电子技术试题及答案
《电子技术基础》题库
适用班级：2012级电钳3、4、5、6班
备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题：
第一章半导体二极管
○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。
Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。
○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。
Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。
○5、PN结具有单向导电特性。
○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。
Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类；
○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。
★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。
○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。
Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。
★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。
第二章半导体三极管及其放大电路
○15、三极管是电流控制元件。
○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。
★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。
Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。
Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小.
Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。
○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。
★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。
★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。
★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；
★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。
★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。
第三章集成运算放大器及其应用
○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。
Δ30、集成运算放大器在比例运算电路中工作在线性放大区。
○31、在放大电路中为了提高输入电阻应引入串联负反馈。
Δ32、稳定静态工作点的常用方法有射极偏置电路和集电极－基极偏置电路。
★33、共集电极放大电路的输入电阻很大，输出电阻很小。
★34、放大电路必须加上合适的直流偏置才能正常工作。
Δ35. 共射极、共基极、共集电极放大电路有功率放大作用；
★36. 共射极、共基极放大电路有电压放大作用；
★37. 共射极、共集电极放大电路有电流放大作用；
★38. 射极输出器的输入电阻较大，输出电阻较小。
★39. 射极输出器的三个主要特点是输出电压与输入电压近似相同、输入电阻大、输出电阻小。
第五章直流稳压电源
○40、直流稳压电路按调整器件的工作状态可分为线性稳压电路和开关稳压电路两大类。
○41、直流稳压电源由整流变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路组成。
★42、滤波电路分为电容滤波、电感滤波、复式滤波和电子滤波。
Δ43、在稳压管稳压电路中，利用稳压管的反向击穿特性，实现稳压；
★44、整流二级管和整流堆统称为整流器件。
第六章晶闸管及应用电路
○45、晶闸管是一种电力半导体器件。
Δ46、单结晶闸管是种一具有负阻特性的半导体器件。
★47、晶闸管的缺点是承受过压和过流的能力差。
第七章门电路逻辑及组合逻辑电路
○48、门电路主要分为分立元件门路和集成电路门两类。
○49、门电路又称为逻辑门电路。
Δ50、门电路是组成数字电路的基本单元电路。
二、选择题
第一章半导体二极管
Δ1、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管(C)
A、立即导通
B、到0.3V才开始导通
C.、超过死区电压时才开始导通
Δ2、把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（A）
A、基本正常
B、将被击穿
C、将被烧坏
Δ3、当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（B）
A.很小的电阻
B.很大的电阻
C.断路
★4、某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（C）
A、约等于150V
B、略大于150V
C、等于75V
Δ5、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（B）
A、增大
B、减小
C、不变
Δ6、测量小功率二极管的好坏时，一般把万用欧姆挡拨到（C）
A、R×100
B、R×1k
C、R×1
★7、用万用表R×100Ω挡来测试二极管，如果二极管（C）说明管子是好的。
A、正、反向电阻都为零
B、正、反向电阻都为无穷大
C、正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧
Δ8、用万用表的电阻挡判断小功率二极管管脚极性时，应选用（C）
A、R×1Ω挡
B、R×1kΩ挡
C、R×10挡
★9、在测量二极管正向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会（A）A、变大B、变小C、不变化
Δ10、变容二极管工作时，应加（A）
A、反向电压
B、正向电压
C、反向电压或正向电压
○11、发光二级管工作时，应加（A）
A、正向电压
B、反向电压
C、正向电压或反向电压
★12、变容二极管常用在（A）电路中。
A、高频
B、低频
C、直流
★13、交通信号灯采用的是（A）管
A、发光二极管
B、光电二极管
C、变容二极管
第二章半导体三极管及其放大电路
Δ14、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C）。
A、（
B、
C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）
★15、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B ）
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
○16、差分放大电路是为了（C）而设置的。
A、稳定Au
B、放大信号
C、抑制零点漂移
Δ17、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。
A、电压串联负反馈
B、电流串联负反馈
C、电压并联负反馈
★18、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。
A、电压
B、电流
C、串联
○19、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的( )
A 大
B 小C相等
Δ20、在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是( B ) A共基放大电路B共集放大电路C共射放大电路
○21、在（A）、（B）、（C）三种电路中既能放大电流，又能放大电压的电路是( ) A共基放大电路B共集放大电路C共射放大电路
★22、一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（B ）。
A、有微弱电流
B、无电流
C、有瞬间微弱电流
○23、晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将（B ）。
A、增加
B、下降
C、不变
○24、放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（Ａ）。
Ａ、强Ｂ、弱Ｃ、一般
第三章集成运算放大器及其应用
★25、射极跟随器具有（Ｃ）特点。
A、电流放大倍数高Ｂ、电压放大倍数高Ｃ、电压放大倍数近似于１且小于１输入电阻高，输出电阻低
Δ26、引入并联负反馈，可使（Ｃ）。
Ａ、输出电压稳定Ｂ、反馈环内输入电阻增加Ｃ、反馈环内输入电阻减小
★27、直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的（Ａ）。
Ａ、好Ｂ、差Ｃ、相同
★28、产生正弦波自激震荡的稳定条件是（C）。
A、引入正反馈
B、|AF|≥1
C、AF=1
○29、稳压二极管是利用PN结的（C ）。
A 单向导电性 B. 反偏截止特性
C反向击穿特性
○30、只用万用表判别晶体管3个电极，最先判别出的应是B 。
Ae极Bb极Cc极
第五章直流稳压电源
★31、共发射极接法的晶体管，工作在放大状态下，对直流而言其 A 。
A输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性。
B输入和输出均具近似的恒流特性。
C输入和输出均具有近似的恒压特性。
第六章晶闸管及应用电路
★32、放大电路中有反馈的含义是 B 。
A、输出与输入之间有信号通路
B、电路中存在反向传输的信号通路
C、除放大电路以外还有信号通道
○33、根据反馈的极性，反馈可分为 C 反馈
A直流和交流B电压和电流C正反馈和负反馈○34、根据反馈信号的频率，反馈可分为 A 反馈
A直流和交流B电压和电流C正反馈和负反馈○35、根据取样方式，反馈可分为 B 反馈
A直流和交流B电压和电流C正和负
○36、根据比较的方式，反馈可分为 C 反馈
A直流和交流B电压和电流 C 串联和并联Δ37、负反馈多用于 A 。
A改善放大器的性能B产生振荡C提高输出电压Δ38、正反馈多用于 B 。
A改善放大器的性能B产生振荡C提高输出电压Δ39、交流负反馈是指 B 。
A只存在于阻容耦合电路中的负反馈
B交流通路中的负反馈
C变压器耦合电路中的负反馈
Δ40、若反馈信号正比于输出电压，该反馈为 C 反馈。
A串联B电流C电压 D 并联
○41、若反馈信号正比于输出电流，该反馈为 B 反馈
A串联B电流C电压
○42、当电路中的反馈信号以电压的形式出现在电路输入回路的反馈称为 A
反馈。
A串联B电流C电压
○43、当电路中的反馈信号以电流的形式出现在电路输入回路的反馈称为 C 反馈。
A串联B电流C并联
★44、电压负反馈可以 A 。
A稳定输出电压B稳定输出电流C增大输出功率
Δ45、串联负反馈 A 。
A 提高电路的输入电阻
B 降低电路的输入电阻
C 提高电路的输出电压
★46、电压并联负反馈 B 。
A 提高电路的输入电阻
B 降低电路的输入电阻
C 提高电路的输出电压
Δ47 、电流串联负反馈放大电路的反馈系数称为 B 反馈系数。
A电流B互阻C互导
★48、负反馈所能抑制的干扰和噪声是指 C 。
A输入信号所包含的干扰和噪声
B反馈环外的干扰和噪声
C反馈环内的干扰和噪声
Δ49、负反馈放大电路是以降低电路的 C 来提高电路的其它性能指标。
A通频带宽B稳定性C增益
○50、PN结的最大特点是具有（C）。
A导电性 B.绝缘性 C.单向导电性
三、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。
第一章半导体二极管
Δ1、半导体随温度的升高，电阻会增大（×）
Δ2、PN结正向偏转时电阻小，反向偏置时电阻大。（×）
○3、二极管是线性元件。（×）★4、一般来说，硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。（×）○5、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为0.3V左右。（×）○6、二极管具有单向导电性。（√）○7、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（×）★8、当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。
（√）
Δ9、二极管加正向电压时一定导通。（×）Δ10、二极管加反向电压时一定截止。（×）★11、有两个电极的元件都叫二极管。（×）
○12、二极管一旦反向击穿就一定损坏。（√）第二章集成运算放大器及其应用
Δ13、可以说任何放大电路都有功率放大作用；（√）
★14、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（×）
Δ15、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（×）
★16、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（√）
★17、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出毫无变化；（×）
★18、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（×）第三章集成运算放大器及其应用
Δ19、电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。（√）
★20、使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。（×）
○21、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（√）
○22、利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。（√）
○23、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。（√）
★24、只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。（×）
第五章直流稳压电源
Δ25、直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。（×）
○26、直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变化电路。（×）。○27、直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换成直流能量。（√）。★28、在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波
整流电路输出电流的2倍。
（√）。
★29、若V2变压器副边电压的有效值，则半波整流有电容滤波电路和全波整流滤波电
路在空载输出电压均为
2V。
2（√）。
★30、一般情况下，开关型稳压电路比线性稳压电路的效率高。（√）。○31、整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。（√）。★32、整流的目的是将高频电流变为低频电流。（×）。Δ33、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。
（√）。
○34、直流稳压电源中滤波电路的目的是将交流变为直流。（×）。
第六章晶闸管及应用电路
Δ35、晶闸管和晶体三极管都能用小电流控制电流，因此它们都具有放大作用。（×）Δ36、晶闸管和二极管一样具有反向阻断能力，但没有正向阻断能力（×）
★37、晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门限电流称为维持电流。(√) 第七章门电路逻辑及组合逻辑电路
○38、逻辑电路中、一律用“1”表示高电平，用“0“表示低电平。（×）
Δ39、”与“门逻辑功能是”“有1出1，全0出0”（×）
Δ40、“异或”门的逻辑功能是“相同出0，不同出1”（×）
○41、常用的门电路中，判断两个输入信号的是否相同的门电路是“与非”门。（×）
★42、由分立元件组成的三极管“非”门电路，实际上是一个三极管反相器。
○43、逻辑代数又称为布尔代数。(√)
○44、常用的化简方法有代数法和卡诺图法。
★45、任何一个逻辑函数的表达式一定是唯一的。（×）
Δ46、任何一个逻辑表达式经化简后，其简式一定是唯一的。(√)
四综合题
第一章半导体二极管
○１、半导体的特性是什么？
答；光敏特性，热敏特性，掺杂特性。
Δ２、从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？
答：从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管的死区电压为0.5V, 锗管的死区电压为0.2V; 硅管的导通管压降为0.7 V，锗管的导通管压降为0.3 V。
Δ3、有A、B两个二极管。它们的反向饱和电流分别为5mA和A
. 20，在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA和8mA，你认为哪一个管的性能较好？
答：B好，因为B的单向导电性好；当反向偏置时，反向饱和电流很小，二极管相当于断路，其反向偏置电阻无穷大。
★4、温度对二极管的正向特性影响小，对其反向特性影响大，这是为什么？
答：正向偏置时，正向电流是多子扩散电流，温度对多子浓度几乎没有影响，因此温度对二极管的正向特性影响小。但是反向偏置时，反向电流是少子漂移电流，温度升高少数载流子数量将明显增加，反向电流急剧随之增加，因此温度对二极管的反向特性影响大。
第二章半导体三极管及其放大电路
△5.如图所示，已知V CC=10V，R B=250KΩ，R C=3KΩ，β=50，试求放大电路的静态工作点。
解：I BQ=V CC/R B=10/250mA=0.04mA
I CQ=βI BQ=50×0.04=2mA
U CEQ=V CC-I C R C=（10-2×3）=4V
Δ6、在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将
每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。
△7测得电路中几个三极管的各极对地电压如题图3.0.7所示。试判断各三极管的工作状态。
答：题图所示的各个三极管的工作状态，图（a ）为放大， 图（b ）为放大 ，图（c ）为饱和， 图（d ）为C 、E 极间击穿。
号 T 1
T 1 管 脚 电 位 （V ） ①
0.7 6.2 3
电
极
名
称
①
B E E ② 0 6 10 ② E
B
C
③ 5
3 3.7 ③ C C B
材 料 S i G e S i
类 型
NP N
PNP NPN
题图
(b)
(c)
(d)
(a)
第三章集成运算放大器及其应用
Δ8. 什么叫“虚短”“虚断”？
答：“虚短”两输入电压u P _u N=0, u N=u P“虚断”两输入端的输入电流为零，即i N =i P=0
第五章直流稳压电源
★9. 单相半波整流电路，已知变压器一次侧电压U i=220V，变压比n=10，负载电阻R L=10kΩ，试计算：
（1）整流输出电压U L。
（2）二极管通过的电流和承受的最大反向电压。
解：（1）因为n=U i/U2 U2 =220/10=22v
又因为U L=0.45U2=0.45×22=9.9v
（2）I F=I L=U L/R L=0.99mA
U Rm=2U2=31.11v
△10. 一个单相桥式整流电容滤波电路，变压器二次侧电压为10V。
（1）如果空载电压为14V，满载为12V，是否正常？
（2）如果空载电压低于10V是否正常？为什么？
解：（1）空载时电压U L=2U2 =1.414×10=14.1v
带负载时电压U L=1.2 U2=1.2×10=12v
所以正常
（2）不正常因为正常情况下U L=2U2=14v
★11.试判断图5-3所示电路中元件R、L、C能否起滤波作用。
★12. 直流电源如图5-7所示，已知U O =24V ，稳压管稳压值U Z =5.3V ，三极管的U BE =0.7V 。
（1） 试估算变压器二次侧电压的有效值。 （2） 若R 3=R 4=R P =300Ω，试计算U L 的可调范围。
R L a ）
R L b ）
R L
c
） R L
d ）
R L
e ）
R L
f ） 图5-3
×
√ ×
√ √
×
图5-7
解：（1）因为U L=1.2 U2U2=24/1.2=20v
（2）RP滑到最上端时U L最小
U Lmin=（R3+R4+R p）/（R4+R p）×（U Z+U BE）=9V RP滑到最下端时U L最大
U Lmax=（R3+R4+R p）/R4×（U Z+U BE）=18 V
稳压电路输出U L的调整范围是9≤U L≤18
第六章晶闸管及应用电路
△13.简述晶闸管导通的条件。
答：（1）阳极和阴极间加正向电压（2）门极与阴极间加正向电压以上两个条件，必须同时满足，晶体管才能导通。
请说明下列型号规格中各项所代表的含义。
Δ14．3CT-200/150
3——三个电极 C ——N 型硅材料 T ——晶闸管元件 200——额定正向平均电流 150——正向阻断峰值电压 Δ15 K P200-18F
K ——晶闸管 P ——普通型 200——额定电流 18F ——通态平均电压组别F △ 16 什么是控制角？
答：把晶闸管从开始承受正向阳极电压起，到触发导通，期间的电角度称为控制角。
★17.有一单相半波可控制整流电路，交流电源电压U2=220V ，R L =5Ω，控制角α=60°。求输出电压平均值和负载中的平均电流。
解：V COS COS U U L 25.742
60122045.02145.02
=+??=+=ο
α
A R U I L L L 85.145
25
.74===
答：输出电压平均值74.25v 。负载中的平均电流14.85A 。
★18.电阻性负载单相半控桥式整流电路最大输出电压时110V ，输出电流为50A 。求：
电子技术基础考试试题及参考答案
电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）
模拟电子技术基础试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
数字电子技术试题及答案(题库)
《数字电子技术》试卷 姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（ ），作为8421BCD 码时，它相当于 十进制数（ ）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（ ）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（ ）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（ ）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F =（ ） 。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（ ）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（ ）V ，其输出高电平为（ ）V ，输出低电平为（ ）V ， CMOS 电路的电源电压为（ ） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（ ）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（ ）根地址线，有（ ）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（ ）位。 11. ）；Y 3 ＝（ ）。
12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（ ）进制计数器。 13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（ ）有效。 二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） （在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（ ）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ ）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（ ）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为( )的计数器。
(完整版)专升本《数字电子技术》考试答案
[试题分类]:专升本《数字电子技术》_08051350 [题型]:单选 [分数]:2 1. 设上升沿T触发器的初态为0态，CP、T的波形如图示，则Q的波形是（）。 A. B. C. D. 答案:C 2.下面不是OD门的优点是（）。 A.可以实现线与功能 B.可以用来实现逻辑电平变换 C.带负载能力强,常作驱动器使用 D.输入端可以悬空 答案:D 3.RS触发器没有的功能是（）。 A.置0功能 B.置1功能 C.翻转功能 D.保持功能 答案:C 4.将二进制代码转换成某个特定的信号的电路称为（）。 A.编码器 B.译码器 C.数值比较器
D.计数器 答案:B 5.已知AB+C=AB+D ，若C 、D 为任意值，则等式成立的条件是（ ）。 A.A=1，B=0 B.A=1，B=1 C.A=0，B=1 D.A=0.B=0 答案:B 6. 下图实现的逻辑表达式是（ ）。 A.F=A+ B+ A B.F=ABC C.F=AB+ BC+ AC D. 答案:C 7.下列各电路中,不属于时序逻辑电路的是（ ）。 A.移位寄存器 B.数值比较器 C.二进制计数器 D.同步计数器 答案:B 8. 下图是某计数器的状态转换图,正确的说法是（ ）。 F A B C =⊕⊕
A.M=1时为六进制计数器 B.M=0时为三进制计数器 C.M=0时六进制计数器 D.M=1时为三进制计数器、M=0时为六进制计数器 答案:C 9.逻辑函数的最简与或表达式是（ ）。 A. B.Y=A C.Y=B D. 答案:B 10.对于TTL 门电路，正常工作情况下，下面4种说法中正确的是（ ）。 A.当输出端为低电平时,电流从门电路输出端流出。 B.无论输出端为高、低电平,电流都从门电路输出端流入。 C.当输出端为高电平时,电流从门电路输出端流出。 D.无论输出端为高、低电平,门电路输出端都没有电流。 答案:C 11. 图示三极管电路中,当输入电平为0.3V 时,三极管的工作状态为（ ）。 A.截止状态 B.放大状态 C.饱和状态 D.不确定 答案:A 12. Y AB AC ABC ACD =+++Y B =Y C =
电子技术基础期末考试考试题及答案
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触发器，输入信号=0,A.Q=0 B.Q=0C.=0 D.=1脉冲作用下， A.1 B.D C.0 D. 9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是<） 10.电路如下图所示，若初态都为0，则的是<） 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是<） A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器<） A.n B.2n C.n2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010，当最低位接收到10个脉冲时，触发器状态为<） A.0010 B.0100 C.1100 D.1111 14.下图所示的电路中，正确的并联型稳压电路为<） 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中，若要使输出电压为60V ，则变压器的次级电压应为<） A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题<本大题共5小题，每小题3分，共15分）<对打√，错打×） 16.P 型半导体中，多数载流子是空穴< ） 17.环境温度升高时，半导体的导电能力将显著下降< ） 18.二极管正偏时，电阻较小，可等效开关断开<） 19.稳压二极管工作在反向击穿区域<） 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件<）
注：将 选择题 和判断 题答案 填写在 上面 的表 格 里， 否则 该题不得分 三、填空题<本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较，JK触发器增加了功能； 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式； 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线； 24.常见的滤波器有、和； 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只，按右图所示方法接入电路，则 V0=。 四、应用题<本大题共3小题，共35分，要求写出演算过程） 26.<10分）某JK触发器的初态Q=1，CP的下降沿触发，试根据下图所示的CP、J、K的波形，画出输出Q 和的波形。RTCrpUDGiT 27.<9分）如下图所示电路，测得输出电压只有0.7V，原因可能是： <1）R开路；<2）RL开路；<3）稳压二极管V接反； <4）稳压二极管V短路。应该是那种原因，为什么？ 28.<16分）分析下图所示电路的工作原理，要求： <1）列出状态表，状态转换图； <2）说明计数器类型。 参考答案及评分标准 一、单项选择题<本大题共15小题，每小题2分，共30分） 二、判断题<本大题共5小题，每小题3分，共15分） 三、填空题<本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.不确定，翻转22.并行和串行 23.VD-ID24.电容、电感、复式25.5.3V 四、应用题<本大题共3小题，共30分，要求写出演算过程） 26. 27.解：稳压二极管V接反，变成正向偏置，稳压二极管正向导通时，压降是0.7V 28.解：计数前，各触发器置0，使Q2Q1Q0=000
电工电子技术基础试题库
电工电子技术基础试题库 Prepared on 24 November 2020
一、判断题 1．理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。 （错） 2．因为正弦量可以用相量来表示，所以说相量就是正弦量。 （错） 3．自耦变压器由于原副边有电的联系，故不能作为安全变压器使用。（对） 4．电动机的额定功率是指电动机轴上输出的机械功率。 （对） 5．一个1/4W,100Ω的金属膜电阻，能够接在50V 电源上使用。 （错） 6．三相对称电路中，负载作星形联接时，P 3I I l 。 （错） 7．电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。 （错） 8. 电压是产生电流的根本原因。因此电路中有电压必有电流。 （错） 9. 正弦量的三要素是指最大值、角频率和相位。 （错） 10．负载作星形联接时，必有线电流等于相电流。 （对） 11．一个实际的电感线圈，在任何情况下呈现的电特性都是感性。 （错） 12．正弦交流电路的频率越高，阻抗越大；频率越低，阻抗越小。 （错） 13．中线不允许断开，因此不能安装保险丝和开关。 （对） 14．互感器既可用于交流电路又可用于直流电路。 （ 错 ） 15．变压器是依据电磁感应原理工作的。 （ 对 ） 16．电机、电器的铁心通常都是用软磁性材料制成。 （ 对 ） 17．自耦变压器由于原副边有电的联系，所以不能作为安全变压器使用。 （ 对 ） 18．电动机的转速与磁极对数有关，磁极对数越多转速越高。 （ 错 ） 19．三相异步电动机在满载和空载下起动时，起动电流是一样的。（ 错 ） 20．二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （错） 21．晶体管可以把小电流放大成大电流。 （对） 22．在P 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 （对）
电工电子技术试题及答案..
电工电子技术试题 一、填空题(共133题，每空一分) 1、电力系统中一般以大地为参考点，参考点的电位为 0伏 2、欧姆定律一般可分为部分电路的欧姆定律和全电路欧姆定律。 3、部分电路的欧姆定律是用来说明电路中电压、电流和电阻三个物理量之间关系的定律。 4、全电路欧姆定律，说明了回路中电流Ⅰ与电源电动势的代数和成比，而与回路中的 及之和成反比。 5、导体电阻的单位是欧姆，简称欧，用符号表示，而电阻率则用符号表示。 6、已知电源电动势为E，电源的内阻压降为U0，则电源的端电压U= E-U O。 7、有一照明线路，电源端电压为２２０伏，负载电流为１０安，线路的总阻抗为０.2欧姆，那么负载端电 压为 218 伏。 8、串联电路中的处处相等，总电压等于各电阻上之和。 9、一只２２０伏１５瓦的灯泡与一只２２０伏１００瓦的灯泡串联后，接到２２０伏电源上，则 15 瓦灯 泡较亮，而 100 瓦灯泡较暗。 10、１度电就是１千瓦的功率做功１小时所消耗的电量，所以它的单位又叫千瓦时。 11、频率是单位时间内交流电重复变化的次数。 12、某正弦交流电流，频率为５０赫，最大值为２０安，初相位为－４０°，此正弦交流电的瞬时值表达式 为 u=20sin(314t- ４０°) ，相量式为。 13、如果用交流电压表测量某交流电压，其读数为３８０伏，此交流电压的最大值为 537 伏。 14、把一个１００欧的电阻元件接到频率为５０赫、电压为１０伏的正弦交流电源上，其电流为 0.1A 安。 15、有一电感Ｌ为０．０８亨的纯电感线圈，通过频率为５０赫的交流电流，其感抗X L＝ 25.12 欧。如 通过电流的频率为10000赫，其感抗X L＝ 5024 欧。 16、一个１０微法的电容接在５０赫的交流电源上，其容抗X C＝ 318 欧，如接在2000赫的交流电源上， 它的容抗X C＝ 7.95 欧。 17、某正弦交流电流为ｉ＝100sin（6280t- π／4）毫安，它的频率ｆ＝ 1000Hz ，周期Ｔ＝ 0.001 秒， 角频率ω＝ 6280 ，最大值Im= 100mA ，有效值Ｉ＝ 100/1.414 mA ，初相位φ＝π／4 。 18、已知两交流电流分别为i１＝15sin(314t＋45°)安，i２＝10sin(314t－３0°）安，它们的相位差为75 °。 19、在纯电感交流电路中，电感元件两端的电压相位超前电流 90 度。 20、在纯电容交流电路中，电容元件两端的电压相位滞后电流 90 度。 21、在纯电阻交流电路中，电阻元件通过的电流与它两端的电压相位同相。 22、交流电路中的有功功率用符号 P 表示，其单位是 W 。 23、交流电路中的无功功率用符号 Q 表示，其单位是 VAR 。 24、交流电路中的视在功率用符号 S 表示，其单位是 VA 。 25、三相正弦交流电的相序，就是三相交流电到达最大值的顺序。 26、如三相对称负载采用星形接法时，则负载的相电压等于电源的相电压，线电流等于相电流的 1 倍。 27、如三相对称负载采用三角形接法时，则负载的相电压等于电源的线电压， 倍。 28、在三相对称电路中，已知线电压Ｕ、线电流Ｉ及功率因数角φ，则有功功率Ｐ＝ＵＩCOSφ，无功功率 Ｑ＝ＵＩSINφ，视在功率Ｓ＝ＵＩ 29伏。 30、当三相发电机的三相绕组联成星形时，其线电压为３８０伏，它的相电压为 220 伏。 31、有一台三相异步电动机，额定电压为３８０伏，三角形联接，若测出线电流为３０安，那么通过每相绕
电子技术基础试题
。电子技术基础试题库（第四版） 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 、 4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体， 绝缘体，半导体 7、PN结具有_____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结 _________。单向导电性，导通，截止 二，判断题 １、半导体随温度的升高，电阻会增大。（）N ２、二极管是线性元件。（）N ３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N ４、二极管具有单向导电性。（）Y ５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N ６、二极管加正向压时一定导通（）N 7、晶体二极管是线性元件。（）N 8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点是具有（）C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）C Ａ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是（）。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是（）B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题
电子技术考题大全及答案(完整版)
习题 【2-1】填空、选择正确答案 1．对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是 A．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端； √B．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；同时防止偏置电流被信号源旁路； C．将输入交流信号加到晶体管的基极。 2．在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是R c，那么R c中： A．只有直流； B．只有交流； √ C．既有直流，又有交流。 3．基本放大电路在静态时，它的集电极电流的平均值是（）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（）。（I CQ；I CQ） 4．下列说法哪个正确： A．基本放大电路，是将信号源的功率加以放大； √B．在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率； C．基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。 5．放大电路如图2.1.7所示，试选择以下三种情形之一填空。 a:增大、b:减少、c:不变（包括基本不变） (1) 要使静态工作电流I c减少，则R b1应。（a） (2) R b1在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻 。（b；a；c） (3) R e在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻 。（b；a；c） (4) 从输出端开路到接上R L，静态工作点将，交流输出电压幅度要。 （c；b） (5) V cc减少时，直流负载线的斜率。（c） 6．放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（）。（越好） 7．放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的（）而引起的非线性失真。（饱和区） 8．在共射基本放大电路中，若适当增加 ，放大电路的电压增益将（）。（基本不增加） 9．在共射基本放大电路中，若适当增加I E，电压放大倍数将如何变化（）。（增加） 10．在共射基本放大电路中，适当增大R c，电压放大倍数和输出电阻将有何变化。 √ A．放大倍数变大，输出电阻变大 B．放大倍数变大，输出电阻不变 C．放大倍数变小，输出电阻变大 D．放大倍数变小，输出电阻变小 11．有两个电压放大电路甲和乙，它们的电压放大倍数相同，但它们的输入输出电阻不同。对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大，在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。哪个电路的输入电阻大。（对放大电路输出电压大小的影响，一是放大电路本身的输入电阻，输入电阻越大，加到放大电路输入端的信号就越大；二是输出电阻，输出电阻越小，被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小，输出信号就越大。在负载
应用电子技术专升本试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷一专升本试卷及其参考答案 试卷一（总分150分） （成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一） 一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。） 1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R ×1k 档，测量同一二极管，则其正向电阻值（ ） a. 增加 b. 不变 c. 减小 d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（ ） a. 处于放大区域 b. 处于饱和区域 c. 处于截止区域 d. 已损坏 图2 3. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为（ ） a. 10k Ω b. 2k Ω c. 1k Ω d. Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于（ ） a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定 图4 5. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D L m R g ' b.s m L m 1R g R g +'-
C.L m R g '- d.m L /g R '- 图5 6. 图5中电路的输入电阻R i 为（ ） a. R g +(R g1R g R g [R g +(R g1直流负反馈是指（ ） a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ ） a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声 d. 输出信号中的干扰和噪声 9. 在图9所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为（ ） a. － b. －5V c. － d. － 图9 10. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为（ ） a. 10mV b. 20mV c. 70mV d. 140mV 图10 二、填空题（本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。把答案填在题中横线上。） 11．当温度升高时，三极管的下列参数变化趋势为：电流放大系数β ，反向饱和电流I CBO ，I B 不变时，发射结正向电压V BE 。
电子技术基础复习题与答案
中南大学网络教育课程考试（专科）复习题及参考答案 电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( )
电子技术试题及答案(
资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除 《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。 一、填空题： 第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 虫、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极 管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极：反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动 调节本机震荡频率。 只供学习与交流 资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12讥增大到22讥时，I c从1mA变为2mA，那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置，集电结正向偏置，贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、0TL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在 输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。 只供学习与交流
最新电气及其自动化专升本模拟电子技术试题10
专升本复习演练 一、单选题 ( 每题 1 分 ) 1. 对差分放大电路而言，下列说法不正确的为（）。 A ．可以用作直流放大器 B ．可以用作交流放大器 C ．可以用作限幅器 D ．具有很强的放大共模信号的能力 2. 关于 BJT 放大电路中的静态工作点（简称 Q 点），下列说法中不正确的是（）。 A ． Q 点过高会产生饱和失真 B ． Q 点过低会产生截止失真 C ．导致 Q 点不稳定的主要原因是温度变化 D ． Q 点可采用微变等效电路法求得 3. 深度负反馈的条件是指（）。 A. 1+AF<<1 B. 1+AF>> 1 C . 1+AF<<0 D. 1+AF>>0 4. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的是负反馈。 A. 输入电阻增大 B. 输出量增大 C. 净输入量增大 D. 净输入量减小 5. 硅管正偏导通时，其管压降约为（）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 6. 交越失真是（） A ．饱和失真 B ．频率失真 C ．线性失真 D ．非线性失真 7. 图示电路中，欲提高放大电路的电压放大倍数，可以（）。 A. 减小 Rc B. 减小 R L C. 增大 R E D. 增大 R B2
8. 已知两共射极放大电路空载时电压放大倍数绝对值分别为 A 和 A ，若将它们接成两级放大电路，则其放大倍数绝对值（）。 A. A A B. A +A C. 大于 A A D. 小于 A A 9. 设计一个两级放大电路，要求输入电阻为 1k Ω至 2k Ω，电压放大倍数大于 2000 ，第一级和第二级应分别采用。 A. 共射电路、共射电路 B. 共源电路、共集电路 C. 共基电路、共漏电路 D. 共源电路、共射电路 10. 某集成运放频率特性如图所示，则用于放大 100kHz 信号时能达到的最高电压放大倍数为（）。 A. 10 B. 5000000 C . 50 D. 无法确定 二、判断题 ( 每题 2 分 ) 1. 二极管在工作频率大于最高工作频率 f M 时会损坏。（） 2. 放大电路的输出电阻等于负载电阻R L 。（） 3. 凡是集成运放构成的电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念加以分析。（）
电子技术基础试题及答案
电子技术基础试卷 一、填空题（20分） 1、______电路和_______电路是两种最基本的线性应用电路。 2、晶体二极管具有_______特性。 3、放大电路的分析方法有______和小信号模型分析法。 4、BJT的主要参数是__________。 5、带宽和________是放大电路的重要指标之一。 6、处理模拟信号的电子电路称为_______。 7、把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路称为_____电路。 8、在电子电路中反馈按极性不同可分为______和_______两种。 9、判断一个放大电路中是否存在反馈，只要看该电路的输出回路与输入回路之间是否存在反馈网络，即________。 10、负反馈放大电路有四种类型：___________、 ___________、___________以及___________放大电路。 11、放大电路的实质都是_______电路。 12、放大电路可分为四种类型：_______、_______、_______和_______。 二、判断题（1—5题每题2分，6—15题每题1分，共20分） 1、图示中 R引人电压并联负反 2 图题1 2、图示中 R电流串联正反馈 e1 图题2
3、图示电路不能振荡 图题3 4、图示电路不能振荡 图题4 5、图示电路中T 1为共基极组态，T 2 为共集电极组态 图题5 6、PN结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在，且其宽度随外加电压而变化。 7、齐纳二极管是一种特殊二极管。 8、BJT有NPN和PNP两种类型。 9、图解法能分析信号幅值太小或工作频率较高湿的电路工作状态。 10、MOS器件主要用于制成集成电路。 11、差分放大电路中共模电压增益越小，说明放大电路的性能越好。 12、放大电路中的内部噪声与放大电路中个元器件内部载流子运动的不规则无关。 13、放大电路中直流反馈不影响静态工作点。 14、负反馈能够改善放大电路的多方面性能是由于将电路的输出量引回到输入端与输入量进行比较，从而随时对输出量进行调整。 15、在实际应用的放大电路中很少引人负反馈。 三、计算题（1题12分，2题13分，3题15分，共40分） 1、设计一反相加法器，使其输出电压V0= -7V i1+14V i2+3.5V i3+10V i4），允许使用的最大电阻为280kΩ，求各支路电阻。
电子技术试题及答案-(
《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题： 第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类； ○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。
专升本《模拟电子技术》-试卷复习资料
专升本《模拟电子技术》 一、（共61题,共150分） 1. 当PN给外加正向电压时，扩散电流漂移电流。此时耗尽层 ( )。（2分） A.大于变宽。 B.小于变窄。 C.等于不变。 D.大于变窄。 .标准答案：D 2. 场效应管电流完全由组成，而晶体管的电流由组成。因此，场效应管电流受温度的影响比晶体管（）。（2分） A.多子少子大。 B.多子两种载流子小。 C.少子多子小。 D.多子多子差不多。 .标准答案：B 3. 图示的共射极放大电路不能对交流信号放大的根本原因是:（）。 （2分） A.交流信号不能输入。 B.没有交流信号输出。 C.没有合适的静态工作点。 D.发射结和集电结的偏置不正确。 .标准答案：B 4. 当某电路要求输出信号的频率不高于420Hz，可采用（）的方式实现。（2分） A.高通滤波器 B.带阻滤波器 C.带通滤波器 D.低通滤波器 .标准答案：D 5. NPN型和PNP型晶体管的区别是 ( )。（2分） A.由两种不同材料的硅和锗制成。 B.掺入的杂质元素不同。 C.P区和N区的位置不同。 D.载流子的浓度不同。 .标准答案：C 6. 某NPN 型硅管，当其工作在放大状态时，电路中的三个电极电位应为下列哪组数据？（）（2分） A.U 1=3.5V，U 2 =2.8V， U 3 =12V。 B.U 1 =3V，U 2 =2.8V， U 3 =12V。 C.U 1 =6V，U 2 =11.3V，U 3 =12V。 D.U 1 =6V，U 2 =11.8V，U 3 =12V。 .标准答案：A 7. 图示的电路中，稳压管的反向击穿电压分别为6V和7V，正向导通电压均为 0.6V，则输出电压为：（）。（2分） A.6V B.7V C.6.6V D.5.4V .标准答案：D 8. 如图所示的静态工作点及其放大电路，当输入的正弦信号逐渐增加时，放大电路的工作情 况是：（）。（2分） A.先出现截止失真，为避免上述现象的发生，应减小偏置电阻R b 。 B.先出现截止失真，为避免上述现象的发生，应增大偏置电阻R b 。 C.先出现饱和失真，为避免上述现象的发生，应减小偏置电阻R b 。 D.先出现饱和失真，为避免上述现象的发生，应增大偏置电阻R b 。 .标准答案：A 9. 下列电路中能正常放大的是：( )。（2分） A. B.
电子技术基础(模拟部分)试卷二及答案
试卷二 系别学号姓名成绩 考试课程模拟电子技术基础考试日期2002 年１２月１２日 题号一二三四五六七八九总分分数 得分核分人阅卷人 1．单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每小题2分，共20分) (1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( )。 A．掺杂浓度 B．工艺 C.温度 D．晶体缺陷 (2)硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( )。 A．正向导通状态 B．反向电击穿状态 C．反向截止状态 D．反向热击穿状态 (3)测得一放大电路中的三极管各电极相对于“地”的电压如图1所示， A．NPN型硅管 B．NPN型锗管 C．PNP型锗管 D．PNP型硅管 (4)温度上升时，半导体三级管的( )。 A．β和I CBO 增大，U BE 下降 B．β和U BE 增大，I CBO 减小 C．β减小，I CBO 和U BE 增大 D．β、I CBO 和U BE 均增大 (图1) (5)在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，ｕ ｏ与ｕ ｉ 相位相反、 ︱A U ︱>1的只可能是( )。 A．共集电极放大电路 B．共基极放大电路 C．共漏极放大电路 D．共射极放大电路 (6)在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输人电阻的负反馈是( )。 A．电压并联负反馈 B．电压串联负反馈 C．电流并联负反馈 D．电流串联负反馈 (7)关于多级放大电路下列说法中错误的是( )。 A．A ｕ等于各级电压放大倍数之积 B．R ｉ 等于输入级的输入电阻 C．R。等于输出级的输出电阻 D．Ａ ｕ 等于各级电压放大倍数之和 （8）用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R E ，可以提高电路的 ( )。 A．︱A ｕｄ ︱ B．︱A ｕｅ ︱ C．Ｒ ｉｄ D．Ｋ ＣＭＲ (9)电路如图2所示，其中U ２ ＝20V，C＝100ｕF。变压器内阻及各二极管正向导通时 的电压降、反向电压均可忽略，该电路的输出电压U ０ ≈( )。 A．24V B．28V C．－28V D．－18V (图2) (10)在下列四种比较器中．抗干扰能力强的是( )。 A．迟滞比较器 B．零比较器 C．三态比较器 D．窗口比较器 2．填充题(每格１分，共20分) (11)当放大电路输入非正弦信号时，由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数 而产生的输出失真称为失真，由于相位滞后与信号频率不成正比而产生的输 出失真称为失真，这两种失真统称为失真或失真。 (12)半导体三极管属控制器件，而场效应管属于控制器件。 (13)按结构不同，场效应管可分为型和型两大类。 (14)集成运放内部电路实际上是一个、、放大电路。 (15)直流稳压电源由、、、四个部分组成。 (16)按幅频特性不同，滤波器可分为滤波器、滤波器、滤 波器、滤波器及滤波器等五种。 3．分析计算题（共60分） （17）电路如图３所示．已知R B1＝50KΩ, R B2＝10KΩ, R C＝6KΩ, R E＝750Ω,信号源内阻R S＝ 5KΩ,负载电阻R L＝10KΩ,电源电压＋V CC=12V,电容C1、C2的电容量均足够大,晶体管的β=99、 r be=1 KΩ、U BE=0.7V。试求：（a）电压放大倍数A u（=U O/U I）及A us（=U O/U S）; （b）输入电阻R i和输出电阻R O。 ① -2V ② -8V ③ -2.2V + u1 － TR + u2 － D1 D4 D3 D 2 C + U o －