Connecting CC2590to a CC2500/10/11Devices

PAEN EN RXTX HGM MODE OF OPERATION

00NC X Power Down

01NC0RX Low Gain Mode

01NC1RX High Gain Mode

10NC X TX

11NC X Not allowed

https://www.360docs.net/doc/0d3635541.html,2590+CC2500/10/11Device Application Circuit

CC2590 https://www.360docs.net/doc/0d3635541.html,........................................................................................................................................................................................SWRS080–SEPTEMBER2008 Connecting CC2590to a CC2520Device

Table5.Control Logic for Connecting CC2590to a CC2520Device

PAEN EN RXTX HGM MODE OF OPERATION

00NC X Power Down

01NC0RX Low Gain Mode

01NC1RX High Gain Mode

10NC X TX

11NC X Not allowed

https://www.360docs.net/doc/0d3635541.html,2590+CC2520Application Circuit

PCB Layout Guidelines

The exposed die attach pad must be connected to a solid ground plane as this is the primary ground connection for the chip.Inductance in vias to the pad should be minimized.It is highly recommended to follow the reference layout.Changes will alter the performance.Also see the PCB landpattern information in this data sheet.For best performance,minimize the length of the ground vias,by using a4-layer PCB with ground plane as layer2when CC2590is mounted onto layer1.

PCB trace inductors are used to be able to optimize the inductance value,and they are too small to be replaced by discrete inductors.The placement of the power supply decoupling capacitors C101/C102and C131/C132are important to set the PCB trace inductance values accurately.

PACKAGING INFORMATION Orderable Device

Status (1)Package Type Package Drawing Pins Package Qty Eco Plan (2)Lead/Ball Finish MSL Peak Temp (3)CC2590RGVR

ACTIVE QFN RGV 162500Green (RoHS &no Sb/Br)CU NIPDAU Level-2-260C-1YEAR CC2590RGVRG4

ACTIVE QFN RGV 162500Green (RoHS &no Sb/Br)CU NIPDAU Level-2-260C-1YEAR CC2590RGVT

ACTIVE QFN RGV 16250Green (RoHS &no Sb/Br)CU NIPDAU Level-2-260C-1YEAR CC2590RGVTG4

ACTIVE QFN RGV 16250Green (RoHS &no Sb/Br)CU NIPDAU Level-2-260C-1YEAR (1)The marketing status values are defined as follows:

ACTIVE:Product device recommended for new designs.

LIFEBUY:TI has announced that the device will be discontinued,and a lifetime-buy period is in effect.

NRND:Not recommended for new designs.Device is in production to support existing customers,but TI does not recommend using this part in a new design.

PREVIEW:Device has been announced but is not in production.Samples may or may not be available.

OBSOLETE:TI has discontinued the production of the device.

(2)Eco Plan -The planned eco-friendly classification:Pb-Free (RoHS),Pb-Free (RoHS Exempt),or Green (RoHS &no Sb/Br)-please check https://www.360docs.net/doc/0d3635541.html,/productcontent for the latest availability information and additional product content details.

TBD:The Pb-Free/Green conversion plan has not been defined.

Pb-Free (RoHS):TI's terms "Lead-Free"or "Pb-Free"mean semiconductor products that are compatible with the current RoHS requirements for all 6substances,including the requirement that lead not exceed 0.1%by weight in homogeneous materials.Where designed to be soldered at high temperatures,TI Pb-Free products are suitable for use in specified lead-free processes.

Pb-Free (RoHS Exempt):This component has a RoHS exemption for either 1)lead-based flip-chip solder bumps used between the die and package,or 2)lead-based die adhesive used between the die and leadframe.The component is otherwise considered Pb-Free (RoHS compatible)as defined above.

Green (RoHS &no Sb/Br):TI defines "Green"to mean Pb-Free (RoHS compatible),and free of Bromine (Br)and Antimony (Sb)based flame retardants (Br or Sb do not exceed 0.1%by weight in homogeneous material)

(3)MSL,Peak Temp.--The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications,and peak solder temperature.

Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided.TI bases

its knowledge and belief on information provided by third parties,and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information.Efforts are underway to better integrate information from third parties.TI has taken and continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary,and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.

In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s)at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.

PACKAGE OPTION ADDENDUM

https://www.360docs.net/doc/0d3635541.html, 7-May-2009

TAPE AND REEL INFORMATION

*All dimensions are nominal Device Package Type Package Drawing

Pins

SPQ Reel Diameter (mm)Reel Width W1(mm)A0(mm)B0(mm)K0(mm)P1(mm)W (mm)Pin1Quadrant CC2590RGVR QFN

RGV 162500330.012.4 4.3 4.3 1.58.012.0Q2CC2590RGVT QFN RGV 16250330.012.4 4.3 4.3 1.5

8.012.0Q2

*All dimensions are nominal

Device Package Type Package Drawing Pins SPQ Length(mm)Width(mm)Height(mm) CC2590RGVR QFN RGV162500340.5333.020.6 CC2590RGVT QFN RGV16250340.5333.020.6

IMPORTANT NOTICE

Texas Instruments Incorporated and its subsidiaries(TI)reserve the right to make corrections,modifications,enhancements,improvements, and other changes to its products and services at any time and to discontinue any product or service without notice.Customers should obtain the latest relevant information before placing orders and should verify that such information is current and complete.All products are sold subject to TI’s terms and conditions of sale supplied at the time of order acknowledgment.

TI warrants performance of its hardware products to the specifications applicable at the time of sale in accordance with TI’s standard warranty.Testing and other quality control techniques are used to the extent TI deems necessary to support this warranty.Except where mandated by government requirements,testing of all parameters of each product is not necessarily performed.

TI assumes no liability for applications assistance or customer product design.Customers are responsible for their products and applications using TI components.To minimize the risks associated with customer products and applications,customers should provide adequate design and operating safeguards.

TI does not warrant or represent that any license,either express or implied,is granted under any TI patent right,copyright,mask work right, or other TI intellectual property right relating to any combination,machine,or process in which TI products or services are https://www.360docs.net/doc/0d3635541.html,rmation published by TI regarding third-party products or services does not constitute a license from TI to use such products or services or a warranty or endorsement https://www.360docs.net/doc/0d3635541.html,e of such information may require a license from a third party under the patents or other intellectual property of the third party,or a license from TI under the patents or other intellectual property of TI.

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TI products are not authorized for use in safety-critical applications(such as life support)where a failure of the TI product would reasonably be expected to cause severe personal injury or death,unless officers of the parties have executed an agreement specifically governing such use.Buyers represent that they have all necessary expertise in the safety and regulatory ramifications of their applications,and acknowledge and agree that they are solely responsible for all legal,regulatory and safety-related requirements concerning their products and any use of TI products in such safety-critical applications,notwithstanding any applications-related information or support that may be provided by TI.Further,Buyers must fully indemnify TI and its representatives against any damages arising out of the use of TI products in such safety-critical applications.

TI products are neither designed nor intended for use in military/aerospace applications or environments unless the TI products are specifically designated by TI as military-grade or"enhanced plastic."Only products designated by TI as military-grade meet military specifications.Buyers acknowledge and agree that any such use of TI products which TI has not designated as military-grade is solely at the Buyer's risk,and that they are solely responsible for compliance with all legal and regulatory requirements in connection with such use. TI products are neither designed nor intended for use in automotive applications or environments unless the specific TI products are designated by TI as compliant with ISO/TS16949requirements.Buyers acknowledge and agree that,if they use any non-designated products in automotive applications,TI will not be responsible for any failure to meet such requirements.

Following are URLs where you can obtain information on other Texas Instruments products and application solutions:

Products Applications

Amplifiers Audio

Data Converters Automotive

DLP?Products Broadband

DSP Digital Control

Clocks and Timers Medical

Interface Military

Logic Optical Networking

Power Mgmt Security

Microcontrollers Telephony

RFID Video&Imaging

RF/IF and ZigBee?Solutions Wireless

Mailing Address:Texas Instruments,Post Office Box655303,Dallas,Texas75265

Copyright?2009,Texas Instruments Incorporated

2017年中国十大半导体公司排名

2017年中国十大半导体公司排名 2017年已接近尾声,接下来就让小编带你看看最新的中国十大半导体公司排名吧!1、环旭电子(601231)环旭电子股份有限公司是全球ODM/EMS领导厂商,专为国内外品牌电子产品或模组提供产品设计、微小化、物料采购、生产制造、物流与维修服务。环旭电子成立于2003年,现为日月光集团成员之一,于2012年成为上海证券交易所A股上市公司。环旭电子股份有限公司以信息、通讯、消费电子及汽车电子等高端电子产品EMS、JDM、ODM为主,主要产品包括WiFi ADSL、WiMAX、WiFi AP、WiFi Module、Blue-Tooth Module、LED LighTIng & Inverter、Barcode Scanner、DiskDrive Array、网络存储器、存储芯片、指纹辨识器等。2、长电科技(600584)成立于1972年,2003年在上交所主板成功上市。历经四十余年发展,长电科技已成为全球知名的集成电路封装测试企业。长电科技面向全球提供封装设计、产品开发及认证,以及从芯片中测、封装到成品测试及出货的全套专业生产服务。长电科技致力于可持续发展战略,崇尚员工、企业、客户、股东和社会和谐发展,合作共赢之理念,先后被评定为国家重点高新技术企业,中国电子百强企业,集成电路封装技术创新战略联盟理事长单位,中国驰名商标,中国出口产品质量示范企业等,拥有国内唯一的高密度集成电路国家工

程实验室、国家级企业技术中心、博士后科研工作站等。由江阴长江电子实业有限公司整体变更设立为股份有限公司,是中国半导体第一大封装生产基地,国内著名的晶体管和集成电路制造商,产品质量处于国内领先水平。长电科技拥有目前体积最小可容纳引脚最多的全球顶尖封装科技,在同行业中技术优势十分突出。3、歌尔股份(002241)有限公司成立于2001年6月,2008年5月在深交所上市,主要从事微型声学模组、传感器、微显示光机模组等精密零组件,虚拟现实/增强现实、智能穿戴、智能音响、机器人/无人机等智能硬件的研发、制造和销售,目前已在多个领域建立了全球领先的综合竞争力。自上市以来,歌尔保持高速成长,年复合增长率达44.5%。4、中环股份(002129)天津中环半导体股份有限公司成立于1999年,前身为1969年组建的天津市第三半导体器件厂,2004年完成股份制改造,2007年4月在深圳证券交易所上市,股票简称“中环股份”,代码为002129。是生产经营半导体材料和半导体集成电路与器件的高新技 术企业,公司注册资本482,829,608元,总资产达20.51 亿。天津中环股份有限公司致力于半导体节能和新能源产业,是一家集半导体材料-新能源材料和节能型半导体器件-新能 源器件科研、生产、经营、创投于一体的国有控股企业。5、三安光电(600703)三安光电股份有限公司(以下简称“三安光电”或公司,证券代码:600703)是具有国际影响力的全色系

一文看透中国半导体行业现状

一文看透中国半导体行业现状 2016-10-13 在中国近年来在半导体领域的重大投入和中国庞大市场的双重影响下,中国半导体在全球扮演的的角色日益重要。国际社会上很多观察家在把中国看成一个机会的同时,也同时顾虑到中国半导体崛起带来的威胁。但有一点可以肯定的是,近年来中国半导体玩家频频露面知名国际会议,已经制造了相当程度的全球影响力。 自从中国宣布建立千亿的投资基金,挑战全球半导体霸主的地位。业界的巨头们都在思考并谨慎防御中国的半导体野心。 考虑到中国庞大的国内市场和本土业者的技术悟性”,还有中国近几十年来所缔造的电子生产龙头地位,再加上近年来在各个领域的深入探索。你就会明白为什么中国对发展相对滞后的硅产业如此重视。 据我们预测,到2020 年,中国会消耗世界上55%的存储、逻辑和模拟芯片,然而当中只有15%是由中国自身生产的,和多年前的10%相比还是有了一定比例的提升。但是供需之间的差距仍然在日益扩大。 中国想在全球半导体产业中扮演一个重要角色,为本土生产的智能手机、平板等消费电子设备,工业设备制造更多国产的微处理器芯片、存储和传感器,能够满足本土电子产业的需求甚至还展望可以出口相关元器件。 在这种目标的指导下,中国在全国已经开发了好几个半导体产业群(图1),且在未来十年内,国家和地方政府计划额外投资7200亿人民币(1080亿美金)到半导体产业。这些投资除了满足消费和工业需求外,还会兼顾到中国在通信、安全等工业,以求减少对国际半导体的依赖。 图1 :中国半导体的全国分布图

但据我们观察,中国半导体要崛起首先面临的第一个障碍就是目前中国大部分项目都是和已存在的公司合作,追逐市场的领先者和落后者,考虑到他们的目标、技术需求和国外政府对其的限制等现状。许多的中国公司已经释放出了一种信号一一那就是想投资更多的跨国半导体公司。最近的频频示好,也让中国半导体斩获不少。 在2016年1月,贵州政府出钱和高通成立了一家专注于高端服务器芯片生产的公司华芯通,合资公司中贵州政府所占的比例为55% ;另外,清华紫光集 团也给台湾的Powertech (力成)投资了6亿美金,成为后者的第一大股东。 力成成立于1997年,是全球第五大封测服务厂,美国存储生产商金士顿为其重要股东,原持股比例约3.83%,并拥有四席董事席位,台湾东芝半导体也拥有一席,在增资后股份以及董事席次估计都会有所更动。力成在营运业务上主要 专注在存储IC封测。这次投资体现了紫光和中国大陆对存储产业的决心。 早前,紫光还想买下西部数据和美光,但受限于美国监管局,这两笔交易最后只能夭折。虽然困难重重,但展望不久的将来,中国半导体业势必会发起更多并购,让我们拭目以待。 对于国际上的半导体玩家而言,中国半导体的雄心壮志有时候会让他们望而生畏。 考虑到中国庞大的市场、雄厚的资本和追求经济增长的长久目标,这就要求这些跨国公司在中国需要制定更清晰的策略。当然,这并不是说全球半导体玩家在和中国打交道的时候缺乏影响力和议价能力。 其实参考中国以往进入新市场的表现,结果是喜忧参半的。他们的国有公司政府组织会根据竞争者的状况和市场现状采取不同的策略。考虑到中国半导体目 标和他们进入国际市场的困难重重,展望未来他们还是会持续保持和跨国公司的合作,并在此期间培育自己的企业和产业。 中国抢占市场的方式 在对中国半导体并购策略了解之前,我们先了解一下中国抢占市场的惯用方

全球和中国半导体产业发展历史和大事记

全球和中国半导体产业发展历史和大事记 1947年,美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管,从而开创了人类的硅文明时代。 1956年,我国提出“向科学进军”,根据国外发展电子器件的进程,提出了中国也要研究半导体科学,把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业,共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授:北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元(北京大学微电子所所长)、工程院院士许居衍(华晶集团中央研究院院长)和电子工业部总工程师俞忠钰(北方华虹设计公司董事长)。 1957年,北京电子管厂通过还原氧化锗,拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年,中国相继研制出锗点接触二极管和三极管(即晶体管)。 1958年,美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路(IC)之后,发展极为迅猛,从SSI(小规模集成电路)起步,经过MSI(中规模集成电路),发展到LSI(大规模集成电路),然后发展到现在的VLSI(超大规模集成电路)及最近的ULSI(特大规模集成电路),甚至发展到将来的GSI (甚大规模集成电路),届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。 1959年,天津拉制出硅(Si)单晶。 1960年,中科院在北京建立半导体研究所,同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所(河北半导体研究所)。 1962年,天津拉制出砷化镓单晶(GaAs),为研究制备其他化合物半导体打下了基础。 1962年,我国研究制成硅外延工艺,并开始研究采用照相制版,光刻工艺。 1963年,河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。 1964年,河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。 1965年12月,河北半导体研究所召开鉴定会,鉴定了第一批半导体管,并在国内首先鉴定了DTL型(二极管――晶体管逻辑)数字逻辑电路。1966年底,在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主,还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。 1968年,组建国营东光电工厂(878厂)、上海无线电十九厂,至1970年建成投产,形成中国IC产业中的“两霸”。 1968年,上海无线电十四厂首家制成PMOS(P型金属-氧化物半导体)电路(MOSIC)。拉开了我国发展MOS电路的序幕,并在七十年代初,永川半导体研究所(现电子第24所)、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后,又研制成CMOS电路。 七十年代初,IC价高利厚,需求巨大,引起了全国建设IC生产企业的热潮,共有四十多家集成电路工厂建成,四机部所属厂有749厂(永红器材厂)、871(天光集成电路厂)、878(东光电工厂)、4433厂(风光电工厂)和4435厂

国内31家半导体上市公司

国内31家半导体上市公司排行 内容来源网络,由“深圳机械展(11万㎡,1100多家展商,超10万观众)”收集整理!更多cnc加工中心、车铣磨钻床、线切割、数控刀具工具、工业机器人、非标自动化、数字化无人工厂、精密测量、3D打印、激光切割、钣金冲压折弯、精密零件加工等展示,就在深圳机械展. 中国芯是科技行业近几年的高频词汇之一,代表着我国对于国内半导体发展的期许,提升和现代信息安全息息相关的半导体行业的自给率,实现芯片自主替代一直是我国近年来的目标。为实现这一目标,我国从政策到资本为半导体产业提供了一系列帮助,以期在不久的将来进入到全球半导体行业一线阵营。 半导体是许多工业整机设备的核心,普遍使用于计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等核心领域。半导体主要由四个组成部分组成:集成电路,光电器件,分立器件,传感器。半导体行业的上游为半导体支撑业,包括半导体材料和半导体设备。中游按照制造技术分为分立器件和集成电路。下游为消费电子,计算机相关产品等终端设备。 截至3月31日收盘,中国A股半导体行业上市公司市值总额为3712.3亿元,其中市值超过100亿元的公司有11家,市值超过200亿元的公司有4家,分别为三安光电、利亚德、艾派克、兆易创新,其中三安光电以652.1亿元的市值位居首。 详细排名如下: 三安光电 三安光电是目前国内成立早、规模大、品质好的全色系超高亮度发光二极管外延及芯片产业化生产基地,总部坐落于美丽的厦门,产业化基地分布在厦门、天津、芜湖、泉州等多个地区。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、化合物太阳能电池及Ⅲ

-Ⅴ族化合物半导体等的研发、生产和销售。是我国国内LED芯片市场市占高、规模大的企业,技术水平比肩国际厂商。 利亚德 利亚德是一家专业从事LED使用产品研发、设计、生产、销售和服务的高新技术企业。公司生产的LED使用产品主要包括LED全彩显示产品、系统显示产品、创意显示产品、LED 电视、LED照明产品和LED背光标识系统等六大类。 艾派克 艾派克是一家以集成电路芯片研发、设计、生产和销售为核心,以激光和喷墨打印耗材使用为基础,以打印机产业为未来的高科技企业。是全球行业内领先的打印机加密SoC 芯片设计企业,是全球通用耗材行业的龙头企业。艾派克科技的业务涵盖通用耗材芯片、打印机SoC芯片、喷墨耗材、激光耗材、针式耗材及其部件产品和材料,可提供全方位的打印耗材解决方案。 兆易创新 兆易公司成立于2005年4月,是一家专门从事存储器及相关芯片设计的集成电路设计公司,致力于各种高速和低功耗存储器的研究及开发,正在逐步建立世界级的存储器设计公司的市场地位。产品广泛地使用于手持移动终端、消费类电子产品、个人电脑及其周边、网络、电信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等领域。 长电科技 长电科技是主要从事研制、开发、生产销售半导体,电子原件,专用电子电气装置和销售企业自产机电产品及成套设备的公司。是中国半导体封装生产基地,国内著名的三极管制造商,集成电路封装测试龙头企业,国家重点高新技术企业。2015年成功并购同行业的新加坡星科金朋公司,合并后的长电科技在业务规模上一跃进入国际半导体封测行业的第一

世界著名半导体(芯片)公司--详细

世界半导体公司排名———详细 25大半导体厂商排名(2006年统计数据): 1. 英特尔,营收额313.59亿美元 2. 三星,营收额192.07亿美元 3. 德州仪器,营收额128.32亿美元 4. 东芝,营收额101.66亿美元 5. 意法半导体,营收99.31亿美元 6. Renesas科技,营收82.21亿美元 7. AMD,营收额74.71亿美元 8. Hynix,营收额73.65亿美元 9. NXP,营收额62.21亿美元 10.飞思卡尔,营收额60.59亿美元 11. NEC,营收额56.96亿美元 12. Qimonda,营收额55.49亿美元 13. Micron,营收额52.90亿美元 14. 英飞凌,营收额51.95亿美元 15. 索尼,营收额48.75亿美元 16. 高通,营收额44.66亿美元 17. 松下,营收额41.24亿美元 18. Broadcom,营收额36.57亿美元 19. 夏普,营收额34.76亿美元 20. Elpida,营收额33.54亿美元 21. IBM微电子,营收额31.51亿美元

22. Rohm,营收额29.64亿美元 23. Spansion,营收额26.17亿美元 24. Analog Device,营收额25.99亿美元 25. nVidia,营收额24.75亿美元 飞思卡尔介绍: 飞思卡尔半导体是全球领先的半导体公司,为汽车、消费、工业、网络和无线市场设计并制造嵌入式半导体产品。这家私营企业总部位于德州奥斯汀,在全球30多个国家和地区拥有设计、研发、制造和销售机构。 产品领域: 嵌入式处理器 汽车集成电路 集成通信处理器 适用于2.5G 和3G无线基础设施的射频功率晶体管 基于StarCore? 技术的数字信号处理器(DSP) 下列领域处于领先地位: 8位、16位和32位微控制器 可编程的DSP 无线手持设备射频微处理器 基于Power Architecture?技术的32位嵌入式产品 50多年来,飞思卡尔一直是摩托罗拉下属机构,2004年7月成为独立企业开始了新的生活。此后,公司在董事长兼首席执行官Michel Mayer的领导下,努力提高财务业绩,打造企业文化,构筑全球品牌。 意法半导体(ST)集团介绍

2019年中国半导体与AI芯片的市场现状及竞争格局分析

2019年中国半导体与AI芯片的市场现状及竞争格局分析

AI 芯片即为面向人工智能应用的芯片。人工智 能与芯片的发展需紧密合作,但过去碍于跨学 科合作困难,加上人工智能算法并未成熟,世 界各国对于人工智能的多项投入最后都以失败 告终。 不过,现在与之前不同的是,AI 芯片或称神经 网络芯片被Google 证实可以大幅加快人工智 能模型的训练速度,训练加快意味算法/模型 迭代加快,也使得人工智能产品的优化速度加 快,有助于人工智能产业的发展。 人工智能不再是科幻电影中的幻想,而是真实 存在你我的生活之中,其中AI 芯片正是实现这 个可能的关键。对于人工智能与芯片行业来说, AI 芯片也是吹皱一池春水,推进两个产业新发 展的关键。 序言INTRODUCTION

研究背景与目的 研究背景与目的 ●在20世纪80年代时,日本即已开始尝试开发新一代的人工智能计算机,但当时碍于芯片算力不足,加上采用专家系统并不能让机器去学习“人类不知道”的事情,导致计划失败,因此人们认为人类无法在短期内实现人工智能。 ●20世纪80年代到现在,人工智能已经向前踏一大步,科学家在国际象棋和围棋的人机竞赛上的成果使世人惊艳,ImageNet计算机视觉竞赛的成果更是直接让AI算法落地发展成商业产品。 ●期间,有两则事件对于AI芯片的发展很重要:第一,陈天石博士团队的“DianNao”系列论文让科学界看到,在冯诺依曼架构下亦能实现AI专用芯片。第二,Google推出使用(AI芯片)TPU运算架构的AlphaGo,接连打败李世石和柯洁,让半导体和人工智能产业看到专用芯片的商业价值已到。 ●中、美两国自然不想错过这个趋势,纷纷推出相对应的政策引领行业发展,中国政府的《新一代人工智能发展规划》将神经网络芯片(即AI芯片)视作整个人工智能发展战略的基础元件,加强扶持行业发展,使中国不在未来芯片的发展上再次掉队。 ●现在,中国已经存在超过20家以上的新创AI芯片设计企业,融资总额超过30亿美元,但是市场上仍未见针对此景研究的行业研究报告,因此本报告将作为市场上第一份专以“AI芯片”行业发展现状和趋势研究的公开报告。

【完整版】2020-2025年中国汽车半导体芯片行业新市场开拓策略研究报告

(二零一二年十二月) 2020-2025年中国汽车半导体芯片行业新市场开拓策略研究报告 可落地执行的实战解决方案 让每个人都能成为 战略专家 管理专家 行业专家 ……

报告目录 第一章企业新市场开拓策略概述 (5) 第一节研究报告简介 (5) 第二节研究原则与方法 (6) 一、研究原则 (6) 二、研究方法 (6) 第三节研究企业新市场开拓策略的重要性及意义 (8) 一、重要性 (8) 二、研究意义 (8) 第二章市场调研:2018-2019年中国汽车半导体芯片行业市场深度调研 (10) 第一节汽车半导体芯片概述 (10) 第二节汽车半导体发展概况 (10) 一、汽车半导体的定义及前景 (10) 二、汽车半导体的市场竞争特点 (11) 三、汽车半导体的企业特征 (11) 四、受环保驱动的新能源汽车市场是刚需 (12) 第三节全球汽车半导体市场规模 (12) 一、全球汽车半导体市场规模 (12) 二、汽车半导体主要细分市场规模 (13) 第四节2019-2025年我国汽车半导体芯片行业发展前景及趋势预测 (16) 一、汽车半导体的历史性机遇 (16) 二、关键要点 (16) 三、汽车的未来 (18) 四、四个汽车趋势正在加速半导体需求 (20) (一)电动汽车 (21) (二)自动驾驶汽车 (22) (三)车联网 (23) (四)移动性即服务(MaaS) (23) 五、这四个趋势将如何影响半导体行业 (24) 六、需要在创新、关键设计和技术决策方面进行投资 (27) 七、新的汽车市场,新的参与者,新的关系 (29) 八、从历史中学习:过去由技术驱动的行业颠覆 (32) 第五节细分市场分析:主控芯片 (35) 一、市场发展情况分析 (35) 二、英伟达:GPU垄断优势,从智能座舱到自动驾驶 (42) 三、高通:凭借通信优势,从信息娱乐到车联网 (49) 第六节细分市场分析:功能芯片 (53) 一、市场发展情况分析 (53) 二、恩智浦:提供完整汽车半导体解决方案,Bluebox 平台支持L4级自动驾驶。 (54) 三、英飞凌:覆盖集成电路与功率半导体,视觉及雷达芯片支持ADAS 功能。 (56) 四、瑞萨:多品类车载MCU和SoC,R-Car平台支持L4级自动驾驶。 (59) 五、意法半导体:安全主导的半导体制造商,ADAS产品覆盖视觉、雷达、车联网。 (61)

中国芯片的产业深度分析一文看懂国产芯片现状

中国芯片的产业深度分析一文看懂国产芯片现状 周期性波动向上,市场规模超4000 亿美元 半导体是电子产品的核心,信息产业的基石。半导体行业因具有下游应用广泛、生产技术工序多、产品种类多、技术更新换代快、投资高风险大等特点,产业链从集成化到垂直化分工越来越明确,并经历了两次空间上的产业转移。全球半导体行业大致以4-6 年为一个周期,景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。2017 半导体产业市场规模突破4000 亿美元,存储芯片是主要动力。 供需变化涨价蔓延,创新应用驱动景气周期持续半导体本轮涨价的根本原因为供需变化,并沿产业链传导,涨价是否持续还是看供需,NAND 随着产能释放价格有所降低,DRAM 、硅片产能仍吃紧涨价有望持续。展望未来,随着物联网、区块链、汽车电子、5G、AR /VR 及AI 等多项创新应用发展,半导体行业有望保持高景气度。 提高自给率迫在眉睫,大国战略推动产业发展国内半导体市场接近全球的三分之一,但国内半导体自给率水平非常低,特别是核心芯片极度缺乏,国产占有率都几乎为零。芯片关乎到国家安全,国产化迫在眉睫。2014 年《国家集成电路产业发展推进纲要》将半导体产业新技术研发提升至国家战略高度。大基金首期投资成果显著,撬动了地方产业基金达5000 亿元,目前大基金二期募资已经启动,募集金额将超过一期,推动国内半导体产业发展。 大陆设计制造封测崛起,材料设备重点突破经过多年的发展,国内半导体生态逐渐建成,设计制造封测三业发展日趋均衡。设计业:虽然收购受限,但自主发展迅速,群雄并起,海思展讯进入全球前十。制造业:晶圆制造产业向大陆转移,大陆12 寸晶圆厂产能爆发。代工方面,虽然与国际巨头相比,追赶仍需较长时间,但中芯国际28nm 制程已突破,14nm 加快研发中;存储方面,长江存储、晋华集成、合肥长鑫三大存储项目稳步推进。封测业:国内封测三强进入第一梯队,抢先布局先进封装。设备:国产半导体设备销售快速稳步增长,多种产品实现从无到有的突破,

中国半导体产业趋势

资料范本 本资料为word版本,可以直接编辑和打印,感谢您的下载 中国半导体产业趋势 地点:__________________ 时间:__________________ 说明:本资料适用于约定双方经过谈判,协商而共同承认,共同遵守的责任与义务,仅供参考,文档可直接下载或修改,不需要的部分可直接删除,使用时请详细阅读内容

中国半导体产业趋势 Michael Pecht, Weifeng Liu 马里兰大学CALCE 电子产品与系统中心 David Hodges 加利福尼亚大学电子工程与计算科学系 【导读】中国半导体工业在世界上处于一个什么样的地位,其发展目标是什么?什么是909项目?美国学者Pecht等人从多个角度概述了中国半导体产业的发展现状,并对中国半导体产业面临的机遇与挑战以及未来发展趋势进行了评论与分析。 随着中国信息技术和通讯基础设施建设的发展以及对普通消费产品需求的增加,中国对半导体产品尤其是集成电路的需求急剧增加。尽管很难统计中国进口的集成电路的准确数据,但各种对中国半导体市场的评估结果如日本电子工业协会和SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International)的调研数据表明中国进口半导体的金额大约为:1996年50~70亿美元,1997年80亿美元。1999年,在中国销售的芯片总值达86亿美元,约占世界半导体市场的5.9%。Cahners In-Stat集团的市场研究人员认为从1999年到2001年,中国的芯片购买能力将以每年33%的速度增长。未来三年,中国的半导体市场将达到近270亿美元,约占世界半导体市场的8.6%。到2010年,中国可以期望成为仅次于美国的世界第二大半导体市场。与韩国和台湾的半导体工业拥有尖端精密的制造设备不同,中国大陆的半导体工业仍然主要由生产率和加工技术相对低下的小规模制造企业组成。事实上,半导体制造部门是中国电子工业最为薄弱的环节,中国95%的电子产品中的半导体元件依赖从美国和日本的进口。 中国通常只能制造线宽0.5~1.6μm、直径125mm和150mm的商品硅片,产能不到全球芯片产量的1%,仅能满足国内20%的需求。显然,根据中国半导体产品的年销售额超过20亿美元来预测中国占亚洲半导体总需求的15%是不准确的。

国内31家半导体上市公司

国内31家半导体上市公司

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中国芯片的半导体材料和设备市场研究分析

广州创亚企业管理顾问有限公司 中国芯片的半导体材料和设备市场研究分析

目录contents

一、全球半导体产业情况 (一)全球芯片发展历程 (二)全球半导体市场情况 1、芯片销售额 2、进出口情况 3、半导体市场增速情况 4、行业市场区域分布情况 5、全球芯片产品的下游应用占比 6、未来全球芯片市场规模预测 7、全球半导体主要细分产品市场规模 8、全球芯片设计产值情况二、半导体材料 (一)认识半导体材料 1、半导体材料的由来 2、第一代半导体材料 3、第二代半导体材料 4、第三代半导体材料(二)第一、二代半导体的特点 1、硅(Si) 2、砷化镓(GaAs) 4、磷化铟(InP) 5、锗硅(SiGe)

(三)第三代半导体材料的特点 1、碳化硅(SiC) 2、氮化镓(GaN) (四)市场规模与格局 1、半导体材料市场规模占比 2、全球半导体材料市场 3、全球硅晶圆片(硅片)市场 三、半导体设备 (一)半导体设备市场情况 1、半导体设备销售情况 2、国内主要在建/计划建设晶圆厂项目(二)国产半导体设备 1、国产半导体设备开始突围 2、国产公司情况 (三)全球市场情况 1、全球半导体设备售额情况 2、5G商用市场情况有望回暖

全球半导体产业情况 (一)全球芯片发展历程 1947年,美国贝尔实验室的约翰?巴丁、布拉顿、肖克莱三人发明了晶体管,从此拉开了芯片产业发展的序幕;1958年,美国德州仪器公司展示了全球第一块集成电路板,这标志着世界从此进入到了集成电路的时代。 在经过了60多年的发展之后,集成电路的制作工艺已经突飞猛进,广泛应用于工业、军事、通讯和遥控等各个领域。用集成电路来装配电子设备,其装配密度相比晶体管可以提高几十倍至几千倍,设备的稳定工作时间也可以大大提高。

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