霍尔介绍-如何选择霍尔-霍尔选购指南
霍尔介绍
如何选择霍尔
现在互联网这么发达，网络上充斥着各种各样的广告推销，评论，硬性的软性的，霍尔供应商哪家好这个问题已经让消费者无从选择了。这个时候，我们如何去选择霍尔非常盲目，但是我们可以从以下几点来分析霍尔供应商哪家好？当然，首先要根据自身的需求，去选择相应霍尔，既能实用，又能节省更多资源！
第一，选购一款放心的霍尔之前，首先我们要确认这个企业的资质。在全国是否属于知名公司，资质如何？用户口碑怎么样？
第二，该企业凭什么能够提供生产一个高性能高质量的霍尔给用户呢？这就要确认该企业的资源，是否有强大的技术支持，一般能稳定运营十几年以上。
第三，产品性能，性能稳定，用过的客户续费率百分之95以上的企业，产品性能肯定不会差！
第四，产品价格透明化，不乱收费，好的怕太贵，便宜的又怕不好，所以要掂量产品的性价比，同等的配置，同样的性能，基本上价格就起决定性的作用了。
第五，售后服务，售后服务是否可以做到7*24小时客服+技术服务，及时到位的服务，用户才会放心。
从以上几点简单分析了霍尔供应商哪家好大家需要了解的一些基本情况。随着市场的发展，以及霍尔供应商哪家好，霍尔供应商哪家好，也涉及该霍尔厂家技术门槛，有实力提供霍尔的商家屈指可数，这里列举了一些霍尔供应商家，这些都是按照各自规格型号的包装成型机械生产制造企业的在一呼百应平台的综合情况，如企业规模、注册资金、活跃程度、信息完善度等得分进行查询排行靠前的名单。霍尔哪家好想必各位根据自身搭建的需求，也知道该如何选择供应商了。
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南京欧卓科技有限公司，是一家集设计、制造、销售于一体的企业实体。公司主要生产霍尔元器件、各种传感器、转速探头（发动机用），专业为电动车辆领域、汽车领域和各类工程机械提供关键性传感、检测用元器件和零部件及整套解决方案，涉及位置检测、速度检测、磁场测量、里程计量等诸多方面。同时公司
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【大学物理实验】霍尔效应与应用讲义
霍尔效应与应用 1879年，年仅24岁的霍尔在导师罗兰教授的支持下，设计了一个根据运动载流子在外磁场中的偏转来确定在导体或半导体中占主导地位的载流子类型的实验，霍尔的发现在当时震动了科学界，这种效应被称为霍尔效应。通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。通过测量霍尔系数和电导率随温度变化的关系，还可以求出半导体材科的杂质电离能和材料的禁带宽度。如今常规霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，利用该效应制成的霍尔器件已广泛用于非电量的电测量、自动控制和信息处理等各个研究领域。 该实验要求学生了解霍尔效应的基本原理、霍尔元件的基本结构，测试霍尔元件特性的方法，并对测量结果给出正确分析和结论。 鼓励学生运用霍尔效应的基本原理和霍尔元件的特性，设计一些测量磁场，或各种非磁性和非电性物理量的测量的实验方案，例如：磁场分布、位置、位移、角度、角速度等。让学生更好的运用霍尔效应来解决一些实际问题。 一、预备问题 1．霍尔效应在基础研究和应用研究方面有什么价值？ 2．如何利用实验室提供的仪器测量半导体材料的霍尔系数？ 3．怎样判断霍尔元件载流子的类型，计算载流子的浓度和迁移速率？ 4．伴随霍尔效应有那些副效应？如何消除？ 5．如何利用霍尔效应和元件测量磁场？ 6．如何利用霍尔元件进行非电磁的物理量的测量？ 7．若磁场的法线不恰好与霍尔元件片的法线一致，对测量结果会有何影响？如何用实验的方法判断B与元件法线是否一致？ 8．能否用霍尔元件片测量交变磁场？ 二、引言 霍尔效应发现一百多年来，在基础和应用研究范围不断扩展壮大，反常霍尔效应、整数霍尔效应、分数霍尔效应、自旋霍尔效应和轨道霍尔效应等相继被发现，并构成了一个庞大的霍尔效应家族。1985年克利青、多尔达和派波尔因发现整数量子霍尔效应，荣获诺贝尔奖；1998年诺贝尔物学理奖授予苏克林、施特默和崔琦，以表彰他们发现了分数量子霍尔效应。自旋霍尔效应是目前凝聚态领域中一个相当热门的研究方向。（反映霍尔效应家族中最新研究进展的论文和资料详见配套光盘）。 用霍尔效应制备的各种传感器件，已广泛应用于工业自动化技术、检测技术和信息处理等各个方面，霍尔器件作为一种磁传感器。不仅可以用来直接检测磁场及其变化，还可用人为设置的磁场，用这个磁场来作被检测的信息的载体，通过它进行各种非磁性和电性物理量的测量，例如：力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等，转变成电量来进行检测和控制（详见配套光盘中各种霍尔传感器和应用案例分析）。 霍尔元件或各种霍尔传感器的工作基础是霍尔效应。霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场E H。对于图1所示的半导体试样，若在X方向通以电流Is，在Z方向加磁场B，则在Y方向即试样A，A′两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场（可参阅配套光盘中动画演示）。电场的指向取决于试样的导电类型。
兰花花盆价格及选择方法
兰花花盆价格及选择方法 兰花是中国十大名花之一，中国人历来把兰花看做是高洁典雅的象征，并与“梅、竹、菊”并列合称“四君子”，通常以“兰章”喻诗文之美，以“兰交”喻友谊之真，也有借兰来表达纯洁的爱情，选盆对养兰来说至关重要，下面我们就一起来看一看兰花花盆价格及选择方法吧！
兰花花盆多少钱一个？ 兰花花盆的价格没有固定、统一的价格，便宜的几元一个，贵的几十上百元，主要是看购买者如何选择，常见的有泥盆、塑料制兰盆、陶盆、紫砂盆、瓷盆、釉盆、石盆等。其实兰花花盆选择首先应根据自己的场地和兰架情况，为了使兰益有审美和文化情趣，有时要求兰盆的规格、质地、颜色、式样统一，有时又要求规格、质地统一外颜色、式样丰富多彩。
兰花花盆的选择方法 1、大小：总的来说不宜大盆栽小苗，也不宜小盆栽大苗。但最好少用大盆栽兰，盆大土多不易搬动，湿度难掌握，透气性也较差。 2、颜色：各种兰盆中塑料盆的颜色最多，最常见的颜色有黑、自、红。多种颜色的设计，主要是为提高兰盆观赏性。 3、透气：选用兰盆时宜选盆身四周制有透气孔且透气孔又分布于盆身中下部的兰盆，若兰盆制有盆脚，更利透气，塑料盆可自己制作盆身透气孔。
兰花花盆有哪些种类？ 1、泥瓦盆：泥瓦盆是养兰首选盆，质地疏松，透气性强，不易渍水，阳台、天井、场地养兰盆数较多应采用这种盆，管理方便。但太重且占地多，式样简单粗糙，不雅观。 2、塑料盆：塑料盆质量轻，外观美观雅致，又有体轻洁净耐用，保湿性好，式样规格多，使用植料省，最大特点是占地面积少。但透气性差，易受热，散热慢。 3、陶盆：陶盆是用陶土制作的盆状器皿，随着观赏要求的提高，乳黄、土黄花饰专用兰花陶盆多有采用，但这种盆一般不被广泛选择，只是个人爱好和装饰需要。 4、紫砂盆：紫砂盆的盆壁透气性较好，但比泥盆差，种高档兰既适用又美观，尤其适合参展，现代种兰者选择紫砂盆种兰者为最。 5、其他盆：瓷盆、釉盆、石盆亦可用于养殖兰花，如果有纪念意义，或有艺术性，或有文物价值，当然不应放弃，但这种盆壁透气较差，一般不选此盆植高档兰花。
霍尔传感器工作原理
半导体薄片置于磁感应强度为 B 的磁场中，磁场方向垂直于薄片，如图所示。当有电流 I 流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势 EH ，这种现象称为霍尔效应，该电动势称为霍尔电势，上述半导体薄片称为霍尔元件。 原理简述如下：激励电流 I 从 a 、 b 端流入，磁场 B 由正上方作用于薄片，这时电子 e 的运动方向与电流方向相反，将受到洛仑兹力 FL 的作用，向内侧偏移，该侧形成电子的堆积，从而在薄片的 c 、 d 方向产生电场 E 。电子积累得越多， FE 也越大，在半导体薄片 c 、 d 方向的端面之间建立的电动势 EH 就是霍尔电势。 由图可以看出，流入激励电流端的电流 I 越大、作用在薄片上的磁场强度B 越强，霍尔电势也就越高。磁场方向相反，霍尔电势的方向也随之改变，因此霍尔传感器能用于测量静态磁场或交变磁场。 半导体薄片置于磁感应强度为 B 的磁场中，磁场方向垂直于薄片，如图所示。当有电流 I 流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势 EH ，这种现象称为霍尔效应，该电动势称为霍尔电势，上述半导体薄片称为霍尔元件。 原理简述如下：激励电流 I 从 a 、 b 端流入，磁场 B 由正上方作用于薄片，这时电子 e 的运动方向与电流方向相反，将受到洛仑兹力 FL 的作用，向内侧偏移，该侧形成电子的堆积，从而在薄片的 c 、 d 方向产生电场 E 。电子积累得越多， FE 也越大，在半导体薄片 c 、 d 方向的端面之间建立的电动势 EH 就是霍尔电势。 由图可以看出，流入激励电流端的电流 I 越大、作用在薄片上的磁场强度B 越强，霍尔电势也就越高。磁场方向相反，霍尔电势的方向也随之改变，因此霍尔传感器能用于测量静态磁场或交变磁场。
量子霍尔效应
量子霍尔效应 霍尔效应是电磁效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔(E.H.Hall，1855-1938)于1879年在研究金属的导电机制时发现的。当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应使用左手定则判断。 发现 霍尔效应在1879年被物理学 家霍尔发现，它定义了磁场和感应 电压之间的关系，这种效应和传统 的电磁感应完全不同。当电流通过 一个位于磁场中的导体的时候，磁 场会对导体中的电子产生一个垂直 于电子运动方向上的作用力，从而 在垂直于导体与磁感线的两个方向 上产生电势差。 虽然这个效应多年前就已经被人们知道并理解，但基于霍尔效应的传感器在材料工艺获得重大进展前并不实用，直到出现了高强度的恒定磁体和工作于小电压输出的信号调节电路。根据设
计和配置的不同，霍尔效应传感器可以作为开/关传感器或者线性传感器，广泛应用于电力系统中。 解释 在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场力与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集，此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移，这个现象称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。 方便起见，假设导体为一个长方体，长度分别为a、b、d，磁场垂直ab平面。电流经过ad，电流I=nqv(ad)，n为电荷密度。设霍尔电压为VH，导体沿霍尔电压方向的电场为VH/a。设磁感应强度为B。 洛伦兹力 F=qE+qvB/c(Gauss单位制) 电荷在横向受力为零时不再发生横向偏转，结果电流在磁场作用下在器件的两个侧面出现了稳定的异号电荷堆积从而形成横向霍尔电场 由实验可测出E=UH/W定义霍尔电阻为 RH=UH/I=EW/jW=E/j j=qnvRH=-vB/c/(qnv)=-B/(qnc)
花盆的选择与使用
花盆的选择与使用 张黎教授宁夏大学农学院 随着人们生活条件的改善，家庭养花已成为一种时尚。有些人喜欢养花，却不会选择花盆，达不到预期的美化效果，因为好花有妙器配才 相宜。 1.花盆的种类 花盆的种类很多，按其材料有素烧盆、紫砂盆、釉盆、瓷盆、石盆、木（桶）盆、水泥盆、塑料盆、玻璃盆、竹编盆等之分；按其形状有圆、方、梅花、六角、八角、签筒形之异；按其高矮有高脚、低脚、浅盆之别。加上体积大小、色泽深浅，可谓形形色色，种类繁多。那么什么样的花盆好呢一般来讲，透气、渗水、轻便是选择花盆最基本的要求。 瓦盆这几个优点都具备，而且价格低廉，故使用最多。紫砂盆古朴大方，装饰华美，具有良好的透气性和排水性，用其栽花易成活、不烂根，宜栽兰花、梅花、树桩盆景及一些生命力较强的花卉。釉盆、瓷盆美观雅致，适宜套盆用。塑料盆轻巧秀丽，适宜栽植藤萝植物，供悬挂使用。 签筒类花盆，口小盆深，宜栽紫藤、吊兰、常春藤等悬垂式花草。口大而高矮适中的花盆，宜栽杜鹃、米兰、茶花、海棠、石
榴等丛生状花木。特大型花盆，又称花缸，则是棕榈、广玉兰、白兰、桂树、铁树、金橘、睡莲等花卉种植的佳器。浅口的盆具适宜雀梅、赤楠、枫类、榆桩、五针松、黄杨、南天竹等等盆景树种的栽培。微型的掌上花盆，小巧纤美，栽上文竹、仙人球之类的花草，更显清雅别致。 目前，较为畅销的是产自深圳的仿古陶钵，这种仿古青铜、古彩的花钵，古色古香中透着一种来自远古的凝重，正符合人们当前怀旧和复古的时尚。总之，花盆的大小选择，取决于植株的大小，花盆的形状、色泽要与花木冠形、色彩以及居室的摆设相协调。 2.盆栽花盆选择 盆栽花木，花盆质料和容积的大小，对花木生长影响很大，因此合理选用花盆甚为重要。理想的花盆应具有：质料轻，搬运方便；经久耐用，不易破碎；色彩、造型、厚薄、大小能适用花木生长的需要，且要有多种规格型号；价格低廉等条件。 现在的花盆按制作材料的不同，可分为以下几种：（1）素烧瓦盆一般养花用瓦盆比瓷盆好。瓦盆不仅经济实用，而且因盆壁上有许多细微孔隙，透气渗水性能都很理想，这对盆土的肥料中分解，根系的呼吸和生长都有好处。缺点是色彩单调，造型不美，表面粗糙，规格不多和易破碎等。通常新盆又比旧盆好。新盆不仅透水耐涝，能够缓和肥效，而且吸热快，散热也快，昼夜温差大，这样有利于土壤中有机肥料的分解。青色的和红色的瓦盆都一样使用，但要注意瓦盆的质量。一般土坯细腻，火候合适，声音清脆，表面有光泽的
霍尔传感器用法
一、霍尔电流电压传感器、变送器的基本原理与使用方法 1．霍尔器件 霍尔器件是一种采用半导体材料制成的磁电转换器件。如果在输入端通入控 制电流I C ，当有一磁场B穿过该器件感磁面，则在输出端出现霍尔电势V H 。 如图1－1所示。 霍尔电势V H 的大小与控制电流I C 和磁通密度B的乘积成正比，即：V H ＝K H I C Bsin Θ 霍尔电流传感器是按照安培定律原理做成，即在载流导体周围产生一正比于该电流的磁场，而霍尔器件则用来测量这一磁场。因此，使电流的非接触测量成为可能。 通过测量霍尔电势的大小间接测量载流导体电流的大小。因此，电流传感器经过了电－磁－电的绝缘隔离转换。 2．霍尔直流检测原理 如图1－2所示。由于磁路与霍尔器件的输出具有良好的线性关系，因此霍尔 器件输出的电压讯号U 0可以间接反映出被测电流I 1 的大小，即：I 1 ∝B 1 ∝U 我们把U 0定标为当被测电流I 1 为额定值时，U 等于50mV或100mV。这就制成 霍尔直接检测（无放大）电流传感器。
3．霍尔磁补偿原理 原边主回路有一被测电流I1，将产生磁通Φ1，被副边补偿线圈通过的电流I2所产生的磁通Φ2进行补偿后保持磁平衡状态，霍尔器件则始终处于检测零磁通的作用。所以称为霍尔磁补偿电流传感器。这种先进的原理模式优于直检原理模式，突出的优点是响应时间快和测量精度高，特别适用于弱小电流的检测。霍尔磁补偿原理如图1－3所示。 从图1－3知道：Φ 1＝Φ 2 I 1N 1 ＝I 2 N 2 I 2＝N I /N 2 ·I 1 当补偿电流I 2流过测量电阻R M 时，在R M 两端转换成电压。做为传感器测量电 压U 0即：U ＝I 2 R M 按照霍尔磁补偿原理制成了额定输入从0.01A～500A系列规格的电流传感器。 由于磁补偿式电流传感器必须在磁环上绕成千上万匝的补偿线圈，因而成本增加；其次，工作电流消耗也相应增加；但它却具有直检式不可比拟的较高精度和快速响应等优点。 4．磁补偿式电压传感器 为了测量mA级的小电流，根据Φ 1＝I 1 N 1 ，增加N 1 的匝数，同样可以获得高磁 通Φ 1 。采用这种方法制成的小电流传感器不但可以测mA级电流，而且可以测电压。 与电流传感器所不同的是在测量电压时，电压传感器的原边多匝绕组通过串 联一个限流电阻R 1，然后并联连接在被测电压U 1 上，得到与被测电压U 1 成比 例的电流I 1 ，如图1－4所示。
花盆提示语
绿萝又名黄金葛、魔鬼藤、 黄金藤等，性喜温暖、潮湿环境，要求土壤疏松、肥沃、排水良好。盆栽绿萝应选用肥沃、疏松、排水性好的腐叶土，以偏酸性为好。它性喜高温、多湿、半阴的环境，不耐寒冷，适生温度为15℃至25℃，15℃以下生长缓慢，越冬温度不低于10℃。 绿萝又名黄金葛、魔鬼藤、 黄金藤等，性喜温暖、潮湿环境，要求土壤疏松、肥沃、排水良好。盆栽绿萝应选用肥沃、疏松、排水性好的腐叶土，以偏酸性为好。它性喜高温、多湿、半阴的环境，不耐寒冷，适生温度为15℃至25℃，15℃以下生长缓慢，越冬温度不低于10℃。 绿萝又名黄金葛、魔鬼藤、 黄金藤等，性喜温暖、潮湿环境，要求土壤疏松、肥沃、排水良好。盆栽绿萝应选用肥沃、疏松、排水性好的腐叶土，以偏酸性为好。它性喜高温、多湿、半阴的环境，不耐寒冷，适生温度为15℃至25℃，15℃以下生长缓慢，越冬温度不低于10℃。 绿萝又名黄金葛、魔鬼藤、 黄金藤等，性喜温暖、潮湿环境，要求土壤疏松、肥沃、排水良好。盆栽绿萝应选用肥沃、疏松、排水性好的腐叶土，以偏酸性为好。它性喜高温、多湿、半阴的环境，不耐寒冷，适生温度为15℃至25℃，15℃以下生长缓慢，越冬温度不低于10℃。
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公物要爱护，花草人共享；整洁成习惯，清洁保安康。 公物要爱护，花草人共享；整洁成习惯，清洁保安康。 公物要爱护，花草人共享；整洁成习惯，清洁保安康。 公物要爱护，花草人共享；整洁成习惯，清洁保安康。 公物要爱护，花草人共享；整洁成习惯，清洁保安康。 公物要爱护，花草人共享；整洁成习惯，清洁保安康。
霍尔传感器的工作原理
两种霍尔传感器的工作原理 霍尔电流传感器是根据霍尔原理制成的.它有两种工作方式,即磁平衡式和直式.霍尔电流传感器一般由原边电路、聚磁环、霍尔器件、(次级线圈)和放大电路等组成. 1 直放式电流传感器(开环式) 众所周知,当电流通过一根长导线时,在导线周围将产生一磁场,这一磁场的大小与流过导线的电流成正比,它可以通过磁芯聚集感应到霍尔器件上并使其有一信号输出.这一信号经信号放大器放大后直接输出,一般的额定输出标定为4V. 2 磁平衡式电流传感器(闭环式) 磁平衡式电流传感器也称补偿式传感器,即主回路被测电流Ip在聚磁环处所产生的磁场通过一个次级线圈,电流所产生的磁场进行补偿,从而使霍尔器件处于检测零磁通的工作状态。 磁平衡式电流传感器的具体工作过程为:当主回路有一电流通过时,在导线上产生的磁场被聚磁环聚集并感应到霍尔器件上,所产生的信号输出用于驱动相应的功率管并使其导通,从而获得一个补偿电流Is.这一电流再通过多匝绕组产生磁场,该磁场与被测电流产生的磁场正好相反,因而补偿了原来的磁场,使霍尔器件的输出逐渐减小.当与I H与匝数相乘与“原边电流与匝数相乘”所产生的磁场相等时, I H不再增加,这时的霍尔器件起指示零磁通的作用,此时可以通过I H来平衡.被测电流的任何变化都会破坏这一平衡.一旦磁场失去平衡,霍尔器件就有信号输出.经功率放大后,立即就有相应的电流I H流过次级绕组以对失衡的磁场进行补偿.从磁场失衡到再次平衡,所需的时间理论上不到1μs,这是一个动态平衡的过程。
工作原理主要是霍尔效应原理. 一、以零磁通闭环产品原理为例: 1、当原边导线经过电流传感器时，原边电流 IP 会产生磁力线，原边磁力线集中在磁芯气隙周围，内置在磁芯气隙中的霍尔电片可产生和原边磁力线成正比的，大小仅为几毫伏的感应电压，通过后续电子电路可把这个微小的信号转变成副边电流IS，并存在以下关系式：IS* NS= IP*NP 其中，IS—副边电流；IP—原边电流；NP—原边线圈匝数；NS—副边线圈匝数； NP/NS—匝数比，一般取 NP=1。 电流传感器的输出信号是副边电流IS，它与输入信号（原边电流IP）成正比，IS 一般很小，只有 10~400mA。如果输出电流经过测量电阻 RM，则可以得到一个与原边电流成正比的大小为几伏的电压输出信号。 2、传感器供电电压 VA VA 指电流传感器的供电电压，它必须在传感器所规定的范围内。超过此范围，传感器不能正常工作或可靠性降低，另外，传感器的供电电压VA又分为正极供电电压VA+和负极供电电压VA-。要注意单相供电的传感器，其供电电压VAmin是双相供电电压VAmin的2倍，所以其测量范围要相供高于双电的传感器。 3、测量范围 Ipmax 测量范围指电流传感器可测量的最大电流值，测量范围一般高于标准额定值 IPN。二、电流传感器主要特性参数1、标准额定值 IPN 和额定输出电流 ISN IPN 指电流传感器所能测试的标准额定值，用有效值表示（A.r.m.s），IPN 的大小与传感器产品的型号有关。ISN指电流传感器额定输出电流，一般为10~400mA，当然根据某些型号具体可能会有所不同。 2、偏移电流 ISO 偏移电流也叫残余电流或剩余电流，它主要是由霍尔元件或电子电路中运算放大器工作状态不稳造成的。电流传感器在生产时，在25℃，IP=0时的情况下，偏移电流已调至最小，但传感器在离开生产线时，都会产生一定大小的偏移电流。产品技术文档中提到的精度已考虑了偏移电流增加的影响。 3、线性度 线性度决定了传感器输出信号（副边电流IS）与输入信号（原边电流IP）在测量范围内成正比的程度。 4、温度漂移 偏移电流ISO是在25℃时计算出来的，当霍尔电极周边环境温度变化时，ISO会产生变化。因此，考虑偏移电流ISO的最大变化是很重要的，其中，IOT是指电流传感器性能表中的温度漂移值。5、过载电流传感器的过载能力是指发生电流过载时，在测量范围之外，原边电流仍会增加，而且过载电 流的持续时间可能很短，而过载值有可能超过传感器的允许值，过载电流值传感器一般测量不出来，但不会对传感器造成损坏。
霍尔齿轮转速传感器的工作原理和优点
霍尔齿轮转速传感器的工作原理和优点 作者: 发布时间:2009-11-25 来源: 关键字:霍尔转速传感器 霍尔转速传感器的主要工作原理是霍尔效应，也就是当转动的金属部件通过霍尔传感器的磁场时会引起电势的变化，通过对电势的测量就可以得到被测量对象的转速值。霍尔转速传感器的主要组成部分是传感头和齿圈，而传感头又是由霍尔元件、永磁体和电子电路组成的。 霍尔转速传感器的工作原理 霍尔转速传感器在测量机械设备的转速时，被测量机械的金属齿轮、齿条等运动部件会经过传感器的前端，引起磁场的相应变化，当运动部件穿过霍尔元件产生磁力线较为分散的区域时，磁场相对较弱，而穿过产生磁力线较为几种的区域时，磁场就相对较强。 霍尔转速传感器就是通过磁力线密度的变化，在磁力线穿过传感器上的感应元件时，产生霍尔电势。霍尔转速传感器的霍尔元件在产生霍尔电势后，会将其转换为交变电信号，最后传感器的内置电路会将信号调整和放大，输出矩形脉冲信号。 霍尔转速传感器的测量方法 霍尔转速传感器的测量必须配合磁场的变化，因此在霍尔转速传感器测量非铁磁材质的设备时，需要事先在旋转物体上安装专门的磁铁物质，用以改变传感器周围的磁场，这样霍尔转速传感器才能准确的捕捉到物质的运动状态。 霍尔转速传感器主要应用于齿轮、齿条、凸轮和特质凹凸面等设备的运动转速测量。高转速磁敏电阻转速传感器除了可以测量转速以外，还可以测量物体的位移、周期、频率、扭矩、机械传动状态和测量运行状态等。 霍尔转速传感器目前在工业生产中的应用很是广泛，例如电力、汽车、航空、纺织和石化等领域，都采用霍尔转速传感器来测量和监控机械设备的转速状态，并以此来实施自动化管理与控制。 霍尔转速传感器的应用优势 霍尔转速传感器的应用优势主要有三个，一是霍尔转速传感器的输出信号不会受到转速值的影响，二是霍尔转速传感器的频率相应高，三是霍尔转速传感器对电磁波的抗干扰能力强，因此霍尔转速传感器多应用在控制系统的转速检测中。 同时，霍尔转速传感器的稳定性好，抗外界干扰能力强，如抗错误的干扰信号等，因此不易因环境的因素而产生误差。霍尔转速传感器的测量频率范围宽，
排气系统设计开发指南
汽车有限公司 . 01 页次：1/7 版次：
1. 主题与适用范围 1.1 主题 本指南制订了与汽车发动机相匹配的消声排气系统的开发流程及设计指南； 1.2 适用范围 本指南适用于汽车消声排气系统的设计开发 2. 参考标准和相关文件 QC/T 631—1999 汽车排气消声器技术条件 QC/T 630—1999 汽车排气消声器性能试验方法 QC/T 58—1993 汽车加速行驶车外噪声测量方法 QC/T 10125—1997人造气氛腐蚀试验盐雾试验 3.定义 3.1 排气消声器 排气消声器是具有吸声衬里或特殊形式的气流管道，可有效的降低气流噪声的装置。 3.2 插入损失 消声器的插入损失为装消声器前后，通过排气口辐射的声功率级之差。 3.3 排气背压 按QC/T524设置排气背压测量点，当分别带消声器和带空管时，测点处的相对压力值之差。 3.4 功率损失比 消声器的功率损失比是指发动机在标定的工况下，使用消声器前后的功率差值和没有使用消声器时功率的百分比。 4.开发流程及设计指南 4.1 接受产品开发任务并做好开发前的准备工作 开发之初，需要了解如下信息，作为设计输入： 1、发动机的排量、额定功率、额定扭矩等相关参数； 2、整车底盘走向，空间布局； 3、发动机对排气背压、功率损失比的要求； 4、噪声标准的制定； （1）、插入损失大于35dB； （2）、整车车外加速噪声小于74 dB；
4.2 方案设计 1、消声器的容量设计计算 消声器的容量关系到发动机的功率和扭矩，因此容量的设计将决定整车的动力性。一般地，消声器的容量有如下的计算公式： Ｖm＝k×P Ｖm＝消声器的容量（L） K＝0.14 P＝输出功率(Ps) 2、消声器的位置确定
霍尔效应
霍尔效应 摘要:霍尔效应是霍尔--德国物理学家于1879年在他的导师罗兰的指导下发现的这一效应，这一效应在科学实验和工程技术中得到广泛应用。可以用它测量磁场、半导体中载流子的浓度及判别载流子的极性，还可以利用这一原理作成各种霍尔器件，已广泛地应用到各个领域中。近年来霍尔效应得到了重要发展，冯·克利青发现了量子霍尔效应，为此，冯·克利青获得1985年度诺贝尔物理学奖。关键词: 霍尔效应副效应霍尔电压直流电压高精度的隔离传送和检测直流电流高精度的隔离检测监控量越限时准确的隔离报警 引言:利用霍尔效应电压与磁场的线性关系可知，通过测量元件两端的电压，可以得知空间某区域的磁场分布及其此处的磁感应强度。如今，霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且随着电子技术的发展，利用该效应制成的霍尔器件，由于结构简单、频率响应宽、寿命长、可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量和信息处理等方面。 正文：通过自己多次到实验室去体验并做了这些试验，本试验共有4个实验--霍尔效应、直流电压高精度的隔离传送和检测、直流电流高精度的 隔离检测和监控量越限时准确的隔离报警。现在把实验内容及其结 论在下面做详细介绍： 一、霍尔效应试验 实验目的：认识霍尔效应并懂得其机理；研究霍尔电压与工作电流的关系；研究霍尔电压与磁场的关系；了解霍尔效应的副效应及消除方法。 实验原理：霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转元件，如图所示
图1.1 霍尔效应磁原理 图1.2 霍尔效应磁电转换 在磁场不太强时，电位差H V 与电流强度I 和磁感应强度B 成正比，与板的厚度 d 成反比，即 d IB R V H H =(1.1)或 IB K V H H =(1.2)式（1.1）中H R 称为霍尔系数， 式（1.2）中H K 称为霍尔元件的灵敏度，单位为mv /(mA ·T)。如图1.1所示， 一快长为l 、宽为b 、厚为d 的N 型单晶薄片，置于沿Z 轴方向的磁场B 中，在 X 轴方向通以电流I ，则其中的载流子—电子所受到的洛仑兹力为 j eVB B V e B V q F m -=?-=?=(1.3)。即b V e eVB H =得 VBb V H =(1.5)此时B 端电位高于A 端电位。若N 型单晶中的电子浓度为n ，则流过样片横截面的电流 I =nebdV (1.6) 得 nebd I V = (1.7)将(1.6)式代入(1.5)式得 IB K d IB R IB ned V H H H === 1 (1.8)式中ne R H 1=称为霍尔系数，ned K H 1=称为 霍尔元件的灵敏度，一般地说，H K 愈大愈好，以便获得较大的霍尔电压H V 。 由（1.8）式可知，如果霍尔元件的灵敏度H R 已知，测得了控制电流I 和产生的霍尔电压H V ，则可测定霍尔元件所在处的磁感应强度为H H IK V B = 。霍尔效应实
花卉种植土壤的选择
花卉种植土壤的选择 种花的土壤，应该含有丰富的有机质，并具有良好的渗水透气性能。选择什么样的土壤种花，要根据花卉种类和花卉在不同的生长发育阶段，对土壤的要求不同来确定。 在庭院里种花，除了沙土、粘性重的土不适合外，一般排水良好的壤土、粘质壤土都可以种花，而且能使花木生长良好。 盆栽花卉，因局限在花盆中生长，盆土容量有限，这就要求土壤中的营养物质要丰富，土壤的性能要好，这样才能满足花卉生长的需要。符合这些要求的土壤，在自然界较少，较难找到，所以，盆栽花卉的土壤就要用人工来配制。人工配制的培养土，土质松软，不易于燥，富含有机质，排水良好，适合花卉不同生长时期的要求。 养花用的培养士是用腐叶土、园土、山土、塘泥、砻糠灰、黄沙、厩肥、骨粉按一定比例配制而成的。 腐叶土：把落叶、枯草、秸秆等，放在坑内，一层叶、一层土，撒些粪便，反复堆积几层，外用10厘米厚的土壤封顶，经过半年以上的发酵腐烂，土壤和肥分融合后，过筛即可使用。 厩肥土：用猪牛粪、鸡鸭粪等，与园土、杂草混合，堆积起来后，用水浇透。堆肥周围用稀泥土密封，使其充分发酵腐熟，腐熟后把堆肥摊开晒干，筛除杂肥后，贮藏备用。
山土：它是天然的腐叶土，是山区树木落叶自然堆积而成的，富含腐殖质，只要掺入少量园土和稀薄人粪尿，堆置一段时间，充分腐熟后就可使用。 塘泥：把河塘中的污泥挖上来，作成饼块，晒干后收藏备用。用时敲碎成大小不同的颗粒，一般如黄豆或蚕豆大小即可。塘泥的优点是肥分多，排水性能好。 园土：是菜园、果园、竹园表层熟化的壤土，它较疏松、肥沃，渗透性好，适宜大多数花卉生长。 骨粉：用动物杂骨加工制成的商品肥料。家庭养花可用碎骨或家禽蹄角、羽毛经过发酵制成，其中含有大量的磷肥。 根据花卉种类不同和花卉在不同生长期对土壤的不同要求，培养土的配方大致有以下几种： (1)播种和小苗用土：腐叶土2份，园土l份，砻糠灰1份，厩肥少许。 (2)温室草花用土：腐叶土3份，园土1份，砻糠灰1份，厩肥、河沙少量，骨粉少许。 (3)温室木本花卉用土：腐叶土1份，同土1份，河沙少许，砻糠灰少许，厩肥少量，骨粉少许。 (4)扦插用土：因为扦插生根前不需要养分，所以用黄沙就可以了，有条件的可用蛭石或珍珠岩作扦插基质。
排气系统设计开发指南
1.1 主题 本指南制订了与汽车发动机相匹配的消声排气系统的开发流程及设计指南； 1.2 适用范围 本指南适用于汽车消声排气系统的设计开发
2. 参考标准和相关文件 QC/T 631—1999 汽车排气消声器技术条件 QC/T 630—1999 汽车排气消声器性能试验方法 QC/T 58—1993 汽车加速行驶车外噪声测量方法 QC/T 10125—1997 人造气氛腐蚀试验盐雾试验 3.定义 3.1 排气消声器 排气消声器是具有吸声衬里或特殊形式的气流管道，可有效的降低气流噪声的装置。 3.2 插入损失 消声器的插入损失为装消声器前后，通过排气口辐射的声功率级之差。 3.3 排气背压 按QC/T524设置排气背压测量点，当分别带消声器和带空管时，测点处的相对压力值之差。 3.4 功率损失比 消声器的功率损失比是指发动机在标定的工况下，使用消声器前后的功率差值和没有使用消声器时功率的百分比。 4.开发流程及设计指南 4.1 接受产品开发任务并做好开发前的准备工作 开发之初，需要了解如下信息，作为设计输入： 1、发动机的排量、额定功率、额定扭矩等相关参数； 2、整车底盘走向，空间布局； 3、发动机对排气背压、功率损失比的要求； 4、噪声标准的制定； （1）、插入损失大于35dB； （2）、整车车外加速噪声小于74 dB； 4.2 方案设计 1、消声器的容量设计计算 消声器的容量关系到发动机的功率和扭矩，因此容量的设计将决定整车的动力性。一般地，消声器的容量有如下的计算公式： Ｖm＝k×P Ｖm＝消声器的容量（L） K＝0.14 P＝输出功率(Ps) 2、消声器的位置确定
霍尔效应与霍尔传感器简介
霍尔效应 科技名词定义 中文名称：霍尔效应 英文名称：Hall effect 定义1： 在物质中任何一点产生的感应电场强度与电流密度和磁感应强度之矢量积成正比的现象。 应用学科：电力（一级学科）；通论（二级学科） 定义2： 通过电流的半导体在垂直电流方向的磁场作用下，在与电流和磁场垂直的方向上形成电荷积累和出现电势差的现象。 应用学科：机械工程（一级学科）；工业自动化仪表与系统（二级学科）；机械量测量仪表-机械量测量仪表一般名词（三级学科） 百科名片 霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应。这个电势差也被叫做霍尔电势差。 发现 霍尔效应在1879年被E.H. 霍尔发现，它定义了磁场和感应电压之间的关系，这种效应和传统的感应效果完全不同。当电流通过一个位于磁场中的导体的时候，磁场会对导体中的电子产生一个垂直于电子运动方向上的的作用力，从而在导体的两端产生电压差。虽然这个效应多年前就已经被大家知道并理解，但基于霍尔效应的传感器在材料工艺获得重大进展前并不实用，直到出现了高强度的恒定磁体和工作于小电压输出的信号调节电路。根据设计和配置的不同，霍尔效应传感器可以作为开/关传感器或者线性传感器。 霍尔效应（图中电场方向应向上） 解释 在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导线中的电子与电洞受到不同方向的洛伦兹力而往不同方向上聚集，在聚集起来的电子与电洞之间会产生电场，此一电场将会使后来的电子电洞受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力，使得后来的电子电洞能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。 方便起见，假设导体为一个长方体，长度分别为a,b,d，磁场垂直ab平面。电流经过ad，电流I = nqv(ad)，n为电荷密度。设霍尔电压为VH，导体沿霍尔电压方向的电场为VH / a。设磁场强度为B。 霍尔效应推导 相关反应 量子霍尔效应 热霍尔效应：垂直磁场的导体会有温度差。 Corbino效应：垂直磁场的薄圆碟会产生一个圆周方向的电流。 自旋霍尔效应 本质 固体材料中的载流子在外加磁场中运动时，因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移，并在材料两侧产生电荷积累，形成垂直于电流方向的电场，最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡，从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压。正交电场和电流强度与 大量的研究揭示：
花盆阳台种菜小知识讲解
花盆阳台种菜小知识 我在桃花零零妖论坛看到这帖子阳台种菜1234，阳台种菜小窍门写的不错，就转过来了，最近在淘宝网的种子小店格林庄园买了些种子，开始在家阳台种菜了呵呵。 阳台种菜全攻略一：阳台适合种什么菜? 花种得好，可以欣赏；菜种得好，不仅吃上自己种的无公害蔬菜，翠枝绿叶和硕果累累，也可以成为一道美景。可是我们生活在钢筋水泥丛林中的城里人没有大片的土地，怎么种菜呢？没关系，小小阳台其实也是种菜的好地方。下面就为您一一介绍阳台种菜的知识、方法和窍门，首先介绍阳台适合种什么蔬菜。 根据朝向选择蔬菜 阳台种什么菜，一方面要根据个人爱好和需要而定，一方面要考虑自家阳台的环境条件适合哪些蔬菜。一般说来，如果空间允许，大多数蔬菜瓜果都可在阳台上栽种。所
谓阳台的环境条件，最主要就是阳台朝向和阳台封闭情况。朝向决定着阳台的光照条件，而阳台封闭情况则决定了阳台的温度条件。全封闭阳台冬季温度也较高，所受温度限制较小，可选择的蔬菜范围也比较广，基本一年四季都可栽种蔬菜。半封闭或未封闭阳台冬季温度较低，一般不易在冬天栽种蔬菜，夏天太阳直射导致温度过高，也要注意遮光保护蔬菜。 更重要的是阳台的朝向，在温度允许的条件下，一般要根据阳台朝向选择蔬菜。 朝南阳台为全日照阳光充足、通风良好，是最理想的种菜阳台。几乎所有蔬菜都是在全日照条件下生长最好，因此一般蔬菜一年四季均可在朝南的阳台上种植，如黄瓜、苦瓜、番茄、菜豆、金针菜、番杏、芥菜、西葫芦、青椒、莴苣、韭菜等。此外，莲藕、荸荠、菱角等水生蔬菜也适宜在朝南的阳台种植。冬季朝南阳台大部分地方都能受到阳光直射，再搭起简易保温设备，也可以给冬季生产蔬菜创造一个良好的环境。 朝东、朝西阳台为半日照，适宜种植喜光耐阴蔬菜，如洋葱、油麦菜、小油菜、韭菜、丝瓜、香菜、萝卜等。但朝西阳台夏季西晒时温度较高，使某些蔬菜产生日烧，轻者落叶，重者死亡，因此最好在阳台角隅载植蔓性耐高温的蔬菜。在夏季，对后面楼层反射过来的强光及辐射光也要设法防御。 朝北阳台全天几乎没有日照，蔬菜的选择范围最小。应选择耐阴的蔬菜种植，如莴苣、韭菜、芦笋、香椿、蒲公英空心菜、木耳菜等。在夏季，对后面楼层反射过来的强光及辐射光也要设法防御。 哪些蔬菜最适在阳台栽种？ 周期短的速生蔬菜：小油菜、青蒜、芽苗菜、芥菜、青江菜、油麦菜 收获期长的蔬菜：番茄、辣椒、韭菜、芫荽、香菜、葱、等 节省空间的蔬菜：胡萝卜、萝卜、莴苣、葱、姜、香菜 易于栽种的蔬菜：苦瓜、胡萝卜、姜、葱、生菜、小白菜 不易生虫子的蔬菜：葱、韭菜、番薯叶、人参草、芦荟、角菜 初学者选什么菜？
霍尔传感器的原理及应用
第八章霍尔传感器 课题：霍尔传感器的原理及应用课时安排：2 课次编号：12 教材分析 难点：开关型霍尔集成电路的特性 重点：霍尔传感器的应用 教学目的和要求1、了解霍尔传感器的工作原理； 2、了解霍尔集成电路的分类； 3、掌握线性型和开关型霍尔集成电路的特性； 4、掌握霍尔传感器的应用。 采用教学方法和实施步骤：讲授、课堂互动、分析教具：各种霍尔元 件、霍尔传感器 各教学环节和内容 演示1： 将小型蜂鸣器的负极接到霍尔接近开关的OC门输出 端，正极接V cc端。在没有磁铁靠近时，OC门截止，蜂鸣 器不响。 当磁铁靠近到一定距离（例如3mm）时，OC门导通， 蜂鸣器响。将磁铁逐渐远离霍尔接近开关到一定距离（例 如5mm）时，OC门再次截止，蜂鸣器停响。 演示2： 将一根导线穿过10A霍尔电流传感器的铁芯，通入0.1~1A电流，观察霍尔IC的输出电压的变化，基本与输入电流成正比。 从以上演示，引入第一节霍尔效应、霍尔元件的工作原理。 第一节霍尔元件的工作原理及特性 一、工作原理 金属或半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势E H，这种现象称为霍尔效应（Hall Effect），该电动势称为霍尔电动势（Hall EMF），上述半导体薄片称为霍尔元件（Hall Element）。用霍尔元件做成的传感器称为霍尔传感器（Hall Transducer）。
图8-1霍尔元件示意图 a）霍尔效应原理图b）薄膜型霍尔元件结构示意图c）图形符号d）外形霍尔属于四端元件： 其中一对（即a、b端）称为激励电流端，另外一对（即c、d端）称为霍尔电动势输出端，c、d端一般应处于侧面的中点。 由实验可知，流入激励电流端的电流I越大、作用在薄片上的磁场强度B越强，霍尔电动势也就越高。霍尔电动势E H可用下式表示 E H=K H IB（8-1）式中K H——霍尔元件的灵敏度。 若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法线成某一角度θ时，实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分量，即B cosθ，这时的霍尔电动势为 E H=K H IB cosθ（8-2） 从式（8-2）可知，霍尔电动势与输入电流I、磁感应强度B成正比，且当B的方向改变时，霍尔电动势的方向也随之改变。如果所施加的磁场为交变磁场，则霍尔电动势为同频率的交变电动势。 目前常用的霍尔元件材料是N型硅，霍尔元件的壳体可用塑料、环氧树脂等制造。 二、主要特性参数 （1）输入电阻R i恒流源作为激励源的原因：霍尔元件两激励电流端的直流电阻称为输入电阻。它的数值从几十欧到几百欧，视不同型号的元件而定。温度升高，输入电阻变小，从而使输入电流I ab变大，最终引起霍尔电动势变大。使用恒流源可以稳定霍尔原件的激励电流。 （2）最大激励电流I m激励电流增大，霍尔元件的功耗增大，元件的温度升高，从而引起霍尔电动势的温漂增大，因此每种型号的元件均规定了相应的最大激励电流，它的数值从几毫安至十几毫安。 提问：霍尔原件的最大激励电流I m为宜。 A．0mA B．±0.1 mA C．±10mA D．100mA （4）最大磁感应强度B m磁感应强度超过B m时，霍尔电动势的非线性误差将明显增大，B m的数值一般小于零点几特斯拉。 提问：为保证测量精度，图8-3中的线性霍尔IC的磁感应强度不宜超过为宜。 A．0T B．±0.10T C．±0.15T D．±100Gs
排气系统设计开发指南
在对本指南进行任何复印之前必须查阅有效程序清单，确认本程序版次的有效性。 1. 主题与适用范围 1.1主题 本指南制订了与汽车发动机相匹配的消声排气系统的开发流程及设计指南; .专业
汽车有限公司 版次: 01 页次: 2/8 1.2适用范围 本指南适用于汽车消声排气系统的设计开发 2. 参考标准和相关文件 QC/T 631 —1999汽车排气消声器技术条件 QC/T 630 —1999汽车排气消声器性能试验方法 QC/T 58 —1993 汽车加速行驶车外噪声测量方法 QC/T 10125 —1997 人造气氛腐蚀试验盐雾试验 3.定义 3.1排气消声器 排气消声器是具有吸声衬里或特殊形式的气流管道，可有效的降低气流噪声的装置。 3.2插入损失 消声器的插入损失为装消声器前后，通过排气口辐射的声功率级之差。 3.3排气背压 按QC/T524设置排气背压测量点，当分别带消声器和带空管时，测点处的相对压力值之 差。 3.4功率损失比 消声器的功率损失比是指发动机在标定的工况下，使用消声器前后的功率差值和没有使用 消声器时功率的百分比。 4.开发流程及设计指南 4.1接受产品开发任务并做好开发前的准备工作 开发之初，需要了解如下信息，作为设计输入： 1、发动机的排量、额定功率、额定扭矩等相关参数; 2、整车底盘走向，空间布局； 3、发动机对排气背压、功率损失比的要求； 4、噪声标准的制定；
汽车有限公司 版次: 01 页次: 3/8 （1）、插入损失大于35dB ； （2）、整车车外加速噪声小于74 dB ；
汽车有限公司 版次: 01 页次: 4/8 4.2方案设计 1、消声器的容量设计计算 消声器的容量关系到发动机的功率和扭矩，因此容量的设计将决定整车的动力性。一般地，消声器的容量有如下的计算公式： V m = k x P V m =消声器的容量（L） K= 0.14 卩=输出功率（Ps） 2、消声器的位置确定 根据声学原理，消声器摆放在不同的位置，将产生不同的消声效果，一般地，推荐如下的消声器摆放位置： 3、消声器的截面形状的设计 消声器的截面形状尽量避免扁平状，并尽可能往圆形靠近，推荐长度和截面积之比为 L/D=3-4 ■■■ 三元催化器预消声器主消声器 IL
光的自旋霍尔效应!(111109)
光的自旋霍尔效应（文双春博客，2011-11-9）https://www.360docs.net/doc/445877463.html,/home.php?mod=space&uid=412323&do=blog&id=506123 约132年前，美国物理学家霍尔（Edwin Hall，1855-1938）发现，当电流通过磁场中的导体时，在垂直于电流和磁场方向的导体两侧会出现电势差．这一现象后来被称为霍尔效应（Hall effect），本质上，它是运动的载流子在磁场中受到洛伦兹力的作用而产生横向运动的结果。经典霍尔效应被发现之后的100多年，反常霍尔效应、整数量子霍尔效应、分数量子霍尔效应、自旋霍尔效应和轨道霍尔效应等又相继被发现，它们构成了一个霍尔效应家族。霍尔效应家族因其极其重要的科学意义和应用价值而一直受到广泛关注，仅从有关霍尔效应的研究成果曾两度获得诺贝尔奖就可见一斑。1985和1998年诺贝尔物理学奖分别授与整数量子霍尔效应的发现者克利青(Klaus von Klitzing)和分数量子霍尔效应的发现者崔琦等人． 最近几年，一种新型的霍尔效应——自旋霍尔效应（Spin Hall Effect，SHE），引起人们的强烈兴趣，自2004年被美国加州大学圣巴巴拉分校Awschalom团队[1]首次在实验上观测到以来，已成为目前凝聚态物理中一个相当热门的研究方向．由于相对论效应自旋-轨道耦合作用的存在，人们发现在这样的体系中，在没有外加磁场条件下即使是在非磁性材料中，也存在类似的霍尔效应：自旋向上的电子和自旋向下的电子分别向两边运动从而分离开来．与以往跟电荷相关的霍尔效应完全不同，这种霍尔效应与电子的自旋密切相关．由于电子的自旋与电荷一样，可以用来储存和传递信息，而且自旋霍尔效应中的电流几乎没有能量损失，也就是说不会发热，因而引发了科学界对研制新的电子元器件的设想[2]． 如上所述的各种霍尔效应都是针对电子等带电粒子的．除了电子以外，其它粒子特别是中性粒子是否也有类似的霍尔效应？2004年，日本AIST的Onoda等人[3]从理论上明确提出，光子在介质分界面上反射或折射时同样存在类似于电子SHE的光自旋霍尔效应（Spin Hall Effect of Light，SHEL）：在介质折射率梯度扮演的外场作用下，光束或波包沿垂直于折射率梯度方向发生自旋分裂．2008年，美国Illinois大学Hosten和Kwiat[4]利用弱测量（Weak Measurement）方法，首次从实验上证实了这一现象．与电子SHE引发科学界对研制新的电子元器件的设想一样，光子作为当今时代信息和能量的重要载体，人们完全有理由期待SHEL 的研究将导致新型光子学器件的产生，并可能衍生出一门类似于自旋电子学(Spintronics)的新学科——自旋光子学(Spin-optics) [5，6]．这儿对SHEL作一简单介绍．电子SHE依赖于两个关键因素：电子的自旋-轨道角动量耦合及其导致这种耦合作用的纵向加载的电场．光子既有内在的自旋角动量（与圆偏振的手性相关），也有外在的轨道角动量（与螺旋相位有关）．因此人们自然有理由推测，光子的自旋-轨道角动量耦合应该也能产生光的SHE．关键问题是：谁来扮演外场的角色以及如何产生光子的自旋-轨道角动量耦合作用？ 光子有自旋但却因其为中性粒子而无磁矩，因此无法用外加场的方法去改变其自旋轴的方向．但由于光子自旋轴的方向与传播方向一致，因而使我们想到若改变光的传播方向将会改变光的自旋态，即自旋矢量在空间的指向；而改变光的传播方向最简单直接的方式是利用光的反射和折射，其本质是改变光在其中传播的介质的折射率．在Hosten和Kwiat[4]首次观测SHEL的实验中，正是介质分界面上折射率的阶跃变化（折射率梯度）充当了电子SHE中外加电场的角色，而圆偏振光的右旋和左旋分量分别充当了上旋和下旋电子的角色．因此，