晶体解析方法
晶体结构解析
1、挑选直径大约为0.1–1.0mm的单晶。
CCD的准直管直径有0.3mm，0.5mm，0.8mm；分别对应得晶体大小是0-0.3mm, 0.3-0.5mm, 0.5-0.8mm.
2、选择用铜靶还是钼靶？
铜靶要求θmax〉=66度，最大分辨率是0.77埃
钼靶要求θmax〉=25度，最大分辨率是0.36埃
3、用smart程序收集衍射数据：得到大约一千张倒易空间的衍射图像，300M大小。其中matrix图像45张，分成三组，每组15张，用以判定晶体能否解析。
4、用saint程序还原衍射数据：得到很多文件，但是只有三个文件是我们需要的：-ls，p4p，raw。 -ls文件中包含有最大的和最小的θ角，有效地精修衍射点数目。好像不同的机器或者还原程序得到的文件不同，有的是hkl，abs。
5、用shelxtl程序处理上述数据，并画出需要的图形。
5.1 装好shelxtl程序，新建一个project，输入要建立工程的名字，然后打开要解析的p4p或者raw文件。
5.2 用xprep程序确立空间群，建立指令文件
这个过程基本上是一直按回车键的过程（除了在要输入化学成分的时候改动一下和在是否建立指令文件的时候输入Y即可），一般不会出错。如果出错，那就要重新对空间群进行指认（出错可能是出现在下面的精修过程中）。
一般Mean（I/sigma）〉2才可以，越大越好。得到ins，hkl，pcf三个重要数据文件。
其中ins文件：包含分子式，空间群
等信息；
hkl文件：包含的是衍射点的强度
数据；
pcf文件：记录了晶体物理特征，
分子式，空间群，衍射数据收集的条
件以及使用的相关软件等信息。
5.3 选择要解析的方法：直接法
（TREF）还是帕特深法（PATT）？
如果晶体中含有重原子如金属原
子，那就要用PATT法；如果晶体中
没有原子量差异特别大的原子，就用
TREF法。默认的方法是直接法。
5.4 用xs程序解析粗结构
得到res文件：包含了ins文件的内
容和所有的Q峰信息。
5.5 用xp程序与xl程序完成原子的
指认，付利叶加氢或理论加氢，画图
等。
达到比较好的结果标准：
A 化学上合理（键长、键角、价态）
B R1 <0.08（0.06），wR2 <0.18（0.16），
goof=S=1+-0.2(1.00)
C R(int)<0.1,R(singma)<0.1
D Maximum=0.000
5.5.1 原子的指认
打开xp
输入fmol
出现一系列的Q峰信息。每次打开
xp后都要先输入此命令。
输入pick
进入Q峰之间连接的结构体系中。
根据化学经验（键长，键角以及连接
方式）和自己晶体的预测的结构，对
Q 峰进行取舍。
取舍完毕后，进行原子的命名。当闪
点在某个原子上时，从键盘上输入要
命名的原子的符号，然后回车；闪点
就会跳到下一个要命名的Q峰上。当
闪点在某个Q峰上时，如果直接回
车，会删掉此原子，用backspace可
以复原；如果直接敲空格键，闪点会
跳到下一个Q峰上。
敲“/”键，保存命名结果，退出；敲
“esc”键，不保存结果，退出。
输入pers
可以看棍球图，如果有错误的原子命
名，可以继续用pick命令进行修改。
输入proj
可以看到结构图，并可以旋转观看
输入grow
可以长出对称的单元。如果没有对称
的单元，则此命令无效。
输入fuse
删除grow出来的原子和其他操作长
出的原子，这些原子不能带入精修的
过程中。
输入sort /n
对原子进行排序，按照原子名称的
序号；如果输入sort $C $N则按照原
子种类进行排序。
输入file name.ins
保存所作的命名信息。会有提示询
问是否从name.res中拷贝信息，直接
回车。
注意：name指用xs解析时命名的作
业名，不能更改。
输入quit
退出程序，敲esc退出程序
5.5.2 用xl进行精修
点击xl
出现精修过程，看是否符合5.5中
的标准（可以关闭xl后，通过增加
ins中的ls的次数或者copy name.res
to name.ins 命令进行反复精修，切记
每次xl精修后生成的是res文件，因
此要将res拷贝成ins再次进行精修
才有效）。
如果其他的条件不符合，则要修改
ins文件：加入
anis（对所有指令后的非氢原子进
行各向异性精修，anis n对指令后的
前n个原子进行各向异性精修，anis
C对指令后的指定原子进行各向异
性精修）
omit（忽略指定的衍射点，一般都
要用到omit 0 52）
afix （将指定的原子坐标强制性的固定在指定的位置上，或者在指定的位置上产生原子）
afix 3 表示固定H原子的坐标
afix 13 表示固定垂直于某个平面的H原子的坐标
afix 23 表示固定亚甲基上的H 原子的坐标
afix 137 表示固定甲基上的H原子的坐标（好像是afix 33）
afix 43 表示固定类似于苯环上的H原子的坐标
dfix （限定两个指定原子间的距离）
hfix （限制氢原子在固定的位置上，如hfix 43 N6）
在原子的数字信息部分查找是否有H原子的产生（即付利叶计算出来的H原子），如果有则要把它固定起来（afix 2 表示固定温度因子，精修坐标；afix 3表示固定坐标，精修温度因子），以防在精修时其随处飘动，引起漂移值不稳定等。
保存后退出。
继续用xl精修，看是否符合标准（也可以省略此步，因为H原子还没有加完）
5.5.3用xp程序进行理论加氢
打开xp
输入fmol
输入kill $q
去掉所有的q峰
输入hadd
理论加氢（constr）
输入pers或者proj
查看H原子加的是否正确，如果不正确则要用“kill 原子名”干掉。
输入file name.ins
回车
输入quit
5.5.4 继续用xl精修
几轮精修之后，看标准是否达到，如果没有达到，还要继续查找原因，修改ins文件。
产生数据信息的ins文件中的命令，
可以将这些命令加在unit和wght之
间：
Bond $h (产生包括h原子在内的键
长键角)
Conf （产生扭角）
Acta （产生cif文件）
Htab （产生可能的氢键，在lst文
件中找）
Eqiv （和htab一起使用，指定形
成氢键的两个原子的名称，将产生分
子间和分子内有键合作用的原子的
对称性代码，并将信息写在cif中）
Size a b c （晶体三个方向的大小，
依此计算透过率）
mpla c1 c2 c3 c4…
mpla c7 c8 c9…
（计算由c1 c2 c3 c4 and c7 c8 c9产
生的两个平面的夹角，在lst文件中）
输入这些命令后，精修一轮就可产生
相应的信息。一直精修到达到标准，
才能算是完成精修任务。
可以通过调整wght来修正S值。
5.5.5 用xp画图
点击xp
A 画椭球图
输入fmol
输入info
显示所有原子和q峰的坐标和位移
参数信息等。
输入kill $q
输入proj
调整好视角，以保证所有的原子都
能看清晰且美观。
输入labl a b
a=0，表示没有任何标注
a=1，表示不标注H原子，原子序
号不用括号
a=2，表示不标注H原子，原子序
号用括号
a=3，表示标注H原子，原子序号
不用括号
a=2，表示标注H原子，原子序号
用括号
b，表示标注字体的大小，一般简
单的椭球图用300左右
输入telp a b c d cell
telp cell表示画出带晶胞框的棍球
图
telp 0 -50 0.05 20 less $h
其中0表示：立体角度
-50表示：位移椭球图的概率百
分比，负值表示是椭球图，一般选择
-30或者-50
0.05表示：键的半径，默认值
是0.09，一般用0.05
20表示：观察的距离
如果用less $q则表示：不画所
有的氢原子。
回车后，将出现椭球图，对原子进
行标记（敲回车可以跳过原子，用
backspace可以倒退，如果原子标记
的字体大小不合适，要从labl命令从
新开始）。
标记完毕后，自动退出，此时会让输
入要保存的*.plt的文件名。
输入draw *
选a后回车
输入要输出的图像文件的名称
选回车保存成黑白图，选c保存成
彩色图
等一分钟左右
此时就会有*.ps文件生成，该文件
可以用photoshop打开。
B 画晶胞堆积图
输入fmol
输入kill $q
输入proj
调整好视角，以保证所有的原子都
能看清晰且美观。也可以用matr命
令来调整视角。
输入pbox a b
a表示在当前图形的位置下要堆积
的晶胞格子的宽度
b表示在当前图形的位置下要堆积
的晶胞格子的深度
当前图形的位置下要堆积的晶胞格
子的高度是宽度的0.75倍
输入matr x
x =1表示从a轴的方向看；x =2表
示从b轴的方向看；x =3表示从c轴
的方向看
输入pack
表示堆积。此时会出现堆积的图形，可以对堆积出的分子进行删减。选择倒数第二项退出，表示保存了此pack图形。
输入proj
调整方向
输入labl a b
输入telp cell
如果要命名部分原子，就要一直按回车键直至退出。如果没有命名原子，可以按esc键退出。
输入要保存的*.plt的文件名
输入draw命令，以下同画椭球图的命令。
提示：画完椭球图后可以直接pbox 和pack命令进行堆积图的处理；堆积图处理后，用fuse命令删除原子后可以进行椭球图的处理。
5.5.6 xp程序的其他有用的命令
输入envi C1 3
显示出距离C1原子为3埃的所有原子，用此法可以寻找是否有氢键的存在？
输入sgen 2565
长出由2565对称操作长出来的原子
1555：1表示对称操作的编号；三个5依次表示轴a，b，c的方向。
如果向a轴正方向平移一个单位，则对称号码为：1655；
如果向b轴正方向平移一个单位，则对称号码为：1565；
如果向c轴正方向平移一个单位，则对称号码为：1556；
1555 = +x，+y，+z
2555 = -x，-y，-z
3555 = 0.5-x，0.5+y，0.5-z
4555 = -0.5+x，-0.5-y，-0.5+z
输入sgen C1 C2 C3 N4 N5 N7 S8 3566
长出这些原子
输入join bond-type keywords
Bond-type=1表示实线（缺省值）；=2表示空心线；=3表示虚线
Keywords表示要连接的两个原子
的标志号码。
输入mpln keywords
如输入mpln C1 C2 C3 C4
mpln C7 C8 C9 C10
将计算出由C1C2C3C4和
C7C8C9C10确定的两个最小二乘平
面以及两个平面简单夹角。
氢键的形成经验距离：
X-H…Y，X…Y=3.2-4.0埃，H…Y<3
埃
一些正常键长数据
C-C = 1.53，1.51，1.47
C-N = 1.47-1.50
C-O（H）= 1.41-1.44，1.30（羧酸
根的）
C=O = 1.19-1.23，1.21-1.23（羧酸根
的）
C-Cl = 1.72-1.85
C-NO2 = 1.21-1.22
C-S = 1.82
5.6 用platon程序检测
有些错误要返回到5.5重新精修以
解决
6、用platon程序检测cif文件，解
决掉不可忽略的错误
XP应用指南
1．进入界面
直接点击XP.exe的应用程序图标。
或者从命令提示符进入。
2．如何打开一张RES图？
（1）首先确定RES扩展名的文件的
位置及其文件名。然后将其拷到XP
所在的文件夹中。例如：在我的文
档中有一个08122m . res的文件
（2）在XP的界面中如下操作：
XP》read 08122m
XP》fmol
按enter键后，会出现一系列数据标
示。按enter使屏幕滚动，提示符重
新出现。
XP》mpln/n （选择项）（分子沿对
称轴方向定向）
屏幕出现x . y . z 轴坐标。
XP》proj
即可进入08122m的XRD结构图，右
上角有一系列命令
3．如何只显示部分图形？
方法一：XP》pick
屏幕出现一张结构全图，并自动扫描
各键。确定拟保留和除去的键及原
子，然后当扫描到某个键时，按“空
格键”保留该键，按“enter”键删
除该键。依次操作。依次操作直至满
足要求。
① 当误删时，按“backspace”即可
恢复上步操作。
② 处理完毕，按“ESC”返回至XP》
____ 状态。但保留处理。
③ 处理完毕，按“？/”键即可将处
理后的图保留下来。
④ 当扫描到某个原子时，可键入元
素符号和数字来改变原子的编号。
方法二：XP》pick ＄C
则光标自动扫描所有C原子。按“空
格键”或“enter”键来决定是逐个
保留还是删除。
方法三：XP》kill P1
此法需要在已知拟删原子的坐标符
合之后才能运用。否则很容易误删。
上面的命令可删除结构图上的P1原
子，然后给出“一个原子被删”的提
示后直接回到XP》_____.
以上三个方法均可用通配符“？”
或“*”，C1 to C6
4．如何进行晶胞堆积？
（1）按X，Y或Z轴方向堆积：
XP》matr 1 （按X方向堆积）
XP》matr 屏幕会给出一系列参数
XP》pack 屏幕会给出在一定长、宽
范围沿X轴的晶胞堆积图，用红蓝两
色给出。若戴上一幅红蓝镜片的眼
镜，则可看到立体图。如果要贮存，
在退出时选择右上方“SGEN/FMOL”
命令，那么接下来用PROJ命令打开
时，即为该图，而不是以前的单晶。
若想恢复到最初的单晶胞图，则用
XP》fuse命令即可。
（2）按自定方向堆积
先用XP》proj 命令打开一张图。
再用其中的rotate选项选择合适的方向，退出。
然后XP》pack 可显示所选方向的晶胞堆积图。
5．有关旋转的两个快捷键：
① 选中旋转命令，按enter键可均匀缓慢旋转，在按下可停止RV
② 在缓慢RV时，若按下空格键可加速选转，再次按下可恢复慢速。6．修改显示空间
XP》pbox 屏幕显示图形区域的长、宽值（默认20A，80A）
XP》pbox 30 10 将区域改为30A、10A
XP》pack 即可看到更多晶胞堆积在一定区域内。
7．如何求二面角？（以a.res为例）XP》read a
XP》fmol Cu1 P1 P2 N2 N4 C40 C41 C42 （将两个面上的原子）
XP》mpln Cu1 P1 P2 （列出第一个面上的原子）
XP》mpln C40 C41 C42 N3 N4 （列出第二个面上的原子）
给出第二个面与第一个面的二面角值。
8．如何显示部分图形？
XP》read a （读入文件a.res）XP》fmol C1 C2 C3?????（列出所要显示的原子）
XP》
XP》proj
即可显示部分图形。
9．除两个原子间的连接：
XP》undo P1 P2
10．如何将晶体对称生长完全？XP》grow
11．用diag命令可将图形放于屏幕的右上角，方便以后编辑（如kill、pick等）
12．如何给出与Cu1所连接各原子的键长和键角？
XP》bang Cu1
13．如何退出XP？XP》quit
14．一张已经修改过的图，以便下次
可直接进入该画面？
15．如何测量两个并不相连的原子的
距离？
XP》envi x n
X：代表某个原子序号 n ：为自然数
该命令可以求出距离x原子n倍正常
键长范围内所有原子与该原子的距
离，并且给出所有以x原子为中心
的各连线之间的夹角。
16．如何测量两个平行平面间距？
XP》cent/x ______ (一个平面S1上
原子)
将给出这个平面中心一点X1A
XP》mpln ______ (另一个平面S2的
原子)
将给出X1A到S2的垂直距离。
如何平面S1和S2中心之间的距离？
可以用同样的方法求出平面S2的中
心X1B，然后用envi命令求出X1A
到X1B之间的
距离。
17．如何保存一张处理过的图形？
当用完pick或kill命令后，可用
proj命令显示出处理的结果。当把
它调整到适当的角度后，退出，并用
save命令可将其保存下来。
XP》save (键入一个文件名)
XP》telp 0－30
出现一大堆数据。当出现plotfile
时，键入一个文件名，然后出现一张
热椭球图形，可对其进行原子编号。
（可移动鼠标来确定编号的位置，
enter键：跳过编号原子，space键：
确定编号。）当完成编号后，键入
“b”、“空格”，此按键可将上述
处理保存为一张plt的文件。
18．如何作出能粘贴到word中的
图？
① 得到*.plt后，在XP中draw ____
(键入文件名)
然后出现一堆参数要求选择：h （可
将其存为hgl文件）
a （可存为ps文件）
a4
即可得到*.hgl文件
在word中即可插入。
② 把附件hpg.zip解压成
hpg.reg ；hpglim32.flt
把文件copy到C：\program
files\commom file\Microsoft
shared\graphflt
双击hpgl.reg 使其注册
19．如何回到以前已经保存过的一张
*.sav的图形？
XP》read *.res
XP》fmol
XP》mpln/n
XP》next _____ 键入想要调出的文
件名（后缀为sav）
20．如何将不完整的分子结构图画完
全？
可以将一个原子沿着它所连接的原
子逐个生长出去。
XP》envi （键入一个原子，假如a）
显示与该原子相连的其他原子符号
（假如b），以及内部编号（****）
XP》sgen b ****
XP》proj
可显示b原子，用此法可将一整个链
画完整。
21．查看晶胞参数的命令？
XP》cell
22．查看是否有空洞的命令？
将结构晶胞堆积图旋转到一定方向
后 XP》spix 即可出现一张结构堆积
图。
晶体结构解析基本步骤
晶体结构解析基本步骤 Steps to Crystallographic Solution (基于SHELXL97结构解析程序的SHELXTL软件，尚需WINGX和DIAMOND程序配合) 注意：每一个晶体数据必须在数据所在的目录(E:\STRUCT)下建立一子目录(如E:\STRUCT\AAA)，并将最初的数据备份一份于AAA目录下的子目录ORIG，形成如右图所示的树形结构。 一. 准备 1. 对IP收录的数据, 检查是否有inf、dat和f2(设为sss.f2, 并更名为sss.hkl)文件; 对CCD 收录的数据, 检查是否有同名的p4p和hkl(设为sss.hkl)文件 2. 对IP收录的数据, 用EDIT或记事本打开dat或inf文件, 并于记录本上记录下相关数据(下面所说的记录均指记录于记录本上)： ⊕从% crystal data项中，记下晶胞参数及标准偏差(cell)；晶体大小(crystal size)；颜色(crystal color)；形状(crystal habit)；测量温度(experiment temperature)； ⊕从total reflections项中，记下总点数；从R merge项中，记下Rint＝?.???? % (IP收录者常将衍射数据转化为独立衍射点后传给我们); ⊕从unique reflections项中，记下独立点数 对CCD收录的数据, 用EDIT或记事本打开P4P文件, 并于记录下相关数据： ⊕从CELL和CELLSD项中，记下晶胞参数及标准偏差; ⊕从CCOLOR项中，记下晶体颜色; 总点数；从CSIZE项中，记下晶体大小; ⊕从BRA V AIS和SYMM项中，记下BRA V AIS点阵型式和LAUE群 3. 双击桌面的SHELXTL图标(打开程序), 呈 4. New, 先在“查找范围”选择数据所在的文件夹(如E:\STRUCT\AAA), 并选择衍射点数据文件(如sss.hkl),?单击Project Open,?最后在“project name”中给一个易于记忆和区分的任务名称(如050925-znbpy). 下次要处理同一结构时, 则只需Project 在任务项中选择050925-znbpy便可 5. 单击XPREP , 屏幕将显示DOS式的选择菜单: ⊕对IP收录的数据, 输入晶胞参数后回车(下记为
交通信号灯原理图绘制详细步骤解析
交通灯信号灯电路原理图绘制 一、任务目标 (1)能力目标:能运用Protel99SE绘图软件绘制各类模拟电路。 (2)知识目标:能熟练说出Protel99SE绘图软件中电路原理图(简称原 理图)编辑环境下基本命令及功能。 (3)素质目标:培养良好的劳动纪律观念;能养成认真绘图的习惯。 二、工作任务 Protel99SE一个易于使用的具有大量元件库的原理图编辑器，主要用于原 理图的设计。它可以为印制电路板设计提供网络表。该编辑器除了具有强大的原 理图编辑功能以外，其分层组织设计功能、设计同步器、丰富的电气设计检验功 能及强大而完善的打印输出功能，使用户可以轻松完成所需的设计任务。 本任务是利用Protel99SE 完成“交通信号灯原理图的绘制与分析”，通 过本任务的具体实践，操作者将具备绘制简单图纸的能力，同时结合本实际产品 三、任务实施 下面是Protel99SE设计原理图的基本流程图 1.绘制原理图前的必要准备 1.1 建立一个新的数据库
1.1.1 启动Protel 99 SE 双击桌面带有Protel 99 SE图标 1.1.2选择主菜单区的【文件】/【新建】选项 其中数据库的位置一栏中，是选择文件要保存的目录，根据本题目的要
求，我们选择及其的最后一个硬盘并新建一个文件夹。 另外数据库文件名是我们要建立的数据库的名字，根据要求我们修改为D08101.ddb 此时，点击确定。一个合适的数据库就建立成功了。
1.1.3双击【Document】图标，进入数据库操作界面,执行菜单命令【文件】/【新建文件】，出现如图所示的选择类型对话框。 1.1.4点击【Schematic Document】图标，选中原理图编辑器图标，单击【确定】按钮或双击该图标就可以完成新的原理图文件的创建，如图所示。默认的文件名为“sheet1.sch”，文件名可以修改，例如改为“D08101.sch”。
第三章《晶体结构与性质》《晶体的常识》教学设计
第三章《晶体结构与性质》《晶体的常识》教学设计 一、教学目标 1、知识与技能 （1）知道获得晶体的几种途径 （2）理解晶体的特点和性质及晶体与非晶体的本质区别 （3）初步学会确定一个晶胞中平均所含粒子数的方法 2、过程与方法 （1）收集生活素材，结合已有知识和生活经验对晶体与非晶体进行分类 （2）学生通过观察、实验等方法获取信息 （3）学会运用比较、分类、归纳、概括等方法对获取的信息进行加工 3、情感态度与价值观 （1）培养学生科学探究的方法 （2）培养学生的动手能力、观察能力、自主学习的能力，保持对生活中化学的好奇心和探知欲，增强学生学习化学的兴趣。 二、教学重点 1、晶体的特点和性质及晶体与非晶体的本质区别 2、确定一个晶胞中平均所含粒子数的方法 三、教学难点 1、确定一个晶胞中平均所含粒子数的方法 四、教学用品 课前学生收集的各种固体物质、玛瑙耳坠和水晶项链、蜂巢、晶胞实物模型、乒乓球、铁架台、酒精灯、蒸发皿、圆底烧瓶、碘、水、多媒体等 五、教学过程 １．新课导入： ［教师］上课前，我已经请同学们收集了一些身边的固体物质，大家都带来了吗？（学生：带来了）你们都带来了哪些固体呢？（学生七嘴八舌，并展示各自的固体）［教师］同学们带来的固体物质可真是琳琅满目啊！但是，我们每个人可能只带了几样，想知道别人收集了哪些固体物质吗？（学生：想）下面我们请前后四个同学组成一个小组，然后互相交流一下收集的各种固体物质，并讨论如何将这些固体物质进行分类呢？ ［分组讨论］互相交流各自所带的物品，并分类（教师进行巡视） ［教师］：请这组同学将你们带来的固体和交流的结果汇报一下。 ［学生汇报］：（我们讨论后觉得将粗盐、明矾、樟脑丸分为一类；塑料、玻璃片、橡胶分为另一类。教师追问：你们为什么会这样分呢？生：根据这些有规则的几何外形，而另一些没有。） ［教师总结］这组同学收集的物品很丰富，并通过组内讨论确定了分类依据，然后进行了恰当的分类。其实，同学们也许没有留心观察，我们身边还有许多美丽的固体，当然也有的可能是我们日常生活中不易接触到的。下面，我们就一起欣赏一下这些美丽的固体。 ［视频投影］雪花放大后的形状、烟水晶、石膏、毒砂、绿柱石、云母等晶体实物（并配以相应的解说，给学生了解到这些固态物质都有规则的几何外形。） ［教师讲述］我们就将这些有规则几何外形的固体称之为晶体，而另一些没有规则几何外形的固体称之为非晶体。 ［板书］一、晶体与非晶体 设计意图：课前请同学收集身边的固态物质，然后在课堂上展示，并分组交流讨论，最后进行分类，并在课堂上汇报。这样从学生身边的固体入手，直观、简洁地引入课题，潜移默化
晶体解析方法
晶体结构解析 1、挑选直径大约为0.1–1.0mm的单晶。 CCD的准直管直径有0.3mm，0.5mm，0.8mm；分别对应得晶体大小是0-0.3mm, 0.3-0.5mm, 0.5-0.8mm. 2、选择用铜靶还是钼靶？ 铜靶要求θmax〉=66度，最大分辨率是0.77埃 钼靶要求θmax〉=25度，最大分辨率是0.36埃 3、用smart程序收集衍射数据：得到大约一千张倒易空间的衍射图像，300M大小。其中matrix图像45张，分成三组，每组15张，用以判定晶体能否解析。 4、用saint程序还原衍射数据：得到很多文件，但是只有三个文件是我们需要的：-ls，p4p，raw。 -ls文件中包含有最大的和最小的θ角，有效地精修衍射点数目。好像不同的机器或者还原程序得到的文件不同，有的是hkl，abs。 5、用shelxtl程序处理上述数据，并画出需要的图形。 5.1 装好shelxtl程序，新建一个project，输入要建立工程的名字，然后打开要解析的p4p或者raw文件。 5.2 用xprep程序确立空间群，建立指令文件 这个过程基本上是一直按回车键的过程（除了在要输入化学成分的时候改动一下和在是否建立指令文件的时候输入Y即可），一般不会出错。如果出错，那就要重新对空间群进行指认（出错可能是出现在下面的精修过程中）。 一般Mean（I/sigma）〉2才可以，越大越好。得到ins，hkl，pcf三个重要数据文件。 其中ins文件：包含分子式，空间群 等信息； hkl文件：包含的是衍射点的强度 数据； pcf文件：记录了晶体物理特征， 分子式，空间群，衍射数据收集的条 件以及使用的相关软件等信息。 5.3 选择要解析的方法：直接法 （TREF）还是帕特深法（PATT）？ 如果晶体中含有重原子如金属原 子，那就要用PATT法；如果晶体中 没有原子量差异特别大的原子，就用 TREF法。默认的方法是直接法。 5.4 用xs程序解析粗结构 得到res文件：包含了ins文件的内 容和所有的Q峰信息。 5.5 用xp程序与xl程序完成原子的 指认，付利叶加氢或理论加氢，画图 等。 达到比较好的结果标准： A 化学上合理（键长、键角、价态） B R1 <0.08（0.06），wR2 <0.18（0.16）， goof=S=1+-0.2(1.00) C R(int)<0.1,R(singma)<0.1 D Maximum=0.000 5.5.1 原子的指认 打开xp 输入fmol 出现一系列的Q峰信息。每次打开 xp后都要先输入此命令。 输入pick 进入Q峰之间连接的结构体系中。 根据化学经验（键长，键角以及连接 方式）和自己晶体的预测的结构，对 Q 峰进行取舍。 取舍完毕后，进行原子的命名。当闪 点在某个原子上时，从键盘上输入要 命名的原子的符号，然后回车；闪点 就会跳到下一个要命名的Q峰上。当 闪点在某个Q峰上时，如果直接回 车，会删掉此原子，用backspace可 以复原；如果直接敲空格键，闪点会 跳到下一个Q峰上。 敲“/”键，保存命名结果，退出；敲 “esc”键，不保存结果，退出。 输入pers 可以看棍球图，如果有错误的原子命 名，可以继续用pick命令进行修改。 输入proj 可以看到结构图，并可以旋转观看 输入grow 可以长出对称的单元。如果没有对称 的单元，则此命令无效。 输入fuse 删除grow出来的原子和其他操作长 出的原子，这些原子不能带入精修的 过程中。 输入sort /n 对原子进行排序，按照原子名称的 序号；如果输入sort $C $N则按照原 子种类进行排序。 输入file name.ins 保存所作的命名信息。会有提示询 问是否从name.res中拷贝信息，直接 回车。 注意：name指用xs解析时命名的作 业名，不能更改。 输入quit 退出程序，敲esc退出程序 5.5.2 用xl进行精修 点击xl 出现精修过程，看是否符合5.5中 的标准（可以关闭xl后，通过增加 ins中的ls的次数或者copy name.res to name.ins 命令进行反复精修，切记 每次xl精修后生成的是res文件，因 此要将res拷贝成ins再次进行精修 才有效）。 如果其他的条件不符合，则要修改 ins文件：加入 anis（对所有指令后的非氢原子进 行各向异性精修，anis n对指令后的 前n个原子进行各向异性精修，anis C对指令后的指定原子进行各向异 性精修） omit（忽略指定的衍射点，一般都 要用到omit 0 52）
单晶结构解析步骤
shelxtl open new name xp fmol kill $q proj select the good direction exit telp 0 -30 plotfile enter file name draw file name select file(ps file) black and white cell fmol kill $q matr 1=a 2=b 3=c pbox 5 15 pack select (space=keep, enter=del) fmol telp cell enter file name draw file name select file type(a=psfile) black and white(enter) plane xp read file name fmol mpln atom1 atom 2..... enter angle xp read file name fmol
mpla n(atom number) atom1 atom 2..... mpla n(atom number) atom1 atom 2..... mpla n(atom number) atom1 atom 2..... enter fmol kill link matr pbox pack undo c**? C**? telp cell xl 计算方法 在ins中任何地方插入 mpla 虚拟平面的原子个数（例如六个原子只有四个可能共平面，即输入4），后面连续输入可能共平面的4个原子，后面在输入其他两个平面外的原子。 例如c1 c2 c3 c4 c5 n1中，c1 c2 c4 c5 共平面 mpla 4 c1 c2 c4 c5 c3 n1 txt 运行xcif 选择t 两次回车 输入文件名.txt 选择def 回车直到选择q 理论加氢 在ins中输入 HFIX 要加氢的原子 保存ins 运行XL 打开RES 拷贝相应的数据到ins中即可。 CHEMICAL DRAW 选中画笔 点出两个点 按ESC 点选择键 选中画笔 鼠标移动至出现小手
材料分析方法部分课后习题答案(供参考)
第一章X 射线物理学基础 2、若X 射线管的额定功率为1.5KW，在管电压为35KV 时，容许的最大电流是多少？ 答：1.5KW/35KV=0.043A。 4、为使Cu 靶的Kβ线透射系数是Kα线透射系数的1/6，求滤波片的厚度。 答：因X 光管是Cu 靶，故选择Ni 为滤片材料。查表得：μ m α＝49.03cm2／g，μ mβ＝290cm2／g，有公式，，，故：，解得:t=8.35um t 6、欲用Mo 靶X 射线管激发Cu 的荧光X 射线辐射，所需施加的最低管电压是多少？激发出的荧光辐射的波长是多少？ 答：eVk=hc/λ Vk=6.626×10-34×2.998×108/(1.602×10-19×0.71×10-10)=17.46(kv) λ 0=1.24/v(nm)=1.24/17.46(nm)=0.071(nm) 其中h为普郎克常数，其值等于6.626×10-34 e为电子电荷，等于1.602×10-19c 故需加的最低管电压应≥17.46(kv)，所发射的荧光辐射波长是0.071纳米。 7、名词解释：相干散射、不相干散射、荧光辐射、吸收限、俄歇效应 答：⑴当χ射线通过物质时，物质原子的电子在电磁场的作用下将产生受迫振动，受迫振动产生交变电磁场，其频率与入射线的频率相同，这种由于散射线与入射线的波长和频率一致，位相固定，在相同方向上各散射波符合相干条件，故称为相干散射。 ⑵当χ射线经束缚力不大的电子或自由电子散射后，可以得到波长比入射χ射线长的χ射线，且波长随散射方向不同而改变，这种散射现象称为非相干散射。 ⑶一个具有足够能量的χ射线光子从原子内部打出一个K 电子，当外层电子来填充K 空位时，将向外辐射K 系χ射线，这种由χ射线光子激发原子所发生的辐射过程，称荧光辐射。或二次荧光。 ⑷指χ射线通过物质时光子的能量大于或等于使物质原子激发的能量，如入射光子的能量必须等于或大于将K 电子从无穷远移至K 层时所作的功W，称此时的光子波长λ称为K 系的吸收限。 ⑸原子钟一个K层电子被光量子击出后，L层中一个电子跃入K层填补空位，此时多余的能量使L层中另一个电子获得能量越出吸收体，这样一个K层空位被两个L层空位代替的过程称为俄歇效应。 第二章X 射线衍射方向 2、下面是某立方晶第物质的几个晶面，试将它们的面间距从大到小按次序重新排列：（123），（100），（200），（311），（121），（111），（210），（220），（130），（030），（221），（110）。 答：立方晶系中三个边长度相等设为a，则晶面间距为d=a/ 则它们的面间距从大小到按次序是：（100）、（110）、（111）、（200）、（210）、（121）、（220）、（221）、（030）、（130）、
晶体结构解析的过程XP
晶体结构解析的过程 (2010-06-10 16:49:31) 转载 分类：晶体解析 标签： 杂谈 1、挑选直径大约为0.1–1.0mm的单晶。 CCD的准直管直径有0.3mm，0.5mm，0.8mm；分别对应得晶体大小是0-0.3mm, 0.3-0.5mm, 0.5-0.8mm. 2、选择用铜靶还是钼靶？ 铜靶要求θmax〉=66度，最大分辨率是0.77埃 钼靶要求θmax〉=25度，最大分辨率是0.36埃 3、用smart程序收集衍射数据：得到大约一千张倒易空间的衍射图像，300M 大小。其中matrix图像45张，分成三组，每组15张，用以判定晶体能否解析。 4、用saint程序还原衍射数据：得到很多文件，但是只有三个文件是我们需要的：-ls，p4p，raw。 -ls文件中包含有最大的和最小的θ角，有效地精修衍射点数目。好像不同的机器或者还原程序得到的文件不同，有的是hkl，abs。 5、用shelxtl程序处理上述数据，并画出需要的图形。 5.1 装好shelxtl程序，新建一个project，输入要建立工程的名字，然后打开要解析的p4p或者raw文件。 5.2 用xprep程序确立空间群，建立指令文件 这个过程基本上是一直按回车键的过程（除了在要输入化学成分的时候改动一下和在是否建立指令文件的时候输入Y即可），一般不会出错。如果出错，那就要重新对空间群进行指认（出错可能是出现在下面的精修过程中）。 一般Mean（I/sigma）〉2才可以，越大越好。
得到ins，hkl，pcf三个重要数据文件。 其中ins文件：包含分子式，空间群等信息； hkl文件：包含的是衍射点的强度数据； pcf文件：记录了晶体物理特征，分子式，空间群，衍射数据收集的条件以及使用的相关软件等信息。 5.3 选择要解析的方法：直接法（TREF）还是帕特深法（PATT）？ 如果晶体中含有重原子如金属原子，那就要用PATT法；如果晶体中没有原子量差异特别大的原子，就用TREF法。默认的方法是直接法。 5.4 用xs程序解析粗结构 得到res文件：包含了ins文件的内容和所有的Q峰信息。 5.5 用xp程序与xl程序完成原子的指认，付利叶加氢或理论加氢，画图等。 达到比较好的结果标准： A 化学上合理（键长、键角、价态） B R1 <0.08（0.06），wR2 <0.18（0.16），goof=S=1+-0.2(1.00) C R(int)<0.1,R(singma)<0.1 D Maximum=0.000 5.5.1 原子的指认 打开xp 输入fmol
直方图制作步骤详细讲解
直方图制作步骤 1）定义：直方图是数据分布形态分析的工具。 在质量管理中，如何预测并监控产品质量状况？如何对质量波动进行分析？直方图就是一目了然的把这些图表化处理的工具。它通过对收集到的貌似无序的数据进行处理，来反映产品质量的分布情况，判断和预测产品质量及不合格率。直方图是针对某产品或过程的特性值，把50个以上的数据进行分组，并算出每组出现的次数，画成以组距为底边，以频数为高度的一系列连接起来的直方矩形图。 2）直方图制作步骤 ①收集数据：收集数据时，对于抽样分布必须特别注意，不可取部分样品，应全部均匀的加以随机抽样，所收集的数据个数应大于50以上。 例:某厂成品尺寸规格为130~160mm，按随机抽样方式抽取60个样本，其测定值如下： 单位：mm 138142148145140141 139140141138138139 144138139136137137 131127138137137133 140130136128138132 125141135131136131 134136137133134132 135134132134121129 137132130135135134 136131131139136135 ②找出每组数据中最大值（L），与最小值（S） A B C D E F 138142148145140141 139140141138138139 144138139136137137 131127138137137133 140130136128138132 145141135131136131 134136137133134132 135134132134121129 137132130135135134 136131131139136135 ③求全部数据中的最大值和最小值 A L1=145S1=131 B L2=142S2=127
最详细的WesternBlot过程步骤详解
最详细的W e s t e r n B l o t 过程步骤详解
最详细的W e s t e r n B l o t 过程步骤详解 Pleasure Group Office【T985AB-B866SYT-B182C-BS682T-STT18】
Western Blot详解(原理、分类、试剂、步骤及问题解答) Western免疫印迹（Western Blot）是将蛋白质转移到膜上，然后利用抗体进行检测。对已知表达蛋白，可用相应抗体作为一抗进行检测，对新基因的表达产物，可通过融合部分的抗体检测。 本文主要通过以下几个方面来详细地介绍一下Western Blot技术: 一、原理 二、分类 i.放射自显影 ii.底物化学发光ECL ECF iv.底物DAB呈色 三、主要试剂 四、主要步骤 五、实验常见的问题指南 1.参考书推荐 2.针对样品的常见问题 3.抗体 4.滤纸、胶和膜的问题 的相关疑问 6.染色的选择 7.参照的疑问
8.缓冲液配方的常见问题 9.条件的摸索 10.方法的介绍 11.结果分析 一、原理 与Southern或Northern杂交方法类似，但Western Blot采用的是聚丙烯酰胺凝胶电泳，被检测物是蛋白质，“探针”是抗体，“显色”用标记的二抗。经过PAGE分离的蛋白质样品，转移到固相载体（例如硝酸纤维素薄膜）上，固相载体以非共价键形式吸附蛋白质，且能保持电泳分离的多肽类型及其生物学活性不变。以固相载体上的蛋白质或多肽作为抗原，与对应的抗体起免疫反应，再与酶或同位素标记的第二抗体起反应，经过底物显色或放射自显影以检测电泳分离的特异性目的基因表达的蛋白成分。该技术也广泛应用于检测蛋白水平的表达。 二、分类 现常用的有底物化学发光ECL和底物DAB呈色，体同水平和实验条件的是用第一种方法，目前发表文章通常是用底物化学发光ECL。只要买现成的试剂盒就行，操作也比较简单，原理如下（二抗用HRP标记）：反应底物为过氧化物+鲁米诺，如遇到HRP，即发光，可使胶片曝光，就可洗出条带。
整理晶体结构解析步骤
晶体结构解析步骤Steps to Crystallographic Solution (基于SHELXL97结构解析程序和DOS版SHELXTL画图软件。在DOS下操作) 注意：1. 每一个晶体数据必须在D:/STRUCT下建立一子目录(如D:\STRUCT\AAA)，并将最初的数据备份一份于AAA目录下的子目录ORG; 2. 此处用了STRUCT.BA T批文件，它存在于C:\根目录下，内有path= c:\nix; c:\exe; d:\ struct; c:\windows\system32 (struct为工作目录，exe为SHELXL97程序，nix为SHELXTL画图) 3. 在了解DOS下操作之后，可在WIN的WINGX界面下进行结构解析工作，画图可用XP 或DIAMOND软件进行。 一. 准备 1. 检查是否有inf、dat和f2(设为sss.f2)文件 2. 用EDIT或记事本打开dat或inf文件, 并于记录本上记录下相关数据(下面所说的记录均指记录于记录本上)： ⊕从% crystal data项中，记下晶胞参数及标准偏差(cell)；晶体大小(crystal size)；颜色(crystal color)；形状(crystal habit)；测量温度(experiment temperature)； ⊕从R merge项中，记下Rint＝?.???? %； ⊕从total reflections项中，记下总点数； ⊕从unique reflections项中，记下独立点数 3. 双击桌面的DOS图标(或Win2000与WinNT的“命令提示符”) 4. 键入STRUCT(属于命令，大小写均可。下同) 5. 进入欲处理的数据所在的文件夹(上面的1~2工作也可在这之后进行) 6. 键入XPREP sss.f2 (屏幕显示DOS的选择菜单) 7. 选择[4]，回车(下记为) 8. 输入晶胞参数(建议在一行内将6个参数输入，核对后) 9. 一系列运行(对应的操作动作均为按)之后，输入分子式(如, Cu2SO4N2C4H12。此分子式仅为估计之用。注意：反应中所有元素都应尽可能出现，以避免后续处理的麻烦) 10. 退出XPREP运行之前，机器要求输入文件名，此时一定要输入文件名，且不与初始的文件名同名。另外，不要输入扩展名。如可输入aaa 11. 检查是否产生有PRP、PAR和INS文件(PRP文件内有机器对空间群确定的简要说明) 12. 更名：REN aaa.f2 aaa.hkl 13. 用EDIT或记事本打开aaa.ins文件，在第二~三行中，用实际的数据更改晶胞参数及其偏差(注意：当取向改变了，晶胞参数也应随之对应)，波长用实际波长。 二．解结构 14. 键入SHELXS aaa或XS aaa，(INS文件中, TREF为直接法，PATT为Pattersion法) 15. XP，(进入XP程序)(可能产生计算内址冲突问题，注意选择处理) 16. READ or REAP aaa (aaa.res 为缺省值，若其它文件应是文件名.扩展名，如aaa.ins) 17. FMOL, (不要H原子时，为FMOL LESS $H，或FMOL后，KILL $H, ) (读取各参数，屏幕上显示各原子的键合情况) 18. MPLN/N, (机器认为最好取向) 19. PROJ, (随意转动，直至你认为最理想取向)
哈尔滨工程大学老师特别讲解相平面法例题解析相平面法例题详细步骤解析
相平面法例题解析： 要求： 1.正确求出对于非线性系统在每个线性区的相轨迹方程，也就是e e -之间关系的方程（或c c -）。会画相轨迹（模型中是给具体数的）。※※关键是确定开关线方程。 2. ※※※如果发生自持振荡，计算振幅和周期。 注意相平面法一般应： 1）按照信号流向与传输关系。线性部分产生导数关系，非线性部分形成不同分区。连在一起就形成了不同线性分区对应的运动方程，即含有c 或者e 的运动方程。 2）※※※根据不同线性分区对应的运动方程的条件方程确定开关线方程。开关线方程确定很关键。 3）※※※根据不同线性分区对应的运动方程，利用解析法（分离变量积分法或者消去t 法）不同线性分区对应的相轨迹方程，即c c -和e e -之间关系。 4）※根据不同分区的初始值绘制出相轨迹，并求出稳态误差和超调、以及自持振荡的周期和振幅等。 例2 问题1. 用相平面法分析系统在输入r (t ) = 4.1(t )时的运动情况。 问题2. 如果发生自持振荡 ，求自持振荡的周期和振幅。 解：问题1：1）设系统结构图，死区特性的表达式： 0,||2 2,22,2x e x e e x e e =≤?? =->??=+<-? 2）线性部分： 2 ()1 ()C s X s s =，则运动方程为：c x = 3）绘制e e -平面相轨迹图。因为e r c =-，c r e =-，c r e =-，c r e =-。代入则 e x r =-+ （1） 当0t ≥，0r =，0r =。代入，则各区的运动方程0, ||2I 2,2II 2,2III e e e e e e e e =≤--?? =->---??=--<----? 由于非线性特性有3个分区，相平面e e -分为3个线性区。 注意，当相平面选好后，输入代入后，最后代入非线性特性。 4） 系统开关线：2e =±。 5） 由题意知初始条件(0)(0)(0)4e r c =-=，(0)(0)(0)0e r c =-=在II 区，则从
创业计划书详细步骤讲解
创业计划书详细步骤讲解 引导语：你的创业计划书，是你事业开展的依据，也是吸引投资人的文件，创业计划书怎么写每一部分内容写哪些东西呢来看看写作创业计划书的步骤解读。 一、怎样写好创业计划书 那些既不能给投资者以充分的信息也不能使投资者激动起来的创业计划书，其最终结果只能是被扔进垃圾箱里。为了确保创 业计划书能“击中目标”，创业者应做到以下几占： 八、、? 1.关注产品 2.敢于竞争 3.了解市场 4.表明行动的方针 5.展示你的管理队伍 6.出色的计划摘要 二、创业计划书的内容 1.计划摘要 计划摘要列在创业计划书书的最前面，它是浓缩了的创业计划书的精华。计划摘要涵盖了计划的要点，以求一目了然，以便读者能在最短的时间内评审计划并做出判断。 计划摘要一般要有包括以下内容：公司介绍；主要产品和业务范围；市场概貌；营销策略；销售计划；生产管理计
划；管理者及其组织；财务计划；资金需求状况等。 在介绍企业时，首先要说明创办新企业的思路，新思想的形成过程以及企业的目标和发展战略。其次，要交待企业现状、过去的背景和企业的经营范围。在这一部分中，要对企业以往的情况做客观的评述，不回避失误。中肯的分析往往更能赢得信任，从而使人容易认同企业的创业计划书。最后，还要介绍一下创业者自己的背景、经历、经验和特长等。企业家的素质对企业的成绩往往起关键性的作用。在这里，企业家应尽量突出自己的优点并表示自己强烈的进取精神，以给投资者留下一个好印象。 (在计划摘要中，企业还必须要回答下列问题：(1)企业所处的行业，企业经营的性质和范围；(2)企业主要产品的内容；(3)企业的市场在那里，谁是企业的顾客，他们有哪些需求； (4)企业的合伙人、投资人是谁；(5)企业的竞争对手是谁，竞争对手对企业的发展有何影响。) 摘要要尽量简明、生动。特别要详细说明自身企业的不同之处以及企业获得成功的市场因素。如果企业家了解他所做的事情，摘要仅需2页纸就足够了。如果企业家不了解自己正在做什么，摘要就可能要写20页纸以上。因此，有些 投资家就依照摘要的长短来“把麦粒从谷壳中挑出来” 2.产品(服务)介绍 在进行投资项目评估时，投资人最关心的问题之一就是，风
皮下注射详细步骤及要点解析和结果判断
皮下注射详细步骤及要点解析和结果判断一、目的 经皮下给药。 二、适应证 1.需迅速达到药效，不能经口服和静脉注射的药物。 2.预防接种。 三、禁忌证 1.对该药过敏。 2.注射局部有各种皮损、炎症、硬结、瘢痕或位于皮肤病处，注射时需避开。四、操作前准备 1.患者准备 1)评估患者治疗情况、用药史及药物过敏史。 2)向患者解释皮下注射目的、操作方法、药物的作用、配合要点。 3)取舒适体位、暴露注射部位皮肤。 4)评估患者注射部位皮肤和皮下组织情况。 2.材料准备 治疗车：车上载有以下物 品： 1)注射盘； 2)消毒用品； 3)1~2ml 注射器及针头； 4)砂轮。 3.操作者准备 洗手，准备帽子、口罩。 五、操作步骤 1．药品准备： 1)用安尔碘消毒药瓶。 2)取出注射器，检查活塞，拔下针帽，检查针头。 3)核对和抽取药液并排气至针乳头处，套好针帽。 注意：记录注射时间、药品名称、浓度、剂量和患者的反应。 严格执行查对患者床号、姓名、药品名称、药品剂量、时间、用法。2．注射部位的选择：上臂三角肌下缘、股外侧、腹部、后背。 3.消毒：用 75%酒精棉签消毒注射部位皮肤，直径大于 5cm。 4.注射：
1)二次核对和排气。 2)左手夹棉签并绷紧皮肤，右手持注射器进针，小指固定皮肤，针尖斜面向上与皮肤成300—400 角，迅速将针头的 1/2~2/3 刺入皮下。 3)左手抽回血，如无回血即可推药。 4)注射完毕，用无菌干棉签按压在针刺处，快速拔针，按压片刻。 注意：避开皮损、硬结等处，过瘦的患者注射时可捏起注射部位皮肤。推药速度应缓慢、均匀。 5.注射后处理： 1)合理安置患者。 2)收拾物品。 3)洗手。 4)记录。 六、并发症及处理 断针：原因常为进针手法不当；针头质量差或已有损坏未查出；患者肌肉紧张、身体移动。 预防和处理：熟练掌握注射手法；操作前认真检查注射器质量；协助患者采取舒适体位；若发生断针，操作者保持镇静，嘱患者勿移动，一手固定局部．下压皮肤，暴露针梗，另一手持止血钳夹住断端，迅速拔出；若针头断端已埋入皮下，应让患者保持原体位，采用外科手术切开取针。 七、相关知识 长期注射者，应教育患者建立轮流交替注射部位的计划，以避免局部出现硬结、影响药物吸收。
晶体解析的步骤
晶体解析的步骤 Steps to Crystallographic Solution (基于SHELXL97结构解析程序和DOS版SHELXTL画图软件。在DOS下操作) 注意： 1. 每一个晶体数据必须在D:/STRUCT下建立一子目录(如D:\STRUCT\AAA)，并将最初的数据备份一份于AAA目录下的子目录ORG; 2. 此处用了STRUCT.BAT批文件，它存在于C:\根目录下，内有path= c:\nix; c:\exe; d:\ struct; c:\windows\system32 (struct为工作目录，exe为SHELXL97程序，nix为SHELXTL 画图) 3. 在了解DOS下操作之后，可在WIN的WINGX界面下进行结构解析工作，画图可用XP 或DIAMOND软件进行。 一. 准备 1. 检查是否有inf、dat和f2(设为sss.f2)文件 2. 用EDIT或记事本打开dat或inf文件, 并于记录本上记录下相关数据(下面所说的记录均指记录于记录本上)： ⊕从% crystal data项中，记下晶胞参数及标准偏差(cell)；晶体大小(crystal size)；颜色(crystal color)；形状(crystal habit)；测量温度(experiment temperature)； ⊕从R merge项中，记下Rint＝?.???? %； ⊕从total reflections项中，记下总点数； ⊕从unique reflections项中，记下独立点数 3. 双击桌面的DOS图标(或Win2000与WinNT的“命令提示符”) 4. 键入STRUCT(属于命令，大小写均可。下同) 5. 进入欲处理的数据所在的文件夹(上面的1~2工作也可在这之后进行) 6. 键入XPREP sss.f2 (屏幕显示DOS的选择菜单) 7. 选择[4]，回车(下记为
洗发水详细使用步骤解析
洗发水详细使用步骤解析 洗发水是我们生活中必不可少的洗浴用品，特别是女孩子，在出门前总喜欢把头发洗干净再去见人，因为一把柔顺清爽的头发会很加分。很多人洗头都是很随便地把洗发水抹在头发上揉搓，差不多了的时候用水冲洗干净就完事了。但是一个正确的洗头过程却往往没有那么简单，下面小编就来给大家介绍一下怎样正确使用洗发水。 洗头前 根据自身实际情况，挑选一款适合自己的洗发水，选择品牌的洗发水质量会好很多。像油性头发则选择清爽去油配方的洗发水，干性发质的则适合于含保湿物质的配方。此外，在去屑、修护等方面上特别讲究的可以选择有某种功效的洗发水，像宝洁的海飞丝去屑洗发水、沙宣修护系列等。在洗头之前一定要调好水温，温水最宜，不刺激，最好在头发打湿之前先用梳子把头发理顺，这样子在洗头的时候头发不容易打结。接着用温水把头发彻底打湿浸透，可以更好地洗掉污垢，并且避免损伤头皮。 洗头中 当头发湿润后，在手心上倒适量的洗发水，加水轻轻揉搓至起泡，然后再涂抹到头发上，这样子可减少对头皮的刺激，并且更容易将全部头发浸润在泡泡中。
轻轻地揉搓头发3-5分钟，但其实头皮的清洗也十分重要，所以这个时候不仅仅搓头发，也要轻柔地清洗一下头皮，特别是后脑勺的地方，很容易堆积皮脂，使头皮滋生细菌产生头屑，因此要花较多的时间在后脑勺头皮的清洗上。如果时间允许的话，可以做一下头部按摩动作，用指关节轻轻按摩头部的穴位，如果配合着宝洁的潘婷系列洗发水，更能够深层滋润发干，预防发丝受损，可以对头皮起到放松作用。值得注意的是，去屑系列的洗发水不易过于频繁地使用，这样不仅不会滋润头皮，还会分解剥落那些干燥、疏松的皮肤表面，使头屑更加严重，最好是每个星期1-2次的使用次数。同时使用洗发水的根本目的是要清洗头发和头皮的污垢、油脂，改善头发生长的环境，而如果希望让头发快速变柔顺服帖，则可以配合使用护发素。 洗头后 揉搓完之后，一定要用温水将头发和头皮冲洗干净，因为洗发水的残留会刺激头皮。洗完头后及时将头发冲洗，有助于头发干净清爽，加以毛巾轻轻包裹吸收头发的水滴。洗完头之后感受一下头发的状况变化，因为一直用同一种洗发水是不能达到最好的护发效果的，大家可以根据不同的头发状况选择不同的洗发水。
丝印网版制作的方法及详细步骤解析(69476)
网版制作的方法 制版方法 使用材料 直接制版法 感光浆感光膜片 直间接制版法 感光膜片 间接制版法 间接菲林 1、直接制版法 ⑴感光浆直接制版法 方法：在绷好的网版上涂布一定厚度的感光浆(一般为重氮盐感光浆)，涂布后干燥，然后用制版底片与其贴合放入晒版机内曝光，经显影、冲洗、干燥后就成为丝网印刷网版。 工艺流程：感光浆配制已绷网——脱脂——烘干——涂膜——烘干——曝光——显影— —烘干——修版——最后曝光——封网 各工段的方法及作用 脱脂：利用脱脂剂除去丝网上的油脂使感光浆和丝网完全胶合在一起才不易脱膜。 烘干：干燥水分，位避免网布因温度过高而使张力变化，其温度应控制在40～45℃。感光浆配制：将光敏剂用纯净水调匀后加入感光浆中搅拌均匀，放置8小时以后再用。涂膜：利用刮槽将感光浆均匀地涂在丝网上，按涂膜方式分为自动涂布机涂膜和手工涂膜， 涂膜次数可根据实际情况而定。 涂膜时首先应涂刮刀面，目的是先将网纱间地空隙补满，避免气泡产生，接下来才涂布印刷面(与PCB接触的一面)，目前使用的自动涂布机每涂布一次约可增加膜厚3um，故阻焊网版涂布方式大多选择为：刮刀面涂布两次——烘干——印刷面涂布三次——烘干——印刷 面涂布三次——烘干——印刷面涂布三次——烘干。 涂膜方法正误说明： A.正确的涂膜刮刀面、印刷面厚度适宜，符合要求。 B.薄的涂膜(印刷面)缺点：耐用性差。 C.刮刀面涂膜太厚缺点：因刮刀面感光浆太厚，使感光不均，显影时水冲洗后，表面粗 糙油墨灌入膜层，使膜层脱落，导致网版寿命减短。 D.刮刀面涂膜太薄缺点：耐用性差。 烘干：使感光浆干燥均匀，避免感光浆外干内湿，温度过高会让外面感光浆先干而里面 未干，而使网版寿命减短，其温度应保持在40~45℃，时间10分钟左右，根据不同的膜厚适当调整烘干时间。 曝光：适当的曝光可使感光浆感光聚合，通过底版显影出清晰的图像。 影响网版质量的因素： A.正确的曝光能量 B.曝光及的抽真空度 C.曝光机玻璃的清洁 一般曝光能量用曝光时间来调节，制作中应根据网版目数、膜厚采用分级曝光法通过使用曝光测算片来测定各类网版的正确曝光时间。 测算片使用方法： ①预先估测的曝光时间再加一倍的时间进行曝光，以正常方式显影，显影后选出效果最
多晶体分析方法(XRD)
四、多晶体分析方法 一、德拜—谢乐法 德拜相机为圆筒形暗盒，相机圆筒常常设计为内圆周长为180 mm 和360 mm ，对应的圆直径为57.3 mm 和114.6 mm 。 （一）、德拜相的摄照 （1）、底片安装 正装法：底片中心开一圆孔，底片两端中心开半圆孔。底片安装时光栏穿过两个半圆孔和成的圆孔，承光管穿过中心圆孔。 反装法：底片开孔位置同上，但底片安装时光栏穿过中心孔。 偏装法：底片上开两个圆孔，间距仍然是R 。当底片围成圆时，接头位于射线束的垂 线上。底片安装时光阑穿过一个圆孔，承光管穿过另一个圆孔。 （2）、摄像规程的选择 （a ）X 射线管阳极靶材元素 根据吸收规律，所选择的阳极靶产生的X 射线不会被试样 强烈地吸收，即,1Z Z Z Z Z Z ≤=+阳阳阳样样样或 （b ）滤波片 滤波片的选择是根据阳极靶材确定的。滤波片原子序数低 于靶材元素原子序数，在确定了靶材后，选择滤波片的原则是： 40140,2Z Z Z Z Z Z ≤=-=-靶滤靶靶滤靶当时，；当＞时 （c ）管电压 通常管电压为阳极靶材临界电压的3-5倍，此时特征谱与 连续谱的强度比可以达到最佳值。 （三）、德拜相的误差及修正 （1）试样吸收 理论衍射线为自试样中心发出,形成4θ角的圆锥，与圆筒底 片相交的弧对距离为02L 但实际上入射线易被试样吸收，仅在 表面一薄层产生衍射线,实测弧对2L 外缘宽于理论02L ， 00222222L L L L ρρ=+=-外缘外缘，或，ρ为试样直径。 （2）底片伸缩误差 如果底片未贴紧相机内径、相机半径误差、底片冲洗干 燥后伸缩 ，对此要加以校正。从偏装底片上可以直接测量 出底片所围成圆筒的周长，这个周长称为有效周长0C 。 0C A B =+ （四）、德拜相的分析计算 通常低角线条较窄且清晰，附近背底较浅，高脚线条则相 反，θ特别高的线条，还能看到分离的K α双线。