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○ B ● F

化学选修3专题练习

1、A 、B 、C 、D 、E 、F 、G 七种元素，除E 为第四周期元素外，其余均为短周期元素。A 、E 、G 位于元素周期表的s 区，其余元素位于p 区。A 、E 的原子最外层电子数相同，A 的原子中没有成对电子；B 元素基态原子中电子占据三种能量不同的原子轨道，且每种轨道中的电子总数相同；C 元素原子的外围电子层排布式为ns n np n+1；D 元素的电负性为同周期元素第二高；F 的基态原子核外成对电子数是成单电子数的3倍；G 的基态原子占据两种形状的原子轨道，且两种形状轨道中的电子总数均相同。回答下列问题：

（1）写出下列元素的元素符号：D ，G 。 （2）原子序数比D 小1的元素的第一电离能高于D 的原因是 。

（3）由A 、B 、C 形成的ABC 分子中，含有 个σ键， 个π键。

（4）由D 、E 、F 、G 形成的E 2DF 4、GDF 4的共熔体在冷却时首先析出的物质是 （填化学式），原因

是 。

2.[化学——物质结构与性质]（15分）

现有六种元素，其中A 、B 、C 、D 为短周期主族元素，E 、F 为第四周期元素，它们的原子序数依次增大。A 原子核外电子分占3个不同能级，且每个能级上排布的电子数相同

B 元素原子的核外p 电子总数比s 电子总数少1

C 原子p 轨道上成对电子数等于未成对电子数，且与A 同周期

D 元素的主族序数与周期数的差为4，且不与A 元素在同一周期

E 是第七列元素

F 是第29号元素

（1）A 的基态原子中能量最高的电子，其电子云在空间有 个方向，原子轨道呈 形。 （2）E 2+的基态核外电子排布式为 。

（3）A 、B 、C 三种元素的最简单氢化物的熔点由低到高的顺序是 。A 、B 、C 三种元素中与AC 2互为等电子体的分子的结构式为 。（用元素符号表示）

（4）BD 3 中心原子的杂化方式为 ，其分子空间构型为 。

（5）用晶体的x 射线衍射法对F 的测定得到以下结果：F 的晶胞为

面心立方最密堆积（如右图），又知该晶体的密度为9.00g/cm 3，晶

胞中该原子的配位数为 ；F 的原子半径是 cm ；

（阿伏加德罗常数为N A ，要求列式计算）。

3．【化学——选修3：物质结构与性质】（15分）

已知A 、B 、C 、D 、E 、F 为元素周期表中原子序数依次增大的前20号元素，A 与B ；C 、D 与E 分别位于同一周期。A 原子L 层上有2对成电子， B 、C 、D 的核外电子排布相同的简单离子可形成一种C 3DB 6型离子晶体X,，CE 、FA 为电子数相同的离子晶体。

（1）写出A 元素的基态原子价电子排布式 ；F 离子电子排布式 。

（2）写出X 的化学式 和化学名称 。

（3）写出X 涉及化工生产中的一个化学方程式 。

（4）试解释工业冶炼D 不以DE 3而是以D 2A 3为原料的原因： 。

（5）CE 、FA 的晶格能分别为786 KJ/mol l 、3401KJ/mo ，试分析导致两者晶格能差异的主要原因

是： 。

（6）F 与B 可形成离子化合物，其晶胞结构如图所示：F 与B

形成离子化合物的化学式为________；该离子化合物晶体的密

度为a g/cm 3，则晶胞的体积是 (只要求列出算式)。

22.【化学—选修3物质结构与性质】（15分）

A、B、C、D四种短周期元素，原子序数依次增大，原子半径按C、D、B、A顺序逐渐减小。A、C同主族，B、D同主族；A、C的原子核内质子数之和为B、D的原子核内质子数之和的一半；C元素与其它三种元素均能形成离子化合物。试回答下列问题：

（1）B的离子符号；D基态原子的核外电子排布式；C、D形成化合物的电子式；

（2）同时含有上述四种元素的化合物有多种，试写出其中两种的化学式（要求：其中有一种水溶液显中性）________________、________________；

（3）A、B、C三元素中各由两种组成的两种化合物，相互反应生成A的单质的化学方程式为__ ；（4）B、C、D三元素中各由两种组成的两种化合物，发生化合反应且属于氧化还原反应的化学方程式为。

4．［化学——选修3：物质结构与性质］（15分）

已知：A、B、C、D、E是周期表中前36号元素，A是原子半径最小的元素，B元素基态原子的2P轨道上只有两个电子，C元素的基态原子L层只有2对成对电子，D元素在第三周期元素中电负性最大，E2+的核外电子排布和Ar原子相同。

请回答下列问题：

（1）分子式为BC2的空间构型为；D元素原子的核外电子排布式为。

（2）B第一电离能比C__________（填“大”或“小”）；A与B形成的最简单化合物的分子空间构型为

________________，其中心原子的杂化为。

（3）A2C所形成的晶体类型为；E单质所形成的晶体类型为_______。

（4）若向由A、C组成某种化合物的稀溶液中加入少量二氧化锰，有无色气体生成。则该化合物的分子式

是，属于分子（填：“极性”或“非极性”），该反应的化学方程式是:_____________。（5）C跟E可形成离子化合物，其晶胞结构与NaCl的晶胞相似，同为面心立方结构。该离子化合物晶体的密度为ρg·cm-3，N A表示阿伏加德罗常数，则该离子化合物晶胞的体积是(用含ρ、N A的代数式表示)。

5.【化学——选修物质结构与性质】（15分）

2010年上海世博会场馆，大量的照明材料或屏幕都使用了

发光二极管（LED）。目前市售LED晶片，材质基本以GaAs（砷化镓）、

AlGaInP（磷化铝镓铟）、lnGaN（氮化铟镓）为主。已知镓是铝同族

下一周期的元素。砷化镓的晶胞结构如右图。试回答：

⑴镓的基态原子的电子排布式是。

⑵砷化镓晶胞中所包含的砷原子（白色球）个数为，与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为。

⑶N、P、As处于同一主族，其氢化物沸点由高到低的顺序是（用氢化物分子式表示）

⑷砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃时制得。（CH3）3Ga中镓原子的杂化方式为。

⑸比较二者的第一电离能：As______Ga（填“<”、“>”或“=”）。

⑹下列说法正确的是（填字母）。

A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同B．GaP与GaAs互为等电子体

C．电负性：As>Ga D．砷化镓晶体中含有配位键

6.[2012·江苏化学，21A]一项科学研究成果表明，铜锰氧化物(CuMn2O4)能在常温下催化氧化空气中的一氧化碳和甲醛(HCHO)。

(1)向一定物质的量浓度的Cu(NO3)2和Mn(NO3)2溶液中加入Na2CO3溶液，所得沉淀经高温灼烧，可制得CuMn2O4。

①Mn2＋基态的电子排布式可表示为________。②NO－3的空间构型是________ (用文字描述)。

(2)在铜锰氧化物的催化下，CO被氧化为CO2，HCHO被氧化为CO2和H2O。

①H2O分子中O原子轨道的杂化类型为________。③1 mol CO2中含有的σ键数目为________。

(3)向CuSO4溶液中加入过量NaOH溶液可生成[Cu(OH)4]2－。不考虑空间构型，[Cu(OH)4]2－的结构可用示意图表示为________。

7．[2012·课标全国理综，37]ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多

种氧化态，含ⅥA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题：

(1)S单质的常见形式为S8，其环状结构如下图所示，S原子采用的轨道杂化方式是_____；

(2)原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为____________________；

(3)Se原子序数为________，其核外M层电子的排布式为________；

(4)H2Se的酸性比H2S________(填“强”或“弱”)。气态SeO3分子的立体构型为________，SO2－3离子的立体构型为________；

(5)H2SeO4比H2SeO3酸性强的原因：_____ _______________

(6)ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方ZnS晶体结构如下图所示，其晶胞边长为540.0 pm，密度为________g·cm－3(列式并计算)，a位置S2－离子与b位置Zn2＋离子之间的

距离为________pm(列式表示)。

8．[2012·大纲全国理综，27]原子序数依次增大的短周期元素a、b、c、d和e中，a的最

外层电子数为其周期数的二倍；b和d的A2B型氢化物均为V形分子，c的＋1价离子比

e的－1价离子少8个电子。回答下列问题：

(1)元素a为________；c为________；

(2)由这些元素形成的双原子分子为________；

(3)由这些元素形成的三原子分子中，分子的空间结构属于直线形的是________，非直线形的是______________；(写2种)

(4)这些元素的单质或由它们形成的AB型化合物中，其晶体类型属于原子晶体的是______，离子晶体的是_____，金属晶体的是______，分子晶体的是______；(每空填一种)

(5)元素a和b形成的一种化合物与c和b形成的一种化合物发生的反应常用于防毒面具中，该反应的化学方程式为_______________________________________。

9．（1）C、Si、Ge、Sn是同族元素，该族元素单质及其化合物在材料、医药等方面有重要应用。请回答下列问题：

①Ge的原子核外电子排布式为

②C、Si、Sn三种元素的单质中，能够形成金属晶体的是

③按要求指出下列氧化物的空间构型、成键方式或性质

a.CO2分子的空间构型及碳氧之间的成键方式；

b.SiO2晶体的空间构型及硅氧之间的成键方式；

c.已知SnO2是离子晶体，写出其主要物理性质（写出2条即可）

d.CO可以和很多金属形成配合物，如Ni(CO)4，Ni与CO之间的键型为

（2）将0.3mol的气态高能燃料乙硼烷(B2H6)在氧气中燃烧,生成固态三氧化二硼和液态水,放出649.5kJ热量,该反应的热化学方程式为。

已知:H2O(l)=H2O(g),△H= +44kJ/mol,则11.2L(标准状况)乙硼烷完全燃烧生成气态水时放出的热量是__________kJ。

10．【化学——选修物质结构与性质】（15分）

下面是C60、金刚石和二氧化碳的分子模型。

甲乙丙

请回答下列问题： （1）硅与碳同主族，写出硅原子基态时的核外电子排布式：_________________ （2）从晶体类型来看，C 60属于_________晶体。 （3）二氧化硅结构跟金刚石结构相似，即二氧化硅的结构相当于在硅晶体结构中每个硅与硅的化学键之间插入一个O 原子。观察图乙中金刚石的结构，分析二氧化硅的空间网状结构中，Si 、O 原子形成的最小环上O 原子的数目是__________________________;晶体硅中硅原子与共价键的个数比为

（4）图丙是二氧化碳的晶胞模型，图中显示出的二氧化碳分子数为14个。实际上一个二氧化碳晶胞中含有_____个二氧化碳分子,二氧化碳分子中σ键与π键的个数比为 。

11、X 、Y 、T 、Q 四种元素，位于元素周期表前四周期，元素的性质或结构信息见下表。

请根据上述信息回答下列问题： （1）写出X 3－的一种等电子体的化学式 ；X 的气态氢化物易液化的原因是 。

（2）写出T 元素基态原子的核外电子排布图 ___________ ；Q 元素的原子核外有 ______________ 种运动状态不同的电子。

（3）元素 X 、T 的电负性相比， 的小（填元素名称）；元素X 的第一电离能与T 相比较，

T 的 （填“大”或“小”）。

（4）甲醛（CH 2O ）分子中σ键与π键的个数之比为 。

（5）Y 元素在周期表中位于 区。Y 单质晶体的晶胞如右图所示，该晶胞中实际拥有 个原子，该晶体中Y 原子在三维空间里的堆积方式为 堆积。

（6）在Y 的硫酸盐溶液中通入X 的气态氢化物至过量，先出现蓝色沉淀，最后溶解形成深蓝色的溶液。此蓝色沉淀溶解的离子方程式为 _____________________ 。

（7）元素X 与Q 可形成化合物XQ 3，根据价层电子对互斥理论判断XQ 3的空间构型为 _______ ，分子中X 原子的杂化方式为 ____________ 杂化。

12、铜是重要金属，Cu 的化合物在科学研究和工业生产中具有许多用途，如CuSO 4溶液常用作电解液、电镀液等。请回答以下问题：

（1）CuSO 4可由金属铜与浓硫酸反应制备，该反应的化学方程式为___________；（2分）

（2）CuSO 4粉末常用来检验一些有机物中的微量水分，其原因是_______；（2分）

（3）SO 42-

的立体构型是 ，其中S 原子的杂化轨道类型是_______；O 原子的价电子排布图为 ，这两种元素形成的气态氢化物的熔点较高的是（写化学式）________，原因为 。（每空1分）

（4）元素金（Au ）处于周期表中的第六周期，与Cu 同族，Au 原子最外层电子排布式为 ；一种铜合金晶体具有立方最密堆积的结构，在晶胞中Cu 原子处于面心，Au 原子处于顶点位置，则该合金中Cu 原子与Au 原子数量之比为_______；该晶体中，原子之间的作用力是 ；（每空2分） 元素

性质或结构信息 X

单质为双原子分子，分子中含有3对共用电子对，常温下单质气体性质稳定，但其原子较活泼 Y

二价阳离子的外围电子层排布为3d 9 T

原子核外s 轨道电子总数等于p 轨道电子总数； 人体内含量最多的元素，且其单质是常见的助燃剂 Q 第三周期主族元素中原子半径最小

高考

一、考试中途应饮葡萄糖水

大脑是记忆的场所，脑中有数亿个神经细胞在不停地进行着繁重的活动,大脑细胞活动需要大量能量。科学研究证实,虽然大脑的重量只占人体重量的2%-3%,但大脑消耗的能量却占食物所产生的总能量的20%,它的能量来源靠葡萄糖氧化过程产生。

据医学文献记载,一个健康的青少年学生30分钟用脑,血糖浓度在120毫克/100毫升,大脑反应快,记忆力强；90分钟用脑，血糖浓度降至80毫克/100毫升，大脑功能尚正常；连续120分钟用脑，血糖浓度降至60毫克/100毫升，大脑反应迟钝，思维能力较差。

我们中考、高考每一科考试时间都在2小时或2小时以上且用脑强度大，这样可引起低血糖并造成大脑疲劳，从而影响大脑的正常发挥，对考试成绩产生重大影响。因此建议考生，在用脑60分钟时，开始补饮25%浓度的葡萄糖水100毫升左右，为一个高效果的考试加油。

二、考场记忆“短路”怎么办呢？

对于考生来说，掌握有效的应试技巧比再做题突击更为有效。

1.草稿纸也要逐题顺序写草稿要整洁，草稿纸使用要便于检查。不要在一大张纸上乱写乱画，东写一些，西写一些。打草稿也要像解题一样，一题一题顺着序号往下写。最好在草稿纸题号前注上符号，以确定检查侧重点。为了便于做完试卷后的复查，草稿纸一般可以折成4-8块的小方格，标注题号以便核查，保留清晰的分析和计算过程。

2.答题要按先易后难顺序不要考虑考试难度与结果，可以先用5分钟熟悉试卷，合理安排考试进度，先易后难，先熟后生，排除干扰。考试中很可能遇到一些没有见过或复习过的难题，不要蒙了。一般中考试卷的题型难度分布基本上是从易到难排列的，或者交替排列。

3.遇到容易试题不能浮躁遇到容易题，审题要细致。圈点关键字词，边审题边画草图，明确解题思路。有些考生一旦遇到容易的题目，便觉得心应手、兴奋异常，往往情绪激动，甚至得意忘形。要避免急于求成、粗枝大叶，防止受熟题答案与解题过程的定式思维影响，避免漏题，错题，丢掉不该丢的分。

4. 答题不要犹豫不决选择题做出选择时要慎重，要关注题干中的否定用词，对比筛选四个选项的差异和联系，特别注意保留计算型选择题的解答过程。当试题出现几种疑惑不决的答案时，考生一定要有主见，有自信心，即使不能确定答案，也不能长时间犹豫，浪费时间，最终也应把认为正确程度最高的答案写到试卷上，不要在答案处留白或开天窗。

5.试卷检查要细心有序应答要准确。一般答题时，语言表达要尽量简明扼要，填涂

答题纸绝不能错位。答完试题，如果时间允许，一般都要进行试卷答题的复查。复查要谨慎，可以利用逆向思维，反向推理论证，联系生活实际，评估结果的合理性，选择特殊取值，多次归纳总结。

另外，对不同题型可采用不同的检查方法。选择题可采用例证法，举出一两例来能分别证明其他选项不对便可安心。对填空题，则一要检查审题;二要检查思路是否完整;三要检查数据代入是否正确;四要检查计算过程;五要看答案是否合题意;六要检查步骤是否齐全，符号是否规范。还要复查一些客观题的答案有无遗漏，答案错位填涂，并复核你心存疑虑的项目。若没有充分的理由，一般不要改变你依据第一感觉做出的选择。

6、万一记忆短路可慢呼吸考试中，有些考生因为怯场，导致无法集中精神，甚至大脑忽然一片空白，发生记忆堵塞。此时不要紧张，不妨尝试如下方式：

首先是稳定心态，保持镇静，并注意调节自己的呼吸率。先慢吸气，当对自己说放松时缓慢呼气，再考虑你正在努力回忆的问题，如果你仍不能回想起来，就暂时搁下这道题，开始选做其他会的试题，过段时间再回过头来做这道题。

第二，积极联想。你不妨回忆老师在讲课时的情景或自己的复习笔记，并努力回忆与发生记忆堵塞问题有关的论据和概念，把回忆起的内容迅速记下来，然后，看能否从中挑出一些有用的材料或线索。

第三，进行一分钟自我暗示。即根据自己的实际，选择能激励自己，使自己能心情平静和增强信心的话，在心中默念3至5遍。比如：我已平静下来，我能够考好、我有信心，一定能考出理想的成绩等等。

第四，分析内容，查找相关要点。借助试卷上其它试题，也许会给考生提供某些线索。因此不要轻易放弃，查看试题中的相关要点，看看是否能给考生提供线索或启发。