DDR2内存时序调节方法

DDR2内存已经成为目前绝大部分用户的标配产品，而如何合理设置DDR2的参数就成为了不少用户（尤其是菜鸟用户）的最想了解的地方。当你超频的时候，如何平衡内存频率和参数之间的关系；究竟如何合理选取内存频率，什么参数才是带来最高性能呢？相信这些问题是目前最多用户最想了解。

其实要了解这些东西，首先要明白DDR2内存在BIOS中的参数设置情况。因为要提高系统整体性能，并不只是简单超频CPU外频，调高内存频率这么简单，将一大堆数字合理地分配和组合才是最为重要的。目前市场上销售的DDR2内存主要按频率来划分，譬如DDR2 533、DDR2 667、DDR2 800就是消费者最常见的产品（注：部分厂商推出DDR2 1000高频DDR2内存，但这些DDR2内存在市场上并不多见，而价格昂贵，所以我们就暂时不讨论一些超频型DDR2内存）。在这三款内存产品当中，就数DDR2 667内存最为多人购买，因为它同时具备了性能、价格、兼容性这些特点，而DDR2 533已经逐步被DDR2 667所取代。

如果您的内存为镁光D9颗粒，请直接参考本站《镁光小D9内存超频调教全攻略》，如果您是DDR内存，请参考本站《教你如何调整DDR内存参数》

至于目前频率较高DDR2 800也逐渐成为玩家购买的对象，因为Intel双核心平台对高频DDR2内存有着极大需求，要发挥酷睿2最大威力，一条高频率、可运行高参数的DDR2内存是非常重要的。鉴于AMD AM2处理器内置了DDR2内存控制器，所以AM2平台的DDR2设置方法与Intel平台有着不同。

最稳当的DDR2内存设置方法，就是在主板BIOS当中将DDR2的设置参数设为By SPD，而这个选项也是最安全的DDR2内存设置方法。不过这个设置最大缺点是，没有将内存的潜力发挥出来，只是用安全换来相对较低的性能。如果你想超频手中的DDR2，那么By SPD选项将不是你的设置的地方，手动调整才是你的手段。

相对于频率、温度等因素而言，内存时序往往是非常容易被大家忽略的一个要素，但是其重要性却时刻影响着电脑的性能。我们偶尔会听到“某某内存针对某某平台做了优化”，这里起到关键作用的就是内存时序，在K8平台表现的更明显。一般来说，调节到较好的内存时序可以让内存在现有的频率内得到最佳的性能，而较差的内存时序，则可以让内存的超频能力得到大幅提升。

对于我们而言，如果需要内存超频，则可以考虑降低内存的时序，如果不想超频而又希望提高性能，则可以尝试优化内存时序。

CPU-Z帮大忙

我们可以借助一款查看系统信息的小软件看到自己电脑上的内存时序是如何设置的，它就是CPU-Z。这款软件的主要功能是查看关于CPU、主板和内存的关键信息。当我们切换到软件的“Memory”选项卡时，内存的所有关键信息就都出现了，其中的CAS # Latency、RAS to CAS # Latency、RAS # Precharge、Cycle Time（Tras）、Bank Cycle Time（Trc）、Dram Idle Timer都是

内存时序的参数，这些稀奇古怪的参数真是令人感到头痛不已。对于内存时序，在国际化组织制定相关内存规格的时候，就已经有了一定的规范，切换到SPD选项卡，就可以看到在内存出厂的时候，内存厂商给内存预设的时序参数。

可以看到，在不同的频率下，厂商设定的内存时序是有差别的。时序随着频率提高而变大。这里显示的参数是CAS # Latency、RAS to CAS # Latency、RAS # Precharge、Cycle Time（Tras），另外还有没被显示出来的Command Rate，这是5个非常关键的内存时序参数，他们的数值有一种常见的表达方法，就是把5个依次连起来，与频率和Command Rate数值相搭配。比如可以说成在DDR400频率下，内存的时序为3-3-3-8，2T。

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如何修改内存参数

想要修改内存时序，可以进入BIOS进行设置。不同主板上，提供这个功能的位置也不一样，一般会在与超频有关的选项里面找到。

小提示：一般主板BIOS多会以Del、F1乃至F2等几种不同的进入方式，在自检画面时，最下面的一行小字会有提示，按照提示按下相应按键就可以进入BIOS了。

，如果BIOS里面的选项不够丰富，也可以在Windows里面借助其他软件完成设置。比如A64 Tweaker就是专门做这种工作的软件，它提供了非常丰富的选项，用户只需要点点鼠标，就可以更改内存时序设置。

在内存时序中，Command Rate和CAS # Latency（或者CL）对内存性能影响最大，调快之后可能带来10%到30%的性能提升，但是也最容易失败。RAS to CAS # Latency（tRCD）对系统影响也比较大，也比较容易设置失败。RAS # Precharge（或者tRP）、Cycle Time（Tras）则对性能影响不是很大，甚至可以忽略。Command Rate通常设定为2T，很少有内存能够工作在1T模式下。CL可以单独调节，后三项比较合理的设置方法是Tras数值＝tRCD数值+tRP数值+2，这样的稳定性最好。调节成理想的参数之后，可以用Memtest之类的软件进行检测，如果长时间检测没有出问题，就表示是可以使用的参数。

小提示：不同主板对某个选项的名称可能不同，比如CAS #Latency也有直接写作CAS或者CL的，文中括号内的就是比较常见的缩写方法。

不难看出，获取内存的时序之后进行调节和优化，其实是一件非常简单的事情，不过各个参数的用途以及他们之间的关系，才是影响设定结果的关键因素。通过简单的内存时序调整，对系统性能的提升非常有帮助，尤其是在K8平台下更加明显。

小提示：用memtest检测参数修改之后的可靠性，以30分钟内不出错为好。测试的时候尽量关闭程序以及各种不必要的加载项，以确保检测结果准确。

以华硕P5B Deluxe/WiFi-AP为例，将By SPD改成Disable之后，就会出现丰富的内存参

数调整选项。

调出DDR2内存的参数

由于Intel在北桥芯片上集成DDR2内存控制电路，所以在内存设置参数方面就要比AMD 平台少，譬如1T/2T Timing Command Per Clock这个参数就不会出现在Intel P965/975主板上（注：在最新的nForce680i主板当中，是提供了这个选项）。

在众多DDR2参数值里面，CAS Latency Control（简称CL值）这个参数最为人们熟悉，很多玩家在超频的时候，就非常看重这个参数调整。从理论上说，这个CL值越低，内存跑的速度越快，但同时也增加了内存的不稳定性。在这里，笔者建议各位玩家在设置CL值的时候，要注意手中的内存承受能力。盲目将数值调低，是非常之不明智的做法。对于目前的DDR2平台来说，我们就认为选4、5这个两个CL值较为适宜，而3、6这两个CL值，前者对DDR2超频能力有着极高要求，并且需要加一定手段才达成，而后者则需要需要特定环境下才设定（譬如内存频率高达1G以上，CL值就要相应地调高）。

DRAM RAS# to CAS# Delay（又称tRCD）、Row Precharge Timing（又称tRP）这两个参数对于很多初级用户来说，是一些陌生参数。其实简单来说，tRCD、tRP参数是用来改善内存稳定性。假若tRCD、tRP数值越高，那么内存的稳定性将会更加好。通常最佳性能是2，最稳定的是6。

数值越高，就增加内存的稳定性

编辑提醒：这个数值对超频有起着非常关键的作用，当你将内存超频至非常高频率的时候，将tRCD和tRP值调低会增加超频成功机会。就算玩家不超频，将数值调高，也保障了系统的稳定性。对于广大用户来说，3、4、5这三个数值是最为保险的，而6这个数值多数在疯狂提高内存频率的时候使用。需要大家特别注意的是，tRP数值应该是与tRCD相等或者更少。

DRAM RAS# Activate to Precharge（又称tRAS值）是一个颇具争议性的参数，而这个参数又与刚刚介绍的tRCD、tRP有着莫大关系。如果将tRAS调整不当，将会严重影响内存的整体情况。简单来说，tRAS值越低越好，而提高tRAS值也提高内存的稳定性。在调整tRAS 值的时候，需要顾及CL值和tRCD值这个参数，这里有个公式可以供给大家参考。

tRAS=CL+tRCD+2（举例，当CL值设置为5、tRCD为5的时候，那么这时tRAS的最佳设定值为12）

由于部分主板厂商并没有提供tRAS值全部数值（理论上使1-18），所以大家要尽量调低tRAS值的时候，只能靠软件来帮助，其中最常用的软件为MemSet。

根据公式来计算出tRAS值

编辑提醒：tRAS值的调整不像刚才介绍DDR2内存那样固定，不同内存往往有不同的设定值，而大家也不要拘泥于数字上，根据自家内存的特点来设定才是王道。对于部分超频性能好的内存产品（譬如镁光D9系列），那么就更加需要用户多尝试，因为不同芯片的tRAS 值往往有着天渊之别。

当大家调整好DDR2内存中的CL、tRCD、tRP、tRAS这四个最重要的参数之后，内存的基本潜能已经可以基本发挥出来，至于其他那些更加具体的参数，我们建议各位采用默认值（尽量采用Auto选项）。其实这些参数的调整对内存的影响并不如这四大参数明显，而调整其他参数对内存的性能带来的提升也不大。除了以上这几个参数之外，我们还要特别需要AMD DDR2平台用户关注Command Rate这个参数，而这个参数通常会有1T、2T、Auto选项。

大家不要少看1T、2T这两个简单数值，因为这些数字的改变对内存超频或延迟优化有着极其重要作用。很多AMD玩家就非常在乎这个数值的选取，假若内存在高频低延时的情况下还可以跑1T，那么这条内存将会给玩家称之为极品。

编辑注释：Intel 965/975系列是不提供1T/2T选项，目前能在Intel平台打开内存1T/2T 的主板只有nForce680i。

刚刚我们提及的DDR2内存设置技巧全部都是在主板bios里面设置，对于部分初级玩家来说，可能有一定难道。为了让更加多朋友了解DDR2内存参数设置，我们也提供了软件设置的介绍。只要大家点击“Memset超频工具”就可以下载到软超频的软件，而这个软件里面提供的选项比主流主板bios提供的还丰富。无论你是超频狂人也好，还是初级菜鸟，这个软件都可以帮你榨干手中的DDR2。

要将手中的DDR2发挥到极限，除了学会设置DDR2技巧之外，还要注意一些细节地方，譬如适当调整内存的工艺电压，以及为内存芯片颗粒额外加装散热装置（注：由于DDR2颗粒采用发热量少的FCBGA封装，所以在承受电压方面要比DDR好，而我们建议各位尽量不要将内存工作电压超过2.4V）。

我们就用一句话来形容DDR2参数技巧设置——参数越大越稳定，越少越高性能。

在上文的文章里面，我们介绍的是如何设置DDR2内存参数，那么以下我们就做一个小小评测，让大家看看这些数字的更改会对内存带来什么帮助。为求让大家看到参数对内存的影响，我们特意拿了一条非常普通的散装HY DDR2 533内存来做测试，而主板就是用了华硕P5B Dulex WiFi/AP、奔腾D 820 2.8G，测试软件为Super Pi（注：以下测试全部在默认1.8V 下进行，Super Pi运算时间越短，代表内存性能越高）。

首先是CL值为3，其余参数为3（tRCD）－3（tPR）－8（tRAS）这个最高性能参数来运行Super Pi 104万运算截图，最后运算时间为49.328s。

其次是CL值为4，其余参数为4（tRCD）－4（tPR）－11（tRAS）这个普通性能参数来运行Super Pi 104万运算截图，最后运算时间为49.812s。

最后是CL值为5，其余参数为6（tRCD）－6（tPR）－15（tRAS）这个降低性能加强稳定性的参数来运行Super Pi 104万运算截图，最后运算时间为50.906s。

通过这个小小测试，就可以看出内存参数的改动对整体系统的重要性。大家千万不要以往super Pi运算时间相差很少，就代表性能提升不明显。其实当你进行超频的时候，这些参数的改变更是是十分明显。如果你是不相信，不妨可以运行一些大型程序软件来验证一下。最后，祝愿各位朋友能发挥手中DDR2内存的最大潜能。

全面教你认识内存参数

全面教你认识内存参数内存热点 Jany 2010-4-28

内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。内存种类目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存第二代DDR内存

DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。内存SPD芯片内存SPD芯片

电脑内存时序

举例9-9-9-27，一般1600的条子spd出厂就这么设置的前面2个9对性能很重要，第2个9又比第1个9重要，比如说我要超1866或者2133，设置成9-10-X-X基本没有问题，但是设置成10-9-X-X就开不了机了，很多条子都这样子的，比如说现在很火的3星金条。第3位9基本上是打酱油的了，设置成9,10,11都对性能木有太大影响。第4位数字基本就无视好了，设置21-36对测试都没变化，原来稳定的还是稳定，原来开不了机的还是开不了。以前的ddr2时代对内存的小参数很有影响，现在ddr3了，频率才是王道哦。 2133的-11-11-11-30都要比1866的-9-9-9-27测试跑分的多。当然平时用是感觉不出来的。最后我再鄙视下金士顿的XX神条马甲套装，当年不懂事大价钱买的，就是YY用的， 1.65v上个1866都吃力，还要参数放的烂。对性能影响最大的是CL 第一个9对性能影响最大。l第二个9对超频稳定性影响最大最普通的ddr3 1333内存都可以1.5V运行在7-8-6-1666 CR1，77 Z博士：一般来说，体现内存延迟的就是我们通常说的时序，如DDR2-800内存的标准时序：5-5-5-18，但DDR3-800内存的标准时序则达到了6-6-6-

15、DDR3-1066为7-7-7- 20、而DDR3-1333更是达到了9-9-9-25！土老冒：俺想知道博士所说的5-5-5- 18、6-6-6-15等数字每一个都代表什么。 Z博士：这4个数字的含义依次为： CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，这也是内存最重要的参数之一，一般来说内存厂商都会将CL值印在产品标签上。第二个数字是RAS－to－CAS Delay（tRCD），代表内存行地址传输到列地址的延迟时间。第三个则是Row－precharge Delay（tRP），代表内存行地址选通脉冲预充电时间。第四个数字则是Row－active Delay（tRAS），代表内存行地址选通延迟。除了这四个以外，在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel芯片组上，如NVIDIA nForce 680i SLI芯片组上，还支持内存的CMD 1T/2T Timing 调节，CMD调节对内存的性能影响也很大，其重要性可以和CL相比。其实这些参数，你记得太清楚也没有太大用处，你就只需要了解，这几个参数越低，从你点菜到上菜的时间就越快。土老冒：好吧，俺自己也听得一头雾水，只需要记得它越低越好就行了。那么俺想问，为什么DDR3内存延迟提高了那么多，Intel和众多的内存模组厂商还要大力推广呢？

SDRAM内存详解(经典)

SDRAM内存详解（经典）我们从内存颗粒、内存槽位接口、主板和内存之间的信号、接口几个方面来详细阐述SDRAM内存条和主板内存系统的设计思路... 虽然目前SDRAM内存条价格已经接底线，内存开始向DDR和Rambus内存过渡。但是由于DDR内存是在SDRAM基础上发展起来的，所以详细了解SDRAM内存的接口和主板设计方法对于设计基于DDR内存的主板不无裨益。下面我们就从内存颗粒、内存槽位接口、主板和内存之间的信号接口几个方面来详细阐述SDRAM内存条和主板内存系统的设计思路。内存颗粒介绍对于DRAM（Dynamic Random Access Memory）内存我想凡是对于计算机有所了解的读者都不会陌生。这种类型的内存都是以一个电容是否充有电荷来作为存储状态的标志，电容冲有电荷为状态1，电容没有电荷为状态0。其最大优点是集成度高，容量大，但是其速度相对于SRAM (Static Random Access Memory) 内存来说慢了许多。目前的内存颗粒封装方式有许多种，本文仅仅以大家常见的TSSOP封装的内存颗粒为例子。其各个管脚的信号定义和我们所使用的DIMM插槽的定义是相同的，对于不同容量的内存，地址信号的位数有所不同。另外一个需要注意的地方就是其供电电路。Vcc和Vss是为内存颗粒中的存储队列供电，而VccQ和VssQ是为内存颗粒中的地址和数据缓冲区供电。两者的作用不同。我们对内存颗粒关心的问题主要是其颗粒的数据宽度（数据位数）和容量（寻址空间大小）。而对于颗粒自检、颗粒自刷新等等逻辑并不需要特别深入的研究，所以对此我仅仅是一笔带过，如果读者有兴趣的读者可以详细研究内存颗粒的数据手册。虽然内存颗粒有这么多的逻辑命令方式，但是由于目前北桥芯片和内存颗粒的集成度非常高，只要在布线和元器件的选择上严格按照内存规范来设计和制造，需要使用逻辑分析仪来调试电路上的差错的情况比较少，并且在设计过程中尽量避免出现这种情况。 168线DIMM内存插槽的信号定义　我们目前PC和Server使用的内存大都是168 Pins的SDRAM，区别只是其工作频率有的可能是100MHz频率，有的可能是133MHz频率的。但是只要是SDRAM，其DIMM插槽的信号定义是一样的。而这些引脚得定义就是设计内存条和主板所必须遵从的规范。内存引脚主要分为如下几类：地址引脚、数据引脚（包含校验位引脚）、片选等控制信号、时钟信号。整个内存时序系统就是这些引脚上的信号配合产生。下面的表中就是内存插槽的引脚数量和引脚定义，对于一些没有定义或者是保留以后使用的信号就没有列出来。符号功能详细描述 DQ [0-63] I/O 数据输入/输出 CB [0-7] I/O ECC内存的ECC校验输入/输出 A [0-13] I/O 地址选择 BA [0-1] Control Bank选择 CS [0-3] Control 片选信号 RAS Control 行地址选择信号 CAS Control 列地址选择信号 DQMB [0-7] Control 数据掩码控制（DQ Mask）高有效* WE Control 写允许信号 CK [0-3] Clock 时钟信号 CKE [0-1] Clock 时钟允许信号** REGE Control 寄存器 (Registered) 允许信号

DDR内存时序设置详解

内存时序设置详解内容概要关键词：内存时序参数设置导言：是否正确地设置了内存时序参数，在很大程度上决定了系统的基本性能。本文详细介绍了内存时序相关参数的基本涵义及设置要点。与传统的SDRAM相比，DDR（Dual date rate SDRSM：双倍速率SDRAM），最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR 的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。同样地，对于其标称的如DDR400，DDR333，DDR266数值，代表其工作频率其实仅为那些数值的一半，也就是说DDR400 工作频率为200MHz。 FSB与内存频率的关系首先请大家看看FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。 FSB/MEM比率实际运行频率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz 对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择。而其他的设置都是异步的。同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。

FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。内存时序设置内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。涉及到的参数分别为： ?CPC : Command Per Clock ?tCL : CAS Latency Control ?tRCD : RAS to CAS Delay ?tRAS : Min RAS Active Timing ?tRP : Row Precharge Timing ?tRC : Row Cycle Time ?tRFC : Row Refresh Cycle Time ?tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) ?tWR : Write Recovery Time ?……及其他参数的设置 CPC : Command Per Clock 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。

DDR系列内存详解及硬件设计规范-Michael

D D R 系列系列内存内存内存详解及硬件详解及硬件设计规范 By: Michael Oct 12, 2010 haolei@https://www.360docs.net/doc/686793247.html,

目录 1.概述 (3) 2.DDR的基本原理 (3) 3.DDR SDRAM与SDRAM的不同 (5) 3.1差分时钟 (6) 3.2数据选取脉冲（DQS） (7) 3.3写入延迟 (9) 3.4突发长度与写入掩码 (10) 3.5延迟锁定回路（DLL） (10) 4.DDR-Ⅱ (12) 4.1DDR-Ⅱ内存结构 (13) 4.2DDR-Ⅱ的操作与时序设计 (15) 4.3DDR-Ⅱ封装技术 (19) 5.DDR-Ⅲ (21) 5.1DDR-Ⅲ技术概论 (21) 5.2DDR-Ⅲ内存的技术改进 (23) 6.内存模组 (26) 6.1内存模组的分类 (26) 6.2内存模组的技术分析 (28) 7.DDR 硬件设计规范 (34) 7.1电源设计 (34) 7.2时钟 (37) 7.3数据和DQS (38) 7.4地址和控制 (39) 7.5PCB布局注意事项 (40) 7.6PCB布线注意事项 (41) 7.7EMI问题 (42) 7.8测试方法 (42)

摘要：本文介绍了DDR 系列SDRAM 的一些概念和难点，并分别对DDR-I/Ⅱ/Ⅲ的技术特点进行了论述，最后结合硬件设计提出一些参考设计规范。关键字关键字：：DDR, DDR, SDRAM SDRAM SDRAM, , , 内存模组内存模组内存模组, , , DQS DQS DQS, DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT Notes : Aug 30, 2010 – Added DDR III and the PCB layout specification - by Michael.Hao

微星970A-G46主板BIOS图文详解教程

微星9系列主板支持AMD推土机。BIOS采用第2代UEFI图形BIOS（Click BIOS II）。AMI BIOS 设置基本都一样，这里以970A-G46为例，讲解BIOS设置。 Version E7693AMS 版BIOS界面如下：Click BIOS II是由MSI开发，它提供了一个图形用户界面。通过鼠标和键盘来设置BIOS参数。最大的改进是提高BIOS首页的信息量。整个页面分为二大部分，信息显示区和BIOS设置区。通过Click BIOS II 用户可以改变BIOS设置，检测CPU温度、选择设备启动优先权并且查看系统信息，例如：CPU名称，DRAM容量，操作系统版本和BIOS版本。用户可以从备份中导入数据资料也可以与朋友分享导出数据资料。通过Click BIOS II连接英特尔网，用户可以再你的系统中浏览网页，检查MAIL和实用Live Update来更新BIOS。温度检测此区域显示了处理器和主板的温度系统信息此区域显示日期，时间，CPU名称，CPU频率，DRAM频率，DRAM容量和BIOS版本。 BIOS菜单选择这些区域用来选择BIOS菜单。下列选项可用的： ▲SETTING主板设置- 使用此菜单指定芯片组功能，启动设备的设置。 ▲OC超频设置- 此菜单包含频率和电压调整选项，增加频率可能获得更好的性能，然而，高频率和高温度可能导致不稳定。我们不建议普通用户超频。 ▲ECO节能设置–此菜单与节能设置相关联。 ▲BROWSER浏览器- 此功能用来进入MSI Winki网页浏览。 ▲UTILITIES适应程序–此菜单包含备份和升级功能。 ▲SECURITY安全设置–此安全菜单用来放置未经许可而做任意更改的设置。你可以使用这些安全功能来保护你的系统。设备启动优先权栏此状态栏显示了启动设备的优先权，高亮的图片表示设备是可用的。高优先权低优先级按住图标后左右拖曳来指定启动优先权。启动菜单此菜单按钮用来打开一个启动菜单。用鼠标点击此选项迅速从设备中启动系统。模式按钮此功能允许你预先导入节能或超频功能 BIOS设置常用的功能键：一、S ETTINGS（主板设置）点击进入主板设置。主板设置的选项。

电脑练习题讲解

单选题一.单选题 1.第一台电子数字计算机的名称是________。 A、ENIAC B、ENIAVC C、APPLE D、EDSAC 答案（A) 2.第二代计算机其主要器件是由________ 构成。 A、集成电路 B、晶体管 C、电子管 D、大规模集成电路答案（B) 3.在计算机内部用于汉字存储运算等处理的信息代码是________。 A、汉字输入码 B、汉字机内码 C、汉字字形码 D、汉字交换码答案（B） 4.________不等于1MB。 A、2的20次方字节 B、1000KB C、1024*1024字节 D、1024KB 答案（B） 5.计算机的存储量是以KB为单位的，1KB表示________。 A、1024个字节 B、1024个二进制信息位 C、1000个字节 D、1000个二进制信息位答案（A） 6.________不是存储容量的单位。 A、bit B、KB C、MB D、GB 答案（A） 7.世界上公认的第一台电子计算机逻辑元件是________。 A、集成电路 B、晶体管 C、电子管 D、继电器答案（C） 8.16×16点阵的汉字要占用________个字节。 A、8 B、36 C、32 D、256 答案（C） 9.计算机中信息存储的最小单位是________。 A、位 B、字长 C、字节 D、字答案（C） 10.计算机的存储器容量，常用KB作单位，其中B是表示________。 A、位 B、字长 C、字节 D、字答案（C） *11.不同型号的计算机，就其工作原理而论都是基于________原理。 A、二进制数 B、布尔代数 C、开关电路 D、存储程序控制答案（D） 12.CAD是________的英文缩写。 A、计算机辅助教学 B、计算机辅助设计 C、计算机辅助制造 D、计算机辅助控制答案（B） 13.CAM是________的英文缩写。 A、计算机辅助教学 B、计算机辅助设计 C、计算机辅助制造 D、计算机辅助控制答案（C） 14.字符的ASCII码十进制值为71，其十六进制表示为________。

超频内存时序表

内存时序一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是 “CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： Command Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。

如何读懂时序图

https://www.360docs.net/doc/686793247.html,/itangcle CPE/EE 421 Microcomputers WEEK #10 Interpreting the Timing Diagram 如何读懂时序图 The 68000 Read Cycle

2 Alan Clements 3 Actual behavior of a D flip - f lop Timing Diagram of a Simple Flip - F lop Idealized form of the timing diagram Data hold time Data setup time Max time for output to become valid after clock 4 An alternative form of the timing diagram General form of the timing diagram

A memory access begins in clock state S0 and ends in state S7 6

The most important parameter of the clock is the duration of a cycle, t C YC.

8 Address Timing 地址时序 ?We are interested in when the 68000 generates a new address for use in the current memory access 我们感兴趣的是当6800芯片能够生成一个新的地址供当前的内存访问 ?The next slide shows the relationship between the new address and the state of the 68000 ’s clock 下面展示的是新的地址跟6800芯片时钟的关系 Alan Clements

SDRAM时序控制

SDRAM的时序控制一、SDRAM的外在物理结构 (1)P-Bank 为保证CPU的正常工作，SDRAM必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据量，也就是CPU数据总线的位宽（bit），这个位宽也就是物理Bank（Physical Bank, P-Bank）的位宽，所以内存需要组成P-Bank来与CPU打交道。 (2)芯片位宽与芯片数量然而每个内存芯片都有自己的位宽，即每个传输周期能提供的数据量。由于技术要求、成本和实用性等方面限制，内存芯片的位宽一般都小于P-Bank的位宽，这就需要多颗内存芯片并联工作，以提供CPU正常工作时一个传输周期内所需要的数据量。所以，P-Bank实际上就是一组内存芯片的集合，这个集合的位宽总和=P-Bank的位宽=CPU数据位宽，但这个集合的数据容量没有限制。一个SDRAM只有一个P-Bank已经不能满足容量的需要，所以，多个芯片组可以支持多个P-Bank，一次选择一个P-Bank工作。 (3)SDRAM的封装 SIMM: Single In-line Memory Module，单列内存模组，内存模组就是我们常说的内存条，所谓单列是指模组电路板与主板插槽的接口只有一列引脚（虽然两侧都有金手指pin）DIMM: Double In-line Memory Module, 双列内存模组，所谓双列是指模组电路板与主板插槽的接口有两列引脚，模组电路板的每侧金手指对应一列引脚。 DIMM是SDRAM集合形式的最终体现。前文讲过P-Bank对芯片集合的位宽有要求，对芯片集合的容量则没有任何限制。高位宽的芯片可以让DIMM的设计简单一些（因为所用的芯片少），但在芯片容量相同时，这种DIMM的容量就肯定比不上采用低位宽芯片的模组，因为后者在一个P-Bank中可以容纳更多的芯片。 SDRAM的引脚与封装：二、SDRAM内部逻辑结构 (1)L-Bank SDRAM的内部实际上是一个存储阵列，就如同表格一样，而每个单元格就称为存储单元，这张表格就成为逻辑Bank(Logical Bank, L-Bank)。考虑到技术、成本、执行效率等方面原因，不可能只需要一个全容量的L-Bank，所以人们在SDRAM内部分割多个L-Bank，目前基本都是4个，内存访问时，一次只能是一个L-Bank。

内存的时序以及内存时序优化

一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off 或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： Command Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency 是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失

第二章计算机系统及计算原理习题ok讲解

第二章计算机系统及计算原理一、是非题 1.操作系统是系统软件中最重要的一种，其功能是对计算机系统所有资源进行管理、调度和分配。[A] A．对B．错 2.一台计算机能够识别的所有指令的集合称为该计算机的指令系统。 [A] A．对B．错 3．为了提高计算机的运行速度和执行效率，在现代计算机系统中，引入了流水线控制技术，使负责取指令、分析指令、执行指令的部件串行工作。[B] A．对B．错 4.构成计算机系统的电子原件、机械装置和线路等可见实体称为计算机系统的硬件。[A] A．对B．错 5．主频是指CPU和芯片组的时钟频率或工作频率。[B] A．对B．错 6．Cache主要是解决CPU的高速度和RAM的低速度的匹配问题。[A]

第二章计算机硬件系统与信息存储121 A．对B．错 7．外存和内存相比，具有容量大，速度慢，成本高，持久存储等特点。[B] A．对B．错 8．目前微型计算机中常用的硬盘接口主要有IDE和SATA两种。其中，IDE是一种串行接口，SATA是一种并行接口。[B] A．对B．错 9．微型计算机的台式兼容机是自己根据需要选择各个部件，配置出自己的计算机。[A] A．对B．错 10.微型计算机外存储器是指软盘、硬盘、光盘、移动存储设备等辅助存储器。[A] A．对B．错 11.刷新频率是CRT显示器的技术指标，指的是屏幕更新的速度。刷新频率越高，屏幕闪烁就越少。[A] A．对B．错 12.计算的复杂度指的是随着问题规模的增长，求解所需存储空间的变化情况。[B] A．对B．错 13.汇编语言的特点是由二进制组成，CPU可以直接解释和执行。[B]

122大学计算机基础上机实验指导及习题·第二篇习题 A．对B．错 14.ASCII码用7位二进制编码，可以表示26个英文字母（大小写）及42个常用符号，34个控制字符。[A] A．对B．错 15. 声音信号和视频信号的数字化处理过程都是采样→量化→编码。 [B] A．对B．错二、单选题 1. 一个完整的计算机系统包括______。[D] A.主机及其外部设备 B.主机、键盘、显示器 C.系统软件及应用软件 D.硬件系统及软件系统 2.软件系统包括______。[B] A.程序与数据 B.系统软件与应用软件 C.操作系统与语言处理系统 D.程序数据与文档 3.系统软件中最重要的是______。[A] A.操作系统 B.语言处理程序 C.工具软件 D.数据库管理系统 4.下列四种软件中，属于系统软件的是______。[C] A. WPS B. Word

内存时序修改教程

如题，首先上个修改的好的低时序,给大伙看看改好后的效果，原时序为1066频率下的7-7-7-20（1333内存条降频到1066）这是原始时序：修改后的低时序：

也许有人发现问题了，频率变了，没错，但是这个只是内存频率变了，实际有效频率依然是1066（533)

虽然如此，但是偶们已经达到偶们的目的——时序变低了（6-6-6-19,如上图），而这结果带来的影响不仅仅只是参数变了，请看下两图：这是原始参数7-7-7-20时序在EVREST内存测试中的成绩：

这是在EVREST的内存测试中修改后的低时序6-6-6-19的成绩：

可以明显的看出低时序相对原始时序在内存读写性能上的提升，这低时序正是追求性能的DIY玩家所需要的，反之，高时序则是稳定性的保证，然而因为内存颗粒体制的差别，过低的时序反而会引起系统的不稳定（本人亲测过修改成了4-4-4-12时序的4G DDR2 800的尔必达日本原厂条，结果开机不能）同时也是金士顿HYPERX神条强势的原因（颗粒体制）。这只是个引子，一是希望让大家了解下修改时序的意义和效果，也是为不死兄説的1656上1333频率做准备，既然知道了高时序能保证稳定性，那么对于要超到1333内存频率的I3/I5(包括I7 6系列）的1656来说，通过修改时序达到1333内存默认时序，对超频到1333来说，是一个有力的保证。接下来偶就将修改过程一步步教给大家：首先,偶们用到的工具软件有：THAIPHOON BURNER 6.3 SuperBlaster Edition（DRIVER Signature Enforcement Overrider,该软件是专为64位系统修改时序准备的，32位WINDOWS系统不需要。使用方法看见P.S.部分） THAIPHOON BURNER 的修改基本原理与方法，与流行一时的SPDTOOLS差不多，不

内存基本知识详解

内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。内存种类目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存第一代DDR内存 DDR SDRAM 是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存

第二代DDR内存 DDR2 是DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存第三代DDR内存

DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。内存SPD芯片内存SPD芯片 SPD(Serial Presence Detect): SPD是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM 电可擦写可编程只读存储器）, 容量为256字节，里面主要保存了该内存的相关资料，如容量、芯片厂商、内存模组厂商、工作速度等。SPD的内容一般由内存模组制造商写入。支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料，并以此设定内存的工作参数。启动计算机后，主板BIOS就会读取SPD中的信息，主板北桥芯片组就会根据这些参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器，从而可以充分发挥内存条的性能。上述情况实现的前提条件是在BIOS设置界面中，将内存设置选项设为“By SPD”。当主板从内存条中不能检测到SPD信息时，它就只能提供一个较为保守的配置。从某种意义上来说，SPD芯片是识别内存品牌的一个重要标志。如果SPD内的参数值设置得不合理，不但不能起到优化内存的作用，反而还会引起系统工作不稳定，甚至死机。因此，很多普通内存或兼容内存厂商为了避免兼容性问题，一般都将SPD中的内存工作参数设置得较为保守，从而限制了内存性能的充分发挥。更有甚者，一些不法厂商通过专门的读

SDRAM的相关时序参数设置(精)

在我们一般用的什么 SRAM 啊, PSRAM 啊, RAM 啊, 一般而言都是有多少根地址线, 然后可以算出寻址空间, 比如有 11根地址线, 那寻址空间就是 2的 11次方减 1。但是 SDRAM 是分列地址和行地址的, 行、列地址线是复用的, 所以有时候我们看到说寻址空间有多大多大,但是看看地址线怎么就那么几根啊,呵呵。SDRAM 一般还有 2根 BANK 的线,分成 4个 BANK ,在有的处理器的 SDRAM 控制模块中,这两根线可能映射到地址线的某两根去。一般芯片常按照以下方式写芯片的配置,比如 4Meg x 4 x 16,那这个芯片就是 256Mbits 。其中 16指数据线是 16根,中间一个 4是只分 4个 BANK , 每个 BANK 是 4Meg 。 SDRAM CAS Latency Time(内存 CAS 延迟时间可选项:2, 3。内存 CAS (Column Address Strobe, 列地址选通脉冲延迟时间控制 SDRAM 内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小,则内存的速度越快。在 133MHz 频率下,品质一般的兼容内存大多只能在 CAS=3下运行,在 CAS=2下运行会使系统不稳定、丢失数据甚至无法启动。 CAS 延迟时间是一个非常重要的内存参数,对电脑性能的影响比较大, Intel 与 VIA 就 PC133内存规范的分歧也与此参数有关, Intel 认为 PC133内存应能稳定运行于 133MHz 频率、 CAS=2下, 而 VIA 认为 PC133内存能稳定运行于 133MHz 频率即可, 并未特别指定 CAS 值, 因此 Intel 的规范更加严格, 一般只有品牌内存才能够满足此规范,所以大家感觉 Intel 的主板比较挑内存。 SDRAM Cycle Time Tras/Trc(内存 Tras/Trc时钟周期可选项:5/7, 7/9。该参数用于确定 SDRAM 内存行激活时间和行周期时间的时钟周期数。 Tras 代表 SDRAM 行激活时间(Row Active Time ,它是为进行数据传输而开启行单元所需要的时钟周期数。 Trc 代表 SDRAM 行周期时间(Row Cycle Time ,它是包括行单元开启和行单元刷新在内的整个过程所需要的时钟周期数。出于最佳性能考虑可将该参数设为5/7,这时内存的速度较快,但有可能出现因行单元开启时间不足而影响数据传输的情况,在 SDRAM 内存的工作频率高于 100MHz 时尤其是这样,即使是品牌内存大多也承受不了如此苛刻的设置。