模拟电子技术复习题(填空选择)

填空题

1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。

2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。

3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。

6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有单向导电特性。

7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压V th 约为0.5伏。

8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。

9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。

、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V

13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。

、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。

30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合，变压器耦合。

31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O和V I的波形，则V O和V I的相位差为1800；当为共集电极电路时，则V O和V I的相位差为0。

、三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。

39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。

41、场效应管属于电压控制电流型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。

、负反馈对放大电路性能的改善体现在：提高增益的稳定性、减小非线性失真、抑制

反馈环内噪声、扩展频带、改变输入电阻和输出电阻。

61、为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈：

①降低电路对信号源索取的电流：串联负反馈。

②当环境温度变化或换用不同β值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定：直流负反

馈。

③稳定输出电流：电流负反馈。

62、电压串联负反馈能稳定电路的输出电压，同时使输入电阻大。

63、某负反馈放大电路的开环放大倍数Ａ=100000，反馈系数Ｆ＝0.01，则闭环放大倍数

f A ≈ 100 。

6401=+F 。 65、负反馈放大电路的四种基本类型是电压串联、电压并联、电流串联、电流并联。

66、为稳定电路的输出信号，电路应采用负反馈。为了产生一个正弦波信号，电路应采用正

反馈。 67、理想集成运算放大器的理想化条件是A ud = ∞ 、R id = ∞ 、K CMR = ∞ 、R O = 0

68、理想运算放大器的理想化条件中有A vd = 无穷，K CMR = 无穷。

69、电流源电路的特点是，直流等效电阻小，交流等效电阻大。

70、电流源的特点是输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大。

71、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是虚断和虚短。

72、理想运算放大器，A d = 无穷大、R i = 无穷大、R o = 0 。 73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或正反馈状态。

74、如果有用信号频率高于1000Hz, 可选用高通滤波器；如果希望500 Hz 以下的有用信号，可

选用低通滤波器。

75、选取频率高于1000Hz 的信号时, 可选用高通滤波器；抑制50 Hz 的交流干扰时，可选用带阻滤

波器；如果希望抑制500 Hz 以下的信号，可选用高通滤波器。

76、有用信号频率高于1000Hz, 可选用高通

滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰，可选用带阻

滤波器；如果希望只通过500Hz 到1kHz 的有用信号，可选用带通滤波器。

77、根据工作信号频率范围滤波器可以分为：低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器及带阻滤波器。

78、集成运算放大器在线性状态和理想工作条件下，得出两个重要结论，它们是：虚断和虚

短。

79、通用型集成运算放输入级大多采用差分放大电路，输出级大多采用共集电路。

80、正弦波振荡电路是由放大电路、、选频网络、稳幅环节四个部分组成。

81、正弦波振荡电路产生振荡时，幅度平衡条件为 1= ，相位平衡条件为

图1

πn F A 2±=Φ+Φ n=0、1、2… 。

82、信号发生器原理是在电路负反馈时??F A = -1 ，例如自激电路。在正反馈时??F A = 1 ，

例如文氏振荡电路。

83、石英晶体振荡器是 LC 振荡电路的特殊形式，因而振荡频率具有很高的稳定性。

841=F A 、其中相位平衡条件是=φ+φf a

πn 2，n 为整数、为使电路起振，幅值条件是 1> 。

85、正弦波振荡电路必须由放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节四部分组成。 86、RC 正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有：V A = 3 、V F = 31 、

0ωω== RC 1 。 87、正弦波自激振荡电路振荡的平衡条件是

1=F A 、 π??n f a 2=+ n 为整数。 88、正弦波振荡电路起振的条件是1>F A

和 πn F A 2±=Φ+Φ n 为整数。

89、有用信号频率高于1000Hz, 可选用高通滤波器。文氏电桥振荡器中的放大电路电压放大倍

数 A f ≥3 ，才能满足起振条件。

90、为了稳定电路的输出信号，电路应采用交流负反馈。为了产生一个正弦波信号，电路应采用正反

馈。

91、直流电源是将电网电压的交流电转换成直流电的能量转换电路。 92、三端集成稳压器7805输出电压 +5 V ，7915输出电压 -15 V 。

93、直流电源一般由下列四部分组成，他们分别为：电源变压器、滤波电路、稳压电路和整

流电路。稳压集成电路W7810输出电压 +10 V 。

94、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路；半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交

流电压（即变压器副边电压）有效值的 0.45 倍；全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的

交流电压（即变压器副边电压）有效值的 0.9 倍。

95、三端集成稳压器7915的输出电压为 -15 伏。

96、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是输出取样电压。

97、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是调整管的的状态不同。

98、小功率稳压电源一般由电源变压器、整流电路、滤波器、稳压电路等四部分构成。

99、幅度失真和相位失真总称为频率失真。

100、串联反馈式稳压电路由调整管、比较放大、基准电压、取样环节四部分组成。

单项选择题

1、半导体二极管加正向电压时，有（ A ）

A 、电流大电阻小

B 、电流大电阻大

C 、电流小电阻小

D 、电流小电阻大

2、PN 结正向偏置时，其内电场被（ A ）

A 、削弱

B 、增强

C 、不变

D 、不确定

3、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ A ）

A 、反向偏置击穿状态

B 、反向偏置未击穿状态

C 、正向偏置导通状态

D 、正向偏置未导通状态

4、在本征半导体中掺入（ A ）构成P 型半导体。

A 、3价元素

B 、4价元素

C 、5价元素

D 、6价元素

5、 PN 结V —I 特性的表达示为（ A ）

A 、)1(/-=T D V v S D e I i

B 、D v S D e I i )1(-=

C、

D、

6、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（ B ）

A、变宽

B、变窄

C、不变

D、与各单级放大电路无关

7、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ）

A、 10kΩ

B、2kΩ

C、4kΩ

D、3kΩ

8、三极管工作于放大状态的条件是（ A ）

A、发射结正偏，集电结反偏

B、发射结正偏，集电结正偏

C、发射结反偏，集电结正偏

D、发射结反偏，集电结反偏

9、三极管电流源电路的特点是（ B ）

A、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小

B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大

C、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小

D、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大

10、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源V CC应当（ A ）

A、短路

B、开路

C、保留不变

D、电流源

11、带射极电阻R e的共射放大电路，在并联交流旁路电容C e后，其电压放大倍数将（ B ）

A、减小

B、增大

C、不变

D、变为零

12、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（ B ）

A、输入电阻大

B、输入电阻小

C、输出电阻大

D、输出电阻小

13、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ C ）

A、共射电路

B、共基电路

C、共集电路

D、共集-共基串联电路

14、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示，当V CE=6V，其电流放大系数β为（ B ）

A、β

=100 B、

=50

C、β

=150 D、

=25

15、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V，（见图2所示）则此三极管为（ D ）

图1

图2

A、PNP型锗三极管

B、NPN型锗三极管

C、PNP型硅三极管

D、NPN型硅三极管

16、多级放大电路的级数越多，则其（ A ）

A、放大倍数越大，而通频带越窄

B、放大倍数越大，而通频带越宽

C、放大倍数越小，而通频带越宽

D、放大倍数越小，而通频带越窄

17、当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（ D ）

A、20倍

B、-20倍

C、-10倍

D、0.1倍

18、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时，要求（ A ）

A、独立信号源短路，负载开路

B、独立信号源短路，负载短路

C、独立信号源开路，负载开路

D、独立信号源开路，负载短路

19、场效应管放大电路的输入电阻，主要由（ C ）决定

A、管子类型

B、g m

C、偏置电路

D、V GS

20、场效应管的工作原理是（ D ）

A、输入电流控制输出电流

B、输入电流控制输出电压

C、输入电压控制输出电压

D、输入电压控制输出电流

21、场效应管属于（ A ）

A、单极性电压控制型器件

B、双极性电压控制型器件

C、单极性电流控制型器件

D、双极性电压控制型器件

26、通用型集成运放适用于放大( B )

A、高频信号

B、低频信号

C、任何频率信号

D、中频信号

27、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是（ A ）

A、反相输入端为虚地

B、输入电阻大

C、电流并联负反馈

D、电压串联负反馈

28、下列对集成电路运算放大器描述正确的是（ D ）

A、是一种低电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路

B、是一种高电压增益、低输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路

C、是一种高电压增益、高输入电阻和高输出电阻的多级直接耦合放大电路

D、是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路

29、共模抑制比K CMR越大，表明电路（ C ）

A、放大倍数越稳定

B、交流放大倍数越大

C、抑制温漂能力越强

D、输入信号中的差模成分越大

30、差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（ C ）

A、增加一倍

B、为双端输入时的一半

C、不变

D、不确定

31、电流源的特点是直流等效电阻( B )

A、大

B、小

C、恒定

D、不定

32、串联负反馈放大电路环内的输入电阻是无反馈时输入电阻的（ A ）

A、1＋AF倍

B、1/(1＋AF)倍

C、1/F倍

D、1/AF倍

33、为了使放大电路的输入电阻增大，输出电阻减小，应当采用（ A ）

A、电压串联负反馈

B、电压并联负反馈

C、电流串联负反馈

D、电流并联负反馈

34、为了稳定放大电路的输出电流，并增大输入电阻，应当引入（ A ）

A、电流串联负反馈

B、电流并联负反馈

C、电压串联负反馈

D、电压并联负反馈

35、如图4为两级电路，接入R F后引入了级间（ A ）

图4 图4

A、电流并联负反馈

B、电流串联负反馈

C、电压并联负反馈

D、电压串联负反馈

36、某仪表放大电路，要求R i大，输出电流稳定，应选（ A ）

A、电流串联负反馈

B、电压并联负反馈

C、电流并联负反馈

D、电压串联负反馈

37、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，此放大电路应选（ D ）

A、电流串联负反馈

B、电压并联负反馈

C、电流并联负反馈

D、电压串联负反馈

38、某电路有用信号频率为2kHz，可选用（ C ）

A、低通滤波器

B、高通滤波器

C、带通滤波器

D、带阻滤波器

39、文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数（ C ）才能满足起振条件

A、为1/3时

B、为3时

C、＞3

D、＞1/3

40、LC正弦波振荡器电路的振荡频率为（ C ）

41、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的相位平衡条件是（ A ）

A 、2n π，n 为整数

B 、(2n+1)π，n 为整数

C 、n π/2，n 为整数

D 、不确定

42、RC 串并联正弦波振荡电路的振荡频率为（ B ）

43、桥式整流电路若变压器二次电压为t u ωsin 2102

=V ，则每个整流管所承受的最大反向电压为（A ）

A 、210V

B 、220V

C 、20V

D 、2V

44、图5为单相桥式整流滤波电路，u i 为正弦电压，其有效值为U i =20V ，f=50Hz 。若实际测得其输出电压为28.28V ，这是由于（ D ）的结果

A 、C 开路

B 、

C 的容量过小

C 、C 的容量过大

D 、R L 开路 45、在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（ C ）

A 、输出电压约为2U D

B 、输出电压约为U D /2

C 、整流管将因电流过大而烧坏

D 、变为半波整流

46、直流稳压电源中滤波电路的目的是（ C ）

A 、将交流变为直流

B 、将高频变为低频

C 、将交、直流混合量中的交流成分滤掉

D 、保护电源

47、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U 2为其输入电压，输出电压的平均值约为（ B ）

A 、U 0=0.45U 2

B 、U 0=1.2U 2

C 、U 0=0.9U 2

D 、U 0=1.4U 2

单项选择题答案

1、A

2、A

3、A

4、A

5、A

6、B

7、C

8、A

9、B 10、A 11、B 12、

B 13、

C 14、B 15、

D 16、A 17、D 18、A 19、C 20、D 21、A 22、C 23、

C 24、

D 25、B 26、B 27、A 28、D 29、C 30、C 31、B 32、A 33、A 34、

A 35、A 36、D 37、A 38、C 39、C 40、C 41、A 42、

B 43、A 44、D 45、

C 46、C 47、B

图3

图5

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

模拟电子技术习题

一、选择题：（共10题，每题1分。合计10分）第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的约为（）。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u GS u -)(th GS U B. DS u

模拟电子技术复习题

1、根据实际的输入信号和所需的输出信号时电压或电流，放大电路可分为四种类型，即：电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大。 2、当温度升高时，三极管的参数变化趋势为：电流放大系数β升高，I B不变时，发射结正向电压V BE 降低。 3、串联负反馈只有在信号源内阻小时，其反馈效果才显著，并联负反馈只有在信号源内阻大时，其反馈效果才显著。 4、FET是电压控制电流器件，只依靠一种载流子导电，属于单极型器件。 5、二阶低通滤波电路，当Q = 和ω/ωc = 时，20lg|A(jω)/A o| = ?3dB。 6、根据实际的输入信号和所需的输出信号时电压或电流，放大电路可分为四种类型，即：电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大。 7、当温度升高时，BJT共射级连接时的输入特性曲线向左移动，输出特性曲线向上移动。 8、引入串联负反馈可以提高输入电阻，而引入电流负反馈则可以提高输出电阻。 9、BJT是电流控制电流器件，有两种载流子参与导电，属于双极型器件。欲使振荡电流能自行建立振荡，必须满足的条件。RC振荡电路一般用来产生范围内信号。 1、半导体二极管按所用材料不同可分为管和管。 2、要使三极管处于放大状态，发射结必须，集电结必须。放大电路存在两种状态即未输入信号时的态和输入信号时的态。放大电路的电压放大倍数在高频区下降的主要原因是三极管的电容和电容的影响。三极管具有电流放大作用的实质是电流实现对电流的控制。 3、能使输出电阻降低的是负反馈，能使输入电阻提高的是负反馈。 4、差分放大器能有效地抑制信号，放大信号。 5、负反馈有四种基本组态：、、、和。

模拟电子技术基础填空题及答案

模拟电子技术基础填空题及答案在电子技术运用范围越来越广之际，同学们对电子技术的学习得怎么样了呢?下面我为大家分享最新的电子技术考试题及答案，仅供参考! 1.在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V; 锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小 ;反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏;其门坎电压Vth约为 0.5 伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴(P) 半导体和电子(N) 半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。 15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时，视为短路，视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究。 9、理想运放的两个输入端虚短是指。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是。

模拟电子技术题库

一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。 2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电流控制器件，____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是：和。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起失真，其输出电压的波形半周被部分削平。 6、直流稳压电源由、、及组成。 7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入才能正常进行工作。二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（） A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出（） A ． A 是基极， B 是发射极， C 是集电极，是NPN 管

B．A是集电极，B是基极，C是发射极，是PNP管 C．A是集电极，B是发射极，C是基极，是PNP管 D．A是发射极，B是集电极，C是基极，是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（） A、UGS＞0，UDS＞0 B、UGS＜0，UDS＜0 C、UGS＞0，UDS＜0 D、UGS＜0，UDS＞0 4、某仪表的放大电路，要求Ri很大，输出电流稳定，则应采用（）形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re的作用是：（） A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR将会（）。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（） A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来2倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（） A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半

《模拟电子技术》复习题10套及答案

+ + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止三、判断题（）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。（）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。（）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。（）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。（）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。（）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。（）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。（）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（）9、电压负反馈可以稳定输出电压。（）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。四、分析题电路如图所示：

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷

2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I 时会损坏。( × ) F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 =，试写出各电路的输出电压Uo值。1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on) ＝(6—V＝ V。解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题 1、在N 型半导体中，多数载流子是；在P 型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型 D N 沟道耗尽型MOS 型 E N 沟道结型 F P 沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。 ++ + - ---D1 D2R Rb Rc Rb Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V 50K 2.5K B=50 Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1 Uo2Uo4 + +1A1 A2 A4 图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5++ + + + --- --D1D2R Rb Rc Rb Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V 50K 2.5K B=50Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1Uo2 Uo4++1A1 A2A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5

模拟电子技术基础期末考试试题(B)

模拟电子技术基础期末考试试题（B ）姓名班级学号计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。（5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。（10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω

4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1．试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3．若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b )

r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的＝100，' bb A 、R i和R o；（1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分）

模拟电子技术练习题(专升本)

《模拟电子技术》练习题一、填空题 1．在N 型半导体中，是多数载流子，是少数载流子。 2．电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝0.7V ，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。（a ）（b ）图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在状态；VD 2工作在状态；电流 O I mA 。 4．PN 结具有特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的区内。 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = -5.2 V ，则与该晶体管对应的电极是：管脚1为极，2为极，3为极，晶体管为型（PNP 或NPN ），所用材料为（硅或锗）。 6. 电压放大电路要求是要有较的输入电阻和较的输出电阻。 7．在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生失真；乙类功率放大电路的缺点是存在失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位（填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位。 9．射极输出器具有输入电阻和输出电阻的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入负反馈；为提高输入电阻，应引入负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入负反馈；由集成运放构成线性放大电路时，应引入反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。 I O

11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于区，图（b ）所示的集成运放工作于区。图1-3 二、单项选择题（每小题3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通 D ．D 1和D 2均截止 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，2.5V ，3.2V ，则这三个极分别为（）。 A ．C ， B ，E B ． C ，E ，B C ．E ，C ，B D ．B ， E ，C 3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3kΩ，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（）。 A ．360 k Ω B ．300 kΩ C ．300 Ω D ．400 kΩ 4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的值约为（）。 A. 50 B. 200 C. 20 D ．100 5．射极输出器（）。 A ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B ．有电压放大作用，没有电流放大作用 C ．既有电流放大作用，也有电压放大作用 6．某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（）。图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B

《模拟电子技术》模拟试题一及答案

14 15 16 模拟电子技术》模拟试题一、填空题：（每空 1、PN 结正偏时（ 2、漂移电流是（ 3、所谓理想二极管，等效成断开； 1 分共 40 分）），反偏时（）电流，它由（就是当其正偏时，），所以 PN 结具有（）载流子形成，其大小与（结电阻为），等效成一条直线；）导电性。）有关，而与外加电压（当其反偏时，结电阻为（）。）， 4、三极管是（） 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流 Ic 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（ 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用反馈。控制元件，场效应管是（ 9、负反馈放大电路和放大倍数 AF= （ 10 、带有负反馈放大电路的频带宽度 BWF=（）、控制元件。），集电结（），发射结压降（）、（））。）。放大电路。）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数）BW 其中 BW=（）,（ AF= （）称为反馈深度。）。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（极性相反的两个信号，称为（）信号。）信号，而加上大小相等、 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（ 13、 OCL 电路是（）电源互补功率放大电路；、共集电极放大电路具有电压放大倍数（用在输入级，输出级或缓冲级。差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（称为（）失真，而采用 OTL 电路是（），输入电阻（），）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是 U0=( 选择题（每空 2 分共 30 分））类互补功率放大器。电源互补功率放大电路。输出电阻（）等特点，所以常）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。），未被调制的高频信号是运载信息的工具，），电路符号是（）。、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，值Uz 才有导通电流，否则处于（ A 、正偏 B 、反偏 C 、大于 D 、小于 E 、导通、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是该管是（）型。稳压时工作在）状态。）状态，但其两端电压必须（）它的稳压 F 、截止 2V 、6V 、 2.7V ，则三个电极分别是（）， A 、（ B 、 C 、E ） B 、（ C 、B 、E ） C 、（E 、、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（ A 、U 0高 B 、P o 大 C 、功率大 D 、R 大、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ A 、饱和失真 B 、截止失真 C 、交越失真 D 、增大 E 、减小 B ) D 、(NPN ) C 、）。 E 、波形不失真），此时应该（ E 、（PNP ））偏置电阻。 5、差分放大电路是为了（）而设置的。 A 、稳定Au B 、放大信号 C 、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。 A 、压串负 B 、流串负 C 、压并负 7、差分放大电路 RE 上的直流电流IEQ 近似等于单管集电极电流 ICQ （）倍 C 、 3 A 、 1 B 、 2

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术复习题(含答案)知识分享

模拟电子技术复习题 (含答案)

模拟电子技术复习题一、判断题（在正确的论断前的括号内填入“√”，否则填入“×”。）第二章（×）1. 运算电路中一般引入正反馈。（√）2. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。第三章（×）1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×）2. 因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（×）3. 稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。（√）4. N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（×）5.二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（√）6. PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。（×）7. 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。第四章（√）1. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（√）2. 直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。（×）3. 晶体管的参数不随温度变化。（√）4. 放大电路没有直流偏置不能正常工作。（×）5. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。（√）6. 放大电路的直流分析，要依据直流通路图；放大电路的交流小信号分析计算，要依据交流通路图。（×）7. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（×）8. 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。（×）9. 射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。（×）10.只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的放大区，则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。（×）11.多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。（√）12. 射极输出器的输入电流是B i，输出电流是E i，因此具有较高的电流放大倍数。第五章（×）1. 场效应管都可分为增强型和耗尽型两种。

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。（1）别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；（2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波

模拟电子技术复习题2

模拟电子技术复习题2 5.1．场效应管是电压控制元件，而双极型管是电流控制元件。在放大电路中，场效应管工作在饱和区，双极型管工作在放大区。 5.2电路如右图所示，其中 (a) (b) 图(a)是__C __组态。 A.共源-共射 B.共漏-共射 C.共漏-共集 D.共源-共集图(b)是_ _D__组态。 A.共源-共射 B.共漏-共射 C.共漏-共集 D.共源-共集 5.3在右图所示放大电路中，耗尽型MOS管的g =1ms,r d趋于无穷大，各电容对交流信号可视为短路。 m 该电路的=_A___。 A. -3 B. 3 C. -5 D. 5 该电路的R i =___C_ 。 A. ∞ B. 3kΩ C. 5MΩ D. 5kΩ 该电路的R o =__D__。 A. ∞ B. 3kΩ C. 5MΩ D. 5kΩ 若C3开路，R 、R d 和R L不变，则的大小_A___。 A. 减小 B. 增大 C. 不变

6.1电流源电路的特点是：__D____。 A. 一个双口网络 B. 端口电流恒定，交流等效电阻小 C. 端口电压恒定，交流等效电阻大 D. 端口电流恒定，交流等效电阻大 6.2三极管电流源电路正常工作时，三极管处于____ _B____工作状态。 A. 截止 B. 放大 C. 饱和 D. 不确定 6.3电流源常用于放大电路，其作用是：___B ______。 A. 提高放大倍数的稳定性 B. 提供静态偏置，提高放大倍数 C. 作为放大电路的输入信号 D. 用来放大信号 6.4 4个电流源电路如图所示。其中哪个电路不能正常工作？___C _____。 6.5放大电路产生零点漂移的主要原因是：__ B______。 A. 电压增益太大 B. 环境温度变化 C. 采用直接耦合方式 D. 采用阻容耦合方式 6.6多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是____A____工作状态。 A. 输入级 B. 中间级 C. 输出级 D. 增益最高的一级

模拟电子技术填空题

模拟电子技术基础(答案在最后) 一、填空题(每题1分) 1.在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取（）V , 锗二极管的正向导通电压取（）V。 2.直流负反馈是指（）通路中有负反馈；交流负反馈是指（）通路中有负反馈。 3. FET工作在可变电阻区时，i D与u GS基本上是（）关系，所以在这个区域中，FET的 d、s极间可以看成一个由u GS控制的（）。 4.差模输入信号电压是两个输入信号的（差）值；共模输入信号电压是两个输入信号的（）值；当u I1 = 18 mV，u I2 = 6 mV时，u Id =（）mV，u Ic =（）mV 5.功率放大电路输出较大的功率来驱动负载，因此其输出的（）和（）信号的幅度均较大，可达到接近功率管的（）参数。 6.已知输入信号的频率为10 kHz ~15kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用（）滤波电路。 7.理想二极管的正向电阻为（），反向电阻为（） 8.差分放大电路具有电路结构（）的特点，因此具有很强的（）零点漂移的能力。它能放大（）信号，而抑制（）信号。 9.反相比例运算电路与同相比例运算电路中，（）相比例运算电路输入电阻大，而（）相比例运算电路的共模信号为0。 10.图示单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线，由此可以得出： 1. 电源电压V CC = ( ) ； 2. 静态集电极电流I CQ = ( ) ,管压降U CEQ = ( ) ； 3. 集电极电阻R C = ( ) ；负载电阻R L = ( ) ； 4.晶体管的电流放大系数 = ( ) ；进一步计算可得到电压放大倍数A = ( ) ；（）；

填空题图2301 11.放大电路的幅频特性是指（）随信号频率而变；相频特性是指输出信号与输入信号的（）随信号频率而变。 12.积分运算电路可以将方波电压转换为（）电压。 13.常用小功率直流稳压电源系统由（）、（）、（）、（）等四部分组成。 14.场效应管的类型按沟道分为（）型和（）型；按结构分有（）型和（）型；按u GS = 0时有无导电沟道分为（）型和（）型。 15.本征半导体掺入微量的( )元素，则形成P型半导体，其多子为( )，少子为( ) 。 16.当差分放大电路输入端加入大小相等、极性相反的信号时，称为（）输入；当加入大小和极性都相同的信号时，称为（）输入。 17.根据反馈形式的不同，LC振荡电路可分为（）反馈式和三点式两类，其中三点式振荡电路又分为（）三点式和（）三点式两种。 18.为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用（）滤波电路。 19. FET是通过改变（）来改变漏极电流（）的，所以它是一个（）器件。 20.基本互补对称功率放大电路，存在（）失真；可以通过加偏置电压来克服，在具体电路中是利用前置电压放大级中（）或（）上的压降来实现。 21.甲类放大电路是指放大管的导通角等于（）；乙类放大电路的导通角等于（）；甲乙类放大电路的导通角为（）。 22.一般情况下，当集成运放的反相输入端和输出端有通路（）时，集成运放工作在（）。当集成运放开环或同相输入端和输出端有通路（）时，集成运放工作在（）。 23.功率放大电路根据输出幅值U om、负载电阻R L、和电源电压V CC计算出输出功率P o 和电源消耗功率P V后，可以方便地根据P o和P V值来计算每只功率管消耗的功 1234567 0.5 1 1.5 2 Q 10 20 30 40 μ μ μ μA A A A U CE(V) Ic(mA)