关于薄膜晶体管课件
半导体器件物理--薄膜晶体管(TFT) ppt课件
BTS(bias temperature stress)：VG=VD=30 V, T=55 oC;
应力作用产生缺陷态，引起C-V曲线漂移. 16 ppt课件
6. p-Si TFF的改性技术 （1）非晶硅薄膜晶化技术-----更低的温度、更大的晶粒, 进一步提高载流子迁移率. （2）除氢技术----改善稳定性. （3）采用高k栅介质----降低阈值电压和工作电压. （4）基于玻璃或塑料基底的低温工艺技术(<350 oC).
对于恒定的VDS,VGS越大,则
沟道中的可动载流子就越多,
沟道电阻就越小,ID就越大.
即栅电压控制漏电流.
对于恒定的VGS,当VDS增大时，沟道厚度从源极到漏极逐渐变 薄, 引起沟道电阻增加,导致IDS增加变缓.当VDS＞VDsat时,漏极 被夹断,而后VDS增大，IDS达到饱和.
8 ppt课件
TFT的工作原理
低载流子 迁移率
稳定性和 可靠性
TFT发展过程中遭遇 的关键技术问题？
低成本、大面 积沉膜
低温高性能半 导体薄膜技术
挑战：在玻璃或塑料基底上生长出单晶半导体薄膜！
5 ppt课件
TFT的种类
按采用半导体材料不同分为： 硅基:非晶Si-TFT,多晶硅-TFT
无机TFT 化合物:CdS-TFT,CdSe-TFT 氧化物:ZnO-TFT
V
th)V
d
1 2
V
2 d
]
(V d V g V th) …….（3）
当Vd<<Vg时,(3)式简化为I d
W L
Ci (V g V th)V d
在饱和区(Vd>Vg-Vth),将Vd＝Vg-Vth代入(3)式可得：
薄膜晶体管
非晶硅TFT-LCD显示系统与控制 模块
控制模块
系统结构
控制模块
摘要 说明时序控制模块和LCD系统中其它子模块之间的关系，对时序控制模块所要解决的时序问题进行分析。在 分析问题的基础上提出一种适用于中、小尺寸液晶显示系统时序控制模块的实现结构。对时序控制模块进行功能 验证，给出FPGA逻辑功能验证结果，证明设计可行。 LCD技术已成为平板显示的主流技术，其中，中、小尺寸液晶产品成为开发的主流。中、小型LCD的应用将 更加广泛。 应用于中、小尺寸液晶显示的主要技术有： 1、STN-LCD(Super Twisted Nematic，超扭转向列式液晶)； 2、(Thin Film Transistor，薄膜晶体管液晶显示器)； 3、LTPS(Low TemperaturePoly Silicon，低温多晶硅)等三种。而其中技术最为成熟的是TFT-LCD。 由于TFT电流较低，无法直接在TFT上设计线路，因此，为了使TFT-LCD工作，需要外建IC控制电路。大多数 有关TFT-LCD控制IC的。
技术特点
TFT技术是二十世纪九十年代发展起来的，采用新材料和新工艺的大规模半导体全集成电路制造技术，是液 晶（LC）、无机和有机薄膜电致发光（EL和OEL）平板显示器的基础。TFT是在玻璃或塑料基板等非单晶片上（当 然也可以在晶片上）通过溅射、化学沉积工艺形成制造电路必需的各种膜，通过对膜的加工制作大规模半导体集 成电路（LSIC）。采用非单晶基板可以大幅度地降低成本，是传统大规模集成电路向大面积、多功能、低成本方 向的延伸。在大面积玻璃或塑料基板上制造控制像元（LC或OLED）开关性能的TFT比在硅片上制造大规模IC的技 术难度更大。对生产环境的要求（净化度为100级），对原材料纯度的要求（电子特气的纯度为99.%），对生产 设备和生产技术的要求都超过半导体大规模集成，是现代大生产的顶尖技术。其主要特点有：
晶体管简介ppt课件
接上页
由此可见,PN结的正向电阻很小,反向电 阻很大,这就是它的单向导电性.从这里可 以看出,PN结具有单向导电性的关键是它 的阻挡层的存在及其随外加电压而变化.
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
接上页
2:外加反向电压
外加电压正端接N区,负端接P区.在这种外 电场作用下,P区的空穴和N区的电子都将 进一步离开PN结,使阻挡层厚度加宽.
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
接上页
雪崩击穿和齐纳击穿（电击穿）过程是 可逆的，当加在稳压管两端的反向电压 降低后，管子仍可以恢复。但不能出现 热击穿。
热击穿：反向电流和反向电压的乘积不 超过PN结容许的耗散功率，超过了就会 因为热量散不出去而使PN结温度上升， 直到过热而烧毁。
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
面接触型
面接触型二极管的 PN结用合金法或扩 散法做成的
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
病原体侵入机体，消弱机体防御机能 ，破坏 机体内 环境的 相对稳 定性， 且在一 定部位 生长繁 殖，引 起不同 程度的 病理生 理过程
薄膜晶体管技术-刘玉荣
（3）1962年，第一个 MOSFET实验室实现.
电子与信息学院
1970s始，由于LCD平板显示技术的应 用需求，推动TFT技术的快速发展！ （4）1973年实现第一个CdSe TFT-LCD显示屏. ----TFT的迁移率20 cm2/vs,Ioff=100 nA.但不稳定。 （5）1975年，实现基于非晶硅-TFT-LCD. ----迁移率＜1 cm2/vs,但空气（H2O,O2)中相对稳定. （6）80年代,基于CdSe,非晶硅TFT性能改进的同时，实 现了多晶硅TFT，电子迁移率从50提升至400. ---由于多晶硅TFT工艺复杂，成本高。而a-Si TFT因低 温、低成本，成为LCD有源驱动的主流技术.
电子与信息学院
图8 JFET的结构图
TFT与MOSFET的发明同步，然而TFT 发展速度及应用远不及MOSFET?! （2） 1962年第一次在实验室研制出TFT器件 器件参数：跨导gm=25 mA/V,载流子迁移率150 cm2/vs, 最大振荡频率为20 MHz.
图9 第一个TFT的结构和电特性
5、器件图形加工技术-----光刻、打印
电子与信息学院
硅基、氧化物TFT制备工艺流程 硅片氧化 光刻栅电极 栅氧化
非晶硅（多晶硅、ZnO 等）生长及金属化
光刻形成源漏接触
Intrinsic a-Si (p-Si) S/D contacts
刻蚀背面氧化层
简单的底栅顶结构TFT的制备流程
电子与信息学院
电子与信息学院
主频为10 GHz
2011年6月IBM研制的首款石墨烯集成电路
驱动芯片 高迁移率的TFT可用于制作平板显示屏的外围信号处理和驱动芯片
电子与信息学院
敏感元件（如： 气敏、光敏、PH值测定）
7薄膜晶体管器件结构
f
p
l
E外
f
产生感生电偶极矩 主要是电子（云）移动
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
E外
极化的效果：端面出现束缚电荷
复习：静电场中的电介质(cont.)
有极分子的取向极化
无外电场：固有电偶极矩热运动，混 乱分布，介质不带电。
+
+
+
+ + +
P 0e E , e r 1
e电极化率（介质性质，与场无关）
r
介质中的总场强(外电场＋束缚电荷电场) E
相对介电常数
只讨论各向同性 线性电介质 只讨论各向同性、线性电介质。
复习：电容
平板电容器
d
S
+Q
D
r
Q D＝ S D Q E
-Q
0 r 0 r S
pi P lim V V 0
V 宏观小、微观大的体积元 极化状态：各分子电偶极矩矢量和不会完全相互抵消。 表征极化程度。 单位 C/m 单位： C/ 2
复习：静电场中的电介质(cont.)
各向同性、线性电介质的极化规律
电极化强度P ～ 总场强E 方向相同（各向同性），成正比（线性）
- However, H th the silicon ili Oxide O id films fil prepared d by b PECVD are always l in i amorphous h structure.
薄膜晶体管的工作原理PPT课件
电子移动方向
Si
Si
Si
Si
外电场方向
第4页/共30页
6.1 TFT的半导体基础
➢n型半导体和p型半导体
多余价电子
价电子填补空位
空穴
空位
Si
SPi
Si
Si
SBBi
Si
SSi i
Si
Si
SSii
Si
Si
自由电子的数量大大增加 N 型半导体
空穴的数量大大增加 P 型半导体
第5页/共30页
6.1 TFT的半导体基础
6.3 薄膜晶体管的工作原理
➢TFT与MOSFET结构上的差别
栅
源
漏
p+
p+
n type Si
衬底
第19页/共30页
6.3 薄膜晶体管的工作原理 ➢非晶硅半导体材料的特点
3
1 24 1
非晶硅中有大量的缺陷（1.悬键；2.弱键；3.空位；4.微孔）
第20页/共30页
6.3 薄膜晶体管的工作原理
➢非晶硅半导体材料的特点
I DS
W L
Cox VGS
VTH VDS
VDS
2
2
当VDS很小时，漏源之间存在贯穿全沟道的导电的N型沟道。 当VDS增加时，栅极与漏极的电位差减少，在接近漏极处，沟道电荷 逐渐减少；
第24页/共30页
6.4 薄膜晶体管的直流特性
➢饱和区
z y
x
L
W
源
漏
半导体层
绝缘层
栅
当VDS=Vsat时，在漏极处沟道电荷为零，这时沟道开始夹断；
本章主要内容
6.1 薄膜晶体管的半导体基础 6.2 MOS场效应晶体管 6.3 薄膜晶体管的工作原理 6.4 薄膜晶体管的直流特性 6.5 薄膜晶体管的主要参数
薄膜晶体管原理与应用
目录第一章绪论1.1引言1.2研究背景第二章薄膜晶体管的结构与基本原理2.1薄膜晶体管结构2.2薄膜晶体管工作原理23薄膜晶体管主要性能参数第三章薄膜晶体管应用3.1薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)3.1.1 TFT-LCD 概述3.1.2TFT-LCD工作原理3・2有机发光二极管(OLED)3.2.1 OLED 概述3.2.2 OLED工作原理第四章前景展望第一章绪论1.1引言人类对薄膜晶体管（TFT）的研究工作己经有很长的历史。
早在1925年，Julius Edger Lilienfeld首次提岀结型场效应晶体管（FET）的基本定律，开辟了对固态放大器的研究。
1933年，Lilienfeld 乂将绝缘栅结构引进场效应晶体管（后來被称为MISFET）。
1962年，Weimer用多晶CaS薄膜做成TFT：随后，乂涌现了用CdSe、InSb、Ge等半导体材料做成的TFT器件。
二十世纪八十年代，基丁低费用、大阵列显示的实际需求，TFT的研究广为兴起。
1973年，Brody等人首次研制出有源矩阵液晶显示（AMLCD）,并用CdSe TFT作为开关单元。
随着多晶硅掺杂工艺的发展，1979年LeComber. Spear和Ghaith用a-Si:H做有源层，做成如图1所示的TFT器件。
后來许多实验室都进行了将AMLCD以玻璃为衬底的研究。
二十世纪八十年代，硅基TFT在AMLCD中有着极重要的地位，所做成的产品占据了市场绝大部分份额。
1986年Tsumura等人酋次用聚曝吩为半导体材料制备了有机薄膜晶体管（0TFT） , 0TFT技术从此开始得到发展。
九十年代，以有机半导体材料作为活性层成为新的研究热点。
由于在制造工艺和成本上的优势，0TFT被认为将來极可能应用在LCD、0LED的驱动中。
近年來，0TFT的研究取得了突破性的进展。
1996年，飞利浦公司采用多层薄膜叠合法制作了一块15 微克变成码发生器（PCG）:即使当薄膜严重扭曲，仍能正常工作。
薄膜晶体管的应用和原理
薄膜晶体管的应用和原理1. 薄膜晶体管的概述•薄膜晶体管（TFT）是一种半导体器件，广泛应用于平面显示器、触摸屏、电子书等电子产品中。
•薄膜晶体管由薄膜材料组成，通常包括源极、栅极、漏极和薄膜层。
其采用了非晶硅、多晶硅等材料，具有优异的电子特性和可制作性。
2. 薄膜晶体管的原理•薄膜晶体管的工作原理基于场效应。
•当施加电压到栅极时，形成栅电场，控制了栅电场下薄膜晶体管内部电导的改变。
•通过控制栅电场强度，可以控制源极到漏极的电流流通，从而改变薄膜晶体管的导电性能。
3. 薄膜晶体管的应用薄膜晶体管广泛应用于以下领域：3.1 平面显示器•平面显示器包括液晶显示器（LCD）和有机发光二极管显示器（OLED）。
•薄膜晶体管作为显示单元的驱动器，控制像素的亮度和颜色。
•薄膜晶体管的高分辨率、低功耗等特点，使得平面显示器得以广泛应用于电视、电脑和手机等设备。
3.2 触摸屏•触摸屏通过薄膜晶体管来控制电容屏或电阻屏的灵敏度和精确性。
•薄膜晶体管作为触摸信号的接收器，将触摸位置信息传递给显示屏或其他设备。
•触摸屏在数码产品、医疗设备、自动化控制等领域得到了广泛应用。
3.3 电子书•电子书是一种数字化的阅读设备，薄膜晶体管用于控制显示屏的亮度和对比度。
•薄膜晶体管的高清晰度和低功耗使电子书成为了一种取代纸质书籍的环保选择。
•电子书已经在教育、文化娱乐等领域取得了广泛应用。
3.4 智能家居•智能家居系统利用薄膜晶体管的快速响应和低功耗特点，实现家居设备的智能控制。
•薄膜晶体管可以用来控制家居照明、温度调节、安防等系统中的传感器和执行器。
•智能家居系统的发展使得人们的生活更加便利、舒适。
4. 薄膜晶体管的优势•高分辨率：薄膜晶体管可以实现高像素密度和高清晰度的显示效果。
•快速响应：薄膜晶体管的响应时间比传统的显示器更短，能够实现更流畅的画面显示。
•低功耗：薄膜晶体管的功耗较低，延长了电子产品的电池使用寿命。
•制作工艺简单：薄膜晶体管采用了非晶硅、多晶硅等材料，制作过程相对简单，可以大规模生产。
薄膜晶体管(TFT)基础知识
关于TFTThin film transistor(TFT):薄膜晶体管原理类似于MOS 晶体管，区别在于MOS 是凭借反型层导电，TFT 凭借多子的积累导电。
常见TFT 结构：底栅结构（BG ）、顶栅结构（TG ）和双栅结构（DG ）如下图所示 源极漏极有源层栅极衬底绝缘层栅极绝缘层源极漏极有源层衬底 衬底有源层漏极栅极源极绝缘层绝缘层栅极a ） BG 结构b ）TG 结构c ）DG 结构图一.常见的TFT 结构BG 特点：金属栅极和绝缘层可同时作为光学保护层，避免产生光生载流子，影响电学稳定性，通常在最上层加一层钝化层以减少外界干扰。
TG 特点：可以通过改善光刻工艺降低成本。
但要加保护层，防止背光源照射到有源层，产生光生载流子，影响电学性能。
DG 特点：可通过调节背栅电压来调整阈值电压，增加了器件的阈值稳定性。
弥补了BG 和TG 的缺点。
有报道称和C G 成反比关系，而双栅结构的C G =C BG +C TG ，所以DG 结构有较好的阈值稳定性。
表征TFT 性能的参数：1） 阈值电压：决定了器件的功耗，阈值越小越好。
2） 迁移率：表征器件的导电能力。
3） 开关电流比I On /I Off ：表征栅极对有源层的控制能力。
4） 亚阈值摆幅S:漏极电流减小一个数量级所需的栅压变化，表征TFT 的开关能力。
TFT 的发展：主要是沟道材料的变化：氢化非晶硅多晶硅金属氧化物（ZnO 和a-IGZO ）表1为以上材料的性能对比：由表1可以看出，1.非晶Si：迁移率较低，不透明，禁带宽度低，光照下不稳定。
2.多晶Si: 有较高的迁移率，但均匀性差，难大面积制备性质均匀的薄膜。
3.金属氧化物：有较高的迁移率，可见光透过率高，禁带宽度高，稳定性好。
金属氧化物ZnO和IGZO由于较高的迁移率和透光性，成为现阶段器件中主流的沟道材料。
IGZO和ZnO的性质：纯净的金属氧化物是不导电的，ZnO和IGZO的导电是在制备过程中会产生元素空位，ZnO 中既有Zn空位，又有O空位，呈弱n型半导体性质，这一性质决定了ZnO作为沟道层时在负压下阈值有较大的偏移，而IGZO主要以氧空位为主，呈强n型半导体性质，沟道层中几乎没有空穴，这使得IGZO在负压下有较好的阈值稳定性。
MOS晶体管基础PPT课件
微小MOS晶体管
载流子的饱和速度引起的 Early Satutation
◙ 散乱引起速度饱和 ◙ 沟道长小于1微米时，NMOS饱和 ◙ NMOS和PMOS的饱和速度基本相同 ◙ PMOS不显著
2021/6/7
饱和早期开始
18
微小MOS晶体管
短沟道MOS晶体管电流解析式
2021/6/7
19
微小MOS晶体管
B CDB
➢寄生电容不可忽视 ➢寄生电阻与管子的导通电阻 （数十KW）相比，通常可 以忽略不计 例如：
栅极电容 CGS, CGD, CGB (各为1.0fF) 漏源电容 CDB, CSB (各为0.5fF) 栅极电阻
RG (40W) 源漏电阻 RD, RS (各1W)
MOS寄生元21 素
2021/6/7
栅极(G)
ID
漏极(D)
VD
ID
增强型（E)
ID
耗尽型(D)
VTH
VTH
2021/6/7
VG
VG
13
阈值电压的定义
饱和区外插VTH
在晶体管的漏源极加上接近电源 VDD的电压，画出VGS-IDS的关 系曲线，找出该曲线的最大斜率， 此斜率与X轴的交点定义为阈值 电压。
以漏电流为依据 定义VTH
在晶体管的漏源极加上接近电源 VDD的电压，画出VGS-Log(IDS) 的关系曲线，从该曲线中找出电 流为1微安时所对应的VGS定义为 阈值电压。
➢晶体管饱和时
栅极电容的对象主要为源极 电容值减小到2/3程度
由上可知，在饱和区，栅漏电容主要由CGDO决定， 其值大约为栅极电容的20%左右。
2021/6/7
MOS寄生元24 素
第06章 薄膜晶体管的工作原理
3.主导薄膜晶体管的半导体现象—— 电导现象 4.影响薄膜晶体管性质参数—— 迁移率
6.2 MOS场效应晶体管
晶体管 双极型晶体管 场效应晶体管 JFET
MOSFET——TFT
n型衬底
栅
源
漏
两个p区
SiO2绝缘层 金属铝 P型导电沟道 p+
n type Si 衬底
p+
p-MOSFET
6.2 MOS场效应晶体管
p-MOSFET晶体管 垂直方向—— 栅控器件
水平方向—— 电导器件
0
d
0
P+
n
P+
n型硅
P+
p
P+
6.2 MOS场效应晶体管
MIS结构定义
MOS结构相当于一个电容 金属与半导体之间加电压 在金属与半导体相对的两个表面上就充 上等量异号的电荷 在金属一侧，分布在一个原子层厚度内 在半导体一侧，分布在空间电荷区
金属
d
绝缘层
n型硅 欧姆接触
半导体
6.2 MOS场效应晶体管
MIS结构表面电荷的变化
Vg＞0 金属 d 绝缘层 Vg＜0 Vg<<0
d
+ + +
d +
+ + n型硅 + +
n型硅 欧姆接触
半导体
n型硅
(a)积累
(b)耗尽
(c)反型
6.2 MOS场效应晶体管
MOSFET工作原理
当Vs=0，Vd<0时：Vg=0，pn结反偏 Vg>0，电子积累，pn结反偏
可见在半导体中有 自由电子和空穴两
Si Si Si
《TFTArray工艺》课件
推广使用环保材料和工艺，减少对环境的污染和 破坏，实现绿色生产。
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TFT-Array 工艺定义
TFT-Array 工艺是一种用于制造薄膜晶体管（TFT）的有源矩阵液晶显示面板的工艺 技术。
它涉及到在玻璃基板上形成多个薄膜晶体管，每个晶体管与液晶显示单元相关联， 以控制像素的开关状态。
TFT-Array 工艺是液晶显示面板制造的关键环节，决定了显示面板的性能和成本。
TFT-Array 工艺的发展对于推动 显示行业的技术创新、降低成本 和提高市场竞争力具有重要意义
。
02
TFT-Array 工艺流程
制作玻璃基板
总结词
提供制作基础
详细描述
制作玻璃基板是TFT-Array工艺流程的第一步，为后续的工艺流程提供基础。
镀膜
总结词：形成薄膜
详细描述：通过镀膜工艺，在玻璃基板上形成一层或多层薄膜，这些薄膜具有不 同的功能和特性。
利用TFT-Array工艺，可以制作出轻薄、可弯曲的柔 性显示屏，为未来电子产品的发展提供了新的可能性
。
在可穿戴设备、智能家居等领域，柔性显示的应用将 越来越广泛。
06
TFT-Array 工艺的挑战与解决方案
技术挑战
像素密度提升
随着显示分辨率的提高，像素密 度逐渐增加，对TFT-Array工艺提
TFT-Array 工艺发展历程
1970年代
TFT-Array 工艺的初步探索和研究阶段，主要关注晶体管的材料和制 程研究。
1980年代
TFT-Array 工艺进入商业化应用阶段，开始应用于小型电子计算器等 产品。
1990年代
随着液晶显示技术的快速发展，TFT-Array 工艺不断改进，广泛应用 于电视、显示器和笔记本电脑等领域。
薄膜晶体管原理
薄膜晶体管原理薄膜晶体管简介薄膜晶体管的定义和作用•薄膜晶体管（Thin-film Transistor，TFT）是一种非常重要的电子元件，主要应用于液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等显示技术中。
•薄膜晶体管通过控制电荷注入来实现电流开关，用于控制像素点的状态，从而控制显示器的亮度和色彩。
薄膜晶体管的原理1.薄膜晶体管由一层薄膜材料构成，常见的材料包括铜、铝、锌氧化物等。
2.薄膜晶体管的结构主要包括源极、漏极和栅极。
3.当栅极施加一定电压时，形成电场，控制漏极与源极之间导电的n型或p型材料的电流流动。
4.通过调整栅极电压，可以控制薄膜晶体管的导电状态，从而控制显示器中的像素点亮度和颜色。
5.薄膜晶体管必须通过液晶或有机材料来提供光学效果，因此通常与液晶显示器或OLED显示器一起使用。
薄膜晶体管的优势•高分辨率：薄膜晶体管可以实现高分辨率的显示效果，适用于高清液晶显示器和大屏幕电视等场景。
•快速响应：薄膜晶体管的开关速度快，可以实现快速的图像刷新，减少动态显示时的模糊和残影现象。
•低功耗：薄膜晶体管的导电状态只在切换时才会消耗能量，大部分时间处于非导电状态，因此功耗较低。
•高可靠性：薄膜晶体管制作工艺相对简单，结构稳定可靠，在长期使用中具有较高的稳定性和可靠性。
薄膜晶体管的应用•液晶显示器（LCD）：薄膜晶体管与液晶层结合，实现像素点的控制，广泛应用于计算机显示器、手机屏幕等。
•有机发光二极管（OLED）：薄膜晶体管与有机发光材料结合，实现高亮度、高对比度、真实色彩的显示效果，被广泛应用于智能手机、电视机等高端产品。
结语薄膜晶体管作为一种重要的电子元件，功不可没。
它通过控制电荷注入来实现电流开关，从而控制显示器的亮度和色彩。
同时，它具有高分辨率、快速响应、低功耗和高可靠性等优势，被广泛应用于LCD和OLED显示技术。
希望本文能够为读者提供一些关于薄膜晶体管的基本了解。