SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验

SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验
SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验

SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验

一、实验目的

(1)掌握各种电力电子器件的工作特性。

(2)掌握各器件对触发信号的要求。

二、实验所需挂件及附件

(略)

三、实验线路及原理

将电力电子器件(包括SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT五种)和负载电阻R串联后接至直流电源的两端,给定电压从零开始调节,直至器件触发导通,从而可测得在上述过程中器件的V/A特性。

实验线路的具体接线如下图所示:

图3-26 新器件特性实验原理图

四、实验内容

(1)晶闸管(SCR)特性实验。

(2)可关断晶闸管(GTO)特性实验。

(3)功率场效应管(MOSFET)特性实验。

(4)大功率晶体管(GTR)特性实验。

(5)绝缘双极性晶体管(IGBT)特性实验。

五、思考题

各种器件对触发脉冲要求的异同点?

七、实验方法

给定电压,监视电压表、电流表的读数,当电压表指示接近零(表示管子完全导通),停止调节,记录给定电压U g调节过程中回路电流I d以及器件的管压降U v。

(1) SCR测试

(2) GTO测试

(3) MOSFET测试

(4)GTR测试

(5)IGBT测试

八、实验结论

根据得到的数据,绘出各器件的输出特性。

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