模拟电子技术期中考试题

模拟电子技术期中考试题
模拟电子技术期中考试题

模拟电子技术期中考试题

1.填空题:(每空2分,任意选择选作,最多可得50分)

(1)三种双极型管的基本组态放大电路中,输入电阻最大的是共集电放大电路;输入电阻最小的是共基放大电路;输出电压与输入电压反相的是共射放大电路;电压放大倍数最大的是共射和共基放大电路;电压放大倍数最小的是共集电放大电路;输出电阻最小的是共集电放大电路;电流放大倍数最大的是共集电放大电路;既有电流放大又有电压放大的是共射放大电路。

(2)天然的硅和锗经过高度提纯后形成具有共价键(或晶格对称)结构的本征半导体;在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素,可形成P型半导体,其多子是空穴,少子是自由电子,不能移动的离子带负电;掺入微量的五价杂质元素,可获得N型半导体,其多子是自由电子,少子是空穴,不能移动的离子带正电。

(3)二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个区。双极型三极管的输出特性曲线上可分为放大区、饱和区和截止区三个区。

(4)双极型管主要是通过改变基极小电流来改变集电极大电流的,所以是一个电流控制型器件;场效应管主要是通过改变栅源间电压来改变漏极电流的,所以是一个电压控制型器件。

(5)组成放大电路的基本原则是:外加电源的极性应使三极管的发射结正偏、集电结反偏。

(6)放大电路的基本分析法有静态分析法和动态分析法;其中动态分析法的微变等效电路法只能用于分析小信号放大电路;确定放大电路的静态工作点可采用估算法和图解法。

(7)多级放大电路的耦合方式通常有阻容耦合、直接耦合和变压器耦合三种方式;集成电路中一般采用直接耦合方式。

(8)放大电路中出现的饱和失真和截止失真称为非线性失真;频率失真称为线性失真。

2.简答题:(每小题10分,也可任意选作)

(1)双踪示波器在电子仪器中的功能是什么?说说信号为1kHz时,周期档位如何选择?

答:双踪示波器在电子仪器中可以用来准确显示任意波形、任意频率和一定幅度的电信号轨迹。如果需要显示的电信号频率为1kHz时,周期是频率的倒数,应为1ms,根据一个周期显示信号应占3~5格的原则,应选择0.2ms这一档位,信号波一个周期就会占用横向5格,满足要求。

(2)函数信号发生器在电子线路的测量中能做什么?

答:函数信号发生器在电子线路中,可以产生一个一定波形、一定频率和一定幅度的电信号提供给实验电路作输入信号。测量该电信号的幅度时,应用电子毫伏表的读数为准。

(3)电子线路的测量中,为什么要使用电子毫伏表而不用普通电压表测量电压?电子毫伏表的读数是所测电压的有效值还是最大值?还是峰-峰值?

答:电子线路中电信号的频率往往占用相当宽泛的频带,而普通交流电压表只适用于测量50 Hz的工频交流电,对不同频率的信号测量会产生较大的误差。电子毫伏表则是测量电子线路中的交流电压有效值时,不会受频率变化的影响而出现误差的电子仪器,因此测量电子线路中的电压需用电子毫伏表。电子毫伏表的读数是所测电压的有效值。

3.计算题:(可任选一题,其中第1题作对可得40分,第2题作对可得60分)

(1)图示分压式偏置放大电路中,已知R C=3kΩ,R B1=80kΩ,Array R B2=20kΩ,R E=1kΩ,β=80,①画出直流通道,进行静态分析(设

U BE=0.7V);②画出微变等效电路,进行动态分析(设r bb’=300Ω)。

解:静态分析是画出放大电路的直流通道后,求出直

流通道中的I BQ、I CQ和U CEQ。

画直流通道的原则:放大电路中所有电容开路处理,

直流电源作为理想电压源。

(计算过程略写,只给结果)V B ≈5V I CQ ≈I CQ =4.3mA

I BQ ≈53.8μA

U CEQ ≈7.8V

r i =R B1// R B2// r be ≈r be ≈790Ω r o =R C =3k Ω

(2)图示放大电路中,已知R C =5.16k Ω,R B1=110k Ω,R B2=180k Ω,R E =12k Ω,β=50,①画出直流通道,进行静态分析(设U BE =0.7V );②画出微变等效电路,进行动态分析(设r bb’=100Ω)。

1m A mA 02.050BQ CQ =?==I I β V 84.6)1216.5(124CEQ =+?-=U

r i ≈r be ≈1.4k Ω r o =R C =5.16k Ω

o

直流通道

u u o 微变等效电路 12V

E

u u o 微变等效电路

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子技术期末考试试卷及答案

《模拟电子技术》期末考试卷 一、填空题(20 分) 1、二极管最主要的特性是 。 2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为 、 。 3、多级放大电路中,常见的级间的耦合方式有 、 、 。 4、负反馈放大电路中的四种组态为 、 、 、 。 5、正弦波振荡电路的振荡条件为 、 。 二、选择题(20分) 1、P 型半导体中的多数载流子是 ,N 型半导体中的多数载流子是 。A 、电子 B 、空穴 C 、正离子 2、杂质半导体中少数载流子的浓度 本征半导体载流子的浓度。A 、大于 B 、小于 C 、等于 3、温度升高,二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 ,反向电流 。 A 、增大 B 、减小 C 、不变 4、如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的 2 = 50,则复合后的 约为 ( )。 A .1500 .80 C 5、RC 串并联网络在f=f 0=1/2 RC 时呈 。 A 、感性 B 、阻性 C 、容性 三、判断题(10分)(对的打“√”,错的打“×”) 1、本征半导体温度升高后,两种载流子浓度还是相等。( ) 2、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号,不能放大共模信号。( ) 3、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。( ) 4、负反馈越深,电路的性能越稳定。( ) 5、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。( ) 四、简答题:( 25分) 1.写出下图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =。 V 2 V 1

2、判断下图所示电路中是否引入了反馈,如果有反馈试判断反馈类型 ¥+ -+R S u o R L u i R F (b) R 1 R 2 R 4 R 5 R 3 u i + -+v cc -+ V 1 V 2 u o C 1 +- 3、 电路下图所示:请将图中左右两部分正确连接起来,使之能够产生正弦波振荡 五、计算题(25分) 1、电路如下图所示,试求出电路A U 、R i 、和R 0的表达式。

模拟电子技术习题

一、选择题:(共10题,每题1分。合计10分) 第一章: 1.PN 结加正向电压时,空间电荷区将( )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时,空间电荷区将( )。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入( )元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将( )。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时,二极管的正向特性曲线将( )。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在( )区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章: 1. 对于直接耦合基本放大电路,( )的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路,( )的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中,( )电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管,如果当C I 从1mA 变为1.9mA ,E I 从1.01mA 变为1.92mA ,那么它的 约为( )。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管,只能满足( ),管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u GS u -)(th GS U B. DS u

模拟电子技术期末试题

第四章 集成运算放大电路 自 测 题 一、选择合适答案填入空内。 (1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。 A .可获得很大的放大倍数 B . 可使温漂小 C .集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大 B 。 A .高频信号 B . 低频信号 C . 任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的 C 。 A . 指标参数准确 B . 参数不受温度影响 C .参数一致性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A 。 A .减小温漂 B . 增大放大倍数 C . 提高输入电阻 (5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用 A 。 A .共射放大电路 B . 共集放大电路 C .共基放大电路 解:(1)C (2)B (3)C (4)A (5)A 二、判断下列说法是否正确,用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。 (1)运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。(×) (2)运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。(√) (3)运放的共模抑制比c d CMR A A K (√) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。(√) (5)在输入信号作用时,偏置电路改变了各放大管的动态电流。(× )

习题 4.1 通用型集成运放一般由几部分电路组成,每一部分常采用哪种基本电路?通常对每一部分性能的要求分别是什么? 解:通用型集成运放由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四个部分组成。 通常,输入级为差分放大电路,中间级为共射放大电路,输出级为互补电路,偏置电路为电流源电路。 对输入级的要求:输入电阻大,温漂小,放大倍数尽可能大。 对中间级的要求:放大倍数大,一切措施几乎都是为了增大放大倍数。 对输出级的要求:带负载能力强,最大不失真输出电压尽可能大。 对偏置电路的要求:提供的静态电流稳定。 第五章放大电路的频率响应 自测题 一、选择正确答案填入空内。 (1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是 A 。 A.输入电压幅值不变,改变频率 B.输入电压频率不变,改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 (2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 B ,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A 。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 (3)当信号频率等于放大电路的f L或f H时,放大倍数的值约下降到中频时的 B 。 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降 A 。 A.3dB B.4dB C.5dB

《电子技术应用》期中考试试卷

一、 选择题(本题共5小题,每小题2分,共10分) 1、下列符号中表示发光二极管的为( )。 A B C D 2、硅管正偏导通时,其管压降约为( )。 A 0.1V B 0.3V C 0.5V D 0.7V 3、在三极管放大电路中,下列等式不正确的是( )。 A. C B E I I I += B. B C I I β= C. B E I I )1(β+= D. B E I I β= 4、当三极管的发射结和集电结都正偏时,工作于( )状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 5、NPN 型三极管要实现放大作用,c 、b 、e 三个电极的电位必须符合:( ) A. E B C U U U >> B. B E C U U U >> C. E B U U > D. B C U U > 二、填空题((本题共5小题,每空2分,共20分) 1、在本征半导体中掺入 元素得N 型半导体,掺入 元素则得 P 型半导体。 2、二极管P 区接电源 极,N 区接电源 极,称正向偏置,二极 管导通;反之,称反向偏置,二极管截止,所以二极管具有 性。 3、三极管电流放大作用的条件是:发射结加 电压,集电结 加 电压。 4、三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的控制能力。 5、工作在放大区的一个三极管,如果基极电流从10微安变化到22微安 时,集电极电流从1毫安变为2.2毫安,则该三极管的β约为 。 三、计算题(本题共5小题,共70分) 1、二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电 路的输出电压AB U 。(设二极管为硅管,导通压降为0.7V ) (15分) 2、已知三极管的发射极电流mA I E 24.3=,基极电流A I B μ40=,求集电极电流C I 的数值。 (10分)

模拟电子技术题库

一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体,它由本征半导体掺入_____价元素形成,其 多数载流子是__________,少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时,扩 散电流 漂移电流,耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中,输入和输出相位相反的是____________,输入和 输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较,____________为电压控制器件,____________为电 流控制器件,____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时,常用的两个基本且重要的概念是: 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要,如果Q 点设置过低,将会引起 失真,其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中,稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于( ) A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 ( ) A . A 是基极, B 是发射极, C 是集电极,是NPN 管

B.A是集电极,B是基极,C是发射极,是PNP管 C.A是集电极,B是发射极,C是基极,是PNP管 D.A是发射极,B是集电极,C是基极,是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求() A、UGS>0,UDS>0 B、UGS<0,UDS<0 C、UGS>0,UDS<0 D、UGS<0,UDS>0 4、某仪表的放大电路,要求Ri很大,输出电流稳定,则应采用()形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中,电阻Re的作用是:() A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时,其K CMR将会()。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少?() A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路,因晶体管损坏,采用β值为原来2倍的晶体管替换;问该放大电路的电压增益如何变化?() A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半

《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(七)

《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题(每空2分,共34分) 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是() A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是(),该管是()。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了()而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有()()() A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器,它可以使电压放大倍数在()变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时,在两条分析依据()()。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有()()()。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由()而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题(每空1分,共32分) 1、自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。 2、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。 3、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是()控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β=100、I CBO =10μA 的管子,其温度稳定性好。 1.14

电力电子技术期末复习考卷综合

一、填空题: 1、电力电子技术的两个分支是电力电子器件制造技术和 变流技术 。 2、举例说明一个电力电子技术的应用实例 变频器、 调光台灯等 。 3、电力电子承担电能的变换或控制任务,主要为①交流变直流(AC —DC )、②直流变交流(DC —AC )、③直流变直流(DC —DC )、④交流变交流(AC —AC )四种。 4、为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率,电力电子器件一般都工作在 开关状态,但是其自身的功率损耗(开通损耗、关断损耗)通常任远大于信息电子器件,在其工作是一般都需要安装 散热器 。 5、电力电子技术的一个重要特征是为避免功率损耗过大,电力电子器件总是工作在开关状态,其损耗包括 三个方面:通态损耗、断态损耗和 开关损耗 。 6、通常取晶闸管的断态重复峰值电压UDRM 和反向重复峰值电压URRM 中较 小 标值作为该器件的额电电压。选用时,额定电压要留有一定的裕量,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。 7、只有当阳极电流小于 维持 电流时,晶闸管才会由导通转为截止。导通:正向电压、触发电流 (移相触发方式) 8、半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中,电路可能会出现 失控 现象,为了避免单相桥式 半控整流电路的失控,可以在加入 续流二极管 来防止失控。 9、整流电路中,变压器的漏抗会产生换相重叠角,使整流输出的直流电压平均值 降低 。 10、从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为 触发角 。 ☆从晶闸管导通到关断称为导通角。 ☆单相全控带电阻性负载触发角为180度 ☆三相全控带阻感性负载触发角为90度 11、单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 2√2U1 。(电源相电压为U1) 三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 。(电源相电压为U 2) 12、四种换流方式分别为 器件换流 、电网换流 、 负载换流 、 强迫换流 。 13、强迫换流需要设置附加的换流电路,给与欲关断的晶闸管强迫施加反压或反电流而关断。 14、直流—直流变流电路,包括 直接直流变流电路 电路和 间接直流变流电路 。(是否有交流环节) 15、直流斩波电路只能实现直流 电压大小 或者极性反转的作用。 ☆6种斩波电路:电压大小变换:降压斩波电路(buck 变换器)、升压斩波电路、 Cuk 斩波电路、Sepic 斩波电路、Zeta 斩波电路 升压斩波电路输出电压的计算公式 U= 1E β=1- ɑ 。 降压斩波电路输出电压计算公式: U=ɑE ɑ=占空比,E=电源电压 ☆直流斩波电路的三种控制方式是PWM 、 频率调制型 、 混合型 。 16、交流电力控制电路包括 交流调压电路 ,即在没半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制,调节输出电压有效值的电路, 调功电路 即以交流电的周期为单位控制晶闸管的通断,改变通态周期数和断态周期数的比,调节输出功率平均值的电路, 交流电力电子开关即控制串入电路中晶闸管根据需要接通或断开的电路。

模拟电子技术基础期末考试试题(B)

模拟电子技术基础期末考试试题(B ) 姓名 班级 学号 计分 1.电路如图P1.4所示,已知u i =5sin ωt (V),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出u i 与u O 的波形,并标出幅值。 (5分) 2. 设图中A 为理想运放,请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示,设满足深度负反馈条件。 1.试判断级间反馈的极性和组态; 2.试求其闭环电压放大倍数A uf 。 (10分) (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω

4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡,指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等),并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0,C 1,C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中,设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器,其最大输出电压幅值为±12V 。 1. 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路? 2. A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区? 3. 若输入为1V 的直流电压,则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大?(10分) V CC V CC (a ) C b (b )

r=100Ω。 6.电路如图所示,晶体管的 =100,' bb A 、R i和R o; (1)求电路的Q点、 u (2)若电容C e开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?(15分) r=100Ω,U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7.图所示电路参数理想对称,晶体管的β均为50,' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ,以及动态参数A d和R i。(15分)

模拟电子技术期中试卷a2

2018—2019电子技术基础期中试题 姓名总分 一、填空题(每空1分,共20分) 1.P型半导体又称为____________型半导体,它由本征半导体掺入____________价元素形成,其多数载流子是____________,少数载流子是____________。 2.在室温附近,温度升高,杂质半导体中__________的浓度将明显增加。3.在PN结的形成过程中,载流子扩散运动是____________作用下产生的,漂移运动是____________作用下产生的。 4.按照二极管的材料分,可分为_________二极管和锗二极管两种。5.稳压二极管稳压工作时,是工作在其特性曲线的___________区。6.三极管具有电流放大作用的外部条件是:发射结____________偏置,集电结____________偏置。 7.基本放大电路的非线性失真包括____________失真和____________失真。 8.图1所示电路,二极管VD1、VD2为理想元件,则U AB 为_______伏。图1图2 9.电路图如图2,已知R B = 240kΩ,R C = 3kΩ,晶体管β= 20,V CC = 12V。 现在该电路中的晶体管损坏,换上一个β= 40的新管子,若要保持原来的静态电流I C不变,且忽略U BE,应把R B调整为____________kΩ。10.在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图3所示。已量出I1= -1.2mA,I2 = -0.03mA,I3 = 1.23mA。由此可知: (1) 电极①是__________极,电极②是__________极,电极③是 __________极。 (2) 此晶体管的电流放大系数β约为__________。 (3) 此晶体管的类型是__________型(PNP或NPN)。 I1 I2 I3 二、选择题(每小题2分,共20分) 11.PN结加正向电压时,其空间电荷区会( ) A.不变B.变窄 C.变宽D.不定 12.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( ) A.本征半导体B.温度 ① ② ③ 第 1 页,共 4 页

《电子技术》期中考试试卷

2012~2013年第二学期《电子技术》期中考试试卷 总分:100分时量:60分钟 班级:姓名:学号: 一、填空题(37×1分=37分) 1、能够将变成的电路称为整流电路,能够将变成比较平滑的的电路称为滤波电路。 2、PN结正偏时,P区接电源的极,N区接电源的极;PN 结反偏时,P区接电源的极,N区接电源的极。 3、硅二极管的正向压降约为V,锗二极管的正向压降约为V。 4、利用半导体二极管的特性,将变成的过程称做整流。 5、交流电经过变成脉动直流电后,仍有变化,滤波电路能够脉动直流电中的成分。 6、半导体三极管有两个PN结,即结和结;有三个电极,即极、 极和极,分别用、、和表示。 7、晶体管有型和型,前者的图形符号是,后者的图形符号是。 8、半导体三极管的输出特性曲线可分为三个区域,即区、区和区。 9、放大电路设置静态工作点的目的是。 10、在纯净的硅晶体中掺入三价元素,就成为型半导体,它的多数载流子量是,少数载流子是。 二、选择题(6×4分=21分) 1、在纯净半导体硅中,掺入微量的()价元素就成了N型半导体。 A. 三价 B. 四价 C. 五价 2、性能良好的二极管正向电阻()反向电阻。A. 大于 B. 等于 C. 小于 D. 不确定 3、稳压二级管的稳压性能是利用二极管的()特性实现的。 A. 单向导电 B.反向击穿 C.正向导通 D.反向截止 4、整流的目的是()。 A. 将高频变为低频 B. 将低频变为高频 C. 将正弦波变为方波 D. 将交流变为直流 5、整流电路后面接入滤波电路的目的是()。 A. 去除直流电中的脉动成份 B. 将高频变成低频 C. 将正弦交流信号变成矩形脉冲 D. 将直流电变成交流电 6、三极管的发射结正偏、集电路反偏时,三极管处于()。 A. 放大状态 B. 饱和状态 C.截止状态 三、判断题(5×2分=10分) 1、PN结正向偏置时导通,反向偏置时截止。() 2、在P型半导体中,多数载流子是电子。() 3、二极管加反向电压不一琯是导通状态。() 4、稳压二极管是工作在反向击穿状态。() 5、单相半波整流电路的特点是:电路简单、成本低,输出电压高、脉动小。() 四、综合题(14分+15分=29分) 1、试画出单相半波整流的电路图,并说明它的整流过程。 2、请画出共射放大电路的原理图,并写出静态工作点的计算公式。(I BQ、I CQ、V CEQ)

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100 V ,u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ;共模输入电压u Ic = 90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下,可达到 % ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V , V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的 2 = 50,则复合后的约为( A )。 A .1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1

电工电子技术期末考试试题及答案

专业班级____________ 考生姓名:____________ 学号_______ 一.选择(20分、2分/题) 1.变压器降压使用时,能输出较大的____b_____。 A、功率 B、电流 C、电能 D、电功 2.三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的 ________b_决定。 A、相位 B、相序 C、频率 D、相位角 3.电气控制线路原理图中,触头的位置是处于______a___。 A、未通电状态 B、通电状态 C、根据情况确定状 态 4.为保证机床操作者的安全,机床照明灯的电压应选 ____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下 5.关于提高功率因数的说法,正确的是( c ) A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数

B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数 C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数 6.乙类互补对称式功放电路,其输出波形的交越失真是指( c )。 A.频率失真 B、相位失真 C、波形过零时出现的失真 D、幅度失真 7.稳压管的动态电阻( b )稳压性能越好。 A、越大 B、越小 C、较合适 D、不一定 8.运算放大器电路如图所示,该电路中反馈类型为( )。a (A) 串联电压负反馈(B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈(D) 并联电流负反馈 -+∞ + u O u i 9.单稳态触发器的输出状态有( a) A、一个稳态、一个暂态 B、两个稳态 C、只有一个稳态 D、没有稳态 10.一个8选1多路选择器,输入地址有 c 。 A、2位 B、3位 C、4位 D、8位 二、计算题(70分) 1.已知图5所示电路中U S1=24V,U S2 =6V,R 1 =12Ω,R 2 =6 Ω,R 3=2Ω,试用戴维宁定理求流过电阻R 3 中的电流I 3 。(10分) a I

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。试画出u i 与u O的波形,并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解:波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。 图P1.2 解:u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ~I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。 (1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么? 图P1.4 解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波

模拟电子技术期末试题及答案

《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电压()。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变大),发射结压降(变小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共)、()、()放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用()负反馈,为了稳定交流输出电流采用()负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=()。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称 为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路;OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称(调幅),未被调制的高频信号是运载信息的工具称(载波信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KU X U Y ),电路符号是()。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在(B)状态,但其两端电压必须(C),它的稳压值Uz才有 导通电流,否则处于(F )状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是(C),该管是(D)型。 A、( B、 C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B) D、(NPN) E、(PNP) 3、对功率放大器的要求主要是(B)、(D)、(E)。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为(b ),此时应该( e )偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了(C)而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是(A )。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ(B )倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强,一般引入(A )负反馈。A、电压B、电流C、串联

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的: 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数,掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法;使学生具有一定的实践技能和应用能力;培养学生分析问题和解决问题的能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求: 1.掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2.掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析,熟悉改进放大电路,理解多级放大电路的耦合方式及分析方法,理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法,理解放大电路的频率特性概念及分析。 3.掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法,理解负反馈对放大电路性能的影响,熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算,了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4.了解集成运算放大器的组成和典型电路,理解理想运放的概念,熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路;掌握一般直流电源的组成,理解整流、滤波、稳压的工作原理,了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材: 杨栓科编,《模拟电子技术基础》,高教出版社 主要参考书目: 康华光编,《电子技术基础》(模拟部分)第四版,高教出版社 童诗白编,《模拟电子技术基础》,高等教育出版社, 张凤言编,《电子电路基础》第二版,高教出版社, 谢嘉奎编,《电子线路》(线性部分)第四版,高教出版社,

陈大钦编,《模拟电子技术基础问答、例题、试题》,华中理工大学出版社,唐竞新编,《模拟电子技术基础解题指南》,清华大学出版社, 孙肖子编,《电子线路辅导》,西安电子科技大学出版社, 谢自美编,《电子线路设计、实验、测试》(二),华中理工大学出版社, 绪论 本章的教学目标和要求: 要求学生了解放大电路的基本知识;要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排:(采用多媒体教学) §1-1 电子系统与信号0.5 §1-2 放大电路的基本知识0.5 本章重点: 放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式:课堂讲授 本章课时安排: 1 本章的具体内容: 1节 介绍本课程目的,教学参考书,本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法; 介绍放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

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